[go: up one dir, main page]

TW308705B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW308705B
TW308705B TW085106244A TW85106244A TW308705B TW 308705 B TW308705 B TW 308705B TW 085106244 A TW085106244 A TW 085106244A TW 85106244 A TW85106244 A TW 85106244A TW 308705 B TW308705 B TW 308705B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
gas
lock chamber
pump
semiconductor
Prior art date
Application number
TW085106244A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW308705B publication Critical patent/TW308705B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01Manufacture or treatment
    • H10D48/04Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • H10D48/042Preparation of foundation plates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18Vacuum control means
    • H01J2237/184Vacuum locks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(1 ) 本發明係關於一棰半導體元件之製造装置,且尤指一 種使用真空条統之半導饈元件裂造装置。 在採用一使用真空条統之半導體元件製造裝置的半導 體元件製程中,顆粒會於處理室之壓降(泵降)期間形成 且所形成之顆粒及沈積在該處理室中進行處理之晶圖上。 此棰半導體晶藺之顆粒污染將顯著降低半導體元件之產品 產置及可靠度。此問題隨著遞增之晶画直徑及較高之整合 位準而變得更形嚴重。 鼷降或通氣期間之顆粒形成係歸因於氣體絕熱膨脹所 造成之冷凝機制(參攪1993年5月之” Condensation-induced Particle Formation during Vacuun Pubp Down By Yan Y e et a 1. , Journal of the E1ectrochen i ca1 Society, Vol.140, No.5, pp.1463-1468)。依據所提議 之機制,藉著一處理室中之壓力之快速降低,該處理室中 之氣驩受到絕熱膨脹且其溫度快速下降。氣饅同時冷凝成 液滴。在液滾形成期間,空氣中之此類氣醱例如S0a, 〇3, H»〇及其他氣體雜質即擴散至液滴内且因此被吸收。接箸 ,因室壁之熱容量大於液滴者,所以室之内表面溫度較液 滴者下降更緩慢。所造成之溫差使熱量由室傳送液滴,導 致液滴之加熱與蒸發,使得液體中之雜質濃度增加。在澹 縮液相期間,當液體中之H80之濃度足夠高時,Ha〇a即迅 速與S0a反應Μ形成碕酸,導致硫酸液滴之形成。當液滴 持繙蒸發時,即形成球狀且主含硫酸之殘餘顆粒。殘餘顆 粒之主要基本成分為磺,硫及氣*且殘餘顆粒在熱力方面 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X2W公釐) ------..--—---I---ΐτ------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 經濟部中央榡準局員Η消費合作杜印製 A7 B7 一 - - 五、發明説明(2 ) 相當穩定。因此,殘餘顆粒無法完全蒸發卽使加熱至高達 18〇·〇之溫度時亦然。 當處理室較小時,氣體之相對源度愈高且择壓速度或 通氣速度愈高*可發現更多之冷凝慼應顆粒。 第1圖爲一使用真空条統之傳統半導體元件製造裝置 中之離子植入装置之示意圖。此處,參考號碼10指示一處 理室用Μ在其内將離子植入至一半導體晶鬮中;參考號碼 20指示兩載入鎖定室其與處理室10之預定部分連通,俥於 其内載入即將傳送至處理室之晶參考號碼30指示一装 設於處理室10與每一載入播定室20之間的隔離閥Μ決定將 «理室10與載入鎖定室20隔離;參考號碼40指示一泵俾降 低載入錤定室20之壓力而將晶園傳送至真空中之處理室10 内;參考號碼50指示一排氣管其具有兩組連至各別載人鎖 定室20之副管件Α及一主管件Β而該主管件之一端連至副 管件A且另一端則連至泵40; Μ及參考號碼60指示一裝設 在副管件Α之一預定部分中之關閉閥,俥決定鼷閉氣體由 載入鎖定室20流至泵40。 第1圖之裝置中,一空氣閥(其視氣體蹏力而開與閉 )經常係充作關閉閥60之用。主管件B之直徑乃大於副管 件A者,此因由載入蹟定室20流出之氣鼸係收集於並通過 主管件B之故。另,參考號碼70指示一入口俥將通氣氣體 注入載入鎖定室20内。 使用真空糸統之傳統半導體元件製造装置現將參看第 1圖加以說明。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐〉 ---------1¾衣---^----·玎 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 308705 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(3 ) 裝設於關閉閥60與泵40之間的排氣管50係維持在約 1〇-3托(Torr)之低真空。接著晶圖載入於載入鎖定室20内 ,且關閉閥60開啟以將載入鎖定室20之壓力降至約ΙΟ-3托 。接著,晶圓藉著開啟隔離閬30而傳送至處理室10。此處 ,處理室10處於約10〃托之高真空。 載入鎖定室20係設定為較低之真空使得氣體之一突發 之擾流可被防止且籍著減低處理室10之高真空與載入鋇定 室20之大氣壓間之差異的方式於晶國傳送至處理室10之前 即初步地減少顆粒。 第2圖爲充作一關閉閥用之空氣閥60之截面放大視圖 。此處參考號碼100為一圓柱外毅其侧部與基部上具有孔 洞;參考號碼200指示一板件其裝設於外殻100内側之一預 定部分中Μ將該外毅分成一上部及一下部並具有一孔洞侔 於中心處連通下部與上部;參考號碼300指示一風箱其環 繞孔洞並固定至板件200處Μ藉板件之下表面加Μ密封且 於其下端部具有一 0形環以開啟及關閉外毅1〇〇之基部孔 洞;參考號碼500指示一彈性橡穋箱其装設至外殼1〇〇之内 部上表面之上並朝外殻1〇〇之下部凸出;參考號碼600指示 一彌性支持件其固定至橡穋箱500之凸表面處,該支持件 之部分係揷入板件200之孔洞中;參考號碼700指示一揮簧 ,其一端固定至風箱300之基部而另一端則固定至揮性支 持件600 ;參考號碼800指示一空氣入口其與板件200形成 之外殼100之上部的一侧相連通;Μ及參考號碼900指示由 載入鎖定室20至泵40 (第1圖)之氣體流動。假設由空氣 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 裝 、1Τ 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇>< 297公釐) mmmrnm Μ Β7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 五、發明説明(4 ) 入口 800注入之空氣壓力低於一預定值時,外殼100之下孔 洞即轉風箱300加以閉合。假設空氣壓力大於或等於預定 壓力時,橡膠箱500之凸端部即朝上推起,垂直收縮風箱 300以及因此開啟外殼1〇〇之下孔洞。因下孔洞被快速開啟 ,載入鎖定室20之壓力亦快速下降。 第3圖顯示載入鎖定室20中所形成之顆粒之電子顯撤 分光(SEM〉照片。顆粒直徑約為0.3-3 ·7ίΐιιι且形狀為球形。 第4園揭示藉著俄歇(AugeiOlg子光道學(AES)分析第 3圈之頼粒成分所獲致之結果。 如上所述,在使用真空糸統之傳統半導體元件製造裝 置中,如Yan Ye et al建議者*在分析載入鎖定室中產生 之顆粒形狀與成分時可發現氣膿冷凝為顆粒形成之因。換 言之,酋装設在排氣管上用以排出載入鋇定室之氣體的關 閉《快速開啟時,載入鎖定室之壓力即迅速下降。因此, 顆粒形成係歸因於載入鋇定室中之氣鼸的絕熱膨脹。 藉著以上之相同機制,通氣氣體之絕熱膨脹於載入鋇 定室之通氣期間可產生顆粒。 本發明之目的係提供一半導饈元件製迨裝置其可藉著 防止載入鎖定室中之氣鰌的絕熱膨脹而減少冷凝慼應之顆 粒形成。 為逹成以上目的之一觀黏,係提供本發明之一第一實 施例之半導醱元件製造裝置,包含:一處理室俥於其内製 迪一半導醱元件,一載入鎖定室與處理室之一預定部分連 通俾於其内載入一即將傳送至處理室之半導體晶画;一泵 (靖先閱讀背面之注意事嘎再 ?本頁) * 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210x_297公釐) 7 308705 A7 B7 五、發明説明(5 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 俥降低載入鎖定室之壓力;一排氣管其連接載入鎖定室與 泵,俾排出載入鎖定室之氣體;Μ及一閥其裝設於排氣管 之一預定部分中,其中閥為一通氣速度控制俾控制由載入 親定室流至泵之氣體速度。 為達成Μ上目的之另一觀點,係提供本發明之一第二 實施例之半導體元件製造裝置,包含:一處理室俾於其内 製造一半導體元件;一載入鎖定室與處理室連通俾於其内 載入一即將傅送至處理室之半導龌晶圔;Μ及一通氣氣體 入口俾將通氣氣齷注入載入鎖定室,其中通氣氣體入口設 有一裝設在一預定部分中之熱源侔加熱注入至載入鎖定室 之通氣氣體。 爲達成以上目的之又一觀點,係提供本發明之一第三 實施例之半導體元件製造装置,包含:一處理室俾於其内 裂造一半導醱元件,多數組載入鎖定室其與處理室之預定 部分相連通俾於其内載入邸將傳送至處理室之半導體晶圓 ;一泵俥降低多數組載入錤定室之壓力;一排氣管其連接 載入鎖定室與泵俥排出載入錤定室之氣體,排氣管包含多 數侮副管件而每一副管件均連至每一載入鎖定室,Μ及一 主管件其具有一預定部分而該預定部分之直徑與其他部分 者不同,該主管件之一端連至多數鶴副管件而其另一端則 連至泵;Μ及一閥其装設於排氣管之一預定部分內。 本發明之Μ上目的及優點將藉著詳細說明較佳實施例 並參考隨附圖式而變得更為明顯,其中: 第1圖係使用真空糸統之傅統半導龌元件製造装置之 (請先W讀背面之注意事項再ί?,:本頁) -裝 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) -8 - 8 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(6 ) 示意視圃; 第2圓係充作第1圖之一闋閉閥用之空氣閥之示意視 圖; 第3圈顯示第1圔之載入鎖定室中產生之顆粒之SEM 照片; 第4圖顯示第3圖之顆粒成分之AES分析結果; 第5圖係本發明之一實施例之半導饑元件裂造裝置之 不意視顧; 第6匾係充作第5圔所示之通氣速度控制闕用之節流 閥之示意視圃; 第7圖係本發明之一第二實施例之半導驩元件製造裝 置之示意視圖;Μ及 第8圖係本發明之一第三實施例之半導《元件製造装 置之示意視圖。 奮旃例1 第5圈係本發明第一實施例之半導《元件製造装置, 尤指一離子植入裝置之示意視圖。此處,一參考號碼11指 示一處理室俾於其内将離子植入一半導體晶圓;參考號碼 21指示多數組,例如,兩組載入鎖定室,其與處理室11之 預定部分相連俾於其内載入卽將傳送至處理室之半導髓晶 參考號碼31指示一隔離闕其設於處理室11與每一載入 鎖定室21之間俾決定處理室11與載入鎖定室21之隔離;參 考號碼41指示一泵侔降低載入鎖定室21之壓力Μ便將晶圔 由載入鎖定室21傅送至真空之處理室11處;參考號碼51指 裝 訂 务 (請先閣讀背面之注意事項再....本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210Χ297公釐) 9 Α7 Β7 五、發明説明(7 ) 示一排氣管其具有多數個(例如兩値)副管件C而每一副 管件均連至每一載入鎖定室21,及一主管件D其一端連至 副管件C且其另一端連至泵41;參考號碼61指示一通氣速 度控制閥其裝設至排氣管51俾藉著控制其銪啟來控制由載 入鏆定室21至泵41之氣體流動速度;Μ及參考號碼71指示 一通氣氣體入口侔將通氣氣體注入每一載入鎖定室21。 較宜地,主管件D之直徑大於副管件C之直徑,此因 由載入鋇定室21滾出之氣體係聚集於並通過主管件D之故 。此外,一節滾閥可充作通氣速度控制閥61。 依據實施例,冷凝感應之顆粒形成可藉箸以通氣速度 控制閥61摄定提升通氣速度之方式加Μ減低,Μ及因此防 止載入鋇定室21之快速壓降所造成之氣龌的絕熱膨脹。此 外,冷凝感應顆粒形成亦可藉箸在通氣氣體入口之一預定 部分中提供一加熱源(例如一加熱線)Μ加熱於一通氣程 序期間注入之氣《,且因此降低其相對濕度的方式而減低 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 第6圖係一充作通氣速度控制閥61之用的節流閥之示 意視圖。此處,參考號碼101指示一画柱外殻其側邊具有 孔洞而經由該等孔洞,圖柱外殻101可連至第5圖之排氣 管51;參考號碼201指示一碟片狀轉盤俾將外殼101分成左 部輿右部;Μ及參考號碼301指示一轉軸其藉一馬達(未 顯示)加Μ旋轉並與轉盤201結合Μ便垂直穿過外殼101並 通過轉盤201之中心。因此,轉盤20籍著轉軸301之轉動而 Μ轉軸為一軸進行轉動,Μ及由載入錤定室21滾至泵41 ( 10 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(2]〇Χ2*ί7公釐) Α7 Β7 308705 五、發明説明(8) 第5圈)之氣體速度相鼷於轉動之程度。 窗掄例2 第7圖係本發明一第二實施例之半導髏元件製造裝置 ,尤指離子植入装置之示意視圏。第5圈之類似參考號碼 指示相同之元件。參考號碼61A指示一關閉閥其裝設於副 管件C之一預定部分中》俾決定由載入鎖定室21至泵41之 氣體流動之關閉。一空氣閥,例如,可充作一關閉閥之用 。參考號碼Μ指示一加熱源其裝設於通氣氣體入口 71之一 預定部分内。一加熱線,例如,可充作加熱源之用。加熱 源81加熱注入至載入鎖定室21中之通氣氣體Μ減低通氣氣 體之相對濕度,藉此減低載入鎖定室21中之冷凝感應顆粒 之形成。 奮掄俐2 第8圖係本發明一第三實施例之半導體元件製造裝置 之示意視圆。第5圖之類似參考號碼指示相同之元件。參 考號碼51Α指示一排氣管其具有多數組,例如,兩組副管 件Ε及一主管件F。此處,每一副管件均連至每一載入鎖 定室21。主管件21 (其一端連至副管件Ε及另一端連至泵 41)在距多數組副管件相遇部分達一預定長度處之具有一 第一直徑Μ及在連至泵41處之其他部分具有一第二直徑。 較宜地,主管件F在距副管件Ε相遇部分達一預定長 度處具有一第一直徑,同時在其他部分具有一大於第一直 徑之第二直徑。具有第一直徑之部分僅為一示範性醮用, 且因此必要時可改良第一直徑部分之位置。此外,第一直 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (·請先閱讀背面之注意事項*.¥本頁) 裝. 線 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印製 11 Α7 Β7 五、發明説明(9) 徑大於副管件E之直徑。 參考號碼61A指示關閉閥其裝設於副管件E之一預定 部分中,俾決定由載入鎖定室21至泵41之氣體流動之關閉 。一空氣閥可充作關閉閥之用。關閉閥61A較宜装設在副 管件E之一預定部分内。因此,雖然關閉閥61A被突然開 啟,排氣速度可因主管件F中之第一直徑部分而減低。因 此,冷凝感應顆粒形成可籍箸防止因載入鎖定室21之壓力 之快速下降所造成之氣體絕熱膨脹之方式而減低。此外, 冷凝感應顆粒形成亦可藉著在通氣氣髏入口之一預定部分 中提供一加熱源(未顯示),例如,一加熱線Μ減低通氣 氣體之相對濕度的方式而減低。 如上所述,依據本發明之較佳貢施例,冷凝感應顆粒 形成可藉著防止氣體絕熱膨脹之方式而減低。 本發明未受限於Μ上實施例,且吾人清楚地瞭解許多 變化藉箸熟於本技S人士而在本發明之範圍與精神内成爲 可能。 I 訂 I ' 各 (.請先閱讀背面之注意事項¾本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度遴用中國國家標牟(CN'S ) A4規格(21 ο _χ 297公釐) 12 五、發明説明(10) A7 B7 元件檷號對照 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 10 ____ 處理室 101 . ...圓柱外殼 11 ____ 處理室 200 . ...板件 20 ____ 載入鋇定室 201 . ...轉盤 21 ---- 載入鎖定室 300 . ...風箱 30 ____ 隔離閥 301 . ...轉軸 31 ____ 隔離閥 400 . ...0形環 40 ____ 泵 500 . …(彈性) 41 ____ 泵 600 . ...(彈性) 50 ____ 排氣管 700 . ...彈簧 51 ____ 排氣管 800 . .· ·入口 51A… .排氣管 900 . ...氣體流動 60 .... 關閉閥 A ... .副管件 61 ____ 通氣速度控制閥 B ... .主管件 61A ... .關閉閥 C… .副管件 70 ____ 入口 D .主管件 71 ____ 入口 E . _ .副管件 81 ____ 加熱源 F… .主管件 100… .圖柱外般 ---------1---一---ΪΤ------i (請先閱讀背面之注意事項再^寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 2W公釐) -13 - 13

Claims (1)

  1. j -j A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第85106244號申諳專利範圍修正本 86.2.1. 製造裝置*包含: 供於其内製造一半導體元件; 室,其與該處理室之一預定部分相連通 卽將傳送至該處理室之半導體晶圓丄 含: 1 . 一種半導體元件 一處理室 一載入鎖定 ,俾於其内載入 玆裁人鎖定室包 一涌氣氣體人口,俥將涌氩氙g碧泮人泫載λ緒宙 苕;及 加執源,其奘铅於誌诵氣氣體人口夕一?g宙邬 分中; 經濟部中央棣準局貝工消費合作衽印製 一泵,供減低該載入鎖定室之壓力; 一排氣管,其連接該載入鎖定室與該泵,俾排出該 載入鎖定室之氣體;以及 一閥,其裝設於該排氣管之一預定部分; 其中該閥為一通氣速度控制閥俾控制由該載入鎖定 室流至該泵之氣體速度。 .如申請專利範圍第1項之半導體元件製造裝置,其中該 加熱源為一環繞該通氣氣體入口之加熱線° • 一種半導體元件製造裝置,包含: 一處理室,供於其内製造一半導體元件; 一載入鎖定室,其與該處理室相連通俾於其内載入 一即將傳送至該處理室之半導體晶圓;以及 一通氣氣體入口,供將通氣氣體注入該載.入鎖定室 内; -14 - n n^— f I 11111.^1 1^1 m - i I I mu n>; ^ J ^^^1 i —^n m I , 、va·ν (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 其中該通氣氣體入口設有一加熱源而該加熱源裝設 於其預定部分中,俾加熱注入至該載入鎖定室内之通氣 氣體c 4.如申請專利範圍第3項之半導體元件製造装置,其中該 加熱源為一環繞該通氣氣體入口之加熱線: 5 . —種半導體元件製造装置,包含: 一處理室,供於其内製造一半導體元件; 多數組載入鎖定室,其與該處理室之預定部份相連 通俾於其内載入即將傳送至該處理室之半導體晶圚ill 毎一載A銷亩宕包含: 一诵氣氣髒人□,梅將滴氣氣體泮人該載人鎖定 宰,及 一加執源,奘沿於铉涌氣氣體人口之一裙定部份 一泵,供減低該載入鎖定室之壓力; 一排氣管,其連接該載入鎖定室與該泵,俾排出該 載入鎖定室之氣體;該排氣管包含多數組副管件而每一 副管件均連至每一載入鎖定室,以及一主管件其具有一 預定部份而該預定部份之直徑不同於其他部份之直徑, 該主管件之一端連至該多數組副管件且其另一端則連至 該泵;以及 一閥,其装設於該排氣管之一預定部份内。 In m^l ^^1· «^^^^1 In ^nf —m —^ϋ \ J . 0¾ * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15 - 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)
TW085106244A 1995-11-21 1996-05-25 TW308705B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950042623A KR100189981B1 (ko) 1995-11-21 1995-11-21 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW308705B true TW308705B (zh) 1997-06-21

Family

ID=19435018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085106244A TW308705B (zh) 1995-11-21 1996-05-25

Country Status (7)

Country Link
US (2) US5833425A (zh)
EP (2) EP1017085A3 (zh)
JP (1) JP4008515B2 (zh)
KR (1) KR100189981B1 (zh)
CN (2) CN1165637C (zh)
DE (1) DE69616481T2 (zh)
TW (1) TW308705B (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4117969C2 (de) * 1991-05-31 2000-11-09 Balzers Ag Liechtenstein Vakuumkammer
KR100296651B1 (ko) * 1998-07-09 2001-10-26 윤종용 반도체진공설비및이를이용하는방법
US6161311A (en) * 1998-07-10 2000-12-19 Asm America, Inc. System and method for reducing particles in epitaxial reactors
US6016611A (en) * 1998-07-13 2000-01-25 Applied Komatsu Technology, Inc. Gas flow control in a substrate processing system
US6197119B1 (en) 1999-02-18 2001-03-06 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines
US6238514B1 (en) * 1999-02-18 2001-05-29 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent
KR100740905B1 (ko) * 2000-03-16 2007-07-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 고진공 스퍼터 장치
FR2807951B1 (fr) * 2000-04-20 2003-05-16 Cit Alcatel Procede et systeme de pompage des chambres de transfert d'equipement de semi-conducteur
US6568896B2 (en) 2001-03-21 2003-05-27 Applied Materials, Inc. Transfer chamber with side wall port
US6488745B2 (en) 2001-03-23 2002-12-03 Mks Instruments, Inc. Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions
US6701972B2 (en) 2002-01-11 2004-03-09 The Boc Group, Inc. Vacuum load lock, system including vacuum load lock, and associated methods
JP2005191494A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光装置、デバイスの製造方法
US7695231B2 (en) * 2004-03-08 2010-04-13 Jusung Engineering Co., Ltd. Vacuum pumping system, driving method thereof, apparatus having the same, and method of transferring substrate using the same
US7253107B2 (en) * 2004-06-17 2007-08-07 Asm International N.V. Pressure control system
JP4581602B2 (ja) * 2004-09-29 2010-11-17 株式会社島津製作所 真空処理装置
JP2006342688A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Ebara Corp 真空排気システム
CN100468629C (zh) * 2005-07-20 2009-03-11 台达电子工业股份有限公司 真空控制系统
KR101121419B1 (ko) * 2005-08-30 2012-03-15 주성엔지니어링(주) 기판제조장치 및 이에 이용되는 진공펌핑방법과 벤팅방법
KR100665855B1 (ko) * 2006-02-01 2007-01-09 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 제조설비의 진공장치 및 이를 이용한진공방법
JP4951618B2 (ja) * 2006-03-31 2012-06-13 株式会社クラレ 不織繊維構造を有する成形体
US7989173B2 (en) * 2006-12-27 2011-08-02 The Johns Hopkins University Detection and diagnosis of inflammatory disorders
KR101359401B1 (ko) * 2007-06-21 2014-02-10 주성엔지니어링(주) 고효율 박막 태양전지와 그 제조방법 및 제조장치
JP2009252953A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2010153737A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
US8623141B2 (en) 2009-05-18 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Piping system and control for semiconductor processing
CN102918621B (zh) * 2010-05-28 2015-11-25 艾克塞利斯科技公司 主动露点感测和载荷锁定排气以避免在工件上凝结
EP2546300A1 (en) 2011-07-14 2013-01-16 Cytec Surface Specialties, S.A. Radiation curable aqueous dispersions
US20140116336A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Applied Materials, Inc. Substrate process chamber exhaust
KR102343637B1 (ko) 2019-06-13 2021-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20230138326A1 (en) * 2021-10-28 2023-05-04 Applied Materials, Inc. Model-Based Controlled Load Lock Pumping Scheme

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4181288A (en) * 1978-04-05 1980-01-01 Simon Bylsma Fluid pressure regulator valve unit for a fluid delivery system
US4573431A (en) * 1983-11-16 1986-03-04 Btu Engineering Corporation Modular V-CVD diffusion furnace
US4657621A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Low particulate vacuum chamber input/output valve
US4739787A (en) * 1986-11-10 1988-04-26 Stoltenberg Kevin J Method and apparatus for improving the yield of integrated circuit devices
JPH01198034A (ja) * 1988-02-03 1989-08-09 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の製造方法
JPH02185974A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Tokyo Electron Ltd 金属シリサイド膜の減圧cvd装置
US4987933A (en) * 1989-03-03 1991-01-29 Eaton Corporation Fluid flow control method and apparatus for minimizing particle contamination
US5314541A (en) * 1991-05-28 1994-05-24 Tokyo Electron Limited Reduced pressure processing system and reduced pressure processing method
JP3149206B2 (ja) * 1991-05-30 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5228208A (en) * 1991-06-17 1993-07-20 Applied Materials, Inc. Method of and apparatus for controlling thermal gradient in a load lock chamber
JPH0536618A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH05218176A (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US5303671A (en) * 1992-02-07 1994-04-19 Tokyo Electron Limited System for continuously washing and film-forming a semiconductor wafer
JPH0669180A (ja) * 1992-08-13 1994-03-11 Tokyo Hightech Kk 真空乾燥装置
JP3330166B2 (ja) * 1992-12-04 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5308989A (en) * 1992-12-22 1994-05-03 Eaton Corporation Fluid flow control method and apparatus for an ion implanter
EP0635875B1 (en) * 1993-02-05 1997-01-02 Asm Japan K.K. Apparatus for heat treatment
JP3218488B2 (ja) * 1993-03-16 2001-10-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6047713A (en) * 1994-02-03 2000-04-11 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a throttle valve
US5485542A (en) * 1994-07-18 1996-01-16 Mks Instruments, Inc. Heated fluid control valve with electric heating element and thermocouple wiring disposed in rotatable shaft
JPH0855810A (ja) * 1994-08-16 1996-02-27 Nec Kyushu Ltd 拡散炉

Also Published As

Publication number Publication date
DE69616481T2 (de) 2002-07-11
EP0776026A1 (en) 1997-05-28
EP0776026B1 (en) 2001-10-31
US6071350A (en) 2000-06-06
EP1017085A3 (en) 2002-09-25
US5833425A (en) 1998-11-10
KR970030243A (ko) 1997-06-26
JP4008515B2 (ja) 2007-11-14
CN1165637C (zh) 2004-09-08
CN1152626A (zh) 1997-06-25
CN1501445A (zh) 2004-06-02
KR100189981B1 (ko) 1999-06-01
CN1242456C (zh) 2006-02-15
JPH09148265A (ja) 1997-06-06
DE69616481D1 (de) 2001-12-06
EP1017085A2 (en) 2000-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW308705B (zh)
TW301763B (zh)
US6828235B2 (en) Semiconductor manufacturing method, substrate processing method, and semiconductor manufacturing apparatus
US6042651A (en) Molecular contamination control system
TW526278B (en) Plasma processing apparatus having an evacuating arrangement to evacuate gas from a gas-introducing part of a process chamber
US5855077A (en) Apparatus for drying semiconductor wafers using isopropyl alcohol
JPH06267933A (ja) 処理装置
JPH06502687A (ja) 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置
US6830631B2 (en) Method for the removing of adsorbed molecules from a chamber
JPH05304099A (ja) 流量制御装置
US4766007A (en) Process for forming deposited film
TW418296B (en) A low-pressure apparatus for carrying out steps in the manufacture of a device, a method of manufacturing a device making use of such an apparatus, and a pressure control valve
JP3471077B2 (ja) 真空容器の圧力制御方法
JPH08125185A (ja) 薄膜トランジスタ製造方法並びに製造装置
JPH0338033A (ja) 低温エッチング装置
JP3173698B2 (ja) 熱処理方法及びその装置
JP2005064526A (ja) 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
TW414923B (en) Method of reducing the micro particle contamination of the load-lock
TW411526B (en) Method and device for forming gate oxide layers
JPH09106974A (ja) 基板吸着水分の除去方法及び装置
JP3686163B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法およびその製造装置
JP2001035842A (ja) Cvd装置及び半導体装置の製造方法
JP3070130B2 (ja) 縦型減圧気相成長装置
Ibrahim et al. Robust silicon nitride LPCVD recipe development
JPH01274428A (ja) ドライエッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent