[go: up one dir, main page]

JP3218488B2 - 処理装置 - Google Patents

処理装置

Info

Publication number
JP3218488B2
JP3218488B2 JP08132993A JP8132993A JP3218488B2 JP 3218488 B2 JP3218488 B2 JP 3218488B2 JP 08132993 A JP08132993 A JP 08132993A JP 8132993 A JP8132993 A JP 8132993A JP 3218488 B2 JP3218488 B2 JP 3218488B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
load lock
processing
holder
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP08132993A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06267873A (ja
Inventor
勝彦 岩渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=13743350&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3218488(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP08132993A priority Critical patent/JP3218488B2/ja
Priority to US08/213,096 priority patent/US5462397A/en
Priority to KR1019940005067A priority patent/KR100276127B1/ko
Publication of JPH06267873A publication Critical patent/JPH06267873A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3218488B2 publication Critical patent/JP3218488B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/14—Wafer cassette transporting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体に所定の処理を施す処理装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体の製造工程においては、
被処理体である半導体ウエハ（以下にウエハという）へ
の酸化膜の形成や熱ＣＶＤ法による薄膜形成や熱拡散法
による不純物濃度領域の形成等を行う各種の処理装置が
使用されている。
【０００３】これら各種処理装置に適用されるものとし
て、従来の横型のものから、最近では縦型の熱処理装置
が多く採用されている。従来のこの種の縦型熱処理装置
としては、多数枚のウエハを収容した保持体であるウエ
ハボートをほぼ円筒形の縦型処理室（プロセスチュー
ブ）内に挿入し、プロセスチューブ内を所定の処理ガス
下で加熱することにより、ウエハの各種処理を行うもの
が知られている。
【０００４】従来のこの種の熱処理装置は、図４に示す
ように、例えば石英製のプロセスチューブ１の下側にマ
ニホールド２を設置し、このマニホールド２に設けられ
た排気管３及びガス導入管４によって、プロセスチュー
ブ１内のガスの排気及び導入が行われるようになってい
る。また、このプロセスチューブ１の外側には、プロセ
スチューブ１を囲んでヒータ５が設けられており、プロ
セスチューブ１内を所望の温度に加熱制御し得るように
なっている。
【０００５】多数枚のウエハＷを収納したウエハボート
７は、移送機構を構成するボートエレベータ１１ａによ
ってロードロック室１０からプロセスチューブ１に挿入
される。この際、ウエハボート７のフランジ７ａがマニ
ホールド２に当接してプロセスチューブ１内が密閉され
るように構成されている。
【０００６】また、ロードロック室１０に隣接して設置
される真空室４０内に、図示しないキャリア搬送手段に
よって搬送されたウエハキャリアＣに収納されたウエハ
Ｗをウエハボート７に搬送又は搬出するための搬出入手
段５０が設置されている。
【０００７】上記のように構成される熱処理装置を用い
てウエハＷに処理を施す場合は、まず、例えば窒素（Ｎ
2 ）等の不活性ガス雰囲気（非酸素雰囲気）下でウエハ
をウエハボート７に収納し、このウエハボート７をボー
トエレベータ１１ａによって上昇させてプロセスチュー
ブ１内に挿入する。その後、排気管３を用いてプロセス
チューブ１内のＮ2 ガスを排出し、プロセスチューブ１
内が真空度に達すると、ガス導入管４により処理ガスを
導入して所望の処理を行う。
【０００８】そして、処理が終了すると、排気管３を用
いてプロセスチューブ１内の処理ガスを排出し、プロセ
スチューブ１内が所定の真空度に達すると、ガス導入管
４によりＮ2 ガスを導入する。その後、Ｎ2 ガスの圧力
がロードロック室１０のＮ2ガスの圧力と同じになる
と、ウエハボート７を下降させてウエハＷを取り出す。
【０００９】こうした縦型熱処理装置での処理作業にお
いて、ロードロック室１０からウエハＷをウエハボート
７と共に上昇させてプロセスチューブ１内へ挿入すると
きや、その処理後にプロセスチューブ１内から下降させ
て引き出すとき、その途中炉口付近でもかなりの高温度
雰囲気状態にあることから、そこに大気が存在すると、
この大気中の酸素（Ｏ2 ）によってウエハＷ表面に自然
酸化膜が形成されてしまうという問題がある。このた
め、ウエハボート７の挿脱時は、Ｎ2 ガス等の不活性ガ
ス雰囲気（非酸素雰囲気）下で行うべく装置本体、特に
ロードロック室１０を大気と隔離したクローズドシステ
ム構造として、ガス給排手段によりＮ2 ガス雰囲気に置
換・維持する方法が採られている。
【００１０】しかも、ロードロック室１０内のガス雰囲
気は外部からの大気の侵入を阻止すべく常に陽圧に保持
しなければならないこと、ウエハ処理作業を繰り返し行
うために装置本体内のガス雰囲気中にカーボン等のガス
状不純物が発生したり、オイルミストやごみ等の粒子状
不純物（パーティクル）が発生し、それら不純物がウエ
ハＷに付着したり化学反応（ケミカルコンタミネーショ
ン）を起こして、半導体素子の特性や歩留まりの悪化の
原因となる。また、プロセスチューブ１からの熱気の放
出や高温に加熱された処理済みウエハＷからの輻射熱等
により、ロードロック室１０内のＮ2 ガス雰囲気が異常
に昇温することなどから、パージガスとして清浄な不活
性ガスを装置本体内に常時導入する一方、その装置本体
内の不活性ガスを不純物と一緒に絶えず外部に排出し
て、装置本体内の不活性ガス雰囲気を陽圧で高純度に維
持することが望まれている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなクローズドシステム構造の縦型熱処理装置におい
ては、ロードロック室１０及び真空室４０内をＮ2 ガス
等の不活性ガス雰囲気に置換・維持すると共に、異常昇
温を防止するには、大量の不活性ガスを消費するという
問題がある。
【００１２】つまり、この種の装置本体は幅並びに奥行
き寸法が１メートル程度で高さが２メートル程度の大型
箱状をなしているので、この内部を最初に大気から不活
性ガスに置換するときには、不活性ガスを大量に導入す
る必要があると共に、十分なガス置換までに長い時間が
必要で、処理作業の能率低下を招くという問題がある。
この問題を解決する手段として、真空ポンプにより真空
引きしてから不活性ガスを導入する方法が考えられる
が、この方法では、装置本体のハウジングパネル構造を
負圧に絶え得る気密性・肉厚高剛性のものとする必要が
あり、製作コストの高騰を招く虞れがある。
【００１３】また、このような大型な装置本体内の不活
性ガス雰囲気を陽圧で高純度に維持すると共に、異常昇
温を防止するには、パージガスとして清浄な不活性ガス
を常時多量に導入する一方、その装置本体内の不活性ガ
スを不純物と一緒に絶えず外部に排出しなければならな
いので、不活性ガスの消費量が多大となり、経費が嵩み
不経済であるという問題がある。
【００１４】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、不活性ガスの消費量を少なくでき、かつ被処理体表
面の自然酸化膜の発生、被処理体への不純物の付着や化
学反応抑制等を行えるようにした処理装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明の処理装置は、被処理体に所定の処理を施す
処理室と、この処理室に対して上記被処理体を収納した
保持体を挿脱する移送機構を備えたロードロック室と、
このロードロック室に対して上記被処理体を搬出入する
搬出入室とを具備する処理装置において、上記ロードロ
ック室と搬出入室との間に、上記保持体を収容する保持
体収容室を配置し、この保持体収容室内を真空雰囲気又
は所定のガス雰囲気下に置換可能に形成すると共に、保
持体収容室に、保持体の有無を検出するための検出手段
を設け、上記ロードロック室内に、移送機構と保持体収
容室の間で保持体を搬送する搬送機構を配置したことを
特徴とするものである。
【００１６】この発明において、上記保持体収容室の下
部にベローズシールを介して載置台を上下可能に配置
し、この載置台の室外側に設けられる検出手段を、上記
載置台に連結された可動検出体と、この可動検出体の上
下動部に関して対峙される発光部と受光部とからなる光
センサーとで構成する方が好ましい。
【００１７】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、ロードロック室と搬出入室との間に、被処理体
を収納する保持体を収容する保持体収容室を配置し、こ
の保持体収容室内を真空雰囲気又は所定のガス雰囲気下
に置換可能に形成すると共に、保持体収容室に、保持体
の有無を検出するための検出手段を設けることにより、
保持体収容室内に収容された保持体に搬出入室から被処
理体を搬入した後、検出手段にて保持体の有無が判断さ
れ、保持体収容室内を所定の真空状態にして大気と離隔
することができ、被処理体表面への自然酸化膜の形成を
防止することができる。そして、保持体収容室内を所定
の真空状態にした後、ロードロック室と同等の不活性ガ
ス雰囲気としてロードロック室内の移送機構に保持体を
搬送し、移送機構によって被処理体を収納した保持体を
処理室内に挿入して被処理体に所定の処理を施すことが
できる。
【００１８】また、ロードロック室内に、移送機構と保
持体収容室の間で保持体を搬送する搬送機構を配置する
ことにより、保持体収容室のスペースを保持体が収容可
能な最小限のスペースとすることができ、この保持体収
容室内の真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気状態への置換
を迅速にすることができ、被処理体の処理能力の向上を
図ることができる。
【００１９】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の処理装置を半導体ウ
エハの熱処理装置に適用した場合について説明する。な
お、従来の熱処理装置と同じ部分には同一符号を付して
説明する。
【００２０】図１はこの発明の処理装置の概略断面図、
図２は図１の概略平面図が示されている。
【００２１】この発明の処理装置は、被処理体であるウ
エハＷに所定の処理を施す処理室であるプロセスチュー
ブ１と、このプロセスチューブ１に対して多数枚例えば
１００枚のウエハＷを収納した保持体としてのウエハボ
ート７を挿脱する移送機構１１を備えたロードロック室
１０と、このロードロック室１０に対してウエハＷを搬
出入する搬出入室３０と、ロードロック室１０と搬出入
室３０との間に配置されるウエハボート７を収容する保
持体収容室２０とで主要部が構成されている。
【００２２】この場合、上記保持体収容室２０と搬出入
室３０及びロードロック室１０との間には、フロントオ
ートドア２１，リアオートドア２２がそれぞれ開閉可能
に配設されて、これらフロント及びリアオートドア２
１，２２が閉塞されると、保持体収容室２０内が密閉状
態に維持されるようになっている。また、保持体収容室
２０には、図示しない真空ポンプに接続する真空配管２
３が接続されると共に、図示しない例えばＮ2 ガス供給
源に接続するＮ2 ガス導入管２４及びＮ2 ガス排出管２
５が接続されている。したがって、この保持体収容室２
０内を所定の真空雰囲気又はＮ2 ガス等の雰囲気下に置
換することができる。
【００２３】また、上記保持体収容室２０の下部には、
図３に示すように、例えばベローズシール２６を介して
載置台２７が上下動可能に配置され、この載置台２７の
室外側にウエハボート７の有無を確認するための検出手
段２８が設けられている。この検出手段２８は、載置台
２７に連結された可動検出体２８ａと、この可動検出体
２８ａの上下移動部に関して対峙される発光部２８ｂと
受光部２８ｃとからなる光センサー２８ｄとで構成され
ている。したがって、保持体収容室２０内にウエハボー
ト７が収容されて載置台２７上にウエハボート７が載置
されると、その重量によって載置台２７が下降すると共
に、可動検出体２８ａも下降して、発光部２８ｂから受
光部２８ｃへの光を遮断することにより、ウエハボート
７の有無を判断することができる。なお、ウエハボート
７の有無の検出は必ずしもこのような検出手段２８で行
う必要はなく、例えば保持体収容室２０の天井や床部あ
るいは壁部にシール機構を介して埋設されるセンサーに
よってウエハボート７の有無を判断するなど任意の検出
手段を用いることができる。
【００２４】上記処理室を構成するプロセスチューブ１
は、断面逆Ｕ字状の縦型略円筒状の石英製容器にて形成
されており、このプロセスチューブ１の外周にはヒータ
５が囲繞され、更にその周囲には冷却パイプや断熱材等
を組み込んだ保護カバー６が被覆されている。また、プ
ロセスチューブ１の開口下端にはマニホールド２が接続
して設けられている。このマニホールド２は上下フラン
ジ付き円筒状のもので、図１に示すように、このマニホ
ールド２の周壁部に、プロセスチューブ１内に所定の処
理用ガスを導入するガス導入管４と、処理後のガスを排
気する排気管３がそれぞれ接続されている。この場合、
ガス導入管４は図示しないガス切換弁を介して所定の処
理ガス供給源とＮ2 ガス供給源に接続されて、交互に処
理ガスとＮ2 ガスをプロセスチューブ１内に導入できる
ようになっている。
【００２５】上記ロードロック室１０は、例えばステン
レス鋼製パネルを全周溶接するか、あるいはＯリングシ
ールにてシールした密閉構造となっており、その上部及
び下部の適宜位置には図示しない例えばＮ2 ガス供給源
に接続するＮ2 ガス導入管１２及びＮ2 ガス排出管１３
がそれぞれ接続されて、事前にロードロック室１０内に
常時所定量のＮ2 ガスが供給されコントロールされた雰
囲気になっている。このロードロック室１０内に配置さ
れる移送機構１１は、ウエハボート７を載置保持するボ
ートエレベータ１１ａと、このボートエレベータ１１ａ
を昇降移動するボールねじ装置１１ｂとで構成されてい
る。この場合、ロードロック室１０内は真空状態にする
必要がないため、ロードロック室１０を構成するパネル
に高い剛性をもたせる必要がない。したがって、移送機
構１１のボールねじ装置１１ｂを自立式とせずにロード
ロック室１０の壁に固定する構造であってもよい。ま
た、ロードロック室１０内の保持体収容室側には、移送
機構１１のボートエレベータ１１ａと保持体収容室２０
の間でウエハボート７を搬送する搬送機構１５が配置さ
れている。この搬送機構１５は、ロードロック室１０の
外部に設置される水平回転（旋回）及び昇降用の駆動部
１５ａと、ロードロック室１０内に位置する駆動部１５
ａの伝達軸に連結され、ウエハボート７を保持する多間
接アーム１５ｂとで構成されている。なお、ロードロッ
ク室１０の上部に設けられた炉口部には、ロードロック
室１０とプロセスチューブ１との開口部を開閉するオー
トシャッタ８が設けられている。
【００２６】一方、上記搬出入室３０はクリーンルーム
（図示せず）内にＨＥＰＡフィルタを介して大気雰囲気
下に設置されている。この搬出入室３０内には、複数枚
例えば２５枚のウエハＷを収納するウエハキャリアＣを
搭載するＩ／Ｏボートとしての姿勢変換機構３１が左右
２台配設されている。これら姿勢変換機構３１は、この
姿勢変換機構３１の上面に載置された上向き状態（ウエ
ハＷが立って保持された状態）のウエハキャリアＣを９
０度転換して横向きにしたり、逆に横向き状態から上向
きにしたりする構成となっている。
【００２７】また、搬出入室３０内には、姿勢変換機構
３１の直ぐ後側位置にキャリアトランスファ３２がエレ
ベータ３３を介して昇降可能に設置されている。このキ
ャリアトランスファ３３の後側にトランスファステージ
３４が設置されると共に、このトランスファステージ３
４の上方にキャリアストックステージ３５が設けられて
いる。このキャリアストックステージ３５は、姿勢変換
機構３１からキャリアトランスファ３２により搬送され
てくるウエハキャリアＣをそれぞれ横向きのまま２列４
段に保管できる複数の棚にて形成されている。
【００２８】また、搬出入室３０の保持体収容室側には
ウエハトランスファ３６が移載用エレベータ３７によっ
て昇降可能に支持されて設置されている。このウエハト
ランスファ３６は、昇降しながら、トランスファステー
ジ３４上のウエハキャリアＣ内のウエハＷを１枚ずつ取
り出して、保持体収容室２０内に収容されたウエハボー
ト７に収納保持させたり、その逆にウエハボート７から
ウエハＷをトランスファステージ３４上のウエハキャリ
アＣ内に戻す働きをなすように構成されている。
【００２９】次に、この発明の処理装置の動作態様につ
いて、説明する。まず、保持体収容室２０にウエハボー
ト７を収容した状態で、保持体収容室２０の搬出入側の
フロントオートドア２１を開いて保持体収容室２０と搬
出入室３０とを連通する（大気雰囲気）。この状態で、
ウエハトランスファ３６によってトランスファステージ
３４上のウエハキャリアＣ内のウエハＷを保持体収容室
２０内のウエハボート７に収納して、所定枚数のウエハ
Ｗがウエハボート７に収納された後、フロントオートド
ア２１を閉じて保持体収容室２０内を密閉状態にする。
そして、保持体収容室２０内を真空引きによって所定の
真空圧状態にしたり、又は、常圧でのＮ2 フロー，減圧
でのＮ2 フロー等によりウエハボート７及びウエハＷを
大気から完全に遮断してウエハＷへの自然酸化膜の形成
を防止する。
【００３０】上記のようにして保持体収容室２０内を所
定時間真空状態にした場合には、保持体収容室２０内に
Ｎ2 ガスを導入して、常時Ｎ2 ガスが導入されているロ
ードロック室１０と同雰囲気にした状態で、リアオート
ドア２２を開く。そして、搬送機構１５を駆動して保持
体収容室２０内のウエハＷを収納したウエハボート７を
ボートエレベータ１１ａ上に移載保持させる。
【００３１】次に、ボートエレベータ１１ａが上昇し
て、ウエハボート７はプロセスチューブ１内に挿入さ
れ、ウエハボート７のフランジ７ａがマニホールド２の
フランジ２ａに当接してプロセスチューブ１内が密閉さ
れる。そして、排気管３を用いてプロセスチューブ１内
のＮ2 ガスを排出し、プロセスチューブ１内が真空度に
達した時点で、ガス導入管４により処理ガスを導入して
所望の処理を行う。
【００３２】処理が終了した後に排気管３を用いてプロ
セスチューブ１内の処理ガスを排出し、プロセスチュー
ブ１内が所定の真空度に達した時点で、ガス導入管４に
よりＮ2 ガスを導入する。その後、Ｎ2 ガスの圧力がロ
ードロック室１０のＮ2 ガスの圧力と同じになると、ウ
エハボート７を下降させ、上記搬入手順と逆の手順にて
処理済みのウエハＷを取り出す。
【００３３】したがって、この発明の処理装置によれ
ば、搬出入室３０とロードロック室１０との間に保持体
収容室２０を配置して、搬出入室３０からプロセスチュ
ーブ１に搬入される未処理のウエハＷを保持体収容室２
０内に搬送して、大気と遮断される真空雰囲気に晒すこ
とができるので、ウエハ表面への自然酸化膜の形成を防
止することができる。しかも、比較的小容量の保持体収
容室２０内のみを真空状態にすればよいので、従来のよ
うにロードロック室１０及びそれに連接する真空室内全
体を真空状態にするものに較べてウエハＷを短時間で真
空雰囲気下におくことができ、処理時間の短縮を図るこ
とができる。また、保持体収容室２０を設置することに
よってロードロック室１０へのＮ2 ガスの導入量を少な
くすることができると共に、ロードロック室１０内を真
空雰囲気下におく必要がないので、Ｎ2 ガスの消費量の
低減が図れると共に、ロードロック室１０内の雰囲気の
置換に要するロスをなくすことができる。
【００３４】なお、上記実施例では、ロードロック室１
０、保持体収容室２０及び搬出入室３０を直線状に配列
した場合について説明したが、ロードロック室１０、保
持体収容室２０及び搬出入室３０は必ずしも直線状に配
列する必要はなく、ロードロック室１０と搬出入室３０
との間に保持体収容室２０を介在させる形態であれば、
その配列は任意でよい。また、上記実施例では、この発
明の処理装置を半導体ウエハの熱処理装置に適用した場
合について説明したが、半導体ウエハ以外の例えばガラ
ス基板、ＬＣＤ基板等の被処理体の熱処理や熱処理以外
の処理装置にも適用できることは勿論である。
【００３５】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置によれば、上記のように構成されているので、以下
のような効果が得られる。
【００３６】１）ロードロック室と搬出入室との間に、
被処理体を収納する保持体を収容する保持体収容室を配
置し、この保持体収容室内を真空雰囲気又は所定のガス
雰囲気下に置換可能に形成すると共に、保持体収容室
に、保持体の有無を検出するための検出手段を設けるの
で、被処理体を大気と離隔した真空状態にして被処理体
表面への自然酸化膜の形成を防止することができる。ま
た、保持体収容室内のみを真空雰囲気にすればよいの
で、ロードロック室内を真空雰囲気と所定のガス雰囲気
に置換するものに較べて、被処理体を短時間で真空雰囲
気下におくことができ、処理時間の短縮化を図ることが
できると共に、ガスの消費量の低減化を図ることができ
る。
【００３７】２）ロードロック室内に、移送機構と保持
体収容室の間で保持体を搬送する搬送機構を配置するこ
とにより、保持体収容室のスペースを保持体が収容可能
な最小限のスペースとすることができ、この保持体収容
室内の真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気状態への置換を
更に迅速にすることができ、被処理体の処理能力をより
一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の処理装置の概略断面図である。
【図２】処理装置の概略平面図である。
【図３】この発明における保持体収容室の要部を示す断
面図である。
【図４】従来の処理装置の断面図である。
【符号の説明】
１ プロセスチューブ（処理室） ７ ウエハボート（保持体） １０ ロードロック室 １１ 移送機構 １１ａ ボートエレベータ １５ 搬送機構 ２０ 保持体収容室 ２３ 真空配管 ２４ Ｎ2 ガス導入管 ２５ Ｎ2 ガス排出管２６ ベローズシール ２７ 載置台 ２８ 検出手段 ２８ａ 可動検出体 ２８ｂ 発光部 ２８ｃ 受光部 ２８ｄ 光センサー ３０ 搬出入室 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/22 511 H01L 21/31 H01L 21/68

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体に所定の処理を施す処理室と、
    この処理室に対して上記被処理体を収納した保持体を挿
    脱する移送機構を備えたロードロック室と、このロード
    ロック室に対して上記被処理体を搬出入する搬出入室と
    を具備する処理装置において、 上記ロードロック室と搬出入室との間に、上記保持体を
    収容する保持体収容室を配置し、この保持体収容室内を
    真空雰囲気又は所定のガス雰囲気下に置換可能に形成す
    ると共に、保持体収容室に、保持体の有無を検出するた
    めの検出手段を設け、 上記ロードロック室内に、移送機構と保持体収容室の間
    で保持体を搬送する搬送機構を配置した ことを特徴とす
    る処理装置。
  2. 【請求項２】 保持体収容室の下部にベローズシールを
    介して載置台を上下可能に配置し、この載置台の室外側
    に設けられる検出手段を、上記載置台に連結された可動
    検出体と、この可動検出体の上下動部に関して対峙され
    る発光部と受光部とからなる光センサーとで構成したこ
    とを特徴とする請求項１記載の処理装置。
JP08132993A 1993-03-16 1993-03-16 処理装置 Expired - Lifetime JP3218488B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08132993A JP3218488B2 (ja) 1993-03-16 1993-03-16 処理装置
US08/213,096 US5462397A (en) 1993-03-16 1994-03-15 Processing apparatus
KR1019940005067A KR100276127B1 (ko) 1993-03-16 1994-03-15 처리장치 및 처리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08132993A JP3218488B2 (ja) 1993-03-16 1993-03-16 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06267873A JPH06267873A (ja) 1994-09-22
JP3218488B2 true JP3218488B2 (ja) 2001-10-15

Family

ID=13743350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08132993A Expired - Lifetime JP3218488B2 (ja) 1993-03-16 1993-03-16 処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5462397A (ja)
JP (1) JP3218488B2 (ja)
KR (1) KR100276127B1 (ja)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2644912B2 (ja) 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
US7089680B1 (en) 1990-08-29 2006-08-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
USRE39824E1 (en) 1990-08-29 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39756E1 (en) * 1990-08-29 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
JP3186262B2 (ja) * 1992-10-14 2001-07-11 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2548062B2 (ja) * 1992-11-13 1996-10-30 日本エー・エス・エム株式会社 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー
US5527390A (en) * 1993-03-19 1996-06-18 Tokyo Electron Kabushiki Treatment system including a plurality of treatment apparatus
TW273574B (ja) * 1993-12-10 1996-04-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP3495788B2 (ja) * 1994-07-05 2004-02-09 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法
US6833035B1 (en) * 1994-04-28 2004-12-21 Semitool, Inc. Semiconductor processing system with wafer container docking and loading station
US6712577B2 (en) * 1994-04-28 2004-03-30 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
JP3239977B2 (ja) * 1994-05-12 2001-12-17 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP3196917B2 (ja) * 1994-06-17 2001-08-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH08148540A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 M C Electron Kk ウェハー処理装置
JPH08213446A (ja) * 1994-12-08 1996-08-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置
WO1996024949A1 (fr) 1995-02-10 1996-08-15 Tokyo Electron Limited Procede de traitement thermique et appareil
US6036482A (en) * 1995-02-10 2000-03-14 Tokyo Electron Limited Heat treatment method
ES2229247T3 (es) 1995-03-28 2005-04-16 Brooks Automation Gmbh Estacion de carga y descarga para instalaciones de tratamiento de semiconductores.
JPH0945597A (ja) * 1995-05-25 1997-02-14 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法
US5788458A (en) * 1995-07-10 1998-08-04 Asyst Technologies, Inc. Method and apparatus for vertical transfer of a semiconductor wafer cassette
KR100244041B1 (ko) * 1995-08-05 2000-02-01 엔도 마코토 기판처리장치
KR100189981B1 (ko) * 1995-11-21 1999-06-01 윤종용 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치
US6723174B2 (en) 1996-03-26 2004-04-20 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
US6942738B1 (en) 1996-07-15 2005-09-13 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
US6176667B1 (en) * 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
TW344847B (en) * 1996-08-29 1998-11-11 Tokyo Electron Co Ltd Substrate treatment system, substrate transfer system, and substrate transfer method
US5964561A (en) * 1996-12-11 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Compact apparatus and method for storing and loading semiconductor wafer carriers
US6540466B2 (en) * 1996-12-11 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Compact apparatus and method for storing and loading semiconductor wafer carriers
US5957648A (en) * 1996-12-11 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Factory automation apparatus and method for handling, moving and storing semiconductor wafer carriers
JP3270730B2 (ja) * 1997-03-21 2002-04-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
JP3406488B2 (ja) * 1997-09-05 2003-05-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
TW432578B (en) 1997-09-18 2001-05-01 Tokyo Electron Ltd A vacuum processing apparatus
KR100263901B1 (ko) * 1997-10-14 2000-08-16 윤종용 반도체 디바이스 제조 장치, ｈｓｇ-다결정 실리콘막의 제조 방법 및 ｈｓｇ-다결정 실리콘막을 전극으로 포함하는 커패시터의 제조 방법
US6000905A (en) * 1998-03-13 1999-12-14 Toro-Lira; Guillermo L. High speed in-vacuum flat panel display handler
US6079927A (en) * 1998-04-22 2000-06-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Automated wafer buffer for use with wafer processing equipment
US6030208A (en) * 1998-06-09 2000-02-29 Semitool, Inc. Thermal processor
US6178361B1 (en) * 1998-11-20 2001-01-23 Karl Suss America, Inc. Automatic modular wafer substrate handling device
JP2000306978A (ja) * 1999-02-15 2000-11-02 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置、基板搬送装置、および基板処理方法
KR100574140B1 (ko) * 1999-07-02 2006-04-25 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 제조 설비, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법
JP4578615B2 (ja) * 1999-07-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR20010083206A (ko) * 2000-02-22 2001-08-31 히가시 데쓰로 처리장치
JP3676983B2 (ja) * 2000-03-29 2005-07-27 株式会社日立国際電気 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
EP1332349A4 (en) * 2000-07-07 2008-12-17 Semitool Inc AUTOMATED PROCESSING SYSTEM
JP4342745B2 (ja) * 2000-09-27 2009-10-14 株式会社日立国際電気 基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP4731755B2 (ja) * 2001-07-26 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 移載装置の制御方法および熱処理方法並びに熱処理装置
US6899507B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
KR100527671B1 (ko) * 2004-02-19 2005-11-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 상에 막을 형성하는 방법
JP4266197B2 (ja) * 2004-10-19 2009-05-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US8211235B2 (en) * 2005-03-04 2012-07-03 Picosun Oy Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces
KR101522725B1 (ko) * 2006-01-19 2015-05-26 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 고온 원자층 증착용 인렛 매니폴드
JP5050761B2 (ja) * 2007-10-03 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理システム及び被処理体の熱処理方法
JP4975605B2 (ja) * 2007-12-26 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 処理システム、処理システムの制御方法およびソフトウェアのバージョンアップ方法
JP5625981B2 (ja) * 2011-02-10 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP5614352B2 (ja) * 2011-03-29 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 ローディングユニット及び処理システム
US9574268B1 (en) 2011-10-28 2017-02-21 Asm America, Inc. Pulsed valve manifold for atomic layer deposition
US9388492B2 (en) 2011-12-27 2016-07-12 Asm America, Inc. Vapor flow control apparatus for atomic layer deposition
US9564350B1 (en) * 2015-09-18 2017-02-07 Globalfoundries Inc. Method and apparatus for storing and transporting semiconductor wafers in a vacuum pod
US10662527B2 (en) 2016-06-01 2020-05-26 Asm Ip Holding B.V. Manifolds for uniform vapor deposition
JP6820186B2 (ja) * 2016-11-22 2021-01-27 株式会社アドテックエンジニアリング 基板取り扱い装置及び基板取り扱い方法
US12040199B2 (en) * 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11492701B2 (en) 2019-03-19 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Reactor manifolds
JP7612342B2 (ja) * 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
KR20210048408A (ko) 2019-10-22 2021-05-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 증착 반응기 매니폴드

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61105853A (ja) * 1984-10-30 1986-05-23 Anelva Corp オ−トロ−ダ−
JPS61291032A (ja) * 1985-06-17 1986-12-20 Fujitsu Ltd 真空装置
JPH0783003B2 (ja) * 1986-07-09 1995-09-06 国際電気株式会社 ウエ−ハボ−トの搬送方法
ATE208961T1 (de) * 1988-05-24 2001-11-15 Unaxis Balzers Ag Vakuumanlage
US5110248A (en) * 1989-07-17 1992-05-05 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat-treatment apparatus having a wafer transfer mechanism
US5221201A (en) * 1990-07-27 1993-06-22 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus
US5181819A (en) * 1990-10-09 1993-01-26 Tokyo Electron Sagami Limited Apparatus for processing semiconductors
US5277579A (en) * 1991-03-15 1994-01-11 Tokyo Electron Sagami Limited Wafers transferring method in vertical type heat treatment apparatus and the vertical type heat treatment apparatus provided with a wafers transferring system
JP3149206B2 (ja) * 1991-05-30 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5303671A (en) * 1992-02-07 1994-04-19 Tokyo Electron Limited System for continuously washing and film-forming a semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR940022935A (ko) 1994-10-22
JPH06267873A (ja) 1994-09-22
KR100276127B1 (ko) 2000-12-15
US5462397A (en) 1995-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3218488B2 (ja) 処理装置
KR100221983B1 (ko) 처리장치
JP5237133B2 (ja) 基板処理装置
US20220293444A1 (en) Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
JP3543996B2 (ja) 処理装置
US11610794B2 (en) Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
JP2003124284A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP3372581B2 (ja) 処理装置
JPH06302679A (ja) 被処理物搬送ボックス及び処理装置
JP3176160B2 (ja) 処理装置
JP2002359237A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US12014908B2 (en) Vacuum processing apparatus
JP3181308B2 (ja) 熱処理装置
KR20200108467A (ko) 처리 장치, 배기 시스템, 반도체 장치의 제조 방법
JP3543987B2 (ja) 処理装置
JP2007073746A (ja) 基板処理装置
JPH07283288A (ja) 処理装置
JP2012129232A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP3666636B2 (ja) 基板の処理装置
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
JP2007088177A (ja) 基板処理装置
JP2004023032A (ja) 半導体製造装置
JP2004286165A (ja) 容器、基板処理装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP3501601B2 (ja) 縦型熱処理装置およその熱処理炉のメンテナンス方法
JP2008258240A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010716

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070810

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810

Year of fee payment: 12