JPH0669180A - 真空乾燥装置 - Google Patents
真空乾燥装置Info
- Publication number
- JPH0669180A JPH0669180A JP23765692A JP23765692A JPH0669180A JP H0669180 A JPH0669180 A JP H0669180A JP 23765692 A JP23765692 A JP 23765692A JP 23765692 A JP23765692 A JP 23765692A JP H0669180 A JPH0669180 A JP H0669180A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- vacuum container
- inert gas
- ejector
- container
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被乾燥物が静電気を帯びたり、回転軸から発
生するパーティクルが付着する等の欠点を解決し、被乾
燥物、例えば半導体デバイスをクリーンに保ちつつ、微
細なパターンまで乾燥可能な真空乾燥装置の提供にあ
る。 【構成】 不活性ガスの導入口及び排気口とを備えた真
空容器と、該真空容器に不活性ガスを加熱して供給する
ガス加熱供給手段と、前記真空容器を真空にする真空エ
ジェクタとを具備することを特徴とする。
生するパーティクルが付着する等の欠点を解決し、被乾
燥物、例えば半導体デバイスをクリーンに保ちつつ、微
細なパターンまで乾燥可能な真空乾燥装置の提供にあ
る。 【構成】 不活性ガスの導入口及び排気口とを備えた真
空容器と、該真空容器に不活性ガスを加熱して供給する
ガス加熱供給手段と、前記真空容器を真空にする真空エ
ジェクタとを具備することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスなどの真
空乾燥装置に係り、詳しくはクリーンな状態で微細なパ
ターンまでの乾燥を可能にする真空乾燥装置に関する。
空乾燥装置に係り、詳しくはクリーンな状態で微細なパ
ターンまでの乾燥を可能にする真空乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスなどの乾燥には、通常、
スピンドライヤーが用いられている。スピンドライヤー
は、半導体デバイスをセットしたカセットをローターに
配置し、ローターを高速に回転することにより半導体デ
バイスの乾燥が行われる。
スピンドライヤーが用いられている。スピンドライヤー
は、半導体デバイスをセットしたカセットをローターに
配置し、ローターを高速に回転することにより半導体デ
バイスの乾燥が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この装置は、短時間で
たくさんのデバイスを乾燥できる点では、有効である。
しかし、カセットをセットしたローターが高速で回転す
るため半導体デバイスが静電気を帯びたり、回転軸から
発生したパーティクルが、半導体デバイスに付着するこ
とがある。また、半導体デバイスの微細パターンの深い
溝に水分が残り、完全に乾燥しきれないことが、しばし
ば生ずる。さらに装置が大型化するという問題があっ
た。本発明は、この課題を解決するためになされたもの
であり、被乾燥物、例えば半導体デバイスをクリーンに
保ちつつ、微細なパターンまで乾燥可能な装置を提供す
ることを目的とする。
たくさんのデバイスを乾燥できる点では、有効である。
しかし、カセットをセットしたローターが高速で回転す
るため半導体デバイスが静電気を帯びたり、回転軸から
発生したパーティクルが、半導体デバイスに付着するこ
とがある。また、半導体デバイスの微細パターンの深い
溝に水分が残り、完全に乾燥しきれないことが、しばし
ば生ずる。さらに装置が大型化するという問題があっ
た。本発明は、この課題を解決するためになされたもの
であり、被乾燥物、例えば半導体デバイスをクリーンに
保ちつつ、微細なパターンまで乾燥可能な装置を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、不活性ガスの導入口及び排気口とを備え
た真空容器と、該真空容器に不活性ガスを加熱して供給
するガス加熱供給手段と、前記真空容器を真空にする真
空エジェクタとを具備することを特徴とする。また、前
記真空容器は、床がメッシュ状に形成され、かつその下
方に位置する底部がテーパー状に形成され該テーパー部
にはヒーターが配設されていることを特徴とする。
め、本発明は、不活性ガスの導入口及び排気口とを備え
た真空容器と、該真空容器に不活性ガスを加熱して供給
するガス加熱供給手段と、前記真空容器を真空にする真
空エジェクタとを具備することを特徴とする。また、前
記真空容器は、床がメッシュ状に形成され、かつその下
方に位置する底部がテーパー状に形成され該テーパー部
にはヒーターが配設されていることを特徴とする。
【０００５】
【作用】真空容器には、真空容器に不活性ガスを加熱し
て供給するガス加熱供給手段と、真空エジェクタが連結
されているので、ガス加熱供給手段で真空容器に加熱し
た不活性ガスを供給したり、真空エジェクタで真空容器
を真空にすることができる。従って、真空容器内に半導
体デバイスや液晶基板等の被乾燥物をセットし、加熱し
た不活性ガスを供給しつつ減圧したり、不活性ガスを供
給したまま真空容器内を大気圧まで戻したり、不活性ガ
スの供給を停止して真空にしたりすることで、減圧にし
て飽和蒸気圧を下げ乾燥できるから、低温で著しく乾燥
効率よく乾燥ができる。例えば、半導体デバイスの微細
なパターンの深い溝部分までも乾燥できる。
て供給するガス加熱供給手段と、真空エジェクタが連結
されているので、ガス加熱供給手段で真空容器に加熱し
た不活性ガスを供給したり、真空エジェクタで真空容器
を真空にすることができる。従って、真空容器内に半導
体デバイスや液晶基板等の被乾燥物をセットし、加熱し
た不活性ガスを供給しつつ減圧したり、不活性ガスを供
給したまま真空容器内を大気圧まで戻したり、不活性ガ
スの供給を停止して真空にしたりすることで、減圧にし
て飽和蒸気圧を下げ乾燥できるから、低温で著しく乾燥
効率よく乾燥ができる。例えば、半導体デバイスの微細
なパターンの深い溝部分までも乾燥できる。
【０００６】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は本発明の実施例を示す概略説明図であ
って、真空乾燥装置は、真空容器１、真空エジェクタ２
及び不活性ガス加熱供給手段３等とで構成されている。
前記真空容器１は床部４がメッシュ状に形成され、真空
容器１内にセットされる被乾燥物から滴る水分を切るよ
うになっている。その床部４より下方は、中心に向かっ
て下方へテーパー状になっており、床部４より落下した
水滴がスムーズに落下するようになっていると共に、該
テーパー部１ａの先端に排気パイプ５が連結され、水滴
等はこの排気パイプ５を通って排出される。この排気パ
イプ５の下部には圧空により開閉される圧空タイプドレ
ン弁６が設けられている。
説明する。図１は本発明の実施例を示す概略説明図であ
って、真空乾燥装置は、真空容器１、真空エジェクタ２
及び不活性ガス加熱供給手段３等とで構成されている。
前記真空容器１は床部４がメッシュ状に形成され、真空
容器１内にセットされる被乾燥物から滴る水分を切るよ
うになっている。その床部４より下方は、中心に向かっ
て下方へテーパー状になっており、床部４より落下した
水滴がスムーズに落下するようになっていると共に、該
テーパー部１ａの先端に排気パイプ５が連結され、水滴
等はこの排気パイプ５を通って排出される。この排気パ
イプ５の下部には圧空により開閉される圧空タイプドレ
ン弁６が設けられている。
【０００７】また、前記真空容器１のテーパー部１ａの
外周面には、ヒーター、例えば、ラバーヒーター７が設
けられ、加熱できるようになっている。この真空容器１
のテーパー部１ａにヒーター７を設け加熱するのは、最
初の段階で水切りを行った際に付着した水滴が、真空乾
燥に伴って気化熱を奪われ、凍結する状態を防止するた
めである。
外周面には、ヒーター、例えば、ラバーヒーター７が設
けられ、加熱できるようになっている。この真空容器１
のテーパー部１ａにヒーター７を設け加熱するのは、最
初の段階で水切りを行った際に付着した水滴が、真空乾
燥に伴って気化熱を奪われ、凍結する状態を防止するた
めである。
【０００８】前記真空エジェクタ２は、前記排気パイプ
５から分岐した本真空用のライン８と予備真空引き用の
ライン９により真空容器１に連結され、真空容器１内の
大気は真空エジェクタ２により排気される。この時、真
空容器１内の真空度は、真空センサー、例えばパラトロ
ンセンサー１２により検出されて制御される。前記ライ
ン８及び９には、バルブ１０及び１１が設けられる。
尚、前記真空エジェクタ２としては、例えば真空ポンプ
を挙げることができる。
５から分岐した本真空用のライン８と予備真空引き用の
ライン９により真空容器１に連結され、真空容器１内の
大気は真空エジェクタ２により排気される。この時、真
空容器１内の真空度は、真空センサー、例えばパラトロ
ンセンサー１２により検出されて制御される。前記ライ
ン８及び９には、バルブ１０及び１１が設けられる。
尚、前記真空エジェクタ２としては、例えば真空ポンプ
を挙げることができる。
【０００９】前記不活性ガス加熱供給手段３は、不活性
ガスが熱交換器１３をとうして加熱され真空容器１に供
給されるものである。本例においては、真空容器１の上
方に不活性ガスを噴出するノズル１４が配記され、この
ノズル１４に、レギュレーター１５、流量計１６、エア
オペレートバルブ１７、フィルタ１８及び熱交換器１３
等が設けられた不活性ガス供給ライン１９が連結されて
構成されている。
ガスが熱交換器１３をとうして加熱され真空容器１に供
給されるものである。本例においては、真空容器１の上
方に不活性ガスを噴出するノズル１４が配記され、この
ノズル１４に、レギュレーター１５、流量計１６、エア
オペレートバルブ１７、フィルタ１８及び熱交換器１３
等が設けられた不活性ガス供給ライン１９が連結されて
構成されている。
【００１０】しかして、前記のように構成された本実施
例は、次のように作用する。真空容器１の上蓋（図示省
略）を開けて、カセットに入った濡れたシリコンウエハ
や液晶基板等の被乾燥物２０を、メッシュ状の床部４に
載置して真空容器１内にセットする。上蓋を閉じて数分
間放置して水切りをする。この時、被乾燥物２０より滴
下した水は、メッシュ状の床部４からテーパー部１ａを
通ってドレン弁６より排出される。
例は、次のように作用する。真空容器１の上蓋（図示省
略）を開けて、カセットに入った濡れたシリコンウエハ
や液晶基板等の被乾燥物２０を、メッシュ状の床部４に
載置して真空容器１内にセットする。上蓋を閉じて数分
間放置して水切りをする。この時、被乾燥物２０より滴
下した水は、メッシュ状の床部４からテーパー部１ａを
通ってドレン弁６より排出される。
【００１１】この水切りをした後ドレン弁６を閉じ、真
空容器１に加熱した不活性ガスを供給する。不活性ガス
（例えば窒素ガス）は、供給源（図示省略）よりレギュ
レーター１５、流量計１６、エアオペレートバルブ１７
及びフィルター１８を通って熱交換器１３に入り、ここ
で加熱される。この熱交換器１３で３０度Ｃ以上に加熱
された不活性ガスは、ノズル１４より真空容器１内に噴
出する。この時、ラバーヒーター７も通電し加熱してお
く。
空容器１に加熱した不活性ガスを供給する。不活性ガス
（例えば窒素ガス）は、供給源（図示省略）よりレギュ
レーター１５、流量計１６、エアオペレートバルブ１７
及びフィルター１８を通って熱交換器１３に入り、ここ
で加熱される。この熱交換器１３で３０度Ｃ以上に加熱
された不活性ガスは、ノズル１４より真空容器１内に噴
出する。この時、ラバーヒーター７も通電し加熱してお
く。
【００１２】それに同時に予備真空引き、または本真空
引きのバルブ１１、１０を開け、不活性ガスの量を調整
しながら１００ｔｏｒｒ〜５ｔｏｒｒまでの間で圧力調
整を行う。この状態で１〜５分間放置する。その後、予
備真空引き用のバルブ１１及び本真空引き用のバルブ１
０を閉じ、不活性ガスはそのまま流し、真空容器１内の
圧力を大気圧まで戻す。
引きのバルブ１１、１０を開け、不活性ガスの量を調整
しながら１００ｔｏｒｒ〜５ｔｏｒｒまでの間で圧力調
整を行う。この状態で１〜５分間放置する。その後、予
備真空引き用のバルブ１１及び本真空引き用のバルブ１
０を閉じ、不活性ガスはそのまま流し、真空容器１内の
圧力を大気圧まで戻す。
【００１３】これらの操作を数回繰り返した後、不活性
ガスを止め、本真空引き用のバルブ１０を開け真空エジ
ェクタ２の到達真空能力の限界近くまで真空引きする。
その後、予備真空引き用のバルブ１１および本真空引き
用のバルブ１０を閉じ、不活性ガスを流したまま大気圧
まで戻しその後、不活性ガスの供給を止め乾燥が終了す
る。
ガスを止め、本真空引き用のバルブ１０を開け真空エジ
ェクタ２の到達真空能力の限界近くまで真空引きする。
その後、予備真空引き用のバルブ１１および本真空引き
用のバルブ１０を閉じ、不活性ガスを流したまま大気圧
まで戻しその後、不活性ガスの供給を止め乾燥が終了す
る。
【００１４】このようにして、真空容器１内の飽和蒸気
圧を下げることにより常温付近で乾燥効率よく良好な乾
燥ができる。例えば、半導体デバイスの微細なパターン
の深い溝部分まで乾燥できる。図２及び図３は、エチル
アルコールと水について、沸点と飽和蒸気圧との関係を
示すグラフであり、図３は図２の部分拡大グラフであ
る。この図からわかるように、飽和蒸気圧を下げること
により沸点が下がり、たとえば０．０２ａｔｍ（約３３
ｔｏｒｒ）ではエチルアルコールの沸点は３度、水の沸
点は１７度となる。したがって、低温でもエチルアルコ
ールや水は蒸発可能となるので、乾燥が促進され乾燥効
率が向上する。そのため、例えば半導体デバイスの微細
なパターンの溝部分まで乾燥できる。
圧を下げることにより常温付近で乾燥効率よく良好な乾
燥ができる。例えば、半導体デバイスの微細なパターン
の深い溝部分まで乾燥できる。図２及び図３は、エチル
アルコールと水について、沸点と飽和蒸気圧との関係を
示すグラフであり、図３は図２の部分拡大グラフであ
る。この図からわかるように、飽和蒸気圧を下げること
により沸点が下がり、たとえば０．０２ａｔｍ（約３３
ｔｏｒｒ）ではエチルアルコールの沸点は３度、水の沸
点は１７度となる。したがって、低温でもエチルアルコ
ールや水は蒸発可能となるので、乾燥が促進され乾燥効
率が向上する。そのため、例えば半導体デバイスの微細
なパターンの溝部分まで乾燥できる。
【００１５】ここで加熱した不活性ガスを流すのは、急
激な減圧を行い１５ｔｏｒｒ以下へ短時間で移行した場
合、水滴が凍結するのを防ぐためである。
激な減圧を行い１５ｔｏｒｒ以下へ短時間で移行した場
合、水滴が凍結するのを防ぐためである。
【００１６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明
は、真空容器内で乾燥させるので、飽和蒸気圧を低下さ
せクリーンな状態で乾燥効率よく乾燥できる。例えば、
被乾燥物の微細なパターンの深い溝に至るまで乾燥を行
うことが可能になる。また、機械的に駆動させる部分が
真空容器の内部にはないため、パーティクルの発生がな
く、被乾燥物にパーティクルが付着することがない。さ
らにスピンドライヤーと異なり、被乾燥物を高速に回転
しないので、静電気の発生もない。
は、真空容器内で乾燥させるので、飽和蒸気圧を低下さ
せクリーンな状態で乾燥効率よく乾燥できる。例えば、
被乾燥物の微細なパターンの深い溝に至るまで乾燥を行
うことが可能になる。また、機械的に駆動させる部分が
真空容器の内部にはないため、パーティクルの発生がな
く、被乾燥物にパーティクルが付着することがない。さ
らにスピンドライヤーと異なり、被乾燥物を高速に回転
しないので、静電気の発生もない。
【図１】本発明の実施例を示す概略説明図である。
【図２】エチルアルコールと水について、沸点と飽和蒸
気圧との関係を示すグラフである。
気圧との関係を示すグラフである。
【図３】図２の部分拡大グラフである。
１ 真空容器 １ａ テーパー部 ２ 真空エジェクタ ３ 不活性ガス加熱供給手段 ４ 床部 ５ 排気パイプ ７ ラバーヒーター １３ 熱交換器 １４ ノズル
Claims (2)
- 【請求項１】 不活性ガスの導入口及び排気口とを備え
た真空容器と、該真空容器に不活性ガスを加熱して供給
するガス加熱供給手段と、前記真空容器を真空にする真
空エジェクタとを具備することを特徴とする真空乾燥装
置。 - 【請求項２】 前記真空容器は、床がメッシュ状に形成
され、かつその下方に位置する底部がテーパー状に形成
され該テーパー部にはヒーターが配設されていることを
特徴とする請求項１記載の真空乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23765692A JPH0669180A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 真空乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23765692A JPH0669180A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 真空乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669180A true JPH0669180A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=17018561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23765692A Pending JPH0669180A (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | 真空乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669180A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1017085A2 (en) * | 1995-11-21 | 2000-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing apparatus employing vacuum system |
| JP2004214516A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2011005057A3 (ko) * | 2009-07-10 | 2011-06-03 | 에이펫(주) | 진공 건조기 및 이를 이용한 건조 방법 |
| KR20190134220A (ko) * | 2018-05-25 | 2019-12-04 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 카세트 스토커 및 그를 이용한 웨이퍼 카세트의 건조 방법 |
-
1992
- 1992-08-13 JP JP23765692A patent/JPH0669180A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1017085A2 (en) * | 1995-11-21 | 2000-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing apparatus employing vacuum system |
| EP1017085A3 (en) * | 1995-11-21 | 2002-09-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing apparatus employing vacuum system |
| JP2004214516A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2011005057A3 (ko) * | 2009-07-10 | 2011-06-03 | 에이펫(주) | 진공 건조기 및 이를 이용한 건조 방법 |
| JP2012533174A (ja) * | 2009-07-10 | 2012-12-20 | エーペット | 真空乾燥機およびこれを用いた乾燥方法 |
| KR101238858B1 (ko) * | 2009-07-10 | 2013-03-04 | 에이펫(주) | 진공 건조기 및 이를 이용한 건조 방법 |
| KR20190134220A (ko) * | 2018-05-25 | 2019-12-04 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 카세트 스토커 및 그를 이용한 웨이퍼 카세트의 건조 방법 |
| US11569109B2 (en) | 2018-05-25 | 2023-01-31 | Sk Siltron Co., Ltd. | Wafer cassette stocker and wafer cassette drying method using the same |
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