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KR100335322B1 - 반도체웨이퍼등의처리방법및그처리장치 - Google Patents

반도체웨이퍼등의처리방법및그처리장치 Download PDF

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KR100335322B1
KR100335322B1 KR1019970059447A KR19970059447A KR100335322B1 KR 100335322 B1 KR100335322 B1 KR 100335322B1 KR 1019970059447 A KR1019970059447 A KR 1019970059447A KR 19970059447 A KR19970059447 A KR 19970059447A KR 100335322 B1 KR100335322 B1 KR 100335322B1
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KR
South Korea
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container
pure water
water
warm pure
organic solvent
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KR1019970059447A
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KR19990013243A (ko
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테쯔오 코야나기
이치오 요코타
나오후미 미쯔무네
히로시 야마구치
코이치 탄게
Original Assignee
에스.이.에스 카부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 세척용 용액을 사용한 화학용액세척(화학처리), 세척용 순수를 사용한 최종 물세척처리(린스처리)까지의 일련의 세척처리, 그리고 IPA 용제 등으로 이루어지는 유기용제를 이용한 혼합치환에 의해 피건조매체의 표면에서 부착수를 제거하는 건조처리를 밀폐된 용기 내에서 단계적으로 실시하는 처리방법 및 그 처리장치와 관한 것으로, 세척처리에 있어서의 최종 물세척 처리가 행해진 후에, 밀폐된 용기 내로 따뜻한 순수를 공급한다. 수직병렬상으로 수용되어 있는 피건조매체가 몰입형상으로 침지된 따뜻한 순수의 수면에서 용기 내의 상부 측에 확보된 공간에 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급한다. 상기 상부공간이 유기용제에 의해 채워진 후, 유기용제의 공급을 정지시킨 상태로 용기의 밑바닥부측에서 따뜻한 순수를 흡인배출하면서 동 용기 내에 불활성가스를 공급한다. 이 때, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 용기 내의 감압도(P1)가 설정감압도(P)로 유지되도록 관리제어한다. 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료한 후, 이어지는 상기 흡인에 의해 용기 내를 흡인감압하는 것에 의해 피건조매체의 건조처리를 실시한다.

Description

반도체 웨이퍼 등의 처리방법 및 그 처리장치
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 처리방법 및 그 제어장치에 관한 것으로 상세히는 반도체 실리콘 웨이퍼, 액정기판 및 마스크용 기판 등의 피건조매체의 표면에서 쓰레기, 유기잔류물 혹은 무기잔류물 등을 여러 종류의 세척용 용액을 사용하여 제거하는 화학용액처리(화학처리) 후, 피건조매체의 표면으로부터 상기 세척용 화학용액을 세정용 물을 이용하여 씻어 내는 최종 물세척 처리(린스처리)를 실시하는세척처리, 그리고 이 세척처리에서 최종 물세척 처리가 종료한 후에 피건조매체의 표면에 부착 잔류하고 있는 상기 세척용 순수, 즉 부착수(물방울)를 제거하는 건조처리까지를 밀폐된 용기 내에서 단계적으로 실시한다. 특히 피건조매체의 표면에 부착 잔류하고 있는 상기 부착수의 제거를 상기 부착수와 혼합하기 쉽고, 표면장력이 지극히 작은 예를 들면 IPA(이소프로필알콜) 용제 등으로 이루어지는 유기용제를 사용한 혼합치환에 의해 건조처리를 하는 증기처리방법 및 그 처리장치의 개량에 관한 것이다.
종래, 피건조매체의 표면에서 쓰레기, 유기잔류물 혹은 무기잔류물을 여러 종류의 세척용 화학용액을 사용하여 제거하는 화학용액처리부터 상기 화학용액을 세척용 물을 이용하여 피건조매체의 표면으로부터 씻어 내는 최종 물세척 처리까지의 일련의 세척처리와, 이 세척처리가 종료한 후에 피건조매체의 표면에 부착잔류하고 있는 부착수(물방울)를, 예를 들면 IPA(이소프로필알콜) 용제 등으로 이루어지는 유기용제의 증기와의 혼합치환에 의해 제거하는 건조처리를 밀폐된 용기 내에서 실시하는 증기처리방법으로서는 여러 가지 방법이 개발 ·제안되고 있다.
예를 들면, 일본 특허공개공보 소 62-136825호(이하, 전자라고 한다)나 일본국 특허공개공보 평 7-130699호(이하, 후자라고 한다) 등의 공개공보에서 알려져 있다.
그러나, 전자의 증기처리방법에 있어서는 일련의 세척처리가 종료한 후에, 용기 안으로 그 상부측으로부터 유기용제의 증기를 공급하면서 세척용 순수를 아래쪽으로 밀어 내려서 용기의 밑바닥부측에서 밀어내도록 배출하는 것이다. 즉, 세척용 순수가 용기 밖으로 모두 배출되는 동안, 유기용제의 증기를 연속적으로 밀어내리고, 또한 세척용 순수를 아래쪽으로 밀어 내려서 용기의 밑바닥부측에서 배출시키는데 필요한 적당한 압력을 가하면서 공급해야 한다. 따라서, 이 전자에 있어서는 건조처리마다(1사이클마다) 대량의 유기용제를 용기 내로 공급해야한다는 점에서 비싼 유기용제의 대량 사용에 의해 비용적으로 불리해져 비경제적이다. 그리고, 용기 내의 세척용 순수를 용기 밖으로 밀어내기 위해서 필요한 압력을 가하면서 유기용제의 증기를 용기 내로 공급해야만 한다는 점에서 펌프 등의 기체가압수단이 필요해진다.
한편, 후자의 증기처리방법에 있어서는 일련의 세척처리에서의 최종 물세척처리가 세척용 순수가 공급된 세척조에서 행해진 후에, 상기 세정조의 순수 중에서 피건조매체를 세척조를 밀폐포위하는 그 위쪽의 밀폐 챔버 내로 끌어올림과 동시에 상기 밀폐 챔버 내로 유기용제의 증기의 공급을 개시시켜서 밀폐 챔버 안으로 끌어올려지는 피건조매체의 표면상에 응축함으로써 상기 표면의 부착수와 치환이 이루어진다. 즉, 밀폐 챔버 내로의 유기용제의 증기의 공급은 적어도 순수 중에서 피건조매체의 끌어올려짐이 완전히 종료될 때까지 계속적으로, 그리고 피건조매체가 순수 중에서 완전히 끌어올려지는 넓은 밀폐 챔버 안이 증기에 의해 채워질 때까지 계속적으로 행해져야만 한다. 따라서, 이 후자에 있어서도 전자와 같이 건조처리마다(1사이클마다) 대량의 유기용제를 연속적으로 공급하지 않으면 안된다는 점에서, 비용적으로 불리해지고, 비경제적인 문제가 있다.
그렇게 하여, 본 발명자는 수많은 연구를 거듭해 온 결과, 용기 내에 공급된 유기용제의 일부가 액체 수면 위에서 응축하여, 상기 수면 위에 피건조매체의 표면으로부터 상기 수면을 향한 적당한 두께의 혼합층을 만든다. 그리고 이 혼합층은 피건조매체의 표면에 접하는 쪽보다도 수면에 접하는 쪽이 유기용제와의 혼합농도가 낮다는 점, 즉, 유기용제와의 혼합농도 분포의 비율에 의해 액체가 피건조매체의 표면측에서 수면측을 향하여 흐르는 액류를 일으키는 표면장력이 발생한다는 것에 착안하여, 본 발명에 이른 것이다.
본 발명의 목적은, 유기용제를 이용한 피건조매체의 증기건조처리에 있어서, 건조처리마다(1사이클마다) 유기용제의 사용량을 대폭 삭감할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 등의 처리방법 및 그 처리장치를 제공하는 것이다.
다른 목적은, 유기용제와의 혼합치환작용에 덧붙여 표면장력에 의하여 피건조매체의 표면에서 부착수를 효과적 또한 확실히 제거할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 등의 처리방법 및 그 처리장치를 제공하는 것이다.
또 다른 목적은, 상세한 설명 및 도면에서 분명히 나타난다.
이들의 목적은 본 발명이 제공하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법 및 그 처리장치에 의해 달성된다.
이러한 본 발명의 처리방법은, 밀폐된 용기 내에서, 피건조매체의 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리를 실시하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법으로서, 다수개의 피건조매체가 상기 용기 안에 수직병렬상으로 반입수용되어, 세척처리에 있어서의 최종 물세척 처리가 실시된 후에, 상기 용기 내에 따뜻한 순수를 공급하는 공정과, 상기 용기 내의 적어도 상기 따뜻한 순수의 수면에서 그 상부측에 확보되어 있는 상부공간에 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급하는 공정과, 상기 유기용제의 공급을 정지시킨 후 상기 따뜻한 순수를 용기의 밑바닥부쪽에서 흡인배출하면서 또한 그 상부측에서 불활성가스를 연속적으로 공급하는 공정과, 상기 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료된 후에, 계속되는 상기 흡인에 의해 용기 내를 흡인감압하여, 피건조매체를 건조하는 공정을 포함하여, 적어도 따뜻한 순수를 용기의 밑바닥부쪽에서 흡인배출하는 공정에서, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료되는 동안, 용기 내의 감압이 미리 설정된 설정감압으로 유지되도록 관리제어하면서 피건조매체의 건조처리를 하도록 한 것이다.
또한, 상기한 처리방법에 있어서, 따뜻한 순수를 용기 안으로 공급할 때의 그 수온을 30∼65℃의 범위에, 그리고 따뜻한 순수를 용기 밖에 흡인배출하는 과정이 종료되는 동안 용기 내의 설정감압을 -350∼-50㎜Hg의 범위로 설정한 것이고, 바람직하게는 따뜻한 순수의 수온을 40∼50℃의 범위로, 용기 내의 설정감압을 1300∼-150㎜Hg의 범위로 설정, 특히 따뜻한 순수의 수온을 45℃에, 용기 내의 설정감압을 -2400㎜Hg으로 설정한 것이다.
또한, 상기한 처리방법에 있어서, 유기용제를 용기 내로 공급할 때에 상기 용기 안를 흡인배기하면서 실시하도록 한 것이다. 그리고, 이 유기용제의 공급은 적어도 용기 내의 상부공간이 유기용제에 의해 채워질 때까지 실시된다. 즉, 따뜻한 순수의 흡인배출에 따르는 상기 따뜻한 순수의 수면강하에 의해 노출되는 모든 피건조매체에 유기용제가 널리 퍼질 때까지 실시된다.
또한, 본 발명의 처리방법은 밀폐된 용기 내에서, 피건조매체의 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리를 실시하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법으로서, 다수개의 피건조매체가 상기 용기 내에 수직병렬상으로 반입수용되어, 해당용기 내로 세척처리부터 건조처리에 이르는 각 처리단계에서 적어도 건조처리가 종료할 때까지 연속되는 불활성가스의 공급을 개시시킨 상태에서 세척처리에 있어서의 물세척처리가 실시되도록 한 것이다.
따라서, 전술한 본 발명의 처리방법에 의하면, 화학용액세척부터 최종 물세척처리까지의 일련의 세척처리가 종료한 후에 용기 내에, 피건조매체가 몰입형상으로 침지하는 수위까지 수온이 30∼65℃ 범위의 따뜻한 순수를 공급하도록 함으로써 따뜻한 순수의 열에너지로 피건조매체를 30∼65℃ 부근의 소정 온도까지 가열시켜서 건조처리 시에 있어서의 건조촉진을 도모한다. 그리고, 따뜻한 순수의 수면에서 그 상부측에 확보되어 있는 상부공간에 증기화 또는 수증기화된 유기용제를 공급하여, 상기 유기용제의 공급을 정지시킨 후에 개시하는 따뜻한 순수를 용기의 밑바닥부쪽으로부터 흡인배출하는 공정에서 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 용기 내의 감압도가 -350∼-50㎜Hg 범위의 설정감압도로 유지된다. 그것에 의해 용기 내에 공급된 유기용제의 증기 또는 수증기의 일부가 따뜻한 순수의 수면에서 응축하여 상기 수면에 혼합액층을 형성하는 한편, 증기화 또는 수증기화가 용기 내의 설정감압도로 유지된 감압분위기와 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 유지되고, 따뜻한 순수의 수면강하에 따라 노출되는 피건조매체의 표면에서 응축하여 해당표면의 부착수와의 혼합치환이 이루어지고, 상기 부착수는 유기용제와의 혼합액과 같이 피건조매체의 표면을 따라 이동하고 따뜻한 순수의 수면을 향해 적하하면서 또한 상기 혼합액층에 발생하는 피건조매체의 표면에서 따뜻한 순수의 수면을 향한 액류에 의해서 상기 표면으로부터 제거된다. 즉, 피건조매체는 유기용제와의 혼합치환에 의한 치환작용과 피건조매체의 표면에서 따뜻한 순수의 수면을 향하여 부착수를 이끄는 혼합액층에 발생하는 액류작용의 두 가지 작용에 의해서 건조처리된다. 이 때, 설정감압도로 유지되어 있는 용기 내의 감압분위기와 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 상기 혼합액층으로부터 유기용제가 노출되는 피건조매체의 주위로 재증기화되어 그 표면에서의 전술한 응축이 반복연속적으로 행하여진다.
그리고, 용기 내의 상부공간에 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급하는 공정에서, 용기 안이 흡인배기되면서 실시되는 것으로서, 상기 용기 내의 상부공간에 유기용제의 증기 또는 수증기가 순조롭게 도입되어 상기 상부공간은 단시간으로 유기용제에 의해 채워진 용제분위기화된다. 그것에 의하여, 이후의 처리공정으로의 이행이 순조롭게 실시된다. 또한, 흡인배기에 의해 용기 안은 적당하게 감압되어 대기압에 있어서의 비점보다도 낮은 온도에서 유기용제는 증기화된다. 그것에 의하여, 낮은 온도상태로써 상부공간에 용제(증기) 분위기가 만들어진다.
본 발명의 처리장치는, 밀폐된 용기 안에서 피건조매체의 일련의 세척처리부터 건조처리까지를 실시하는 반도체 웨이퍼 등의 처리장치로서, 적어도 다수개의 피건조매체를 병렬수직상으로 반입수용할 수 있는 크기로 상부를 개구시킨 밑바닥이 있는 상자 형태를 유지하고, 상부 개구에 개폐가능한 밀폐뚜껑을 갖춘 용기와, 이 용기의 밑바닥부쪽에 연결되어, 피건조매체의 세척처리부터 건조처리에 이르는각 처리단계에 따라 화학용액밸브 및 물밸브를 열어 급수통로를 통해서 상기용기 안으로 적어도 피건조매체가 몰입상으로 침지하는 수위까지 화학용액 및 순수를 정화하고, 세척처리에 있어서의 물세척처리가 종료한 후에, 따뜻한 순수밸브를 열어 급수통로를 통하여 따뜻한 순수를 상기 수위까지 공급하는 급수수단과, 적어도 이 급수수단과 상기 용기의 상부측 또는 동 용기의 밑바닥부쪽에 접속되어, 배수밸브를 열어서 배수통로를 통하여 상기 용기 내에서 화학용액 및 순수, 그리고 따뜻한 순수를 상기 각 처리단계에 따라서 흡인배출하는 배수수단과, 상기 용기의 상부측에 접속되어, 용제밸브(P)를 열어서 용제공급통로를 통해서 용기 안으로 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급하는 용제공급수단과, 동 용기의 상부측에 접속되어, 가스밸브를 열어서 가스공급통로를 통해서 용기 안으로 불활성가스를 공급하는 가스공급수단과, 상기 용기의 상부측에 구비되어, 적어도 따뜻한 순수가 용기의 밑바닥부측에서 상기 배수통로를 통해서 흡인배출되는 처리단계에서, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 용기 내의 감압도를 검출하는 검출수단과, 이 검출수단과 상기 배수수단 또는 가스공급수단과의 사이에 접속배치되어, 상기 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 용기 내의 감압도가 설정감압도로 유지되도록, 상기 검출수단으로부터 출력되는 현재의 감압도와 설정감압도를 비교처리하여 그 처리정보에 기초하여 상기 배수수단의 배수속도 또는 공급수단의 공급속도를 조절하는 제어수단을 포함하는 것이다.
또한, 상기한 처리장치에 있어서, 따뜻한 순수를 용기 내로 공급할 때의 그 수온을 30∼65℃의 범위로, 그리고 따뜻한 순수를 용기 밖으로 흡인배출하는 그 흡인배출이 종료하는 동안에 용기 내의 설정감압도를 -350∼50㎜Hg의 범위로 설정한 것이고, 바람직하게는 따뜻한 순수의 수온을 40∼50℃의 범위로, 용기 내의 설정감압도을 -300∼-150mmHg의 범위로 설정, 특히 따뜻한 순수의 수온을 45℃로, 용기 내의 설정감압도을 -240mmHg로 설정한 것이다.
따라서, 전술한 본 발명의 처리장치에 의하면, 다수개의 피건조매체를 개구하는 상부 개구로부터 용기 내의 병렬수직상에 반입수용한 후, 용기의 상부 개구를 밀폐뚜껑으로 폐쇄시킴과 함께, 화학용액밸브 및 순수밸브, 그리고 수온이 30∼65℃ 범위의 따뜻한 순수 밸브를 각 처리단계에 따라서 단계적으로 연다. 그렇게 하면, 용기의 밑바닥부측에서 상기 용기 내로 급수수단의 급수통로를 통해서 화학용액 및 순수, 그리고 따뜻한 순수가 피건조매체의 세척처리부터 건조처리에 이르는 각 처리단계에 따라서 피건조매체가 몰입형상으로 침지하는 수위까지 공급된다. 그것에 의하여, 용기 안에는 피건조매체의 표면에 접촉하면서 흐르는 화학용액 및 순수, 그리고 따뜻한 순수의 상승수류가 형성되어, 상기 각 처리단계에 따라서 처리가 실시된다. 이 때, 용기의 상부측에 접속되어 있는 배출수단의 배출펌프는 열려 있고, 여분의 화학용액 및 순수, 그리고 따뜻한 순수는 배출통로를 통하여 용기 밖으로 흡인배출된다.
그리고, 상기 각 처리단계에서의 처리가 종료된 시점에서, 용제공급수단의 용제밸브를 열어 용기 내의 적어도 따뜻한 순수의 수면에서 그 상부측에 확보되어 있는 상부 공간으로 용제공급통로를 통해서 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급한다. 이 공급은 용기 내의 상부공간이 유기용제의 증기 또는 수증기에 의해 채워질때까지 실시된다. 이 때, 용기의 상부측에 접속되어 있는 배출수단에 의해 용기 내를 계속적으로 흡인배기하는 것으로, 용기 내부는 적당히 감압되어, 상부 공간에는 유기용제의 용제분위기가 단시간에 신속히 만들어진다. 또한, 용기 내의 감압에 따라 연통하는 용제공급수단 내, 예를 들면 유기용제의 증기를 만드는 증기발생 유니트 내부도 적당 감압되기 때문에, 대기압(상압)에 있어서의 비점보다도 낮은 온도에서 유기용제는 증기화되면서 용제공급통로를 통해서 용기 내로 공급되어, 상기 용기 내에 저온상태의 용제분위기를 만든다.
다음으로, 용기 내의 상부 공간이 유기용제로 채워진 시점에서, 용제밸브를 닫고, 용기의 하부측에 접속되어 있는 배출수단의 배출밸브를 연다. 그렇게 하면, 용기 내의 따뜻한 순수는 그 밑바닥부측에서 배출통로를 통하여 용기 밖으로 흡인배출된다. 이 때, 따뜻한 순수의 흡인배출에 따르는 용기 내의 감압은 검출수단에 의해 검출되어 제어수단으로 출력되어, 이 제어수단에 의해 검출수단으로부터 검출되어 오는 현재의 감압과 용기내의 ­350∼-50㎜Hg 범위의 설정감압도가 비교처리되어, 그 처리정보에 기초하여 배출수단에 의한 따뜻한 순수의 배출속도 또는 가스공급수단에 의한 불활성가스의 공급속도가 가변조절되는 관리가 제어수단에 의해 이루어진다. 그것에 의하여, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 용기 내부는 설정감압도로 유지된다. 즉, 용기 내에 공급된 유기용제의 증기 또는 수증기의 일부가 따뜻한 순수의 수면에서 응축하여 상기 수면에 혼합액층을 형성하는 한편, 그 증기화 또는 수증기화가 용기 내의 설정감압도로 유지된 감압분위기와 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 유지되고, 따뜻한 순수의 수면강하에 따라 노출되는 피건조매체의 표면에서 응축하여 상기 표면의 부착수와의 혼합치환이 이루어지고, 상기 부착수는 유기용제와의 혼합액과 같이 피건조매체의 표면을 따라 이동하여 따뜻한 순수의 수면을 향하여 적하하고 또한 상기 혼합액층에 발생하는 피건조매체의 표면에서 따뜻한 순수의 수면을 향한 액류에 의해서 상기 표면에서 제거된다. 즉, 피건조매체는 유기용제와의 혼합치환에 의한 치환작용과 피건조매체의 표면에서 따뜻한 순수의 수면을 향하여 부착수를 이끄는 혼합액층에 발생하는 액류작용과의 2작용에 의해서 건조처리된다. 이 때, 설정감압도로 유지되어 있는 용기 내의 감압분위기와 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 상기 혼합액층으로부터 유기용제가 노출되는 피건조매체의 주위로 재증기화되어 그 표면에서의 전술한 응축이 반복연속적으로 행하여진다.
그리고, 용기 내의 따뜻한 순수가 모두 흡인배출된 후, 계속하는 상기 흡인에 의해 용기 내부는 감압되어, 상기 용기 내에 남는 유기용제, 용제와의 혼합액, 습기 등은 모두 용기 밖으로 배출되는 피건조매체의 건조처리가 이루어진다. 그런 뒤, 불활성가스를 용기 내로 그 상부측에서 공급시켜서 상기 용기 내를 대기압(상압)으로 복귀시켜서, 밀폐뚜껑을 열어 피건조매체를 용기 내에서 반출함으로써 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리가 종료된다.
도 1은 본 발명의 반도체 웨이퍼 등의 처리방법을 실시하는 처리장치의 한 예를 나타내는 개략도.
도 2는, 용기의 종단개략도.
도 3은, 따뜻한 순수가 흡인배출되는 공정에 있어서, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안 따뜻한 순수 중에 녹아 있는 유기용제를 상기 따뜻한 순수의 수면에서 노출되는 피건조매체의 주위로 재증기화시키는 이 재증기화현상이 반복연속적으로 실시되는 조건을 성립시킨 용기 내에서 실시되는 부착수의 유기용제와의 치환작용과 피건조매체의 표면에서 따뜻한 순수의 수면에 향한 혼합액층에 발생하는 액류작용과의 두 가지 작용에 의한 피건조매체의 건조원리를 나타낸 주요부의 의 확대개략도.
도 4는 따뜻한 순수가 흡인배출되는 공정에서 용기 내의 감압도(P1)를 설정감압도(P)로 유지하는 제어수단의 한 예를 나타낸 제어블록도.
도 5는 동 제어개략도.
도 6은 따뜻한 순수가 흡인배출되는 공정에서 용기 내의 감압도(Pl)를 설정감압도(P)로 유지하는 제어수단의 다른 실시예를 나타낸 제어블록도.
도 7은 동 제어개략도.
도 8은 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리에 있어서의 처리동작을 나타낸 플로우 챠트.
도 9는 따뜻한 순수가 흡인배출되는 공정에서 용기 내의 감압도(P1)를 설정감압도(P)에 제어관리하는 그 동작을 나타낸 플로우 챠트.
도 10은 동 타임 챠트.
도 11은 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리에 있어서의 처리동작의 다른 실시예를 나타낸 플로우 챠트.
도 12는 동 타임 챠트.
도 13은 용기를 내외 이중구조로 구성한 본 발명의 반도체 웨이퍼 등의 처리방법을 실시하는 처리장치의 한 예를 나타낸 개략도.
본 발명의 실시의 구체적인 예를 도면에 기초하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 처리방법을 실시하는 처리장치의 구성예를 나타낸 개략도이고, 1은 개폐가능하게 밀폐된 용기, 2는 용기(1)의 밑바닥부측에 접속되어 후술하는 화학용액밸브(3) 및 순수밸브(4), 그리고 따뜻한 순수밸브(5)가 개방됨으로써 급수통로(6)를 통해서 용기(1) 내부로 피건조매체(W)가 몰입형상으로 침지하는 수위까지 여러 종류의 화학용액 및 순수, 그리고 따뜻한 순수를 세척처리부터 건조처리에 이르는 일련의 각 처리단계에 따라 공급하는 급수수단, 7은 이 급수수단(2)의 급수통로(6)와, 상기 용기(1)의 상부측과 각각 접속되고, 후술하는 배수밸브(8,9)의 개방에 의해 각각의 배수통로(10,11)를 통해서 용기(1) 내에서 화학용액 및 순수, 그리고 따뜻한 순수를 상기 각 처리단계에 따라서 흡인배출하는 급수수단, 12는 용기(1)의 상부측에 접속되고, 후술하는 용제밸브(13)의 개방에 의해 용제공급통로(14)를 통하여 용기(1)안으로 유기용제의 증기 또는 수증기를 상기 각 처리단계에 따라서 공급하는 용제공급수단, 15는 동 용기(1)의 상부측에 접속되어, 후술하는 가스밸브(16)의 개방에 의해 가스공급통로(17)를 통해서 용기(1) 내로 불활성가스를 상기 각 처리단계에 따라서 공급하는 가스공급수단, 18은 상기 용기(1)의 상부측에 구비되어, 용기(1) 내의 압력을 검출하는 검출수단, 19는 이 검출수단(18)으로부터 출력되는 검출신호에 따라서 상기 가스공급수단(15)에 의한 용기(1)내로의 불활성가스의 공급속도를 조절하는 제어수단이고, 이들 각 수단(2,7,12,15,18,19)의 세척처리부터 건조처리에 이르는 일련의 각 처리단계에 따른 동작을 통해 밀폐된 용기(1) 내에서 피건조매체(W)의 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리가 실시되도록 구성하여 이루어진다.
용기(1)는 다수개의 피건조매체(M)를 수직상태로 소정 간격을 두고 병렬로 지지수용할 수 있는 정도의 크기(개구형상)로, 또한 피건조매체(M)를 몰입형상으로침지함과 같이 그 상부측에 불활성가스를 공급하는 적당한 용적의 상부공간(20)이 확보될 정도의 깊이를 갖는 상부를 개구시킨 바닥이 있는 상자 형태를 갖고, 그 상 부 개구에는 피건조매체(M)가 반입수용된 후 밀폐하는 개폐가능한 밀폐뚜껑(21)을 갖추어 이루어진다. 그리고, 밑바닥부측에 급수수단(2)의 급수통로(6)를 접속하고,그 상부측에 배출수단(7)의 배출통로(11), 용제공급수단(12)의 공급유로(14), 가스공급수단(15)의 공급유로(17)를 각각 접속하여 이루어진다.
또한, 도면에서의 표시는 생략되어 있지만, 용기(1) 내에는 다수개의 피건조매체(W)의 아랫부분측을 지지하는 지지수단이 구비되어 있고, 이 지지수단에 의해 다수개의 피건조매체(W)를 용기(1) 안에 적당한 간격을 두고 수직병렬상으로 수용할 수 있게 되어 있다.
급수수단(2)은 피건조매체(W)의 세척처리의 각 처리단계에 따라서 여러 종류의 화학용액 및 순수 등을 용기(1) 안으로, 그리고 피건조매체(W)의 건조처리 시에 그 처리준비단계에서 따뜻한 순수를 용기(1) 안으로 그 밑바닥부의 급수구(2-1)로부터 각각 공급하는 역할을 이루는 것으로, 중앙을 향하여 기울어진 용기(1)의 밑바닥부 중앙에 개구한 급수구(2-1)에 급수유로(6)를 접속하고, 상기 급수유로(6)에는 혼합밸브(22)를 통해 화학용액밸브(3), 순수밸브(4), 그리고 따뜻한 순수밸브(5)를 접속구비하고, 또한 혼합밸브(22)와 급수구(2-1)와의 사이에 그들 각 밸브(3,4,5)의 종합밸브(23)를 접속구비하여, 이 종합밸브(23)의 개방과 각 밸브(3,4,5)의 개방에 의해 용기(1) 안으로 피건조매체(W)의 세척처리부터 건조처리에 이르는 각 처리단계에 따라 상기 급수구(2-1)로부터 화학용액 및 순수 그리고따뜻한 순수를 연속적으로 공급할 수 있도록 이루어진다.
배출수단(7)은, 피건조매체(W)의 세척처리 시에 여분의 화학용액 및 순수 등을 용기(1) 밖으로 그 상부측에서 배출한다. 즉, 피건조매체(W)와의 접촉에 의해 그 표면에서 제거한 쓰레기, 유기잔류물 혹은 무기잔류물 등이 섞여 들어가는 오버플로우물을 용기(1) 밖으로 그 상부측에서 흡인배출하는 역할과, 피건조매체(W)의 건조처리 시에 해당 피건조매체(W)의 건조촉진을 도모하기 위해서 용기(1) 안으로 공급되는 따뜻한 순수를 용기(1) 밖으로 그 밑바닥부측에서 흡인배출 하는 역할, 따뜻한 순수의 배출이 종료된 후에도 계속하여 작동시킴으로써 용기(1) 내의 남아 있는 유기용제나 습기 등을 용기(1) 밖으로 흡인배기하는 역할을 이루는 것으로, 상술한 급수유로(6) 도중에 배출유로(10)를 분기접속하고, 피건조매체(W)를 몰입형상으로 침지하는 수면(L) 높이에 해당하는 용기(1)의 상부측 부위에 개구한 배출구(7-1)에 배출유로(11)를 접속함과 함께, 각 배출유로(10,11)에는 배출밸브(8,9)를 각각 접속구비하고 또한 흡인 유니트(24)를 접속구비하여, 배출밸브(8,9)의 개방에 의해 용기(1) 밖으로 여분의 화학용액 및 순수 등을 그 상부측의 배출구(7-1)로부터 배출유로(11)를 통해서, 그리고 따뜻한 순수를 그 밑바닥부의 급수구(21)로부터 배출유로(10)를 통해서 각각 강제적으로 흡인배출할 수 있도록 구성하여 이루어진다. 즉, 밑바닥부의 급수구(2-1)는 화학용액 및 순수 등, 그리고 따뜻한 순수를 용기(1) 안으로 급수하는 원래의 역할에 더하여, 따뜻한 순수를 용기(1) 밖으로 배출하는 경우에는 배출구로서의 역할을 이루는 것이다.
그래서, 흡인 유니트(24)는 화학용액 및 순수 등, 그리고 따뜻한 순수를 일정한 배출속도로써, 또는 그 배출속도를 적당히 가변하면서 용기(l) 밖으로 배출한다. 즉, 화학용액 및 순수, 그리고 따뜻한 순수의 배출량을 일정하게 유지하면서, 또는 그 배출량을 적당히 가변하면서 배출하는 유량조절기능을 갖춘 흡인펌프 등으로 이루어지고, 제어수단(19)의 후술하는 제어부(19-1)에 접속되어, 상기 제어부(19-l)에서 출력되는 처리신호에 의해 특히 따뜻한 순수의 배출량을 현재의 배출량보다도 적도록 흡인펌프(24-1)의 흡인출력을 작게 하거나(내리거나), 혹은 현재의 배출량보다도 많도록 흡인펌프(24-1)의 흡인출력을 크게 하는(올리는) 등의 흡인펌프(24-1)의 흡인출력을 적당히 가변조절할 수 있게 되어 있다.
용제공급수단(12)은, 피건조매체(W)가 세척처리에 있어서의 최종 물세척 처리가 종료된 후에, 피건조매체(W)의 표면에 부착잔류하는 부착수를 상기 부착수와의 혼합치환에 의해 제거하는(부착수의 표면장력을 저감시켜 제거하는) 유기용제의 증기를 용기(1) 내로 공급하는 역할을 이루는 것으로, 상술한 배출유로(11)의 접속부위에 해당하는 용기(1)에 상부측 부위에 개구한 용제도입구(12-1)에 용제공급유로(14)를 접속함과 함께, 상기 용제공급유로(14)에는 용제펌프(13)를 접속구비하고, 또한 증기발생 유니트(25)를 접속구비하여, 이 증기발생 유니트(25)로써 증기화된 유기용제의 증기가 용제펌프(13)의 개폐에 의해 용기(1) 내로 그 상부측에서 공급되거나, 그 공급이 정지되도록 구성하여 이루어진다.
그래서, 증기발생 유니트는(25)은 피건조매체(W)의 표면에 부착잔류하고 있는 부착수와 혼합하기 쉽고, 표면장력이 지극히 작은 예를 들면 IPA(이소프로필 알콜)용제 등으로 이루어지는 유기용제를 저장하고, 상기 유기용제를 가열비등시켜서증기화시키는 히터 등의 가열수단을 갖춘 증기발생조 등으로 이루어지고, 이 증기발생조 등으로부터 접속배관되는 용제공급유로(14)를 통해 연통하는 용기(1) 내로 증기화된 유기용제의 증기가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 도시 생략하고 있지만, 증기발생 유니트(25)로 바꾸어 유기용제를 소정 압력으로 용제공급유로(14) 내로 압송할 수 있는 압송펌프를 용제공급유로(14)에 접속구비하여, 이 압송펌프에 접속한 유기용제를 저장하는 저장탱크에서 용기(1) 내로 수증기화시키면서 공급하도록 할 수도 있다. 이 경우, 용기(1)의 벽면에 분무구를 갖추고, 이 분무구에서 수증기화시키면서 유기용제의 수증기를 용기(1) 내로 공급하면 된다. 또한, 상기 저장탱크에 히터 등의 가열수단을 갖추고, 유기용제를 30∼60℃의 범위까지 가온시키면서 용기(1) 내로 공급하도록 하면 된다. 이것에 의해, 상온의 유기용제를 수증기화시키면서 용기(1) 내로 공급하는 것에 비하여 온도를 저하시키는 등의 용기(l) 내의 내부분위기에 변화를 방지할 수 있는 효과가 얻어진다.
가스공급수단(15)은 피건조매체(W)가 용기(1) 내에 반입수용되어, 용기(1)의 상부개구가 밀폐뚜껑(21)으로 밀폐된 후부터 연속적으로 상기 용기(1) 내로 불활성가스(N2)를 공급시켜서, 피건조매체(W)의 반입수용시에 용기(1) 내에 들어간 공기(산소)를 용기(1) 밖으로 배제하여, 피건조매체(W)의 세척처리부터 건조처리까지의 각 처리단계에서 용기(1) 내를 계속적으로 가스분위기상태로 유지하는 역할과, 피건조매체(W)의 건조처리단계에서, 상기 피건조매체(W)가 몰입형상으로 침지되는 수위까지 따뜻한 순수가 용기(1) 내에 공급저장되어, 상기 따뜻한 순수의 수면(L)에서 그 상부측에 확보되어 있는 상부공간(20)에 상술한 용제공급수단(12)으로부터 공급되는 유기용제의 증기에 의해 상기 상부공간(20)이 채워지고, 상기 유기용제의 공급이 정지한 후에 행해지는 배출수단(7)에 의한 따뜻한 순수의 용기(1) 밖으로 흡인배출 시에, 검출수단(18)으로부터 출력되는 검출신호(용기(1) 내의 압력정보)에 기초하는 제어수단(19)으로부터의 처리신호(밸브의 개방도를 작게하거나 또는 펌프의 개방도를 크게 하거나 하는 등)에 따라서 용기(1) 내의 감압도(P1)를 설정감압도(P)로 유지하도록 상기 용기(1) 내로 불활성가스를 제어수단(19)으로부터의 처리신호에 따라서 연속하여 공급하는 역할을 하는 것으로, 상술한 용제공급유로(14)의 접속부위에 해당하는 용기(1)의 상부측부위에 있어서의 그 벽부에 개구한 가스도입구(15-1)에 가스공급유로(17)를 접속함과 함께, 상기 가스공급유로(17)에 가스밸브(16)를 접속구비하고, 이 가스밸브(16)의 개폐에 의해 용기(1) 내로 불활성가스를 피건조매체(W)의 세척처리부터 건조처리가 종료되는 일련의 처리단계에서 불활성가스를 상기 가스도입구(15-1)로부터 연속적으로, 또는 세척처리부터 건조처리에 이르는 각 처리단계에 따라서 간헐적으로 공급하거나, 그 공급이 정지되도록 구성하여 이루어진다.
그래서, 가스밸브(16)는 밸브를 여닫는 동작, 그리고 불활성가스를 일정한 공급속도로, 또는 그 공급속도를 적당히 가변하면서 용기(1) 내에 공급한다. 즉, 불활성가스의 공급량을 일정히 유지하면서, 또는 그 공급량을 적당히 가변하면서 공급하는 유량조절기능을 갖춘 밸브 등으로 이루어지고, 제어수단(19)의제어부(19-1)에 접속되어, 상기 제어부(19-1)로부터 출력되는 처리정보에 의해 불활성가스의 공급량을 현재의 공급량보다도 적게 하도록 밸브의 개방도를 작게 하거나(조이거나), 혹은 현재의 공급량보다도 많게 하도록 밸브의 개방도를 크게 하는 등의 밸브의 개방도를 적당히 가변조절할 수 있게 되어 있다. 도면 중 26은 가스공급유로(17)에 접속구비한 안전(보조)밸브이다.
검출수단(18)은, 피건조매체(W)의 세척처리부터 건조처리에 이르는 각 처리단계에서, 특히 피건조매체(W)의 건조처리가 개시한 후 종료하는 과정에서, 따뜻한 순수가 용기(1) 내에 공급저장되어, 피건조매체(W)가 몰입형상으로 침지하는 그 수면(L)에서 그 상부측에 확보된 상부공간(20)이 유기용제의 증기에 의해 채워진 후에 개시하는 따뜻한 순수의 흡인배출 시에, 이 흡인배출이 종료하는 동안, 용기(1) 내의 감압도(P1)를 차례로 검출하여 그 검출신호(압력정보)를 제어수단(19)에 차례로 출력하는 역할을 이루는 것으로, 용기(1) 내의 압력변위를 전압으로 변환하여 그 압력치, 즉 검출신호를 제어부(19-1)의 후술하는 처리부(19-10)에 차례로 출력하는 기능을 갖는 압전센서 또는 압력센서 등으로 이루어지고, 상부 공간(20)이 확보되는 용기(1)의 벽면에 접속배치됨과 함께 제어부(19-1)의 처리부(19-10)에 접속되어, 검출한 용기(1) 내의 검출신호, 즉 현재의 감압도(P1)를 상기 처리부(19-10)에 출력하게 되어 있다.
그래서, 본 실시예에 있어서는 불활성가스를 용기(1) 내로 공급하는 가스공급수단(15)의 가스공급유로(17)의 중간 부위에 검출수단(18)을 접속구비하고(도 1참조), 상기 가스공급유로(17)를 통해 용기(1) 내의 감압도(P1)를 검출할 수 있도록 하여 이루어진다.
제어수단(19)은 피건조매체(W)의 일련의 세척처리에 있어서의 최종 물세척 처리가 종료하여, 용기(1) 내로 따뜻한 순수가 공급되고, 그 상부공간(20)으로 유기용제의 증기가 공급된 후에 개시하는 용기(1) 내의 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안에, 용기(1) 내의 감압도(P1)를 미리 설정입력되어 있는 설정감압도(P)로 유지하도록 가스공급수단(15)의 가스밸브(16)의 개방도를 현재의 개방도보다도 작게 하거나, 크게 하는 등의 밸브의 개방도를 적당히 가변조절하고 용기(1) 안으로의 불활성가스의 공급속도(공급량)를 조절가변하거나, 또는 배출수단(7)의 흡인 유니트(24)(흡인펌프)의 흡인출력을 현재의 흡인출력보다도 작게 하거나, 크게 하는 등의 흡인펌프의 흡인출력을 적당히 가변조절시켜서 따뜻한 순수의 배출속도(배출량)를 가변조절하는 등의 역할을 이루는 것으로, 용기(1) 안의 설정감압도(P)를 기억시킴과 함께 그 설정감압도(P)와 검출수단(18)으로부터 차례로 출력되는 용기(1) 내의 현재의 감압도(P1)와의 판단처리를 실시하는 제어부(19-1)를 갖추고, 검출수단(18)으로부터 차례로 출력되는 용기(1) 내의 현재의 감압도(P1)가 설정감압도(P)보다도 낮다고 처리판단하면, 용기(1) 내부로의 불활성가스의 공급량을 현재의 공급량보다도 적도록 가스밸브(16)의 개방도를 작게 하는 취지의 처리정보를 상기 가스밸브(16)에 출력하거나(도 4 참조), 또는 따뜻한 순수의 배출량을 현재의 배출량보다도 많도록 흡인 유니트(24)의 흡인출력을 크게 하는 취지의 처리정보를상기 흡인 유니트(24)에 출력하여(도 6 참조), 용기(1) 내의 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안에, 용기(1) 내에 감압도(P1)를 설정감압도(P)로 관리제어하는 것이다.
그리고, 본 발명에서는 용기(1) 내로의 따뜻한 순수(M)의 공급시의 수온을 30∼65℃의 범위로 설정, 그리고 피건조매체(W)의 일련의 세척처리에 있어서의 최종 물세척 처리가 종료하고, 용기(1) 내의 상부 공간(20)으로 유기용제의 증기가 공급된 후에 개시하는 용기(1) 내의 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안의 용기(1) 내의 설정감압도(P)를 -350∼-50㎜Hg의 범위로 설정하는 것이 본 발명을 성립시키는 데에 있어서 중요하다.
따뜻한 순수의 수온은 유기용제의 증기와의 혼합치환, 그리고 마지막에 실시되는 용기(1) 내의 감압에 의한 피건조매체(W)의 건조처리에 있어서, 상기 피건조매체(W)의 건조촉진을 도모하는 데에 있어서 중요하다. 즉, 피건조매체(W)의 표면에 부착하는 부착수와 유기용제의 증기와의 혼합치환이 이루어지기 전에, 피건조매체(W)의 표면을 적당한 가열온도까지 가열하는 가열처리를 게을리 하면, 부착수와 유기용제의 증기와의 혼합치환이 유효하게 이루어질 수 없으며, 용기(1) 내의 감압에 의한 피건조매체(W)의 표면건조시에 그 표면에 조금 남아 있는 부착수와 유기용제의 증기와의 혼합물이 상기 표면에서 신속하게 제거되지 않게 되고, 그만큼 건조시간이 오래 걸리는 등의 결과를 초래하기 때문이다. 따라서, 본 발명에서는 피건조매체(W)의 건조촉진을 도모하는 해당 피건조매체(W)의 가열처리온도를 고려하여 따뜻한 순수가 낮은 쪽의 수온을 30℃에 설정한 것이다. 한편, 피건조매체(W)의 건조촉진을 도모하기 위해서 따뜻한 순수의 수온을 지나치게 높게 할 경우에는 온도차에 의해 실시되는 피건조매체(W)의 표면의 부착수와 유기용제의 증기와의 혼합치환 작용이 일어나지 않게 된다. 즉, 유기용제의 증기는 그 비점보다도 낮은 피건조매체(W)의 표면온도와의 온도차에 의해 해당표면에서 응축하여, 부착수와의 혼합치환이 이루어지는 것이지만, 피건조매체(W)의 표면온도가 증기의 비점부근까지 상승해버리면, 상기 표면에서의 상기 응축이 일어나기 어렵게 되고, 유기용제의 증기를 이용한 본래의 증기건조효과가 저하하여, 그만큼 건조시간이 오래 걸리는 등의 결과를 초래하기 때문이다. 따라서, 본 발명에서는 따뜻한 순수가 높은 쪽의 수온을 대기압에서의 유기용제의 비점보다도 낮은 65℃로 설정한 것이다.
그래서, 본 발명은 이렇게 따뜻한 순수의 수온이 너무 낮거나, 너무 높은 것에 의해 야기된는 전술한 불편함을 고려하여, 또한 따뜻한 순수를 용기(l)의 밑바닥부측에서 흡인배출 하는 공정에서, 상기 흡인배출에 따라 강하하는 따뜻한 순수의 수면(L)에 형성되어 있는 혼합액층(N), 예를 들면 표면장력이 지극히 작은 IPA(이소프로필알콜)용제 등으로 이루어지는 유기용제의 증기응축에 의해 따뜻한 순수의 수면(L)에 형성되어 있는 혼합액층(N)에서 노출되는 피건조매체(W)의 주위로 유기용제를 재증기화시키는 이 재증기화현상이 반복연속적으로 실시되는 조건을 용기(l) 내에 성립시키기 위해서, 따뜻한 순수의 공급시의 수온을 30℃로 설정한 경우에는 용기(1) 내의 설정감압도(P)를 -350㎜Hg로 설정한다. 즉, 따뜻한 순수의 수온을 30℃로 설정한 경우에는, 설정감압도(P)가 -350㎜Hg을 넘으면, 따뜻한 순수의 수온이 비점부근까지 달하여 따뜻한 순수 중에 거품이 발생하는 등의 불편함을 야기할 우려가 있기 때문이다. 즉, 발생한 거품이 수면(L)으로 부상하여, 상기 수면(L)에 형성되는 혼합액층(N)이 파괴되어, 상기 혼합액층(N)에 발생하는 액류에 의하여 피건조매체(W)의 표면에서 부착수를 제거하는 액류작용이 뒤떨어지고, 혼합액층(N)에 발생하는 액류작용에 의한 피건조효과가 얻어질 우려가 있기 때문이다. 한편, 따뜻한 순수의 공급시의 수온을 65℃로 설정한 경우에는 용기(1) 내의 설정감압도(P)를 -50㎜Hg로 설정한다. 즉, 따뜻한 순수의 수온을 65℃로 설정한 경우, 설정감압도(P)가 150㎜Hg보다도 낮게 되면, 따뜻한 순수를 용기(1)의 밑바닥부측에서 흡인배출하는 공정에서, 혼합액층(N)으로부터의 유기용제의 효과적인 재증기화를 얻을 수 없게 되기 때문이다.
또한, 전술한 따뜻한 순수의 수온조건, 및 용기(1)의 설정감압조건에 있어서, 피건조촉진을 도모하는 상기 피건조매체(W)의 가열을 무시하여, 가령, 따뜻한 순수의 수온을 30℃ 이하의 예를 들면 25℃로 설정하여, 용기(1) 내의 설정감압도를 -350㎜Hg을 넘는 예를 들면 -400㎜Hg으로 설정한 경우에는 전술한 유기용제의 재증기화 현상이 연속적으로 실시되는 조건을 용기(1) 내에 성립시키도록 하는 것도 생각할 수 있지만, 이렇게 설정감압도를 -400㎜g까지 올리면, 감압에 대한 용기(1)의 내압강도의 향상이 더욱 요구되게 되어, 상기 내압강도를 만족시키기 위한 용기(1)를 제작하기 위해서는 제작비용이 오르는 것을 초래하거나, 용기(1) 내를 -400㎜Hg까지 감압하기로 하면, 그만큼 대형 흡인펌프가 필요해지는 등의 불편함을 초래하는 결과가 된다. 또한, 따뜻한 순수의 수온을 65℃ 이상으로 설정하면,전술한 유기용제의 증기에 의한 증기건조효과가 저하되는 불편함에 더하여 피건조매체(W)를 지나치게 가열하여 열에 의해 피건조매체(W)의 품질 저하를 초래하는 악영향을 주는 등의 불편함을 야기할 우려도 있다.
따라서, 본 발명에서는 따뜻한 순수의 수온이 너무 낮거나, 너무 높은 것에 의해 야기되는 전술한 불편함, 그리고 용기(1) 내에 설정감압도(P)를 올리는 것에 의해 야기되는 전술한 불편함 등의 사정을 배려하여, 또한 따뜻한 순수를 용기(1)의 밑바닥부측에서 흡인배출하는 공정에서, 수면(L)의 혼합액층(N)에서 유기용제를, 노출되는 피건조매체(W)의 주위로 재증기화시키는 이 재증기화 현상이 연속적으로 실시되는 조건을 용기(1) 내에 성립시킬 필요가 있다는 점 등으로부터, 따뜻한 순수의 수온을 30∼65℃의 범위내로 설정한 경우, 용기(1) 내의 설정감압도(P)를 -350∼50㎜Hg의 범위내로 설정하는 것이 필요 불가결의 조건이 된다. 바람직하게는 따뜻한 순수의 수온을 40∼50℃의 범위내로 설정한 경우, 용기(1) 내의 설정감압도(P)를 -300∼-150㎜Hg의 범위 내이고, 실험의 결과 특히 바람직하게는 따뜻한 순수의 수온을 45℃로 설정한 경우에는 용기(1) 내의 설정감압도(P)는 - 240㎜Hg이다.
다음으로, 이상과 같이 구성한 처리장치에 의한 처리방법(이하, 본 방식이라고 한다)을 도 8 및 도 10에 나타낸 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리에 있어서의 처리동작의 플로우 챠트 및 타임 챠트, 그리고 도 9에 나타낸 건조처리시에 있어서의 용기(1) 내의 감압도(P1)의 제어관리하는 플로우 챠트를 참조하면서 설명한다. 우선 처음에 다수개의 피건조매체(W)가 개구하는 상부 개구로부터 용기(1)내에 적당한 간격을 두고 수직병렬상으로 반입수용된다(단계 30). 피건조매체(W)가 용기(1) 내에 반입수용되어, 용기(1)의 상부 개구가 밀폐뚜껑(21)에 의해 밀폐되면, 가스공급수단(15)의 가스밸브(16)가 열려 가스공급유로(17)를 통해서 가스도입구(15-1)로부터 용기(l) 내로의 불활성가스의 공급이 개시한다(단계31). 이 때, 배출밸브(8,9)의 어느 한편 또는 양쪽이 열려 용기(1) 내의 흡인배기가 평행하여 실시된다.
용기(1) 내에 불활성가스의 가스분위기가 만들어지면, 화학용액밸브(3)가 열려서 급수유로(6)를 통해서 밑바닥부의 급수구(2-1)로부터 용기(1) 내로 화학용액세척에 있어서의 각 처리단계에 따른 여러 종류의 화학용액이 소정 시간을 두고 단계적으로 또한 연속적으로 공급되어, 용기(1) 내에는 적당한 간격으로 수직으로 병렬되는 각 피건조매체(W)의 표면에 접촉하면서 흐르는 화학용액의 상승수류가 형성되고, 상기 피건조매체(W)의 화학용액세척(화학처리)이 실시된다. 화학용액세척이 종료하여, 화학용액밸브(3)가 닫히면, 다음으로 순수밸브(4)가 열려 급수유로(6)를 통해서 밑바닥부의 급수구(2-1)로부터 용기(1) 내로 순수가 연속적으로 공급되고, 용기(1) 내에는 각 피건조매체(W)의 표면에 접촉하면서 흐르는 순수의 상승수류가 형성되어, 상기 건조매체(W)의 최종 물세척 처리(린스처리)가 실시되는 것으로, 화학용액, 순수에 의한 일련의 세척처리가 종료한다(스텝 32). 이 때, 배출밸브(9)는 열려 있고, 배출유로(11)를 통해서 여분의 화학용액, 순수는 오버플로우물이 되어 배출구(7-1)로부터 용기(1) 밖으로 흡인배출된다.
화학용액세척부터 최종 물세척 처리까지의 일련의 세척처리가 종료하여, 순수밸브(4)가 닫혀지고 용기(1) 내로의 순수의 공급이 정지하면, 다음으로 따뜻한 순수밸브(5)가 열려 급수유로(6)를 통해서 밑바닥부의 급수구(2-1)로부터 용기(1) 내로 수온이 45℃인 따뜻한 순수가 연속적으로 공급되어, 용기(1) 내에는 피건조매체(W)의 표면에 접촉하면서 흐르는 따뜻한 순수의 상승수류가 형성되어, 상기 피건조매체(W)의 표면이 45℃ 부근의 온도까지 가열되는 피건조매체(W)의 가열처리가 실시된다(단계 33). 이 때, 배출밸브(9)는 상기 세척처리가 종료한 후도 계속하여 열려, 따뜻한 순수의 공급에 의해 용기(1) 내의 순수는 배출유로(11)를 통과시켜서 배출구(12-1)로부터 용기(1) 밖으로 흡인배출되는 것으로, 용기(1) 내는 따뜻한 순수에 치환됨과 동시에, 여분의 따뜻한 순수는 오버플로우물이 되어 용기(1) 밖으로 흡인배출된다.
45℃의 따뜻한 순수의 열에너지에 의한 피건조매체(W)의 가열처리가 종료하여, 따뜻한 순수밸브(5)가 닫히고 용기(1) 내로의 따뜻한 순수의 공급이 정지하면, 다음으로 용제공급수단(12)의 용제밸브(13)가 열려 따뜻한 순수의 수면(L)에서 그 상부측에 확보되어 있는 용기(1) 내의 상부공간(20)에 증기발생 유니트(25)에서 증기화된 유기용제의 증기가 용제공급유로(14)를 통해서 증기도입구(12-1)로부터 공급된다(단계 34). 이 유기용제의 공급은 상부공간(20)이 증기로 채워질 때까지 실시되어, 상기 상부공간에 증기분위기가 만들어진 시점에서 용제밸브(13)는 닫혀서 공급이 정지된다. 이 때, 배출밸브(9)는 세척처리시부터 계속하여 열려, 유기용제의 증기가 상부 공간(20)으로 공급되고 있는 동안에 상기 상부 공간(20)의 흡인배기가 평행하여 실시되어, 상기 상부 공간(20)은 적당히 감압된다.
용기(1) 내의 상부공간(20)에 유기용제의 증기분위기가 만들어지고, 용제밸브(13)가 닫히고 상부 공간(20)으로의 유기용제의 공급이 정지하면, 다음으로 배출밸브(8)를 열어 용기(1) 내의 따뜻한 순수가 배출통로(10)를 통해서 밑바닥부의 급수구(2-1)로부터 용기(1) 밖으로 소요 배출속도로 흡인배출되는 따뜻한 순수의 흡인배출이 개시함(단계 35)과 함께, 그와 동시에 검출수단(18)에 의해 따뜻한 순수의 흡인배출에 따른 용기(1) 내의 현재의 감압도(P1)가 검출되어, 그 압력정보는 제어수단(19)의 제어부(19-1)에 차례로 출력된다(단계 36). 압력정보가 제어부(19-1)에 출력되면, 제어부(19-1)의 처리부(19-10)는 용기(1) 내의 현재의 감압도(P1)와 용기(1) 내의 -240㎜HG로 설정되어 있는 설정감압도(P)와의 비교처리를 실시한다(단계 37). 현재의 감압도(P1)가 설정감압도(P)보다도 낮다고 처리판단(P>P1)하면, 피건조매체(W)의 세척처리부터 계속하고 있는 용기(1) 내로의 불활성가스의 공급량을 현재의 공급량보다도 적도고 가스밸브(16) 개방도를 작게 하는 취지의 처리신호를 증폭기(19-11)를 통해 상기 가스밸브(16)에 출력한다(단계 38). 한편, 현재의 감압도(P1)가 설정감압도(P)보다도 높다고 처리판단(PくP1)한 경우에는, 용기(1) 내로의 불활성가스의 공급량을 현재의 공급량보다도 많도록 가스밸브(16)의 개방도를 크게 하는 취지의 처리신호를 증폭기(19-11)를 통해 상기 가스밸브(16)에 출력한다(단계 39). 이 감압도(P1)의0 제어관리는 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료할때까지 실시된다.
용기(1) 내의 따뜻한 순수가 모두 흡인배출되어, 배출통로(10)를 통해서 계속하는 용기(1) 내의 흡인배기에 의해 상기 용기(1) 내는 감압되어, 상기 용기(1) 내에 남는 유기용제, 용제와의 혼합액, 습기 등은 모두 용기(1) 밖으로 배기되는 피건조매체(W)의 건조처리가 이루어진다(단계 40). 마지막으로, 계속되는 불활성가스의 용기 내(1)로의 공급량을 많게 하여, 상기 용기(1) 내를 대기압으로 복귀시킨다(단계 41), 밀폐뚜껑(21)을 열고 피건조매체(W)를 용기(l) 내에서 반출하는(단계 42) 것으로, 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리가 종료된다. 마지막에 가스밸브(16), 배출밸브(8)를 닫는다.
그렇게 하여, 이러한 실시예에서의 본 방식에 의하면, 화학용액에 의한 화학용액세척, 순수에 의한 최종 물세척 처리의 일련의 세척처리가 종료한 용기(1) 내의 피건조매체(W)의 표면이 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 45℃ 부근의 온도까지 가열되는 가열처리가 종료하여, 그리고, 피건조매체(W)를 몰입형상으로 침지하는 따뜻한 순수의 수면(L)에서 그 상부측에 확보되어 있는 상부 공간(20)에 유기용제의 증기를 공급한 후에 개시하는 건조처리시에 있어서의 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안에, 용기(1) 내의 감압도(P1)는 일정한 설정감압도(P)로 유지된다. 즉, 수면(L)의 혼합액층(N)에서 유기용제를, 상기 혼합액층(N)에서 노출되는 피건조매체(W)의 주위로 재증기화시키는 이 재증기화 현상이 반복연속적으로 실시되는 조건을 용기(l) 내에 성립시킬 수 있다.
따라서, 따뜻한 순수를 흡인배출하는 공정에서, 수면(L) 강하에 따라 피건조매체(W)의 표면에 접촉하면서 강하후퇴하는 상기 수면(L)에 형성되어 있는 혼합액층(N)에서의 유기용제의 재증기화 이용이 가능해지므로 종래 방식에 비하여 처리사이클마다의 유기용제의 사용량을 대폭 삭감할 수가 있다. 또한, 용기(1)내의 상부 공간 (20)에 공급된 유기용제의 증기는 용기(1) 내의 -240㎜HG의 설정감압도(P)로 유지되고 있는 감압분위기와 45℃의 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 그 증기화가 유지되고, 따뜻한 순수의 수면강하에 의해 상기 수면에서 노출되는 피건조매체(W)의 표면에 접촉하여, 상기 표면과의 온도차에 의해 상기 표면에서 응축하여 부착수와의 혼합치환이 이루어지고, 부착수는 유기용제와의 혼합액(N-1)과 함께 피건조매체(W)의 표면을 전해져 따뜻한 순수의 수면(L)을 향하여 적하된다. 그것에 의하여, 따뜻한 순수의 수면(L)에 형성되어 있는 혼합액층(N)의 유기용제의 혼합농도는 혼합액(N-1)이 계속적으로 적하보충되는 것으로, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 일정히 유지되기 때문에 유기용제의 혼합농도분포에 의해서 혼합액층(N)에 발생하는 피건조매체(W)의 표면에서 따뜻한 순수의 수면을 향한 안정 또한 효과적인 액류작용에 의해 부착수는 피건조매체(W)의 표면에서 확실 또한 신속하게 제거된다(도 3 참조).
즉, 본 방식에 의하면, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안에, 피건조매체(W)는 부착수의 유기용제와의 치환작용과 피건조매체(W)의 표면에서 따뜻한 순수의 수면(L)을 향한 혼합액층(N)에 발생하는 액류작용과의 2작용에 의해서 확실 또한 신속하게 건조처리된다. 그리고, 용기(1) 내의 설정감압도(P)로 유지되고있는감압분위기와 따뜻한 순수의 열에너지에 의해, 따뜻한 순수의 흡인배출에 따른 수면(L) 강하에 따라서 노출되는 피건조매체(W)의 표면에 접촉하면서 강하후퇴하는 혼합액층(N)에서 유기용제가, 노출되는 피건조매체(W)의 주위로 재증기화되고 그 표면에서의 응축이 반복연속적으로 실시되어 부착수와의 혼합치환이 이루어지고, 부착수는 유기용제와의 혼합액(N-1)과 같이 피건조매체(W)의 표면을 따라 이동하여 따뜻한 순수의 수면(L)을 향하여 적하된다. 즉, 유기용제와의 혼합액(N-1)이 따뜻한 순수의 흡인배출에 따라 강하하는 수면(L)의 혼합액층(N)에 계속적으로 적하보충되는 것으로, 상기 혼합액층(N)에 발생하는 유기용제의 혼합농도분포에 의한 피건조매체(W)의 표면에서 따뜻한 순수의 수면에 향한 액류작용을 확실하게 발생시키면서 피건조매체(W)의 표면에서 부착수를, 전술한 치환작용과 혼합액층(N)에 발생하는 액류작용과의 두가지 작용에 의해서 효과적으로 제거할 수 있게 된다.
도 11 내지 도 12는, 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리에 있어서의 본 발명의 처리방법의 다른 실시예를 나타낸 플로우 챠트 및 타임 챠트이고, 이러한 실시예에 있어서는 불활성가스의 용기(l) 내로의 공급시기를 바꾼 것이고, 불활성가스의 용기(1) 내로의 공급시기를 바꾼 것 이외에는 전술한 실시예와 기본적으로 같다.
간단히 설명하면, 다수개의 피건조매체(W)가 개구하는 상부 개구로부터 용기(1) 내로 반입수용되고(단계 43), 상기 상부 개구가 밀폐뚜껑(21)에 의해 밀폐되거나 또는 밀폐되지 않은 상태로, 화학용액밸브(3)가 열려 용기(1) 내로 화학용액을 연속적으로 공급하여 피건조매체(W)의 화학용액세척(화학처리)을 한다. 다음으로 순수밸브(4)가 열려 용기(1) 내로 순수를 연속적으로 공급하여 피건조매체(W)의 최종 물세척 처리(린스처리)까지의 일련의 세척처리를 한다(단계 44). 다음으로 따뜻한 순수밸브(5)가 열려 용기(1) 내로 수온 45℃의 따뜻한 순수가 연속적으로 공급되어 피건조매체(W)의 표면을 45℃부근의 온도까지 가열하는 피건조매체(W)의 가열처리를 실시한다(단계 45). 다음으로 용제밸브(13)가 열려 따뜻한 순수의 수면(L)에서 그 상부측에 확보되어 있는 용기(1) 내의 상부 공간(20)으로 유기용제의 증기를 공급한다(단계 46). 다음으로 배출밸브(8)를 열어 용기(1) 내의 따뜻한 순수를 밑바닥부의 급수구(2-1)로부터 용기(1) 밖으로 소요 배수속도로 흡인배출하는 따뜻한 순수의 흡인배출을 개시함과 함께, 그것과 동시에 가스밸브(16)를 열어 용기(1) 내로의 불활성가스의 공급을 개시한다(단계 47). 이후는 전술한 실시예의 도 9의 플로우 챠트에서 상술한 단계 36부터 단계 39와 같이, 단계 48부터 단계 51에 이르는 단계, 그리고 도 8의 플로우 챠트에서 상술한 단계 40부터 단계 42와 같이, 단계 52로부터 단계 54에 이르는 단계에서 실행되고 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리가 실시되도록 하여 이루어진다.
도 13은, 용기(1-1)의 구성형태를 바꾼 다른 실시예를 나타내고, 이러한 실시예서는 내외이중구조로 구성하여 이루어지는 것이고, 내외이중구조로 한 구성이외의 구성부분에 있어서는 전술한 실시예와 기본적으로 같은 것이므로, 같은 구성부분에 같은 부호를 이용하는 것으로 그 상세한 설명을 생략한다.
그러나, 이러한 실시예서의 용기(1-1)는, 다수개의 피건조매체(M)를 수직상태로 소정 간격을 두고 병렬적으로 지지수용할 수 있는 정도의 크기(개구형상)로,또한 피건조매체(M)를 몰입형상으로 침지할 수 있을 정도의 깊이를 갖는 상부를 개구시킨 바닥이 있는 상자 형태를 보이는 처리조(1-10)와, 2의 처리조(l-10)의 개구 상부측 및 그 처리조 벽 외주에 소정 공간을 두어 상기 처리조(1-10)를 밀폐형상으로 자유롭게 위치할 수 있을 정도의 크기로 상부를 개구시킨 바닥을 가진 상자 형태를 보이고, 상부 개구에 개폐뚜껑(21-1)을 개폐자재로 갖추는 밀폐조(1-11)와의 내외이중구조로 구성하여, 처리조(1-10)의 밑바닥부측에 전술한 실시예의 급수수단(2)의 급수관로(6)를 접속하는 한편, 이 급수유로(6)의 도중 부위와 밀폐조(1-11)의 밑바닥부측에 배출수단(7)의 배출유로(10,11)를 각각 접속함과 함께, 상기 밀폐조(1-11)의 상부측에는 용제공급수단(12)의 용제공급유로(14)와 가스공급수단(15)의 가스공급유로(17)를 각각 접속해서 구성하여 이루어진다.
그렇게 하여, 이러한 내외이중구조의 용기(1-1)에 의하면, 피건조매체(W)의 세척처리시에 있어서의 화학용액, 순수의 처리조(1-10) 내로의 연속적인 공급에 따른 여분의 화학용액, 순수, 그리고 피건조매체(W)의 가열처리시에 있어서의 따뜻한 순수의 처리조(1-10) 내로의 연속적인 공급에 따른 여분의 따뜻한 순수는 오버플로우물이 되어 처리조(11-0)의 상부 개구로부터 밀폐조(1-11)쪽에 흘러, 상기 밀폐조(1-11)의 배출유로(11)가 접속하는 밑바닥부의 배출구(7-1)로부터 용기(1-1) 밖으로 흡인배출되는 것이다. 그리고, 처리조(1-10)의 상부에 확보되는 상부 공간(20-1) 및 상기 처리조(1-10)와 밀폐조(1-11)와의 사이의 주위 공간(20-2)에 유기용제의 증기가 공급되어, 상기 상부 공간(20-1) 및 주위 공간(20-2)에 유기용제의 증기분위기가 만들어지고, 용제밸브(13)가 닫혀진 후에 개시하는 따뜻한 순수의 흡인배출시에는 급수유로(6)에 접속되어 있는 배출통로(10)를 통해서 처리조(1-10) 밑바닥부의 급수구(2-l)에서 용기(1-1) 밖으로 소요 배출속도로 흡인배출되는 것이다.
또한, 이러한 내외이중구조의 용기(1-1)를 이용한 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리에서의 동작은 전술한 실시예의 도 8에 나타낸 플로우 챠트 및 도 10에 나타낸 타임 챠트, 그리고 도 9에 나타낸 건조처리시에 있어서의 밀폐조(1-11)의 감압(P1)의 제어관리하는 플로우 챠트에 따라서 전술한 실시예와 같이 실행, 혹은 도 11에 나타낸 플로우 챠트 및 도 12에 나타낸 타임 챠트, 그리고 도 9에 나타낸 건조처리시에 있어서의 밀폐조(1-11) 내의 감압도(P1)를 제어관리하는 플로우 챠트에 따라 전술한 실시예와 같이 실행되고 피건조매체(W)의 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리가 실시되는 것이다.
또한, 전술한 실시예에 있어서는 유기용제로서 IPA(이소프로필알콜)용제를 이용하였지만, 알콜류로서 이 이소프로필알콜의 그 외에 메틸알콜, 에틸알콜 등을 들 수 있다. 그리고, 알콜류 이외로, 알콜류와 같이 수용성이고 또한 피건조매체에 대한 부착수의 표면장력을 저하시키는 작용을 갖는 아세톤, 디에틸케톤 등의 케톤류, 또한 에틸에테르, 모노메틸에테르 등의 에테르류, 에틸렌글리콜 등의 다가알콜 등을 들 수 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 구성하여 이루어지기 때문에, 하기의 작용을 발휘한다.
① 화학용액세척부터 물세척처리까지의 일련의 세척처리가 종료한 후에 용기 내에 피건조매체가 몰입형상으로 침지하는 수위까지 수온이 30∼65℃ 범위인 따뜻한 순수를 공급하여, 상기 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 피건조매체를 30∼65℃ 부근의 소요 온도까지 가열시키는 가열처리가 종료한 후에, 따뜻한 순수의 수면에서 그 상부측에 확보되어 있는 상부공간에 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급하여, 상기 유기용제의 공급을 정지시킨 후에 개시하는 따뜻한 순수를 용기의 밑바닥부측에서 흡인배출하는 공정에서, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 용기 내의 상부 공간에 공급된 유기용제의 증기화 또는 수증기화가 유지되고, 또한 따뜻한 순수의 수면에 형성되어 있는 혼합액층으로부터 유기용제를, 노출되는 피건조매체의 주위로 재증기화시키는 이 재증기화 현상이 반복연속적으로 실시되는 조건을 용기 내에 성립시키도록 상기 용기내의 감압도를 -350∼50㎜Hg 범위의 설정감압도(P)로 유지되도록 한 것에 의해, 수면의 혼합액층으로부터 유기용제를 반복연속적으로 따뜻한 순수의 수면강하에 의해 노출되는 피건조매체의 주위에 재증기화시키면서 그 표면에 접촉시켜서, 상기 표면과의 온도차에 의해 상기 표면에서 응축시켜서 부착수와 혼합치환시킬 수 있다. 따라서, 유기용제의 재증기화 이용이 가능해지므로 종래 방식에 비교하여 처리사이클마다 유기용제의 사용량을 대폭 삭감할 수 있다.
② 용기 내의 상부 공간에 공급된 유기용제의 증기는 용기 내의 -350∼50㎜Hg 범위의 설정감압도(P)로 유지되어 있는 감압분위기와 30∼65℃ 범위의 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 그 증기화가 유지되고, 따뜻한 순수의 수면강하에 의해 상기 수면에서 노출되는 피건조매체의 표면에 접촉하여, 상기 표면과의 온도차에 의해 상기 표면에서 응축하여 부착수와의 혼합치환이 이루어짐과 함께, 따뜻한 순수의 수면의 혼합액층에는 혼합액이 계속적으로 적하보충되어, 이 혼합액층에 유기용제의 혼합농도분포에 의해서 발생하는 피건조매체의 표면에서 따뜻한 순수의 수면에 향한 액류에 의해서 부착수는 피건조매체의 표면에서 확실하고 또한 신속하게 제거된다. 즉, 피건조매체를 유기용제와의 혼합치환에 의한 치환작용과 피건조매체의 표면에서 따뜻한 순수의 수면을 향하여 부착수를 이끄는 혼합액층에 발생하는 액류작용과의 두가지 작용에 의해서 효율적으로 건조처리할 수가 있다.
③ 용기 내의 상부 공간에 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급하는 공정에서, 용기 내를 흡인배기함으로써 상기 용기 내의 상부공간에 유기용제의 증기 또는 수증기가 원활하게 도입되어, 상기 상부 공간은 단시간으로 유기용제에 의해 채워진 용제분위기화된다. 그것에 의하여, 이후의 처리공정도 원활하게 이행할 수 있다. 또한, 흡인배기에 의해 용기 내는 적당 감압되는 것에서, 대기압(상압)에 있어서의 비점보다도 낮은 온도로 유기용제는 증기화된다. 그것에 의하여, 상부 공간에 상압에 비하여 낮은 온도로 용제(증기)분위기를 만들어 낼 수 있는 점에서, 안전성면에서도 유리해진다.
따라서, 본 발명에 의하면, 유기용제를 이용한 피건조매체의 증기건조처리에 있어서, 건조촉진을 도모할 수 있음과 함께, 건조처리기(1사이클처리마다)의 유기용제의 사용량을 대폭 삭감할 수가 있는 점에서, 비용절감이 도모되어, 비용적으로유리한 처리방법 및 처리장치가 된다. 그밖에도, 피건조매체를 유기용제와의 혼합치환에 의한 치환작용과 피건조매체의 표면에서 따뜻한 순수의 수면을 향하여 부착수를 이끄는 혼합액층에 발생하는 액류작용의 두 가지 작용에 의해서 효율적이고 또한 고정밀도의 건조처리가 가능해져서, 처리시간의 단축을 기대할 수 있음과 함께, 보다 우수한 건조효과를 기대할 수 있는 등의 획기적인 처리방법 및 처리장치가 된다.

Claims (14)

  1. 밀폐된 용기 내에서, 피건조매체의 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리를 실시하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법에 있어서, 다수개의 피건조매체가 상기 용기 내에 수직병렬상으로 반입수용되고, 세척처리에 있어서의 물세척처리가 실시된 후에, 상기 용기 내에 따뜻한 순수를 공급하는 공정과, 상기 용기 내의 적어도 상기 따뜻한 순수의 수면에서 그 상부측에 확보되어 있는 상부 공간에 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급하는 공정과, 상기 유기용제의 공급을 정지시킨 후에, 상기 따뜻한 순수를 용기의 밑바닥부측에서 흡인배출하면서 또한 그 상부측에서 불활성가스를 연속적으로 공급하는 공정과, 상기 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료된 후에, 계속하는 상기 흡인에 의해 용기 내를 흡인감압하고, 피건조매체를 건조하는 공정을 포함하고, 적어도 따뜻한 순수를 용기의 밑바닥부측에서 흡인배출하는 공정에 있어서, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 용기 내의 감압도가 설정감압도로 유지되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 유기용제를 용기 안으로 공급하는 공정에 있어서, 용기 내를 흡인배기하면서 실시함과 함께, 상부 공간이 유기용제에 의해 채워진 시점에서 상기 유기용제의 공급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 따뜻한 순수를 용기 내로 공급할 때의 그 수온이 30∼65℃의 범위이고, 따뜻한 순수를 용기 밖으로 흡인배출하는 그 흡인배출이 종료하는 동안에 용기 내의 설정감압도가 -350∼-50㎜Hg의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  4. 제1항에 있어서, 용기 내의 감압도가, 불활성가스의 공급속도 또는 따뜻한 순수의 배출속도의 가변에 의한 유량제어에 의해 유지되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  5. 제1항에 있어서, 용기 내의 감압도가, 불활성가스의 공급속도와 따뜻한 순수의 배출속도를 일정하게 유지하는 유량제어에 의해 유지되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  6. 제1항에 있어서, 적어도 용기의 상부 공간에 공급된 유기용제의 증기 또는 수증기가, 따뜻한 순수의 수면에서 응축하여 상기 수면에 혼합액층을 형성하는 한편으로, 따뜻한 순수의 흡인배출에 따르는 수면강하에 따라 노출되는 피건조매체의 표면에서 응축하여 상기 부착수와의 혼합치환됨과 함께, 용기 내의 일정하게 유지된 설정감압도와 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 상기 혼합액층으로부터 유기용제가 재증기화되어, 이 유기용제의 증기는 노출되는 피건조매체의 주위로 부상하면서 상기 피건조매체의 표면에서의 상기 응축이 반복연속적으로 실시되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  7. 밀폐된 용기 내에서, 피건조매체의 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리를 실시하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법에 있어서, 다수개의 피건조매체가 상기 용기 내에 수직병렬상으로 반입수용되어, 상기 용기 내로 세척처리부터 건조처리에 이르는 각 처리단계에서 적어도 건조처리가 종료할 때까지 연속하는 불활성가스의 공급을 개시시킨 상태에서 세척처리에 있어서의 물세척처리가 실시된 후에, 상기 용기 내에 따뜻한 순수를 공급하는 공정과, 상기 용기 내의 적어도 피건조매체가 몰입형상으로 침지하는 상기 따뜻한 순수의 수면으로부터 그 상부측에 확보되어 있는 상부 공간에 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급하는 공정과, 상기 유기용제의 공급을 정지시킨 후에, 상기 따뜻한 순수를 용기의 밑바닥측부터 흡인배출하는 공정과, 상기 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료한 후에, 계속하는 상기 흡인에 의해 용기 내를 흡인감압하고, 피건조매체를 건조하는 공정을 포함하고, 적어도 따뜻한 순수를 용기의 밑바닥부측으로부터 흡인배출하는 공정에 있어서, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 용기 내의 감압도가 설정감압도로 유지되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  8. 제7항에 있어서, 유기용제를 용기 내로 공급하는 공정에 있어서, 용기 내를 흡인배기하면서 실시함과 함께, 상부 공간이 유기용제에 의해 채워진 시점에서 상기 유기용제의 공급을 정지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  9. 제7항에 있어서, 따뜻한 순수를 용기 내로 공급할 때의 그 수온이 30∼65℃의 범위이고, 따뜻한 순수를 용기 밖으로 흡인배출하는 그 흡인배출이 종료하는 동안에 용기 내의 설정감압도가 -350∼-50㎜Hg의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  10. 제7항에 있어서, 용기 내의 감압도가, 불활성가스의 공급속도 또는 따뜻한 순수의 배출속도의 가변에 의한 유량제어에 의해 유지되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리방법.
  11. 제7항에 있어서, 용기 내의 감압도가, 불활성가스의 공급속도와 따뜻한 순수의 배출속도를 일정하게 유지하는 유량제어에 의해 유지되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  12. 제7항에 있어서, 적어도 용기의 상부 공간에 공급된 유기용제의 증기 또는 수증기가, 따뜻한 순수의 수면에서 응축하여 상기 수면에 혼합액층을 형성하는 한편으로, 따뜻한 순수의 흡인배출에 따르는 수면강하에 따라 노출되는 피건조매체의 표면에서 응축하고 상기 표면의 부착수와의 혼합치환이 됨과 함께, 용기 내의 일정하게 유지된 설정감압도와 따뜻한 순수의 열에너지에 의해 상기 혼합액층으로부터유기용제가 재증기화되어, 이 유기용제의 증기는 노출되는 피건조매체의 주위로 부상하면서 상기 피건조매체의 표면에서의 상기 응축이 반복연속적으로 실시되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리방법.
  13. 밀폐된 용기 내에서, 피건조매체의 세척처리부터 건조처리까지의 일련의 처리를 실시하는 반도체 웨이퍼 등의 처리장치에 있어서, 적어도 다수개의 피건조매체를 병렬수직상에 반입수용할 수 있는 크기로 상부를 개구시킨 바닥이 있는 상자 형태를 유지하고, 상부 개구에 개폐가능한 밀폐뚜껑을 갖춘 용기와, 이 용기의 밑바닥부측에 접속되어, 세척처리에 있어서의 물세척처리가 종료한 후에, 상기 용기 내로 적어도 피건조매체가 몰입형상으로 침지하는 수위까지 따뜻한 순수를 공급하는 급수수단과, 적어도 이 급수수단과 상기 용기의 상부측에 또는 동 용기의 밑바닥측에 접속되어, 상기 용기 내로부터 따뜻한 순수를 흡인배출하는 배출수단과, 상기 용기의 상부측에 접속되어, 용기 내로 유기용제의 증기 또는 수증기를 공급하는 용제공급수단과, 상기 용기의 상부측에 접속되어, 상기 용기 내로 불활성가스를 공급하는 가스공급수단과, 상기 용기의 상부측에 구비되어, 용기 내의 감압도를 검출하는 검출수단과, 이 검출수단과 상기 배출수단 또는 가스공급수단과의 사이에 접속배치되어, 적어도 따뜻한 순수가 용기의 밑바닥부측에서 흡인배출되는 처리단계에 있어서, 따뜻한 순수의 흡인배출이 종료하는 동안, 용기 내의 감압도가 설정감압도로 유지되도록, 상기 검출수단에서 출력되는 현재의 감압도에 기초하여 상기 배출수단의 배출속도 또는 가스공급수단의 공급속도를 조절하는 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 따뜻한 순수를 용기 내로 공급할 때의 그 수온이 30∼65℃의 범위이고, 따뜻한 순수를 용기 밖으로 흡인배출하는 그 흡인배출이 종료하는 동안에 용기 내의 설정감압도가 -350∼-50㎜Hg의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등의 처리장치.
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Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3171807B2 (ja) 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
AU6327398A (en) * 1997-02-18 1998-09-08 Scp Global Technologies Multiple stage wet processing chamber
US6350322B1 (en) 1997-03-21 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6695926B1 (en) * 1997-07-09 2004-02-24 Ses Co., Ltd. Treatment method of semiconductor wafers and the like and treatment system for the same
US6799883B1 (en) * 1999-12-20 2004-10-05 Air Liquide America L.P. Method for continuously blending chemical solutions
US7871249B2 (en) * 1998-04-16 2011-01-18 Air Liquide Electronics U.S. Lp Systems and methods for managing fluids using a liquid ring pump
US20070119816A1 (en) * 1998-04-16 2007-05-31 Urquhart Karl J Systems and methods for reclaiming process fluids in a processing environment
US7980753B2 (en) 1998-04-16 2011-07-19 Air Liquide Electronics U.S. Lp Systems and methods for managing fluids in a processing environment using a liquid ring pump and reclamation system
US6090217A (en) 1998-12-09 2000-07-18 Kittle; Paul A. Surface treatment of semiconductor substrates
JP3448613B2 (ja) * 1999-06-29 2003-09-22 オメガセミコン電子株式会社 乾燥装置
DE19960241A1 (de) * 1999-12-14 2001-07-05 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
KR100592997B1 (ko) * 2000-01-17 2006-06-23 도호 카세이 가부시키가이샤 기판 건조방법 및 그 장치
US7364625B2 (en) * 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
KR100417040B1 (ko) * 2000-08-03 2004-02-05 삼성전자주식회사 웨이퍼를 건조시키기 위한 방법 및 이를 수행하기 위한웨이퍼 건조장치
AU2001288629A1 (en) * 2000-08-31 2002-03-13 Chemtrace, Inc. Cleaning of semiconductor process equipment chamber parts using organic solvents
JP3837016B2 (ja) * 2000-09-28 2006-10-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100386113B1 (ko) * 2001-02-13 2003-06-02 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 애싱방법
CN1310291C (zh) * 2001-04-10 2007-04-11 华邦电子股份有限公司 具有防止管壁堵塞功能的芯片洗净设备
KR100391225B1 (ko) * 2001-04-27 2003-07-12 주식회사 한택 반도체 기판의 표면처리 장치 및 방법
US7156927B2 (en) * 2002-04-03 2007-01-02 Fsi International, Inc. Transition flow treatment process and apparatus
JP4076365B2 (ja) * 2002-04-09 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体洗浄装置
JP3802446B2 (ja) * 2002-05-15 2006-07-26 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
JP2004241754A (ja) * 2002-07-16 2004-08-26 Chem Art Technol:Kk 基板処理方法及び基板処理装置
US8522801B2 (en) * 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US8316866B2 (en) * 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7799141B2 (en) * 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
US7737097B2 (en) * 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
DE10334562B4 (de) * 2003-07-29 2005-06-09 Erbe Elektromedizin Gmbh Chirurgisches Instrument
CN100442448C (zh) * 2003-08-07 2008-12-10 株式会社荏原制作所 基片处理装置
US8522799B2 (en) * 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US7416370B2 (en) * 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7862662B2 (en) * 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
US8083671B2 (en) * 2004-09-30 2011-12-27 Boston Scientific Scimed, Inc. Fluid delivery system for use with an endoscope
US20070109912A1 (en) * 2005-04-15 2007-05-17 Urquhart Karl J Liquid ring pumping and reclamation systems in a processing environment
SG154438A1 (en) * 2005-12-30 2009-08-28 Lam Res Corp Cleaning compound and method and system for using the cleaning compound
CN101033056B (zh) * 2006-03-08 2012-04-18 中美矽晶制品股份有限公司 气态往复式封存装置及方法
JP4542059B2 (ja) 2006-03-31 2010-09-08 日東電工株式会社 印刷装置および印刷方法
US8235580B2 (en) 2006-10-12 2012-08-07 Air Liquide Electronics U.S. Lp Reclaim function for semiconductor processing systems
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
US20080155852A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Olgado Donald J K Multiple substrate vapor drying systems and methods
US7897213B2 (en) * 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
JP4965358B2 (ja) * 2007-06-25 2012-07-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2007324610A (ja) * 2007-07-09 2007-12-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US8226775B2 (en) 2007-12-14 2012-07-24 Lam Research Corporation Methods for particle removal by single-phase and two-phase media
JP5835918B2 (ja) * 2011-03-24 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6371716B2 (ja) * 2014-04-01 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US20160296902A1 (en) 2016-06-17 2016-10-13 Air Liquide Electronics U.S. Lp Deterministic feedback blender
JP6640041B2 (ja) * 2016-06-27 2020-02-05 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び基板処理装置
KR101753166B1 (ko) * 2016-12-28 2017-07-03 (주) 디바이스이엔지 감압 건조장치 및 감압 건조방법
JP7040849B2 (ja) * 2017-09-15 2022-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置の制御方法
CN113851398A (zh) * 2021-09-17 2021-12-28 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆干燥装置、半导体清洗设备及晶圆干燥方法
CN114914176A (zh) * 2022-05-07 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆干燥方法以及半导体干燥设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984597B1 (en) * 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4795497A (en) * 1985-08-13 1989-01-03 Mcconnell Christopher F Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
US4977688A (en) * 1989-10-27 1990-12-18 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
EP0428784B1 (en) * 1989-11-23 1995-03-15 Cfm Technologies, Inc. Process for drying surfaces
US5275184A (en) * 1990-10-19 1994-01-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system
JPH071796Y2 (ja) * 1990-12-28 1995-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 浸漬型基板処理装置
JP3003016B2 (ja) * 1992-12-25 2000-01-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3347814B2 (ja) * 1993-05-17 2002-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
JP3126858B2 (ja) * 1993-10-29 2001-01-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理装置
JP2900788B2 (ja) * 1994-03-22 1999-06-02 信越半導体株式会社 枚葉式ウェーハ処理装置
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5752532A (en) * 1995-08-17 1998-05-19 Schwenkler; Robert S. Method for the precision cleaning and drying surfaces
US5714203A (en) * 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers

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