TW307909B - - Google Patents

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經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A 7 B7五、發明説明（1 ) [發明之背景] 本發明有闞於半導髁裝置，尤其有蘭於具有中空半導體 封裝之半導體裝置》其中半導熥晶Η被帽Μ式密封在多曆 接線基體之中空洞穴内。 圈9是斜視圈|用來表示傳統式之半導艚封裝，_1〇是 圖9所示之半導體封裝之剖面圈。在該等附圖中，#考號 碼1是半導體晶片，2是由鋁或金製成之線* 3是由PR4 ΒΤ 樹脂等製成之多層線基體，4是由鉛和錫製成之銲料球* 5 是由ΒΤ樹脂或陶瓷等製成之帽Μ * 6是用Μ密封該帽Μ5之 密封樹脂，7是由銅或網合金等製成之金屬板，8a是由陶 瓷製成小電容量積曆電容器，8b是大罨容量横層電容器， 和9是由鋁或銅等製成之熱散逸翅。 在傳統式之中空型半導體封裝中，有多個譯料球4被配 置在多層接線基體3之表面上形成陣列，半導體晶片1和用 K電連接半導體晶片1輿多曆接線基體3之嬢2被配置在多 層接線基體3之中心之中空洞穴内，然後利用帽蓋5密封該 半導體晶片1和線2等。另外一方面，在多曆接線基驩3之 表面之中央部位上形成有由鋦或綢合金等製成之金臛板7 ，用來散逸由半導髑晶片1產生之熱，和該金騸板7附接到 由鋁或網等製成之熱散逸翅9。 上述之積層電容器8a和8b是消除雜訊所必需的，用來保 證具有超過50MHz之半導臞晶片之高速。在傳統式之半導 體裝置中*該稹層電容器8a和8 b被安裝在上述之多曆接線 基體3之表面上，如匾10所示。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) > *-1 - ΐ - --- 1 訂 上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ297公釐:) 307909 A7 B7 五、發明説明（2 ) 一請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，如圖10所示，猶將小電容置檟曆爾容器，8a安裝 在多層接線基髓3之表面上時，該熱敗逸翅9必彌安裝在積 層電容器8a上，其缺點是會使半導髑裝置產生很大之厚度 。另外，當將大罨容最積層電容器81)安裝在多層接線基體 3之表面上時，該熱敗逸翅9必需被安裝成不會與大霄容量 積曆電容器8 b干播，因此該熱敗逸翅必彌製作成較小*其 缺點是會有半導艚晶片1之熱散逸翅無效和不足之間鼷。 另外，如圔10所示，當將大電容最積曆電容器8b安裝到多 層接線基體3之表面時，由於不利之外郤瓖境之彫響畲使 積層電容器8b從多曆接線基體3掉落。 [發明之概要] 因此，本發明之主要目的是提供一種半導騮裝置，其中 不會有傳統式裝置之上述缺點。 本發明之另一目的是提供一欐半導髑裝置，其中甚至於 將如同積層電容器之晶片組件安裝在其上時，其鯽厚度亦 可K變成很薄。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 本發明之另一目的是提供一種半導體装置，其中甚至於 當安裝如同積曆電容器之晶片組件時亦可Μ使用大體積之 熱散逸翅。 本發明更有另一目的是提供一棰半導體裝置，其中可以 不必擔心如同積層電容器之晶片姐件會從基材掉落。 Μ上述之觀點來看，本發明之半導體裝置包含有基體， 具有中空洞六用來將半導體元件安裝在其中，和在洞穴之 周邊具有下鈒表面用來將晶片組件安裝在其上。該半導體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0>:297公釐〉 一 5 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（3 ) 1 1 裝 置 亦 包 含 有 * 半 導 體 元 件 被 安 裝 在 該 澜 穴 内 9 和 晶 Η 1 1 組 件 9 被 安 裝 到 下 級 表 面 和 能 夠 與 半 導 體 元 件 合 作 〇 如 同 1 1 内 部 引 線 之 電 連 接 裝 置 被 配 置 在 :鑛 黼 用 來 m 連 接 該 洞 穴 内 請 先 1 1 之 該 半 導 體 和 該 下 鈒 表 面 上 之 晶 Η 組 件 使 其 與 外 部 電 路 閲 讀 背 ιέ 之 1 J 具 有 關 係 0 密 封 裝 置 被 附 接 到 該 基 體 用 來 密 封 該 洞 穴 内 之 1 注 1 該 半 導 體 元 件 和 該 下 級 表 面 上 該 晶 片 組 件 0 意 事 項 嗜 I 該 密 封 裝 置 包 含 有 附 接 到 該 基 體 之 帽 Μ 和 包 含 有 密 封 材 再 I 料 填 入 到 帽 蓋 和 基 體 之 間 之 空 間 用 來 密 封 m 洞 穴 和 用 來 寫 本 頁 裝 1 包 圍 在 該 下 级 表 面 上 之 該 晶 片 組 件 該 下 m 表 面 可 Μ 沿 著 ^' 1 1 該 洞 之 整 個 周 邊 延 伸 〇 該 帽 Μ 亦 可 Μ 包 括 有 個 突 出 部 1 1 銜 接 在 該 下 级 表 面 之 側 壁 或 是 該 下 级 表 面 可 Μ 包 括 有 側 1 1 訂 壁 具 有 突 出 部 銜 接 在 該 帽 蓋 之 周 邊 〇 該 半 導 體 裝 蕾 亦 可 Μ 1 更 包 含 有 附 接 到 該 半 導 體 元 件 之 散 熱 m 0 1 另 外 該 帽 蓋 亦 可 Μ 具 有 形 成 在 其 中 之 凹 □ 和 在 基 髑 1 1 之 中 空 洞 穴 之 用 以 將 該 晶 片 組 件 安 裝 在 其 上 之 該 下 級 表 面 jmet. 被 定 位 成 與 該 帽 蓋 之 凹 0 之 平 面 對 立 0 .1’ I 另 外 一 種 方 式 該 基 體 可 Μ 具 有 形 成 在 其 中 之 凹 陷 用 來 1 1 將 該 晶 片 安 裝 在 其 中 ， 被 定 位 成 不 親 該 帽 董 之 平 面 對 立 0 1 另 外 t 該 基 體 亦 可 以 具 有 形 成 在 其 中 之 凹 陷 用 來 將 該 晶 1 1 片 安 裝 在 其 中 1 位 η 該 基 jsm 體 之 該 中 空· 洞 穴 内 之 與 m 帽 蓋 之 1 I 平 面 對 立 之 位 置 〇 1 | 在 本 發 明 之 半 導 體 裝 中 » 該 晶 片 姐 件 可 K 使 用 積 層 罨 1 1 1 容 器 0 1 1 [附圖之簡要說B η ] 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨OX 297公釐） -6 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 307909 A7 B7 五、發明説明（4 ) 經由下面聯合附圓之對本發明之較佳具體例之詳细說明 當可對本發明更加瞭解，在附_中： _1是本發明之第一具體例之半導髓装置之斜視圖； 圈2是本發明之第一具體例之半導體裝置之剖面圓； 圖3是本發明之第二具體例之半導體装置之斜視圈； 圖4是本發明之第二具體例之半導體裝置之剖面圈； 圖5是本發明之第三具體例之半導體裝置之斜視圔； 圓6是本發明之第王具體例之半導體裝置之剖面_ : 圖7是本發明之第三具體例之用K說明凹陷之斜視鼷； 圖8是本發明之第四具體例之半導體裝置之剖面_ ; 圖9是傳統式設計之半導體裝置之斜視圔； 圖10是傳統式半導體裝置之半導髑裝置之剖面圓。 [較佳具體例之說明] 圖1是本發明之第一具髑例之半専髑裝置之斜視圖*圖2 是該第一具體例之半導艚裝置之剖面_。在該等附圖中， 參考號碼1是半導體晶Μ · 2是由鋁或金製成之線，3是由 FR4 ΒΤ樹脂製成之多曆接線基體，4是由鉛和錫製成之銲 料球，5是由ΒΤ樹脂或陶瓷製成之幡蓋· 5a是該帽Μ之突 出部位，6是包圃該帽Μ5和積曆電容器之密封樹脂，6a是 施加到帽蓋5之底表面之帽Μ樹脂，7是由_或綢合金等製 成之金靥板· 8b是由陶瓷製成之大電容量積靥電容器，和 9是由鋁或飼等製成之散熱器或熱敗逸翅。在該附鼷中， 參考號碼10是由如同金或鋦等之導電體所製成之地帶*其 構成包含有位於多層接線基體3内之電源層10a和地線層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297'公釐） ----ΊΤΓ-;---< 裝------訂--^---^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 __B7_ 五、發明説明（5 ) 10b之引線。該等地帶10被配置在下鈒表面12，該表面12 是基體13之表面其位置比基體3之頂面低，南者之距離對 應到基體3之厚度和帽蓋5下之結合劑0 a之厚度之總和。另 外，在該附圖中，#考號碼11是密封部位，Μ密封樹脂6 用來覆蓋多層接線基板3和帽蓋5。 在此具體例中，沒有突出部位5a之帽蓋5之外部周逢之 部位對應到本發明帽蓋5之「凹口」部位。另外，被充填 有上述之密封樹脂6之密封部位11，在基髓3之厚度方向， 與帽蓋5之「凹口」部位肜成對立之闞係。亦即*在此具 體例中，帽蓋5之形成是經由去除帽蓋5之部位，該部位在 基體之厚度方向，與用以安裝積層爾容器8b之區域形成對 立之闞係*將其定義為「凹口 f 。另外 > 在基體之厚度方 向，不與用Μ安裝積層霜容器8b之區域形成對立闞係之部 精 基 部oia 出5a在 突 Μ 接 之帽銜 口對其 凹來使 有用是 具被法 未5a方 為位其 成部 ’ 義出位 定突定 被等之 , 該確 時tTlll 5 進之 蘧空穴 帽洞涧 裝空空 安中中 當之之 〇 3 體 團 立 ϋ * 丨.1裝------訂-------—I i： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣隼局員工消費合作杜印製 安 在 中 例 體 具 此 在 ο » 面外 表另 壁 表 鈒 下 之 b 8 器 容 電 靥 積 有 地 有 設 之 3 艚 基 線 接 曆 多 從 由 時 11 1X 位 部 封 密 到 封 密 5 Μ 帽 將 當 ο ’ 成 11製 位所 部體 封導 密之 之伸 上延 2 β. 1 阁 面内 未Μ 中帽 圖被 /{ 麵 Μ 合 帽 结該 電後 導然 被’ 就10 8b帶 器地 容之 電上 層12 積面 ， 表 7 到时 合封 密 结aa Λ—/ 6示脂 Μ51 後 蓋 樹 封 密 樹 封 密 積 前 之 圃 固包 包 6 61 i Ha 器 容 電 帽 ’ 於封 ; 密 J a 中 6 例 脂 賴 樹 具蹵 此帽 在被 5 I蓋 5帽 該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 307909 ΑΊ Β7 五、發明説明（6 ) 然後利用.密封樹脂6包園該積層電容器8 b。然而，亦可Μ 不使用帽篕樹脂6 a，利用導電結合_ (鼷中米顯示）用來將 積層電容器8b結合到地帶10，然後Μ密封樹脂6包圃帽蓋5 和積層電容器8b。 如上所述，依照此具體例時，在基髖3之帽M5側設置多 個大電容虽積層電容器8 b，使半導髓晶片1可Μ被製作成 具有高於50MHz之操作頻率之足夠速度，而半導體封裝之 多層接線基體3之尺寸則不會變大。S外*因為帽Μ 5設有 突出部位5 a，所Κ可Μ很容易進行帽蘧5對基髓3之定位， 藉以防止帽蓋5之偏移。另外，因為積曆爾容器8b被密封 樹脂6完全覆蓋，所K可Μ防止因為外都環境而造成之掉 落，藉Μ增加可靠度。另外，可Μ使用具有良好熱散逸效 率之大熱敗逸翅9，因為在多暦接線基體3之表面上未設有 會與其他組件干擾之晶Η組件。 在日本國專利案公報Μ 〇 . 3 - 2 2 5 8 5 9號中揭示有使積曆電 容器形成在基體内之半導體裝置，由於基體之製造步驟之 數目增加，所Μ該裝置之製造成本很高。與該傅統式之半 導體裝置相對的，本發明之目的是在與傳統式基髓相似之 製造成本時，使所提供之基體可Κ Μ高頻操作。 圖3是斜視圖，用來表示本發明之第二具體例之半導體 裝置，圖4是圖3所示之半導體裝置之剖面圖。在該等附圖 中，參考號碼1是半導臞晶片，2是由鋁或金製成之結合線 ，3是由FR4 ΒΤ樹脂製成之多層接線基龌* 4是由鉛和錫製 成之銲料球，5是由ΒΤ樹脂或陶瓷製成之帽Μ，6是包麵該 本紙張尺度適用中國國家棵準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 9 n ml —I— mM -- .....- ' . I 1- - I - - - - —^ϋ、一5i----- 1! I ji -11 all 1-- 1^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（7 ) 帽蓋5和埤層電容器8b之密封樹脂* 6a是用Μ密封帽蘯5之 帽蓋樹脂，7是由飼或網合金製成之金屬板，8b是由陶瓷 製成之大電容量稹層電容器，9是由鋁或綱等所製成之敗 熱器或熱敗逸翅* 1 1是T鈒表面1 2之密封部位，其中該多 層接線基體3和帽篕5被密封樹胞6覆Μ，和Ua是形成密封 部位1 1之凹陷或外形下陷。在此具髑例中，密封部位1 1是 不與帽蓋5之平面對立之部位。在此具體例中，由金、或 鋦等之導體製成之地帶10形成在密封部位11之凹陷11a内 ，其方法是使多層接線基鱺3內之爾源層10a和地線曆10b 之引線延伸。 餐 在此具體例中，當帽蓋5被密封到密封部位11時，首先 利用導電结合劑（圖中未顯示）使積層電容器8 b結合到地帶 10，然後K密封樹脂6覆蘧帽Μ 5和多個積層電容器8b。 依照此具體例時，如上所述*在密封部位1 1設有凹陷 11a，和將大電容量潰曆電容器8b安裝在該等凹陷11a内之 地帶10。因此，在第一具體例中可Μ維持高於5 0 Μ Η z之操 作頻率之晶片之高速操作，而半導體封装之多曆接線基髖 3之外形不會變大。另外，因為帽Μ5之形狀可Μ與傳統式 設計者相同，所以製造成本不會镨加。另外，因為積靥電 容器8 b完全被密封樹脂6覆Μ，所以可Μ保護它們使其不 會因為外力或環境而從基體3掉落。 上述者是將安裝有積靥電容器8b之地帶10配置在密封部 位11之凹陷11a内，該等凹陷11a從基體3之中空涧穴之中 空部位延伸，但是本發明並不只限於此種結權，安裝有晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格\ 210X297^1 — 1 0 - ----------丨裝------訂--：----1,:1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（8 ) 片組件之.地帶亦可Μ形成在設於洞穴之基體3之帽Μ密封 側表面之凹陷部位内。 圖5是斜視圖，用來表示本發明之第三具騸例之半導體 裝置，圖6是圖5所示之半導體装置之剖面圈。在該等附圈 中，參考號碼1是半導钃晶片，2播由鋁或金製成之结合線 ，3是由FR4 ΒΤ樹脂製成之多層接線基鱺，4是由鉛和_製 成之銲料球，5是由ΒΤ樹脂或陶瓷製成之帽Μ * 6a是用以 密封帽蓋5之帽蓋樹脂，7是由銅或銅合金製成之金騮板， 8b是由陶瓷製成之大電容虽積曆電容器，9是由鉛或鋼等 所製成之熱散逸翅，10是由如冏金或鋦之導醴所製成之地 帶，11是密封部位用來覆蓋該多曆接線基體3和帽蘊5，和 lib是凹陷或維坑形成在與多層接線基體3之密封部位11之 帽蓋5之平面對立之部位之下層表面。亦即，如圓7所示· 凹陷1 1 b形成在基體3之密封部位，凹陷部位延伸到在基體 3之洞穴内安裝有帽蓋5之區域之下層> 在此具體例中，帽M5覆Μ在積曆電容器8b之整髑區域 。在安裝有檟層電容器8 b之密封部位1 1設有多個凹陷1 1 b 延伸到多層接線基髑3之下曆表面，和配置有地帶1 0作為 導體之延伸部份從多層接線基體3之内側延伸。地帶10之 形成是利用電源層l〇a和多曆接線基驩3内之地線躕10b之 延伸引線。 在此具體例中，當帽篕5被密封到密封部位11時，首先 利用導電結合劑（驪中未顯示）使積層®容器8b结合到地帶 10，然後利用帽蓋樹脂6a用來覆Μ帽蓋5和多涸||/|堪容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公f ) n I— I nii/'-ln ------- II 1—i -.-11 - - I -- HI ji ------·-1 ...... ! -.:.I (請先閱讀背面之注意^項再填寫本頁) 307909 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 9 /(\明説明發 、五 時 例 體 具 此 。 照 8b依 器

基 線 接 層 多 到 伸 延 b 11 1X 安 陷被 1 b 凹 8 有器 設容 1 S 1 位層 部積 封 ， 密面 在表 ， 層 述下 所之 h 3 隨 如 高之 持裝 維封 以體 可導 中 半 例而 鱧， 具作 一 操 第速 在高 . 之 此片 因 晶 0 之 内率 lb頻 1 作 陷 凹》 之 等 h 該ΜΗ 在50 裝於 外 另 ο 大 變 會 不 形 外 之 為 因 不 本 成 造脂 製樹 Μ封 所密 ’ 被 同全 相完 者8b 計器 CO 設容 體式電 基統曆 線傳積 接與為 層K因 多可， 覆 環 或 力 外 為 因 會 不 其 使 η表 們 8 它 圖 護 體 基 從 而 具 四 第 之 置 裝 體 導 半 之 明 發 本 示 多 之 側 ο 封 5 密蓋 蓋帽 帽該 於封 i ， 密 相 3 ,3 CO 中脂 圖例樹 與體封 其具密 Μ 狀外 形另 之 ο 加 is 保 Μ 可 Μ 所 。 在 落。 掉例 中 -is I j— mV ------ -l···-/··-_--- 1^........ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 相 Μ 外 之 份丨另 部 之 懕 對 或 同 — 基II #ί 具 之㈣此 接 同ί 在 此 在 。 上 與 示面於 表表， 碼之中 3 號 例 i ffi f 考 蓋 冒 陷HM 3 < 將 ϊβ.®& 有β 地中 成 I ! 8 體 t 器具 ^ ^ tt 電在 之| 3 曆。 體積内 基有1C 在裝1 ’ 安 位 ， 部接之 a 立穴 對洞 面與 平為之成示 位 部 陷 凹 該 在 成 形 時 例 體體 基具 在本 置照 面 表 之 顯 未 部中 C 1Α 11 立 依之 M置 所裝 。 艚 薄導 很半 S 、 成 作減 製 Μ VI: •A'0 可 ， 3例 續 體 具 三 第 同 如 基 該 此 因 件 組 片 晶 為 因 時 置 裝 艚 導 半 之 明 發 本 照 依 。 述 度所 厚 上 體如 全 面可 平 ， 之上 口之 凹件 之組 用 片 Μ 晶 帽於 之位 穴不 «Μ 空帽 中該 之Μ 體所 基， 與帶 在地 成之 形位 到 部 裝之 安立 被對 件側 組前 片之 晶髗 為基 因在 » 置 外配 另被 mV ο 興 度會 厚不 之和 小側 較封 有密 具蓋 置帽 裝之 1瞪 導基 半 到 許裝 容安 Μ 被 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐）

2 1J •1'Ί A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（1〇 ) 1 1 之 熱 散 逸 翅 互 相 干 擾 所 Η 不 署 因 為 有 晶 Η 組 件 之 存 在 而 1 1 使 熱 散 逸 翅 之 大 小 受 到 限 制 〇 S 外 因 為 晶 Μ 姐 件 之 安 裝 1 1 位 準 低 於 帽 蓋 和 基 體 之 刖 表 面 所 Μ 可 以 保 » 它 們 不 受 外 ，—S 請 先 1 1 力 藉 以 增 加 可 飽 罪 度 0 閱 讀 背 1 1 另 外 依 照 本 發 明 之 半 導 體 裝 置 時 因 為 晶 片 組 被 安 面 之 注 1 ! 裝 在 形 成 於 不 與 基 臞 之 帽 蓋 之 平 面 對 立 之 部 位 之 凹 陷 内 » 意 事 項 Jjj I 所 以 半 導 體 裝 置 之 總 厚 度 尺 寸 可 Μ 減 小 〇 另 外 因 為 晶 片 再 填 1 ! 組 件 被 安 裝 到 基 體 之 帽 蓋 密 封 側 和 不 會 與 被 配 置 在 基 體 之 寫 本 頁 裝 1 前 側 之 熱 散 逸 翅 互 相 干 擾 所 Μ 不 會 因 為 有 晶 Η 姐 件 之 存 1 1 在 而 使 熱 散 逸 翅 之 大 小 受 到 限 制 〇 另 外 因 為 晶 片 組 件 之 1 | 安 裝 位 準 低 於 帽 蓋 和 基 體 之 前 表 面 所 Μ 可 Μ 保 護 它 們 不 1 .訂 受 外 力 藉 Μ 增 加 可 靠 rff 度 0 1 1 另 外 依 照 本 發 明 之 半 導 體 裝 置 時 因 為 所 安 裝 之 晶 片 1 ί 組 件 被 帽 蓋 和 包 圍 該 帽 Μ 之 密 封 樹 脂 加 Μ 密 封 所 U 可 以 1 1 完 全 保 護 該 晶 片 組 件 使 其 不 會 因 為 外 部 瑁 境 (例如機械力 量 )而從基體掉落 藉Μ大幅的改善可靠度 ? 1 I 另 外 9 依 照 本 發 明 之 半 導 體 裝 置 時 因 為 晶 片 組 件 被 安 1 1 1 裝 在 形 成 於 與 基 體 之 中 空 間 洞 穴 内 之 帽 蓋 之 平 面 對 立 之 部 1 位 之 凹 陷 内 所 Μ 在 基 驩 之 平 面 之 方 向 晶 片 組 件 不 會 與 晶 1 1 片 互 相 干 揠 可 Μ 使 半 導 髖 裝 置 之 總 厚 度 變 小 〇 另 外 因 1 | 為 晶 片 組 件 被 安 裝 在 基 髑 之 帽 密 封 側 和 不 會 m 配 置 在 基 1 I 體 之 前 側 之 熱 散 逸 翅 互 相 干 擾 % 所 Μ 不 會 因 為 有 晶 Η 組 件 1 1 之 存 在 而 使 熱 散 逸 翅 之 大 小 到 限 m 〇 另 外 • 因 為 晶 片 組 1 1 件 之 安 裝 位 準 低 於 帽 M& 和 基 體 之 前 表 面 f 所 Μ 可 Μ 保 護 它 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公嫠） …1 3 - B7五、發明説明（iJ) M容傳片體 之件們 可電在晶基件組它 件曆同為在組片護 組横如因置片晶保 片用， ，配 晶為 Μ 晶除加外被有因可 為淌增另與為 ，Μ 因訊之。會 因外所 - 雜度面 不會另 ， 時Μ厚表和不。面 置所總前 -Κ 制表 裝 * 之 之 側 所限前 。 艘訊置髑封，到之 度導雜裝基密播受體 。 靠半 除體在 Μ 干 小基度 可之消導裝帽相大和篛 加明Μ半安 之互之Μ可 增發用成們體翅翅帽加 Μ本器造它基逸逸於增 藉照容會將在散散低 Μ 力依電不中裝熱熱準藉 外，層裝計安之使位力 受外積安設被側而裝外 不另用之式件前在安受 們使器統組之 存之不 ^^1 nn I m-.· -.....I - JI—I j- - .......I —In In (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準扃員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ 297公釐）

Claims (1)

1. 申請專利範圍 A8 B8 C8 1)8 和 中 u C 其 在 裝 安 : 件 有元 含 艟 包導 遥半 激將 特來 其用 , 穴 置洞 裝空 體中 導有 半.具 mm 種 · 1 體 1基 ; 件 上 元 其 髑 在 導 裝 半 安 該 件 與 組 夠 片 能 晶 *, 和 將内面 來穴丧 用洞鈒 面該下 表在該 级裝到 下安裝 有被安 具，被 邊件， 周元件 之體組 穴導片 洞半晶 在 電件 來 組 用 Η , 晶 黼該 基之 該上 在面 置表 配級 被下 ’ 該 置在 裝和 接體 埋導 作電半 合 該 之電 内部 六外 洞與 該其 接使 導 半 該 之 内 穴 洞 該 封 密 來 用 髓 基 該 到 接 和附 係置 Μ 裝 有封 具密 路 件 組 片 晶 該 之 上 面第 表園 鈒範 下利 該專 在請 和申 件如 元 2 體 置 裝 髏 導 半 之 項 裝 封 密 該 中 其 帽下 到該 入在 β 画 ϋ Β 料包 材來 封 用 密和 有 六 含洞 包該 和封 蓋密 帽來 之用 髑， 基間 該空 到之 接間 附之 有體 含基 包和 置蓋 表 鈒 下 該 中 ....C 其 置 裝 體 導 半 之 項 ο 1 件第 組圍 片範 晶利 該專 之 讁 上申 面如 表 3 级 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 •i 經濟部中央梯準局負工消费合作社印製 伸 延 邊 周第 個鼸 整範 之利 穴專 洞請 該申 著如 沿 4 面 該 中 其 置 裝 髏 導 半 之 項 壁 側 之 面 表 鈒 下 該 在第 接鼸 銜範 部利 出專 突請 個 申 1 如 有5. 括 置 裝 0 導 半 之 項 2 該 在 接 銜 β. 出第 突圍 有範 具利 壁專 側諝 有申 括如 包 6 面 包Μ 表 级 下 該 中 其 邊 周 之 1 附 含 包 更 中 其 置 裝 髓 導 半 之 項 器 熱 敗 之圃 件範 元利 體專 導請 半申 該如 到 7 接 第 該 中 其 置 装 髓 導 半 之 項 具Μ 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS > Α4規格（2丨0〆297公t ) 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 晶口 該凹 將之 K « 用帽 之該 穴與 洞成 空位 中定 之被 髓面 基表 在级 和下 ’ 該 口之 凹上 之其 中在 其裝 在.安 成件 形組 有片 具 1 儀 基 該 中 其 置 裝 黼 導 半 之 項 1A 第 me 16 利 。 專 立請 對申 面如 平 8 之 該 將 來 。 用立 陷對 凹面 之平 中之 其蓋 在帽 成該 形與 有不 成 位 定 被 中 其 在 裝 安 Ji Ur 具 艤 基 該 中 其 置 裝 體 導 半 之 項 基 該 於 位 。 ， 置 中位 其之 在立 裝對 安面 Η 平 晶之 該蓋 將帽 來該 第用與 圈陷之 範凹内 利之六 專中洞 謫其空 申在中 如成該 9.形之 有體 (請先閲讀背面之注f項再填离本I) -裝. 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 本紙張尺度逍用中國國家梂準（CNS) Α4说格（2丨ΟΧ297公釐>