TW305096B - - Google Patents

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A7 B7 經濟部中央梂準局I工消费合作社印装 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 [發明所羼之技術領域] 1 1 I 本 發 明 有 U 於 在 處 理 室 之 内 部 具 備 有 轚 漿 產 生 電 極 之 霄 1 1 I 漿 CVD裝置及方法 •和有W於在處理室之内部具備有霣漿 * 請 先 1 1 產 生 霣 概 之 乾 蝕 刻 裝 置 及 方 法 〇 聞 讀 背 1 I ιέ 1 I [習知之技術] 1 | 霣 漿 CVD法是- -種薄膜形成方法 >使用霣漿使厢料氣Η 意 事 項 1 產 生 化 學 反 應 用 來 在 基 Η 上 堆 積 薄 脚 該 霣 漿 CVD法被 再 填 -1 廣 泛 的 用 製 作 金 «1 膜 半 導 « 膜 緣 光 導 霣 髑 膜 % 本 頁 ά 1 擴 敗 防 止 密 著 雇 膜 之 薄 膜 藉 Μ 構 成 半 専 «1 積 鱅 電 1 1 路 元 件 超 m « 元 件 各 棰 霣 子 元 件 和 各 播 感 測 器 〇 另 1 1 外 乾 蝕 刻 法 是 使 用 電 漿 使 指 定 之 原 料 氣 Η 產 生 化 學 反 應 1 ff 訂 用 蝕 刻 薄 膜 之 方 法 此 棰 乾 蝕 刻 方 法 亦 被 廣 泛 的 使 用 〇 1 1 在 該 等 霣 漿 處 理 方 法 中 近 年 來 低 m 高 密 度 霣 漿 被 重 視 〇 1 1 經 由 使 用 該 高 密 度 m 漿 可 Μ 進 行 百 前 所 不 能 實 現 之 處 理 1 1 9 藉 以 改 善 處 理 之 效 率 〇 絲 下 面 將 電 漿 C V I)裝置為例用來說明習知之技術 >通常 1 1 在 處 理 室 内 使 用 有 電 漿 產 生 電 極 用 Μ 產 生 霣 漿 典 型 之 方 1 1 I 式 是 對 該 電 漿 產 生 笛 極 施 加 高 頻 霣 力 0 Μ 該 霣 m 產 生 霣 極 1 1 之 形 式 分 類 時 可 以 分 成 霣 容 結 合 方 式 和 感 懕 结 合 方 式 » 1 1 另 外 從 別 的 覲 點 來 看 可 Μ 分 成 將 霄 極 配 置 在 處 理 室 之 外 1 1 部 之 外 部 電 掻 方 式 和 將 電 極 配 置 在 處 理 室 之 内 部 之 内 部 1 I 霄 極 方 式 〇 在 該 等 形 式 中 被 廣 泛 使 用 的 是 霄 容 結 合 方 式 和 1 1 I 内 部 電 檯 方 式 之 平 行 平 板 型 之 電 漿 CVD裝置 > 1 1 該 平 行 平 板 型 之 電 漿 CVD裝置之構造是在處理室之内部 1 1 本紙張尺度適用中國囷家標準（（'NS ) A4規格（2丨OX 2()7公釐） 3050^6 A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印掣 五、發明説明 (‘ 2 ) 1 1 使 2個霣極互相面對 ，在其- -方之電極可以施加高頻霣力 1 1 I 或 低 頻 電 力 $ 直 流 電 力 或 對 該 等 霄 力 進 行 時 間 調 變 之 霣 I 1 I 力 〇 另 外 一 方 之 電 極 被 接 地 〇 或 是 使 另 外 方 之 m 極 經. 由 請 先 1 1 霣 容 器 線 圈 (電感器） 或 霣 容 器 和 線 圈 之 組 合 形 成 被 聞 讀 背 1 I 面 1 I 接 地 0 該 等 平 行 平 板 型 之 霣 極 構 造 是 利 用 二 個 霄 極 之 間 之 之 注 1 | 靜 霣 場 使 帶 霣 粒 子 加 速 利 用 帶 電 粒 子 和 帶 電 粒 子 之 間 $ 意 事 項 1 或 帶 霣 粒 子 和 電 極 之 間 之 «Γ 突 之 互 相 作 用 用 來 產 生 和 維 再 填 卜 寫 •k 裝 持 霣 漿 〇 在 該 平 行 平 板 型 之 電 漿 CVD装置中 因為在100 膽 个 頁 1 To Γ Γ Μ 下 之 壓 力 很 難 產 生 和 維 持 漿 所 JW 不 能 獲 得 低 壓 1 1 Ά 密 度 電 漿 〇 1 1 另 外 —► 方 面 感 應 结 合 方 式 之 電 旗 產 生 法 是 被 廣 泛 使 用 1 訂 之 用 Η 產 生 低 壓 高 密 度 霄 漿 之 優 良 方 式 之 一 〇 此 種 方 法 見 1 I 于 曰 本 m 菅 井 秀 朗 著 之 厂 低 懕 力 高 密 度 甯 漿 之 新 展 開 J 1 1 ， 應 用 物 理 第 63卷 第 6號 1 994 年 P P . 559〜567 0 1 1 該 感 應 结 合 方 式 是 依 照 在 霣 m 產 生 天 線 流 動 之 霣 流 之 時 間 hr 變 化 利 用 電 磁 感 應 用 來 產 生 和 維 持 電 漿 0 亦 即 霣 漿 之 1 產 生 和 維 持 櫬 構 是 利 用 電 磁 波 和 帶 電 粒 子 之 相 互 作 用 〇 因 1 | 此 即 使 在 100b To r r Μ 下 之 壓 力 亦 可 ΡΛ 很 容 易 產 生 和 維 1 1 持 電 漿 藉 Μ 獲 得 低 壓 高 密 度 m 漿 〇 1 1 此 種 感 懕 結 合 方 法 中 之 被 廣 泛 使 用 者 是 將 霣 m 產 生 天 線 1 1 配 置 在 處 理 室 之 外 部 之 外 部 天 媒 方 式 〇 此 種 方 式 是 在 Μ 介 1 I 質 « 材 料 製 成 之 放 電 室 之 外 部 之 周 isy| 園 配 置 線 圈 狀 或 變 形 1 1 | 之 迴 環 狀 之 電 漿 產 生 天 線 0 利 用 埴 棰 方 式 用 Μ m 得 低 m 高 1 1 密 度 漿 〇 但 是 該 外 部 天 線 方 式 會 有 下 面 所 述 之 缺 點 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210X29*7公釐） ' λ^'Λ·. Λ ' λ^'Λ·. Λ 經濟部中央橾準局員工消费合作社印擊 A7 B7 五、發明説明（3 ) 在製作導® «膜•半導體膜等之導電性比較良好之W (以 下簡稱為導®_)之情況時•在以介質«製成之放霣室之 内壁堆積導霣膜•從被設在放霣室之周圓之霣漿產生天媒 放射霣磁波•該霣磁波被該内壁上之導電臏遮蔽。因此· 放霣室内之電漿之狀懸會變為不穩定，嚴里時會造成孓能產 生霣漿。因此•在Μ該外部天線方式產生霣漿•藉以在基 體上堆積専電膜之情況時，潲要將放爾室之内鑒洗淨。 為著補救上述之外部天線方式之缺點，所Μ另外一種習 知之方式是將感應结合方式之天線配置在處理室之内部（ ^下簡稱為内部天線方式）。該内部天線方式之霣漿產生 裝置被揭示在上述之菅井秀朗式之論文，其具«之裝置構 造被記載在丨iideo Sugai, Kenji Nakanura, Keiji Suzuki -Japanese Journal of Applied Physics V o1 . 33 (1994) pp. 2189-2193。另外•在日本國専利案特開平Τ-ΐ 8433號公 報中攞 示有使 用此種 内部天 線方式 之哦灌 裝置。 [發明所欲解決之問趄] 在被堪示於上述之丨丨ideo Susai等之論文中之内部天線 方式之霄漿產生装置中*實質上是將由1圈之埋環線臞所 形成之天媒配置在處理室之内部*該天線之一方之端子埋 接到高頻霣源*另外一方之端子接地。另外，為蓍使霣漿 檯定化，所Μ在天線之表面覆Μ有介質«。在使用該霣漿 產生装置在基體上堆檷薄膜之情況時 > 會產生下面所述之 問颶。在以霣漿CVD法在基«上堆積薄膜之情況時*導® 膜亦被堆積在天線表面。另外•在Μ乾蝕刻法對金颺之基 本紙张尺度適用中國國家橾準（CNS > Λ4规格（210X297公趙) _ R _ ------：----裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填商本頁) 訂 305036 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明（4 ) 1 1 « 進 行 胜 刻 處 理 之 情 況 時 由 於 鈾 刻 處 理 所 產 生 之 金 属 化 1 1 | 合 物 氣 體 畲 附 著 在 天 線 表 面 因 而 引 起 化 學 變 化 造 成 金 I 1 1 属 之 堆 積 0 因 此 在 被 介 霣 臁 覆 Μ 之 天 線 表 面 堆 積 m 霣 « 膜 請 先 1 1 時 嫌 蕃 基 體 之 處 理 之 進 行 使 霣 m 之 產 生 之 狀 態 進 行 變 閱 讀 背 ί/ 1 1 I 化 經 通 長 期 間 之 後 以 大 批 處 理 進 行 基 flfi 之 處 理 時 會 1 I 使 基 « 處 理 之 再 現 性 劣 化 〇 另 外 因 為 失 去 用 使 霣 漿 播 意 事 項 1 定 化 之 覆 蓋 介 質 « 霣 之 效 果 所 電 漿 很 容 易 變 成 不 播 定 再 填 r 0 因 此 爾 要 對 天 線 之 表 面 進 行 濟 潔 〇 % 本 頁 裝 1 另 外 在 該 Η ί d e 0 S u g a i 等 之 論 文 之 霣 漿 產 生 装 置 中 1 1 1 列用施加在天線之高頻電力 在 天 嫌 之 被 介 質 體 覆 m 之 表 1 1 面 感 應 出 負 的 直 流 偏 壓 〇 然 後 利 用 該 直 流 偏 m 和 電 漿 電 1 η 訂 位 之 間 之 電 位 差 用 來 使 正 離 子 被 加 速 該 正 離 子 射 入 到 1 | 天 線 表 面 之 介 質 H * 埴 成 介 質 嫌 被 覆 進 行 哦 濺 〇 因 此 在 1 1 使 用 此 種 電 漿 產 生 裝 置 進 行 膜 堆 積 之 情 況 時 於 所 堆 積 之 1 1 膜 中 會 有 混 入 構 成 介 質 Η 被 覆 之 物 質 之 間 酗 所 很 容 1， ... Μ 易 妨 礙 高 純 度 之 膜 之 製 作 0 I 另 外 在 該 Hi d e 0 S u g a ί等之論文之霣漿產生装置中 1 1 I 假 如 不 在 天 線 之 表 面 設 置 介 質 體 被 覆 時 可 Μ 消 除 上 述 之 1 1 缺 點 但 是 會 有 下 面 所 述 之 另 外 之 問 鼸 ΰ 因 為 天 線 之 一 端 1 1 被 直 流 的 接 地 所 以 在 天 線 不 舍 產 生 直 流 偏 懕 電 位 由 於 1 1 施 加 在 天 線 之 高 ifcgq 頻 霣 力 使 天 線 之 電 位 接 地 m 位 作 為 基 1 I 準 « 著 時 間 進 行 正 負 對 稱 之 m 化 〇 此 種 天 嫜 位 之 随 時 1 1 | 間 之 變 化 使 m 霣 粒 子 之 電 子 或 正 離 子 潦 入 天 線 〇 當 與 正 1 1 離 子 比 較 時 9 因 為 m 子 之 質 悬 非 常 小 所 U 由 於 霣 埸 而 產 1 1 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS ) Λ4規格（2】OX 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印裂 五、發明説明（5 ) 1 1 生 之 移 動 速 度 變 大 9 因 此 流 入 天 線 之 稍 電 粒 子 之 數 百 是 霣 1 1 1 子 比 正 離 子 多 〇 另 外 一 方 面 » 因 為 在 天 線 不 會 產 生 上 述 之 1 1 直 流 之 偏 懕 m 位 所 K 為 蕃 取 得 流 入 天 線 之 帶 霣 粒 子 之 全* /—S 請 先 1 1 電 荷 量 之 平 衡 必 補 使 m 漿 霣 位 朗 向 正 霄 位 方 向 移 位 〇 其 閱 讀 背 1 1 结 果 是 處 理 室 之 内 壁 和 電 漿 之 間 之 爾 埸 變 大 正 離 子 朗 向 面 之 注 1 I 處 理 室 内 壁 之 加 速 能 最 變 大 〇 如 此 __. 來 由 於 該 正 雕 子 衝 $ 項 1 I 突 在 處 理 室 内 壁 所 VX 所 產 生 之 二 次 電 子 之 量 變 大 在 處 填 本 頁 1 裝 1 理 室 内 壁 之 某 處 會 產 生 局 部 之 白 續 放 霣 〇 由 於 該 白 續 放 霣 使 處 理 室 内 壁 被 加 热 變 成 熱 陰 極 爾 弧 放 電 當 變 成 此 種 1 1 霣 弧 放 霣 横 態 時 霣 漿 和 處 理 室 内 壁 之 間 會 有 大 電 流 流 動 1 | 〇 因 此 霣 漿 之 空 間 霣 位 下 降 暫 時 的 使 白 纗放電停止 〇 1 訂 因為此種®娥之空間電位邇期性的進行大小乏變化 所 不 1 I 能 獾 得 穩 定 之 爾 漿 0 另 外 處 理 室 内 壁 因 為由 於 热 除 極 電 1 1 弧 放 霣 在 厢 部 之 處 被 極 度 的 加 热 所 以 構 成 處 理 室 之 金 臑 1 1 材 料 會 進 行 蒸 發 成 為 被 處 理 基 « 之 簠 金 «1 染 之 原 因 ΰ [ 線 1 1 另 外 在 未 施 加 介 質 « 被 覆 之 情 況 時 即 使 投 入 霣 力 變 大 » 笛 與 施 加 有 介 質 臞 被 覆 之 情 況 比 較 時 爾 漿 之 霣 子 密 度 1 1 變 成 相 當 的 低 不 能 嫌 得 低 壓 高 密 度 霄 漿 〇 1 1 在 上 述 之 曰 本 國 専 利 茱 特 開 平 7- 18433號公報之嗔濺装 1 1 置 中 實 質 上 是 在 處 理 室 之 内 部 配 置 1圈之蟈瓖天線 該 1 | 天 線 之 一 方 之 端 子 連 接 在 高 頻 電 源 和 偏 腔 用 直 流 霣 源 另 1 1 外 一 方 之 端 子 經 由 阻 止 直 流 之 霣 容 器 接 地 〇 另 外 該 天 線 1 1 本 身 被 使 用 作 為 啧 濺 裝 置 之 靶 標 材 料 〇 在 使 用 該 裝 置 作 為 1 1 甯 漿 產 生 裝 置 之 情 況 當 與 上 述 之 Hi d e 0 S u 8 a i等之論文 1 1 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX297公釐〉 -8 - 衄濟部中央梂準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 之«漿產生裝置比較時•其2個不同之點是在天線未使用 有介質《被覆*和天線之一端不是直流的接地而是經由II 容器接地。除了此等不同點之外，可K消除Hideo sugai 等之論文之®漿產生裝置所產生之上述之各種問趄。但是 *依照本發明人等賨驗，在使用該日本鬮専利茱特W平 7-18433號公報所揭示之電漿產生裝置，利用電漿CVD法在 基體上堆積薄鼷之情況時，會有下面所述之問題。亦即， 在日本國專利案特開平7-18433號公報所揭示之霣漿產生 裝置中，為著使天線透行啧濺，所Μ對天鑲施加高直滾偏 懕，。當使用此播高直流利用電漿CVD法進行成膜時，唄濺 效應會變大•例如對撖细之接觸孔洞之高低差被覆性會劣 0 化*不能發揮CVD本來之良好之高低差被覆性。另外•天 孃之哦_蝕刻變大，天線不能長時間的使用。其中，為著 消除唄濺之效懕，所JW在日本國専利案特開平7-18433號 公報中假如去除直潦僱壓轚海和胆止直流之霣容器時· 放霣會變成不《定，產生不能獲得低懕高密度霣漿之另外 之問覼。 本發明用來解決上述之問趙，其目的是使用低颳高密度 電漿用Κ實現長期穩定之«漿CVD處理。另外，本發明之 另一目的是使用低壓高密度霣漿用Μ實現穩定之乾«刻處 理。 [解決問趙之手段] 本發明人等對於將具備有二個端子之《漿產生®檯Κ置 在處理室之内部之形式之霣漿CVD裝置•致力研究用以產 本紙悵尺度適用中國國家榡準（（、灿）八4規格（2丨0/297公犛） 9 HI ml n In —^n I Jn l^n I mt ml I·。^nt ml t— nn t^l —kn mf (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 305096 B7 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印取 五、發明説明 ( 7 ) 1 1 生 讎 定 之 低 壓 高 密 度 霣 漿 之 裝 置 構 造 研 究 之 结 果 發 現 > 1 1 I 對 於 此 種 電 極 形 式 > 將 霣 m 產 生 霣 極 和 處 理 室 内 鑒 之 間 之 1 1 I 相 對 電 位 控 制 成 最 佳 化 非 常 簠 要 / 此 在 本 發 明 中 於' 請 先 1 1 霣 m 產 生 霣 極 之 二 僩 纗 子 中 使 未 連 接 到 高 頻 霣 力 供 給 源 閲 讀 背 1 1 之 一 側 之 纗 子 不 直 流 的 接 地 而 是 經 由 霣 極 霣 位 控 制 m 構 Λ 之 注 1 | 接 地 和 處 理 室 亦 不 直 流 的 接 地 而 是 m 由 内 壁 霣 位 控 制 意 事 項 1 機 構 接 地 V 7 另 外 從 控 制 霄 漿 產 生 霣 極 和 處 理 室 内 壁 之 間 再 填 寫 1 I 裝 之 相 對 電 位 之 覼 點 來 看 可 Μ 採 用 另 外 —» 種 有 效 之 構 造 9 頁 1 其 中 在 η 漿 產 生 電 極 之 二 個 斓 子 中 使 未 連 接 到 高 頻 霣 力 1 1 供 給 源 之 — 側 之 端 子 不 直 流 的 接 地 而 是 經 由 爾 槿 電 位 控 1 1 制 櫬 構 接 地 和 處 理 室 之 方 被 接 地 〇 另 外 與 此相 反 的 1 1* 訂 1 處 理 室 不 直 流 的 接 地 而 是 經 由 内 壁 霣 位 控 制 機 構 接 地 1 | » 在 霣 漿 產 生 電 極 之 之 二 個 端 子 中 未 連 接 到 高 頻 霣 力 供 1 1 給 源 之 一 側 之 端 子 被 接 地 採 用 此 種 構 造 亦 非 常 有 效 〇 1 1 本 發 明 經 由 採 用 上 逑 之 構 造 用 W m 得 穩 定 之 低 壓 离 密 J 绍一 度 货 漿 利 用 霣 漿 CVD法可以獲得高品質之薄臌 >另夕卜 1 1 本 發 明 除 了 爾 漿 C V D以外 亦可遘用於乾蝕刻處理 可以 1 1 I 實 琨 良 好 之 處 理 〇 1 1 本 發 明 因 為 可 以 變 化 處 理 室 内 壁 對 霣 漿 m 生 m 極 之 相 對 1 1 電 位 所 Μ 可 以 使 電 漿 產 生 電 極 和 電 漿 及 處 理 室 内 壁 之 相 1 1 對 霣 位 U 係 成 為 最 佳 化 0 例 如 電 漿 產 生 電 極 之 η 位 作 1 I 為 蓊 毕 即 使 霣 m 霣 位 變 高 時 亦 可 kK 使 霄 期 和 處 理 室 内 1 1 1 壁 之 霣 位 差 變 小 9 在 電 漿 和 處 理 室 内 壁 之 間 不 會 發 生 異 常 1 1 放 霣 可 以 產 生 和 維 持 穩 定 之 霣 漿 〇 另 外 當 將 m 漿 產 生 1 1 本紙張尺度適用中國國家標孪（C'NS ) Λ4规格（2丨OX 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 五、發明説明 (8 ) 1 1 霣 極 和 漿 之 直 滾 電 位 差 設 定 成 最 佳 化 時 離 子 被 吸 引 到 1 1 I 爾 漿 產 生 霣 播 可 Μ 獲 得 使 霣 漿 輕 微 哦 m 之 效 果 娌 由 對 1 1 1 霣 漿 產 生 霣 極 遒 行 m 潔 可 畏 期間约產 生 穩 定 之 霣 漿 〇 請 先 1 1 在 本 發 明 中 可 kk 使 用 霣 容 器 作 為 爾 極 電 位 控 制 櫬 構 和 内 閲 讀 背 1 I 面 1 I 鐾 電 位 控 制 懺 構 在 埴 種 情 況 時 經 由 變 更 電 容 器 之 容 量 之 1 注 1 » 可 控 制 霣 漿 和 處 理 室 内 壁 之 電 位 差 〇 爾 容 器 之 容 量 最 惠 事 ] — .... 項 1 好 為 100p F- -10 μ F 〇 容 量 太 小 時 很 容 易 使 放 電 變 成 不 穩 定 再 填 1 0 另 外 容 量 太 大 時 於 使 用 高 頻 特 性 良 好 之 m 瓷 霣 容 器 寫 本 頁 ά 1 之 情 況 霣 容 器 « 積 會 變 成 太 大 因 此 不 實 用 〇 1 1 另 外 假 如 使 電 感 器 和 直 流 電 源 之 串 m 電 路 與 霣 容 器 併 1 | 用 作 為 榧 霣 位 控 m 機 構 和 内 壁 電 位 控 制 機 構 時 可 以 1 訂 更 積 極 的 利 用 該 直 流 霣 源 控 制 锺 漿 產 生 電 極 或 處 理 室 内 壁 1 I 之 堪 位 0 1 1 [發明之實施形態] 1 1 圖 1是本發明之電漿CVD裝 置 之 一 霣 施 肜 態 之 構 造 圓 以 線 正 面 剖 面 國 表 示 處 理 室 之 部 份 〇 在 可 保 持 真 空 之 處 理 室 20 1 I 之 内 部 配 置 有 基 體 保 持 器 25和 電 漿 產 生 電 極 61 在 基 體 保 1 1 I 持 器 25連 接 有 偏 m 霣 力 供 給 源 90 在 電 漿 產 生 霣 極 6 1 之 一 1 1 端 連 接 有 霣 力 供 給 源 50 在 另 外 端 m 由 開 藺 84可 堪 1 1 揮 性 的 連 接 到 爾 極 電 位 控 制 m 構 80或 地 線 〇 另 外 在 處 理 1 1 室 20連 接 有 氣 體 導 人 機 構 1 0和 排 氣 機 構 30 〇 / 1 I 首 先 說 明 氣 體 導 入 機 構 10 〇 圖 2是氣嫌専入機構10之構 1 1 I 逭 圖 〇 該 氣 體 等 入 機 構 10可 W 使 用 3棰之原料氣體 >原料 1 1 容 器 1 a 是 恒 溫 榷 1 用 來 將 常 溫 常 壓 為 液 H 狀 態 之 原 料 加 热 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ ] j — 經濟部中央梯準局員工消費合作社印家 A7 B7 五、發明説明（9 ) 到指定之溫度•在該恒灌槽被蒸氣化之原料經由流量控制 器12a和閥13a被導人到處理室20。原料容器lb、lc是高壓 氣艚瓶*裝入在其中之原料氣《被減壓閥lib、11c減壓· 和被流量控制器12b、12c控制流量，當閥13b、13c開放時 被導入到處理室20。氣«導入櫬構10之出口設在«漿產生 電極61之中心之附近。閥13a、13b、13c在導人原料氣« 時變成開放•在處理室20之内部成為大氣時躭使闕13a、 13b、13c閉合》用來防止原料氣體被大氣污染。 其次*回到圏1·下面將說明基體保持器25之構逭。基 »21被放置在基體保持器25之上。在基體保持器25之内部 具有加热器26和熱霣偶27。Μ熱電偶27用來測定基钃保持 器25之溫度，利用圖中未顬示之基體溫度調節裝置將«力 供給到加热器26，用來控制基》21之溫度。該基鱷溫度調 節裝置使用PID控制方法•但是也可Μ依照两S的併用携 糊霣路，採用ΡΙ控制‘或籣單之0H-0FF控制。 下面將說明排氣櫬構30。粗泵31是油旋轉泵（排氣速度 為每分鐘650公升）·娌由粗泵32埋接到處理室20。在處理 室20之淨化非常重要之情況時*可Μ使用無油泵作為粗泵 31·另外，要提高保養效率時可Μ使用乾泵。主泵35«由 可變孔34和主閥33連接到處理室20*在後段埋接有補助泵 3 6。主泵3 5是複合空渦輪分子泵（排氣速度為每秒1300公升） ，假如處理室20内之淨化沒有那麽重要時，可Κ使用油擴 敗泵。補助泵36為油旋轉泵（排氣速度為每分鐘1180公升） *與粗泵31同樣的，可以使用乾泵。， 本紙張尺度適用中國國家#準（（.’NS ) Λ4規格（21(>Χ297公釐i _ 1 〇 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝-

、1T 經濟部中央梯準局貞工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 在使處理室20從大氣懕進行排氣時*首先，使粗«32開 放，以粗泵3 1使處理室2 0排氣。直至排氣到使處理室2 0之 内部之懕力成為指定之懕力（隨著排氣糸統而異，在本實 雎形態中大約為lOOpa)，然後使粗閥32閉合•主M33開放 ，利用主泵35排氣到低壓力範園。以真空計澜定處理室壓 力•再度的使可變孔34進行開閉，可Μ將處理室20内之壓 力調節到指定之值。使用可變孔34可Κ有效的獲得再現性 良好之播定之《漿。 下面將說明用以將偏壓®力施加在基體之懺構。基«保 持器25經由阻抗轚合電路91連接到偏壓用高頻電源92。利 用該阻抗整合霄路91和偏壓用高頻電源92用來構成偏懕霣 一 ή供給源90。Μ偏壓用高頻電源92感應出之交滾鬣力*經 由阻抗整合霣路91被調整阻抗 > 將其供給到基《保持器25 ，用Μ綢整基艚21之钂壓。在基«保持器25之周_，具有 速接到處理室2 0之屏蔽板9 3 >另外•基«保持器2 5烴由絕 緣败94形成與處理室20產生電的絕緣。偏懕用高頻霣源92 之頻率與電漿產生用之高頻S源52之頻率至少要有500ΗΖ 以上之不同。否則該2個高頻會互相干播，不能獾得穩定 之電漿。在本實施形態中，霣漿產生用之高頻霣源51之頻 率為13.560ΜΗΖ ·偏靨用高頻電源92之頻率為13.562ΜΗΖ。 ^______ _ ---------——————— 下面將說明磁埸產生櫬構。在處理室20之周圃Κ置有依 上下方向形成畑長之多個永久磁鐵121。麵5是圈1之5-5剖 面圖，用來表示處理室20之水平剖面。24個之永久磁蟻 121Μ等間隔被配置在處理室20之周園，相鄺之永久磁嫌 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐) -19- 11 n 訂 I ί ..^ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 305096 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明 (U) 1 1 121形成互反之極性< >亦即 朝向處理室20之内部之Ν 檯 和 1 1 I S極被交替的配置 >利用該等永久磁鐵121之動 作 在 處 理 1 1 I 室 20之 内 ϋ 面近傍 形 成 多 尖 峰 磁 埸1 2 2。另外 永久磁嫌 * 請 先 1 1 之 肜 狀 和 個 數並不 只 限 於 此 種 方 式*使朗向處 理 室 20之 内 閱 讀 背 1 1 部 之 Ν捶和S極交替 的 配 置 而 是 亦可採用其他 之 構 造 〇 ι6 之 1 注 1 永 久 磁 級 121是經由組合鑭糸之稀土類磁嫌（尺 寸 25 .4 酿醒 患 事 項 1 X 6 . 3 Β α X 1 2 . 8 β 祖) 而 構 成 0 該 磁 嫌之表面之磁 通 密 度 為 再 填 J 1600 高 斯 大約為 400〜2 200高斯之範園之永久磁饑即為 寫 本 頁 裝 1 有 效 〇 當 磁 通密度 太 小 時 電 漿 之閉入效果魷 變 弱 會 使 1 1 基 Η 周 邊 部 之表面 處 理 之 均 一 性 變劣。當磁通 密 度 太 大 時 1 1 t 霣 漿 太 黼 開處理 室 之 内 鑒 保 有電漿之均一 性 之 區 域 f 1 訂 與 處 理 室 之 内徑比 較 時 變 成 很 小。磁捶間隔 最 好 在 150 1 I n jb 下 〇 當 磁極間 太 離 開 時 會 造成磁極間之 中 央 部 之 磁 1 1 通 密 度 變 小 ，滅小 電 漿 之 閉 入 效 果。在本實_ 例 中 磁 極 1 1 間 隔 為 24 m η 0 ί 當 使 用 此 種多尖 峰 磁 埸 122時 利用磁場使電漿閉入之 1 ί 效 果 用 來 使爾漿 不 會 擴 敝 到 處 理室20之内壁 面 之 近 傍 1 1 1 Ι 可 Μ 維 持 均 —之高 密 度 之 電 漿 〇 當使該多尖峰 磁 埸 和 偏 壓 1 1 霣 力 供 給 源 併用時 可 使 均 一 之大霣流離子 流 入 大 型 基 1 1 體 之 表 面 0 1 1 下 面 將 說 明電漿 產 生 裝 置 0 該 霣漿產生裝置 用 來 在 處 理 1 I 室 20之 内 部 產生霣 漿 > 在 園 1中 •具備有霣力供給源50 1 1 I 電 漿 產 生 電 極61 · 和 電 極 電 位 控 制櫬構8 0。霣 漿 產 生 霄 極 1 1 61 貿 質 上 為 1圈之線圈 •具備有貫穿處理室20之壁之1 對 m 1 1 -14 - 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4说格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (12) 1 1 入 纗 子 62 63 0 m 漿 產 生 電 極 61 與 基 Μ 21 互 相 面 對 〇 醒 3 1 1 I 是 霣 漿 產 生 電 極 61 之 平 面 圈 0 該 霣 漿 產 生 霣 極 61 是 將 金 屬 1 1 管 彎 曲 成 大 致 為 1圈之園環狀 >直徑大約為1 40 屬讎 〇 辱 入 « 端 請 先 1 1 子 62 63對 該 圖 環 狀 之 部 份 形 成 垂 直 〇 因 為 該 金 圈 管 直 接 閲 讀 背 1 1 31 出 在 處 理 室 内 所 Μ 霣 漿 產 生 霄 m 6 1 之 表 面 為 m 電 Η 〇 ιδ 之 1 I 在 該 金 钃 管 之 内 部 假 如 使 冷 卻 水 流 動 時 可 以 用 來 冷 卻 該 1 項 1 霣 極 〇 但 是 也 可 依 照 霈 要 Μ 空 氣 冷 卻 在 小 電 力 之 情 再 填 •卜 況 可 不 播 冷 卻 〇 % 本 頁 裝 1 下 面 將 銳 明 爾 漿 產 生 電 播 之 冷 卻 機 構 〇 在 本 實 m 形 態 中 1 1 9 因 為 導 入 斓 子 62 63和 m m 產 生 爾 極 6 1 為 中 空 之 肜 式 > 1 I 所 以 冷 卻 水 可 Μ 通 m 其 内 部 〇 在 導 入 端 子 62 63 m 接 有 氟 1 1» 訂 樹 脂 製 之 通 水 管 在 供 給 側 之 管 供 姶 有 1平方分大約5kg 之 1 | 懕 力 之 水 在 排 出 側 之 管 其 m 力 接 近 大 氣 壓 力 0 供 給 Ρ 之 1 1 冷 卻 水 溫 度 大 約 為 15 V 在 電 漿 產 生 電 極 6 1 之 内 部 流 動 之 1 1 水 之 水 量 大 約 為 每 分 嫌 3公升《 >以大比熱 容易取得 和 t Μ 小 粘 性 等 之 観 黏 來 看 冷 卻 媒 體 最 好 是 使 用 水 但 是 也 可 I 以 使 用 其 Μ 外 之 媒 « 〇 在 採 用 空 氣 冷 卻 或 氮 氣 冷 卻 之 情 況 1 1 1 時 可 Μ 使 流 麗 變 大 〇 在 氮 氣 冷 卻 時 因 為 未 包 含 有 水 分 1 1 » 所 可 以 防 止 遒 極 之 水 分 腐 蝕 〇 1 1 霣 漿 產 生 霣 極 因 為 與 電 m 直 接 接 觸 所 以 有 可 能 由 於 電 1 1 漿 使 其 表 面 被 蝕 刻 〇 依 照 實 驗 之 结 果 以 水 冷 卻 霣 漿 產 生 1 I 電 極 時 可 Μ 抑 制 該 蝕 刻 可 延 長 m 漿 產 生 霣 極 之 壽 命 1 1 1 〇 在 不 是 水 冷 卻 之 情 況 時 電 漿 產 生 霄 極 之 直 徑 之 減 小 率 1 1 是 每 小 時 0 * 1 η α > Μ水冷卻時是每小時0 .01m 醒< >當镭漿產 1 1 -1 5 - 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS ) A4规格（210X 297公着） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 __B7_ 五、發明説明（13 ) 生«極被鈾刻時•會有不鈍物混入到基《上之飆中•假如 使用水冷卻時可K減小該鈾刻量。 _4是設在霣漿產生電極之専入端子和處理室之間之絪 緣環被切去一部份之斜視爾。該絕緣環71可Μ使用霣紹緣 材料之石英玻璃。在該絕緣瑁71和電漿產生霣極之導入端 子62、63之間*和絕緣環71和處理室20之間，被興空密封 。該涵緣瑁71在臑板72之中央形成有圓形之霄通孔73·在 圓板72之一側（《出到處理室空間之一側）形成有同心圆狀 之3個圆環狀之突起部74。在該圓環狀之突起部74之間形 成有2個圓環狀之溝79。满79之開口部位於與貫通孔73之 軸線垂直之平面内，满79之深度方向與貫通孔73之_線平 " 行。該等突起部74和溝79全部對貢通孔73肜成同心。在貧 通孔73插入有«漿產生霣極之圓筒狀之導入斓子62(#照 圖1)。該3個圓環狀之突起部74均為高度50···厚度Ιββ。 因此•满79之深度亦為50 mn。另外•满79之幅度（相鄺之 突起部74之間隔）為1mm。圓環狀之突起部74之全面*和圔 板72之露出到處理室之一側之表面（圖4之上側之面）·被 豳加笛漿處理產生粗面化。利用該粗面化使附著在絕緣瑁 7 1之膜不容勗剌難•可以防止膜之剝離而造成之處理室内 部之灰鏖污染。亦即，在闼緣環71，於满79之内部K外之 部份有可能使膜附著，例如*在突起部74之頂面，最外脚 之突起部74之外周面，和更外側之圓板表面，有可能使膜 附蕃。當對該等位置施加粗面化時，可以使附蕃在該部份 之鼷不容易剝_。 本紙倀尺度適用中國國家標牟（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） 16 „---•‘裝------訂—-----,"I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局貞工消費合作社印聚 A7 B7五、發明説明（14) 回到IB1·霣漿產生電極61之一方之導入靖子62經由胆 抗螯合霣路51埋接到高頻霣源52。利用該阻抗螯合霣路51 和离頻霄源52構成霣力供給源50»高頻灌52之頻率為 13.56MHZ，額定_出為3kW。但是該頻率並不只限於此數 值*亦可W使用KHZ程度或600MHZ或〗00ΜΗΖ*可使用之範 園為10KHZ〜1000HHZ之程度。當超過此範圈之上限時•不 外 導另 將。 能波 賊 Μ 下 於 低 當 用 使 料 材 線波 R 出 作 _ 當其 波 弦 正 於 限 只 不 亦 形 霣用 送使 發 K 能可 不是 時而 限， 整霣 抗頻 阻高 為由 作。 路路 電電 型型 7rT 用之 fee l·. 使 夕 是 K 者其 述用 上使 〇 Μ 形可 波也 之是 化但 變 定 指路 有電 具合 阻 行 進 51 路 霣 合 整 抗。 姐 6 由極 經霣 力生 電產 滚漿 交霄 之到 , 出給之 51應供述 想， 5.2後 源之 圈 線生 之產 圈漿 &1® 1J使 16* 極 } 電(Α 生11 產圈 漿。 霣狀 , 形 中之 軀他 形其 胞用 實使 Μ 可 上也 在是 但 極 霣 為 成 圖 _ ο 上 Μ 圈 3 例 實 之 狀 旋 : 板 自成?« Μ 0 Ψ 可捲 亦内 外面 另平 ❶ 水是 例在極 實是霣 之檯生 狀霣產 形生漿 之產電 圈漿之 ssa(c) 圈之 1 之 形 矩 片 團 例 實 之 --------„---λ------ΐτ------，線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 外 另 0 例 實 之 板 平 之 形 園 IX 是 例 實 之 狀 棒 根 之 伸 延 線 直 依 是 極 霣 生 何 任 列之 排示 的所 fer 2 0 1 並圈 内和 面11 平圏 水等 在該 是在 0 , 18外 生另 產 0 18 之 產 漿 電 之 例 實 之 棰 霣 之 狀 榉 根 備 具 均 中 例 實 0 另 中 其況 , 情 源種 霣一 頻何 高任 到在 接， K LT W 夕 子另 蟠。 之地 方接 一 器 其容 , 電 子由 繡經 之子 個端 二 之 有方 一 該 霣 等 該 外 另 ο 近 附 端 兩 之 棰 電 生 產 漿 電 於 位 均 子 端 個 二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（2丨0 <297公釐） 7 1* A7 B7 五、發明説明（15 ) 漿產生《極和其二個蝙子•均可Μ使冷卻水通«其内部» Μ進行冷卻。 其次回到_1，下面將銳明霣極霣位控制懺構80。該霣 極霣位控制機構80被設在霣漿產生霣極61之導入端子63和 處理室20之間·包含有《容器81(第1電容器 >。當開關84 被理接在電極霣位控制擄構80側之情況時，利用該霣容器 81使電漿產生電播61之一端從地線直流的浮動。本實豳形 態之«容器81之靜«容量大約為50 OpF。但是並不只限於 該電容量，依照處理條件可以使用IOOpF〜ΙΟ/iP之範麵之 霣容量。與此相對的•霣漿產生電極61和處理室20之間之 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝 程 之 P P數 為 1 容霣 敗 嫌 陶 之 性壓霣 0 有 具 之 良 。 霣 度瓷 優 性 特 頻 高 用 使 M 可 -1 8 器 容 電 容 7 8 Μ 由 娌。 ο I 2 線 室地 理或 ί 5 處 8 , 構 外懺 另制 控 外 另 。 遘 器被 内 該 II包 内85 在構 接懺 連制 的控 性位 揮霣 壁 訂 器 容電 0 器 容霣 2 第 量產 容以 霣用 之 * 園中 範1 之 H 在 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 造 構 種 1X 第 ο 種 - 何 a 之關 該 漿開 «使 > 生是 壁 内 在 接 連 7 8 U 開 使 和 8ί構接丨 ίν tec 器 路連 ϊ 容 《840 % Μ 可 可 亦 造 極 電 在 構 機 制 構 機 制 控 位 爾 極 電 在 接 It a 4 8 u 開 使 是 線 地 在 接 I a 4 8 Μ gfl 使 是 造 構 種 3 第 ο 線 地 在 85S 構或 櫬81 _ 器 控容 位電漿 爾擇霄 壁選更 内的變 在當以 接適可 埋由 ， 一 方 何一 任，之 J 6 用 8 採器 。 容 壁 内 室 理 處 和 il 6 播 蜇 生 產 u:::nla;= 中 種 位有10任 霣含 ~ 之 構造 櫬構 制種 控2 第 接 埋 7 8 U 開 7 8 開 使 iffi位 , 容電 時電對 造之相 構方之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2IOX297公釐） S05096 A7 B7 五、發明説明（ιβ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圈9表示採用上述之第2種構造時之電容器81之靜電容盪釦 在®漿產生電極61所感應出之偏壓之翡係。由該_形可以 味解•直流僑壓之豳對值依照電容器之電容最進行變化。 因此·經由變更電容器之®容最可Μ將電漿產生電極之直 流偏壓設定在任意之值。在電漿產生霣極被嗔濺之悄況· 假如電容器之電容量變小時 > 直流僑壓之絕對值躭變小* 因此可以控制霣漿產生«捶之嗔濺。其中如_8所示，當 使用可變霣容器81a作為霣極霄位控制櫬構80a時，可Μ使 霄容器之電容ft之變更成為很簡單·因而使霣漿產生霣極 之直滾偏壓之控制變為容易。另外，假如監視«漿產生霣 極之直汲偏颳成分時*於Μ大批處理進行電漿處理之情況 " •即使由於增加大批處理之次數•在霄漿處理條仵有微佃 之變化之情況時•亦可Μ控制«容器之電容量用來使直潦 偏懕成分成為固定。 經濟部中央標準局負工消費合作社印聚 然而*上述之哦溅之效果亦可ΚΚ相反方式利用。例如 •當在基Η上堆積薄膜之情況時•在霣漿產生電極亦會被 堆積薄_ •埴時娌由癯當的增加霣容器之霣容悬，只使電 漿產生霣極上之堆稹縝被唄濺，而霣漿產生霣極本身不會 被嗔濺，可Μ採用能夠產生此種方式之霣容器之《容悬。 另外，亦可Μ利用圓1所示之裝置作為乾鈾刻裝置*在 逭種情況時，於鈾刻處理之際會產生反應副產物，造成所 產生之膜堆積在電漿產生«極之表面。即使在此種情況時 •«由調節圈8所示之電容器81a之霄容量•可Κ只嗔溅電 漿產生《極上之堆«膜·因此可以抑制級之堆積。 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210X297公釐） _ i q _ 經濟部中央梯準局負工消費合作社印製 A7 _ B7五、發明説明（17) 画10表示電86電位控制機構之另一實豳形軀。在該電極 霣位控制機構80b中*於爾漿ί生霄極61之導入蠊子63和 可赛電容器81a之間*錁由霣感器83埋接有直滚電源82。 依照埴種方式•對於霣_產生霣極61之電位可以更稹極的 抑制。 然而•在圖1中，不使霣漿產生罨極之導入_子63經由 電容器81連接到處理室•而是直潦的接地•而且處理室20 亦直it:的接地*埴時處理室内之霣漿變成電容结性較強之放 電，處理室之空間全«更擴大到排氣機構30之空間。其结 果是使電漿之電子密度變低。另外•使電漿奎生®極之導 入端子63娌由霣容器81接地·或是使處理室20娌由霣容器 86接地*或是採用其雙方 > 埴時電漿集中在處理室内之中 央部份*因而使電漿之電子密度變高。亦即•在採用本發 明之任何一種構造時，將氬氣導入處理室 > 使颸力成為6· Torn *對電漿產生霣極之投人®力為2 kW*當產生霣漿時 ，霣漿之霣子密度遑到每一立方公分為「10 u」個。 圖8和圈10所說明者是採用可變霣容器81a或採用直流霣 源82和霣感器83作為電漿產生電極側之霣植電位控制懺構 80，此種變更例是處理室側之内壁®位控制機構85亦採用 同樣之構造|可Μ獲得同樣之效果。 下面將說明使用_1之電漿CVD裝S製作薄膜之實例。其 中，關M84連接到18檯霣位控制機構80，開翮87癟接到地 烺。利用此種基本霣路構造用以實施以下之第1處理例至 第8處理例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4蚬格（2丨OX297公釐) _ 20 - (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) -裝· 訂

L A7 B7 經濟部中央梯準局員工消費合作社印农 五、發明説明 (18 ) 1 1 首 先 說 明 作 為 第 1處理例之氮化鈦臌之製作例。在匯1和 1 1 圏 2中 >使用四氯化肽作為放入原料容器la之第1原 料，使 1 1 用 氫 氣 作 為 放 人 原 料 容 器 lb之 第2原科 和使用氮氣作為 ’ 請 先 1 1 放 人 原 料 容 器 1 c 之 第 3原料 ，流最是四氯化肽為每分雄20 閱 讀 背 1 1 毫 升 氫 氣 為 每 分 鐮 200奄升 •和氪氣為每分鏞20毫升。 A 之 注 1 I 處 理 室 20内 之 m 力 設 定 在 大 約 IPa 基體21之溫度設定在 意 事 | 45〇υ - -600 〇 高 頻 霣 源 52之 _出 為3 . OkW。霣容器81之 k 填 Ί % 士 裝 1 霣 容 量 為 500p F >當Μ此條件製作薄膜時，Κ每分鐮大約 尽 頁 60 η β 之 埋 度 堆 植 Μ 氮 化 肽 作 為 主要 成分 之顏。 Μ氰 化呔作 1 1 主 要 成 分 之 m 其 霣 阻 係 數 為 80 u Ω C 1B ，埴時 不舍 觀澜到 1 | 習 知 之 装 置 之 由 於 電 漿 之 因 時 變化 和不 能產生 電漿 之現象 1 if 訂 > 本 發 明 之 裝 置 用 Μ 製 作 氮 化 肽之 導電 «薄_ 非常 有效。 1 1 另 外 在 電 漿 產 生 霣 他 之 表 面 不會 有金 鼸薄_ 之附 著。 1 1 此 種 氮 化 钛 薄 膜 被 使 用 作 為 半導 «稹 «電路 之接 觸部之 1 1 擴 敗 防 止 膜 0 在 此 種 用 途 中 必霱 成膜 在直徑 為0 · 3 5 Ί 以 下 深 度 為 1 . 5 A t Π1 程 度 之 孔 洞 之底 部° _6表示此種情況 I 時 之 底 部 被 覆 率 和 基 fll 偏 壓 用 電力 之相 闞性。 「底 部被覆 1 1 I 率 J 之 術 語 是 Μ a表示平坦部之膜厚· Mb表示 被堆 稹在接 1 1 觸 孔 洞 之 底 部 之 膜 厚 時 底 部 被覆 率被 定義成 底部 被覆率 1 1 (X) = (b/ a ) X 100 < >該底部被覆率由_中之肜可以瞭解 1 I » 增 加 基 體 僱 壓 用 霣 力 可 Μ 急速 的變 成良好 之值 。其理 1 I 由 是 在 電 漿 内 產 生 之 離 子 • 由 於基 髗21 之僱壓 之作 用•所 1 1 1 Μ 垂 直 的 射 入 到 基 體 21 1 利 用 瑄種 方式 可以改 善底 部被覆 1 1 率 〇 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（（’NS ) A4規格（210X 297公釐） —21 - A7 B7 經濟部中央標率局負工消费合作社印製 五、發明説明 (19 ) 1 1 在 上 述 之 第 1處理例中 霣漿產生霣極之材質為肽 該 1 1 I 钛 是 堆 積 m (氮化呔） 之 構 成 元 件 之 —* 0 因 此 即 使 霣 漿 產 1 1 生 霣 掻 被 嗅 濺 使該 霣 極 材 質 混 入 到 薄 膜 時 1 亦 不 會 在 堆' 請 先 1 1 積 薄 膜 產 生 污 染 物質 0 閲 讀 背 1 1 當 在 處 理 室 之 内鑒 面 近 傍 形 成 有 多 尖 峰 磁 埸 時 在 離 開 之 注 1 | 處 理 室 之 内 壁 面 大約 5 c M上之處理室中心部 可Μ維持 意 事 項 1 比 較 均 一 之 良 好 霣漿 〇 要 使 大 型 之 基 « 能 夠 優 良 之 均 —> 再 填 -1 性 (膜厚分布 膜質分布 底部被覆率之均- -性） 進 行 成 膜 寫 本 頁 1 時 形 成 該 多 尖 峰磁 埸 非 常 有 益 〇 尤 其 是 當 基 體 和 僱 壓 霣 1 1 力 供 給 源 併 用 時 ，可 JW 獾 得 均 —. 性 良 好 之 底 部 被 覆 率 • 具 1 1 有 更 進 曆 之 效 果° 經 由 形 成 該 多 尖 峰 磁 場 在 上 述 之 氮 1 訂 化 呔 之 薄 膜 製 作 之處 理 例 之 悄 況 時 在 直 徑 6时之矽晶片 1 1 内 可 Μ 獾 得 士 3ΧΜ内 之 膜 厚 分 布 〇 ' 1 1 其 次 下 面 將 說明 第 2處理例之薄膜製作c 使用四氱化 1 1 肽 作 為 第 1原料 使用氫氣作為第2原 料 使 用 氟 氣 作 為 第 •L k 3原料 >流量是四氰化呔為每分瞳20奄升 氲氣為每分雄 •1 30 毫 升 和 氬 氣 為每 分 鐘 35 m 升 〇 處 理 室 20内 之 m 力 设 定 1 1 | 在 大 約 1Ρ a 綦Μ 21之溫度設定在550 Ό 600 Ό >高頻霣 1 1 源 52之 輸 出 為 2 · 5kW >霄容器8 1之電容量為500 PF 〇 當 it - 1 1 條 件 製 作 薄 膜 時 ，由 於 下 靥 之 材 霣 之 不 間 使 薄 膜 之 成 分 I 1 亦 變 成 不 同 〇 例 如， 在 下 層 為 氧 化 矽 m 之 情 況 時 > 所 播 得 1 I 之 薄 膜 為 金 腦 钛 。另 外 * 在 下 靥 為 矽 之 情 況 時 所 獲 得 之 1 1 薄 m 為 呔 矽 化 物 (T i S i 2 ) 。在此種薄臌製作時 •利用本發 1 1 I 明 之 裝 置 時 不 會 覼測 到 習 知 之 装 置 之 由 於 霣 漿 之 因 時 變 化 1 1 本紙張尺度適用中國國家梯準（（，NS ) A4規格（210X297公釐） 22 五、發明説明（20 )

A7 B7 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印掣 導之肽部尖· 纟 《ΙΜ 減下所 定丨肽低時良 情 之Bl»® 多好Isifsnflx度 SIKM ilusai、況辛 之 fte 金接之良 錢之 U 為»«有 UKIS不WI1C之tta0 優金種之述性 0氯1>度氯問入^ 成 屬部之被 薄 性有此路上一CV有用濃使之混 u«金觸埸部 物 現會。霣用均 漿入時氯以膜於«J±u 性 M。 接磁底 合 再不濺髓使得a混 之可性由 U 特 题之蜂之 化 之面哦積當獾M成11中-爾2)1>之&間路尖部 之 转 ( 0 i ^ 定表被 《·κ ，肜 D 膜時導。 <膜 之電多邊 肽 穩之面導況可 漿易^;之8|系»°^。該^述«和周 或 «極表半情， 霣容漿時鵂呔*r繚以 上積壓髑 鼷 堆電之為種時 度很霣這Η到 >甌所，除 《 偏綦 薄 M生極作埴源 密，之。基入 Mu 之.時消導 » 在 呔 可產 «用在給 低時明 ® 加混 Η 。 媒化 以半基且 《 , 漿生使。供。用» 發之施氮殳升配變¾可為用而 金 象電產被膜力膜使薄本澤中 上生時 DK 作併好 之 現在漿縝之電薄當之用光膜中 Η 數發因CV所用在良 述 之，電薄用壓之，物使屬成其il«係會之漿-使，性 上 漿外使物阻餳良中化當金在。Μ 姐時贓霣低被膜一 有. 该 電另畲化霣體優術矽，有當下霣重該明降膜之均 含 生。不矽觸基率技肽膜具 ，之嚴生發以薄用得。包 產 _ 亦肽接和覆知和色之外π(1膜以發本可之阻獾麟作 能薄，和低場被習呔黑阻另0.- 該所會用最物爾以薄製 不賊著膜減磁部在雇之電。到㉖使，，採有化觸可之在 和霣附薄之 峰底/ 金阻低下小所以 料時。含矽接 * 好 -------,--,—裝------訂-----ί線i (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210 X 297公釐） 23 經濟部中央標準局貝工消費合作社印取 A7 B7 五、發明説明（21 ) 況·當使用金靨肽製之管作為霣漿產生霣極時，即使霣漿 產生«極多少畲被嗔濺•因為钛不會捕捉不鈍物•所W可 以獲得沒有不肫物混入之良好#爾之薄膜。 下面將說明作為第3處:_丨抽春I非释形砂薄W之製作例。 :樣 其中不使用原料容器la和lc，niir使用硅烷作為原料容器lb 之原料。硅烷之流量是每分鏟20«升。處理室20内之懕力 設定在大約IPa*基臞21之溫度設定在15012〜300Ό。高 頻«源52之_出為0.5kW«>霣容器81之《容置為500pP。可 KK此條件堆積非晶形矽膜。在埴種情況時，不會観測到 習知之裝置之電漿之因時變化和不能產生霣漿之現象。另 外，當將偏壓豳加到基«時，可以依照偏壓霣力控制鼷中 之氫瀟度。在非晶肜矽膜之電特性中，膜中之氳澜度和氫 之结合狀態非常重要，利用基《偏壓a力加以控制非常有 利0 下面將說明作為第4處理例之氧化矽薄臃之製作例。其 中不使用原料容器la·和使用硅烷作為原料容器lb之原料 *使用氧氣作為原料容器lc之原料。流最是，娃烷為毎分鏞 80奄升*氧氣為每分鐘160亳升。處理室20内之壓力設定 在大約IPa，基賊21之溫度設定在150TC〜300tl。离頻II 源52之幢出為2.5klV。電容器81之電容量為500pF。可 此條件堆稹氧化矽薄膜。在埴種情況•使用本發明之装置 時•不需要設置外部霄極方式所使用之大离頻窗*可以防 止由於高頻窗之破損而造成之故陣。在製作該氧化矽薄_ 之情況時*例如在基體施加1.0〜2. 5,之蝙壓®力時*可 本紙張尺度適用中國國家橾準（C'NS〉Λ4規格（2丨0X297公犛） _ 2 4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 .線i · Λ7 B7 經濟部中央標率局貝工消费合作社印策 五、發明説明 (22 ) 1 1 以 將 氧 化 矽 膜 埋 入 到 基 體 上 之 各 種 配 線 膜 間 之 撖 綑 之 間隙 1 1 | 中 〇 因 此 本 發 明 之 裝 置 用 來 製 作 各 種 配 線 m 間 之 曆 間絕 1 1 緣 膜 亦 非 常 有 用 〇 請 先 1 1 下 面 將 詳 细 銳 明 與 上 述 之 氧 化 矽 薄 膜 之 製 作 有 Μ 之 配鑲 閱 讀 背 1 I 面 1 I 膜 之 間 隙 埋 入 特 性 〇 作 為 基 體 者 是 使 用 直 徑 200b Β之砂晶 之 1 注 1 片 在 其 上 肜 成 有 配 線 用 之 鋁 合 金 之 微 细 圓 m 型 〇 在 該 配 線之 1 項 1 間 需 要 堆 積 沒 有 空 孔 殘 留 之 絕 緣 膜 藉 Μ 確 保 配 線 間 之絕 再 填 緣 〇 不 使 用 基 钃 偏 懕 施 加 機 構 當 利 用 本 發 明 之 霣 漿 CVD 寫 本 頁 裝 1 裝 置 堆 積 氧 化 矽 m 時 舍 在 配 線 間 之 微 细 之 满 (例如幅度 1 1 0 . 5 Μ B 深 度 1 u α )之人口附近 堆積突出狀之瞋 >因此 1 | > 在 配 線 間 會 殘 留 空 孔 〇 與 此 相 對 的 當 使 用 基 Η 傾 壓施 1 訂 加 m 構 時 則 不 舍 在 配 線 間 產 生 空 孔 〇 1 1 另 外 對 於 所 製 成 之 氧 化 矽 薄 m 紅 外 吸 收 分 光 分析 1 1 評 估 膜 質 時 在 未 使 用 有 基 體 偏 壓 m 加 櫬 構 之 情 況 可以 1 1 覼 察 到 由 於 被 包 含 在 膜 中 之 水 所 引 起 之 0- Η之伸鎺振動光 線 譜 和 由 於 Si 一 0Η所 引 起 之 〇- Η之伸縮振動光鱔 )在- -般之 1 膜 中 假 如 闼 緣 腰 中 混 入 有 此 等 不 m 物 時 會 使 可 靠 度 降低 1 1 I 〇 與 此 相 對 的 當 使 用 有 基 髑 偏 懕 豳 加 機 構 時 可 以 減少 1 1 該 等 不 純 物 不 會 観 察 到 上 逑 之 光 辑 〇 亦 即 經 由 對 基臞 1 1 雎 加 偏 m 霣 力 可 Μ 改 良 m 質 〇 1 1 下 面 將 說 明 第 5處理例 >此處理例使用圈8之 装 置 〇 開Μ 1 1 84埋 接 在 霣 極 電 位 控 制 櫬 構 80 a ( >在圖8和 U 2中 使用四 1 1 I 氣 化 呔 作 為 放 入 原 料 容 器 1 a 之 第 】原料 •使用氬氣作為放 1 1 入 原 料 容 器 1 b 之 第 2原枓 •和使用氮氣作為放入原料容器 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X 297公釐） 25 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（23) lc之第3原料。滾最是四氯化肽為每分鐘20«升，氫氣為 每分鏟30毫升 > 和氮氣為每分鐘10毫升。處理室20内之壓 力設定在大約IPa·基驩21之溫度設定在450TO〜600Ό。 高頻電源52之輪出為2.5 kV/。圖8之可變霣容器81a之霣容 量為可W在10〜1500pF範園變化之電容量。另外，經由監 視在爾漿產生電極61所感應出之直流偏壓•調節霣容器之 «容量*用來使直流偏壓成為-2 50V。凿Μ此條件製作薄 _時，Μ每分鏞大約30η·之速度堆稹Μ氮化呔作為主要成 分之《。而且即使製作100批之薄膜，亦可以製作再現性 大致相同之薄_。下面將說明第6處理例。在該處理例中使用有圈10之裝 I* 置。開U 84連接在霣極霣位控制櫬構80b。導人氣體之種 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· ,11 » 間 量相 流例 和理 類處 5 第 之 述 上 與 等 出 _ 之 2 5 源 電 頻 高 度 溫 « 基 位 霣 極 電 為 作 2 8 源 電 流 直 用 使 是 點 之 同 不 其 產容 漿霣 霣變 制可 控， 來時 用埴 2 8 0 源OV 325 流I 直.ui 固 用其IK 偏 汲 ο b 直 80之 構61 機捶 制電 控生 另 50的 為揉 定同 固例 量理 容處 電 5^ 0 之 - a 之 81述 器上 與 時 膜 薄 作 製 件 條 此M 當 積 堆 度 速 之 m η ο 3 約 大 鐘 分 每Μ .線！ 化 氮Μ 膜 之 分 成 要 主 為 作說為 8 所為 鈦將作構13時 中 例 理 處 此 在 0 例 理 處 7 第 明 說 將 面 下 圖 用 使 綢Μ 機圈壓 制用常 控使溫 0 開 〇 質 材 之 極 電 生 產 漿 電 置位 裝霣 之播 在 接 連 10常狀 構在Η 機容液 入收在 導來， Μ 用料 氣，原 , 器» 外容液 另體之 。 液部 線是内 地Id· 在器料 接容原 埋料之 87原態 U 。 狀 開者觸 , 示液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 26 A7 B7 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（24 ) 態被流悬控制器12d控制滚量•在氣化器14被氣化。原料 容器le、If為高懕氣體瓶，放人其中之原料氣»被減壓閥 lie、Ilf減壓•和被流最控制器12e、12f控制流量。使用 雙六氟乙酰丙酮酸網（Cu(hfac)2>之10X2丙酵溶液作為被 放入到原料容器Id之第1原料，其流量為每分鐮0.6g。使 用氫氣作為放入原料容器le之第2原料•該氫氣之滾最為 每分鐘100«升*在氣化器14與第1原料混合。娌由閥13d 將該混合氣《辱入到處理室20。作為放入原料容器If之第 3原料亦使用氳氣•其流量為每分鐮300奄升*經由閥13f 被導入到處理室2 0。處理室2 0内之IS力設定在大約3 P a， 基«21之溫度設定在250*0。高頻霄源52之_出為1.5k叱。 當Μ此條件製作薄膜時· K每分鐘大約2〇ηπ之速度在基》 上堆積以鋦作為主要成分之膜。此種綱搜膜可以被使用作 一 為半辱髑積««路之配線。在此實施形態中•因為Μ網作 為霣漿龕生霣極之材質•堆稹網薄膜 > 所以電漿產生霣極 之材質即使混入到》中亦不會成為不純物。 下面將說明第8處理例。在此處理例中·使用圈1之裝置 作為乾蝕刻装置。開U84埋接在電極霣位控制櫬構80，開 翡87連接在地線。不使用原料容器〗a·使用氱氣作為原料 容器lb之原料*和使用三氱化硼（BCA3)作為原料容器lc 之原料。流量是氯氣為每分鏟50*升•三氯化硼為每分鐘 50«升。處理室20内之懕力設定在大約10.3Pa，基《21之 溫度設定在100T。高頻«源52之输出為2 kW。爾容器81之 ®容量被變更為300pF。作為處理基f|21者是在直徑6时之 本紙张尺度適用中國國家梯準（CNS )八4规格（2丨0〆297公簸） _ 〇7 - m n fn m^i In— \ 1 ml (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局員工消费合作社印製 3 Ο 5 Ο ^ 0 Α7 * Β7五、發明説明（25 ) 矽晶片上堆積l/i·之矽氧化膜·再在其上堆稹之鋁· 然後以光抗蝕劑進行型製作。光抗蝕則之塗布匾型是塗 布幅度為0.5W·，未被塗布之溝幅為0.5/iB之線和空間圖 型。霣出到該溝幅之部份之鋁被乾蝕刻。其结果是可以Μ 每分鐮100η·之鈾刻速度蝕刻鋁薄膜。在埴種情況時，不 會有對霣漿產生爾極之_附著或電漿產生霄極之哦濺琨象 。另外•未觀澜到有霣漿之因時變化或不穩定現象•可Μ 進行具有再琨性獼定之乾蝕刻。在此種乾蝕刻處理中*經 由對基鰌旛加偏壓，可Μ進行異方性鈾刻。 下面所銳明之處理例是在圈1之裝置中·使開闢84速接 到地線，和使關W 87璲接到内壁霣位控制櫬構85。另外· ^ 作為内壁電位控制櫬構85者除了電容器86外*通併用圖10 所示之廬滾霣灌82和電感器83之串_霣路。利用埴種方式 *可Μ在50〜600V之間綢整處室内蘧之電位。如此一來· 霣漿產生爾捶61所產生之高電漿電位和處理室内壁之霣位 之間不會有很大之差•用Μ防止異常放電。利用此檷基本 之«路構造可Μ實施下面所述之第9處理例至第13處理例。 首先說明作為第9處理例之氮化呔膜之製作例。在圈1和 _2中，使用四氱化肽作為放入原料容器la之第1原料，使 用氫氣作為放入原料容器lb之第2原料*和使用氮氣作為 放入原料容器lc之第3原料。流量是四氣化鈦為每分鐘20 毫升·氬氣為毎分鐘200毫升和氮氣為每分鐮20«升。處 理室20内之壓力設定在大約1.3Pa·基體21之港度設定在 450*C〜600t：。高頻霣源52之_出為3.0kW。另外，使用 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝'

•1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公I ) 28 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2β ) 内壁霄位控制_構85對處理室20施加300V之霣壓。當以此 條件«{作薄臟時，以每分鐘大約60η·之速度堆憒Μ觀化钛 作為主轚成分之膜。埴時不會觀澜到習知之装置之®漿之 因時變化和不篛產生霣漿之琨象，本發明用來製作氮化钛 之寿««薄膜非常有效。另外•在锺漿產生霣極之表面不 會有金層薄臟之附蕃。 _7是本發明之電漿CVD装置之另一*施形態之主要部份 之構造_。在該實施形軀中，於霄漿產生霣極61之上方配 置有霣磁線圈130。其Μ外之部份之構造與_1之實«形態 相間。該霣磁繚圈130所產生之磁力線131，通进1圈線圈 之形狀之霣漿產生«極61之中心附近之後進行發敗。利用 該磁力媳131之動作，可Μ在處理室20内產生更高密度之 «漿。另外，在該實施形戆之裝置中，可W很容易開始放 霣。使用該_7之裝置，使45Α之霣流在電磁維130流動> 用來進行與上述第9處理例相同之薄膜製作，所獲得之氮 化肽«之成綱速度變成為毎分鑲大約6〇ηΐη· 8时晶片内之 縝厚分布大約為±5!ϋ。當與未使用有霣磁鐵130之情況比 較時•該膜厚分布具有5ϋί程度之改菩。 下面將說明第10處理例之薄膜製作。使用四氯化钛作為 第1原科，使用簠氣作為第2原科，和使用縝氣作為第3原 料。流量是四氯化肽為每分鏡20奄升*氫氣為每分繾200 囊升，和«氣為每分鐘35«升。處理室20内之懕力設定在 大約IPa，基鱺21之溫度設定在550Τ)〜600t：。高頻電源 52之_出為2.5kW。另外，使用内鐾電位控制櫬構85對處 本紙張尺度適闲中國國家梂準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） _ 〇 q _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Μ A7 B7 經濟部中央梯準局員工消費合作社印掣 ^、發明説明（27 ) 理室20Μ加300V之霣壓。當以此條件製作薄膜時，由於下 爾之衬質之不间使«之成分互異。例如•在下曆為氣化矽 «之情況時，所獲得之薄綱為金属钛。另外，在下層為矽 之情況時，所獾得之薄膜為肽矽化物（TiSi2)。 下面將銳明作為第11處理例之非晶形矽薄臢之製作例。 其中不使用原料容器la和lc，和使用硅烷作為原料容器lb 之原料。硅烷之液最為20«升。處理室20内之懕力設定在 大妁IPa，碁钃21之溫度設定在15〇υ〜300勺。高頻《源 52之_出為0.5kM/。S外*使用内g霣位控W機構85對處 理室20_加200V之電臞。可此條件堆積非晶肜矽_。 下面將說明作為第12處理例之氧化矽薄齲之製作例。其 中不使用原科容器la·使用硅烷作為原料容器lb之原料· 使用填氣作為原科容器lc之原料。流量是硅垸為每分鐘80 毫升，氣氣為每分鐘160毫升。處理室20内之壓力設定在 大妁IPa，基» 21之溫度設定在150ΊΟ〜300 Ό。高頻霣源 52之输出為2.5kW。另外，使用内壁電位控制機構85對處 理室20豳加300V之霣壓。可此條件堆積氧化矽薄膜。 下面將銳明第13處理例。使用四氯化肽作為放入原料容 器la之第1原料，使用氯氣作為放入原料容器lb之第2原料 •和使用氪氣作為放入原料容器lc之第3原料。流量是四 氣化钛為每分鏟20毫升，氫氣為每分鐘200毫升，和氮氣 為毎分總10秦升。處理室20内之壓力設定在大約IPa，基 «21之曲度設定在450¾〜600¾。高頻霣源52之_出為 2. 5k W。S外，使用内壁電位控制懺構85對處理室20施加 本紙張尺度適用中®國家標準（CNS > A4規格（2丨Ο X 297公《 ) (請先閱讀背面之注f項再填碎本頁) 裝· »-· A7 B7 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印策 五、發明説明 (28 ) 1 1 300V 之 η 懕 〇 當 Μ 此 條 件 製 作 薄 m 時 ， 可 Μ Μ每 分 鐘 大 約 1 1 3〇na 之 速 度 堆 積 以 氮 化 呔 作 為 主 要 成 分 之 膜 0 1 1 下 面 所 說 明 之 處 理 例 是 在 圈 1之裝置中 >使開Μ 84連接 、 請 先 1 1 在 霣 極 霣 位 控 制 機 構 80 > 和 使 開 闞 87連 接 在 •内壁 窜 位 控 制 閱 讀 背 1 1 m 構 85 0 作 為 内 壁 電 位 控 制 m 構 85者 除 了 霣 容器 86外 埋 ιέ 之 注 1 | 併 用 有 如 圈 10所 示 之 直 流 電 源 82和 電 感 器 83之串 聯 霣 路 0 意 事 項 1 利 用 此 種 基 本 爾 路 構 造 用 來 實 施 下 面 所 示 之 第14 實 施 例 〇 再 填 寫 1 在 第 14處 理 例 中 其 導 入 氣 體 ΛΛΜ. 之 種 類 和 流 量， 基 η 溫 度 本 頁 知 1 t 高 頻 電 源 52之 m 出 等 與 上 述 之 第 13處 理 例 相同 〇 其 不 同 1 1 之 點 是 在 電 m 產 生 霣 極6丨和地線之間設置堪容器8 1 霄容 1 I 器 8 1 之 m 容 最 為 500p F = 當Μ此條件製作薄膜時 與上述 1 η 訂 之 第 13 虞 理 例 同 搛 的 可 Μ 以 每 分 鐘 大 約 為 3 0 η η 之 速 度 堆 1 1 稹 W 氮 化 钛 作 為 主 要 成 分 之 膜 〇 1 1 到 百 前 為 止 所 述 之 處 理 例 所 使 用 之 霄 漿 產 生霣 棰 是 m 3 1 1 所 示 之 1圔之線圈形狀 直徑為1 40 mm 但 是 本發 明 亦 可 以 .r 使 用 如 圆 11 和 騸 12所 示 之 各 棰 形 狀 之 電 漿 產 生電 極 〇 在 埴 1 棰 情 況 時 » 要 採 用 何 種 形 狀 m 著 電 漿 處 理 條 件而 異 〇 所 採 1 1 I 用 之 霣 漿 產 生 電 極 之 形 吠 和 尺 寸 在 霄 漿 CVD時要考慮膜 1 1 厚 分 布 ， 在 乾 蝕 刻 時 要 考 慮 蝕 刻 速 度 分 布 〇 例如 » 在 使 用 1 1 直 徑 1 4 0 n m之1 圈 線 圈 之 霣 漿 產 生 甯 極 之 情 況 時， 與 上 述 第 1 I 9處理例相Μ的 在使用圈7 之 電 磁 撖 1 3 0之情況 8时 晶 片 1 I 内 之 膜 厚 分 布 大 約 為 土 5¾ 當 Μ 力 變 更 為 0 . 5pa時 瞑厚 1 1 1 分 布 就 變 成 土 8¾ 〇 另 外 1 凿 爾 漿 產 生 爾 極 之 直徑 從 140m BI 1 1 變 更 成 為 16 0m ra時1 在8时 晶 Η 内 之 膜 厚 分 布 躭回 到 土 5¾ 〇 1 1 本紙张尺度適用中國國家標準（（NS ) Λ4規格（2丨0X297公釐） -3 1 ~ 305096 Λ7 經濟部中央標準局ϋΒ：工消費合作社印製 B7五、發明説明（29 ) 依照埴種方式，經由變更電漿產生電槿 > 可以改菩處理分 布。 £發明之效果] ! ' / 本發明因為可以使爾漿產生電極和電漿及處理室内壁之 相對電位顒係成為最佳化，所Μ可以獲得很少因時間而變 化之播定之低壓高密度電漿。因此，可以實細高品質之電 漿處理。 [附圖之簡單說明] 圖1是本發明之堪漿CVD裝置之一實施形態之構造鼸。 ，國2是氣體専入機構之構造圈。 _ 3是電漿產生電極之平面_。 η 圖4是將絕緣環之一部份切斷之斜視圈。 圖5是圖1之5-5線之剖面圖。 _6之圖形用來表示底部麯覆率與基«偏遯用電力之相 Μ性。 圓7是本發明之爾漿CVD裝置之另一實施形態之主要部份 構造圈。 圖8是構造圈•用來表示霣極電位控制槲構之另一變化 例0 圖9之圈形用來表示霣容器之電容量和霄漿產生電極之 直流偏饜之Μ係。 _10是構造圈•用來表示爾極電位控制機構之另一變化 例。 圖11是斜視圔1 ·用來表示爾漿產生電極之變化例。 -32 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. -、1Τ Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（rNS ) Λ4規格（2Ι〇Χ 297公釐） 五、發明説明（3〇 視 斜 是 2 1X _ A7 B7 另 之 極 電 生 --«-fit 產 漿 示 表 來 用 例 化 變 _ 造 構 之 例 化 變 之 構 櫬 入 導 髏 氣 是 3 11 圆 明 說 之 號 符 00150012101560 12223566788889 氣處基基排霣電導絕電第內第偏 構 機 構 極制 機 器源霄 控 入 持構給生子 位 導室 保櫬供產端環電 |§理 《體氣力漿入緣極

控 器ύ器力 L電電電 ϋ 壁2SM 構 機 制 源 給 供 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ”裝 訂 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家椋準（CNS ) Λ4规格（2!0Χ297公釐）

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 1 . 一種電漿C V D裝置•具備有：處理室；排氣機構，用 來將處理室内排氣成輿空；氣體専入機構，用來將原料氣 體専入到處理室内；和®漿產生堪極，被配置在處理室内 . ;經由將電力供給到霜漿產生電極用來產生堪漿藉Μ在處 理室内之基骽上堆積薄膜；其特徵是： 上述之電漿產生電極具備有二個端子，其一方之端子連 接到高頻電力供給源，其另外一方之端子經由電極電位控 制機構被接地，和上述之處理室經由内壁電位控制機構被 接地。 2.如申請專利範圍第1項之電漿CVD裝置，其中上述之電 極電位控制櫬構具備有第1電容器。 .. 3.如申請專利範圍第1項之電漿CVD裝置，其中上述之電 極電位控制機構具備有：第1電容器，被連接在上述之另 外一方之端子和地線之間；和甯感器與直流電源之串聯罨 路，被連接在上述另外一方之端子與上述第1電容器之間 之連接點，和地線之間。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4.如申請專利範圍第1項之電漿CVD裝置，其中上述之内 壁電位控制機構具備有第2電容器。 5 .如申請專利範圍第1項之锺漿C V [)裝置，其中上述之内 壁電位控制機梅具備有：第2電容器，被連接在處理室和 地線之間；和遒感器與直流電源之串聯電路，被連接在處 理室與上述第2電容器之間之連接點，和地線之間。 6 . —種電漿C V D裝置，具備有：處理室；排氣機構，用 來將處理室内排氣成真空；氣趙専入機構*用來將原料氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Λ4規格（210X 297公釐） -1 - Λ8 B8 C8 D8 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範 圍 1 1 體 導 入 到 處 理 室 内 9 和 m 漿 產 生 電 極 * 被 配 置 在 處 理 室 内 1 1 經 由 將 電 力 供 給 到 m 漿 產 生 電 極 用 來 產 生 電 漿 賴 以 在 處 1 1 理 室 内 之 基 體 上 堆 積 薄 膜 其 特 m 是 /-—>. 請 先 1 1 上 述 之 電 漿 產 生 轚 極 具 備 有 二 個 端 子 » 其 __. 方 之 端 子 連 閱 讀 背 1 I 接 到 高 頻 電 力 供 給 源 其 另 外 ——* 方 之 端 子 經 由 電 極 電 位 控 Sj 之 1 注 1 制 jyjft 愤 構 被 接 地 和 上 述 之 處 理 室 被 接 地 〇 意 事 項 I 7 . 如 申 請 專 利 $1 圍 第 6項之電漿C V D裝 置 其 中 上 述 之 電 再 4 % 裝 1 極 電 位 控 制 做 構 具 備 有 Μ 1電容器< 本 頁 8 . 如 申 請 專 利 範 圍 第 6項之電漿C VD 裝 置 其 中 上 述 之 電 '_ 1 1 極 笛 位 控 制 機 構 具 備 有 第 1電容器 被連接在上述 1 I 之 另 外 -- 方 之 端 子 和 地 線 之 間 和 蜇 感 器 與 直 流 電 源 之 串 1 1 訂 聯 電 路 被 連 接 在 上 述 另 外 . 方 之 端 子 與 上 述 第 1電容器 1 I 之 間 之 連 接 點 和 地 線 之 間 〇 1 1 9 . —. 棰 電 漿 C V D裝置 具備有 處理室 排氣機構 用 1 1 來 將 處 理 室 内 排 氣 成 真 空 氣 艘 導 入 m 構 用 來 將 原 料 氣 1 .一 妹 1 | 體 導 入 到 處 理 室 内 和 m 漿 產 生 電 極 被 配 置 在 處 理 室 内 > 經 由 將 電 力 供 給 到 電 漿 產 生 電 極 用 來 產 生 電 漿 藉 以 在 處 1 1 理 室 内 之 基 體 上 堆 積 薄 膜 其 特 徴 是 1 1 上 述 之 堪 漿 產 生 電 槿 具 備 有 .一 個 端 子 其 . 方 之 端 子 連 1 1 接 到 高 頻 電 力 供 姶 源 其 外 一 方 之 端 子 被 接 地 和 上 述 1 I 之 處 理 室 經 由 内 壁 電 位 控 制 機 構 被 接 地 0 1 1 I 10 .如申請專利範圃第9項 之 電 漿 C V D裝置 其中上述之 1 1 内 壁 電 位 控 制 機 構 具 備 有 第 2電容器< ) 1 1 11 .如申請專利範圍第9 項 之 電 漿 C V D裝置 其中上述之 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公後） -2 ~ A8 B8 C8 DH 六、申請專利範園 内壁電位控制櫬構具備有：第2電容器，被連接在處理室 和地線之間；和電感器與直流電源之串聯電路，被連接在 處理室與上述第2電容器之間之連接點，和地線之間。 1 2 .如申請專利範圈第2、3、7、8之任何一項之電漿C V D 裝置，其中上述之第1電容器之靜電容最為IOOpF〜10wF。 1 3 .如申請專利範圍2、3、7、8之任何一項之電漿C V D裝 置，其中上述之第1電容器爲可變電容器。 1 4 .如申請專利範圍第1至1 1項之任何一項之電漿C V D装 置*其中上述之電漿產生電極之表面為導電體。 1 5 .如申請專利範圍第1至1 1項之任何一項之電漿C V D裝 置*其中上述之電漿產生電極實質上是1圈之線圈。 >1 1 6 ·如申請專利範圍第1至1 1項之任何一項之電漿C V D裝 置，其中上述之電漿產生電極是捲繞1圈以上之線圈。 1 7 .如申請専利範圍第1至1 1項之任何一項之電漿C V D裝 置，其中上述之電漿產生電極在一個平面內被捲繞成旋渦 狀。 經濟部中央標準局爲工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 18.如申請專利範圍第1至11項之任何一項之電漿CVD裝 置，其中上述之電漿產生電極是1根直線狀之棒。 1 9 .如申謫專利範圍第1至1 1項之任何一項之電漿C V D裝 置*其中上述之電漿產生電極是2根以上之直線狀之棒排 列成並排。 2 0 .如申謫專利範園第1至1 1項之任何·項之電漿C V D裝 置·其中上述之電漿產生11極是1片平板狀之板。 2 1 .如申請專利範圃第1至U項之任何一項之爾漿C V D裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠) _ ? _ 305096 H C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 置 其 中 上 述 之電漿 產 生 電 極 之 内 部 被 流 體 冷 卻 〇 1 1 22 .如申請專利範圍第1至11項 之 任 何 項 之電漿C VD裝 1 1 置 其 中 上 述 之電漿 產 生 電 插 之 表 面 之 材 質 » 與 所 欲 堆 積 ， —V 請 先 1 1 在 基 SS 上 之 薄 膜之材 質 相 同 0 閲 讀 1 背 1 23 .如申請専利範圍第1至11項 之 任 何 一 項 之電漿CVD裝 面 之 1 注 1 置 其 中 上 述 霄漿產 生 電 極 之 表 面 之 材 質 是 所 欲 堆 積 在 基 意 ψ 1 項 龌 上 之 薄 膜 之 成分之 一 部 份 〇 真 填 1 裝 1 24 .如申請專利範園第1至11項 之 任 何 ~ 項 之 罨 漿CVD裝 寫 本 頁 置 其 中 具 備 有多尖 峰 磁 場 產 生 機 構 可 在 上 述 處 理 室 1 I 之 内 部 產 生 多 尖峰磁 場 〇 1 I 25 .如申請專利範園第1至11項 之 任 何 —- 項 之電漿CVD裝 1 1 訂 〆置 > 其 中 上 述 之排氣 櫬 構 具 備 有 壓 力 控 制 櫬 構 用 來 將 上 述 1 瘅 理 室 内 之 壓 力控制 成 為 __. 定 之 壓 力 0 1 1 26 .如申請専利範圍第1至11項 之 任 何 項 之 霣 漿 C VD裝 1 I 置 ， 其 中 更 具 備有偏 m 施 加 櫬 構 用 來 將 偏 懕 施 加 在 上 述 之 1 V 1 基 體 〇 27 -種電漿CVD方 法 經 由 將 原 料 氣 體 導 人 到 處 理 室 9 1 將 電 力 供 給 到 被配置 在 處 理 室 内 之 電 漿 產 生 電 極 用 來 產 生 1 1 漿 J 藉 Μ 在 處理室 内 之 基 體 上 堆 積 導 電 性 之 薄 膜 其 特 1 | 激 是 • 1 I 上 述 之 電 漿 產生電 極 具 備 有 二 個 端 子 其 一 方 之 端 子 連 1 1 接 到 高 頻 電 力 供給源 其 另 外 一 方 之 端 子 經 由 電 極 電 位 控 1 1 制 櫬 構 被 接 地 ，和上 述 之 處 理 室 經 由 内 壁 電 位 控 制 機 構 被 1 1 接 地 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -4 - ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 28 -種電漿CVD方 法 經 由 將 原 料 氣 體 導 入 到 處 理 室 V 1 1 將 電 力 供 給 到 被 配 置 在 處 理 室 内 之 電 漿 產 生 電 極 用 來 產 生 1 1 電 徵 漿 是 » 藉 >λ 在 m 理 室 内 之 基 體 上 堆 積 導 電 性 之 薄 膜 其 特 ， /—\ 請 先 閱 1 1 I 讀 1 背 1 上 述 之 電 漿 產 生 電 極 具 備 有 二 個 端 子 其 一 方 之 端 子 連 面 之 1 注 1 接 到 高 頻 電 力 供 給 源 其 另 外 一 方 之 端 子 經 由 罨 極 電 位 控 意 拳 1 項 制 慨 構 铍 接 地 和 上 述 之 處 理 室 被 接 地 〇 再 1 29 -種堪漿C V D方法 經 由 將 原 料 媒 體 導 入 到 處 理 室 » 寫 本 頁 裝 1 將 電 力 供 給 到 被 配 置 在 處 理 室 内 之 電 漿 產 生 電 極 用 來 產 生 1 1 堪 漿 9 藉 Μ 在 處 理 室 内 之 基 艚 上 堆 積 導 電 性 之 薄 膜 其 特 1 I 激 是 1 1 訂 ί» 上 述 之 電 漿 產 生 霄 極 具 備 有 二 個 端 子 其 方 之 端 子 連 1 接 到 高 頻 電 力 供 給 源 其 另 外 一 方 之 端 子 披 接 地 和 上 述 1 1 之 處 理 室 經 由 内 壁 電 位 控 制 做 構 被 接 地 〇 1 I 30 -種乾蝕刻裝置 具備有 處理室 排氣機構 用 1 ♦ 來 將 處 理 室 内 排 Μ 成 興 空 氣 體 導 人 機 構 用 來 將 處 理 用 1 •1 1 氣 體 導 入 到 處 理 室 内 和 霣 漿 產 生 電 極 被 配 置 在 處 理 室 内 娌 由 將 電 力 供 給 到 爾 漿 產 生 堪 極 用 來 產 生 堪 漿 ， 賴 Μ 1 1 對 處 理 室 内 之 基 體 上 之 薄 膜 進 行 蝕 刻 其 特 微 是 * 1 I 上 述 之 電 漿 產 生 電 極 具 備 有 二 個 端 子 * 其 . 方 之 端 子 速 1 I 接 到 高 頻 電 力 供 給 源 > 其 另 外 一 方 之 端 子 經 由 電 極 電 位 控 1 1 制 m 構 被 接 地 ， 和 上 述 之 處 理 室 經 由 内 壁 電 位 控 制 櫬 構 被 1 1 接 地 〇 1 1 3 1 -種乾蝕刻裝置 ，具備有 :處理室 ;排氣機構 ，用 1 1 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Λ4現格（210X 297公痠） Λ8 B8 C8 DS 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 來 將 處 理 室 内 排 氣 成 輿 空 氣 體 導 入 櫬 構 用 來 將 處 理 用 1 1 | 氣 體 導 入 到 處 理 室 内 和 锘 漿 產 生 電 極 » 被 配 置 在 處 理 室 1 1 内 經 由 將 爾 力 供 給 到 電 漿 產 生 電 捶 用 來 產 生 電 漿 藉 以 對 . 請 先 1 1 處 理 室 内 之 基 AS 上 之 薄 膜 進 行 触 刻 其 特 激 是 : 閱 讀 背 ιέ 之 1 1 上 述 之 堪 漿 產 生 電 極 具 備 有 二 個 端 子 其 - 方 之 端 子 連 1 注 1 接 到 高 頻 電 力 供 給 源 其 S 外 一 方 之 端 子 經 由 笛 極 電 位 控 $ 1 制 機 構 被 接 地 和 上 述 之 處 理 室 被 接 地 〇 再 填 1 寫 裝 1 32 -種乾蝕刻裝置 具備有 處理室 排氣機構 用來 頁 將 處 理 室 内 排 氣 成 真 空 氣 體 導 入 慨 構 用 來 將 處 理 用 氣 1 1 體 導 入 到 處 理 室 内 和 锺 漿 產 生 電 極 被 配 置 在 處 理 室 内 1 I 經 由 將 電 力 供 給 到 電 漿 產 生 電 極 用 來 產 生 電 漿 m 以 對 處 1 1 訂 ，， 理 室 内 之 基 體 上 薄 膜 進 行 蝕 刻 : 其 特 徴 是 1 上 述 之 電 漿 產 生 電 極 具 備 有 二 個 端 子 其 一 方 之 端 子 連 1 1 接 到 高 頻 電 力 供 給 源 其 另 外 ___. 方 之 端 子 被 接 地 和 上 述 1 1 之 處 理 室 經 由 内 壁 電 位 控 制 機 構 被 接 地 〇 1 像 33 -種乾蝕刻方法 經由將處理用氣體導入到處理室 1 J 1 内 將 電 力 供 給 到 被 配 置 在 處 理 室 内 之 電 漿 產 生 電 極 用 來 產 生 電 漿 藉 Μ 對 處 理 室 内 之 基 體 上 之 薄 膜 進 行 蝕 刻 其 1 1 特 徴 是 1 1 上 述 之 電 漿 產 生 電 極 具 備 有 二 個 端 子 其 一 方 之 端 子 連 1 I 接 到 高 頻 電 力 供 給 源 其 另 外 方 之 端 子 經 由 電 極 電 位 控 1 I 制 機 構 被 接 地 ， 和 上 述 之 處 理 室 經 由 内 壁 電 位 控 制 機 構 被 1 1 接 地 〇 1 1 34 -種乾蝕刻方法 ，經由將處理用氣體導人到處理室 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS〉Λ4現格（210X297公釐） -6 - AUCD 六、申請專利範圍 内，將電力供給到被配置在處理室内之電漿產生電掻用來 產生電漿，藉Μ對處理室内之基體上之薄膜進行蝕刻；其 特微是： 上逑之霄漿產生電極具備有二個端子，其一方之端子連 接到高頻電力供給源，其另外一方之端子經由堪極電位控 制櫬構被接地•和上述之處理室被接地。 3 5 . —種乾蝕刻方法，經由將處理用氣體導入到處理室 内*將電力供給到被配置在處理室内之電漿產生電極用來 產生電漿，藉Μ對處理室内之基體上之薄膜進行蝕刻；其 特激是： 上述之電漿產生電極具備有二個端子，其一方之端子連 ,1 接到高頻電力供給源，其另外一方之端子被接地，和上述 之處理室經由内壁電位控制機構被接地。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 7 本紙恨尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）