JPH07254500A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH07254500A JPH07254500A JP6069137A JP6913794A JPH07254500A JP H07254500 A JPH07254500 A JP H07254500A JP 6069137 A JP6069137 A JP 6069137A JP 6913794 A JP6913794 A JP 6913794A JP H07254500 A JPH07254500 A JP H07254500A
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Landscapes
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】プラズマ処理装置に於いて、プラズマ中の荷電
粒子の壁面への衝突を抑止し、プラズマ発生用コイルの
抵抗を減少させ、更に構造の簡略化を図る。 【構成】反応室にプラズマ発生用コイル２４を設け、或
は又プラズマ発生用コイルの位置を変更可能とし、或は
プラズマ発生用コイルの表面を絶縁材２５で覆い、或は
プラズマ発生用コイルをパイプで形成し、プラズマ発生
用コイルに高周波電力を印加することによって生ずる交
番磁界が反応室壁面を貫通することがなくなり、プラズ
マ中の荷電粒子の壁面への衝突を抑止でき、反応室壁面
からの不要なガスの放出を防止でき、プラズマ発生用コ
イルのコイル径を小さくできてプラズマ発生用コイルの
抵抗を小さくでき、高周波電力の供給を効率的に行え
る。
粒子の壁面への衝突を抑止し、プラズマ発生用コイルの
抵抗を減少させ、更に構造の簡略化を図る。 【構成】反応室にプラズマ発生用コイル２４を設け、或
は又プラズマ発生用コイルの位置を変更可能とし、或は
プラズマ発生用コイルの表面を絶縁材２５で覆い、或は
プラズマ発生用コイルをパイプで形成し、プラズマ発生
用コイルに高周波電力を印加することによって生ずる交
番磁界が反応室壁面を貫通することがなくなり、プラズ
マ中の荷電粒子の壁面への衝突を抑止でき、反応室壁面
からの不要なガスの放出を防止でき、プラズマ発生用コ
イルのコイル径を小さくできてプラズマ発生用コイルの
抵抗を小さくでき、高周波電力の供給を効率的に行え
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の１つで
あり、プラズマを利用して半導体試料等被処理物を、Ｃ
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）処理、ドライエッチング、アッシング等の処理
をするプラズマ処理装置に関するものである。
あり、プラズマを利用して半導体試料等被処理物を、Ｃ
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）処理、ドライエッチング、アッシング等の処理
をするプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置、特にエッチン
グ処理装置を図８、図９により説明する。
グ処理装置を図８、図９により説明する。
【０００３】導電材料で且気密構造の真空容器１の上部
に石英、セラミックス等の絶縁材料から成る円筒２が気
密に連設され、該円筒２の上端は導電材料の蓋３で気密
に閉塞され、前記真空容器１、円筒２、蓋３で囲繞され
る空間は反応室１０を形成している。
に石英、セラミックス等の絶縁材料から成る円筒２が気
密に連設され、該円筒２の上端は導電材料の蓋３で気密
に閉塞され、前記真空容器１、円筒２、蓋３で囲繞され
る空間は反応室１０を形成している。
【０００４】前記真空容器１の下部には排気管４が連通
し、該排気管４には真空ポンプ５が接続され、前記蓋３
には前記反応室１０に反応ガスを導入するガス導入管１
１が連通されている。又、前記真空容器１の内部底部に
はシールドカバー６、絶縁カバー７を介して平板電極８
が設けられている。該平板電極８はウェーハ、ガラス基
板等の被処理基板９の載置台を兼ね、前記平板電極８に
は整合器１２を介して電極用高周波電源１３が接続され
ている。
し、該排気管４には真空ポンプ５が接続され、前記蓋３
には前記反応室１０に反応ガスを導入するガス導入管１
１が連通されている。又、前記真空容器１の内部底部に
はシールドカバー６、絶縁カバー７を介して平板電極８
が設けられている。該平板電極８はウェーハ、ガラス基
板等の被処理基板９の載置台を兼ね、前記平板電極８に
は整合器１２を介して電極用高周波電源１３が接続され
ている。
【０００５】前記円筒２の周囲に、プラズマ発生用コイ
ル１４を設け、該プラズマ発生用コイル１４の一端に整
合器１５を介してコイル用高周波電源１６を接続し、前
記プラズマ発生用コイル１４の他端は前記コイル用高周
波電源１６に接続されている。
ル１４を設け、該プラズマ発生用コイル１４の一端に整
合器１５を介してコイル用高周波電源１６を接続し、前
記プラズマ発生用コイル１４の他端は前記コイル用高周
波電源１６に接続されている。
【０００６】上記従来のプラズマ処理装置に於いて、前
記被処理基板９を前記平板電極８に載置し、前記反応室
１０を前記真空ポンプ５で排気し、減圧状態になった前
記反応室１０に前記ガス導入管１１から反応性ガスを導
入し、図示しない圧力制御装置によって圧力を設定す
る。前記プラズマ発生用コイル１４にコイル用高周波電
源１６が出力する高周波電力を前記整合器１５を介して
印加すると、前記プラズマ発生用コイル１４の発する交
流の電界と磁界の作用により前記反応室１０にプラズマ
１７が生成される。
記被処理基板９を前記平板電極８に載置し、前記反応室
１０を前記真空ポンプ５で排気し、減圧状態になった前
記反応室１０に前記ガス導入管１１から反応性ガスを導
入し、図示しない圧力制御装置によって圧力を設定す
る。前記プラズマ発生用コイル１４にコイル用高周波電
源１６が出力する高周波電力を前記整合器１５を介して
印加すると、前記プラズマ発生用コイル１４の発する交
流の電界と磁界の作用により前記反応室１０にプラズマ
１７が生成される。
【０００７】同時に前記平板電極８に電極用高周波電源
１３が出力する高周波電力を前記整合器１２を介して供
給し、前記平板電極８とプラズマ１７との間に直流バイ
アス電圧を生成したり、或はプラズマ１７自体を図中、
上下方向に振動させ、イオンエネルギを利用して平板電
極８上の被処理基板９をエッチング処理する。前記電極
用高周波電源１３の周波数は処理する被処理基板９の種
類、対象とするプロセスに応じて適切な値に設定され
る。
１３が出力する高周波電力を前記整合器１２を介して供
給し、前記平板電極８とプラズマ１７との間に直流バイ
アス電圧を生成したり、或はプラズマ１７自体を図中、
上下方向に振動させ、イオンエネルギを利用して平板電
極８上の被処理基板９をエッチング処理する。前記電極
用高周波電源１３の周波数は処理する被処理基板９の種
類、対象とするプロセスに応じて適切な値に設定され
る。
【０００８】通常は、前記電極用高周波電源１３の周波
数は１００ＫＨz から４０ＭＨz 、前記コイル用高周波
電源１６の周波数は１ＭＨz から１００ＭＨz の範囲に
於いて選択する。
数は１００ＫＨz から４０ＭＨz 、前記コイル用高周波
電源１６の周波数は１ＭＨz から１００ＭＨz の範囲に
於いて選択する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のプラズ
マ処理装置では円筒２の外側、即ち反応室１０の外側に
プラズマ発生用コイル１４が設けられており、該プラズ
マ発生用コイル１４に高周波電力を印加することで生じ
る交番磁界は前記絶縁物の円筒２を貫通する。プラズマ
１７中の荷電粒子は磁力線を横切る方向には移動し難い
が、磁力線の方向には容易に移動できる為、前記荷電粒
子が円筒２（反応室１０）の壁面に衝突する。又、前記
プラズマ発生用コイル１４の導体部付近の円筒の内側に
はシースが発生し、イオン等の活性種がシース電圧で加
速され、前記円筒２の壁面をスパッタする。この活性種
の衝突により絶縁物の壁面からガスが発生する。前記円
筒２の材質が石英の場合は、前記活性種の衝突により酸
素が放出され、この酸素はエッチング等の処理に悪影響
を及ぼす。
マ処理装置では円筒２の外側、即ち反応室１０の外側に
プラズマ発生用コイル１４が設けられており、該プラズ
マ発生用コイル１４に高周波電力を印加することで生じ
る交番磁界は前記絶縁物の円筒２を貫通する。プラズマ
１７中の荷電粒子は磁力線を横切る方向には移動し難い
が、磁力線の方向には容易に移動できる為、前記荷電粒
子が円筒２（反応室１０）の壁面に衝突する。又、前記
プラズマ発生用コイル１４の導体部付近の円筒の内側に
はシースが発生し、イオン等の活性種がシース電圧で加
速され、前記円筒２の壁面をスパッタする。この活性種
の衝突により絶縁物の壁面からガスが発生する。前記円
筒２の材質が石英の場合は、前記活性種の衝突により酸
素が放出され、この酸素はエッチング等の処理に悪影響
を及ぼす。
【００１０】又、プラズマ発生用コイル１４を円筒２の
外側に設ける場合は、プラズマ発生用コイル１４の直径
は少なくとも前記円筒２の外形よりも大きくする必要が
ある。この為、前記プラズマ発生用コイル１４のインダ
クタンスが必要以上に大きくなって抵抗が増え、前記プ
ラズマ発生用コイル１４に高周波電力を印加した際、プ
ラズマ発生用コイル１４の端子部の電圧が上昇し危険で
ある。又、構造上もプラズマ発生用コイル１４の外側に
シールドカバーを取付ける必要がある等複雑になる問題
があった。
外側に設ける場合は、プラズマ発生用コイル１４の直径
は少なくとも前記円筒２の外形よりも大きくする必要が
ある。この為、前記プラズマ発生用コイル１４のインダ
クタンスが必要以上に大きくなって抵抗が増え、前記プ
ラズマ発生用コイル１４に高周波電力を印加した際、プ
ラズマ発生用コイル１４の端子部の電圧が上昇し危険で
ある。又、構造上もプラズマ発生用コイル１４の外側に
シールドカバーを取付ける必要がある等複雑になる問題
があった。
【００１１】本発明は斯かる実情に鑑み、荷電粒子の壁
面への衝突を抑止し、プラズマ発生用コイルの抵抗を減
少させ、更に構造の簡略化を図るものである。
面への衝突を抑止し、プラズマ発生用コイルの抵抗を減
少させ、更に構造の簡略化を図るものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室にプラ
ズマ発生用コイルを設けたプラズマ処理装置に係り、又
プラズマ発生用コイルの位置を変更可能とし、或はプラ
ズマ発生用コイルの表面を絶縁材で覆い、或はプラズマ
発生用コイルをパイプで形成し、該プラズマ発生用コイ
ルに熱媒体を流通させる構造としたプラズマ処理装置に
係るものである。
ズマ発生用コイルを設けたプラズマ処理装置に係り、又
プラズマ発生用コイルの位置を変更可能とし、或はプラ
ズマ発生用コイルの表面を絶縁材で覆い、或はプラズマ
発生用コイルをパイプで形成し、該プラズマ発生用コイ
ルに熱媒体を流通させる構造としたプラズマ処理装置に
係るものである。
【００１３】
【作用】プラズマ発生用コイルを反応室に設けた構造で
ある為、プラズマ発生用コイルに高周波電力を印加する
ことによって生ずる交番磁界が反応室壁面を貫通するこ
とがなく、荷電粒子の壁面への衝突を抑止でき、反応室
壁面からの不要なガスの放出を防止でき、プラズマ発生
用コイルのコイル径を小さくでき抵抗を小さくできて高
周波電力の供給を効率的に行え、更に必要に応じプラズ
マ発生用コイルに冷却媒体を流通させプラズマ発生用コ
イルを所定温度に維持する。
ある為、プラズマ発生用コイルに高周波電力を印加する
ことによって生ずる交番磁界が反応室壁面を貫通するこ
とがなく、荷電粒子の壁面への衝突を抑止でき、反応室
壁面からの不要なガスの放出を防止でき、プラズマ発生
用コイルのコイル径を小さくでき抵抗を小さくできて高
周波電力の供給を効率的に行え、更に必要に応じプラズ
マ発生用コイルに冷却媒体を流通させプラズマ発生用コ
イルを所定温度に維持する。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１５】図１、図２中、図８、図９中で示したもの
と同一のものには同符号を付してある。
と同一のものには同符号を付してある。
【００１６】導電材料で且気密構造の真空容器２０の上
端は導電材料の反応室蓋２１で気密に閉塞され、前記真
空容器２０、反応室蓋２１で囲繞される空間は反応室１
０を形成している。
端は導電材料の反応室蓋２１で気密に閉塞され、前記真
空容器２０、反応室蓋２１で囲繞される空間は反応室１
０を形成している。
【００１７】前記真空容器２０の側面には排気管４が連
通し、該排気管４には排気管バルブ２２、可変コンダク
タンスバルブ２３、真空ポンプ５が接続され、前記反応
室蓋２１には前記反応室１０に反応ガスを導入するガス
導入管１１が連通されている。又、前記真空容器２０の
内部底部にはシールドカバー６、絶縁カバー７を介して
平板電極８が設けられている。該平板電極８はウェー
ハ、ガラス基板等の被処理基板９の載置台を兼ね、前記
平板電極８には整合器１２を介して電極用高周波電源１
３が接続されている。
通し、該排気管４には排気管バルブ２２、可変コンダク
タンスバルブ２３、真空ポンプ５が接続され、前記反応
室蓋２１には前記反応室１０に反応ガスを導入するガス
導入管１１が連通されている。又、前記真空容器２０の
内部底部にはシールドカバー６、絶縁カバー７を介して
平板電極８が設けられている。該平板電極８はウェー
ハ、ガラス基板等の被処理基板９の載置台を兼ね、前記
平板電極８には整合器１２を介して電極用高周波電源１
３が接続されている。
【００１８】前記反応室１０に前記平板電極８と対向
し、該平板電極８と平行なプラズマ発生用コイル２４を
配設する。該プラズマ発生用コイル２４は中空管であ
り、抵抗値の低い材質で製作するが、前記反応室１０の
汚染を考慮し、アルミニウム等の材質とする。前記プラ
ズマ発生用コイル２４は１巻以上任意の巻数とし、表面
は絶縁管２５で覆ってある。該絶縁管２５の材料は、弗
化樹脂、セラミックス、石英等が挙げられる。前記プラ
ズマ発生用コイル２４は反応室１０にあることから、プ
ラズマ発生用コイル自体にセルフバイアス電圧を生じ
る。その為プラズマ発生用コイル２４の表面はイオンに
よりスパッタされる。前記絶縁管２５は金属表面が直接
反応室１０に露出することを防止し、イオンのスパッタ
により、金属原子がプラズマ中に放出されることを抑止
し、被処理基板９が汚染されることを防止する。
し、該平板電極８と平行なプラズマ発生用コイル２４を
配設する。該プラズマ発生用コイル２４は中空管であ
り、抵抗値の低い材質で製作するが、前記反応室１０の
汚染を考慮し、アルミニウム等の材質とする。前記プラ
ズマ発生用コイル２４は１巻以上任意の巻数とし、表面
は絶縁管２５で覆ってある。該絶縁管２５の材料は、弗
化樹脂、セラミックス、石英等が挙げられる。前記プラ
ズマ発生用コイル２４は反応室１０にあることから、プ
ラズマ発生用コイル自体にセルフバイアス電圧を生じ
る。その為プラズマ発生用コイル２４の表面はイオンに
よりスパッタされる。前記絶縁管２５は金属表面が直接
反応室１０に露出することを防止し、イオンのスパッタ
により、金属原子がプラズマ中に放出されることを抑止
し、被処理基板９が汚染されることを防止する。
【００１９】前記プラズマ発生用コイル２４の端子は真
空シールブロック２６を介して前記反応室蓋２１を気密
に貫通する。該真空シールブロック２６はＯリング等の
シール部材を備え、プラズマ発生用コイル２４の貫通部
を気密にシールすると共に前記プラズマ発生用コイル２
４を上下方向に移動可能に保持し、プラズマ発生用コイ
ル２４の高さ方向の位置を容易に変え得る様になってい
る。
空シールブロック２６を介して前記反応室蓋２１を気密
に貫通する。該真空シールブロック２６はＯリング等の
シール部材を備え、プラズマ発生用コイル２４の貫通部
を気密にシールすると共に前記プラズマ発生用コイル２
４を上下方向に移動可能に保持し、プラズマ発生用コイ
ル２４の高さ方向の位置を容易に変え得る様になってい
る。
【００２０】前記プラズマ発生用コイル２４の一端に整
合器１５を介してコイル用高周波電源１６を接続し、前
記プラズマ発生用コイル２４の他端は前記コイル用高周
波電源１６に接続されている。又、前記プラズマ発生用
コイル２４の両端には図示しない冷却源に接続された冷
却管２７が連通している。
合器１５を介してコイル用高周波電源１６を接続し、前
記プラズマ発生用コイル２４の他端は前記コイル用高周
波電源１６に接続されている。又、前記プラズマ発生用
コイル２４の両端には図示しない冷却源に接続された冷
却管２７が連通している。
【００２１】前記真空容器２０の側壁には半導体試料、
例えばウェーハ等の被処理基板９を搬入搬出する水平方
向に偏平な搬送口２８を設け、該搬送口２８にはゲート
バルブ２９を設け、該ゲートバルブ２９を介して搬送室
３０を連設する。該搬送室３０には図示しない搬送ユニ
ットが設けられている。
例えばウェーハ等の被処理基板９を搬入搬出する水平方
向に偏平な搬送口２８を設け、該搬送口２８にはゲート
バルブ２９を設け、該ゲートバルブ２９を介して搬送室
３０を連設する。該搬送室３０には図示しない搬送ユニ
ットが設けられている。
【００２２】以下、作動を説明する。
【００２３】前記被処理基板９を前記平板電極８に載置
し、前記反応室１０を前記真空ポンプ５で排気し、減圧
状態になった前記反応室１０に前記ガス導入管１１から
反応ガスを導入し、図示しない圧力制御装置によって圧
力を設定する。前記プラズマ発生用コイル２４にコイル
用高周波電源１６が出力する高周波電力を前記整合器１
５を介して印加すると、前記プラズマ発生用コイル２４
の発する交流の電界と磁界により前記反応室１０にプラ
ズマ１７が生成される。
し、前記反応室１０を前記真空ポンプ５で排気し、減圧
状態になった前記反応室１０に前記ガス導入管１１から
反応ガスを導入し、図示しない圧力制御装置によって圧
力を設定する。前記プラズマ発生用コイル２４にコイル
用高周波電源１６が出力する高周波電力を前記整合器１
５を介して印加すると、前記プラズマ発生用コイル２４
の発する交流の電界と磁界により前記反応室１０にプラ
ズマ１７が生成される。
【００２４】前記冷却管２７より冷却媒体、例えば水を
前記プラズマ発生用コイル２４内に流通させ、該プラズ
マ発生用コイル２４を所要の温度以上とならない様に冷
却する。尚、プラズマ発生用コイル２４の温度上昇が問
題とならない場合は、冷却媒体を流す必要がなく、更に
この場合プラズマ発生用コイル２４を管材ではなく中実
材としてもよい。
前記プラズマ発生用コイル２４内に流通させ、該プラズ
マ発生用コイル２４を所要の温度以上とならない様に冷
却する。尚、プラズマ発生用コイル２４の温度上昇が問
題とならない場合は、冷却媒体を流す必要がなく、更に
この場合プラズマ発生用コイル２４を管材ではなく中実
材としてもよい。
【００２５】同時に前記平板電極８に電極用高周波電源
１３が出力する高周波電力を前記整合器１２を介して供
給し、前記平板電極８とプラズマ１７との間に直流バイ
アス電圧を生成したり、或はプラズマ１７自体を図中、
上下方向に振動させ、イオンエネルギを利用して平板電
極８上の被処理基板９をエッチング処理する。
１３が出力する高周波電力を前記整合器１２を介して供
給し、前記平板電極８とプラズマ１７との間に直流バイ
アス電圧を生成したり、或はプラズマ１７自体を図中、
上下方向に振動させ、イオンエネルギを利用して平板電
極８上の被処理基板９をエッチング処理する。
【００２６】尚、上記した様にプラズマ発生用コイル２
４の高さ方向の位置を変更可能であるので、プラズマ発
生用コイル２４の位置を調整してプラズマの発生状態を
変更させることができる。
４の高さ方向の位置を変更可能であるので、プラズマ発
生用コイル２４の位置を調整してプラズマの発生状態を
変更させることができる。
【００２７】前記電極用高周波電源１３の周波数は処理
する被処理基板９の種類、対象とするプロセスに応じて
適切な値に設定される。通常は、前記電極用高周波電源
１３の周波数は１００ＫＨz から４０ＭＨz 、前記コイ
ル用高周波電源１６の周波数は１ＭＨz から１００ＭＨ
z の範囲に於いて選択する。
する被処理基板９の種類、対象とするプロセスに応じて
適切な値に設定される。通常は、前記電極用高周波電源
１３の周波数は１００ＫＨz から４０ＭＨz 、前記コイ
ル用高周波電源１６の周波数は１ＭＨz から１００ＭＨ
z の範囲に於いて選択する。
【００２８】上述した様に、前記プラズマ発生用コイル
２４は反応室１０に設ける。上記実施例ではプラズマ発
生用コイル２４の支持を該プラズマ発生用コイル２４の
端子で行ったが、プラズマ発生用コイル２４の端子によ
る固定ができない場合は、図３に示す様に、絶縁材料の
コイル固定足３１を介して反応室蓋２１に固定する。
又、固定位置は反応室蓋２１に限らず、図４、図５に示
す様に真空容器２０の側壁、或は底面部に固定してもよ
い。又、これら取付け位置を組合わせてもよい。更に、
コイル固定足３１の取付け位置を変更することで前記プ
ラズマ発生用コイル２４の位置を変更可能としてもよ
い。
２４は反応室１０に設ける。上記実施例ではプラズマ発
生用コイル２４の支持を該プラズマ発生用コイル２４の
端子で行ったが、プラズマ発生用コイル２４の端子によ
る固定ができない場合は、図３に示す様に、絶縁材料の
コイル固定足３１を介して反応室蓋２１に固定する。
又、固定位置は反応室蓋２１に限らず、図４、図５に示
す様に真空容器２０の側壁、或は底面部に固定してもよ
い。又、これら取付け位置を組合わせてもよい。更に、
コイル固定足３１の取付け位置を変更することで前記プ
ラズマ発生用コイル２４の位置を変更可能としてもよ
い。
【００２９】更に、プラズマ発生用コイル２４の端子を
外部に貫通する位置は、前記反応室蓋２１に限らず、真
空容器２０の側壁、或は底面部であってもよい。
外部に貫通する位置は、前記反応室蓋２１に限らず、真
空容器２０の側壁、或は底面部であってもよい。
【００３０】更に又、プロセス条件によっては前記プラ
ズマ発生用コイル２４表面の絶縁管２５は省略すること
も可能であり、プラズマ発生用コイル２４の形状も図
６、図７で示す様に、４角形コイル、円形コイルでもよ
い。
ズマ発生用コイル２４表面の絶縁管２５は省略すること
も可能であり、プラズマ発生用コイル２４の形状も図
６、図７で示す様に、４角形コイル、円形コイルでもよ
い。
【００３１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、プラズ
マ発生用コイルを反応室に設けた構造である為、プラズ
マ発生用コイルに印加することによって生ずる交番磁界
が反応室壁面を貫通することがなく、反応室壁面からの
不要なガスの放出を防止でき、絶縁材料の円筒を設ける
必要がなくなり、更にプラズマ発生用コイルのシールド
ケースが不要となるので、構造が単純になり、更にプラ
ズマ発生用コイルのコイル径を小さくできて抵抗を小さ
くでき、高周波電力の供給を効率的に行うことができる
等の優れた効果を発揮する。
マ発生用コイルを反応室に設けた構造である為、プラズ
マ発生用コイルに印加することによって生ずる交番磁界
が反応室壁面を貫通することがなく、反応室壁面からの
不要なガスの放出を防止でき、絶縁材料の円筒を設ける
必要がなくなり、更にプラズマ発生用コイルのシールド
ケースが不要となるので、構造が単純になり、更にプラ
ズマ発生用コイルのコイル径を小さくできて抵抗を小さ
くでき、高周波電力の供給を効率的に行うことができる
等の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】同前本発明の一実施例を示す一部を破断した斜
視図である。
視図である。
【図３】コイルの支持方法を示す断面図である。
【図４】コイルの支持方法を示す断面図である。
【図５】コイルの支持方法を示す断面図である。
【図６】プラズマ発生用コイルの形状を示す外形図であ
る。
る。
【図７】プラズマ発生用コイルの形状を示す外形図であ
る。
る。
【図８】従来例の構造を示す断面図である。
【図９】従来例を示す斜視図である。
８ 平板電極 ９ 被処理基板 １１ ガス導入管 １２ 整合器 １６ コイル用高周波電源 ２１ 反応室蓋 ２４ プラズマ発生用コイル ２５ 絶縁管 ２７ 冷却管
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ
Claims (7)
- 【請求項１】 反応室にプラズマ発生用コイルを設けた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 プラズマ発生用コイルの位置を変更可能
とした請求項１のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 プラズマ発生用コイルの表面を絶縁材で
覆った請求項１のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 プラズマ発生用コイルをパイプで形成
し、該プラズマ発生用コイルに熱媒体を流通させる構造
とした請求項１のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 プラズマ発生用コイルの固定部を真空容
器の天井部とした請求項１のプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 プラズマ発生用コイルの固定部を真空容
器の側壁部とした請求項１のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 プラズマ発生用コイルの固定部を真空容
器の底面部とした請求項１のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069137A JPH07254500A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069137A JPH07254500A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254500A true JPH07254500A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=13393966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6069137A Pending JPH07254500A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07254500A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5721021A (en) * | 1995-10-11 | 1998-02-24 | Anelva Corporation | Method of depositing titanium-containing conductive thin film |
| US5855685A (en) * | 1995-10-09 | 1999-01-05 | Anelva Corporation | Plasma enhanced CVD apparatus, plasma enhanced processing apparatus and plasma enhanced CVD method |
| US5891349A (en) * | 1995-10-11 | 1999-04-06 | Anelva Corporation | Plasma enhanced CVD apparatus and process, and dry etching apparatus and process |
| JP2003524285A (ja) * | 2000-02-24 | 2003-08-12 | シーシーアール ゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング ベーシッヒツングステクノロジー | 高周波プラズマ源 |
| US7098599B2 (en) | 2000-12-27 | 2006-08-29 | Japan Science & Technology Corporation | Plasma generator |
| JP2007123008A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理装置 |
| JP2007257880A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Sen Corp An Shi & Axcelis Company | イオン源装置におけるプラズマ均一化方法及びイオン源装置 |
| JP2009117373A (ja) * | 1997-01-29 | 2009-05-28 | Foundation For Advancement Of International Science | プラズマ装置 |
| JP5462368B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-04-02 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
| WO2015093031A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 株式会社アルバック | プラズマドーピング装置及び方法 |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP6069137A patent/JPH07254500A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855685A (en) * | 1995-10-09 | 1999-01-05 | Anelva Corporation | Plasma enhanced CVD apparatus, plasma enhanced processing apparatus and plasma enhanced CVD method |
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| JP5000061B2 (ja) * | 2000-02-24 | 2012-08-15 | シーシーアール ゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング ベーシッヒツングステクノロジー | 高周波プラズマ源 |
| US7098599B2 (en) | 2000-12-27 | 2006-08-29 | Japan Science & Technology Corporation | Plasma generator |
| JP2007123008A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理装置 |
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| JP5462368B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2014-04-02 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
| WO2015093031A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 株式会社アルバック | プラズマドーピング装置及び方法 |
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