[go: up one dir, main page]

TW202035792A - 極紫外光遮罩吸收體材料 - Google Patents

極紫外光遮罩吸收體材料 Download PDF

Info

Publication number
TW202035792A
TW202035792A TW109102155A TW109102155A TW202035792A TW 202035792 A TW202035792 A TW 202035792A TW 109102155 A TW109102155 A TW 109102155A TW 109102155 A TW109102155 A TW 109102155A TW 202035792 A TW202035792 A TW 202035792A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tantalum
antimony
weight
layer
alloy
Prior art date
Application number
TW109102155A
Other languages
English (en)
Inventor
劉樹圍
維胡 吉達
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202035792A publication Critical patent/TW202035792A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/52—Reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

茲揭示極紫外光(EUV)遮罩坯體、其製造方法及其生產系統。EUV遮罩坯體包含：基板；基板上之反射層的多層堆疊；反射層的多層堆疊上之覆蓋層；及覆蓋層上之吸收體層，其中吸收體層由鉭及銻製成。

Description

極紫外光遮罩吸收體材料
本揭示內容大體涉及極紫外光微影術，且更具體而言，涉及具合金吸收體之極紫外光遮罩坯體及其製造方法。
極紫外光(EUV)微影術，也稱為軟性x射線投射微影術，可用於製造0.0135微米及更小的最小特徵尺寸半導體元件。然而，極紫外光線，其通常在5至100奈米波長範圍內，幾乎在所有材料中會被強烈吸收。出於這個原因，極紫外光系統藉由反射而非藉由光的透射來運作。藉由使用一系列的鏡，或透鏡元件，及反射元件，或塗佈有非反射性吸收體遮罩圖案之遮罩坯體，將圖案化的光化光(actinic light)反射到塗有光阻劑的半導體基板上。
極紫外光微影系統的透鏡元件和遮罩坯體塗佈有諸如鉬及矽等材料之多層反射塗層。藉由使用塗佈有多層塗層的基板可獲得每個透鏡元件或遮罩坯體約略65%的反射值，所述多層塗層強烈反射極窄的紫外光帶通（如，就13.5奈米紫外光而言12.5至14.5奈米的帶通）內之光。
第1圖繪示習用的EUV反射遮罩10，其由EUV遮罩坯體形成，EUV反射遮罩10包括基板14上之反射性多層堆疊12，其藉由布拉格干涉而於未被遮蔽部分反射EUV輻射。習用EUV反射遮罩10的被遮蔽（非反射性）區域16由蝕刻緩衝層18和吸收層20形成。吸收層通常具有在51 nm至77 nm的範圍內之厚度。覆蓋層22形成在反射性多層堆疊12上方並在蝕刻製程期間保護反射性多層堆疊12。如將於下文進一步論述的，EUV遮罩坯體由塗佈有多層、覆蓋層和吸收層之低熱膨脹材料基板製成，接著經蝕刻以提供被遮蔽（非反射性）區域16及反射性區域24。
國際半導體技術研發藍圖(International Technology Roadmap for Semiconductors；ITRS)將節點的覆蓋要求指定為技術最小半間距(half-pitch)特徵尺寸的一定百分比。由於所有反射性微影系統中固有的影像設置和重疊誤差之影響，EUV反射遮罩將需要遵守更精確的平坦度規範以用於將來的生產。此外，EUV坯體對於坯體的工作區域上之瑕疵具有非常低的耐受性。進一步，儘管吸收層的作用是吸收光，但由於吸收體層的折射率與真空的折射率(n=1)之間存在差異，因此也存在相位偏移效應，且此相位偏移導致3D遮蔽效應(3D mask effect)。需要提供具有更薄的吸收體之EUV遮罩坯體，以減輕3D遮蔽效應。
本揭示內容之一或多個實施例涉及製造極紫外光(EUV)遮罩坯體之方法，方法包含以下步驟：將多層堆疊形成於基板上，多層堆疊反射EUV輻射，多層堆疊包含複數個反射層對；將覆蓋層形成於多層堆疊上；以及將吸收體層形成於覆蓋層上，吸收體層包含鉭和銻之合金。
本揭示內容之其他實施例涉及EUV遮罩坯體，包含：基板；多層堆疊，其反射EUV輻射，多層堆疊包含複數個反射層對；覆蓋層，位於反射層之多層堆疊上；以及吸收體層，包含鉭和銻之合金。
在描述本揭示內容的若干示例性實施例之前，應理解到，本揭示內容不限於以下描述中闡述之構造或處理步驟的細節。本揭示內容能夠有其他實施例並且能夠以各種方式實踐或實施。
本文所用之術語「水平」被定義為平行於遮罩坯體的平面或表面之平面，無論其取向如何。術語「垂直」指的是與剛剛定義之水平正交之方向。如圖所示，諸如「上方」、「下方」、「底部」、「頂部」、「側面」（如在「側壁」中）、「較高」、「較低」、「上部」、「之上」及「之下」等術語是參考水平面來定義。
術語「在…上」表示元件之間有直接接觸。術語「直接在…上」表示元件之間有直接接觸而沒有中間元件。
本案所屬技術領域中具通常知識者將理解到，使用如「第一」及「第二」等序數來描述製程區域並不意味著製程腔室內的特定位置或製程腔室內之暴露的順序。
如在本說明書和隨附申請專利範圍所用，術語「基板」是指製程在其上作用之表面或表面的一部分。本案所屬技術領域中具通常知識者亦將理解到，除非上下文另有明確說明，否則對基板的提及可僅指基板的一部分。此外，參照沉積於基板上可意味裸基板和具有一或多個膜或特徵沉積於或形成於其上之基板二者。
現請參見第2圖，其示出極紫外光微影系統100的示範實施例。極紫外光微影系統100包括：極紫外光源102，用於產生極紫外光線112；一組反射元件；及目標晶圓110。反射元件包括聚光器(condenser) 104、EUV反射遮罩106、光學縮減組件108、遮罩坯體、鏡或前述者之組合。
極紫外光源102產生極紫外光線112。極紫外光線112為波長在5至50奈米(nm)之範圍內的電磁輻射。舉例而言，極紫外光源102包括雷射、雷射產生之電漿、放電產生之電漿、自由電子雷射、同步輻射或前述者之組合。
極紫外光源102可產生具有各種特徵之極紫外光線112。極紫外光源102可產生在某波長範圍內之寬帶極紫外光輻射。舉例而言，極紫外光源102產生波長範圍從5至50 nm之極紫外光線112。
在一或多個實施例中，極紫外光源102可產生具有窄帶寬之極紫外光線112。舉例而言，極紫外光源102可產生13.5 nm之極紫外光線112。波長峰值的中心為13.5 nm。
聚光器104為光學單元，用於反射和聚焦極紫外光線112。聚光器104反射並聚集來自極紫外光源102之極紫外光線112，以照射EUV反射遮罩106。
儘管聚光器104被示出為單一元件，但應理解，聚光器104可包括諸如凹面鏡、凸面鏡、平面鏡或前述者之組合等一或多種反射元件，用於反射和聚集極紫外光線112。舉例而言，聚光器104可為單一凹面鏡或具有凸面、凹面和平面光學元件的光學組件。
EUV反射遮罩106為具有遮罩圖案114之極紫外光反射元件。EUV反射遮罩106產生微影圖案，以形成待形成於目標晶圓110上之電路系統佈局。EUV反射遮罩106反射極紫外光線112。遮罩圖案114界定電路系統佈局的一部分。
光學縮減組件108為光學單元，用於縮減遮罩圖案114的影像。來自EUV反射遮罩106之極紫外光線112的反射被光學縮減組件108縮減並反射至目標晶圓110上。光學縮減組件108可包括鏡和其他光學元件，以縮減遮罩圖案114之影像的尺寸。舉例而言，光學縮減組件108可包括用於反射和聚焦極紫外光線112之凹面鏡。
光學縮減組件108可縮減目標晶圓110上之遮罩圖案114的影像之尺寸。舉例而言，遮罩圖案114可由光學縮減組件108以4:1之比例成像至目標晶圓110上，以於目標晶圓110上形成由遮罩圖案114所表示之電路系統。極紫外光線112與目標晶圓110可同步掃描EUV反射遮罩106，以於目標晶圓110上形成遮罩圖案114。
現請參見第3圖，其圖示極紫外光反射元件生產系統200之實施例。極紫外光反射元件包括EUV遮罩坯體204、極紫外光鏡205，或如EUV反射遮罩106等其他反射元件。
極紫外光反射元件生產系統200可產生遮罩坯體、鏡或能反射第2圖的極紫外光線112之其他元件。極紫外光反射元件生產系統200藉由將薄塗層施加至源基板203來製造反射元件。
EUV遮罩坯體204是多層結構，用於形成第2圖的EUV反射遮罩106。可使用半導體製造技術來形成EUV遮罩坯體204。藉由蝕刻及其他製程，EUV反射遮罩106可具有形成於EUV遮罩坯體204上之第2圖的遮罩圖案114。
極紫外光鏡205為多層結構，其能反射一範圍內的極紫外光線。可使用半導體製造技術來形成極紫外光鏡205。從形成在各元件上之層來看，EUV遮罩坯體204和極紫外光鏡205可為類似結構，但極紫外光鏡205不具有遮罩圖案114。
反射元件是極紫外光線112之高效反射器。在實施例中，EUV遮罩坯體204和極紫外光鏡205具有大於60%之極紫外光反射率。若反射元件能反射超過60%的極紫外光線112則為高效的。
極紫外光反射元件生產系統200包括晶圓裝載和載體搬運系統202，源基板203裝載至晶圓裝載和載體搬運系統202內，且反射元件從晶圓裝載和載體搬運系統202卸載。大氣之搬運系統206提供對晶圓傳送真空腔室208之接取。晶圓裝載和載體搬運系統202可包括基板傳送盒、裝載閘(loadlock)及其他部件，以將基板從大氣轉移至系統內之真空。因為EUV遮罩坯體204用於形成非常小型的元件，所以在真空系統中處理源基板203和EUV遮罩坯體204以避免污染及其他瑕疵。
晶圓傳送真空腔室208可含有第一真空腔室210和第二真空腔室212等兩個真空腔室。第一真空腔室210包括第一晶圓傳送系統214，且第二真空腔室212包括第二晶圓傳送系統216。儘管以兩個真空腔室來描述晶圓傳送真空腔室208，但應理解此系統可具有任何數量的真空腔室。
晶圓傳送真空腔室208可具有圍繞其周邊之複數個埠，用以附接各種其他系統。第一真空腔室210具有脫氣系統218、第一物理氣相沉積系統220、第二物理氣相沉積系統222及預清潔系統224。脫氣系統218用於從基板熱脫附(thermally desorbing)水分。預清潔系統224用於清潔晶圓、遮罩坯體、鏡或其他光學部件的表面。
物理氣相沉積系統，諸如第一物理氣相沉積系統220和第二物理氣相沉積系統222，可用於在源基板203上形成導電材料的薄膜。舉例而言，物理氣相沉積系統可包括真空沉積系統，如磁控濺射系統、離子濺射系統、脈衝式雷射沉積、陰極電弧沉積或前述者之組合。物理氣相沉積系統，如磁控濺射系統，在源基板203上形成薄層，包括矽、金屬、合金、化合物或前述者之組合物的層。
物理氣相沉積系統可形成反射層、覆蓋層和吸收體層。舉例而言，物理氣相沉積系統可形成矽、鉬、氧化鈦、二氧化鈦、氧化釕、氧化鈮、釕鎢、釕鉬、釕鈮、鉻、銻、氮化物、化合物或前述者之組合的層。儘管一些化合物被描述為氧化物，但應理解，化合物可包括氧化物、二氧化物、具有氧原子之原子混合物或前述者之組合。
第二真空腔室212具有與其連接之第一多陰極源226、化學氣相沉積系統228、硬化腔室230及超平滑沉積腔室(ultra-smooth deposition chamber) 232。舉例而言，化學氣相沉積系統228可包括可流動化學氣相沉積系統(FCVD)、電漿輔助化學氣相沉積系統(CVD)、氣溶膠(aerosol)輔助CVD、熱絲CVD系統或類似系統。在另一個實例中，化學氣相沉積系統228、硬化腔室230及超平滑沉積腔室232可位在與極紫外光反射元件生產系統200分開的系統中。
化學氣相沉積系統228可於源基板203上形成材料的薄膜。舉例而言，化學氣相沉積系統228可用於在源基板203上形成材料層，包括單晶層、多晶層、非晶層、磊晶層或前述者之組合。化學氣相沉積系統228可形成矽、氧化矽、碳氧化矽、鉭、鎢、碳化矽、氮化矽、氮化鈦、金屬、合金及適用於化學氣相沉積之其他材料的層。舉例而言，化學氣相沉積系統可形成平坦化層。
第一晶圓傳送系統214能在連續真空中於大氣之搬運系統206與圍繞第一真空腔室210周邊的多個系統之間移動源基板203。第二晶圓傳送系統216能繞著第二真空腔室212移動源基板203，同時將源基板203維持於連續真空中。極紫外光反射元件生產系統200可在連續真空中於第一晶圓傳送系統214與第二晶圓傳送系統216之間轉移源基板203及EUV遮罩坯體204。
現請參見第4圖，其示出極紫外光反射元件302的實施例。在一或多個實施例中，極紫外光反射元件302為第3圖的EUV遮罩坯體204或第3圖的極紫外光鏡205。EUV遮罩坯體204和極紫外光鏡205為用於反射第2圖的極紫外光線112之結構。EUV遮罩坯體204可用於形成第2圖所示之EUV反射遮罩106。
極紫外光反射元件302包括基板304、反射層之多層堆疊306及覆蓋層308。在一或多個實施例中，極紫外光鏡205用於形成反射結構，所述反射結構可用於第2圖的聚光器104中或用於第2圖的光學縮減組件108中。
可為EUV遮罩坯體204之極紫外光反射元件302包括基板304、反射層的多層堆疊306、覆蓋層308及吸收體層310。極紫外光反射元件302可為EUV遮罩坯體204，其用於藉由以所需電路系統之佈局圖案化吸收體層310來形成第2圖的EUV反射遮罩106。
在以下段落中，為簡化起見，EUV遮罩坯體204之術語可與極紫外光鏡205之術語互換使用。在一或多個實施例中，EUV遮罩坯體204包括極紫外光鏡205的組件，還加入吸收體層310以額外形成第2圖的遮罩圖案114。
EUV遮罩坯體204為光學上平坦的結構，用於形成具有遮罩圖案114之EUV反射遮罩106。在一或多個實施例中，EUV遮罩坯體204的反射表面形成平坦的焦平面，用於反射入射光，如第2圖的極紫外光線112。
基板304為用於對極紫外光反射元件302提供結構性支撐的元件。在一或多個實施例中，由具有低熱膨脹係數(CTE)的材料製成基板304，以在溫度變化期間提供穩定性。在一或多個實施例中，基板304具有諸如對機械循環、熱循環、結晶形成或前述者之組合具穩定性之特性。根據一或多個實施例之基板304可由諸如矽、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷或前述者之組合等材料形成。
多層堆疊306為對極紫外光線112有反射性之結構。多層堆疊306包括第一反射層312和第二反射層314之交替反射層。
第一反射層312及第二反射層314形成第4圖之反射對316。在不受限之實施例中，就總共達120個之反射層而言，多層堆疊306包括範圍在20至60個中之反射對316。
第一反射層312和第二反射層314可由各種材料形成。在實施例中，第一反射層312和第二反射層314分別由矽和鉬形成。儘管所述層表示為矽和鉬，應理解的是，交替層可由其他材料形成或具有其他內部結構。
第一反射層312和第二反射層314可具有各種結構。在實施例中，第一反射層312和第二反射層314二者被形成為單一層、多層、分層結構、非均勻結構或前述者之組合。
因為大多數材料吸收極紫外光波長的光，所以使用的光學元件具反射性，而不是如使用於其他微影系統中那樣具透射性。多層堆疊306藉由具有交替的不同光學特性之材料薄層來形成反射結構，以產生布拉格反射器或鏡。
在實施例中，就極紫外光線112而言，各交替層具有不同光學常數。當交替層之厚度的週期是極紫外光線112之波長的一半時，交替層可提供共振反射率(resonant reflectivity)。在實施例中，就波長為13 nm之極紫外光線112而言，交替層為約6.5 nm厚。應理解到，所提供之尺寸和維度在典型元件的常態工程公差內。
可以各種方式形成多層堆疊306。在實施例中，可以磁控濺射、離子濺射系統、脈衝式雷射沉積、陰極電弧沉積或前述者之組合來形成第一反射層312和第二反射層314。
在說明性實施例中，使用諸如磁控濺射等物理氣相沉積技術來形成多層堆疊306。在實施例中，多層堆疊306的第一反射層312和第二反射層314具有藉由磁控濺射技術形成之特性，包括精確的厚度、低粗糙度和介於層之間的乾淨介面。在實施例中，多層堆疊306的第一反射層312和第二反射層314具有藉由物理氣相沉積形成之特性，包括精確的厚度、低粗糙度和介於層之間的乾淨介面。
使用物理氣相沉積技術形成之多層堆疊306的層之物理維度可被精確控制，以提升反射率。在實施例中，第一反射層312，如矽層，具有4.1 nm之厚度。第二反射層314，如鉬層，具有2.8 nm之厚度。層的厚度決定了極紫外光反射元件的峰值反射率波長。若層的厚度不正確，可能降低在期望波長13.5 nm處的反射率。
在實施例中，多層堆疊306具有大於60%之反射率。在實施例中，使用物理氣相沉積形成之多層堆疊306具有在66%至67%之範圍內的反射率。在一或多個實施例中，在以較硬的材料形成之多層堆疊306上方形成覆蓋層308可增進反射率。在一些實施例中，使用低粗糙度層、層間的乾淨介面、改良的層材料或前述者之組合來實現大於70%之反射率。
在一或多個實施例中，覆蓋層308為容許極紫外光線112透射之保護層。在實施例中，覆蓋層308直接形成於多層堆疊306上。在一或多個實施例中，覆蓋層308保護多層堆疊306不受汙染和機械損壞。在一個實施例中，多層堆疊306對氧、鉭、鉭氫化合物(hydrotantalum)或前述者之組合的污染物敏感。根據實施例之覆蓋層308與污染物交互作用以中和汙染物。
在一或多個實施例中，覆蓋層308為對極紫外光線112呈透明的光學性一致結構。極紫外光線112穿過覆蓋層308以從多層堆疊306反射。在一或多個實施例中，覆蓋層308具有1%至2%的總反射率損失。在一或多個實施例中，取決於厚度，各不同材料具有不同的反射率損失，但它們全部將在1%至2%的範圍內。
在一或多個實施例中，覆蓋層308具有平滑表面。舉例而言，覆蓋層308的表面可具有小於0.2 nm RMS (均方根測量值)之粗糙度。在另一個實例中，就1/100 nm與1/1 µm的範圍中之長度而言，覆蓋層308的表面具有0.08 nm RMS之粗糙度。RMS粗糙度將根據測量其之範圍而改變。就100 nm至1微米的特定範圍而言，粗糙度為0.08 nm或更小。在更大的範圍內，粗糙度將更高。
可由多種方法形成覆蓋層308。在實施例中，以磁控濺射、離子濺射系統、離子束沉積、電子束蒸鍍、射頻(RF)濺射、原子層沉積(ALD)、脈衝式雷射沉積、陰極電弧沉積或前述者之組合，將覆蓋層308形成在多層堆疊306上或直接在多層堆疊306上。在一或多個實施例中，覆蓋層308具有藉由磁控濺射技術形成之物理特性，包括精確的厚度、低粗糙度和介於層之間的乾淨介面。在實施例中，覆蓋層308具有藉由物理氣相沉積形成之物理特性，包括精確的厚度、低粗糙度和介於層之間的乾淨介面。
在一或多個實施例中，覆蓋層308由多種材料形成，所述材料具有足以在清潔期間抵抗侵蝕之硬度。在一個實施例中，釕用作覆蓋層材料，因為釕是良好的蝕刻終止物，且在操作條件下是相對惰性的。然而，應理解到，可使用其他材料來形成覆蓋層308。在具體實施例中，覆蓋層308的厚度在2.5與5.0 nm之範圍內。
在一或多個實施例中，吸收體層310為吸收極紫外光線112之層。在實施例中，吸收體層310用於藉由提供不反射極紫外光線112的區域而在EUV反射遮罩106上形成圖案。根據一或多個實施例，吸收體層310包含對極紫外光線112的特定頻率（如約13.5 nm）具有高吸收係數的材料。在實施例中，將吸收體層310直接形成在覆蓋層308上，並使用光微影製程蝕刻吸收體層310，以形成EUV反射遮罩106的圖案。
根據一或多個實施例，諸如極紫外光鏡205之極紫外光反射元件302經形成而具有基板304、多層堆疊306及覆蓋層308。極紫外光鏡205具有光學上平坦的表面並可高效且均勻地反射極紫外光線112。
根據一或多個實施例，諸如EUV遮罩坯體204之極紫外光反射元件302經形成而具有基板304、多層堆疊306、覆蓋層308及吸收體層310。遮罩坯體204具有光學上平坦的表面並可高效且均勻地反射極紫外光線112。在實施例中，以EUV遮罩坯體204的吸收體層310形成遮罩圖案114。
根據一或多個實施例，在覆蓋層308上方形成吸收體層310增加了EUV反射遮罩106的可靠度。覆蓋層308用作吸收體層310之蝕刻終止層。當將第2圖的遮罩圖案114蝕刻進入吸收體層310時，吸收體層310下方的覆蓋層308阻擋蝕刻作用，以保護多層堆疊306。在一或多個實施例中，吸收體層310對覆蓋層308具蝕刻選擇性。在一些實施例中，覆蓋層308包含釕，且吸收體層310對釕具蝕刻選擇性。
在實施例中，吸收體層310包含鉭和銻之合金。在一些實施例中，吸收體具有小於約45 nm之厚度。在一些實施例中，吸收體層的厚度小於約45 nm，包括小於約40 nm、小於約35 nm、小於約30 nm、小於約25 nm、小於約20 nm、小於約15 nm、小於約10 nm、小於約 5 nm、小於約1 nm或小於約0.5 nm。在其他實施例中，吸收體層310的厚度在約0.5 nm至約45 nm之範圍內，包括約1 nm至約44 nm、1 nm至約40 nm及15 nm至約40 nm等範圍。
不欲受限於理論，認為具有小於約45 nm的厚度之吸收體層310有利地導致吸收體層具有小於約2%之反射率，從而減少並減輕極紫外光(EUV)遮罩坯體中之3D遮蔽效應。
在實施例中，吸收體層310由鉭和銻之合金製成。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約33.7重量%至約57.8重量%的鉭及約42.2重量%至約63.3重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約45重量%至約55重量%的鉭及約45重量%至約55重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約57.8重量%至約78.2重量%的鉭及約21.8重量%至約42.2重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約65重量%至約75重量%的鉭及約25重量%至約35重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約21.9重量%至約33.7重量%的鉭及約66.3重量%至約78.1重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約22重量%至約30重量%的鉭及約70重量%至約78重量%的銻。在一或多個實施例中，鉭和銻之合金為非晶態。
在具體實施例中，鉭和銻之合金為富含銻之合金。如本文所用，術語「富含銻(antimony rich)」意味著在合金中之銻明顯多於鉭。舉例而言，在具體實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金為包含約21.9重量%至約33.7重量%的鉭及約66.3重量%至約78.1重量%的銻之合金，例如，以合金的總重量為基準，約22重量%至約30重量%的鉭及約70重量%至約80重量%的銻。在一或多個實施例中，鉭和銻之合金為非晶態。
如本文所用，術語「富含鉭(tantalum rich)」意味著在合金中之鉭明顯多於銻。舉例而言，在具體實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金為包含約57.8重量%至約78.2重量%的鉭及約21.8重量%至約42.2重量%的銻之和金，例如，以合金的總重量為基準，約65重量%至約75重量%的鉭及約25重量%至約35重量%的銻。
在一或多個實施例中，鉭和銻的合金包含摻質。摻質可選自氮或氧中之一或多者。在實施例中，摻質包含氧。在替代實施例中，摻質包含氮。在實施例中，基於合金的重量，合金中存在之摻質的量在約0.1重量%至約5重量%之範圍內。在其他實施例中，合金中存在之摻質的量為約0.1重量%、0.2重量%、0.3重量%、0.4重量%、0.5重量%、0.6重量%、0.7重量%.0.8重量%、0.9重量%、1.0重量%、1.1重量%、1.2重量%、1.3重量%、1.4重量%、1.5重量%、1.6重量%、1.7重量%.1.8重量%、1.9重量%、2.0重量%、2.1重量%、2.2重量%、2.3重量%、2.4重量%、2.5重量%、2.6重量%、2.7重量%、2.8重量%、2.9重量%、3.0重量%、3.1重量%、3.2重量%、3.3重量%、3.4重量%、3.5重量%、3.6重量%、3.7重量%、3.8重量%、3.9重量%、4.0重量%、4.1重量%、4.2重量%、4.3重量%、4.4重量%、4.5重量%、4.6重量%、4.7重量%、4.8重量%、4.9重量%或5.0重量%。
在一或多個實施例中，吸收體層的合金為在物理沉積腔室中形成之共濺射的合金吸收體材料，其可提供薄得多的吸收體層厚度（小於30 nm）同時實現了小於2%的反射率和適當的蝕刻特性。在一或多個實施例中，可藉由選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者之氣體來共濺射吸收體層的合金。在實施例中，可藉由氬和氧氣之混合物(Ar + O2 )來共濺射吸收體層的合金。在一些實施例中，藉由氬和氧的混合物進行之共濺射形成鉭的氧化物及/或銻的氧化物。在其他實施例中，藉由氬和氧的混合物進行之共濺射不形成鉭或銻的氧化物。在實施例中，可藉由氬和氮氣之混合物(Ar + N2 )來共濺射吸收體層的合金。在一些實施例中，藉由氬和氮的混合物進行之共濺射形成鉭的氮化物及/或銻的氮化物。在其他實施例中，藉由氬和氮的混合物進行之共濺射不形成鉭或銻的氮化物。在實施例中，可藉由氬和氧和氮氣的混合物(Ar + O2 + N2 )來共濺射吸收體層的合金。在一些實施例中，藉由氬和氧和氮的混合物進行之共濺射形成鉭的氧化物及/或氮化物及/或銻的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，藉由氬和氧和氮的混合物進行之共濺射不形成鉭或銻的氧化物或氮化物。在實施例中，如上文所論述，可藉由控制（多個）合金百分比來調整吸收體層的蝕刻特性及/或其他特性。在實施例中，可藉由物理氣相沉積腔室之操作參數（如電壓、壓力、流量等等）來精確控制（多個）合金百分比。在實施例中，製程氣體用於進一步修飾材料特性，例如，N2 氣體用於形成鉭和銻的氮化物。
在一或多個實施例中，如本文所用之「共濺射(co-sputtering)」意指使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多種氣體同時濺射兩個靶材（一個靶材包含鉭，且第二靶材包含銻），以沉積/形成包含鉭和銻之合金的吸收體層。
在其他實施例中，使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者的氣體，可逐層沉積鉭和銻之合金成為鉭層和銻層之層疊。在實施例中，可使用氬和氧氣的混合物(Ar + O2 )逐層沉積吸收體層的合金成為鉭和銻層之層疊。在一些實施例中，使用氬和氧的混合物之逐層沉積可形成鉭的氧化物及/或銻的氧化物。在其他實施例中，使用氬和氧的混合物之逐層沉積不形成鉭或銻的氧化物。在實施例中，可使用氬和氮氣的混合物(Ar + N2 )逐層沉積吸收體層的合金成為鉭和銻層之層疊。在一些實施例中，使用氬和氮的混合物之逐層沉積可形成鉭的氮化物及/或銻的氮化物。在其他實施例中，使用氬和氮的混合物之逐層沉積不形成鉭或銻的氮化物。在實施例中，可使用氬和氧和氮氣的混合物(Ar + O2 + N2 )逐層沉積吸收體層的合金成為鉭和銻層之層疊。在一些實施例中，可使用氬和氧和氮的混合物之逐層沉積形成鉭的氧化物及/或氮化物及/或銻的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，使用氬和氧和氮的混合物之逐層沉積不形成鉭或銻的氧化物或氮化物。
在一或多個實施例中，可製造本文所述之合金成分的塊狀靶材，可藉由使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者的氣體之常規濺射來濺射所述靶材。在一或多個實施例中，使用具有與合金相同成分之塊狀靶材來沉積合金，並使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者的氣體來濺射合金以形成吸收體層。在實施例中，可使用具有與合金相同成分之塊狀靶材來沉積吸收體層之合金並使用氬和氧氣的混合物(Ar + O2 )來濺射吸收體層之合金。在一些實施例中，使用氬和氧的混合物之塊狀靶材沉積可形成鉭的氧化物及/或銻的氧化物。在其他實施例中，使用氬和氧的混合物之塊狀靶材沉積不形成鉭或銻的氧化物。在實施例中，可使用具有與合金相同成分之塊狀靶材來沉積吸收體層的合金，並使用氬和氮氣的混合物(Ar + N2 )來濺射吸收體層的合金。在一些實施例中，使用氬和氮的混合物之塊狀靶材沉積可形成鉭的氮化物及/或銻的氮化物。在其他實施例中，使用氬和氮的混合物之塊狀靶材沉積不形成鉭或銻的氮化物。在實施例中，可使用具有與合金相同成分之塊狀靶材來沉積吸收體層的合金，並使用氬和氧和氮氣的混合物(Ar + O2 + N2 )來濺射吸收體層的合金。在一些實施例中，使用氬和氧和氮的混合物之塊狀靶材沉積可形成鉭的氧化物及/或氮化物及/或銻的氧化物及/或氮化物。在其他實施例中，使用氬和氧和氮的混合物之塊狀靶材沉積不形成鉭或銻的氧化物或氮化物。在一些實施例中，以0.1重量%至5重量%之範圍中的氮或氧中之一或多者摻雜鉭和銻之合金。
可在物理沉積腔室中製造EUV遮罩坯體，物理沉積腔室具有：包含第一吸收體材料之第一陰極、包含第二吸收體材料之第二陰極、包含第三吸收體材料之第三陰極、包含第四吸收體材料之第四陰極，及包含第五吸收體材料之第五陰極，其中第一吸收體材料、第二吸收體材料、第三吸收體材料、第四吸收體材料及第五吸收體材料彼此不同，且各吸收體材料具有與其他材料不同之消光係數(extinction coefficient)，且各吸收體材料具有與其他吸收體材料不同之折射率。
現請參見第5圖，圖中所示之極紫外光遮罩坯體400包含基板414、基板414上之反射層412的多層堆疊，反射層412的多層堆疊包括複數個反射層對。在一或多個實施例中，複數個反射層對是由選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料中之材料所製成。在一些實施例中，複數個反射層對包含交替的鉬層和矽層。極紫外光遮罩坯體400進一步包括位於反射層412的多層堆疊上之覆蓋層422，還有位在覆蓋層422上之吸收體層的多層堆疊420。在一或多個實施例中，複數個反射層412選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，且覆蓋層422包含釕。
吸收體層之多層堆疊420包括複數個吸收體層對(pair) 420a、420b、420c、420d、420e、420f，各對(420a/420b、420c/420d、420e/420f)包含鉭和銻之合金。在一些實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約33.7重量%至約57.8重量%的鉭及約42.2重量%至約63.3重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約45重量%至約55重量%的鉭及約45重量%至約55重量%的銻，例如，51.5重量%的鉭及48.9重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約57.8重量%至約78.2重量%的鉭及約21.8重量%至約42.2重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約65重量%至約75重量%的鉭及約25重量%至約35重量%的銻，例如，約70.3重量%的鉭及約29.7重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約21.9重量%至約33.7重量%的鉭及約66.3重量%至約78.1重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約22重量%至約30重量%的鉭及約70重量%至約78重量%的銻，例如，約26.5重量%的鉭及73.5重量%的銻。在一或多個實施例中，鉭和銻之合金為非晶態。
在一個實例中，吸收體層420a由銻製成，且形成吸收體層420b之材料為鉭。類似地，吸收體層420c由銻製成，且形成吸收體層420d之材料為鉭，且吸收體層420e由銻材料製成，且形成吸收體層420f之材料為鉭。
在一個實施例中，極紫外光遮罩坯體400包括複數個反射層412，所述反射層412選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，例如，鉬(Mo)和矽(Si)。用於形成吸收體層420a、420b、420c、420d、420e及420f之吸收體材料為鉭和銻之合金。在一些實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約33.7重量%至約57.8重量%的鉭及約42.2重量%至約63.3重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約45重量%至約55重量%的鉭及約45重量%至約55重量%的銻，例如，51.5重量%的鉭及48.9重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約57.8重量%至約78.2重量%的鉭及約21.8重量%至約42.2重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約65重量%至約75重量%的鉭及約25重量%至約35重量%的銻，例如，約70.3重量%的鉭及約29.7重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約21.9重量%至約33.7重量%的鉭及約66.3重量%至約78.1重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約22重量%至約30重量%的鉭及約70重量%至約78重量%的銻，例如，約26.5重量%的鉭及73.5重量%的銻。在一或多個實施例中，鉭和銻之合金為非晶態。
在一或多個實施例中，吸收體層對420a/420b、420c/420d、420e/420f包含：包括吸收體材料之第一層(420a、420c、420e)，所述吸收體材料包含鉭和銻之合金；及包括吸收體材料之第二吸收體層(420b、420d、420f)，所述吸收體材料包括鉭和銻之合金。在具體實施例中，吸收體層對包含第一層(420a、420c、420e)及第二吸收體層(420b、420d、420f)，第一層(420a、420c、420e)包括鉭和銻之合金，鉭和銻之合金選自具有約鉭和銻之合金之合金，且第二吸收體層(420b、420d、420f)包括吸收體材料，吸收體材料包括鉭和銻之合金。
根據一或多個實施例，吸收體層對包含：第一層(420a、420c、420e)及第二吸收體層(420b、420d、420f)，各所述第一吸收體層(420a、420c、420e)及第二吸收體層(420b、420d、420f)之厚度在0.1 nm與10 nm之範圍內，例如在1 nm與5 nm之範圍內，或在1 nm與3 nm之範圍內。在一或多個具體實施例中，第一層420a的厚度為0.5 nm、0.6 nm、0.7 nm、0.8 nm、0.9 nm、1 nm、1.1 nm、1.2 nm、1.3 nm、1.4 nm、1.5 nm、1.6 nm、1.7 nm、1.8 nm、1.9 nm、2 nm、2.1 nm、2.2 nm、2.3 nm、2.4 nm、2.5 nm、2.6 nm、2.7 nm、2.8 nm、2.9 nm、3 nm、3.1 nm、3.2 nm、3.3 nm、3.4 nm、3.5 nm、3.6 nm、3.7 nm、3.8 nm、3.9 nm、4 nm、4.1 nm、4.2 nm、4.3 nm、4.4 nm、4.5 nm、4.6 nm、4.7 nm、4.8 nm、4.9 nm，及5 nm。在一或多個實施例中，各對之第一吸收體層和第二吸收體層的厚度相同或相異。舉例而言，第一吸收體層和第二吸收體層具有之厚度使得第一吸收體層厚度對第二吸收體層厚度之比值為1:1、1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1或20:1，這導致在各對中之第一吸收體層的厚度等於或大於第二吸收體層的厚度。或者，第一吸收體層和第二吸收體層具有之厚度使得第二吸收體層厚度對第一吸收體層厚度之比值為1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1或20:1，這導致在各對中之第二吸收體層的厚度等於或大於第一吸收體層的厚度。
根據一或多個實施例，可選擇不同的吸收體材料和吸收體層的厚度，使得由於吸收性且由於來自反射層的多層堆疊之光的破壞性干擾所導致之相變，而吸收極紫外光線。儘管第5圖所示之實施例示出三對吸收體層對，420a/420b、420c/420d及420e/420f，申請專利範圍不應受限於特定數量的吸收體層對。根據一或多個實施例，EUV遮罩坯體400可包括範圍在5與60之間的吸收體層對，或範圍在10與40之間的吸收體層對。
根據一或多個實施例，吸收體層的厚度可提供小於2%的反射率和其他蝕刻特性。供應氣體可用於進一步修飾吸收體層之材料特性，例如，氮(N2 )氣可用來形成上文提供之材料的氮化物。根據一或多個實施例之吸收體層的多層堆疊為不同材料的單獨厚度之重複性圖案，使得EUV光不僅因吸收性還因多層吸收體堆疊引起之相變而被吸收，其中多層吸收體堆疊將破壞性干涉來自下方之反射材料的多層堆疊之光，以提供更好的對比度。
本揭示內容的另一個態樣與製造極紫外光(EUV)遮罩坯體之方法有關，此方法包含以下步驟：將反射層的多層堆疊形成於基板上，多層堆疊包括複數個反射層對；於反射層的多層堆疊上形成覆蓋層；以及於覆蓋層上形成吸收體層，吸收體層包含鉭和銻之合金，其中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約鉭和銻之合金包含約33.7重量%至約57.8重量%的鉭及約42.2重量%至約63.3重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約45重量%至約55重量%的鉭及約45重量%至約55重量%的銻，例如，51.5重量%的鉭及48.9重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約57.8重量%至約78.2重量%的鉭及約21.8重量%至約42.2重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約65重量%至約75重量%的鉭及約25重量%至約35重量%的銻，例如，約70.3重量%的鉭及約29.7重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約21.9重量%至約33.7重量%的鉭及約66.3重量%至約78.1重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約22重量%至約30重量%的鉭及約70重量%至約78重量%的銻，例如，約26.5重量%的鉭及73.5重量%的銻。在一或多個實施例中，鉭和銻之合金為非晶態。
EUV遮罩坯體可具有參照第4圖及第5圖而於上文描述之實施例的任何特徵，且可在參照第3圖所描述之系統中進行所述方法。
因此，在實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料及含矽(Si)材料，且吸收體層為鉭和銻之合金，其中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約鉭和銻之合金包含約33.7重量%至約57.8重量%的鉭及約42.2重量%至約63.3重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約45重量%至約55重量%的鉭及約45重量%至約55重量%的銻，例如，51.5重量%的鉭及48.9重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約57.8重量%至約78.2重量%的鉭及約21.8重量%至約42.2重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約65重量%至約75重量%的鉭及約25重量%至約35重量%的銻，例如，約70.3重量%的鉭及約29.7重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約21.9重量%至約33.7重量%的鉭及約66.3重量%至約78.1重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約22重量%至約30重量%的鉭及約70重量%至約78重量%的銻，例如，約26.5重量%的鉭及73.5重量%的銻。在一或多個實施例中，鉭和銻之合金為非晶態。
在另一個具體方法實施例中，在物理沉積腔室中形成不同的吸收體層，所述物理沉積腔室具有第一陰極和第二陰極，第一陰極包含第一吸收體材料且第二陰極包含第二吸收體材料。現請參見第6圖，其示出根據實施例之多陰極腔室500的上方部分。多陰極腔室500包括基底結構501，其具有由頂部配接器504覆蓋之圓柱狀主體部分502。頂部配接器504具有供數個陰極源所用之配置，所述陰極源如圍繞頂部配接器504安置之陰極源506、508、510、512及514。
在一或多個實施例中，所述方法形成之吸收體層的厚度在5 nm與60 nm之範圍中。在一或多個實施例中，吸收體層的厚度在51 nm與57 nm之範圍中。在一或多個實施例中，可選擇用於形成吸收體層之材料以影響吸收體層的蝕刻特性。在一或多個實施例中，可藉由在物理沉積腔室中形成之合金吸收體材料之共濺射來形成吸收體層的合金，這可提供更薄的吸收體層厚度（小於30 nm）並實現小於2%的反射率和期望的蝕刻特性。在實施例中，可藉由控制各吸收體材料之合金百分比，來使吸收體層的蝕刻特性和其他期望特性適合規格。在實施例中，可藉由諸如物理氣相沉積腔室的電壓、壓力、流量等操作參數來精確控制合金百分比。在實施例中，使用製程氣體來進一步修飾材料特性，例如，可使用N2 氣體來形成鉭及銻之氮化物。合金吸收體材料可包含鉭和銻之合金，以合金的總重量為基準，其包含約33.7重量%至約57.8重量%的鉭及約42.2重量%至約63.3重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約45重量%至約55重量%的鉭及約45重量%至約55重量%的銻，例如，51.5重量%的鉭及48.9重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約57.8重量%至約78.2重量%的鉭及約21.8重量%至約42.2重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約65重量%至約75重量%的鉭及約25重量%至約35重量%的銻，例如，約70.3重量%的鉭及約29.7重量%的銻。在一或多個實施例中，以合金的總重量為基準，鉭和銻之合金包含約21.9重量%至約33.7重量%的鉭及約66.3重量%至約78.1重量%的銻，例如，以合金的總重量為基準，約22重量%至約30重量%的鉭及約70重量%至約78重量%的銻，例如，約26.5重量%的鉭及73.5重量%的銻。在一或多個實施例中，鉭和銻之合金為非晶態。
多陰極源腔室500可為第3圖所示之系統的部分。在實施例中，極紫外光(EUV)遮罩坯體生產系統包含：用於產生真空之基板搬運真空腔室；基板搬運平台，處於真空中，用於輸送裝載於基板搬運真空腔室中之基板；以及由基板搬運平台接取之多個子腔室，用以形成EUV遮罩坯體，EUV遮罩坯體包括：基板上之反射層的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對；反射層的多層堆疊上之覆蓋層；及覆蓋層上之吸收體層，所述吸收體層由鉭和銻之合金製成。所述系統可用於製造參照第4圖或第5圖所示之EUV遮罩坯體，並具有與參照第4圖或第5圖而於上文描述之EUV遮罩坯體有關的任何特性。
通常可將製程儲存於記憶體中做為軟體常式，當由處理器執行此軟體常式時會引起製程腔室執行本揭示內容的製程。軟體常式也可由第二處理器（未示出）儲存及/或執行，第二處理器位在由處理器控制之硬體的遠端。也可在硬體中進行本揭示內容的一些或所有方法。這樣的話，製程可實作為軟體並使用電腦系統執行；製程可在硬體中實作為，如特定用途積體電路或其他類型的硬體實作；或實作為軟體與硬體之組合。當由處理器執行時，軟體常式將通用電腦轉換成專用電腦（控制器），所述專用電腦（控制器）控制腔室操作使得製程可被進行。
在整個說明書中對「一個實施例」、「某些實施例」、「一或多個實施例」或「一實施例」意味著結合所述實施例描述之具體特徵、結構、材料或特徵包括在本揭示內容的至少一個實施例中。因此在整個說明書多處出現之諸如「在一或多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」或「在實施例中」等短語不必然指稱本揭示內容的相同實施例。進一步，在一或多個實施例中，可以任何合適的方式組合具體特徵、結構、材料或特徵。
儘管已經參照具體實施例描述了本文的揭示內容，但應理解，這些實施例僅僅是對本揭示內容的原理和應用的說明。對於本案所屬技術領域中具通常知識者顯而易見的是，在不脫離本揭示內容的精神和範圍的情況下，可以對本揭示內容之方法和裝置進行各種修飾和變化。因此，本揭示內容欲包括在隨附申請專利範圍及其等效範圍內的修飾和變化。
10:EUV反射遮罩 12:反射性多層堆疊 14:基板 16:被遮蔽(非反射性)區域 18:蝕刻緩衝層 20:吸收層 22:覆蓋層 24:反射性區域 100:極紫外光微影系統 102:極紫外光源 104:聚光器 106:EUV反射遮罩 108:光學縮減組件 110:目標晶圓 112:極紫外光線 114:遮罩圖案 200:極紫外光反射元件生產系統 202:晶圓裝載和載體搬運系統 203:源基板 204:EUV遮罩坯體 205:極紫外光鏡 206:於大氣之搬運系統 208:晶圓傳送真空腔室 210:第一真空腔室 212:第二真空腔室 214:第一晶圓傳送系統 216:第二晶圓傳送系統 218:脫氣系統 220:第一物理氣相沉積系統 222:第二物理氣相沉積系統 224:預清潔系統 226:第一多陰極源 228:化學氣相沉積系統 230:硬化腔室 232:超平滑沉積腔室 302:極紫外光反射元件 304:基板 306:反射層之多層堆疊 308:覆蓋層 310:吸收劑層 312:第一反射層 314:第二反射層 316:反射對 400:極紫外光遮罩坯體 412:反射層 414:基板 420:吸收劑層的多層堆疊 420a~420f:吸收劑層對 422:覆蓋層 500:多陰極腔室 501:基底結構 502:主體部分 504:頂部配接器 506,508,510,512,514:陰極源
因此，可以詳細地理解本揭示內容的上述特徵的方式，可以透過參考實施例獲得上面簡要概述的本揭示內容的更具體的描述，其中一些實施例在附圖中示出。然而，應注意，附圖僅示出了本揭示內容之典型實施例，因此不應認為是對其範圍的限制，因為本揭示內容可允許其他同等有效的實施例。
第1圖概要地繪示利用習用吸收體之先前技術EUV反射遮罩；
第2圖概要地繪示極紫外光微影系統之實施例；
第3圖繪示極紫外光反射元件生產系統之實施例；
第4圖繪示極紫外光反射元件（如EUV遮罩坯體）之實施例；
第5圖繪示極紫外光反射元件（如EUV遮罩坯體）之實施例；以及
第6圖繪示多陰極物理沉積腔室之實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
302:極紫外光反射元件
304:基板
306:反射層之多層堆疊
308:覆蓋層
310:吸收劑層
312:第一反射層
314:第二反射層
316:反射對

Claims (20)

  1. 一種製造一極紫外光(EUV)遮罩坯體(blank)之方法，包含以下步驟： 將一多層堆疊形成於一基板上，該多層堆疊反射EUV輻射，該多層堆疊包含複數個反射層對(reflective layer pair)； 將一覆蓋層形成於該多層堆疊上；以及 將一吸收體層形成於該覆蓋層上，該吸收體層包含鉭和銻之一合金。
  2. 如請求項1所述之方法，其中鉭和銻之該合金包含約33.7重量%至約57.8重量%的鉭及約42.2重量%至約63.3重量%的銻。
  3. 如請求項1所述之方法，其中鉭和銻之該合金包含約57.8重量%至約78.2重量%的鉭及約21.8重量%至約42.2重量%的銻。
  4. 如請求項2所述之方法，其中鉭和銻之該合金包含約21.9重量%至約33.7重量%的鉭及約66.3重量%至約78.1重量%的銻。
  5. 如請求項3所述之方法，其中鉭和銻之該合金為非晶態。
  6. 如請求項1所述之方法，其中藉由以選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者之一氣體共濺射鉭及銻來形成該合金，以形成該吸收體層。
  7. 如請求項1所述之方法，其中使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者之一氣體將該合金逐層沉積為鉭層及銻層之一層疊，以形成該吸收體層。
  8. 如請求項1所述之方法，其中使用與該合金具有相同成分之一塊體靶材(bulk target)沉積該合金，並使用選自氬(Ar)、氧(O2 )或氮(N2 )中之一或多者之一氣體濺射該合金，以形成該吸收體層。
  9. 如請求項2所述之方法，其中以自0.1重量%至5重量%之範圍內的氮或氧中之一或多者摻雜鉭和銻之該合金。
  10. 如請求項3所述之方法，其中以自約0.1重量%至約5重量%之範圍內的氮或氧中之一或多者摻雜鉭和銻之該合金。
  11. 一種極紫外光(EUV)遮罩坯體(blank)，包含： 一基板； 一多層堆疊，其反射EUV輻射，該多層堆疊包含複數個反射層對(reflective layer pair)； 一覆蓋層，位於該等反射層之該多層堆疊上；以及 一吸收體層，包含鉭及銻之一合金。
  12. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中鉭及銻之該合金包含約33.7重量%至約57.8重量%的鉭及約42.2重量%至約63.3重量%的銻。
  13. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中鉭及銻之該合金包含約57.8重量%至約78.2重量%的鉭及約21.8重量%至約42.2重量%的銻。
  14. 如請求項12所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中鉭及銻之該合金包含約21.9重量%至約33.7重量%的鉭及約66.3重量%至約78.1重量%的銻。
  15. 如請求項13所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中鉭和銻之該合金為非晶態。
  16. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該吸收體層具有小於45 nm之一厚度。
  17. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該吸收體層進一步包含：自約0.1重量%至約5重量%之範圍內的一摻質，該摻質選自氮或氧中之一或多者。
  18. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該吸收體層具有小於45 nm之一厚度。
  19. 如請求項11所述之極紫外光(EUV)遮罩坯體，其中該吸收體層相對該覆蓋層有蝕刻選擇性。
  20. 一種極紫外光(EUV)遮罩坯體，包含： 一基板； 一多層堆疊，其反射EUV輻射，該多層堆疊包含複數個反射層對(reflective layer pair)，該複數個反射層對包括鉬(Mo)及矽(Si)； 一覆蓋層，位於該等反射層之該多層堆疊上；以及 一吸收體層，包含鉭及銻之一合金。
TW109102155A 2019-01-31 2020-01-21 極紫外光遮罩吸收體材料 TW202035792A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962799308P 2019-01-31 2019-01-31
US62/799,308 2019-01-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202035792A true TW202035792A (zh) 2020-10-01

Family

ID=71836404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109102155A TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-01-21 極紫外光遮罩吸收體材料

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11249389B2 (zh)
JP (1) JP7209102B2 (zh)
KR (1) KR20210109671A (zh)
SG (1) SG11202107350UA (zh)
TW (1) TW202035792A (zh)
WO (1) WO2020160354A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI880298B (zh) * 2023-04-03 2025-04-11 韓商Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司 具有吸收膜之用於ｅｕｖ微影的空白遮罩及使用其製造的光遮罩

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202202641A (zh) 2020-07-13 2022-01-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收劑材料
WO2025079684A1 (ja) * 2023-10-12 2025-04-17 テクセンドフォトマスク株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク

Family Cites Families (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4410407A (en) 1981-12-22 1983-10-18 Raytheon Company Sputtering apparatus and methods
JPS6376325A (ja) 1987-06-30 1988-04-06 Agency Of Ind Science & Technol Ｘ線リソグラフィ−用マスクのｘ線吸収体膜
JP3078163B2 (ja) 1993-10-15 2000-08-21 キヤノン株式会社 リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置
DE19508405A1 (de) 1995-03-09 1996-09-12 Leybold Ag Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar
US6323131B1 (en) 1998-06-13 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Passivated copper surfaces
US6132566A (en) 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
US6013399A (en) 1998-12-04 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Reworkable EUV mask materials
JP3529676B2 (ja) 1999-09-16 2004-05-24 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US6562522B1 (en) 1999-10-29 2003-05-13 Intel Corporation Photomasking
US6583068B2 (en) 2001-03-30 2003-06-24 Intel Corporation Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask
US6396900B1 (en) 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
DE10155112B4 (de) 2001-11-09 2006-02-02 Infineon Technologies Ag Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür
EP1333323A3 (en) 2002-02-01 2004-10-06 Nikon Corporation Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same
WO2003085709A1 (en) 2002-04-11 2003-10-16 Hoya Corporation Reflection type mask blank and reflection type mask and production methods for them
US6835503B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
JP2003315977A (ja) 2002-04-25 2003-11-06 Hoya Corp リソグラフィーマスクブランクの製造方法及び製造装置
US6641899B1 (en) 2002-11-05 2003-11-04 International Business Machines Corporation Nonlithographic method to produce masks by selective reaction, articles produced, and composition for same
US6913706B2 (en) 2002-12-28 2005-07-05 Intel Corporation Double-metal EUV mask absorber
US6908713B2 (en) 2003-02-05 2005-06-21 Intel Corporation EUV mask blank defect mitigation
JP2004273794A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Mitsubishi Electric Corp Ｘ線マスクの製造方法およびそれにより製造されたｘ線マスクを用いた半導体装置の製造方法
US7033739B2 (en) 2003-04-24 2006-04-25 Intel Corporation Active hardmask for lithographic patterning
US7282307B2 (en) 2004-06-18 2007-10-16 Freescale Semiconductor, Inc. Reflective mask useful for transferring a pattern using extreme ultra violet (EUV) radiation and method of making the same
US20060024589A1 (en) 2004-07-28 2006-02-02 Siegfried Schwarzl Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography
US7407729B2 (en) 2004-08-05 2008-08-05 Infineon Technologies Ag EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof
KR20070054651A (ko) * 2004-09-17 2007-05-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법
US8575021B2 (en) 2004-11-22 2013-11-05 Intermolecular, Inc. Substrate processing including a masking layer
FR2884965B1 (fr) 2005-04-26 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase
US7432201B2 (en) 2005-07-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system
KR20070036519A (ko) 2005-09-29 2007-04-03 주식회사 하이닉스반도체 반사형 마스크
JP4652946B2 (ja) 2005-10-19 2011-03-16 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
US20070090084A1 (en) 2005-10-20 2007-04-26 Pei-Yang Yan Reclaim method for extreme ultraviolet lithography mask blank and associated products
JP4926523B2 (ja) 2006-03-31 2012-05-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
KR20080001023A (ko) 2006-06-29 2008-01-03 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법
TWI427334B (zh) 2007-02-05 2014-02-21 Zeiss Carl Smt Gmbh Ｅｕｖ蝕刻裝置反射光學元件
KR100879139B1 (ko) 2007-08-31 2009-01-19 한양대학교 산학협력단 위상 반전 마스크 및 이의 제조방법
JP5194888B2 (ja) 2007-09-27 2013-05-08 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法
EP2217539A4 (en) 2007-11-30 2015-07-01 Corning Inc LOW DILATION GLASS MATERIAL HAVING A LOW GRADIENT OF EXPANSION POWER
KR100972863B1 (ko) 2008-04-22 2010-07-28 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그라피 마스크 및 그 제조 방법
CN102089860B (zh) 2008-07-14 2014-03-12 旭硝子株式会社 Euv光刻用反射型掩模基板及euv光刻用反射型掩模
DE102008042212A1 (de) 2008-09-19 2010-04-01 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
JP5253513B2 (ja) 2008-10-30 2013-07-31 キヤノンアネルバ株式会社 多層膜スパッタリング装置及び多層膜形成方法
US8587662B1 (en) 2008-11-06 2013-11-19 Target Brands, Inc. Theft trend analysis and response
KR101095681B1 (ko) 2008-12-26 2011-12-19 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법
EP2264460A1 (en) 2009-06-18 2010-12-22 Nxp B.V. Device having self-assembled-monolayer
JP5766393B2 (ja) 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
KR20130007537A (ko) 2010-03-02 2013-01-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
KR101625382B1 (ko) 2010-04-29 2016-05-30 (주)에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법
CN102947759B (zh) 2010-06-15 2016-03-02 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于euv光刻的掩模、euv光刻系统和用于优化掩模的成像的方法
TWI554630B (zh) 2010-07-02 2016-10-21 應用材料股份有限公司 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法
US8764995B2 (en) 2010-08-17 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
EP2617076B1 (en) 2010-09-15 2014-12-10 Ricoh Company, Limited Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof
JP6013720B2 (ja) 2010-11-22 2016-10-25 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置
US8426085B2 (en) 2010-12-02 2013-04-23 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for EUV mask having diffusion barrier
EP2763157B1 (en) 2011-09-28 2020-07-08 Toppan Printing Co., Ltd. Mask blank for reflection-type exposure, and mask for reflection-type exposure
WO2013077430A1 (ja) 2011-11-25 2013-05-30 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
JP2013120868A (ja) 2011-12-08 2013-06-17 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
KR20130085774A (ko) 2012-01-20 2013-07-30 에스케이하이닉스 주식회사 Ｅｕｖ 마스크
WO2013152921A1 (en) 2012-04-12 2013-10-17 Asml Netherlands B.V. Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus
US8658333B2 (en) 2012-06-04 2014-02-25 Nanya Technology Corporation Reflective mask
US8765331B2 (en) 2012-08-17 2014-07-01 International Business Machines Corporation Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography
US8932785B2 (en) 2012-10-16 2015-01-13 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits
US9146458B2 (en) 2013-01-09 2015-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba EUV mask
US9442387B2 (en) 2013-02-01 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process
US9812303B2 (en) 2013-03-01 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Configurable variable position closed track magnetron
US9135499B2 (en) 2013-03-05 2015-09-15 Tyco Fire & Security Gmbh Predictive theft notification for the prevention of theft
US20140254001A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Globalfoundries Inc. Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making
US9298081B2 (en) 2013-03-08 2016-03-29 Globalfoundries Inc. Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US9310675B2 (en) 2013-03-15 2016-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
JP6408790B2 (ja) 2013-05-31 2018-10-17 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US9091947B2 (en) 2013-07-19 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof
US9134604B2 (en) 2013-08-30 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask
KR101567057B1 (ko) 2013-11-15 2015-11-09 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9261774B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity
JP6301127B2 (ja) 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
US9329597B2 (en) 2014-01-17 2016-05-03 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US10279488B2 (en) 2014-01-17 2019-05-07 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9195132B2 (en) 2014-01-30 2015-11-24 Globalfoundries Inc. Mask structures and methods of manufacturing
US11183375B2 (en) 2014-03-31 2021-11-23 Applied Materials, Inc. Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof
KR20160002332A (ko) 2014-06-30 2016-01-07 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9581890B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof
US9612522B2 (en) 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US9581889B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor
US9690016B2 (en) 2014-07-11 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with amorphous layers and method of manufacturing thereof
US9739913B2 (en) 2014-07-11 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof
US10347485B2 (en) 2014-09-17 2019-07-09 Hoya Corporation Reflective mask blank, method for manufacturing same, reflective mask, method for manufacturing same, and method for manufacturing semiconductor device
US9709884B2 (en) 2014-11-26 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and manufacturing method by using the same
US9471866B2 (en) 2015-01-05 2016-10-18 Tyco Fire and Securtiy GmbH Anti-theft system used for customer service
US9551924B2 (en) 2015-02-12 2017-01-24 International Business Machines Corporation Structure and method for fixing phase effects on EUV mask
US9588440B2 (en) 2015-02-12 2017-03-07 International Business Machines Corporation Method for monitoring focus in EUV lithography
KR101726045B1 (ko) 2015-06-04 2017-04-13 한양대학교 산학협력단 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법
TWI694304B (zh) 2015-06-08 2020-05-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底
KR101829604B1 (ko) 2015-08-17 2018-03-29 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법
KR101772943B1 (ko) 2015-08-17 2017-09-12 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9673042B2 (en) 2015-09-01 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers
US20170092533A1 (en) 2015-09-29 2017-03-30 Applied Materials, Inc. Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor
US10163629B2 (en) 2015-11-16 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
US10431440B2 (en) 2015-12-20 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US9791771B2 (en) 2016-02-11 2017-10-17 Globalfoundries Inc. Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure
JP6692443B2 (ja) 2016-03-03 2020-05-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 断続的な空気−水暴露による自己組織化単分子膜のブロッキングの改良
JP6739960B2 (ja) 2016-03-28 2020-08-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US10061191B2 (en) 2016-06-01 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High durability extreme ultraviolet photomask
TWI763686B (zh) * 2016-07-27 2022-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統
TWI730139B (zh) 2016-07-27 2021-06-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
US11926894B2 (en) 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US11011357B2 (en) 2017-02-21 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for multi-cathode substrate processing
JP7082606B2 (ja) 2017-03-02 2022-06-08 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US10704139B2 (en) 2017-04-07 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Plasma chamber target for reducing defects in workpiece during dielectric sputtering
US10847368B2 (en) 2017-04-07 2020-11-24 Applied Materials, Inc. EUV resist patterning using pulsed plasma
KR20180127197A (ko) 2017-05-18 2018-11-28 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP6729508B2 (ja) 2017-06-29 2020-07-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP6863169B2 (ja) 2017-08-15 2021-04-21 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、および反射型マスク
EP3454119B1 (en) 2017-09-09 2023-12-27 IMEC vzw Euv absorbing alloys
US10504705B2 (en) 2017-09-15 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition chamber with static magnet assembly and methods of sputtering
US10890842B2 (en) 2017-09-21 2021-01-12 AGC Inc. Reflective mask blank, reflective mask, and process for producing reflective mask blank
US10802393B2 (en) 2017-10-16 2020-10-13 Globalfoundries Inc. Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask
KR102402767B1 (ko) 2017-12-21 2022-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR102802783B1 (ko) 2018-06-13 2025-05-07 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법
TWI821300B (zh) 2018-06-19 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 具有護罩座的沉積系統
JP6636581B2 (ja) 2018-08-01 2020-01-29 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
KR20200020608A (ko) 2018-08-16 2020-02-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 승화기
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
TW202104617A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI880298B (zh) * 2023-04-03 2025-04-11 韓商Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司 具有吸收膜之用於ｅｕｖ微影的空白遮罩及使用其製造的光遮罩

Also Published As

Publication number Publication date
US20200249560A1 (en) 2020-08-06
JP2022519037A (ja) 2022-03-18
WO2020160354A1 (en) 2020-08-06
SG11202107350UA (en) 2021-08-30
US11249389B2 (en) 2022-02-15
KR20210109671A (ko) 2021-09-06
JP7209102B2 (ja) 2023-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI828843B (zh) 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
KR102537308B1 (ko) 극자외선 마스크 흡수체 물질들
US20200371429A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
KR102647715B1 (ko) 극자외선 마스크 흡수체용 ta-cu 합금 재료
WO2022076057A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
TWI845677B (zh) 極紫外光遮罩吸收材料
TW202033828A (zh) 極紫外光遮罩吸收材料
US11249389B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202130838A (zh) 極紫外線遮罩吸收劑材料
TW202129401A (zh) 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料
TWI836207B (zh) 極紫外光遮罩吸收材料
TW202131087A (zh) 極紫外光遮罩吸收劑材料
TWI836073B (zh) 極紫外光遮罩坯體及其製造方法
TWI845676B (zh) 極紫外光遮罩吸收劑材料
US11675263B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11275302B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US20200371423A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202104667A (zh) 極紫外光遮罩吸收材料