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TW201416483A - 成膜裝置之運轉方法及成膜裝置 - Google Patents

成膜裝置之運轉方法及成膜裝置 Download PDF

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TW201416483A
TW201416483A TW102124108A TW102124108A TW201416483A TW 201416483 A TW201416483 A TW 201416483A TW 102124108 A TW102124108 A TW 102124108A TW 102124108 A TW102124108 A TW 102124108A TW 201416483 A TW201416483 A TW 201416483A
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gas supply
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processing gas
exhaust port
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Hitoshi Kato
Shigehiro Miura
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

本發明之成膜裝置之運轉方法係使成膜裝置運轉之方法，該成膜裝置係重複複數次將相互不同的處理氣體依序供應至基板之循環來層積反應生成物的層而獲得薄膜，其包含：真空容器；旋轉台，係配置於該真空容器內，用以載置基板並使其公轉；第1處理氣體供應部，係對基板供應第1處理氣體；第2處理氣體供應部，係自該第1處理氣體供應部遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，且對基板供應第2處理氣體；分離區域，係在成膜處理時的該旋轉台旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部與第2處理氣體供應部之間，而供應有用以分離該第1處理氣體及該第2處理氣體之分離氣體；第1真空排氣口，係主要用來將該第1處理氣體排氣；第2真空排氣口，係自該第1真空排氣口遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，主要用來將該第2處理氣體排氣；以及清潔氣體供應部，係供應用來清潔該旋轉台之清潔氣體；其中係包含清潔工序，係一邊停止從該第1真空排氣口之排氣，而從該第2真空排氣口進行真空排氣，一邊從該清潔氣體供應部對真空容器內供應清潔氣體。

Description

成膜裝置之運轉方法及成膜裝置
本發明關於一種成膜裝置之運轉方法及成膜裝置。
半導體製造工序中之成膜技術的其中之一，有一種將會相互反應之複數種處理氣體依序供應至半導體晶圓(以下稱作晶圓)表面來層積反應生成物之所謂的原子層沈積(ALD：Atomic Layer Deposition)法。實施ALD法之裝置，已知有一種以旋轉台來使配置於旋轉台上之複數晶圓公轉，並依序通過供應有各處理氣體的區域之裝置。此裝置中，為了避免相互的處理氣體在旋轉台的旋轉方向上，而在複數處理氣體的供應區域之間混合(使相互的處理氣體分離)，係設置有被供應有例如氮氣等非活性氣體的分離氣體之分離區域。再者，旋轉台的旋轉方向上，於各處理氣體的供應區域下游側設置有真空排氣口，而構成為可專門地來將分別的處理氣體連同分離氣體一起真空排氣。
作為複數處理氣體的一例，可舉出會吸附在晶圓表面之原料氣體，與能使上述原料氣體氧化或氮化之氣體。但若分離氣體隨著旋轉台的旋轉而流入原料氣體的供應區域，則原料氣體會因分離氣體而被稀釋，成為薄膜膜厚的面內均勻性降低之原因，於是必須使原料氣體的流量增大，而導致成本上升。因此，專利文獻1記載一技術，其係於朝旋轉台的徑向延伸之氣體噴 嘴上設置有整流板，分離氣體會越過該整流板上，藉此抑制分離氣體流入原料氣體的供應區域。
另一方面，實施成膜製程時，不僅是晶圓，旋轉台的上表面亦會成膜有薄膜，若重複成膜製程，其膜厚會增大，因薄膜剝落而導致微粒產生。於是，便必須定期地以清潔氣體來去除旋轉台上的薄膜。
在此，為了防止對成膜裝置之損傷，且進行旋轉台的清潔，而有限制清潔氣體供應部的配置位置之情況。
例如，晶圓係在成膜裝置內的區域(稱作「傳遞區域」)處，藉由外部的基板搬送機構來進行傳遞。通常，傳遞區域配置有監視晶圓的傳遞之偵測器。於是，為了避免清潔氣體造成偵測器劣化，而使清潔氣體供應部的位置遠離傳遞區域之方式，並非好的對策。因此，考慮了將清潔氣體供應部配置於例如遠離傳遞區域之原料氣體的供應區域附近之配置型態。但如上述般，若於氣體噴嘴上設置有整流板，則與分離氣體同樣地，清潔氣體會越過整流板上，該部分導致接觸於旋轉台之清潔氣體的量減少，而有清潔所需時間增長之問題。
於是，便必須針對氣體流動下工夫，以便能夠有效率地進行旋轉台的清潔。
專利文獻1：日本特開2011-100956號公報
本發明有鑒於上述情事，乃提供一種可在進行複數次藉由旋轉台使基板公轉且依序供應相異處理氣體之循環來進行成膜處理之裝置中，迅速地進行旋轉台的清潔之技術。
依據一樣態，提供一種成膜裝置之運轉方法，係使成膜裝置運轉之方法，該成膜裝置係重複複數次將不同的處理氣體依序供應至基板之循環來層積反應生成物的層而獲得薄膜，其包含：真空容器；旋轉台，係配置於該真空容器內，用以載置基板並使其公轉；第1處理氣體供應部，係對基板供應第1處理 氣體；第2處理氣體供應部，係自該第1處理氣體供應部遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，且對基板供應第2處理氣體；分離區域，係在成膜處理時的該旋轉台旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部與第2處理氣體供應部之間，而供應有用以分離該第1處理氣體及該第2處理氣體之分離氣體；第1真空排氣口，係主要用來將該第1處理氣體排氣；第2真空排氣口，係自該第1真空排氣口遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，主要用來將該第2處理氣體排氣；以及清潔氣體供應部，係供應用來清潔該旋轉台之清潔氣體；其中係包含清潔工序，係一邊停止從該第1真空排氣口之排氣，而從該第2真空排氣口進行真空排氣，一邊從該清潔氣體供應部對真空容器內供應清潔氣體。
依據其他樣態，提供一種成膜裝置，係重複複數次將不同的處理氣體依序供應至基板之循環來層積反應生成物的層而獲得薄膜，其包含：真空容器；旋轉台，係配置於該真空容器內，用以載置基板並使其公轉；第1處理氣體供應部，係對基板供應第1處理氣體；第2處理氣體供應部，係自該第1處理氣體供應部遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，且對基板供應第2處理氣體；分離區域，係在成膜處理時的該旋轉台旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部與第2處理氣體供應部之間，而供應有用以分離該第1處理氣體及該第2處理氣體之分離氣體；第1真空排氣口，係主要用來將該第1處理氣體排氣；第2真空排氣口，係自該第1真空排氣口遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，主要用來將該第2處理氣體排氣；清潔氣體供應部，係供應用來清潔該旋轉台之清潔氣體；以及控制部，係輸出控制訊號，以執行停止該第1真空排氣口之排氣，而從該第2真空排氣口進行真空排氣之步驟，與在此狀態下從該清潔氣體供應部對該真空容器內供應清潔氣體之步驟。
h1、h2‧‧‧高度
α、β、γ‧‧‧角度
u1、u2‧‧‧圓弧長度尺寸
P3、P4‧‧‧電漿處理區域
A‧‧‧清潔氣體供應區域
C‧‧‧中心部區域
D1、D2‧‧‧分離區域
R1‧‧‧第1旋轉方向
R2‧‧‧第2旋轉方向
P1‧‧‧第1處理區域
P2‧‧‧第2處理區域
S1‧‧‧傳遞區域
W‧‧‧晶圓
1、8‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧旋轉台
7‧‧‧控制部
11‧‧‧真空容器
11a‧‧‧密封組件
12‧‧‧頂板
13‧‧‧容器本體
14‧‧‧凸部
15‧‧‧氣體流道
15A‧‧‧外壁
15B‧‧‧內壁
16‧‧‧供應管
17‧‧‧搬送口
18‧‧‧閘閥
19‧‧‧檢測窗
21‧‧‧支撐部
22‧‧‧旋轉驅動機構
23‧‧‧凹部
24‧‧‧搬送機構
25‧‧‧孔
26‧‧‧CCD照相機
27‧‧‧加熱器
28‧‧‧吹淨氣體供應管
29‧‧‧吹淨氣體供應部
30A~30E‧‧‧氣體供應源
31‧‧‧第1處理氣體噴嘴
32‧‧‧第2處理氣體噴嘴
33‧‧‧電漿產生用氣體噴嘴
34‧‧‧氣體噴出口
35‧‧‧清潔氣體噴嘴
41‧‧‧第1分離氣體噴嘴
42‧‧‧第2分離氣體噴嘴
43‧‧‧凸部
44‧‧‧第1頂面
45‧‧‧第2頂面
51‧‧‧噴嘴罩
52‧‧‧罩本體
53、54‧‧‧整流板
55‧‧‧對向部
56、57‧‧‧支撐部
58‧‧‧流通空間
61‧‧‧環組件
62‧‧‧第1真空排氣口
63‧‧‧第2真空排氣口
64‧‧‧排氣管
65‧‧‧真空幫浦
66‧‧‧壓力調整部
67‧‧‧溝槽
71、91‧‧‧電漿處理部
72‧‧‧天線
73‧‧‧匹配器
74‧‧‧高頻電源
75‧‧‧框體
76‧‧‧按壓組件
77‧‧‧連接電極
79‧‧‧突起部
81‧‧‧法拉第遮蔽板
82‧‧‧槽縫
83‧‧‧絕緣板
84‧‧‧支撐組件
圖1係顯示本實施型態之成膜裝置一例之縱剖側視圖。
圖2為上述成膜裝置的概略橫剖立體圖。
圖3為上述成膜裝置的橫剖俯視圖。
圖4為上述成膜裝置之周圍方向上的縱剖側視圖。
圖5為上述成膜裝置之周圍方向上的縱剖側視圖。
圖6為上述成膜裝置所設置之第1處理氣體噴嘴的噴嘴罩之立體圖。
圖7為上述噴嘴罩的概略俯視圖。
圖8為上述成膜裝置所設置之電漿處理部的分解立體圖。
圖9係顯示成膜處理時的氣體流動之說明圖。
圖10係顯示清潔處理時的氣體流動之說明圖。
圖11係顯示成膜裝置的其他範例之橫剖俯視圖。
圖12係顯示將清潔氣體噴嘴設置於其他位置處的範例之成膜裝置的橫剖俯視圖。
圖13係顯示評估試驗的結果之示意圖。
圖14係顯示評估試驗的結果之示意圖。
圖15係顯示評估試驗的結果之示意圖。
圖16係顯示評估試驗的結果之示意圖。
圖17係顯示評估試驗的結果之示意圖。
以下，參閱添附圖式，針對本發明之非限定的例示實施型態加以說明。所添附之全部圖式中，針對相同或相對應之組件或零件則賦予相同或相對應之參考符號，而省略重複說明。又，圖式之目的並非用以顯示組件或零件間的對比關係，因此，具體的尺寸仍應參照以下之非限定的實施型態，而由本發明所屬技術區域中具通常知識者來決定。
針對本實施型態之成膜裝置1，參閱圖1~圖3加以說明。圖1、圖2及圖3分別為成膜裝置1之縱剖側視圖、概略剖面立體圖及橫剖俯視圖。
成膜裝置1具有真空容器11與水平地設置於其內部之旋轉台(晶座)2。成膜裝置1係執行針對該旋轉台2所載置的晶圓W之成膜處理，以及將因該成膜處理而附著在旋轉台2的膜予以去除之清潔處理。
首先，概略說明成膜處理。一邊將真空容器11內排氣，一邊藉由旋轉台2使晶圓W旋轉，對晶圓W依序供應會互相反應之2種處理氣體，而藉由ALD法來形成SiO2(氧化矽)等的薄膜。之後，藉由電漿來將上述薄膜改質。旋轉台2所載置之晶圓W會重複地交互通過供應有薄膜形成用氣體之處理區域與藉由電漿而進行之改質區域，藉此交互地重複進行薄膜形成與電漿改質，以於晶圓W形成期望厚度的薄膜。
接著進行清潔處理。清潔處理概略來說，係一邊將真空容器11內排氣，一邊對旋轉台2供應清潔氣體來進行薄膜的去除。
接下來，說明成膜裝置1的各部結構。
真空容器11係設置於大氣氛圍中，在上述各處理中，使其內部為真空氛圍。真空容器11係構成為大致呈圓形，由構成真空容器11的側壁及底部之容器本體13，與石英構成的頂板12所構成。成膜裝置1係設置有將真空容器11內保持為氣密之密封組件11a。
頂板12的中央部形成有朝下方突出之凸部14，而連同在真空容器11的中心部處支撐上述旋轉台2之支撐部21，一起構成具備氣體流道15之中心部區域C。成膜裝置1係設置有對氣體流道15供應吹淨氣體(即N2(氮)氣體)之供應管16。從氣體流道15朝向外周對旋轉台2的表面上供應N2氣體，可防止相異的處理氣體彼此在中心部區域C處混合。
旋轉台2係自支撐部21愈接近外側則愈寬廣般地構成為圓形。旋轉台2係藉由支撐部21下方的旋轉驅動機構22，於其中心軸周圍繞周圍方向旋轉。旋轉台2的表面側(一面側)係沿旋轉方向形成有5個基板載置區域(即凹部23)，該凹部23 載置有晶圓W。當旋轉台2旋轉時，載置於凹部23之晶圓W會在旋轉台2的中心軸周圍公轉。
與凹部23的通過區域分別呈對向之位置處，在真空容器11的周圍方向上相互間隔地分別配置有例如石英所構成的5根氣體噴嘴31、32、33、41及42，該等各氣體噴嘴31、32、33、41及42係分別設置為例如從真空容器11的外周壁朝向中心部區域C水平地延伸。在此範例中，第1處理氣體噴嘴31、第1分離氣體噴嘴41、第2處理氣體噴嘴32、電漿產生用氣體噴嘴33及第2分離氣體噴嘴42係以此順序順時針方向地配設。
各氣體噴嘴31、32、33、41及42係分別連接於具備流量調整閥等之以下的各氣體供應源。第1處理氣體噴嘴31係供應會吸附在晶圓表面之原料氣體。具體來說，第1處理氣體噴嘴31係連接於含有Si(矽)之第1處理氣體，例如BTBAS(二(特丁胺基)矽烷：SiH2(NH-C(CH3)3)2)氣體等之供應源30A。第2處理氣體噴嘴32係供應會使從第1處理氣體噴嘴31所供應之原料氣體氧化或氮化之氣體。具體來說，第2處理氣體噴嘴32係連接於第2處理氣體，例如臭氧(O3)氣體與氧(O2)氣體的混合氣體之供應源(詳細來說為設置有臭氧產生器之氧氣供應源)30B。
電漿產生用氣體噴嘴33係連接於例如氬(Ar)氣體與氧氣之混合氣體所構成的電漿產生用氣體之供應源30C。第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42係分別連接於分離氣體(即N2氣體)之氣體供應源30D。氣體供應源30A~30C為各氣體噴嘴31~33在成膜處理時所連接之氣體供應源。在清潔處理時，氣體噴嘴31~33亦會連接於氣體供應源30D，而噴出N2氣體作為吹淨氣體。藉此，可防止氣體噴嘴31~33因清潔氣體而被蝕刻。
本實施型態中，在成膜處理與清潔處理中，旋轉台2的旋轉方向不同。成膜處理中，旋轉台2係往順時針方向(R1，第1旋轉方向)旋轉，清潔處理中，旋轉台2係往逆時針方向(R2， 第2旋轉方向)。以下，如未特別記載，則旋轉方向上游側、旋轉方向下游側係分別指成膜處理中之旋轉方向(R1)上游側、旋轉方向(R1)下游側，來繼續說明成膜裝置1。
以下，亦參閱圖4來加以說明沿旋轉台2之旋轉方向之縱剖側視圖。
氣體噴嘴31、32、33、41及42的例如下面側係沿各氣體噴嘴的長度方向分別形成有多個氣體噴出口34，從各氣體供應源30A~30D供應的氣體會從噴出口34被噴出。為了防止因從中心部區域C噴出的吹淨氣體，造成旋轉台2中心部側的處理氣體濃度變低，第1處理氣體噴嘴31中，中心部側係較周緣部側而設置有較多的噴出口34，可以較多流量供應處理氣體之結構。為了防止氣體從旋轉方向上游側進入後述電漿處理區域，電漿產生用氣體噴嘴33的噴出口34係朝向旋轉方向上游側往斜下方噴出氣體。
真空容器11的頂板12具有朝下方突出之2個扇形凸部43，凸部43係於周圍方向上相距間隔而形成。第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42分別嵌入於凸部43，而設置為在周圍方向上將該凸部43予以分割。亦即，第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42之旋轉台2的周圍方向兩側處，係配置有為凸部43的下表面之較低的頂面44(第1頂面)。然後，該頂面44的周圍方向兩側係配置有高於該頂面44之頂面45(第2頂面)。
第1頂面44的下方係構成為用以阻止第1處理氣體與第2處理氣體的混合之分離區域，將設置有第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42之分離區域分別稱作D1及D2。成膜處理時，從第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42被供應至分離區域D1及D2之N2氣體(分離氣體)會在分離區域D1及D2中分別往周圍方向擴散，而將第1、第2處理氣體及電漿產生用氣體推往後述第1真空排氣口62及第2真空排氣口63。圖5係以箭頭表示成膜處理時的氣體流動。
第1處理氣體噴嘴31係設置有如圖6所示般地在長度方向上覆蓋第1處理氣體噴嘴31之噴嘴罩51。噴嘴罩51由石英所構成。第1處理氣體噴嘴31之設置有噴出口34的區域係形成為方形，噴嘴罩51具備圍繞該方形部上側、旋轉方向兩側及旋轉台2的中心側之罩本體52，以及從罩本體52的下端分別突出於旋轉方向上游側、下游側之水平的整流板53及54。圖4所示之整流板53及54至旋轉台2的高度h1為例如0.5~3mm左右。整流板53及54係愈朝向旋轉台2的外側則大大地突出，噴嘴罩51係構成為俯視觀之呈接近扇形。整流板53及54之旋轉台2的外周側形成有朝下方彎曲，而對向於旋轉台2的外周之對向部55。噴嘴罩51係包含有相對於真空容器11的底部及裝置1的中心部區域C分別支撐噴嘴罩51之支撐部56及57。
整流板53及54係具有使得從第1處理氣體噴嘴31噴出的第1處理氣體沿晶圓W流通，來提高晶圓W與第1處理氣體的反應性之功用。亦即，第1處理氣體噴嘴31、以及該等整流板53及54的下方區域係形成用以使第1處理氣體吸附在晶圓W之第1處理區域P1。又，整流板53亦具有將從第2分離氣體噴嘴42朝向第1處理區域P1流動的分離氣體引導至噴嘴罩51上方之流通空間58，來防止分離氣體進入第1處理區域P1之功用(參閱圖4及圖5)。藉以抑制第1處理區域P1的第1處理氣體濃度降低。圖4所示之流通空間58的高度h2為例如5~15mm。
又，罩本體52之旋轉台2中心側的壁部及對向部55係具有藉由從中心部區域C朝向旋轉台2周端被供應的吹淨氣體，來防止供應至第1處理區域P1之第1處理氣體被推往該周端之功用。藉以提高旋轉台2半徑方向上之第1處理氣體濃度的均勻性。
參閱圖7，其係顯示噴嘴罩51的一尺寸例之概略俯視圖。
本實施型態中，整流板係形成為周圍方向的長度在旋轉方向(R1)下游側會較上游側來得長。具體來說，整流板53之旋轉方向上游側的外形線與第1處理氣體噴嘴31所構成之角度α為例如15°。又，整流板54之旋轉方向下游側的外形線與第1處理氣體噴嘴31所構成之角度β係大於角度α，例如22.5°。整流板53及54之旋轉台2外緣部上方的圓弧長度尺寸u1及u2分別為例如120mm及180mm。
連結旋轉台2的中心O與第1真空排氣口62之旋轉方向下游側的端部之線(圖中以鏈線顯示)與整流板54之旋轉方向下游側的外形線所構成之角度γ係設定為0°以上，例如7.5°。亦即，第1真空排氣口62係較構成第1處理氣體供應部之噴嘴罩51而設置於更接近第1分離區域D1側。藉此，便不會因整流板54而阻礙從第1處理氣體噴嘴31朝向第1真空排氣口62之第1處理氣體的流動。
例如，如圖2或圖3所示，成膜裝置1係包含有設置於真空容器11之電漿處理部71。針對電漿處理部71加以說明。如圖3所示，電漿處理部71從俯視方向觀看時，係從旋轉台2的中央部側遍佈外周部側而跨越晶圓W的通過區域般地配置。以下亦參閱為電漿處理部71各部分的分解立體圖之圖8來加以說明。
電漿處理部71具有金屬線構成的線圈狀天線72。天線72係圍繞沿旋轉台2的半徑方向延伸之帶狀區域而呈概略八角形。又，天線72係透過匹配器73而連接於頻率為例如13.56MHz及輸出電力為例如5000W的高頻電源74。
上述電漿產生用氣體噴嘴33的上方側處，頂板12從俯視方向觀看具有概略扇形的開口。此開口部係藉由例如石英等所構成的框體75而氣密地被封閉，來將天線72自真空容器11的內部氣密地區劃。框體75之周緣部係遍佈周圍方向而凸緣狀地水平伸出，並且，其中央部係朝向真空容器11的內部區域凹陷般地形成。天線72收納於框體75的內側。按壓組件76 係將框體75的周緣部朝下方側按壓。電漿處理部71、匹配器73及高頻電源74係藉由連接電極77而電連接。
為了阻止分離氣體及第2處理氣體朝框體75的下方區域侵入，框體75的下面係形成有外緣部遍佈周圍方向而朝下方側(旋轉台2側)垂直地伸出之氣體限制用的突起部79。突起部79的內周面及框體75的下面所圍繞之區域收納有上述電漿產生用氣體噴嘴33。突起部79所圍繞之區域構成了改質區域(即電漿處理區域P3)。
框體75與天線72之間配置有上面側呈開口之概略箱型的法拉第遮蔽板81。法拉第遮蔽板81係由導電性板狀體(金屬板)所構成，且為接地狀態。法拉第遮蔽板81的底面形成有多個槽縫82，以阻止天線72處所產生之電場及磁場(電磁場)中的電場成分朝向下方的晶圓W，且使磁場到達晶圓W。槽縫82係朝向與天線72的捲繞方向呈直交之方向延伸般而形成，沿著天線72般，遍佈周圍方向而設置於該天線72的下方位置處。圖8中，元件符號83為使法拉第遮蔽板81與天線72絕緣之絕緣板，元件符號84為將法拉第遮蔽板81支撐在框體75的凸緣之支撐組件。
接著，說明真空容器11的其他各部位。如圖1、3、6等所示，在旋轉台2的外周側處，旋轉台2的下方係沿真空容器11的周圍而配置有環組件61。環組件61可保護真空容器11的側壁以阻隔清潔氣體。此外，如圖6所示，實際上來說，真空容器11的側壁具備有外壁15A，與保護該外壁15A以阻隔清潔氣體之內壁15B。但其他圖式中，為了避免圖式變得煩雜，而將該等外壁15A及內壁15B一體地描繪。
環組件61係設置有於周圍方向相互遠離之第1真空排氣口62及第2真空排氣口63。第1真空排氣口62係如上述般地設置於其旋轉方向(R1)下游側的端部乃較噴嘴罩51更接近第1分離區域D1之位置處。第2真空排氣口63係設置於較電漿處理區域P3更接近第2分離區域D2之位置處。第1真空排氣口 62係將第1處理氣體及分離氣體排氣，第2真空排氣口63係將第2處理氣體、電漿產生用氣體及分離氣體排氣。第1處理氣體、第2處理氣體係分別藉由第1真空排氣口62、第2真空排氣口63而專門地被排氣。
第1真空排氣口62及第2真空排氣口63係分別透過排氣管64而連接於真空排氣機構(即真空幫浦65)。各排氣管64介設有蝶閥等之壓力調整部66，來獨立地控制從第1真空排氣口62及第2真空排氣口63之各排氣量。
又，如圖3及圖4所示，環組件61係從第2真空排氣口63朝向電漿處理部71的旋轉方向上游側而於周圍方向上形成有溝槽67。溝槽67會將從分離氣體噴嘴41所供應之分離氣體與從第2處理氣體噴嘴32所供應之第2處理氣體引導至第2真空排氣口63。
第2處理氣體噴嘴32的下方區域係供應有第2處理氣體，而構成了使吸附在晶圓W之第1處理氣體與該第2處理氣體加以反應之第2處理區域P2。
第2處理區域P2的旋轉方向下游側與電漿處理部71的旋轉方向上游側之間構成了晶圓W的傳遞區域S1。面臨傳遞區域S1般而於真空容器11的側壁處形成有晶圓W的搬送口17。搬送口17為可藉由閘閥18而自由開閉之結構，可供進行晶圓W的搬出入之搬送機構24相對真空容器11內而進退。雖省略圖示，傳遞區域S1的旋轉台2下方處設置有升降銷。該升降銷係透過旋轉台2之凹部23的孔25而突陷於旋轉台2表面，藉此在凹部23與搬送機構24之間進行晶圓W的傳遞。
真空容器11的外部處，傳遞區域S1的上方設置有CCD照相機構成的偵測器26。頂板12處，傳遞區域S1的上側係構成為例如石英所構成的檢測窗19。偵測器26係透過檢測窗19來拍攝藉由搬送機構24而被搬送至真空容器11的晶圓W。藉此，成膜裝置1的使用者便可確認晶圓W的傳遞是否在傳遞區域S1處適當地進行。
噴嘴罩51的旋轉方向上游側，且為第2分離區域D2的旋轉方向下游側設置有構成清潔氣體供應部之清潔氣體噴嘴35。清潔氣體噴嘴35係形成為從旋轉台2外周朝向真空容器11周緣部延伸之棒狀，與其他氣體噴嘴同樣地連接於氣體供應源30E。例如ClF3等之氟系清潔氣體會從該氣體供應源30E被供應至清潔氣體噴嘴35，再從清潔氣體噴嘴35的前端部朝向旋轉台2的中心部側被噴出。
如技術領域之項目的說明，當清潔氣體被供應至傳遞區域S1後，檢測窗19會因清潔氣體而變霧，而有無法進行晶圓W的檢測之虞，因此清潔氣體噴嘴35係設置為清潔氣體不會被供應至此傳遞區域S1處。在此範例中，清潔氣體噴嘴35係設置於從旋轉方向(R1)觀看而較第2真空排氣口63更接近第1真空排氣口62之位置處。清潔氣體噴嘴35可自由裝卸在真空容器11，例如成膜處理時會被卸下。
如圖1所示，旋轉台2的下方處，係在遠離旋轉台2之位置處設置有加熱器27。旋轉台2會因加熱器27對旋轉台2的輻射熱而昇溫，來加熱所載置之晶圓W。又，容器本體13係設置有以N2氣體來吹淨加熱器27的配置空間之吹淨氣體供應管28。覆蓋真空容器11的底部中央之殼體20係設置有從旋轉台2的下方中央部朝向周緣部供應作為吹淨氣體的N2氣體之吹淨氣體供應部29。
成膜裝置1係設置有用以進行裝置整體動作的控制之電腦構成的控制部7。控制部7係儲存有執行後述成膜處理與清潔處理之程式。此程式會將控制訊號傳送至成膜裝置1的各部位，來控制各部位的動作。具體來說，係控制從各氣體供應源30A~30E對各氣體噴嘴之氣體的供給或停止、藉由高頻電源74的開啟/關閉之電漿的形成及形成的停止、藉由旋轉驅動機構22之旋轉台2的旋轉速度控制、以及藉由壓力調整部66之從各第1真空排氣口62及第2真空排氣口63的排氣量調整等之各動作。程式包含有控制該等動作來執行後述各處理之步驟 群。該程式係從硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡、軟碟等之記憶媒體被安裝在控制部7內。
接下來，說明藉由上述成膜裝置1來對晶圓W進行成膜處理之製程。
首先，在打開閘閥18之狀態下，一邊使旋轉台2間歇地旋轉，一邊經由搬送口17且藉由搬送機構24來將晶圓W依序搬送至傳遞區域S1，而將晶圓W載置於旋轉台2的5個凹部23。接下來，藉由真空幫浦65來從第1真空排氣口62及第2真空排氣口63排氣，以使真空容器11內成為真空抽氣狀態。與此排氣並行地，一邊藉由旋轉驅動機構22使旋轉台2以例如2rpm~240rpm順時針方向(R1)地旋轉，一邊藉由加熱器27來將晶圓W加熱至例如300℃。
接著，分別從第1處理氣體噴嘴31噴出第1處理氣體(BTBAS氣體)，從第2處理氣體噴嘴32噴出第2處理氣體(O3氣體及O2氣體)。同時，從電漿產生用氣體噴嘴33噴出電漿產生用氣體(Ar氣體及O2氣體)。又，從第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42噴出分離氣體(N2氣體)，並分別從中心部區域C、吹淨氣體供應管28及吹淨氣體供應部29噴出吹淨氣體(N2氣體)。從第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42所分別供應之N2氣體的流量為例如3~10L/分。然後，藉由各壓力調整部66來控制從第1真空排氣口62及第2真空排氣口63的各排氣量，以將真空容器11內調整為預先設定的處理壓力，並對天線72供應高頻電功率。
晶圓W表面會因旋轉台2的旋轉而在第1處理區域P1處吸附有第1處理氣體，接著，在第2處理區域P2處，吸附在晶圓W上之第1處理氣體與第2處理氣體會發生反應，而形成1層或複數層作為反應生成物之SiO2的分子層。此時，反應生成物中由於包含於例如第1處理氣體之殘留基，故亦有含有水分(OH基)或有機物等雜質的情況。
另一方面，電漿處理部71的下方側處，因高頻電源74供應的高頻電功率所產生之電場及磁場中的電場，會因法拉第遮蔽板81而被反射或吸收(衰減)，被阻礙到達真空容器11內(被阻隔)。而磁場則會通過法拉第遮蔽板81的槽縫82，經由框體75的底面到達真空容器11內。於是，從電漿產生用氣體噴嘴33噴出的電漿產生用氣體便會因經由槽縫82而通過的磁場，被活性化而生成例如離子或自由基等之電漿。
然後，當因磁場而產生的電漿(活性種)接觸到晶圓W表面後，便會進行前述反應生成物的改質處理。具體來說，例如電漿會衝撞到晶圓W表面，藉此例如從該反應生成物放出前述雜質，或反應生成物內的元素會再配列而發生緻密化(高密度化)。如此地，藉由持續旋轉台2的旋轉，以下述順序重複進行對晶圓W表面之第1處理氣體的吸附、吸附在晶圓W表面之第1處理氣體成分的反應及反應生成物的電漿改質，來層積SiO2的分子層。
圖9為真空容器11之橫剖視圖，與圖5同樣地以箭頭顯示該成膜處理時之各部位的氣體流動。如圖5及圖9所示，由於係對第1處理區域P1與第2處理區域P2之間的第1分離區域D1及第2分離區域D2供應分離氣體，故可阻止第1處理氣體與第2處理氣體及電漿產生用氣體發生混合，而將各氣體排氣。再者，由於係對旋轉台2的下方側供應吹淨氣體，故欲擴散至旋轉台2下方側之氣體會因吹淨氣體而被推回第1真空排氣口62及第2真空排氣口63側。又，如上述般，從分離氣體噴嘴41朝向第1處理區域P1流動的分離氣體會越過噴嘴罩51，再從該噴嘴罩51上朝向第1真空排氣口62流動而被排氣。使旋轉台2旋轉特定次數來形成期望膜厚的SiO2膜後，停止各氣體的供應，以相反於搬入時的動作來將晶圓W從成膜裝置1搬出。
接著，說明清潔處理。
以下的說明中，旋轉方向上游側、下游側係分別指該清潔處理時的旋轉方向(R2)上游側、下游側。
將清潔氣體噴嘴35預先安裝在真空容器11。又，氣體噴嘴31~33係阻隔與各處理氣體及電漿產生用氣體的供應源30A~30C之連接，而替代地預先連接於N2氣體供應源30D。停止從第1真空排氣口62之排氣，而從第2真空排氣口62以特定量進行排氣。同時，一邊藉由旋轉驅動機構22來使旋轉台2以例如5rpm逆時針方向旋轉，一邊藉由加熱器27來將旋轉台2加熱至例如550℃。然後，從第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42噴出分離氣體，並分別從氣體噴嘴31~33、中心部區域C、吹淨氣體供應管28及吹淨氣體供應部29噴出吹淨氣體。此時，從第1分離氣體噴嘴41供應的分離氣體流量例如與成膜處理時相同，為3~10L/分，從第2分離氣體噴嘴42供應的分離氣體流量在此例中亦與成膜處理時相同，為3L/分~10L/分。連同該等分離氣體及吹淨氣體的供應，一起進行從清潔氣體噴嘴35之清潔氣體的噴出。
圖10係以箭頭顯示清潔處理時的各氣體流動。清潔氣體會一邊將附著在旋轉台2之SiO2膜蝕刻，一邊朝向旋轉台2的中心部被噴出。另一方面，藉由從第2真空排氣口63之排氣，被供應至第1分離區域D1之分離氣體會越過噴嘴罩51而朝向清潔氣體供應區域A。又，從處理氣體噴嘴31所供應之吹淨氣體亦會同樣地朝向清潔氣體供應區域A。如此地，由於因朝向清潔氣體供應區域A之吹淨氣體及分離氣體(即N2氣體)而被推往旋轉方向(R2)下游側、僅由第1真空排氣口62及第2真空排氣口63中之第2真空排氣口63進行排氣、以及旋轉台2係從清潔氣體供應區域A朝真空排氣口63旋轉，故供應至旋轉台2上之清潔氣體會朝第2真空排氣口63流動，而被抑制朝向旋轉方向(R2)上游側(即噴嘴罩51)流動。
如此地，清潔氣體與推動清潔氣體之N2氣體會通過設有第2分離氣體噴嘴42之第2分離區域D2，而與被供應至該第 2分離區域D2之分離氣體匯流，進一步地朝旋轉方向下游側流動，而從第2真空排氣口63被排出。又，從分離氣體噴嘴41朝旋轉方向上游側流經分離區域D1之分離氣體會與從第2處理氣體噴嘴32噴出的吹淨氣體、及從電漿產生用氣體噴嘴33噴出的吹淨氣體匯流，而連同清潔氣體一起從第2真空排氣口63被去除。
針對停止從第1真空排氣口62的排氣之情況的機制加以說明。
本實施型態中，由於清潔氣體噴嘴35係較第2真空排氣口63更接近第1真空排氣口62，故清潔處理時，若亦從第1真空排氣口62進行排氣，則從清潔氣體噴嘴35噴出之清潔氣體的大部分會朝向第1真空排氣口62流動。從清潔氣體噴嘴35至第1真空排氣口62之路徑設置有噴嘴罩51，當清潔氣體朝向第1真空排氣口62流動時，清潔氣體會與從第2分離氣體噴嘴42所供應之N2氣體一起越過噴嘴罩51，而朝向第1真空排氣口62。亦即，與旋轉台2之接觸時間較短。又，會有噴嘴罩51被蝕刻之虞。
但本實施型態中，藉由停止第1真空排氣口62的排氣，則可防止清潔氣體越過噴嘴罩51，可防止清潔氣體對於旋轉台2之接觸時間減少。又，可防止噴嘴罩51被蝕刻。
回到清潔處理的說明。持續使旋轉台2旋轉後，從清潔氣體噴嘴35所供應之清潔氣體會往旋轉台2的周圍方向擴散，而對旋轉台2整體供應清潔氣體，來將旋轉台2整體的SiO2膜去除。開始供應清潔氣體後，當經過特定時間後，停止各氣體的供應並停止清潔處理。之後，將氣體噴嘴31~33連接於各氣體供應源30A~30C，再度開始上述成膜處理。
如上所述，成膜裝置1中，係藉由停止第1真空排氣口62的排氣來進行清潔處理，可防止清潔氣體朝向第1處理氣體噴嘴31及噴嘴罩51的方向，而與第1處理氣體噴嘴31及噴嘴罩51接觸。又，可謀求清潔處理所需時間的縮短及清潔氣體 的低流量化。其結果，可謀求成膜裝置1的生產性提升，與藉由降低清潔氣體的使用量來使裝置的運用成本降低。又，由於係藉由清潔氣體來抑制噴嘴罩51被蝕刻，故可抑制整流板53及54與旋轉台2的間隔變大。藉此，可防止成膜均勻性在晶圓W間或相同晶圓W的面內降低，或是防止為BTBAS氣體的成分之Si化合物對於晶圓W的沉積量降低。又，由於可降低噴嘴罩51的更換頻度，這一點亦可謀求裝置的生產性提升及運用成本的降低。再者，此範例中，由於清潔氣體係流往較第1真空排氣口62要遠之第2真空排氣口63而被排氣，藉此亦可使清潔氣體對於旋轉台2之接觸時間變長，來謀求清潔時間的縮短及清潔氣體的低流量化。
此外，當清潔氣體通過第2分離區域D2時，會有第2分離區域D2的頂面44被蝕刻之虞。但縱使將頂面44與旋轉台2的距離變大，其隔離第1處理氣體與第2處理氣體之性能不會受到很大的影響。亦即，相較於噴嘴罩51被蝕刻，由於頂面44的蝕刻對成膜處理造成的影響很少，故本實施型態之清潔處理仍為有效的。
上述範例中，在清潔處理時，雖係從第2分離氣體噴嘴42供應與成膜時相同程度流量的N2氣體，但亦可供應少於成膜處理時之流量(例如0.5L/分~5L/分)的N2氣體。藉由此方式，由於從第2分離氣體噴嘴42朝向清潔氣體供應區域A之N2氣體的量會變少，故可抑制清潔氣體供應區域A處之清潔氣體的濃度變低，可更有效率地進行清潔處理。
又，上述清潔處理中，雖係使旋轉台2往相反於成膜處理時之方向旋轉，藉以更確實地防止清潔氣體朝向噴嘴罩51，但亦可使旋轉台2往相同於成膜處理時之方向旋轉。
又，作為清潔處理，亦可在上述旋轉台2的清潔處理(第1清潔處理)進行後，或是第1清潔處理進行前，先進行將附著在第1處理氣體噴嘴31及噴嘴罩51之BTBAS氣體形成的Si化合物予以去除之清潔處理(第2清潔處理)。此第2清潔處理中， 係一起從第1真空排氣口62及第2真空排氣口63兩者進行排氣，且使旋轉台2與成膜處理時同樣地往順時針方向(R1)旋轉。然後，與第1清潔處理同樣地加熱旋轉台2，分別從第2處理氣體噴嘴32、電漿產生用氣體噴嘴33、第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42、中心部區域C、吹淨氣體供應管28及吹淨氣體供應部29噴出N2氣體，並且從清潔氣體噴嘴35噴出清潔氣體。預先停止從第1處理氣體噴嘴31之氣體供應。或是，為了防止第1處理氣體噴嘴31所設置之氣體噴出口34因清潔氣體而被蝕刻，或含有被清潔的SiO2膜殘渣之氣體從氣體噴出口34流入，亦可從該第1處理氣體噴嘴31供應0.05L/分~0.5L/分程度的少量N2氣體。
由於係從第1真空排氣口62進行排氣，以及旋轉台2係從清潔氣體噴嘴35側朝噴嘴罩51側旋轉，故清潔氣體會朝向該噴嘴罩51流動。清潔氣體的一部分會越過噴嘴罩51而從第1真空排氣口62被排氣，該一部分係通過噴嘴罩51下方而從第1真空排氣口62被排氣。藉此，附著在噴嘴罩51及第1處理氣體噴嘴31之前述Si化合物會被蝕刻，而從第1真空排氣口62被去除。從其他各氣體噴嘴及中心部區域C等噴出的各氣體係與成膜處理時同樣地從第1真空排氣口62及第2真空排氣口63被去除。此外，Si化合物係較附著在旋轉台2之SiO2膜容易被蝕刻，故此第2清潔處理所需的時間較短。
說明成膜裝置的其他範例。
圖11為成膜裝置8之橫剖俯視圖。
成膜裝置8與成膜裝置1之相異點有：第2處理氣體噴嘴32係構成為噴出O2氣體來作為第2處理氣體、設置有將前述O2氣體電漿化之電漿處理部91、以及未設置有分離區域D2。電漿處理部91的結構與電漿處理部71相同，與電漿處理部71的框體75係圍繞電漿產生用氣體噴嘴33同樣地，電漿處理部91的框體75係圍繞第2處理氣體噴嘴32，而形成電漿處理區域P4。
成膜裝置8中，逆時針方向(R2)地設置有第1處理區域P1、分離區域D1、電漿處理區域P4及電漿處理區域P3。旋轉台2在成膜處理時為逆時針方向(R2)旋轉。藉此，晶圓W中，係依序進行第1處理區域P1處之BTBAS氣體的附著、電漿處理區域P4處之SiO2膜的形成、及電漿處理區域P3處之改質處理。電漿處理部71係以較大流量而被供應電漿產生用氣體，透過電漿處理區域P3來阻止第1處理氣體與第2處理氣體發生混合。亦即，此成膜裝置8中的電漿處理區域P3係兼作分離區域與電漿處理區域。
旋轉方向R2中，電漿處理區域P3的下游側且為第1處理區域P1的上游側係設置有第1真空排氣口62，分離區域D1的下游側且為電漿處理區域P4的上游側係設置有第2真空排氣口63。在成膜處理時，來自第1處理氣體噴嘴31的第1處理氣體及來自電漿產生用氣體噴嘴33的電漿產生用氣體會藉由第1真空排氣口62而被排氣。然後，在成膜處理時，來自第2處理氣體噴嘴32的第2處理氣體會藉由第2真空排氣口63而被排氣。
此範例中，第1處理區域P1的旋轉方向下游側且為分離區域D1的旋轉方向上游側係設置有清潔氣體噴嘴35。從清潔氣體噴嘴35觀看，由於噴嘴罩51係設置於成膜處理時的旋轉方向上游側，故為了避免噴嘴罩51被蝕刻，在清潔處理時亦使旋轉台2往相同於成膜處理時之方向(R2)旋轉。然後，清潔處理時係與成膜裝置1同樣地為停止從第1真空排氣口62之排氣，而進行從第2真空排氣口63之排氣的狀態。可如上述般設置任意個數的電漿處理部。又，本實施型態亦可應用於不具電漿處理部之裝置。
但上述各成膜裝置1及8中，雖係於周圍方向依序配置有將第2處理氣體排氣之真空排氣口63、分離區域D(D1或D2)、噴嘴罩51、及將第1處理氣體排氣之第1真空排氣口62，但清潔氣體噴嘴35的位置只要是能夠對噴嘴罩51與第2真空排 氣口63之間的區域噴出氣體即可。因此，並未限制於上述各範例般地將清潔氣體噴嘴35設置在分離區域D與噴嘴罩51之間。
例如成膜裝置15中，亦可如圖12所示般地在第2分離區域D2設置有清潔氣體噴嘴35。此範例中，清潔氣體噴嘴35係與第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42同樣地朝下方之清潔氣體供應區域A噴出清潔氣體。圖12之範例中，在第2分離區域D2處，清潔氣體噴嘴35係較第2分離氣體噴嘴42而設置於成膜處理時的旋轉方向(R1)下游側，但亦可配置於旋轉方向上游側。又，亦可以將清潔氣體噴嘴35設置為第2分離區域D2與第2真空排氣口63之間會形成清潔氣體供應區域A。
但若清潔氣體噴嘴35與第2真空排氣口63的距離過近，則旋轉台2處的清潔氣體濃度會變低，較佳宜如上所述般地對第2分離區域D2的下游側供應清潔氣體。又，如後述評估試驗所示般地，在未設置有噴嘴罩51之裝置中，藉由進行上述清潔處理亦可提高旋轉台2上的清潔氣體濃度，故本實施型態亦可應用於上述裝置。
(評估試驗)
說明與本實施型態相關而進行之成膜裝置1的清潔處理模擬評估試驗。
評估試驗1係將真空容器11內的壓力設定為50Torr，將溫度設定為550℃，將旋轉台2的旋轉速度設定為5rpm。來自中心部區域C之N2氣體供應量及來自吹淨氣體供應部29之N2氣體供應量分別設定為2slm、4.3slm，來自第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴嘴42之N2氣體供應量設定為2.5slm。又，第1處理氣體噴嘴41處，從旋轉台2的周端側朝向中心部側，來自周端側區域、中間區域、中心部側區域的N2氣體噴嘴供應量分別設定為0.05slm、0.1slm、0.5slm。然後，設定 為從清潔氣體噴嘴35會以流量1slm噴出F2氣體，而分析第1處理區域P1周圍之氟的質量比例分佈。
分別針對自旋轉台2相距1mm之高度位置的分佈，與自旋轉台2相距7mm之高度位置的分佈進行分析。自旋轉台2相距1mm之高度位置為噴嘴罩51的下方位置，自旋轉台2相距7mm之高度位置為噴嘴罩51的上方位置。但此評估試驗1中，與上述實施型態相異，係設定為從第1真空排氣口62及第2真空排氣口63進行排氣。
圖13及圖14係顯示評估試驗1的結果。圖13為自旋轉台2相距1mm之高度位置處的氟之質量比例分佈，圖14為自旋轉台2相距7mm之高度位置處的氟之質量比例分佈。各圖式中，將質量比例分佈以等高線加以區劃顯示。質量比例低於5%之區域未描繪圖案，5%以上但低於20%之區域描繪較少的點，20%以上但低於30%之區域描繪較多的點，30%以上但低於40%之區域描繪斜線，40%以上但低於45%之區域描繪網狀圖案，45%以上但低於50%之區域則以黒色填滿。由圖13及14可知F2氣體朝噴嘴罩51的下方之流動受到抑制，其大部分會越過噴嘴罩51上而朝向第1真空排氣口62。
評估試驗2除了設定為處理氣體噴嘴31並未設置有噴嘴罩51以外，係進行與評估試驗1相同之設定，且進行與評估試驗1相同之分析。圖15及圖16係顯示評估試驗2的結果。圖15為自旋轉台2相距1mm之高度位置處的氟之質量比例分佈，圖16為自旋轉台2相距7mm之高度位置處的氟之質量比例分佈。由評估試驗1與評估試驗2的結果可知，因設置有噴嘴罩51而使供應至旋轉台2上之F2氣體的濃度分佈變低。
接著，說明評估試驗3。與評估試驗1之差異點為與上述實施型態同樣地，在清潔處理時並未進行從第1真空排氣口62之排氣。又，其他差異點為將來自中心部區域C之N2氣體供應量及來自吹淨氣體供應部29之N2氣體供應量分別設定為6slm、13slm，將來自第1分離氣體噴嘴41及第2分離氣體噴 嘴42之N2氣體供應量設定為5slm，將來自第1處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴32及電漿產生用氣體噴嘴33之N2氣體流量分別設定為0.5slm、2slm、2.05slm。此評估試驗3中，係計算出旋轉台2整體的氟之質量比例分佈。
圖17係將評估試驗3所獲得之氟的質量比例分佈與圖13或圖14同樣地顯示，為自旋轉台2相距1mm之高度位置的分佈。相較於評估試驗1，得知旋轉台2上係形成有較寬廣之較高氣體濃度的區域。又，相較於評估試驗2，旋轉台2上亦形成有較寬廣之較高氣體濃度的區域。因此，由上述評估試驗1~3得知藉由如上述實施型態般地停止從第1真空排氣口62之排氣，可提高旋轉台2上的清潔氣體濃度，來有效率地進行清潔處理。然後，若上述處理設置有噴嘴罩51的情況，由於可防止清潔氣體越過噴嘴罩51，故為特別有效。
依據本實施型態，在裝置的配置或構造上，可避免因清潔氣體被吸引至第1真空排氣口側而導致清潔氣體接觸旋轉台的量變少之問題，從而可迅速地進行清潔。
本發明未侷限於所具體揭示之實施型態，可在不脫離本發明之範圍內進行各種變化及修正。
本申請案係依據2012年7月6日向日本所申請之專利申請第2012-152659號而主張優先権，並參閱整體內容而援用於本說明書中。
C‧‧‧中心部區域
P1‧‧‧第1處理區域
S1‧‧‧傳遞區域
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧成膜裝置
2‧‧‧旋轉台
7‧‧‧控制部
11‧‧‧真空容器
11a‧‧‧密封組件
12‧‧‧頂板
13‧‧‧容器本體
14‧‧‧凸部
15‧‧‧氣體流道
16‧‧‧供應管
17‧‧‧搬送口
18‧‧‧閘閥
19‧‧‧檢測窗
20‧‧‧殼體
21‧‧‧支撐部
22‧‧‧旋轉驅動機構
23‧‧‧凹部
26‧‧‧CCD照相機
27‧‧‧加熱器
28‧‧‧吹淨氣體供應管
29‧‧‧吹淨氣體供應部
30A~30E‧‧‧氣體供應源
31‧‧‧第1處理氣體噴嘴
34‧‧‧氣體噴出口
45‧‧‧第2頂面
51‧‧‧噴嘴罩
52‧‧‧罩本體
55‧‧‧對向部
56、57‧‧‧支撐部
61‧‧‧環組件
62‧‧‧第1真空排氣口
64‧‧‧排氣管
65‧‧‧真空幫浦
66‧‧‧壓力調整部

Claims (11)

  1. 一種成膜裝置之運轉方法，係使成膜裝置運轉之方法，該成膜裝置係重複複數次將相互不同的處理氣體依序供應至基板之循環來層積反應生成物的層而獲得薄膜，其包含：真空容器；旋轉台，係配置於該真空容器內，用以載置基板並使其公轉；第1處理氣體供應部，係對基板供應第1處理氣體；第2處理氣體供應部，係自該第1處理氣體供應部遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，且對基板供應第2處理氣體；分離區域，係在成膜處理時的該旋轉台旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部與第2處理氣體供應部之間，而供應有用以分離該第1處理氣體及該第2處理氣體之分離氣體；第1真空排氣口，係主要用來將該第1處理氣體排氣；第2真空排氣口，係自該第1真空排氣口遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，主要用來將該第2處理氣體排氣；以及清潔氣體供應部，係供應用來清潔該旋轉台之清潔氣體；其中係包含清潔工序，係一邊停止從該第1真空排氣口之排氣，而從該第2真空排氣口進行真空排氣，一邊從該清潔氣體供應部對真空容器內供應清潔氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置之運轉方法，其中該第1處理氣體供應部包含：氣體噴嘴，係橫跨該旋轉台的周緣部與中央部之間而延伸；以及 整流板，係沿該氣體噴嘴的長度方向設置，以使分離氣體在其上面側流動。
  3. 如申請專利範圍第2項之成膜裝置之運轉方法，其中該成膜裝置中，該分離區域包含：第1分離區域，係在成膜處理時的該旋轉台第1旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部下游側與第2處理氣體供應部上游側之間；以及第2分離區域，係在該第1旋轉方向上，設置於該第2處理氣體供應部下游側與第1處理氣體供應部上游側之間；該第1真空排氣口係設置於較該第1處理氣體供應部更接近該第1分離區域側；該第2真空排氣口係設置於該第2處理氣體供應部更接近該第2分離區域側；該清潔氣體供應部係在該第1旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部上游側且為該第2真空排氣口下游側。
  4. 如申請專利範圍第3項之成膜裝置之運轉方法，其中該成膜裝置另包含：改質區域，係在該第1旋轉方向上，設置於該第2處理氣體供應部下游側且為該第2分離區域上游側，而用以將該基板上的反應生成物改質；以及，一區域，係設置於該第2處理氣體供應部與該改質區域之間，而在與外部的基板搬送機構之間傳遞基板；該清潔氣體供應部係在該第1旋轉方向上，位於該改質區域下游側。
  5. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置之運轉方法，其中該清潔氣體供應部係在成膜處理時的該旋轉台第1旋轉方向上，位在較該第2真空排氣口更接近第1真空排氣口。
  6. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置之運轉方法，其中該清潔工序係使該旋轉台往相反於該第1旋轉方向之第2旋轉方向旋轉而進行。
  7. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置之運轉方法，其中該第1處理氣體供應部係構成為會供應吸附在基板表面的原料氣體，該第2處理氣體供應部會供應使該原料氣體氧化或氮化之氣體。
  8. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置之運轉方法，其中該第1處理氣體供應部包含：氣體噴嘴，係橫跨該旋轉台的周緣部與中央部之間而延伸；以及整流板，係沿該氣體噴嘴的長度方向設置，以使分離氣體在其上面側流動；該清潔氣體供應部係在成膜處理時的該旋轉台第1旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部上游側且為該第2真空排氣口下游側；該清潔工序係使該旋轉台往相反於該第1旋轉方向之第2旋轉方向旋轉而進行。
  9. 一種成膜裝置，係重複複數次將相互不同的處理氣體依序供應至基板之循環來層積反應生成物的層而獲得薄膜，其包含：真空容器；旋轉台，係配置於該真空容器內，用以載置基板並使其公轉；第1處理氣體供應部，係對基板供應第1處理氣體；第2處理氣體供應部，係自該第1處理氣體供應部遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，且對基板供應第2處理氣體；分離區域，係在成膜處理時的該旋轉台旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部與第2處理氣體供應部之 間，而供應有用以分離該第1處理氣體及該第2處理氣體之分離氣體；第1真空排氣口，係主要用來將該第1處理氣體排氣；第2真空排氣口，係自該第1真空排氣口遠離於該旋轉台的旋轉方向所設置，主要用來將該第2處理氣體排氣；清潔氣體供應部，係供應用來清潔該旋轉台之清潔氣體；以及控制部，係輸出控制訊號，以執行停止該第1真空排氣口之排氣，而從該第2真空排氣口將真空容器真空排氣之步驟，與在此狀態下從該清潔氣體供應部對該真空容器內供應清潔氣體之步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項之成膜裝置，其中該第1處理氣體供應部包含：氣體噴嘴，係橫跨該旋轉台的周緣部與中央部之間而延伸；以及整流板，係沿該氣體噴嘴的長度方向設置，以使分離氣體在其上面側流動。
  11. 如申請專利範圍第9項之成膜裝置，其中該分離區域包含：第1分離區域，係在成膜處理時的該旋轉台第1旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部下游側與第2處理氣體供應部上游側之間；以及第2分離區域，係在該第1旋轉方向上，設置於該第2處理氣體供應部下游側與第1處理氣體供應部上游側之間；該第1真空排氣口係設置於較該第1處理氣體供應部更接近該第1分離區域側；該第2真空排氣口係設置於較該第2處理氣體供應部更接近該第2分離區域側； 該清潔氣體供應部係在該第1旋轉方向上，設置於該第1處理氣體供應部上游側且為該第2真空排氣口下游側。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5107185B2 (ja) * 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2014127627A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置、及び、プログラム
TWI627305B (zh) * 2013-03-15 2018-06-21 應用材料股份有限公司 用於轉盤處理室之具有剛性板的大氣蓋
JP6115244B2 (ja) * 2013-03-28 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2015180768A (ja) * 2014-03-06 2015-10-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体
JP6221932B2 (ja) * 2014-05-16 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
DE102014216195A1 (de) * 2014-08-14 2016-02-18 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats
JP6339004B2 (ja) * 2014-12-25 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 パージ方法
JP2018512856A (ja) 2015-04-17 2018-05-24 アルパイン イミューン サイエンシズ インコーポレイテッド 調整可能な親和性を有する免疫調節タンパク質
JP6707827B2 (ja) 2015-09-28 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
EP3443000A2 (en) 2016-04-15 2019-02-20 Alpine Immune Sciences, Inc. Cd80 variant immunomodulatory proteins and uses thereof
JP6608332B2 (ja) * 2016-05-23 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US11471488B2 (en) 2016-07-28 2022-10-18 Alpine Immune Sciences, Inc. CD155 variant immunomodulatory proteins and uses thereof
US11834490B2 (en) 2016-07-28 2023-12-05 Alpine Immune Sciences, Inc. CD112 variant immunomodulatory proteins and uses thereof
JP6749225B2 (ja) 2016-12-06 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
CN110809581A (zh) 2017-03-16 2020-02-18 高山免疫科学股份有限公司 Pd-l2变体免疫调节蛋白及其用途
BR112019018747A2 (pt) 2017-03-16 2020-05-05 Alpine Immune Sciences Inc proteínas imunomoduladoras variantes de cd80 e usos das mesmas
JP6564802B2 (ja) * 2017-03-22 2019-08-21 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6779165B2 (ja) 2017-03-29 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 金属汚染防止方法及び成膜装置
JP2019052339A (ja) * 2017-09-13 2019-04-04 東京エレクトロン株式会社 排気管のクリーニング方法
KR101985509B1 (ko) 2017-09-29 2019-09-03 김재영 임플란트용 상부 구조물의 내부 홀 충진재
KR102758545B1 (ko) 2017-10-10 2025-01-23 알파인 이뮨 사이언시즈, 인코포레이티드 Ctla-4 변이체 면역조절 단백질 및 이의 용도
KR102401746B1 (ko) * 2017-12-26 2022-05-30 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
JP6971887B2 (ja) * 2018-03-02 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP7144219B2 (ja) * 2018-03-22 2022-09-29 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置及びトレイ
JP7042689B2 (ja) * 2018-05-23 2022-03-28 東京エレクトロン株式会社 サセプタのドライクリーニング方法及び基板処理装置
CN110565072B (zh) * 2018-06-05 2023-06-09 长鑫存储技术有限公司 一种原子层沉积方法
JP7068937B2 (ja) * 2018-06-15 2022-05-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
WO2019241758A1 (en) 2018-06-15 2019-12-19 Alpine Immune Sciences, Inc. Pd-1 variant immunomodulatory proteins and uses thereof
CN109130683B (zh) * 2018-10-09 2024-01-19 浙江劲刚机械有限公司 皮壳机
CN112609170B (zh) * 2020-11-24 2022-12-09 鑫天虹(厦门)科技有限公司 原子层沉积设备与制程方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020080954A (ko) * 2001-04-18 2002-10-26 주성엔지니어링(주) 냉벽 화학기상증착 방법 및 장치
KR100476299B1 (ko) 2002-05-03 2005-03-16 주식회사 무한 반도체 소자 제조용 원자층 증착장치 및 원자층 증착 방법
US20070215036A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Hyung-Sang Park Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition
US20070218702A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5107185B2 (ja) * 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5031013B2 (ja) * 2008-11-19 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法、プログラム、プログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体
US9297072B2 (en) * 2008-12-01 2016-03-29 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus
JP5287592B2 (ja) * 2009-08-11 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5392069B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5815967B2 (ja) * 2011-03-31 2015-11-17 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び真空処理システム
US8778811B2 (en) * 2011-08-18 2014-07-15 Intermolecular, Inc. Low temperature migration enhanced Si-Ge epitaxy with plasma assisted surface activation
WO2013141159A1 (ja) * 2012-03-22 2013-09-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法

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Publication number Publication date
US9209011B2 (en) 2015-12-08
JP2014017322A (ja) 2014-01-30
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TWI532875B (zh) 2016-05-11
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KR20140005818A (ko) 2014-01-15
US20140011370A1 (en) 2014-01-09
CN103526184A (zh) 2014-01-22
CN103526184B (zh) 2016-12-28

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