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KR960032767A - 정전기 방전 보호 구조를 가진 반도체 장치 및 형성 방법 - Google Patents

정전기 방전 보호 구조를 가진 반도체 장치 및 형성 방법 Download PDF

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지. 와이. 쯔이 폴
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지. 재미슨 스테픈
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Abstract

정전기 방전(ESD) 보호 트랜지스터(18)를 가진 반도체 장치가 기술되었는데, ESD 보호 트랜지스터(18)는 인접한 소스 및 드레인 영역(42,40)과는 반대인 전도성 형태의 헤일로 영역(34,36)을 갖는다. 한 실시예에서, ESD 보호 트랜지스터(18)는 두꺼운 필드 산화물(TFO) 트랜지스터이다. 어떤 경우에는 헤일로 영역(34,36)은 여분의 마스크를 사용하지 않고도 이온 주입 단계로 제공될 수 있다. 헤일로 영역(34,36)은 ESD 보호 트랜지스터(18)가 보호하는 장치가 ESD 이벤트에 의해 영향을 받기 전에 ESD 보호 트랜지스터(18)가 켜지도록 ESD 보호 트랜지스터(18)로 하여금 그 항복 전압이 조정되도록 허용한다. 헤일로 영역(34,36)을 사용하면 종래의 접근법의 단점인 장치 면적의 증가와 보호되는 회로의 AC 성능에 대한 역효과를 피할 수 있다.

Description

정전기 방전 보호 구조를 가진 반도체 장치 및 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 출력 버퍼와 출력 패드 사이에 ESD 보호 트랜지스터를 갖는 반도체 장치의 개략적 회로도.

Claims (5)

  1. 필드 유전체 정전기 방전(ESD) 보호 트랜지스터(18)를 갖는 반도체 장치에 있어서, 제1전도성 형태를 갖는 소스 영역(42)과, 상기 제1전도성 형태를 갖는 드레인 영역(40)과, 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 있는 베이스 영역(52)과, 상기 제1전도성 형태와 반대인 제2전도성 형태를 갖고, 상기 소스 영역(42)과 드레인 영역(40)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 영역 부근에 놓이며, 상기 베이스 영역(52)의 적어도 일부분내로 연장되는 하나 이상의 헤일로 영역(34,36)과, 게이트 전극(46)과, 1000A 이상의 두께를 갖는 게이트 유전층(26)을 포함하는 것을 특징으로 하는 필드 유전체 정전기 방전 보호 트랜지스터(18)를 갖는 반도체 장치.
  2. 필드 유전체 정전기 방전(ESD) 보호 트랜지스터(18)를 갖는 반도체 장치에 있어서, 제1전도성 형태를 갖는 소스 영역(42)과, 상기 제1전도성 형태를 갖는 드레인 영역(40)과, 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 있는 베이스 영역(52)과, 상기 제1전도성 형태와 반대인 제2전도성 형태를 갖고, 드레인 영역(40) 부근에 놓이며, 상기 베이스 영역(52)의 적어도 일부분내로 연장되는 제1헤일로 영역(34)과, 상기 제2전도성 형태를 갖고, 상기 소스 영역(42) 부근에 놓이며, 상기 베이스 영역(52)의 적어도 일부분내로 연장되는 제2헤일로 영역(36)과, 게이트 전극(46)과, 1000A 이상의 두께를 갖는 게이트 유전층(26)을 포함하는 것을 특징으로 하는 필드 유전체 정전기 방전 보호 트랜지스터(18)를 갖는 반도체 장치.
  3. 반도체 장치에 있어서, 가. 제1전도성 형태를 갖는 소스 영역(42)과, 상기 제1전도성 형태를 가지며 패드에 커플링 된 드레인 영역(40)과, 상기 소스 및 드레인 영역(42,40) 사이에 있는 베이스 영역(52)과, 상기 제1 전도성 형태와 반대인 제2전도성 형태를 갖고, 상기 소스 영역(42)과 드레인 영역(40)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 영역 부근에 놓이며, 상기 베이스 영역(52)의 적어도 일부분내로 연장되는 하나 이상의 헤일로 영역(34,36)과, 세이트 전극(46)과, 게이트 유전층(26)을 포함하며 패드(14)에 커플링된 정전기 방전(ESD) 보호 트랜지스터(18)와, 나. 소스 영역과, 상기 패드(14)에 커플링된 드레인 영역과, 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 놓인 채널 영역과, 게이트 전극과, 게이트 유전층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 반도체 장치에 있어서, 가. 제1전도성 형태를 갖는 소스 영역(42)과, 상기 제1전도성 형태를 가지며 패드에 커플링된 드레인 영역(40)과, 상기 소스 및 드레인 영역(42,40) 사이에 있는 베이스 영역(52)과, 상기 제1 전도성 형태와 반대인 제2전도성 형태를 갖고, 상기 소스 영역(42)과 드레인 영역(40)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 영역 부근에 놓이며, 상기 베이스 영역(52)의 적어도 일부분내로 연장되는 하나 이상의 헤일로 영역(34,36)과, 게이트 전극(46)과, 제1두께를 갖는 게이트 유전층(26)을 포함하며 패드(14)에 커플링된 정전기 방전(ESD) 보호 트랜지스터(18)와, 나. 소스 영역과, 상기 패드(14)에 커플링된 드레인 영역과, 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 놓인 채널 영역과, 게이트 전극과, 상기 제1두께는 제2두께 보다 10배 두꺼운데, 제2두께를 갖는 게이트 유전층을 포함하는 전계 효과 트렌지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 반도체 장치에 있어서, 가. 제1전도성 형태를 갖는 소스 영역(42)과, 상기 제1전도성 형태를 가지며 패드에 커플링된 드레인 영역(40)과, 상기 소스 및 드레인 영역(42,40) 사이에 있는 베이스 영역(52)과, 상기 제1 전도성 형태와 반대인 저2전도성 형태를 갖고, 상기 소스 영역(42)과 드레인 영역(40)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 영역 부근에 놓이며, 상기 베이스 영역(52)의 적어도 일부분내로 연장되는 하나 이상의 헤일로 영역(34,36)과, 게이트 전극(46)과, 게이트 유전층(26)과, 상기 게이트 전극(46)과, 상기 게이트 절연층(26)과, 상기 소스 영역(42)의 일부분과, 상기 드레인 영역(40)의 일부분을 덮는 유전체 블록(50)과, 상기 유전체 블록(50)에 의해 덮이지 않도록 소스 영역(42)에 인접한 제1금속 규화물 영역(44)과, 상기 유전체 블록(50)에 의해 덮이지 않는 드레인 영역(40)에 인접한 제2금속 규화물 영역(48)을 포함하며 패드(14)에 커플링된 정전기 방전(ESD) 보호 트랜지스터(18)와, 나. 소스 영역과, 상기 패드(14)에 커플링된 드레인 영역과, 상기 소스 및 드레인 영역 사이에 놓인 채널 영역과, 게이트 전극과, 게이트 유전층을 포함하는 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420433B1 (ko) * 1999-12-30 2004-03-03 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지용 필름 접착제
CN113053870A (zh) * 2020-02-02 2021-06-29 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5949694A (en) * 1996-04-26 1999-09-07 Texas Instruments Incorporated Method and system for extracting high current parasitic bipolar transistor parameters of an MOS device during overvoltage events
US5960288A (en) * 1997-08-12 1999-09-28 United Semiconductor Corp. Method of fabricating electrostatic discharge protection device
US5910673A (en) * 1997-12-04 1999-06-08 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Locos MOS device for ESD protection
US6022769A (en) * 1997-12-23 2000-02-08 Texas Instruments -- Acer Incorporated Method of making self-aligned silicided MOS transistor with ESD protection improvement
US5998245A (en) * 1998-03-18 1999-12-07 Winbond Electronics Corporation Method for making seal-ring structure with ESD protection device
KR100532384B1 (ko) * 1998-06-24 2006-01-27 삼성전자주식회사 반도체 장치용 esd 보호회로
US5946176A (en) * 1998-08-17 1999-08-31 International Business Machines Corporation Electrostatic discharge protection utilizing microelectromechanical switch
US6774001B2 (en) * 1998-10-13 2004-08-10 Stmicroelectronics, Inc. Self-aligned gate and method
US6420761B1 (en) 1999-01-20 2002-07-16 International Business Machines Corporation Asymmetrical semiconductor device for ESD protection
US6046087A (en) * 1999-02-10 2000-04-04 Vanguard International Semiconductor Corporation Fabrication of ESD protection device using a gate as a silicide blocking mask for a drain region
US20020060343A1 (en) * 1999-03-19 2002-05-23 Robert J. Gauthier Diffusion resistor/capacitor (drc) non-aligned mosfet structure
US6285062B1 (en) * 1999-05-12 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Adjustable high-trigger-voltage electrostatic discharge protection device
US6426278B1 (en) 1999-10-07 2002-07-30 International Business Machines Corporation Projection gas immersion laser dopant process (PGILD) fabrication of diffusion halos
US6177324B1 (en) * 1999-10-28 2001-01-23 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. ESD protection device for STI deep submicron technology
US6329253B1 (en) 1999-11-05 2001-12-11 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Thick oxide MOS device used in ESD protection circuit
US6218226B1 (en) * 2000-01-21 2001-04-17 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of forming an ESD protection device
US6660664B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-09 International Business Machines Corp. Structure and method for formation of a blocked silicide resistor
JP3675303B2 (ja) * 2000-05-31 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 静電気保護回路が内蔵された半導体装置及びその製造方法
US6444404B1 (en) 2000-08-09 2002-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of fabricating ESD protection device by using the same photolithographic mask for both the ESD implantation and the silicide blocking regions
US6835985B2 (en) * 2000-12-07 2004-12-28 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. ESD protection structure
US6417541B1 (en) * 2001-01-12 2002-07-09 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd ESD protection network with field oxide device and bonding pad
US6465308B1 (en) * 2001-05-24 2002-10-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Tunable threshold voltage of a thick field oxide ESD protection device with a N-field implant
US6514839B1 (en) 2001-10-05 2003-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company ESD implantation method in deep-submicron CMOS technology for high-voltage-tolerant applications with light-doping concentrations
US6576961B1 (en) * 2002-04-24 2003-06-10 Texas Instruments Incorporated Substrate resistance ring
WO2004008534A2 (en) * 2002-07-12 2004-01-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of forming an electrostatic discharge protecting device and integrated circuit arrangment comprising such a device
US20050045952A1 (en) * 2003-08-27 2005-03-03 International Business Machines Corporation Pfet-based esd protection strategy for improved external latch-up robustness
US7267430B2 (en) * 2005-03-29 2007-09-11 Lexmark International, Inc. Heater chip for inkjet printhead with electrostatic discharge protection
CN100353494C (zh) * 2005-04-27 2007-12-05 上海华虹Nec电子有限公司 改善esd晶体管源漏结电容的方法
US7544545B2 (en) 2005-12-28 2009-06-09 Vishay-Siliconix Trench polysilicon diode
JP2009524248A (ja) * 2006-01-18 2009-06-25 ビシェイ−シリコニクス 高い静電放電性能を有するフローティングゲート構造
US7361966B2 (en) * 2006-02-13 2008-04-22 Lexmark International, Inc. Actuator chip for inkjet printhead with electrostatic discharge protection
US20080079084A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Micron Technology, Inc. Enhanced mobility MOSFET devices
US8431972B2 (en) * 2006-12-13 2013-04-30 Infineon Technologies Ag Semiconductor ESD device and method of making same
US9385241B2 (en) * 2009-07-08 2016-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electrostatic discharge (ESD) protection circuits, integrated circuits, systems, and methods for forming the ESD protection circuits
US8514533B2 (en) * 2010-06-24 2013-08-20 Intel Corporation Method, apparatus, and system for protecting supply nodes from electrostatic discharge
TWI453893B (zh) * 2011-08-15 2014-09-21 Faraday Tech Corp 靜電放電保護電路
CN102957138B (zh) * 2011-08-18 2015-07-15 智原科技股份有限公司 静电放电保护电路
CN103165594B (zh) * 2011-12-13 2016-08-10 智原科技股份有限公司 静电放电保护装置
US9190510B2 (en) 2012-09-30 2015-11-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with breakdown preventing layer
US9741802B2 (en) 2012-09-30 2017-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with breakdown preventing layer
DE102020109476A1 (de) 2020-02-02 2021-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrierte schaltung

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4142926A (en) * 1977-02-24 1979-03-06 Intel Corporation Self-aligning double polycrystalline silicon etching process
DE2802838A1 (de) * 1978-01-23 1979-08-16 Siemens Ag Mis-feldeffekttransistor mit kurzer kanallaenge
US4402761A (en) * 1978-12-15 1983-09-06 Raytheon Company Method of making self-aligned gate MOS device having small channel lengths
NL8100347A (nl) * 1981-01-26 1982-08-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met een beveiligingsinrichting.
US4602267A (en) * 1981-02-17 1986-07-22 Fujitsu Limited Protection element for semiconductor device
JPS57211272A (en) * 1981-06-23 1982-12-25 Toshiba Corp Semiconductor device
IT1200725B (it) * 1985-08-28 1989-01-27 Sgs Microelettronica Spa Struttura di isolamento in dispositivi mos e procedimento di preparazione della stessa
US4987465A (en) * 1987-01-29 1991-01-22 Advanced Micro Devices, Inc. Electro-static discharge protection device for CMOS integrated circuit inputs
US5183773A (en) * 1989-04-13 1993-02-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor
USH986H (en) * 1989-06-09 1991-11-05 International Business Machines Corporation Field effect-transistor with asymmetrical structure
JP3375659B2 (ja) * 1991-03-28 2003-02-10 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 静電放電保護回路の形成方法
JP3199808B2 (ja) * 1991-05-14 2001-08-20 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体集積回路装置
US5371395A (en) * 1992-05-06 1994-12-06 Xerox Corporation High voltage input pad protection circuitry
US5395773A (en) * 1994-03-31 1995-03-07 Vlsi Technology, Inc. MOSFET with gate-penetrating halo implant
US5545575A (en) * 1994-10-24 1996-08-13 Motorola, Inc. Method for manufacturing an insulated gate semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420433B1 (ko) * 1999-12-30 2004-03-03 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지용 필름 접착제
CN113053870A (zh) * 2020-02-02 2021-06-29 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路

Also Published As

Publication number Publication date
TW368742B (en) 1999-09-01
KR100389768B1 (ko) 2004-03-02
US5744841A (en) 1998-04-28
US5733794A (en) 1998-03-31
JPH08241996A (ja) 1996-09-17

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