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KR950004454A - 반도체장치 제조방법 및 기판처리방법 - Google Patents

반도체장치 제조방법 및 기판처리방법 Download PDF

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KR950004454A
KR950004454A KR1019940018974A KR19940018974A KR950004454A KR 950004454 A KR950004454 A KR 950004454A KR 1019940018974 A KR1019940018974 A KR 1019940018974A KR 19940018974 A KR19940018974 A KR 19940018974A KR 950004454 A KR950004454 A KR 950004454A
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Abstract

본 발명은 반도체장치 제조방법에 관한 것이다. 코닝 7059와 같은 유리기재가 기판으로서 사용된다. 기저막이 형성된다. 이어서, 기판이 유리기판의 변형점 위에서 어닐링된다. 이어서, 기판이 변형점 아래로 서서히 냉각된다. 그후, 실리콘막이 형성되고, TFT가 형성된다. 상기 언급된 어닐링 및 서냉은 추후 열처리단계에서 생성된 기판의 수축을 감소시킨다. 이는 마스크 정렬을 수행하는 것을 용이하게 한다. 또한, 마스크의 잘못 정렬됨에 기인한 결함이 감소되고, 생산성이 향상된다. 또 다른 방법에서, 코닝 7059로 만들어진 유리기판이 또한, 기판으로서 사용된다. 기판이 변형점 이상에서 어닐링된다. 이어서, 기판이 변형점 아래에서 급냉된다 그후, 기저막이 사용된다. 기판이 변형점 이상에서 어닐링된다. 이어서, 기판이 변형점 아래에서 급냉된다 그후, 기저막이 형성되고, TFT가 제조된다. 앞서 언급된 어닐링 및 서냉이 나중의 열처리 단계에서 생성된 기판의 수축을 감소시킨다. 따라서, 보다 적은 크랙이 TFT의 활성충 및 기저막 안에 생성된다. 이는 생산수율을 개선한다. 기판의 가열동안, 기판은 왜곡, 비틀림 및 기복을 감소시키기 위하여 실질적으로 수형으로 유지된다.

Description

반도체장치 제조방법 및 기판처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(A)도 내지 1(E)도는 TFTs를 제조하기 위한 연속단계들을 예시하는, 본 발명의 실시예1의 TFTs의 단면도이다.

Claims (31)

  1. 변형점을 갖는 유리기판상에 기저막을 형성하는 단계; 상기 기저막 형성단계후 상기 유리기판의 상기 변형점보다 높은 제1온도에서 상기 유리기판을 열어닐링하는 단계; 2℃/분 이하의 속도로 상기 제1온도로 부터 상기 변형점보다 낮은 제2온도로 상기 기판을 냉각하는 단계; 상기 기저막 상에 실리콘막을 형성하는 단계; 및 상기 제1온도를 초과하지 않는 제3온도에서 상기 기판을 열어닐링하는 단계를 포함하는 반도체장치 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기저막 상에 실리콘막을 형성하는 상기 단계와 상기 제1온도를 초과하지 않는 제3온도에서 상기 기판을 열어닐링하는 상기 단계사이에서 적어도 하나의 패터닝 단계가 수행되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 결정화를 조장하기 위한 금속원소가 상기 실리콘막에 의도적으로 첨가되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기저막이 플라즈마 CVD에 의해 형성된 산화규소층, 질화규소층, 질화알루미늄층 또는 이들의 다수층을 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유리기판의 상기 변형점보다 높은 제1온도에서 상기 유리기판을 열어닐링하는 상기 단계가 산화분위기 또는 질화분위기에서 수행하는 방법.
  6. 변형점을 갖는 유리기판상에서 기저막을 형성하는 단계; 상기 기저막 형성 단계후 상기 유리기판의 상기 변형점보다 높은 제1온도에서 상기 유리기판을 열어닐링하는 단계; 2℃/분 이하의 속도로 상기 제1온도로 부터 상기 변형점 이하의 제2온도로 상기 기판을 냉각하는 단계; 상기 기저막 상에 비단결정 실리콘 막을 형성하는 단계; 상기 실리콘막의 결정화를 조장하는 촉매원소를 상기 실리콘막과 접촉하여 선택적으로 제공하는 단계; 및 상기 실리콘막의 결정화 온도보다 30℃ 낮은 온도로 부터 상기 결정화 온도보다 30℃ 높은 온도까지의 범위내 온도에서 상기 기판을 열어닐링하는 단계를 포함하는 반도체 장치제조방법.
  7. 변형점을 갖는 유리기판상에 기저막을 형성하는 단계; 상기 유리기판을 1000ppm 이상 수축시키기 위해서 상기 기저막 형성 단계후 상기 변형점보다 높은 제1온도에서 상기 유리기판을 열어닐링하는 단계; 상기 기저막상에 비단결정 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 실리콘막의 결정화를 조장하는 촉매원소를 상기 실리콘막과 접촉하여 선택적으로 제공하는 단계; 및 열어닐링에 의해 상기 촉매원소의 위치로 부터 상기 비단결정 실리콘막을 결정화하는 단계를 포함하는 반도체장치제조방법.
  8. 변형점을 갖는 유리기판을 준비하는 단계; 상기 유리기판의 상기 변형점보다 높은 제1온도에서 상기 유리기판을 열어닐링하는 단계; 2℃/분 이하의 속도로 상기 제1온도로 부터 상기 변형점보다 낮은 제2온도로 상기 기판을 냉각하는 단계; 상기 냉각 단계후 상기 기판상에 기저막을 형성하는 단계; 상기 제1온도보다 높지 않은 제3온도에서 상기 기판을 열 처리하는 단계를 포함하는 반도체장치제조방법.
  9. 8항에 있어서, 비단결정 실리콘막이 상기 제1온도보다 높지 않은 제3온도에서 상기 기판을 열처리하는 상기 단계동안 결정화되는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 기판상에 기저막을 형성하는 상기 단계와 상기 제1온도보다 높지 않은 제3온도에서 상기 기판을 열처리하는 상기 단계 사이에 적어도 하나의 패터닝 단계가 수행되는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 결정화를 조장하기 위한 금속원소가 상기 실리콘막에 의도적으로 첨가되는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 기저막이 플라즈마 CVD에 의해 산화규소층, 질화규소층, 질화알루미늄층 또는 그들의 다수층을 포함하는 방법.
  13. 상기 유리기판의 변형점보다 높은 제1온도에서 유리기판을 열어닐링하는 단계; 상기 열어닐닝 단계후 상기 유리기판상에 기저막을 형성하는 단계; 2℃/분 이하의 속도로 상기 제1온도로 부터 상기 변형점보다 낮은 제2온도로 상기 기판을 냉각하는 단계; 상기 기저막에 비단결정 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 실리콘막의 결정화를 조장하는 촉매원소를 상기 실리콘막과 접촉하여 선택적으로 제공하는 단계; 및 상기 실리콘막의 결정화온도보다 30℃ 낮은 온도로 부터 상기 결정화온도보다 30℃ 높은 온도까지의 범위내의 온도에서 상기 기판을 열어닐링하는 단계를 포함하는 반도체장치제조방법.
  14. 유리기판을 1000ppm 이상 수축시키기위하여 유리기판의 변형점보다 높은 제1온도에서 유리기판을 열어닐링하는 단계; 상기 열어닐링 단계후 상기 유리기판상에 기저막을 형성하는 단계; 상기 기저막상에 비단결정 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 실리콘막의 결정화를 조장하는 촉매원소를 상기 실리콘막과 접촉하여 선택적으로 제공하는 단계 및 열어닐링에 의해 상기 촉매원소의 위치로 부터 상기 실리콘막을 결정화시키는 단계를 포함하는 반도체장치제조방법.
  15. 기판을 실질적으로 수평으로 유지하면서 상기 기판을 가열하는 단계를 포함하는 기판 열처리 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기판이 수평으로 부터 ±30° 내에서 유지되는 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 기판이 변형점을 갖는 유리로 만들어지고 상기 기판이 상기 변형점보다 높게 가열되는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 유리기판상에 버퍼층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 버퍼층이 산화규소로 만들어진 막인 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 기판을 수축시키기 위하여 상기 기판을 가열하는 상기 단계후 질소, 암모니아 또는 일산화질소의 분위기에서 0.01 내지 0.5℃/분의 속도로 상기기판을 냉각하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 기판이 유리로 만들어지고, 실리콘막이 버퍼층을 경유하여 상기 유리 기판위에 형성되는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 실리콘막이 결정화를 조장하기 위하여 불순물로 도핑되고, 가열에 의해 결정화되는 방법.
  23. 제15항에 있어서, 섬형상의 실리콘막이 상기 기판상에 형성되는 방법.
  24. 제15항에 있어서, 실리콘막이 버퍼층을 경유하여 유리로 만들어진 상기 기판상에 형성되고, 박막 트랜지스터가 상기 실리콘막을 사용하여 형성되는 방법.
  25. 제15항에 있어서, 섬형상의 실리콘막이 상기 기판상에 형성되고, 상기 기판 가열단계가 상기 실리콘막상에 산화막을 형성하기 위하여 산화 분위기에서 수행되는 방법.
  26. 기판을 실질적으로 수평으로 유지하면서 제1온도에서 상기 기판을 가열하는 제1단계; 상기 제1단계후 상기 제1온도보다 낮은 제2온도에서 상기 기판을 가열하는 제2단계; 및 10 내지 300℃/분의 속도로 적어도 상기 기판의 변형점까지 상기 기판의 변형점까지 상기 기판을 냉각하는 단계를 포함하는 기판 열처리방법.
  27. 유리기판상에 반도체 장치를 제조하는 방법으로서, 상기 반도체장치의 형성전에 상기 기판을 실질적으로 수평으로 유지하면서 후에 이용되는 공정온도보다 높은 온도로 상기 유리기판을 열처리하는 단계; 및 상기 기판을 실질적으로 수평으로 유지하면서 질소, 암모니아, 또는 일산화이질소의 분위기에서 0.01 내지 0.5℃/분의 속도로 상기 유리기판을 냉각하는 단계를 포함하는 유리기판상에 반도체장치를 제조하는 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 기판이 수평으로부터 ±30°내에 유지되는 방법.
  29. 유리로 만들어진 기판을 열처리하는 단계; 상기 열처리 단계후 0.01 내지 0.5℃/분의 속도로 상기 기판을 냉각하는 단계; 상기 냉각 단계후 상기 유리기판상에 비단결정 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 실리콘막을 결정화시키기 위하여 상기 실리콘막을 결정화시키기 위하여 상기 실리콘막과 함께 상기 기판을 열처리하는 단계; 및 2℃/분을 초과하는 속도로 상기 결정화된 실리콘막과 함께 상기 기판을 냉각하는 단계를 포함하는 기판처리방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 기판을 열처리하는 상기 단계동안, 상기 기판이 실질적으로 수평으로 유지되는 방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기 기판이 수평으로 부터 ±30°내에 유지되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20905393 1993-07-31
JP93-209055 1993-07-31
JP93-209053 1993-07-31
JP20905593 1993-07-31
JP25656993A JP2782035B2 (ja) 1993-09-20 1993-09-20 ガラス基板処理方法
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Publications (2)

Publication Number Publication Date
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US (2) US5492843A (ko)
KR (1) KR0165140B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100554763B1 (ko) * 2001-01-29 2006-02-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반도체 장치, 회로 기판, 전기 광학 장치 및 전자기기
KR100742816B1 (ko) * 2002-07-29 2007-07-25 가부시끼가이샤 도시바 반도체 장치

Families Citing this family (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3437863B2 (ja) 1993-01-18 2003-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｍｉｓ型半導体装置の作製方法
CN1244891C (zh) 1992-08-27 2006-03-08 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器
TW226478B (en) * 1992-12-04 1994-07-11 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US6323071B1 (en) 1992-12-04 2001-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device
US5403762A (en) 1993-06-30 1995-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a TFT
JP3562588B2 (ja) 1993-02-15 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
US6997985B1 (en) 1993-02-15 2006-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
US5985741A (en) 1993-02-15 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
EP0612102B1 (en) * 1993-02-15 2001-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for the fabrication of a crystallised semiconductor layer
TW241377B (ko) 1993-03-12 1995-02-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd
US6413805B1 (en) * 1993-03-12 2002-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device forming method
KR100186886B1 (ko) * 1993-05-26 1999-04-15 야마자끼 승페이 반도체장치 제작방법
US5818076A (en) * 1993-05-26 1998-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US6090646A (en) 1993-05-26 2000-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
KR100355938B1 (ko) * 1993-05-26 2002-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
US6713330B1 (en) 1993-06-22 2004-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor
US5488000A (en) 1993-06-22 1996-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous silicon layer
US5663077A (en) 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
JP2814049B2 (ja) 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
TW297142B (ko) 1993-09-20 1997-02-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3030368B2 (ja) 1993-10-01 2000-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US6777763B1 (en) * 1993-10-01 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
JPH07109573A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
TW264575B (ko) * 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5923962A (en) * 1993-10-29 1999-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US6798023B1 (en) * 1993-12-02 2004-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising first insulating film, second insulating film comprising organic resin on the first insulating film, and pixel electrode over the second insulating film
CN100472752C (zh) 1993-12-02 2009-03-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
US5869362A (en) * 1993-12-02 1999-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR100319332B1 (ko) * 1993-12-22 2002-04-22 야마자끼 순페이 반도체장치및전자광학장치
US5811326A (en) 1994-01-17 1998-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor
JP3221473B2 (ja) 1994-02-03 2001-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6700133B1 (en) 1994-03-11 2004-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JP3150840B2 (ja) * 1994-03-11 2001-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6162667A (en) * 1994-03-28 2000-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Method for fabricating thin film transistors
US6943764B1 (en) 1994-04-22 2005-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit for an active matrix display device
JP3402400B2 (ja) 1994-04-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の作製方法
TW273639B (en) * 1994-07-01 1996-04-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk Method for producing semiconductor device
JP3330736B2 (ja) * 1994-07-14 2002-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW345705B (en) * 1994-07-28 1998-11-21 Handotai Energy Kenkyusho Kk Laser processing method
JPH0869967A (ja) * 1994-08-26 1996-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
TW403993B (en) * 1994-08-29 2000-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor circuit for electro-optical device and method of manufacturing the same
JP3442500B2 (ja) 1994-08-31 2003-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路の作製方法
US5789762A (en) * 1994-09-14 1998-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor active matrix circuit
TW374247B (en) * 1994-09-15 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of fabricating semiconductor device
US6300659B1 (en) 1994-09-30 2001-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistor and fabrication method for same
US5915174A (en) 1994-09-30 1999-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same
TW297950B (ko) 1994-12-16 1997-02-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6331475B1 (en) * 1995-01-12 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and manufacturing semiconductor device
JP4130237B2 (ja) * 1995-01-28 2008-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性珪素膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
KR100265179B1 (ko) * 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
TW529773U (en) 1995-06-01 2003-04-21 Semiconductor Energy L B Semiconductor device
US6337109B1 (en) * 1995-06-07 2002-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of producing crystalline semiconductor
US6902616B1 (en) * 1995-07-19 2005-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for producing semiconductor device
KR100303111B1 (ko) * 1995-07-19 2001-12-17 순페이 야마자끼 반도체 장치 제조 방법 및 제조 장치
JP4056571B2 (ja) * 1995-08-02 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3865803B2 (ja) * 1995-08-29 2007-01-10 株式会社半導体エネルギー研究所 光処理方法および半導体装置の作製方法
US6800875B1 (en) * 1995-11-17 2004-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer
TW439003B (en) 1995-11-17 2001-06-07 Semiconductor Energy Lab Display device
US5940732A (en) * 1995-11-27 1999-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Method of fabricating semiconductor device
US6294799B1 (en) * 1995-11-27 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating same
JP3907726B2 (ja) 1995-12-09 2007-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 微結晶シリコン膜の作製方法、半導体装置の作製方法及び光電変換装置の作製方法
JP3124480B2 (ja) 1995-12-12 2001-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW309633B (ko) * 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
TW319912B (ko) * 1995-12-15 1997-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6204101B1 (en) 1995-12-15 2001-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP3645380B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置
US5985740A (en) 1996-01-19 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst
JP3645378B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645379B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3729955B2 (ja) 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6478263B1 (en) 1997-01-17 2002-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
US5888858A (en) 1996-01-20 1999-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US6180439B1 (en) 1996-01-26 2001-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device
US7056381B1 (en) 1996-01-26 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication method of semiconductor device
US6465287B1 (en) 1996-01-27 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization
US6063654A (en) * 1996-02-20 2000-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor involving laser treatment
TW374196B (en) * 1996-02-23 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same
TW317643B (ko) * 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
TW335503B (en) * 1996-02-23 1998-07-01 Semiconductor Energy Lab Kk Semiconductor thin film and manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method
JP3472024B2 (ja) 1996-02-26 2003-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6100562A (en) * 1996-03-17 2000-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
FR2759465B1 (fr) * 1996-04-30 1999-04-30 Corning Inc Procede de formation d'un circuit optique
US6133119A (en) 1996-07-08 2000-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method manufacturing same
JP2985789B2 (ja) * 1996-08-30 1999-12-06 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH10199807A (ja) 1996-12-27 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 結晶性珪素膜の作製方法
US6140166A (en) * 1996-12-27 2000-10-31 Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor and method for manufacturing semiconductor device
US6830616B1 (en) * 1997-02-10 2004-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor and manufacturing method of semiconductor device
JP4242461B2 (ja) 1997-02-24 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3544280B2 (ja) 1997-03-27 2004-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH10282414A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Canon Inc ズームレンズ
EP0877416A1 (en) * 1997-05-08 1998-11-11 STMicroelectronics S.r.l. Integrated structure comprising a polysilicon element with large grain size
US6541793B2 (en) 1997-05-30 2003-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistor and semiconductor device using thin-film transistors
JP3376247B2 (ja) * 1997-05-30 2003-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを用いた半導体装置
US6307214B1 (en) 1997-06-06 2001-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor thin film and semiconductor device
JP3844561B2 (ja) 1997-06-10 2006-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6501094B1 (en) 1997-06-11 2002-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a bottom gate type thin film transistor
JP3717634B2 (ja) 1997-06-17 2005-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3295346B2 (ja) 1997-07-14 2002-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性珪素膜の作製方法及びそれを用いた薄膜トランジスタ
JP3830623B2 (ja) 1997-07-14 2006-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性半導体膜の作製方法
US6326226B1 (en) 1997-07-15 2001-12-04 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method of crystallizing an amorphous film
JP3939399B2 (ja) * 1997-07-22 2007-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH1140498A (ja) 1997-07-22 1999-02-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP4318768B2 (ja) * 1997-07-23 2009-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4180689B2 (ja) * 1997-07-24 2008-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6197624B1 (en) * 1997-08-29 2001-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of adjusting the threshold voltage in an SOI CMOS
JPH11111991A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
JP3599972B2 (ja) 1997-09-30 2004-12-08 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH11111994A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
JPH11204434A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6294219B1 (en) * 1998-03-03 2001-09-25 Applied Komatsu Technology, Inc. Method of annealing large area glass substrates
US6312979B1 (en) 1998-04-28 2001-11-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of crystallizing an amorphous silicon layer
US6524662B2 (en) * 1998-07-10 2003-02-25 Jin Jang Method of crystallizing amorphous silicon layer and crystallizing apparatus thereof
US7294535B1 (en) 1998-07-15 2007-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
US7153729B1 (en) 1998-07-15 2006-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
US7084016B1 (en) 1998-07-17 2006-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
US7282398B2 (en) 1998-07-17 2007-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same
JP4386978B2 (ja) * 1998-08-07 2009-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6559036B1 (en) 1998-08-07 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6246070B1 (en) * 1998-08-21 2001-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device provided with semiconductor circuit made of semiconductor element and method of fabricating the same
US6784034B1 (en) 1998-10-13 2004-08-31 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating a thin film transistor
US6656779B1 (en) * 1998-10-06 2003-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor apparatus having semiconductor circuits made of semiconductor devices, and method of manufacture thereof
US7126161B2 (en) 1998-10-13 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having El layer and sealing material
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US6475836B1 (en) 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100317641B1 (ko) 1999-05-21 2001-12-22 구본준, 론 위라하디락사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US6370502B1 (en) * 1999-05-27 2002-04-09 America Online, Inc. Method and system for reduction of quantization-induced block-discontinuities and general purpose audio codec
US7288420B1 (en) * 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP3491571B2 (ja) * 1999-07-13 2004-01-26 日本電気株式会社 半導体薄膜の形成方法
US6489184B1 (en) * 1999-08-04 2002-12-03 Honeywell International Inc. Removing inherent stress via high temperature annealing
US6646287B1 (en) * 1999-11-19 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with tapered gate and insulating film
JP2001147424A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Hitachi Ltd 導電性薄膜形成用の絶縁基板およびこの絶縁基板を用いた液晶表示素子
US7232742B1 (en) 1999-11-26 2007-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device that includes forming a material with a high tensile stress in contact with a semiconductor film to getter impurities from the semiconductor film
US6524971B1 (en) * 1999-12-17 2003-02-25 Agere Systems, Inc. Method of deposition of films
TW451447B (en) * 1999-12-31 2001-08-21 Samsung Electronics Co Ltd Contact structures of wirings and methods for manufacturing the same, and thin film transistor array panels including the same and methods for manufacturing the same
US7045444B2 (en) 2000-12-19 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device that includes selectively adding a noble gas element
US6858480B2 (en) 2001-01-18 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI221645B (en) * 2001-01-19 2004-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US7115453B2 (en) * 2001-01-29 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2002231627A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
US7141822B2 (en) * 2001-02-09 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4993810B2 (ja) 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5088993B2 (ja) 2001-02-16 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4718700B2 (ja) 2001-03-16 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7052943B2 (en) 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6812081B2 (en) * 2001-03-26 2004-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co.,.Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
DE10120877A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Philips Corp Intellectual Pty Anordnung mit einem Halbleiterbauelement
DE10196506B3 (de) * 2001-06-13 2014-09-04 Mitsubishi Denki K.K. Herstellungsverfahren für einen Dünnfilmstrukturkörper
JP2003163221A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
TW200304227A (en) * 2002-03-11 2003-09-16 Sanyo Electric Co Top gate type thin film transistor
US7374976B2 (en) * 2002-11-22 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating thin film transistor
KR100507344B1 (ko) * 2003-04-17 2005-08-08 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
US7964925B2 (en) * 2006-10-13 2011-06-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Photodiode module and apparatus including multiple photodiode modules
US7875881B2 (en) * 2007-04-03 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US20100127280A1 (en) * 2007-04-13 2010-05-27 Hiromi Katoh Photo sensor and display device
US7635617B2 (en) * 2007-04-27 2009-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device
JP5700617B2 (ja) * 2008-07-08 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
DE102013107910A1 (de) * 2013-07-24 2015-01-29 Lilas Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, insbesondere einer Silizium-Dünnschicht-Solarzelle
US10741590B2 (en) * 2016-04-12 2020-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
US10247970B2 (en) 2016-12-20 2019-04-02 Microsoft Technology Licensing, Llc Measuring strain on display device
US10352789B2 (en) 2017-02-09 2019-07-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Measuring strain on display device

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3250605A (en) * 1963-09-17 1966-05-10 Sony Corp Method of manufacturing a substantially stress free cathode ray tube
US4152535A (en) * 1976-07-06 1979-05-01 The Boeing Company Continuous process for fabricating solar cells and the product produced thereby
JPS58114037A (ja) * 1981-12-28 1983-07-07 Konishiroku Photo Ind Co Ltd フオトマスク素材
US4547256A (en) * 1982-12-20 1985-10-15 Motorola, Inc. Method for thermally treating a semiconductor substrate
JPS59118789A (ja) * 1982-12-27 1984-07-09 Shionogi & Co Ltd オキサセフエム誘導体、その製法および用途
US4709466A (en) * 1985-04-15 1987-12-01 The University Of Delaware Process for fabricating thin film photovoltaic solar cells
US4851363A (en) * 1986-07-11 1989-07-25 General Motors Corporation Fabrication of polysilicon fets on alkaline earth alumino-silicate glasses
US5252140A (en) * 1987-07-24 1993-10-12 Shigeyoshi Kobayashi Solar cell substrate and process for its production
US4894080A (en) * 1988-09-26 1990-01-16 Ppg Industries, Inc. In-lehr glass sheet press bending using pressurized gas
JPH02102150A (ja) * 1988-10-06 1990-04-13 Nippon Electric Glass Co Ltd 熱的寸法安定性及び平坦性に優れたガラス板の製造方法
EP0372108B1 (en) * 1988-12-05 1994-08-31 Heinz Karl Diedrich Vacuum container for cryogenically cooled electron device packaging
DE69127395T2 (de) * 1990-05-11 1998-01-02 Asahi Glass Co Ltd Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilm-Transistors mit polykristallinem Halbleiter
US5254208A (en) * 1990-07-24 1993-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US5147826A (en) * 1990-08-06 1992-09-15 The Pennsylvania Research Corporation Low temperature crystallization and pattering of amorphous silicon films
US5064775A (en) * 1990-09-04 1991-11-12 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating an improved polycrystalline silicon thin film transistor
US5112764A (en) * 1990-09-04 1992-05-12 North American Philips Corporation Method for the fabrication of low leakage polysilicon thin film transistors
JP2838318B2 (ja) * 1990-11-30 1998-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 感光装置及びその作製方法
JP3204699B2 (ja) * 1990-11-30 2001-09-04 株式会社東芝 熱処理装置
JP2794678B2 (ja) * 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
US5294238A (en) * 1991-03-27 1994-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Glass substrate for a semiconductor device and method for making same
JP3199275B2 (ja) * 1991-12-26 2001-08-13 新日鐵化学株式会社 石英ガラスの製造方法
TW226478B (en) * 1992-12-04 1994-07-11 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5275851A (en) * 1993-03-03 1994-01-04 The Penn State Research Foundation Low temperature crystallization and patterning of amorphous silicon films on electrically insulating substrates
JP3193803B2 (ja) * 1993-03-12 2001-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子の作製方法
US5501989A (en) * 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
US5481121A (en) * 1993-05-26 1996-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having improved crystal orientation
US5529937A (en) * 1993-07-27 1996-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating thin film transistor
JPH0766424A (ja) * 1993-08-20 1995-03-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2814049B2 (ja) * 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100554763B1 (ko) * 2001-01-29 2006-02-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반도체 장치, 회로 기판, 전기 광학 장치 및 전자기기
US7112818B2 (en) 2001-01-29 2006-09-26 Seiko Epson Corporation Semiconductor film transistor
KR100742816B1 (ko) * 2002-07-29 2007-07-25 가부시끼가이샤 도시바 반도체 장치

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