[go: up one dir, main page]

KR850008247A - 반도체 장치 - Google Patents

반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR850008247A
KR850008247A KR1019850002594A KR850002594A KR850008247A KR 850008247 A KR850008247 A KR 850008247A KR 1019850002594 A KR1019850002594 A KR 1019850002594A KR 850002594 A KR850002594 A KR 850002594A KR 850008247 A KR850008247 A KR 850008247A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
emitter
potential barrier
base
collector
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1019850002594A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900004466B1 (ko
Inventor
다까시 미무라
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쓰가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP59075885A external-priority patent/JPS60219766A/ja
Priority claimed from JP59075886A external-priority patent/JPS60219767A/ja
Priority claimed from JP59109436A external-priority patent/JPS60254657A/ja
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쓰가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR850008247A publication Critical patent/KR850008247A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900004466B1 publication Critical patent/KR900004466B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/165—Tunnel injectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/36—Unipolar devices
    • H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/133—Emitter regions of BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/137—Collector regions of BJTs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 원리에 의한 반도체장치의 열평형 상태를 나타내는 에너지밴드 도포.
제3도는 본 발명의 원리에 의한 반도체장치의 동작상태를 나타내는 에너지밴드 도포.
제5도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체장치의 기본구조의 횡단면도.
제8도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체장치의 열평형상태를 나타내는 에너지밴드 도표.

Claims (14)

  1. 턴넬링 효과를 허용할 수 있는 두께를 갖는 에미터 전위장벽과, 턴넬링 효과를 허용할 수 있는 두께를 갖는 콜렉터전위 장벽과, 상기 에미터 전위장벽과 상기 콜렉터 전위장벽사이에서 샌드위치되어 있는 소수 캐리어의 개별적인 에너지 레벨들을 발생시킬 수 있는 베이스 폭을 갖고 있으며, 또한 베이스 도전 밴드와 베이스 균형 밴드사이에 베이스 에너지 갭을 갖고 있는 베이스와, 상기 에미터 전위장벽을 통하여 상기 베이스와 접촉되어 있는 에이터와, 그리고 상기 콜렉터 전위 장벽을 통하여 상기 베이스와 접촉되어 있는 콜렉터와, 상기 베이스 에너지 갭보다 더 큰 에너지 갭을 갖는 상기 에미너 전위장벽과, 상기 베이스 에너지 갭보다 더 큰 에너지 갭을 갖는 상기 콜렉터 전위장벽과, 그리고 상기 베이스내의 상기 개별에너지 레벨들을 통하여 상기 에미터로부터 상기 콜렉터로의 턴갭링에 의해 전달되는 캐리어들을 포함하는 것이 특징인 반도체 장치.
  2. 제1항에서, 상기 에미터는 상기 베이스 에너지갭보다 더 큰 에미터에 너 지갭을 갖는 것이 특징인 반도체 장치.
  3. 제1항에서, 상기 반도체장치는 제1트랜지스터이며, 또한 제2트랜지스터를 더 포함하되, 그의 구조는 상기 제1트랜지스터와 동일하며, 단지 상기 제2트랜지스터의 베이스내의 개별에너지 레벨들이 상기 제1트랜지스터의 베이스내의 개별 에너지 레벨들과 다르며, 상기 제1트랜지스터와 상기 제2트랜지스터는 직렬로 연결되는 것이 특징인 반도체 장치.
  4. 제1항에서, 상기 에미터는 에미터 도전밴드와 에미터 균형밴드간에 에너지 갭을 갖고 있으며 또한 상기 베이스내의 상기 개별 에너지 레벨들중 어느 것으로 상기 에미터 도전밴드의 최저 에너지 레벨을 조정하기 위한 바이어스 수단을 더 포함하는 것이 특징인 반도체 장치.
  5. 제1항에서, 상기 베이스는 20옹스트롱과 200옹스트롱간의 범위내의 두께를 가지며, 상기 에미터 전위장벽은 10옹스트롱과 200옹스트롱간의 범위내의 두께를 가지며 또한 상기 콜렉터 전위장벽은 10옹스트롱과 200옹스토롱간의 범위내이 두께를 갖는 것이 특징인 반도체 장치.
  6. 제1항에서, 상기 에미터는 n형 GaAs에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽은 p형 AlGaAs에 의해 형성되며, 상기 베이스는 p형 AlGaAs에 의해 형성되며, 상기 콜렉터전위장벽은 p형 GaAs에 의해 형성되며 그리고 상기 콜렉터는 n형 GaAs에 의해 형성되는 것이 특징인 반도체 장치.
  7. 제1항에서, 상기 에미터는 n형 GaAs에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽은 진성반도체에 의해 형성되며, 상기 베이스는 p형 AlGaAs에 의해 형성되며, 상기 콜렉터 전위 장벽은 진성반도체에 의해 형성되며 그리고 상기 콜렉터는 n형 GaAs에 의해 형성되는 것이 특징인 반도체 장치.
  8. 제1항에서, 상기 에미터는 Ge에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽은 GaAs에 의해 형성되며, 상기 베이스는 Ge에 의해 형성되며, 상기 콜렉터 전위장벽은 GaAs에 의해 형성되며, 그리고 상기 콜렉터는 Ge에 의해 형성되는 것이 특징인 반도체 장치.
  9. 제1항에서, 상기 에미터는 SiGe에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽은 Si에 의해 형성되며, 상기 베이스는 SiGe에 의해 형성되며, 상기 콜렉터 전위장벽은 Si에 의해 형성되며, 그리고 상기 콜렉터는 SiGe에 의해 형성되는 것이 특징인 반도체 장치.
  10. 제1항에서, 기상 에미터, 상기 에미터 전위장벽, 상기 베이스, 상기 콜렉터 전위장벽 그리고 상기 콜렉터는 AlGaAs에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽내에 유니트 볼륨의 양은 베이스내에 유니트 볼륨당 Al의 양과 다른 것이 특징인 반도체 장치.
  11. 제1항에서, 상기 에미터는 InSb에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽은 CdTe에 의해 형성되며, 상기 베이스는 InSb에 의해 형성되며, 상기 콜렉터 전위장벽은 CdTe에 의해 형성되며, 그리고 상기 콜렉터는 InSb에 의해 형성되는 것이 특징인 반도체 장치.
  12. 제1항에서, 상기 에미터는 InAs에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽은 GaSb에 의해 형성되며, 상기 베이스는 InAs에 의해 형성되며, 상기 콜렉터 전위장벽은 GaAs에 의해 형성되며, 그리고 상기 콜렉터는 InAs에 의해 형성되는 것이 특징인 반도체 장치.
  13. 제1항에서, 상기 에미터는 n형 Si에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽은 SiO2에 의해 형성되며, 상기 베이스는 p형 Si에 의해 형성되며, 상기 콜렉터 전위장벽은 SiO2에 의해 형성되며, 그리고 상기 콜렉터는 n형 Si에 의해 형성되는 것이 특징인 반도체 장치.
  14. 제1항에서, 상기 에미터는 Al에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽은 SiO2에 의해 형성되며, 상기 에미터 전위장벽은 SiO2에 의해 형성되며, 상기 베이스는 p형 Si에 의해 형성되며, 상기 콜렉터 전위장벽은 SiO2에 의해 형성되며, 그리고 상기 콜렉터는 n형 Si에 의해 형성되는 것이 특징인 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850002594A 1984-04-17 1985-04-17 반도체 장치 KR900004466B1 (ko)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP075885 1984-04-17
JP59-075885 1984-04-17
JP59075885A JPS60219766A (ja) 1984-04-17 1984-04-17 半導体装置
JP59-109436 1984-04-17
JP59075886A JPS60219767A (ja) 1984-04-17 1984-04-17 半導体装置
JP59-075886 1984-04-17
JP59109436A JPS60254657A (ja) 1984-05-31 1984-05-31 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR850008247A true KR850008247A (ko) 1985-12-13
KR900004466B1 KR900004466B1 (ko) 1990-06-28

Family

ID=27301977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850002594A KR900004466B1 (ko) 1984-04-17 1985-04-17 반도체 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4958201A (ko)
EP (1) EP0159273B1 (ko)
KR (1) KR900004466B1 (ko)
CA (1) CA1237824A (ko)
DE (1) DE3583302D1 (ko)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296391A (en) * 1982-03-24 1994-03-22 Nec Corporation Method of manufacturing a bipolar transistor having thin base region
US5214297A (en) * 1984-11-19 1993-05-25 Fujitsu Limited High-speed semiconductor device
US4691215A (en) * 1985-01-09 1987-09-01 American Telephone And Telegraph Company Hot electron unipolar transistor with two-dimensional degenerate electron gas base with continuously graded composition compound emitter
DE3686944T2 (de) * 1985-07-26 1993-04-01 Hitachi Ltd Halbleiteranordnung.
US5059545A (en) * 1985-08-23 1991-10-22 Texas Instruments Incorporated Three terminal tunneling device and method
US4716445A (en) * 1986-01-17 1987-12-29 Nec Corporation Heterojunction bipolar transistor having a base region of germanium
JPS62176162A (ja) * 1986-01-30 1987-08-01 Agency Of Ind Science & Technol 負性抵抗素子
JPS62211948A (ja) * 1986-03-13 1987-09-17 Fujitsu Ltd ヘテロ接合半導体装置
GB2191035A (en) * 1986-05-23 1987-12-02 Philips Electronic Associated Hot charge-carrier transistors
US4780749A (en) * 1986-07-01 1988-10-25 Hughes Aircraft Company Double barrier tunnel diode having modified injection layer
JPS6331165A (ja) * 1986-07-18 1988-02-09 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 共鳴トンネリング半導体デバイス
US4973858A (en) * 1986-07-18 1990-11-27 Ibm Corporation Resonant tunneling semiconductor devices
US4849799A (en) * 1986-07-31 1989-07-18 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Resonant tunneling transistor
DE3789891D1 (de) * 1986-10-22 1994-06-30 Fujitsu Ltd Halbleiterschaltung mit resonantem Tunnelungseffekt.
US4873555A (en) * 1987-06-08 1989-10-10 University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education Intraband quantum well photodetector and associated method
JPS6453570A (en) * 1987-08-25 1989-03-01 Mitsubishi Electric Corp Superlattice device
JPH01171269A (ja) * 1987-12-26 1989-07-06 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4912539A (en) * 1988-08-05 1990-03-27 The University Of Michigan Narrow-band-gap base transistor structure with dual collector-base barrier including a graded barrier
JP2527060B2 (ja) * 1990-01-29 1996-08-21 ソニー株式会社 半導体装置
DE4102888A1 (de) * 1990-01-31 1991-08-01 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur herstellung eines miniaturisierten heterouebergang-bipolartransistors
US5316958A (en) * 1990-05-31 1994-05-31 International Business Machines Corporation Method of dopant enhancement in an epitaxial silicon layer by using germanium
US5117271A (en) * 1990-12-07 1992-05-26 International Business Machines Corporation Low capacitance bipolar junction transistor and fabrication process therfor
EP0510557A3 (en) * 1991-04-22 1994-06-22 Nippon Telegraph & Telephone Resonant tunneling transistor
US5268315A (en) * 1992-09-04 1993-12-07 Tektronix, Inc. Implant-free heterojunction bioplar transistor integrated circuit process
US5389803A (en) * 1993-03-29 1995-02-14 International Business Machines Corporation High-gain Si/SiGe MIS heterojunction bipolar transistors
US5883404A (en) * 1994-08-29 1999-03-16 Motorola, Inc. Complementary heterojunction semiconductor device
GB9600469D0 (en) * 1996-01-10 1996-03-13 Secr Defence Three dimensional etching process
US7658772B2 (en) * 1997-09-08 2010-02-09 Borealis Technical Limited Process for making electrode pairs
US20040189141A1 (en) * 1997-09-08 2004-09-30 Avto Tavkhelidze Thermionic vacuum diode device with adjustable electrodes
US6720704B1 (en) 1997-09-08 2004-04-13 Boreaiis Technical Limited Thermionic vacuum diode device with adjustable electrodes
US6117344A (en) * 1998-03-20 2000-09-12 Borealis Technical Limited Method for manufacturing low work function surfaces
DE19824111A1 (de) * 1998-05-29 1999-12-02 Daimler Chrysler Ag Resonanz Phasen Transistor mit gegenphasiger Ladungsträgerinjektion
GB0415426D0 (en) * 2004-07-09 2004-08-11 Borealis Tech Ltd Thermionic vacuum diode device with adjustable electrodes
US7904581B2 (en) 2005-02-23 2011-03-08 Cisco Technology, Inc. Fast channel change with conditional return to multicasting
US7798268B2 (en) * 2005-03-03 2010-09-21 Borealis Technical Limited Thermotunneling devices for motorcycle cooling and power generation
US7589348B2 (en) * 2005-03-14 2009-09-15 Borealis Technical Limited Thermal tunneling gap diode with integrated spacers and vacuum seal
GB0518132D0 (en) * 2005-09-06 2005-10-12 Cox Isaiah W Cooling device using direct deposition of diode heat pump
US7427786B1 (en) 2006-01-24 2008-09-23 Borealis Technical Limited Diode device utilizing bellows
US8713195B2 (en) * 2006-02-10 2014-04-29 Cisco Technology, Inc. Method and system for streaming digital video content to a client in a digital video network
US8866194B2 (en) * 2006-09-28 2014-10-21 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device
KR100747657B1 (ko) 2006-10-26 2007-08-08 삼성전자주식회사 매크로 및 마이크로 주파수 튜닝이 가능한 반도체 소자 및이를 갖는 안테나와 주파수 튜닝 회로
US8816192B1 (en) 2007-02-09 2014-08-26 Borealis Technical Limited Thin film solar cell
FI20085896A0 (fi) * 2008-09-23 2008-09-23 Upm Kymmene Wood Oy Puulevyn päällyste ja puulevy

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4286275A (en) * 1980-02-04 1981-08-25 International Business Machines Corporation Semiconductor device
US4396931A (en) * 1981-06-12 1983-08-02 International Business Machines Corporation Tunnel emitter upper valley transistor
EP0068064A1 (en) * 1981-06-30 1983-01-05 International Business Machines Corporation Semiconductor circuit including a resonant quantum mechanical tunnelling triode device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0159273A2 (en) 1985-10-23
DE3583302D1 (de) 1991-08-01
CA1237824A (en) 1988-06-07
US4958201A (en) 1990-09-18
KR900004466B1 (ko) 1990-06-28
EP0159273A3 (en) 1986-07-23
EP0159273B1 (en) 1991-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850008247A (ko) 반도체 장치
KR870006672A (ko) 공진턴넬링 이종접합 바이폴러 트랜지스터장치
US4220961A (en) Monolithic combination of two complementary bipolar transistors
KR970008665A (ko) 게이트 보호용 제너 다이오드를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법
KR880002273A (ko) 이질 구조 2극 소자
KR970054364A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR970024265A (ko) 반도체 장치
KR920001741A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR920005395A (ko) 광전장치
GB1032599A (en) Junction transistor structure
GB971261A (en) Improvements in semiconductor devices
KR950012710A (ko) 반도체 집적회로장치
US3078196A (en) Semiconductive switch
KR870010640A (ko) 애벌란치 포토 다이오드
KR940016782A (ko) 반도체 장치
EP0193842B1 (en) Integrated semiconductor circuit with two epitaxial layers of different conductivity types
JPH04296059A (ja) 共鳴トンネル・デバイス
US4633279A (en) Semiconductor devices
JPH08316470A (ja) 電力用半導体素子
JPS56150862A (en) Semiconductor device
JPS6451664A (en) Semiconductor device
JPH01214164A (ja) 共鳴トンネリングトランジスタ
CA1211563A (en) Integrated circuit arrangement
JPS6156431A (ja) 高圧半導体集積回路
JPS5580350A (en) Semiconductor integrated circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19850417

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 19890930

Patent event code: PE09021S01D

G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

Comment text: Decision on Publication of Application

Patent event code: PG16051S01I

Patent event date: 19900528

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19900917

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19901011

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19901011

End annual number: 3

Start annual number: 1

FPAY Annual fee payment

Payment date: 19930512

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19930512

Start annual number: 4

End annual number: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee