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KR950012710A - 반도체 집적회로장치 - Google Patents

반도체 집적회로장치 Download PDF

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KR950012710A
KR950012710A KR1019940027634A KR19940027634A KR950012710A KR 950012710 A KR950012710 A KR 950012710A KR 1019940027634 A KR1019940027634 A KR 1019940027634A KR 19940027634 A KR19940027634 A KR 19940027634A KR 950012710 A KR950012710 A KR 950012710A
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KR
South Korea
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semiconductor
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KR1019940027634A
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KR0179680B1 (ko
Inventor
고이치 엔도
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

본 발명은 어느 소자에 있어서 스위칭속도의 고속화의 요구와 다른 소자에 있어서 전류용량의 확보의 요구를 동시에 만족할 수 있는 반도체 집적회로장치를 제공하도록 하는 것이다.
반도체기체(1)중에 전류경로(A)를 기판(1)내의 P형 실리콘기판(2)에 설정한 파워계소자(7)와 전류경로 B)를 기판(1)내의 N형 에피텍셜층(3)에 설정한 로직계소자(9)를 설치한다. 그리고, 실리콘기판(2)에 생성 재결합 중심층(10)을 설치한 것을 주요한 특징으로 하고 있다. 이 구성이라면 파워계소자(7)에서는 그 전류경로(A)가 생성 재결합 중심층(10)을 매개로 하기 때문에 스위칭속도 고속화의 요구를 만족할 수 있다. 한편 로직계소자(9)에서는 그 전류경로(B)가 생성 재결합 중심층(10)을 매개로 하는 것이 아니기 때문에 전류용량 극보의 요구를 만족할 수 있다.

Description

반도체 직접회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도제 집적회로장치를 개략적으로 나타낸 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 기체(1)와, 이 기체(1)내에 형성되고 전류경로(A)를 상기 기체(1)의 깊은 영역에 설정한 제1소자(7), 상기 기체(1)내에 형성되고 전류경로(B)를 상기 기체 (1)의 얕은 영역에 설정한 제2소자(9)를 구비하고, 상기 깊은 영역에 생성 재결합 중심층(10)을 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기체(1)는 제1도전형의 제1반도체층(2)과, 이 제1반도체층(2)상에 형성된 제2도전형의 제2반도체층(3), 이 제2반도체층(3)을 적어도 2개의 제1, 제2섬형상 영역(5,6)으로 분리하는 분리영역(4)을 포함하고, 상기 제1소자(7)의 전류경로(A)는 상기 제1섬형상 영역(5)내 및 상기 제1반도체층(2)내에 설정되며, 상기 제2소자(9)의 전류경로(B)는 상기 제2섬형상 영역(6)내에 설정되고,상기 생성 재결합 중심층(10)은 상기 제1반도체층(2)내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기체(1)는 제1도전형의 제1반도체층(2)과, 이 제1반도체층(2)상에 형성된 제2도전형의 제2반도체층(3), 이들 제1반도체층 및 제2반도체층(2,3)에 의해 구성되는 적층 반도체 구조부를 적어도 2개의 제1, 제2섬형상 영역(5,6)으로 분리하는 분리영역(4)을 포함하고, 상기 제1소자(7)의 전류경로(A)는 상기 제1섬형상 영역(5)내 및 상기 제1반도체층내에 설정되며, 상기 제2소자(9)의 전류경로(B)는 상기 제2섬형상 영역(7)내에 설정되고, 상기 생성 재결합 중심층(10)은 상기 제1반도체층(2)내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용 의하여 공개하는 것임.
KR1019940027634A 1993-10-29 1994-10-27 반도체 집적회로장치 KR0179680B1 (ko)

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