KR20150081367A

KR20150081367A - 네마틱 액정 조성물 및 이것을 사용한 액정 표시 소자

Info

Publication number: KR20150081367A
Application number: KR1020157015510A
Authority: KR
Inventors: 고 스도; 쇼타로 가와카미
Original assignee: 디아이씨 가부시끼가이샤
Priority date: 2012-12-12
Filing date: 2013-11-29
Publication date: 2015-07-13
Anticipated expiration: 2033-11-29
Also published as: US10106740B2; JPWO2014091946A1; TW201430112A; JP5664824B2; EP2933308A4; EP2933308A1; EP2933308B1; CN104837957A; WO2014091946A1; KR101598791B1; CN104837957B; US20150315469A1; TWI607080B

Abstract

본 발명은, 액정 표시 재료로서 유용한 유전율 이방성(Δε)이 음의 네마틱 액정 조성물 및 이것을 사용한 액정 표시 소자에 관한 것이다. 본원의 액정 조성물은, 굴절률 이방성(Δn) 및 네마틱상-등방성 액체상 전이 온도(T_ni)를 저하시키지 않고, 점도(η)가 충분히 작고, 회전 점성(γ1)이 충분히 작고, 탄성 상수(K₃₃)가 크고, 절대값이 큰 음의 유전율 이방성(Δε)을 갖고, 이것을 사용한 VA형 등의 표시 불량이 없거나 또는 억제된, 표시 품위가 뛰어난, 응답 속도가 빠른 액정 표시 소자를 제공할 수 있다. 본 발명의 액정 조성물을 사용한 액정 표시 소자는 액티브 매트릭스 구동용 액정 표시 소자에 유용하며, VA형이나 PSVA형 등의 액정 표시 소자에 적용할 수 있다.

Description

네마틱 액정 조성물 및 이것을 사용한 액정 표시 소자{NEMATIC LIQUID CRYSTAL COMPOSITION AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT USING SAME}

본 발명은 액정 표시 재료로서 유용한 유전율 이방성(Δε)이 음의 값을 나타내는 네마틱 액정 조성물 및 이것을 사용한 액정 표시 소자에 관한 것이다.

액정 표시 소자는, 시계, 전자계산기를 비롯하여, 가정용 각종 전기기기, 측정기기, 자동차용 패널, 워드프로세서, 전자수첩, 프린터, 컴퓨터, 텔레비전 등에 사용되고 있다. 액정 표시 방식으로서는, 그 대표적인 것으로 TN(트위스티드 네마틱)형, STN(수퍼 트위스티드 네마틱)형, DS(동적 광산란)형, GH(게스트·호스트)형, IPS(인플레인 스위칭)형, OCB(광학 보상 복굴절)형, ECB(전압 제어 복굴절)형, VA(수직 배향)형, CSH(컬러 수퍼 호메오트로픽)형, 혹은 FLC(강유전성 액정) 등을 들 수 있다. 또한 구동 방식으로서도 스태틱 구동, 멀티플렉스 구동, 단순 매트릭스 방식, TFT(박막 트랜지스터)나 TFD(박막 다이오드) 등에 의해 구동되는 액티브 매트릭스(AM) 방식을 들 수 있다.

이들 표시 방식에 있어서, IPS형, ECB형, VA형, 혹은 CSH형 등은, Δε이 음의 값을 나타내는 액정 재료를 사용한다는 특징을 갖는다. 이들 중에서 특히 AM 구동에 의한 VA형 표시 방식은, 고속으로 광시야각이 요구되는 표시 소자, 예를 들면 텔레비전 등의 용도에 사용되고 있다.

VA형 등의 표시 방식에 사용되는 네마틱 액정 조성물에는, 저전압 구동, 고속 응답 및 넓은 동작 온도 범위가 요구된다. 즉, Δε이 음이며 절대값이 크고, 저점도이며, 높은 네마틱상-등방성 액체상 전이 온도(T_ni)가 요구되고 있다. 또한, 굴절률 이방성(Δn)과 셀갭(d)의 곱인 Δn×d의 설정으로부터, 액정 재료의 Δn을 셀갭에 맞춰서 적당한 범위로 조절할 필요가 있다. 이에 더하여 액정 표시 소자를 텔레비전 등에 응용하는 경우에 있어서는 고속 응답성이 중시되기 때문에, 점도(η)가 낮은 액정 재료가 요구된다.

지금까지는, Δε이 음이며 그 절대값이 큰 화합물을 각종 검토함에 의해 액정 조성물의 특성이 개량되어 왔다.

Δε이 음의 액정 재료로서, 이하와 같은 2,3-디플루오로페닐렌 골격을 갖는 액정 화합물(A) 및 (B)(특허문헌 1 참조)를 사용한 액정 조성물이 개시되어 있다.

이 액정 조성물은, Δε이 거의 0인 화합물로서 액정 화합물(C) 및 (D)를 사용하고 있지만, 이 액정 조성물은, 액정 텔레비전 등의 고속 응답이 요구되는 액정 조성물에 있어서는 충분히 낮은 점성을 실현하는 것에 이르고 있지 않다.

한편, 식(E)으로 표시되는 화합물을 사용한 액정 조성물도 이미 개시되어 있지만, 상기의 액정 화합물(D)을 조합시킨 Δn이 작은 액정 조성물(특허문헌 2 참조)이나 응답 속도의 개선을 위해 액정 화합물(F)과 같이 알케닐기를 분자 내에 갖는 화합물(알케닐 화합물)을 첨가한 액정 조성물(특허문헌 3 참조)이며, 고Δn과 고신뢰성을 양립시키기 위해서는 추가적인 검토가 필요했다.

또한, 식(G)으로 표시되는 화합물을 사용한 액정 조성물은 이미 개시되어 있지만(특허문헌 4 참조), 이 액정 조성물도 상기의 액정 화합물(F)과 같이 알케닐 화합물을 포함하는 화합물을 함유한 액정 조성물이기 때문에, 소부(燒付)나 표시 불균일 등의 표시 불량이 발생하기 쉬운 폐해가 있었다.

또, 알케닐 화합물을 포함하는 액정 조성물의 표시 불량에의 영향에 대해서는 이미 개시되어 있지만(특허문헌 5 참조), 일반적으로는 알케닐 화합물의 함유량이 감소하면 액정 조성물의 η이 상승하고, 고속 응답의 달성이 곤란해지기 때문에, 표시 불량의 억제와 고속 응답의 양립이 곤란했다.

이와 같이 Δε이 음의 값을 나타내는 화합물과 액정 화합물(C), (D) 및 (F)를 조합시키는 것만으로는, 높은 Δn과 낮은 η을 양립시키고, 또한, 표시 불량이 없거나 또는 억제된 Δε이 음의 액정 조성물의 개발은 곤란했다.

또한, 식(A) 및 식(G)에 Δε이 거의 제로인 식(Ⅲ-F31)을 조합시킨 액정 조성물(특허문헌 6 참조)이 개시되어 있다. 그러나, 액정 표시 소자의 제조 공정에서는 액정 조성물을 액정셀에 주입할 때의 극저압에서, 증기압이 낮은 화합물은 휘발해 버리므로, 그 함유량을 늘릴 수 없다고 생각되고 있었다. 이 때문에, 당해 액정 조성물은 식(Ⅲ-F31)의 함유량을 한정하게 되어, 큰 Δn을 나타내지만, 점도가 현저하게 높다는 문제가 있었다.

또한, 특허문헌 6이나 특허문헌 7에 있어서, 불소 치환된 터페닐 구조를 갖는 화합물을 사용한 액정 조성물도 이미 개시되어 있다.

또한, 특허문헌 8에 있어서, (식 1)으로 표시되는 지수가 큰 액정 재료를 사용함으로써 호메오트로픽 액정셀의 응답 속도를 향상시키는 것이 개시되어 있지만, 충분하다고 할 수 있는 것은 아니었다.

이상으로부터, 액정 텔레비전 등의 고속 응답이 요구되는 액정 조성물에 있어서는, 굴절률 이방성(Δn) 및 네마틱상-등방성 액체상 전이 온도(T_ni)를 저하시키지 않고, 점도(η)를 충분히 작게, 회전 점성(γ1)을 충분히 작게, 탄성 상수(K₃₃)를 크게 하는 것이 요구되고 있었다.

일본국 특개평8-104869호 유럽 특허출원 공개 제0474062호 일본국 특개2006-37054호 일본국 특개2001-354967호 일본국 특개2008-144135호 WO2007/077872호 일본국 특개2003-327965호 일본국 특개2006-301643호

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 굴절률 이방성(Δn) 및 네마틱상-등방성 액체상 전이 온도(T_ni)를 저하시키지 않고, 점도(η)가 충분히 작고, 회전 점성(γ1)이 충분히 작고, 탄성 상수(K₃₃)가 크고, 절대값이 큰 음의 유전율 이방성(Δε)을 갖는 액정 조성물을 제공하고, 또한 이것을 사용한 VA형 등의 표시 불량이 없거나 또는 억제된, 표시 품위가 뛰어난, 응답 속도가 빠른 액정 표시 소자를 제공하는 것에 있다.

본 발명자는, 각종의 비시클로헥실 유도체 및 플루오로벤젠 유도체를 검토하고, 특정 화합물을 조합시킴에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

본 발명의 액정 조성물은, 제1 성분으로서, 식(I)

으로 표시되는 화합물을 함유하고, 그 함유량은 3∼50질량%이며, 제2 성분으로서, 유전율 이방성(Δε)이 음이며 그 절대값이 3보다도 큰 화합물을 함유하는 액정 조성물을 제공하고, 또한, 이것을 사용한 액정 표시 소자를 제공한다.

본 발명의 액정 조성물은, 굴절률 이방성(Δn) 및 네마틱상-등방성 액체상 전이 온도(T_ni)를 저하시키지 않고, 점도(η)가 충분히 작고, 회전 점성(γ1)이 충분히 작고, 탄성 상수(K₃₃)가 크고, 절대값이 큰 음의 유전율 이방성(Δε)을 가지므로, 이것을 사용한 VA형 등의 액정 표시 소자는 표시 불량이 없거나 또는 억제된, 표시 품위가 뛰어나고 응답 속도가 빠른 것이다.

본 발명의 액정 조성물은, 제1 성분으로서, 식(I)으로 표시되는 화합물을 3∼50질량% 함유하지만, 5∼40질량%인 것이 더 바람직하고, 10∼30질량%인 것이 특히 바람직하다. 또한 상술하면, 점도 또는 회전 점성을 작게 하는 경우에는 그 함유량은 20∼50질량%가 바람직하지만, 저온에 있어서의 석출의 억제를 중시하는 경우에는 그 함유량은 10∼30질량%가 바람직하다.

제2 성분으로서, Δε이 음이며 그 절대값이 3보다도 큰 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유하지만, 그 함유량은 10∼90질량%인 것이 바람직하고, 20∼80질량%가 더 바람직하고, 30∼70질량%가 특히 바람직하다.

제2 성분은 일반식(Ⅱ)으로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.

식 중, R¹ 및 R²는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼10의 알케닐기 또는 탄소 원자수 2∼10의 알케닐옥시기를 나타내고, R¹ 및 R² 중에 존재하는 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않는 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립적으로 -O- 및/또는 -S-로 치환되어도 되며, 또한, R¹ 및 R² 중에 존재하는 1개 또는 2개 이상의 수소 원자는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 염소 원자로 치환되어도 된다. 환A 및 환B는, 각각 독립적으로 트랜스-1,4-시클로헥실렌기, 1,4-페닐렌기, 2-플루오로-1,4-페닐렌기, 3-플루오로-1,4-페닐렌기, 3,5-디플루오로-1,4-페닐렌기, 2,3-디플루오로-1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥세닐렌기, 1,4-비시클로[2.2.2]옥틸렌기, 피페리딘-1,4-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기 또는 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기를 나타낸다. p는, 0, 1 또는 2를 나타낸다. Z는, -OCH₂-, -CH₂O-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CH₂CH₂-, -CF₂CF₂- 또는 단결합을 나타낸다. 식 중의 R¹ 및 R²는, 각각 독립적으로 직쇄상의 탄소 원자수 1∼5의 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐옥시기인 것이 더 바람직하고, R¹은 탄소 원자수 1∼5의 알킬기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기, R²는 탄소 원자수 1∼5의 알콕시기인 것이 특히 바람직하다.

식 중의 환A 및 환B는, 각각 독립적으로 트랜스-1,4-시클로헥실렌기, 1,4-페닐렌기, 2-플루오로-1,4-페닐렌기, 3-플루오로-1,4-페닐렌기, 3,5-디플루오로-1,4-페닐렌기 또는 2,3-디플루오로-1,4-페닐렌기인 것이 더 바람직하고, 트랜스-1,4-시클로헥실렌기 또는 1,4-페닐렌기인 것이 특히 바람직하다.

식 중의 p는, 각각 독립적으로 0 또는 1인 것이 더 바람직하다.

식 중의 Z는, -CH₂O-, -CF₂O-, -CH₂CH₂- 또는 단결합인 것이 더 바람직하고, -CH₂O- 또는 단결합인 것이 특히 바람직하다.

본 발명의 액정 조성물은, 제2 성분을 1종 또는 2종 이상 함유하지만, 2종∼10종 함유하는 것이 바람직하다.

일반식(Ⅱ)으로 표시되는 화합물은, 일반식(Ⅱ-A1)∼일반식(Ⅱ-A5) 및 일반식(Ⅱ-B1)∼일반식(Ⅱ-B5)인 것이 바람직하고, 일반식(Ⅱ-A1)∼일반식(Ⅱ-A5)의 화합물인 것이 더 바람직하고, 일반식(Ⅱ-A1) 또는 일반식(Ⅱ-A3)의 화합물인 것이 특히 바람직하다.

식 중, R³ 및 R⁴는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1∼5의 알킬기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기를 나타내고, R³ 및 R⁴ 중에 존재하는 1개 또는 2개 이상의 수소 원자는 각각 독립적으로 불소 원자로 치환되어도 된다.

본 발명의 액정 조성물은, 제3 성분으로서, 일반식(Ⅲ-A)∼일반식(Ⅲ-J)으로 표시되는 화합물군에서 선택되는 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유하고, 그 함유량이 10∼70질량%인 것이 바람직하고, 20∼60질량%인 것이 더 바람직하다.

식 중, R⁵는, 탄소 원자수 1∼5의 알킬기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기, R⁶은, 탄소 원자수 1∼5의 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐옥시기를 나타낸다.

단, 일반식(Ⅲ-A)으로 표시되는 화합물에 있어서, 식(I)으로 표시되는 화합물과 동일 화합물은 포함하지 않는다.

제3 성분은, 일반식(Ⅲ-A), (Ⅲ-D), (Ⅲ-F), (Ⅲ-G) 및 (Ⅲ-H)에서 선택되는 화합물인 것이 더 바람직하고, 일반식(Ⅲ-A)인 것이 특히 바람직하다. 또한, 일반식(Ⅲ-A)으로 표시되는 화합물에 있어서는, R⁵는 탄소 원자수 2의 알케닐기, R⁶은 탄소 원자수 1∼5의 알킬기인 것이 바람직하다.

본 발명의 액정 조성물은, 식(I), 일반식(Ⅱ-A1) 및 일반식(Ⅲ-A)의 화합물을 동시에 함유하는 것이 바람직하고, 식(I), 일반식(Ⅱ-A3) 및 일반식(Ⅲ-A)의 화합물을 동시에 함유하는 것이 바람직하고, 식(I), 일반식(Ⅱ-B1) 및 일반식(Ⅲ-A)의 화합물을 동시에 함유하는 것이 바람직하고, 식(I), 일반식(Ⅱ-B2) 및 일반식(Ⅲ-A)의 화합물을 동시에 함유하는 것이 바람직하고, 식(I), 일반식(Ⅱ-B3) 및 일반식(Ⅲ-A)의 화합물을 동시에 함유하는 것이 바람직하고, 식(I), 일반식(Ⅱ-B4), 및 일반식(Ⅲ-A)의 화합물을 동시에 함유하는 것이 바람직하지만, 식(I), 일반식(Ⅱ-A1) 및 일반식(Ⅲ-A)의 화합물을 동시에 함유하는 것이 더 바람직하고, 식(I), 일반식(Ⅱ-A3) 및 일반식(Ⅲ-A)의 화합물을 동시에 함유하는 것이 더 바람직하고, 식(I), 일반식(Ⅱ-A1), 일반식(Ⅱ-A3) 및 일반식(Ⅲ-A)의 화합물을 동시에 함유하는 것이 특히 바람직하다.

추가적인 성분으로서, 일반식(V)으로 표시되는 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유하는 것이 바람직하고, 그 함유량은 2∼30질량%가 바람직하고, 2∼25질량%가 더 바람직하고, 3∼20질량%가 특히 바람직하다.

식 중, R²¹ 및 R²²는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1∼8의 알킬기, 탄소 원자수 1∼8의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼8의 알케닐기 또는 탄소 원자수 2∼8의 알케닐옥시기를 나타내지만, 탄소 원자수 1∼5의 알킬기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기가 바람직하다.

본 발명의 액정 조성물은, 식(I), 일반식(Ⅱ) 및 일반식(Ⅲ-A)∼일반식(Ⅲ-J)으로 표시되는 화합물의 함유량의 합계가, 85∼100질량%가 바람직하고, 90∼100질량%가 보다 바람직하고, 95∼100질량%가 더 바람직하고, 식(I), 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅲ-A)∼일반식(Ⅲ-J) 및 일반식(V)으로 표시되는 화합물의 함유량의 합계가, 90∼100질량%가 더 바람직하고, 95∼100질량%가 특히 바람직하다.

본 발명의 액정 조성물은, 25℃에 있어서의 유전율 이방성(Δε)이 -2.0∼-8.0이지만, -2.0∼-6.0이 바람직하고, -2.0∼-5.0이 보다 바람직하고, -2.5∼-4.0이 특히 바람직하다.

본 발명의 액정 조성물은, 20℃에 있어서의 굴절률 이방성(Δn)이 0.08∼0.14이지만, 0.09∼0.13이 보다 바람직하고, 0.09∼0.12가 특히 바람직하다. 또한 상술하면, 얇은 셀갭에 대응하는 경우에는 0.10∼0.13인 것이 바람직하고, 두꺼운 셀갭에 대응하는 경우에는 0.08∼0.10인 것이 바람직하다.

본 발명의 액정 조성물은, 20℃에 있어서의 점도(η)가 10∼30mPa·s이지만, 10∼25mPa·s인 것이 보다 바람직하고, 10∼22mPa·s인 것이 특히 바람직하다.

본 발명의 액정 조성물은, 20℃에 있어서의 회전 점성(γ₁)이 60∼130mPa·s이지만, 60∼110mPa·s인 것이 보다 바람직하고, 60∼100mPa·s인 것이 특히 바람직하다.

본 발명의 액정 조성물은, 네마틱상-등방성 액체상 전이 온도(T_ni)가 60℃∼120℃이지만, 70℃∼100℃가 보다 바람직하고, 70℃∼85℃가 특히 바람직하다.

본 발명의 액정 조성물은, 상술의 화합물 이외에, 통상의 네마틱 액정, 스멕틱 액정, 콜레스테릭 액정, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등을 함유해도 된다.

본 발명의 액정 조성물은, 중합성 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유할 수 있다.

중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물은, 예를 들면, PSA 모드 또는 PSVA 모드 등의 액정 표시 소자를 제작하기 위한 액정 조성물로서 사용할 수 있다.

그 경우의 중합성 화합물은, 구체적으로는, 예를 들면, 일반식(RM-1)

으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

식 중, Z^M1 및 Z^M2는 각각 독립하여

을 나타내고, X^M1∼X^M5는 수소 원자, 불소 원자 또는

을 나타내고, X^M1∼X^M5 중 적어도 1개는,

을 나타내지만, X^M2 또는 X^M3이,

인 것이 바람직하고, X^M3이,

인 것이 바람직하다.

S^M1은, 탄소 원자수 1∼12의 알킬렌기, 또는 단결합을 나타내고, 당해 알킬렌기 중의 -CH₂-는 산소 원자끼리가 직접 결합하지 않는 것으로서 산소 원자, -COO-, -OCO-, 또는 -OCOO-로 치환되어도 되지만, PSA 모드의 액정 표시 소자에 있어서는 적어도 한쪽이 단결합인 것이 바람직하고, 모두 단결합인 화합물 또는 한쪽이 단결합이며 다른 한쪽이 탄소 원자수 1∼8의 알킬렌기 또는 -O-(CH₂)_s-인 것이 바람직하고, 이 경우, 탄소 원자수 1∼4의 알킬렌기가 바람직하고, s는 1∼4가 바람직하다.

R⁷은 이하의 식(R-1)∼식(R-15)

중 어느 하나를 나타내지만, 식(R-1) 또는 식(R-2)이 바람직하다.

L^M1 및 L^M2는 서로 독립하여, 단결합, -O-, -CH₂-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CO-, -C₂H₄-, -COO-, -OCO-, -CH=CH-COO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-OCO-, -COOC₂H₄-, -OCOC₂H₄-, -C₂H₄OCO-, -C₂H₄COO-, -OCOCH₂-, -CH₂COO-, -CH=CH-, -CF=CH-, -CH=CF-, -CF=CF-, -CF₂-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂CH₂-, -CH₂CF₂-, -CF₂CF₂- 또는 -C≡C-를 나타내고, L^M2가 복수 존재하는 경우에는 그들은 동일해도 달라도 되지만, -COO-, -OCO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -C≡C- 또는 단결합이 바람직하고, -COO-, -OCO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO- 또는 단결합이 더 바람직하다.

존재하는 M^M1은, 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 나프탈렌-2,6-디일기를 나타내지만, 이들의 기 중에 포함되는 수소 원자가 불소 원자, 염소 원자, 또는 탄소 원자수 1∼8의 알킬기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 알콕시기, 알콕시기, 니트로기, 또는

로 치환되어 있어도 된다.

m^M1은 0, 1 또는 2를 나타내지만, 0 또한 1이 바람직하다.

X^M1∼X^M5, S^M1, R^M1, L^M2 및/또는 M^M1이 복수 존재하는 경우에는 그들은 동일해도 달라도 된다.

또한 상술하면, 일반식(RM-1)으로 표시되는 중합성 화합물에 있어서, L^M1이 단결합이며 m^M1이 0의 경우의 환구조인 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 중합성 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유하는 것이 바람직하다.

식 중, R⁷ 및 R⁸은, 각각 독립적으로 식(R-1)∼식(R-15) 중 어느 하나를 나타내고, X¹∼X⁸은, 각각 독립적으로 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기, 불소 원자 또는 수소 원자를 나타낸다.

일반식(Ⅳ)에 있어서의 비페닐 골격의 구조는, 식(XXa-1), 식(Ⅳ-11)∼식(Ⅳ-14)인 것이 더 바람직하고, 식(Ⅳ-11)인 것이 특히 바람직하다.

식(Ⅳ-11)∼식(Ⅳ-14)으로 표시되는 골격을 포함하는 중합성 화합물은 중합 후의 배향 규제력이 최적이며, 양호한 배향 상태가 얻어진다.

이들 골격을 포함하는 일반식(RM-1)으로 표시되는 중합성 화합물은 중합 후의 배향 규제력이 PSA 모드의 액정 표시 소자에 최적이며, 양호한 배향 상태가 얻어지므로, 표시 불균일이 억제되거나, 또는, 전혀 발생하지 않는 효과가 있다.

구체적으로는, 식(XX-1)∼일반식(XX-10)으로 표시되는 화합물이 바람직하고, 식(XX-1)∼식(XX-4)이 더 바람직하다.

식 중, Sp^xx는 탄소 원자수 1∼8의 알킬렌기 또는 -O-(CH₂)_s-(식 중, s는 2∼7의 정수를 나타내고, 산소 원자는 환에 결합하는 것으로 한다)를 나타낸다.

일반식(RM-1)으로 표시되는 중합성 화합물에 있어서, m^M1이 1의 경우의 환구조인, 예를 들면, 식(M31)∼식(M48)과 같은 중합성 화합물도 바람직하다.

식 중의 페닐기 및 나프탈렌기 중의 수소 원자는, 또한, -F, -Cl, -CF₃, -CH₃, 식(R-1)∼식(R-15) 중 어느 하나에 의해 치환되어 있어도 된다.

일반식(RM-1)으로 표시되는 중합성 화합물에 있어서, L^M1이 단결합이며, m^M1이 1의 경우의 환구조인, 예를 들면, 식(M301)∼식(M316)과 같은 중합성 화합물도 바람직하다.

일반식(RM-1)으로 표시되는 중합성 화합물에 있어서, 예를 들면, 식(Ia-1)∼식(Ia-31)과 같은 중합성 화합물도 바람직하다.

중합성 화합물의 함유량이 적을 경우, 액정 조성물에 대한 배향 규제력이 약해진다. 반대로, 중합성 화합물의 함유량이 너무 많을 경우, 중합 시의 필요 에너지가 상승하고, 중합하지 않고 잔존하게 되는 중합성 화합물의 양이 증가하고, 표시 불량의 원인이 되기 때문에, 그 함유량은 0.01∼2.00질량%인 것이 바람직하고, 0.05∼1.00질량%인 것이 더 바람직하고, 0.10∼0.50질량%인 것이 특히 바람직하다.

본 발명의 제1 성분, 제2 성분, 제3 성분 및 중합성 화합물인 일반식(Ⅳ)을 동시에 함유하는 중합성 화합물 함유 액정 조성물은, 낮은 점도(η), 낮은 회전 점성(γ₁) 및 큰 탄성 상수(K₃₃)가 얻어지므로, 이것을 사용한 PSA 모드 또는 PSVA 모드의 액정 표시 소자는 고속 응답을 실현할 수 있다.

본 발명의 액정 조성물을 사용한 액정 표시 소자는, 고속 응답이라는 현저한 특징을 유용하고 있고, 특히, 액티브 매트릭스 구동용 액정 표시 소자에 유용하며, VA 모드, PSVA 모드, PSA 모드, IPS 모드 또는 ECB 모드용에 적용할 수 있다.

[실시예]

이하에 실시예를 들어서 본 발명을 또한 상술하지만, 본 발명은 이들의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시예 및 비교예의 조성물에 있어서의 「%」는 『질량%』를 의미한다.

실시예에 있어서 화합물의 기재에 대해서 이하의 약호를 사용한다.

(측쇄)

-n -C_nH_2n ₊₁ 탄소수n의 직쇄상의 알킬기

n- C_nH_2n ₊₁- 탄소수n의 직쇄상의 알킬기

-On -OC_nH_2n ₊₁ 탄소수n의 직쇄상의 알콕시기

nO- C_nH_2n ₊₁O- 탄소수n의 직쇄상의 알콕시기

-V -CH=CH₂

V- CH₂=CH-

-V1 -CH=CH-CH₃

1V- CH₃-CH=CH-

-2V -CH₂-CH₂-CH=CH₃

V2- CH₃=CH-CH₂-CH₂-

-2V1 -CH₂-CH₂-CH=CH-CH₃

1V2- CH₃-CH=CH-CH₂-CH₂

(환구조)

실시예 중, 측정한 특성은 이하와 같다.

T_ni : 네마틱상-등방성 액체상 전이 온도(℃)

Δn : 20℃에 있어서의 굴절률 이방성

Δε : 25℃에 있어서의 유전율 이방성

η : 20℃에 있어서의 점도(mPa·s)

γ₁ : 20℃에 있어서의 회전 점성(mPa·s)

K₃₃ : 20℃에 있어서의 탄성 상수 K₃₃(pN)

(비교예1, 실시예1, 실시예2 및 실시예3)

LC-A(비교예1), LC-1(실시예1), LC-2(실시예2) 및 LC-3(실시예3)의 액정 조성물을 조제하고, 그 물성값을 측정했다. 액정 조성물의 구성과 그 물성값의 결과는 표 1과 같다.

[표 1]

본 발명의 액정 조성물 LC-1, LC-2 및 LC-3은, 점도(η)가 작고, 회전 점성(γ₁)이 작고, 탄성 상수(K₃₃)가 크고, γ₁/K₃₃이 각각, 7.5, 7.5 및 7.4이며, 비교예인 LC-A의 그것보다도 현저하게 작은 값이었다. 이들을 사용한 액정 표시 소자의 응답 속도를 측정한 바, LC-1, LC-2 및 LC-3은, 충분히 고속 응답이며, LC-A보다도 20% 정도 고속이었다. 또한, 전압 유지율(VHR)을 측정하여, 높은 VHR을 갖고 있는 것이 확인되었다. 또, 셀 두께는 3.5um, 배향막은 JALS2096이며, 응답 속도의 측정 조건은, Von은 5.5V, Voff는 1.0V, 측정 온도는 20℃에서, AUTRONIC-MELCHERS사의 DMS301을 사용했다. VHR의 측정 조건은 전압 5V, 주파수 60㎐, 온도 60℃에서, 도요테크니카 가부시키가이샤의 VHR-1을 사용했다.

본 발명의 액정 조성물 LC-1, LC-2 및 LC-3에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-4)을 0.3% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의해 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다. 당해 중합성 화합물의 첨가량을 0.4%로 했을 경우에도 같은 결과가 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-1, LC-2 및 LC-3에 대하여, 각각 중합성 화합물(M302)을 0.3% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다. 당해 중합성 화합물의 첨가량을 0.4%로 했을 경우에도 같은 결과가 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-1, LC-2 및 LC-3에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-4)을 0.3% 및 중합성 화합물(Ia-31)을 0.1% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-1, LC-2 및 LC-3에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-4)을 0.35% 및 중합성 화합물(Ia-31)을 0.05% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-1, LC-2 및 LC-3에 대하여, 각각 중합성 화합물(M302)을 0.35% 및 중합성 화합물(Ia-31)을 0.05% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-1, LC-2 및 LC-3에 대하여, 각각 중합성 화합물(M302)을 0.35% 및 중합성 화합물(XX-2)을 0.05% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-1, LC-2 및 LC-3에 대하여, 각각 중합성 화합물(M302)을 0.2% 및 중합성 화합물(XX-2)을 0.2% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-1, LC-2 및 LC-3에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-4)을 0.2% 및 중합성 화합물(XX-2)을 0.2% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

(비교예2, 비교예3, 실시예4 및 실시예5)

LC-B(비교예2), LC-C(비교예3), LC-4(실시예4) 및 LC-5(실시예5)의 액정 조성물을 조제하고, 그 물성값을 측정했다. 액정 조성물의 구성과 그 물성값의 결과는 표 2와 같다.

[표 2]

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5는, 점도(η)가 작고, 회전 점성(γ₁)이 작고, 탄성 상수(K₃₃)가 크고, γ₁/K₃₃이 각각, 6.8 및 6.5이며, 비교예인 LC-B 및 LC-C의 그것보다도 현저하게 작은 값이었다. 이들을 사용한 액정 표시 소자의 응답 속도를 측정한 바, LC-4 및 LC-5는, 충분히 고속 응답이며, LC-B보다도 10% 정도 고속이었다. 또한, 전압 유지율(VHR)을 측정하여, 높은 VHR을 갖고 있는 것이 확인되었다. 또, 셀 두께는 3.5um, 배향막은 JALS2096이며, 응답 속도의 측정 조건은, Von은 5.5V, Voff는 1.0V, 측정 온도는 20℃에서, AUTRONIC-MELCHERS사의 DMS301을 사용했다. VHR의 측정 조건은 전압 5V, 주파수 60㎐, 온도 60℃에서, 도요테크니카 가부시키가이샤의 VHR-1을 사용했다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-4)을 0.3% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다. 당해 중합성 화합물의 첨가량을 0.4%로 했을 경우에도 같은 결과가 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(M302)을 0.3% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다. 당해 중합성 화합물의 첨가량을 0.4%로 했을 경우에도 같은 결과가 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-4)을 0.3% 및 중합성 화합물(Ia-31)을 0.1% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-4)을 0.35% 및 중합성 화합물(Ia-31)을 0.05% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(M302)을 0.35% 및 중합성 화합물(Ia-31)을 0.05% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(M302)을 0.35% 및 중합성 화합물(XX-2)을 0.05% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(M302)을 0.2% 및 중합성 화합물(XX-2)을 0.2% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-4)을 0.2% 및 중합성 화합물(XX-2)을 0.2% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-1)을 0.2% 및 중합성 화합물(XX-2)을 0.2% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(XX-3)을 0.2% 및 중합성 화합물(XX-4)을 0.2% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

본 발명의 액정 조성물 LC-4 및 LC-5에 대하여, 각각 중합성 화합물(M31)을 0.1% 및 중합성 화합물(M32)을 0.1% 및 중합성 화합물(M33)을 0.1% 첨가하여 합계 100%로 하고, 액정셀에 주입하여 UV 조사에 의한 소위 PSA셀의 제작을 행한 바, 고속 응답이며 높은 VHR의 액정 표시 소자인 것이 확인되었다.

이상으로부터, 본 발명의 액정 조성물은, 굴절률 이방성(Δn) 및 네마틱상-등방성 액체상 전이 온도(T_ni)를 저하시키지 않고, 점도(η)가 충분히 작고, 회전 점성(γ₁)이 충분히 작고, 탄성 상수(K₃₃)가 큰, 절대값이 큰 음의 유전율 이방성(Δε)을 갖는 것이며, 이것을 사용한 VA형 액정 표시 소자는 표시 품위가 뛰어나고 응답 속도가 빠른 것이 확인되었다. 또한, PSA형 액정 표시 소자는 표시 품위가 뛰어나고 응답 속도가 빠른 것이 확인되었다.

Claims

제1 성분으로서, 식(I)

으로 표시되는 화합물을 함유하고, 그 함유량은 3∼50질량%이며, 제2 성분으로서, 유전율 이방성(Δε)이 음이고 그 절대값이 3보다도 큰 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정 조성물.
제1항에 있어서,
25℃에 있어서의 유전율 이방성(Δε)이 -2.0∼-8.0의 범위이며, 20℃에 있어서의 굴절률 이방성(Δn)이 0.08∼0.14의 범위이며, 20℃에 있어서의 점도(η)가 10∼30mPa·s의 범위이며, 20℃에 있어서의 회전 점성(γ1)이 60∼130mPa·s의 범위이며, 네마틱상-등방성 액체상 전이 온도(T_ni)가 60℃∼120℃의 범위인 액정 조성물.
제1항 또는 제2항에 있어서,
제2 성분으로서, 일반식(Ⅱ)

(식 중, R¹ 및 R²는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼10의 알케닐기 또는 탄소 원자수 2∼10의 알케닐옥시기를 나타내고, R¹ 및 R² 중에 존재하는 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않는 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립적으로 -O- 및/또는 -S-로 치환되어도 되며, 또한, R¹ 및 R² 중에 존재하는 1개 또는 2개 이상의 수소 원자는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 염소 원자로 치환되어도 된다. 환A 및 환B는, 각각 독립적으로 트랜스-1,4-시클로헥실렌기, 1,4-페닐렌기, 2-플루오로-1,4-페닐렌기, 3-플루오로-1,4-페닐렌기, 3,5-디플루오로-1,4-페닐렌기, 2,3-디플루오로-1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥세닐렌기, 1,4-비시클로[2.2.2]옥틸렌기, 피페리딘-1,4-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기 또는 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기를 나타낸다. p는, 0, 1 또는 2를 나타낸다. Z는, -OCH₂-, -CH₂O-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CH₂CH₂-, -CF₂CF₂- 또는 단결합을 나타낸다)으로 표시되는 화합물에서 선택되는 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유하는 액정 조성물.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
제2 성분의 함유량이 10∼90질량%인 액정 조성물.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
제2 성분으로서, 일반식(Ⅱ)이 일반식(Ⅱ-A1)∼일반식(Ⅱ-A5) 및 일반식(Ⅱ-B1)∼일반식(Ⅱ-B5)

(식 중, R³ 및 R⁴는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1∼5의 알킬기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기를 나타내고, R³ 및 R⁴ 중에 존재하는 1개 또는 2개 이상의 수소 원자는 각각 독립적으로 불소 원자로 치환되어도 된다)인 액정 조성물.
제5항에 있어서,
제2 성분으로서, 일반식(Ⅱ-A1)∼일반식(Ⅱ-A5)으로 표시되는 화합물군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 함유하는 액정 조성물.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
제3 성분으로서, 일반식(Ⅲ-A)∼일반식(Ⅲ-J)

(식 중, R⁵는, 탄소 원자수 1∼5의 알킬기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기, R⁶은, 탄소 원자수 1∼5의 알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐옥시기를 나타낸다. 단, 일반식(Ⅲ-A)으로 표시되는 화합물에 있어서, 식(I)으로 표시되는 화합물과 동일 화합물은 포함하지 않는다)으로 표시되는 화합물군에서 선택되는 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유하는 액정 조성물.
제7항에 있어서,
식(I), 일반식(Ⅱ-A1) 및 일반식(Ⅲ-A)으로 표시되는 화합물을 동시에 함유하는 액정 조성물.
제7항에 있어서,
식(I), 일반식(Ⅱ-A3) 및 일반식(Ⅲ-A)으로 표시되는 화합물을 동시에 함유하는 액정 조성물.
제7항에 있어서,
식(I), 일반식(Ⅱ-B1) 및 일반식(Ⅲ-A)으로 표시되는 화합물을 동시에 함유하는 액정 조성물.
제7항에 있어서,
식(I), 일반식(Ⅱ-B2) 및 일반식(Ⅲ-A)으로 표시되는 화합물을 동시에 함유하는 액정 조성물.
제7항에 있어서,
식(I), 일반식(Ⅱ-B3) 및 일반식(Ⅲ-A)으로 표시되는 화합물을 동시에 함유하는 액정 조성물.
제7항에 있어서,
식(I), 일반식(Ⅱ-B4) 및 일반식(Ⅲ-A)으로 표시되는 화합물을 동시에 함유하는 액정 조성물.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
추가적인 성분으로서, 일반식(V)

(식 중, R²¹ 및 R²²는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1∼8의 알킬기, 탄소 원자수 1∼8의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼8의 알케닐기 또는 탄소 원자수 2∼8의 알케닐옥시기를 나타낸다)으로 표시되는 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유하는 액정 조성물.
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
중합성 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유하는 액정 조성물.
제15항에 있어서,
중합성 화합물이 일반식(RM-1)

(식 중, Z^M1 및 Z^M2는 각각 독립하여

를 나타내고, X^M1∼X^M5는 수소 원자, 불소 원자 또는

을 나타내지만, X^M1∼X^M5 중 적어도 1개는,

을 나타내고,
S^M1은, 탄소 원자수 1∼12의 알킬렌기, 또는 단결합을 나타내고, 당해 알킬렌기 중의 -CH₂-는 산소 원자끼리가 직접 결합하지 않는 것으로서 산소 원자, -COO-, -OCO-, 또는 -OCOO-로 치환되어도 되며,
R⁷은 이하의 식(R-1)∼식(R-15)

중 어느 하나를 나타내고,
L^M1 및 L^M2는 서로 독립하여, 단결합, -O-, -CH₂-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CO-, -C₂H₄-, -COO-, -OCO-, -CH=CH-COO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-OCO-, -COOC₂H₄-, -OCOC₂H₄-, -C₂H₄OCO-, -C₂H₄COO-, -OCOCH₂-, -CH₂COO-, -CH=CH-, -CF=CH-, -CH=CF-, -CF=CF-, -CF₂-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂CH₂-, -CH₂CF₂-, -CF₂CF₂- 또는 -C≡C-를 나타내고, L^M2가 복수 존재하는 경우에는 그들은 동일해도 달라도 되며,
존재하는 M^M1은, 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 나프탈렌-2,6-디일기를 나타내지만, 이들의 기 중에 포함되는 수소 원자가 불소 원자, 염소 원자, 또는 탄소 원자수 1∼8의 알킬기, 할로겐화 알킬기, 할로겐화 알콕시기, 알콕시기, 니트로기, 또는

로 치환되어 있어도 되며,
m^M1은 0, 1 또는 2를 나타내지만,
X^M1∼X^M5, S^M1, R^M1, L^M2 및/또는 M^M1이 복수 존재하는 경우에는 그들은 동일해도 달라도 된다)으로 표시되는 화합물인 액정 조성물.
제15항에 있어서,
중합성 화합물이 일반식(Ⅳ)

(식 중, R⁷ 및 R⁸은, 각각 독립적으로 식(R-1)∼식(R-15)

중 어느 하나를 나타내고, X¹∼X⁸은 각각 독립적으로 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡시기, 불소 원자 또는 수소 원자를 나타낸다)으로 표시되는 화합물인 액정 조성물.
제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 액정 조성물을 사용한 액정 표시 소자.
제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 액정 조성물을 사용한 액티브 매트릭스 구동용 액정 표시 소자.
제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 액정 조성물을 사용한 VA 모드, PSA 모드, PSVA 모드, IPS 모드 또는 ECB 모드용 액정 표시 소자.