KR20130136916A

KR20130136916A - 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 장치, 테스트 시스템, 방법 및 지지체

Info

Publication number: KR20130136916A
Application number: KR1020130059103A
Authority: KR
Inventors: 슈테판 빈더
Original assignee: 물티테스트 엘렉트로니쉐 지스테메 게엠베하
Priority date: 2012-06-05
Filing date: 2013-05-24
Publication date: 2013-12-13
Also published as: CN103616626A; TW201403098A; JP2013253968A; US20130321011A1; EP2672283B1; PH12013000137A1; EP2672283A1; SG195490A1

Abstract

가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 장치, 테스트 시스템, 방법, 및 지지체는, 제1 챔버 절반부와 제2 챔버 절반부, 제1 가스킷과 제2 가스킷, 복수의 전자 부품을 지지하도록 되어 있는 지지체 세그먼트, 및 지지체 세그먼트를 둘러싸는 원형 지지체 구획을 포함한다. 상기 원형 지지체 구획은 제1 측면과 제2 측면을 포함한다. 제1 가스킷은 제1 챔버 절반부와 상기 원형 지지체 구획의 제1 측면 사이에 배치되어 기밀식 밀봉을 형성하고, 제2 가스킷은 제2 챔버 절반부와 상기 원형 지지체 구획의 제2 측면 사이에 배치되어 기밀식 밀봉을 형성한다.

Description

가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 장치, 테스트 시스템, 방법 및 지지체{TEST DEVICE, TEST SYSTEM, METHOD AND CARRIER FOR TESTING ELECTRONIC COMPONENTS UNDER VARIABLE PRESSURE CONDITIONS}

본 발명은 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 장치에 관한 것이다.

나아가, 본 발명은 복수의 테스트 장치를 구비하며 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 시스템에 관한 것이다.

더욱이, 본 발명은 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 방법에 관한 것이다.

이를 넘어, 본 발명은 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 지지체(carrier)에 관한 것이다.

MEMS 마이크로폰은 모바일 폰에서 사용되는 소형 마이크로폰이다. MEMS 압력 센서는 예를 들어 차의 타이어의 압력을 센싱하는데 사용된다. MEMS 마이크로폰과 압력 센서는 통상적으로 반도체 기술에 기초하는 전자 부품이다. MEMS 장치의 제조 및 소형화는 이들 전자 부품이 회로 보드 상에 배치되기 전에 신뢰성있는 테스트를 요구한다.

가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 신뢰성있게 테스트할 필요성이 있을 수 있다. 또한, 가변 압력 조건 하에서 전자 부품의 테스트를 위한 테스트 비용을 감소시킬 필요성이 있을 수 있다. 나아가, 상이한 테스트 요구조건에 융통성있게 적응할 수 있는 테스트 요구조건을 구비할 필요성이 있다.

이들 목적을 달성하기 위하여, 가변 테스트 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 장치, 테스트 시스템, 방법 및 지지체가 제공된다.

본 발명의 예시적인 실시예에 따라, 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 장치가 제공되며, 여기서 테스트 장치는 제1 챔버 절반부(chamber half)와 제2 챔버 절반부, 제1 가스킷(gasket)과 제2 가스킷, 복수의 상기 전자 부품을 지지하는 지지체의 지지체 세그먼트(carrier segment), 및 상기 지지체의 원형 지지체 구획(circular carrier section)을 포함하며, 상기 원형 지지체 구획은 상기 지지체 세그먼트를 둘러싸며(surround), 상기 지지체 세그먼트는 상기 복수의 전자 부품의 서브그룹을 지지하도록 되어있고, 상기 원형 지지체 구획은 제1 측면(side)과 제2 측면을 포함하며, 상기 제1 가스킷은 상기 제1 챔버 절반부와 상기 원형 지지체 구획의 제1 측면 사이에 배치되어 기밀식 밀봉(airtight seal)을 형성하며, 상기 제2 가스킷은 제2 챔버 절반부와 상기 원형 지지체 구획의 제2 측면 사이에 배치되어 기밀식 밀봉을 형성한다.

"테스트 장치" 라는 용어는 특히 기술적 부품들이 공간적 관계에 있고 특정 기술적 테스트 목적을 수행하도록 이 기술적 부품들을 서로 배열하여 이루어진 어떤 것(something)을 나타낼 수 있다. 특히 테스트 장치는 테스트 시스템의 일부일 수 있다.

"전자 부품" 이라는 용어는 특히 소위 DUT 또는 테스트 받는 장치(device under test)를 나타낼 수 있다. "테스트" 또는 "테스팅" 이라는 용어는 특히 DUT를 검사하거나 교정하는 것을 나타낼 수 있다. "가변 압력 조건"이라는 용어는 일정한 공기 압력, 사운드(sound)와 같은 차동 공기 압력 변화 또는 동적 공기 압력을 나타낼 수 있다. 테스트 받는 전자 부품(DUT)은 일정한 압력이나 차동 압력을 센싱하는 공기 또는 가스 압력 센서일 수 있다. 전자 부품은 또한 사운드를 기록하거나 센싱하는 마이크로폰 또는 MEMS 마이크로폰일 수 있다. 전자 부품은 일측에서 압력 조건을 센싱하고 타측에서 전기 단자를 센싱하는 포트(port)를 포함할 수 있다. 다른 전자 부품은 동일한 측에 압력 조건을 센싱하는 포트와 전기 단자를 포함할 수 있다. 전자 부품의 "측면(side)"은 전자 부품의 임의의 면(plane)을 나타낼 수 있다. 특히 전자 부품의 측면은 전자 부품의 주면(main plane)을 나타낼 수 있다. 전자 부품의 "주면"이라는 표현은 전자 부품의 측면들 중에서 최대 연장부의 측면을 나타낼 수 있다.

"챔버" 라는 용어는 특히 공간이나 공동(cavity)을 에워싸는(enclose) 어떤 것을 나타낼 수 있다. "챔버 절반부(chamber half)" 라는 용어는 특히 챔버를 형성하는 적어도 2개의 부분이 있다는 것을 나타낼 수 있다. 챔버의 전체 내부는 "공동"이라고 언급될 수 있다. 특히 챔버의 사용으로 가변 압력 조건이 챔버에 의해 에워싸인 공동에 생성될 수 있다. 각 챔버 절반부는 주어진 공기 압력에 따라 기밀이 이루어질 수 있다. 챔버에서 공기 압력 조건은 20 kPa 내지 250 kPa로 변할 수 있다. "기밀식 밀봉(airtight seal)"이라는 용어는 특히 챔버에서 가스나 공기가 빠져나가는 것이나 챔버로 가스나 공기가 들어가는 것을 방지하는 조치(measure)를 나타낼 수 있다. "밀봉"이라는 용어는 부분들을 타이트하게 인접시키는 것에 의해 초래되는 효과를 나타낼 수 있다. 따라서, "기밀식 밀봉"이라는 용어는 2개의 인접한 부분들 사이에 가스나 공기가 통과하지 못하게 타이트하고 완전한 폐쇄가 있는 기능을 나타낼 수 있다.

"제1 가스킷" 및/또는 "제2 가스킷"이라는 용어는 밀봉하려고 의도된 요소(elements)를 나타낼 수 있다. 밀봉은 별개의 장치, 예를 들어, 폐쇄된 밀봉 링이나 가스킷 판에 의해 실현될 수 있다. 밀봉 링이나 가스킷 판은 소프트한 물질, 예를 들어 고무나 다른 플라스틱 물질로 만들어질 수 있다. 제1 가스킷과 제2 가스킷은 2개의 부분 사이, 예를 들어 제1 챔버 절반부와 제2 챔버 절반부 사이에 장착되어 기밀식 밀봉을 생성할 수 있다. 정상 동작 조건 하에서 기밀식 밀봉은 제1 가스킷, 제2 가스킷 또는 테스트 장치의 임의의 부분을 손상시킴이 없이 개방될 수 있다.

"지지체(carrier)"라는 용어는 특히 클램핑 지지체(clamping carrier) 또는 소위 스트립(strip)이나 스트립 장치를 나타낼 수 있다. 지지체는 복수의 전자 부품 또는 DUT를 지지하여 DUT가 상호 운반가능하고 지지체 위에 정렬되도록 될 수 있다. 지지체는 길이와 폭에 있어서 편평(flat)할 수 있다. 지지체 측면의 최대 길이와 폭은 지지체의 주면을 한정할 수 있다. 전자 부품이 지지체 위에 정렬되는 동안 테스트 루틴이 전자 부품을 테스트하거나 교정하도록 실행될 수 있다. 핸들러(handler)는 전자 부품을 처리할 수 있고 요구되는 압력 조건을 생성할 수 있다. 소위 테스터(tester)(컴퓨터)를 사용하여 전자 테스트를 수행할 수 있다. 핸들러와 테스터는 함께 "ATE" 또는 "자동 테스트 장비(automated test equipment)"라고 언급될 수 있다.

"지지체 세그먼트"라는 용어는 특히 지지체의 주면에서 연장하는 지지체의 영역이나 부분을 나타낼 수 있다. 특히 지지체 세그먼트는 지지체의 부분적인 영역에 의해 주어질 수 있다. "둘러싸는(to surround)"이라는 용어는 특히 원(circle)을 나타내거나 또는 링(ring)으로 폐쇄된 것을 나타낼 수 있으며 여기서 링은 규칙적이거나 불규칙적인 및 비대칭적인 형상을 구비할 수 있다.

"원형 지지체 구획"이라는 용어는 특히 무시할 수 없는 폭을 구비하는 폐쇄된 라인에 의해 기하학적으로 한정될 수 있는 지지체의 영역이나 부분을 나타낼 수 있다. 특히 특정 폭을 구비하는 원형 지지체 구획은 지지체 세그먼트를 에워쌀 수 있다. 따라서, 원형 지지체 구획은 지지체 세그먼트의 경계(boundary)를 형성할 수 있다. 복수의 전자 부품의 서브 그룹은 1개, 2개, 3개, 4개 이상의 전자 부품의 그룹을 나타낼 수 있으며, 여기서 서브 그룹의 전자 부품의 개수는 완전히 조립된 지지체 위에 배치된 복수의 전자 부품의 개수보다 더 작을 수 있다. 특히, 복수의 전자 부품의 서브 그룹은 2개, 3개, 4개 이상의 전자 부품을 포함할 수 있다. 원형 지지체 구획과 지지체 세그먼트는 하나의 부품의 지지체(one-piece carrier)의 2개의 상이한 부분을 나타낼 수 있다. "원형 지지체 구획"과 "지지체 세그먼트"라는 표현을 사용하는 것은 원형 지지체 구획과 지지체 세그먼트가 지지체로부터 일체로 형성되는 경우에도 상이한 기능적 목적을 강조할 수 있다. "일체로 형성되는"이라는 용어는 지지체가 하나의 부품이나 연속적인 부품이라는 것을 나타낼 수 있다.

"원형 지지체 구획의 측면"이라는 용어는 특히 지지체의 주면과 평행한 표면을 나타낼 수 있다. "제1 측면"은 제1 챔버 절반부 쪽을 향하는 원형 지지체 구획의 표면일 수 있고, 제2 측면은 제2 챔버 절반부 쪽을 향하는 원형 지지체 구획의 표면일 수 있다.

특히, "원형 지지체 구획의 측면"은 지지체 세그먼트의 기하학적 형상을 에워싸는 것을 나타낼 수 있다. 원형 지지체 구획은 제1 및/또는 제2 가스킷과 중첩(overlap)을 구비할 수 있다.

"기밀식 밀봉"이라는 용어는 특히 가스킷에 의하여 2개의 부분 사이에 접합(joint) 또는 접촉(contact)을 나타낼 수 있으며 여기서 접합은 공기나 가스에 불투과성이거나 거의 불투과성이다. 에어 타이트함이나 불투과성은 공동에 가해지는 압력에 좌우될 수 있다.

테스트 장치의 요지는 전체 지지체를 에워싸는 챔버보다 더 작은 전자 부품을 테스트하는 챔버를 제공하는 것일 수 있다. 따라서, 지지체 세그먼트와 둘러싸는 원형 지지체 구획은 테스트 장치의 기능적 부분이다. 특히 세그먼트와 둘러싸는 원형 지지체 구획은 제1 챔버 절반부와 제2 챔버 절반부를 구비하는 챔버의 밀봉 부분이다.

감소된 챔버 사이즈는 챔버를 밀봉하는 것이 필요할 때 긍정적 효과(positive effect)를 가질 수 있다. 챔버 절반부들을 인접하는 경우 공차(tolerance) 또는 편차(deviation)는 챔버 사이즈가 작을 때 처리하는 것이 더 용이할 수 있다. 지지체 세그먼트를 둘러싸는 원형 지지체 구획은 테스트 장치의 중간 부분으로 그리고 밀봉을 하는데 사용될 수 있다. 그 결과, 규칙적인 지지체 또는 스트립의 사이즈로 챔버를 확대할 필요성이 없고, 한편 지지체나 스트립 사이즈를 최소화할 필요성이 없다. 밀봉 및/또는 에어 타이트함의 품질은 두 측면에서 가스킷에 의해 커버되는 원형 지지체 구획으로 챔버 절반부를 가압하는 힘에 좌우될 수 있다. 원형 지지체 구획과 제1 가스킷은 원형 지지체 구획의 전체 길이를 따라 중첩될 수 있다. 또한, 원형 지지체 구획과 제2 가스킷은 원형 지지체 구획의 전체 길이를 따라 중첩할 수 있다.

챔버는 제1 챔버 절반부, 제1 가스킷, 원형 지지체 구획, 제2 가스킷, 및 제2 챔버 절반부를 포함할 수 있다. 제1 챔버 절반부는 제1 가스킷에 인접할 수 있고, 제1 가스킷은 원형 지지체 구획의 제1 측면에 더 인접할 수 있고, 원형 지지체 구획의 제2 측면은 제2 가스킷에 인접할 수 있고, 제2 가스킷은 제2 챔버 절반부에 더 인접할 수 있다. 제1 공동 절반부는 제1 챔버 절반부와 제1 지지체 세그먼트 측면에 의해 에워싸일 수 있다. 제2 공동 절반부는 제2 챔버 절반부와 제2 지지체 세그먼트 측면에 의해 에워싸일 수 있다.

공동은 지지체 세그먼트의 대향하는 측면에 놓여있는 제1 공동 절반부와 제2 공동 절반부에 의해 형성될 수 있다. 전자 부품의 서브 그룹을 지지하는 지지체 세그먼트는 제1 챔버 절반부와 제2 챔버 절반부 사이의 공동 내에 위치될 수 있다. 가변 압력 조건 하에서 전자 부품의 전기적 테스트는 전자 부품이 지지체 세그먼트 상에 이미 정렬되어 있을 때 더 신뢰성이 있을 수 있다. 나아가, 지지체 세그먼트는 테스트 소켓(test socket)의 접촉 스프링과 전자 부품을 접촉시키는 접촉력을 지지할 수 있다. 특히, 제1 공동 절반부와 제2 공동 절반부를 구비하는 공동의 사이즈는 사운드 테스트를 할 때 최소화될 수 있다. 특히, 공동은 최대 테스트 주파수에 대한 파장의 절반보다 더 작은 최대 자유 길이를 구비할 수 있다. 최대 테스트 주파수는 20kHz일 수 있고 이에 이 파장의 절반은 주변 온도에서 0.86cm일 수 있다. 특히, 최대 테스트 주파수는 12kHz일 수 있고 이에 파장의 절반은 주변 온도에서 1.4cm일 수 있다. 특히 최대 테스트 주파수는 8.0kHz일 수 있고 이에 파장의 절반은 주변 온도에서 2.1cm일 수 있다. 특히 최대 테스트 주파수는 5.0kHz일 수 있고 이에 파장의 절반은 주변 온도에서 3.4cm일 수 있다. 특히 최대 테스트 주파수는 2.0kHz일 수 있고 이에 파장의 절반은 주변 온도에서 8.6cm일 수 있다. 특히 최대 테스트 주파수는 1.0kHz일 수 있고 이에 파장의 절반은 주변 온도에서 17.2cm일 수 있다. 특히 최대 테스트 주파수는 0.50kHz일 수 있고 이에 파장의 절반이 주변 온도에서 34.4cm일 수 있다. "최대 자유 길이"라는 용어는 챔버에 의해 에워싸인 공동 내에서 최장 직선 라인을 나타낼 수 있다. 공진과 왜곡과 같은 교란 효과가 감소되어 챔버의 주파수 응답이 최적화될 수 있다. 테스트 결과는 단파장(short wavelengths)과 하이톤 피치(high tone pitch)를 구비하는 하이 테스트 주파수에서 더 신뢰성이 있을 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따라, 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트 하는 테스트 시스템이 제공되며, 테스트 시스템은 설명된 특징을 구비하는 복수의 테스트 장치를 포함한다.

"테스트 시스템"이라는 용어는 2개 이상의 테스트 장치를 포함할 수 있다. 테스트 시스템은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 테스트 장치를 포함할 수 있다. 특히, 테스트 시스템은 각 지지체 세그먼트가 제1 및 제2 챔버 절반부에 의해 에워싸이도록 전체 지지체를 포함할 수 있다. 지지체 세그먼트의 개수는 챔버의 개수와 동일할 수 있다. 전체 지지체의 테스트는 하나의 테스트 사이클에서 가능하지 않는 경우, 전기 신호는 다중화될 수 있다. 대안으로 지지체는 제1 챔버 절반부와 제2 챔버 절반부에 대해 이동되어 지지체의 일부만이 공동에 에워싸일 수 있다. 이에 따라 단 소수의 챔버만이 지지체의 모든 지지체 세그먼트를 테스트하는데 필요할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따라, 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트 하는 방법이 제공되며, 본 방법은,

제1 챔버 절반부, 제2 챔버 절반부, 제1 가스킷, 제2 가스킷, 복수의 전자 부품을 지지하도록 이루어진 지지체의 지지체 세그먼트, 및 상기 지지체의 원형 지지체 구획을 포함하며, 상기 원형 지지체 구획은 지지체 세그먼트를 둘러싸고 상기 지지체 세그먼트는 복수의 전자 부품의 서브 그룹을 지지하도록 되어 있고, 상기 원형 지지체 구획은 제1 측면과 제2 측면을 구비하는, 테스트 장치를 제공하는 단계;

상기 제1 챔버 절반부와 상기 원형 지지체 구획의 제1 측면 사이에 제1 가스킷을 두는 것에 의해 기밀식 밀봉을 형성하는 단계; 및

상기 제2 챔버 절반부와 상기 원형 지지체 구획의 제2 측면 사이에 제2 가스킷을 두는 것에 의해 기밀식 밀봉을 형성하는 단계를 포함한다.

지지체 세그먼트는 전자 부품을 정렬하고 지원하며 제1 챔버 절반부와 제2 챔버 절반부 사이에 기밀식 밀봉을 형성하는데 사용될 수 있다. 테스트 장치와 테스트 시스템에 적용되는 임의의 특징은 본 발명에도 적용된다. 특히, 사운드 테스트를 하는 방법은 공동을 한정하는 챔버 내 최대 자유 길이가 최대 테스트 주파수에 대한 파장의 절반보다 더 작을 수 있는 사이즈를 구비하는 공동을 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따라, 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 지지체가 제공되며, 상기 지지체는,

제1 측면과 제2 측면을 구비하는 원형 지지체 구획과 지지체 세그먼트를 포함하며, 상기 원형 지지체 구획은 지지체 세그먼트를 둘러싸며,

상기 지지체 세그먼트는 복수의 전자 부품의 서브 그룹을 지지하도록 되어있고, 상기 원형 지지체 구획의 제1 측면은 상기 제1 챔버 절반부와 상기 원형 지지체 구획의 제1 측면 사이에 제1 가스킷을 배치할 때 제1 챔버 절반부와 기밀식 밀봉을 형성하도록 되어 있고,

상기 원형 지지체 구획의 제2 측면은 제2 챔버 절반부와 상기 원형 지지체 구획의 제2 측면 사이에 제2 가스킷을 배치하는 것에 의해 제2 챔버 절반부와 기밀식 밀봉을 형성하도록 되어 있다.

설명된 형태의 지지체는 특정 스트립이나 클램핑 지지체일 수 있다. 스트립과 클램핑 지지체의 사이즈는 이미 반도체 산업에서 수립된 공정에 의하여 주어진 것일 수 있다. 지지체를 지지체 세그먼트로 분할할 때 테스트 시스템의 융통성이 증가할 수 있다. 지지체 세그먼트의 사이즈는 요구되는 압력 조건에 적응될 수 있다. 추가적으로, 스트립이나 클램핑 지지체의 사이즈는 변치않게 유지되어 테스트 비용을 감소시킬 수 있다.

이하에서, 테스트 장치의 다른 실시예가 설명된다. 그러나, 이들 실시예는 또한 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 시스템, 방법 및 지지체에도 적용된다.

테스트 장치는 지지체 세그먼트를 관통한 관통 홀(through hole)을 더 포함할 수 있고, 이 관통 홀은 제1 공동 절반부와 제2 공동 절반부 사이에 양방향 가스 흐름 통로로 기능한다.

관통홀은 제1 공동 절반부와 제2 공동 절반부 사이에 공기나 가스의 통과를 가능하게 할 수 있다. 그래서, 동일한 압력 조건이 지지체 세그먼트의 양측면에 있을 수 있다. 전자 장치는 일 측면 위에 포트를 구비하고 타 측면 위에 단자를 구비할 수 있다. 또한 동일한 측면에 포트와 전기 단자를 구비하는 전자 부품이 있다. 관통홀은 포트와 단자가 전자 부품의 동일한 측면에 위치하든 상이한 측면(통상 "포트 업" 및 "포트 다운"이라고 언급되는)에 위치하든 간에 임의의 전자 부품의 테스트를 허용할 수 있다. 정적 및/또는 동적 압력 조건이 전자 부품의 양 측면 위에 거의 동시에 생성될 수 있다. 그래서, 관통 홀은 제1 챔버 절반부와 제2 챔버 절반부 사이에 압력 밸런싱(pressure-balancing)을 제공할 수 있다. 특히, 관통홀은 테스트 장치의 중간에 위치되거나 또는 지지체 세그먼트에 위치된 모든 전자 부품과 등거리에 위치될 수 있다. 지지체 세그먼트를 관통한 관통 홀을 포함하는 테스트 장치는 "포트 업(port up)" 또는 "포트 다운(port down)"인 전자 부품의 테스트를 가능하게 한다.

원형 지지체 구획이 지지체의 기밀식 벽 구획인 테스트 장치가 제공된다.

원형 지지체 구획은 제1 가스킷과 제2 가스킷 사이에 기밀식 벽 구획을 형성할 수 있다. 원형 지지체 구획은 제1 가스킷과 제2 가스킷 사이에 위치될 수 있다. 특히, 원형 지지체 구획과 상기 제1 또는 제2 가스킷의 영역은 원형 지지체 구획의 전체 길이를 따라 중첩할 수 있다. 원형 지지체 구획은 원형 지지체 구획의 전체 길이를 따라 기밀식 벽 구획일 수 있다.

각 챔버 부분은 전체 장치의 에어 타이트함이 필요할 때 에어 타이트하여야 한다. 특히, 챔버의 일부인 지지체의 구획은 에어 타이트할 수 있다. 지지체는 원형 지지체 구획의 길이를 따라 연속적인 물질(continuous material)을 포함할 수 있다. 연속적인 물질은 원형 지지체 구획의 길이를 따라 인터럽트(interrupt)되지 않은 중실 물질일 수 있다. 그러나, 지지체는 층의 시퀀스를 포함할 수 있고 원형 지지체 구획의 벽 구획은 또한 기밀이 이루어지는 층의 시퀀스를 포함할 수 있다. 그러나, 층의 시퀀스는 원형 지지체 구획을 따라 연속적인 복수의 판을 포함할 수 있다.

테스트 장치는 전자 부품의 단자와 전기적인 접촉을 하는 테스트 소켓을 더 포함할 수 있다.

자동 테스트 장비(ATE: automated test equipment) 분야에서 잘 알려진 테스트 소켓은 테스터에 전자 부품의 패드 또는 단자를 연결하도록 되어 있다. 테스트 소켓은 전자 부품의 단자에 전기적 접촉을 하는 접촉 스프링을 포함할 수 있다. 테스트 소켓의 접촉 스프링과 전자 부품을 접촉하는 힘은 DUT의 단자의 개수만큼 곱해지고 지지체 세그먼트에 위치된 DUT의 개수만큼 더 곱해질 수 있는 힘을 요구할 수 있다. 테스트 소켓은 소켓 커버로 커버될 수 있다. 보드 O 링(board O-ring)은 소켓 커버와 DUT 보드 사이에 위치되어 기밀식 밀봉을 생성할 수 있다. 그래서, 보드 O 링은 테스트 소켓과 DUT 보드 사이에 기밀식 밀봉을 생성할 수 있다.

테스트 장치는 사운드 출력을 생성하는 막(membrane)을 더 포함할 수 있다.

막은 제1 챔버 절반부 또는 제2 챔버 절반부의 일체화된 부분일 수 있고 스피커로 동작할 수 있다. "사운드 출력"이라는 용어는 특히 단일 톤(single tone), 복합 톤(complex tone) 또는 복합 톤 사운드(complex tonal sound)를 나타낼 수 있다. 사운드 출력은 막을 이동시키는 피에조 스택(piezo-stack)에 의해 생성될 수 있다. 테스트 장치에 의해 테스트 받는 전자 부품의 서브 그룹은 1개, 2개, 3개, 4개 또는 심지어 이보다 더 많은 전자 부품을 포함할 수 있다. 특히, 테스트 받는 전자 부품의 모든 전자 부품은 사운드 출력을 생성하는 막과 등거리에 위치될 수 있다. 지지체 세그먼트는 막의 위치 또는 막의 중심과 등거리에 있는 전자 부품의 위치를 제공하도록 될 수 있다.

테스트 장치는 입력 사운드의 값을 결정하는 기준 마이크로폰(reference microphone)을 더 포함할 수 있다.

기준 마이크로폰은 제1 챔버 절반부의 일체적인 부분일 수 있고, 막은 제2 챔버 절반부에 위치될 수 있다. 특히, 기준 마이크로폰은 막의 반대쪽에 위치될 수 있다. 특히, 기준 마이크로폰과 전자 부품은 막과 등거리에 위치될 수 있다. 그래서, 기준 마이크로폰으로 검출된 입력 사운드는 사운드 테스트에 대한 기준으로 역할할 수 있다.

테스트 장치는 압력 생성기에 연결된 입구를 더 포함할 수 있다.

공기 압력 생성기는 압력 라인과 입구를 통해 챔버에 공기 압력을 가할 수 있다. 테스트 장치의 감소된 사이즈로 인해 챔버에 요구되는 압력을 가하는 기계적 작업은 펌프 볼륨만큼 작다.

지지체가 기판을 구비하는 스트립이고 기판은 원형 지지체 구획과 지지체 세그먼트를 형성하는 테스트 장치가 제공될 수 있다.

소위 "스트립"은 반도체 산업에서 잘 알려져 있다. 스트립은 기판과, 이 기판 위에 정렬된 전자 부품을 포함할 수 있다. 기판은 지지체 세그먼트를 둘러싸는 원형 지지체 구획이 일 측면에서 제1 챔버 절반부와 인접하고 타 측면에서 제2 챔버 절반부와 인접하도록 구조화될 수 있다. 원형 지지체 구획과 챔버 절반부들 중 하나 사이에 밀봉 링이나 가스킷 판을 배치할 때 기밀식 결합이 원형 지지체 구획과 챔버 절반부들 사이에 생성될 수 있다. 기판은 기밀식 벽 구획이 기판에 의해 형성되도록 원형 지지체 구획을 따라 파손되지 않을 수 있다.

지지체가 다수의 층을 구비하는 클램핑 지지체이고 클램핑 지지체가 원형 지지체 구획과 지지체 세그먼트를 형성하는 테스트 장치가 제공될 수 있다.

클램핑 지지체는 복수의 반도체 장치를 지지하고 정렬하기 위해 복수의 금속 층을 포함할 수 있다. 클램핑 지지체는 반도체 장치가 클램핑 지지체 위에 클램핑되고 정렬될 수 있도록 스프링 판이나 스프링 층으로 형성된 스프링을 포함할 수 있다. 클램핑 지지체의 층은 기밀식 벽 구획이 원형 지지체 구획을 따라 형성되도록 구조화되고 구성될 수 있다. 클램핑 지지체의 상부층은 제1 가스킷에 인접한 수용판일 수 있다. 수용판 아래의 층은 전자 부품을 클램핑하는 스프링을 구비하는 스프링 판일 수 있다. 하부 층은 스프링 판의 스프링이 베이스 판과 수용판 사이에 가이드될 수 있도록 베이스판일 수 있다. 원형 지지체 구획의 형상은 불규칙적일 수 있다. 기밀식 벽 구획은 원형 지지체 구획의 길이를 따라 파손되지 않은 층으로 형성될 수 있다.

이하에서는 테스트 시스템의 다른 실시예가 설명된다. 그러나, 이들 실시예는 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 장치, 방법 및 지지체에도 적용된다.

테스트 시스템은 제1 가스킷과 제2 가스킷의 2개의 그룹을 포함할 수 있으며 이 그룹 중 적어도 하나는 하나의 가스킷 판으로 일체로 형성될 수 있다.

제1 가스킷의 그룹은 지지체 세그먼트의 상부에 하나의 가스킷 판으로 일체로 형성될 수 있다. 제2 가스킷의 그룹은 지지체 세그먼트 아래에 하나의 가스킷 판으로 일체로 형성될 수 있다.

전체 지지체의 영역 위에 연장하는 하나의 가스킷 판을 사용하는 것이 적절할 수 있다. 특히, 가스킷 판은 지지체의 사이즈를 구비할 수 있고 매트릭스 형태로 배열된 개구를 구비할 수 있다. 가스킷 판의 개구 각각은 지지체 세그먼트의 각각과 매칭하여 기밀식 밀봉이 원형 지지체 구획에 의한 지지체 세그먼트와 인접한 챔버 절반부 사이에 형성될 수 있다. 특히, 하나의 가스킷 판은 제1 챔버 절반부에 사용되고 다른 가스킷 판은 제2 챔버 절반부에 사용된다.

테스트 시스템은 가압 장치를 더 포함할 수 있고, 여기서 가압 장치는 보드 유닛과 압력 유닛을 서로 가압하게 된다.

보드 유닛은 제1 챔버 절반부와 DUT 보드를 포함할 수 있다. 압력 유닛은 제2 챔버 절반부를 포함할 수 있다. 특히, 가압 장치는 원형 지지체 구획과 챔버 절반부 사이에 기밀식 밀봉을 생성하는 가압 힘을 가할 수 있다. 가압 장치의 힘은 제1 챔버 절반부와 제2 챔버 절반부에 접촉 압력을 더 가하여 중간 제1 가스킷과 제2 가스킷이 기밀식 밀봉을 생성할 수 있다. 특히, 제1 가스킷 판과 제2 가스킷 판은 가압 장치에 의해 가해지는 가압력이 기밀식 밀봉과 접촉력을 자동으로 생성하는 두께를 포함할 수 있다. "접촉력"이라는 용어는 전자 장치의 단자와 접촉 소켓의 스프링 사이에 전기 접촉을 하는 힘일 수 있다.

이하에서는 지지체의 다른 실시예가 설명된다. 그러나, 이들 실시예는 가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 장치, 테스트 시스템, 및 방법에도 적용된다.

원형 지지체 구획이 기밀식 벽 구획인 지지체가 제공될 수 있다.

기밀식 벽 구획이 연속적인 물질로 형성될 수 있다. 연속적인 물질은 원형 지지체 구획을 따라 연속적일 수 있다. 그러나, 연속적인 물질은 원형 지지체 구획을 따라 연속적인 층을 포함할 수 있다. 그래서, 지지체는 각 층이 원형 지지체 구획을 따라 연속적인 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 지지체의 지지체 세그먼트는 양방향 가스 흐름을 위한 통로를 형성하는 관통홀을 포함할 수 있다.

본 발명의 이들 및 다른 특성은 첨부 도면을 참조하여 비제한적인 예로 제공된 이하 실시예의 상세한 설명으로부터 명백할 것이다.
도 1은 테스트 시스템의 분해도;
도 2는 테스트 시스템의 단면 사시도;
도 3은 자극 구획(stimulus section)과 테스트 장치의 단면도;
도 4는 클램핑 지지체에 기초하는 테스트 장치의 단면도;
도 5는 스트립에 기초하는 테스트 장치의 단면도;
도 6은 지지체를 도시하는 도면;
도 7은 클램핑 지지체의 상세를 도시하는 도면;
도 8은 가시적인 스프링 판을 가지는 클램핑 지지체의 다른 상세도;
도 9는 테스트 장치의 상세 단면도.

도 1은 보드 유닛(110)과 압력 유닛(120)을 구비하는 테스트 시스템(100)을 도시한다. 테스트 시스템(100)은 가압 장치(151, 152)로 작용하는 가압 블록(151)과 지지 장치(152)를 더 포함하여 보드 유닛(110)과 압력 유닛(120)을 서로 가압하여 챔버에 에어 타이트함을 제공할 수 있다. 대안적으로, 보드 유닛(110)의 보강 부분인 보드 프레임(111)은 클램핑 요크(clamping yoke)(141, 141')를 포함할 수 있다. 나아가, 자극 블록(120)은 지지 암(support arm)(142, 142')을 포함할 수 있다. 클램핑 요크(141, 141')는 지지 암(142, 142')과 맞물려 보드 유닛(110)과 압력 유닛(120)을 서로 가압할 수 있다. 클램핑 요크(141, 141')와 지지 암(142, 142')은 함께 "가압 장치"(141, 142)라고도 언급될 수 있다.

보드 유닛(110)과 압력 유닛(12)을 서로 가압하기 전에 압력 유닛(120)은 지지체(190)를 클램핑할 수 있다. 복수의 전자 부품(191, 192, 193, 194, 195 및 196)은 지지체(190) 위에 정렬된다. 자극 블록(130)에 지지체를 고정하기 위하여, 개방된 클램핑 브래킷(bracket)(128, 128')은 폐쇄되어 폐쇄된 클램핑 브래킷(123, 123')이 지지체(190)를 자극 블록(130)에 고정할 수 있다. 클램핑 브래킷(123, 123', 128, 128')은 레버(124)의 단부에서 연장할 수 있다. 각 레버(124)는 서스펜션으로 축(125, 125')을 구비할 수 있다. 스프링(127, 127')은 스프링 서스펜션(129, 129')에 고정되고 레버(124)와 반대쪽으로 연장하는 스프링 암(126, 126')에 고정될 수 있다. 축(125, 125')은 레버(124)와 스프링 암(126, 126')의 중간에 있을 수 있다. 스프링(127, 127')은 스프링 암(126, 126')의 자동 터닝(automatic turning)이 클램핑 브래킷(123, 123')을 폐쇄하도록 바이어스될 수 있다. 그래서, 지지체(190)는 자극 블록(130)에 클램핑된다. 자극 블록(130)은 블록 홀더(122)에 통합될 수 있다. 지지 암(142, 142')은 블록 홀더(122)에 고정될 수 있고, 축(125, 125')은 블록 홀더(122)에 서스펜딩될 수 있다.

DUT 보드(112)는 보드 유닛(110)의 보드 프레임(111)에 고정될 수 있다. 질량을 감소시키기 위해 드릴 홀(drill-hole)(115)을 구비하는 보강제(113)가 소켓 유닛(116)의 영역에 DUT 보드(112)를 지지할 수 있다. 소켓 유닛은 핀(114, 114')에 의해 DUT 보드(112)에 고정될 수 있다.

도 2는 도 1에 도시된 테스트 시스템과 유사한 테스트 시스템(100)의 사시도를 도시한다. 압력 유닛(120)은 블록 홀더(122)와, 이 블록 홀더(122)의 중심에 연결 프레임(222)을 포함한다. 자극 구획(230)을 지지하는 자극 블록(130)은 압력 유닛(120)의 중심에 연결 프레임(222)에 고정된다. 압력 유닛(120)은 수직 자극 구획(230)과 수평 챔버 구획(240)을 포함한다. 테스트 장치(100)는 각 자극 구획(230)과 챔버 구획(240)의 단면(cross section)일 수 있다.

지지 암(142, 142')은 압력 유닛(120)의 대향하는 길이 측면에 고정될 수 있다. 다른 지지 암(143)은 압력 유닛(120)의 길이 측면에서 지지 암(142)으로부터 이격되어 고정될 수 있다.

도 3은 테스트 장치(300)의 단면도를 도시한다. 테스트 장치(300)는 제1 챔버 절반부(313), 제2 챔버 절반부(318), 지지체 세그먼트(611), 및 원형 지지체 구획(711)을 포함한다. 지지체 세그먼트(611)는 제1 챔버 절반부(313)와 제2 챔버 절반부(318) 사이에 위치된다. 원형 지지체 구획(711)은 지지체 세그먼트(611)를 둘러싸며 테스트 장치(300)를 한정(delimit)한다. 제1 가스킷(311)은 일 측면에서 제1 챔버 절반부(313)와 원형 지지체 구획(711) 사이에 위치되어 제1 챔버 절반부(313)와 원형 지지체 구획(711) 사이에 기밀식 밀봉을 생성한다. 제2 가스킷(316)은 제2 챔버 절반부(318)와 원형 지지체 구획(711)의 타 측면 사이에 위치되어 제2 챔버 절반부(318)와 원형 지지체 구획(711) 사이에 기밀식 밀봉을 생성한다. 제1 챔버 절반부(313)와 지지체 세그먼트(611) 사이의 공간은 "제1 공동 절반부"(314)라고 언급될 수 있다. 그리고, 제2 챔버 절반부(318)와 지지체 세그먼트(611) 사이의 공간은 "제2 공동 절반부"(319)라고 언급될 수 있다. 지지체 세그먼트(611)는 챔버 구획(240)과 평행하게 자극 구획(230)을 통해 연장한다. 따라서, 테스트 장치(300)는 챔버 구획(240)과 자극 구획(230)의 단면이다. 제1 전자 부품(191)과 제2 전자 부품(192)은 지지체 세그먼트(611)에 위치된다. 테스트 장치(300)는 전자 부품(191)의 단자(941, 942)에 전기 접촉을 하는 스프링 접촉(341, 342)을 구비하는 테스트 소켓(340)을 더 포함할 수 있다(도 9 참조). 동일한 참조 부호는 도면에서 그리고 이 도면의 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 의미로 사용된다. 그리하여 이미 설명된 상세의 반복은 생략된다.

도 3은 지지체 세그먼트(611)가 제1 전자 부품(191) 아래에 제1 관통홀(331)을 구비하고 제2 전자 부품(192) 아래에 제2 관통홀(332)을 구비하는 것을 더 도시한다. 제1 공동 절반부(314)와 제2 공동 절반부(319)는 제1 관통홀(331)과 제2 관통홀(332)에 의해 연결되어 제1 공동 절반부(314)와 제2 공동 절반부(319) 사이에 공기 흐름이나 가스 흐름이 가능하다. 지지체 세그먼트(611)는 지지체(190)의 일부일 수 있고 원형 지지체 구획(711) 내 영역에서 연장할 수 있다.

테스트 장치(300)는 제2 공동 절반부(319)의 경계를 부분적으로 형성하는 막(350)을 더 포함할 수 있다. 피에조 스택(351)은 막(350)의 진동을 유도하여 막(350)이 사운드 출력을 생성할 수 있다. 피에조 스택(351)의 이동 단부(movable end)는 막(350)에 인접할 수 있다. 피에조 스택(351)은 피에조 홀더(371)에 장착될 수 있다. 피에조 스택(351)은 블록 지지부(223)를 통해 자극 블록(130)으로 연장할 수 있다. 피에조 스택(351)은 전력 공급 단자(370)에 전기적으로 연결될 수 있다. 막(350)은 O 링(352)에 의해 제2 공동 절반부(319)에 결합된 박막 경량의 금속 판일 수 있다. O 링(352)에 의해 결합하는 것은 에어 타이트하고 막(350)의 전후 이동을 가능하게 하여 피에조 스택(351)에 의해 유도된 사운드 출력을 생성할 수 있게 한다. 슬리브(sleeve)(353)는 안정화하는데 및 제2 공동 절반부(319)의 형상과 사이즈를 변경하는데 사용될 수 있다.

나아가, 테스트 장치(300)는 제1 공동 절반부(314)의 부분적인 경계를 형성하는 기준 마이크로폰(355)을 포함할 수 있다. 기준 마이크로폰(355) 주위의 O 링(356)은 기준 마이크로폰(356)을 유지하고 에어 타이트함을 생성할 수 있다. DUT 보드(112)는 전자 부품(191, 192) 또는 DUT 및 테스터 사이에 전기 접촉을 하는데 사용될 수 있다. 소켓 커버(361)는 ATE(automated test equipment)의 테스터에 전기적으로 결합하는데 사용되는 DUT 보드(112)와 전기 접촉을 할 수 있는 테스트 소켓(340)에 장착될 수 있다. 보드 O 링(358)은 소켓 커버(361)와 DUT 보드(112) 사이에 배치되어 기밀식 밀봉을 생성할 수 있다. DUT 보드(112)는 보강제(113)에 장착될 수 있다.

도 4 및 도 5는 원형 지지체 구획(711)이 제1 가스킷(311)에 인접한 제1 측면(713)을 구비하고 제2 가스킷(316)에 인접한 제2 측면(718)을 구비하는 것을 도시한다. 지지체 세그먼트(611)는 전술된 관통홀(331, 332)과, 나아가 지지체 세그먼트(611)의 중간에 중심 관통홀(433)을 포함한다. 전자 부품(191, 192)은 막(350)과 등거리에 위치될 수 있다.

나아가, 도 4 및 도 5는 원형 지지체 구획(711)이 지지체 세그먼트(611)를 둘러싸는 기밀식 벽 구획(715)을 형성하는 것을 도시한다. 지지체는 벽 구획(715)이 에어 타이트함을 생성할 수 있도록 원형 지지체 구획(711)을 따라 연속적인 물질일 수 있다.

도 4에 따라, 지지체(190)(도 1 참조)는 4개의 층, 즉 수용판(491), 스프링 판(492), 중간판(493), 및 베이스판(494)을 구비하는 클램핑 지지체(490)일 수 있다. 지지체 세그먼트(611)의 제1 측면(613)은 제1 챔버 절반부(313) 쪽으로 및 제1 공동 절반부(314) 쪽으로 향할 수 있다. 수용판(491)은 지지체 세그먼트(611)의 제1 측면(613)의 대 영역(large area)을 형성할 수 있다. 지지체 세그먼트(611)의 제2 측면(618)은 제2 챔버 절반부(318) 쪽으로 및 제2 공동 절반부(319) 쪽으로 향할 수 있다. 베이스 판(494)은 지지체 세그먼트(611)의 제2 측면(618)의 대 영역을 형성할 수 있다. 클램핑 지지체(490)의 기능은 도 8 및 도 9에서 보다 상세히 설명된다.

도 5에 따라, 지지체(190)(도 1 참조)는 기판(593)을 구비하는 스트립(590)이다. 전자 부품(191, 192, 193)은 기판(593)에 배치될 수 있다. 중심 관통 홀(533)이 기판(593)을 통해 연장하고 제1 공동 절반부(314)와 제2 공동 절반부(319)를 결합시킨다. 테스트 장치(300)는 압력 라인(582)을 통해 압력 생성기(583)에 결합된 입구(580)를 포함할 수 있다. 기판(593)은 기밀식 벽 구획(715)을 형성할 수 있다. 다른 특징은 도 4의 상세한 설명에서 언급된 특징과 동일하다.

도 6은 지지체(190)와, 이 지지체(190)에 배치된 제1 가스킷(311)을 도시한다. 제1 가스킷(311)은 지지체 세그먼트(611)를 둘러싸는 밀봉 링의 형태를 취할 수 있다. 대안적으로, 매트릭스 형태로 배열된 복수의 제1 가스킷(311)은 전체 지지체(190)를 커버하고 지지체 세그먼트(611)의 영역에 개구를 구비하는 가스킷 판(410)을 사용하는 것과 동등할 수 있다. 지지체(190)는 행과 열로 배열된 복수의 지지체 세그먼트(611)를 포함할 수 있다. 각 지지체 세그먼트(611)에서 4개의 전자 부품(195, 196, 295, 296)은 전자 부품이 또한 열(191, 192, 193, 194, 195, 196)과 행(195, 295)으로 배열되도록 클램핑될 수 있다. 수용판(491)은 제1 가스킷(311)이나 가스킷 판(410)이 수용판(491)을 커버할 수 있도록 지지체(190)의 상부층일 수 있다.

도 6에 대시 라인으로 도시된 지지체(190)의 상세(630)는 도 7에 보다 상세히 도시된다. 도 7에 도시된 지지체(190)는 상부에 수용층(491)을 구비하는 클램핑 지지체(490)일 수 있다. 각 원형 지지체 구획(711)은 각 지지체 세그먼트(611)를 한정할 수 있다. 원형 지지체 구획(711)은 불규칙적인 형상을 구비할 수 있다. 원형 지지체 구획(711)이 서로 더 근접하여 있는 영역에서 지지체(190)의 각 층은 지지체 세그먼트(611)가 서로 분리될 수 있도록 연속적인 물질로 만들어질 수 있다. 추가적으로, 모든 지지체 세그먼트(611)는 하나의 원형 지지체 구획(711)으로 둘러싸일 수 있고, 여기서 원형 지지체 구획(711) 각각은 기밀식 벽 구획(715)을 형성할 수 있다(도 4, 도 5, 도 9와 비교). 원형 지지체 구획(711) 각각은 전자 부품(191, 192, 193, 194)의 높은 영역 밀도가 요구될 때 불규칙적인 동일한 형상을 구비할 수 있다. 전자 부품(191, 192, 193, 194) 각각에 근접하여 지지체(190)의 2개의 주면 사이에 공기의 통과를 가능하게 하는 관통홀(731)이 있을 수 있다.

도 8에서, 지지체(190)의 다른 상세(830)는 도 6 및 도 7의 상세(630)에 비해 확대된다. 도 8에 도시된 클램핑 지지체(490)의 상부층은 스프링 판(492)이다. 스프링 판(492)은 복수의 스프링(853)을 포함할 수 있다. 각 스프링(853)은 자유 단부에 작동가능한 요소(actuatable element)(855)를 구비할 수 있다. 스프링(553)의 이동 방향으로, 인접한 구획(483)을 구비하는 노즈(nose)(483)가 있을 수 있다. 스프링판(492)의 모든 스프링(853)은 기밀식 벽 구획(715)의 폭을 한정할 수 있는 특정 이동 공간을 요구할 수 있다. 그러나, 원형 지지체 구획(711)은 벽 구획(715)에 의해 에어 타이트함이 생성되도록 특정 폭을 구비할 수 있다.

전자 부품(393)의 제1 인접 측면(181)은 클램핑 지지체(490)의 제1 에지(edge)(481)에 인접하고 전자 부품(393)의 제2 인접 측면(182)은 노즈(482)에 의해 서로 가압될 수 있다. 그래서 전자 부품은 클램핑 지지체에 정렬될 수 있다. 중간 판(493)은 스프링 판(492) 아래 그 다음 층일 수 있다. 대안적으로, 베이스 판(494)은 최하위 판일 수 있다(도 9 참조). 전자 부품(193) 중 어느 것은 압력이나 사운드를 센싱하는 포트(850)를 포함할 수 있고 전자 부품(393)의 어느 것은 상부에 단자(941, 942)를 포함할 수 있다.

도 8에 도시된 부분 단면(A)은 도 9에 도시된다. 제1 인접 측면(181)과 제2 인접 측면(182)은 전자 부품(393)의 바디(991)의 대향하는 측면이다. 노즈(482)의 인접 구획(493)은 제2 인접 측면(182)에 인접한다. 그래서, 전자 부품(393)은 제1 인접 측면(181)을 가지는 에지(481) 쪽으로 가압된다. 그래서 노즈(482)에 의해 가해지는 가압력은 클램핑 지지체(490)의 에지(481)와 인접 구획(483) 사이에 전자 부품(393)을 클램핑한다. 에지(481)는 제1 인접 측면(181)에 인접하고 인접 구획(483)은 제2 인접 측면(182)에 인접하여 전자 부품(393)이 클램핑 지지체(490)에서 고정된 에지(481)에 정렬된다.

포트(850)는 제1 단자(941)와 제2 단자(942)와 같은 바디(991)의 주면의 동일한 측면에 있을 수 있다. 제1 단자(941)와 제2 단자(942)는 접촉 소켓(340)의 스프링 접촉(341, 342)에 의해 접촉될 수 있다(도 3 또는 도 4 참조). 대안적으로, 포트(852)는 바디(991)의 다른 주면 위에 제1 단자(941)와 제2 단자(942)의 반대쪽에 위치될 수 있다. 관통 홀(trough hole)(931)이 전자 부품(393) 아래에 연장할 수 있다.

제1 가스킷(311)과 제2 가스킷(316) 사이에는 원형 지지체 구획(711)을 따라 클램핑 지지체(490)는 수용판(491), 스프링 판(492), 중간 판(493), 및 베이스 판(494)을 포함하는 층 구조를 구비할 수 있다. 기밀식 벽 구획(715)은 클램핑 지지체(490)가 언급된 판(491, 492, 493, 494)을 포함하는 층 구조를 구비하는 경우에도 클램핑 지지체(490)가 기밀식 벽 구획(715)을 형성하는 연속적인 물질을 포함하는 것을 강조하기 위해 해치 영역(hatched area)으로 도시되어 있다.

Claims

가변 압력 조건 하에서 전자 부품(191)을 테스트하는 테스트 장치(300)로서,
제1 챔버 절반부(313)와 제2 챔버 절반부(318),
제1 가스킷(311)과 제2 가스킷(316),
복수의 전자 부품을 지지하는, 지지체(190)의 지지체 세그먼트(611), 및
상기 지지체(190)의 원형 지지체 구획(711)을 포함하며,
상기 원형 지지체 구획(711)은 상기 지지체 세그먼트(611)를 둘러싸며, 상기 지지체 세그먼트(611)는 상기 복수의 전자 부품의 서브 그룹을 지지하고,
상기 원형 지지체 구획(711)은 제1 측면(713)과 제2 측면(718)을 포함하며,
상기 제1 가스킷(311)은 기밀식 밀봉을 형성하도록 상기 제1 챔버 절반부(313)와 상기 원형 지지체 구획(711)의 상기 제1 측면(713) 사이에 배치되고,
상기 제2 가스킷(316)은 기밀식 밀봉을 형성하도록 상기 제2 챔버 절반부(318)와 상기 원형 지지체 구획(711)의 상기 제2 측면(718) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 테스트 장치.
제1항에 있어서,
상기 지지체 세그먼트(611)를 관통하는 관통홀(331, 332, 431, 432, 433, 533, 731, 931)을 더 포함하며, 상기 관통홀은 제1 공동 절반부(314)와 제2 공동 절반부(319) 사이에 양방향 가스 흐름 통로의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 테스트 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 원형 지지체 구획(711)은 상기 지지체(190)의 기밀식 벽 구획(715)인 것을 특징으로 하는 테스트 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 부품(191, 393)의 단자(941, 942)와 전기 접촉을 하는 테스트 소켓(340)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
사운드 출력을 생성하는 막(350)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
입력 사운드의 값을 결정하는 기준 마이크로폰(355)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 장치.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
입력 생성기(583)에 연결된 입구(580)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 장치.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 전자 부품을 지지하는 상기 지지체(190)는 기판(593)을 포함하는 스트립(590)이고, 상기 기판(593)은 상기 원형 지지체 구획(711)과 상기 지지체 세그먼트(611)를 형성하는 것을 특징으로 하는 테스트 장치.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 전자 부품을 지지하는 상기 지지체(190)는 복수의 층(491, 492, 493, 494)을 포함하는 클램핑 지지체(490)이고, 상기 클램핑 지지체(490)는 상기 원형 지지체 구획(711)과 상기 지지체 세그먼트(611)를 형성하는 것을 특징으로 하는 테스트 장치.
가변 압력 조건 하에서 전자 부품을 테스트하는 테스트 시스템(100)으로서, 상기 테스트 시스템(100)은 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 테스트 장치(300)를 복수개 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템.
제10항에 있어서,
제1 가스킷(311)과 제2 가스킷(316)의 두 그룹을 포함하며, 상기 두 그룹 중 하나 이상의 그룹은 하나의 가스킷 판(410)으로 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 테스트 시스템.
제10항 또는 제11항에 있어서,
가압 장치(141, 142, 141', 142'; 151, 152)를 더 포함하며, 상기 가압 장치는 보드 유닛(110)과 압력 유닛(120)을 서로 가압하는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템.
가변 압력 조건 하에서 전자 부품(191)을 테스트하는 방법으로서,
테스트 장치(300)로서, 제1 챔버 절반부(313), 제2 챔버 절반부(318), 제1 가스킷(311), 제2 가스킷(316), 복수의 전자 부품을 지지하는 지지체(190)의 지지체 세그먼트(611), 및 원형 지지체 구획(711)을 포함하며, 상기 원형 지지체 구획(711)은 상기 지지체 세그먼트(611)를 둘러싸며, 상기 지지체 세그먼트(611)는 상기 복수의 전자 부품의 서브 그룹을 지지하고, 상기 원형 지지체 구획(711)은 제1 측면(713)과 제2 측면(718)을 포함하는 테스트 장치(300)를 준비하는 단계;
상기 제1 챔버 절반부(311)와 상기 원형 지지체 구획(711)의 상기 제1 측면(713) 사이에 상기 제1 가스킷(311)을 배치하여, 기밀식 밀봉을 형성하는 단계; 및
상기 제2 챔버 절반부(318)와 상기 원형 지지체 구획(711)의 상기 제2 측면(718) 사이에 상기 제2 가스킷(316)을 배치하여, 기밀식 밀봉을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
가변 압력 조건 하에서 전자 부품(191)을 테스트하는 지지체(190)로서, 상기 지지체(190)는 복수의 전자 부품을 지지하고,
상기 지지체(190)는:
제1 측면(713)과 제2 측면(718)을 구비하는 원형 지지체 구획(711)과 지지체 세그먼트(611)를 포함하며, 상기 원형 지지체 구획(711)은 상기 지지체 세그먼트(611)를 둘러싸며,
상기 지지체 세그먼트(611)는 상기 복수의 전자 부품의 서브 그룹을 지지하고,
상기 원형 지지체 구획(711)의 상기 제1 측면(713)은 상기 제1 챔버 절반부(313)와 상기 원형 지지체 구획(711)의 상기 제1 측면(713) 사이에 제1 가스킷(311)을 배치할 때 제1 챔버 절반부(313)와 기밀식 밀봉을 형성하고,
상기 원형 지지체 구획(711)의 상기 제2 측면(718)은 상기 제2 챔버 절반부(318)와 상기 원형 지지체 구획(711)의 상기 제2 측면(718) 사이에 제2 가스킷(316)을 배치할 때 제2 챔버 절반부(318)와 기밀식 밀봉을 형성하는 것을 특징으로 하는 지지체.
제14항에 있어서,
상기 원형 지지체 구획(711)은 기밀식 벽 구획(715)인 것을 특징으로 하는 지지체.