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KR102074450B1 - 마이크로폰 및 초저압 센서의 결함있는 제조에 대한 테스트 - Google Patents

마이크로폰 및 초저압 센서의 결함있는 제조에 대한 테스트 Download PDF

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KR102074450B1
KR102074450B1 KR1020157009111A KR20157009111A KR102074450B1 KR 102074450 B1 KR102074450 B1 KR 102074450B1 KR 1020157009111 A KR1020157009111 A KR 1020157009111A KR 20157009111 A KR20157009111 A KR 20157009111A KR 102074450 B1 KR102074450 B1 KR 102074450B1
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KR
South Korea
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pressure
pressure sensor
test chamber
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mems
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앤드류 제이. 달러
마이클 제이. 데일리
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로베르트 보쉬 게엠베하
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Abstract

예를 들어 MEMS 마이크로폰 패키지와 같은 MEMS 압력 센서 디바이스를 테스트하는 방법이 제공된다. MEMS 압력 센서 디바이스는 하우징 내에 배치되는 압력 센서 및 하우징 외부로부터의 음압을 압력 센서 쪽으로 인도하기 위한 압력 입력 포트를 구비한다. 음압 소스가 작동되고 음압 소스로부터의 음압이 압력 입력 포트와 압력 입력 포트 이외의 하우징 외부 위치로 인도된다. 압력 센서의 출력 신호에 기초하여, 음압이 압력 입력 포트 이외의 위치에서 하우징의 외부를 통해 압력 센서에 도달할 수 있게 하는 어떤 결함이 존재하는지가 판정된다.

Description

마이크로폰 및 초저압 센서의 결함있는 제조에 대한 테스트{TESTING FOR DEFECTIVE MANUFACTURING OF MICROPHONES AND ULTRALOW PRESSURE SENSORS}
관련 출원
본 출원은, 2012년 9월 14일자로 출원되고 발명의 명칭이 "마이크로폰 및 초저압 센서의 결함있는 제조에 대한 테스트(TESTING FOR DEFECTIVE MANUFACTURING OF MICROPHONES AND ULTRALOW PRESSURE SENSORS)"이며 그 전체 내용이 본 명세서에 참조로 원용되는 미국 임시 특허출원 제61/701,001호의 이익을 청구한다.
본 발명은 조립된 마이크로폰 또는 초저압 변환기의 제조 결함을 검출하기 위해 사용된다.
일 실시예에서, 본 발명은 예를 들어 MEMS 마이크로폰 패키지와 같은 MEMS 압력 센서 디바이스를 테스트하는 방법을 제공한다. MEMS 압력 센서 디바이스는 하우징 내에 배치되는 압력 센서 및 하우징 외부로부터의 음압(acoustic pressure)을 압력 센서 쪽으로 인도하기 위한 압력 입력 포트를 구비한다. 음압 소스가 작동되고 음압 소스로부터의 음압이 압력 입력 포트와 압력 입력 포트 이외의 하우징 외부 위치로 인도된다. 압력 센서의 출력 신호에 기초하여, 음압이 압력 입력 포트 이외의 위치에서 하우징의 외부를 통해 압력 센서에 도달할 수 있게 하는 어떤 결함이 존재하는지가 판정된다.
본 발명의 다른 양태는 상세한 설명과 첨부도면을 고려함으로써 명확해질 것이다.
도 1은 제대로 제조된 마이크로폰에 적용되는 테스트 장치의 개략도이다.
도 2는 결함있는 마이크로폰에 적용되는 도 1의 테스트 장치의 개략도이다.
도 3은 결함있는 마이크로폰에 적용되는 하나의 챔버와 하나의 음원을 사용하는 일 실시예에 따른 다른 테스트 장치의 개략도이다.
도 4는 결함있는 마이크로폰에 적용되는 두 개의 챔버와 두 개의 음원을 사용하는 다른 실시예에 따른 테스트 장치의 개략도이다.
도 5는 결함있는 마이크로폰에 적용되는 하나의 챔버와 두 개의 음원을 사용하는 또 다른 실시예에 따른 테스트 장치의 개략도이다.
도 6은 결함있는 마이크로폰에 적용되는 하나의 테스트 챔버와 하나의 스피커를 형성하는 두 개의 섹션을 사용하는 또 다른 실시예에 따른 테스트 장치의 개략도이다.
도 7은 도 6의 테스트 장치의 횡단면도이다.
도 8은 제2 음원으로서 작용하는 스피커 어레이가 상승 비활성 위치에 있는 상태의 도 5의 테스트 장치의 사시도이다.
도 9는 스피커 어레이가 하강 활성 위치에 있는 상태의 도 5의 테스트 장치의 사시도이다.
도 10은 도 3 내지 도 6의 테스트 장치 중 적어도 하나를 사용하는 테스트 과정을 도시하는 흐름도이다.
도 11은 도 10의 테스트 과정을 사용하는 도 1, 도 2 및 도 5의 테스트 장치의 출력 테스트를 도시하는 오디오 주파수 범위에 걸친 마이크로폰 감도의 그래프이다.
본 발명의 실시예를 상세하게 설명하기 전에, 본 발명은 그 적용에 있어서 하기 설명에 제시되거나 하기 도면에 도시된 부품의 구조 및 배치의 상세에 한정되지 않음을 알아야 한다. 본 발명은 다른 실시예가 가능하며, 다양한 방식으로 실행 또는 실시될 수 있다.
도 1은 테스트 대상 디바이스(device under test: DUT)로 지칭되는 MEMS 압력 센서 디바이스(107)의 출력을 테스트하기 위한 테스트 장치의 제1 예를 도시한다. 챔버(103)의 일 단부에 스피커(101)가 배치되고, 스피커(101)는 챔버(103) 내에 테스트 사운드를 방출하도록 배치된다. 직선 화살표는 스피커(101)로부터 DUT(107)의 압력 입력 포트(104)로의 음향 경로를 나타낸다. 음향 경로가 형성되어 음향적으로 격리되도록 챔버(103)와 DUT(107)의 리드(109) 사이에는 개스킷(105)이 배치된다. 다른 구조에서, 챔버와 리드(109) 사이에는 개스킷의 사용 없이 시일이 형성된다. DUT(107)는 베이스(113)를 구비한다. 일부 구조에서, 베이스는 실리콘 기판으로 형성되며, 하나 이상의 회로 부품을 구비할 수 있다. 도 1의 예에서, 베이스(113)는 그 위에 변환기(111)가 배치되는 기판이다. 변환기(111)를 둘러싸는 하우징을 형성하기 위해 리드(109)가 베이스(113)에 부착된다. 리드(109)는 변환기(111)를 보호하며, 압력 입력 포트(104) 이외의 위치에서 사운드가 하우징에 진입하여 변환기(111)의 작동에 영향을 미치는 것을 방지한다. 도 1의 테스트 장치는 주로 변환기(111)의 성능을 테스트하도록 의도된다. 이는 리드(109)가 베이스(113)에 부착되는 장소인 시임의 품질 또는 하우징의 평가를 제공하지 않는다.
도 2는 리드에 제조 결함이 있는 MEMS 압력 센서를 테스트할 때의 도 1의 테스트 장치의 한계를 도시한다. 도 2에 도시된 테스트 장치는 도 1에 도시된 테스트 장치와 동일한 구성을 갖는다. 챔버(203)의 일 단부에 스피커(201)가 배치되고, 스피커(201)는 챔버(203) 내에 테스트 사운드를 방출하도록 배치된다. 직선 화살표는 스피커(201)로부터 DUT(207)의 압력 입력 포트(204)로의 음향 경로를 나타낸다. 음향 경로가 형성되어 음향적으로 격리되도록 챔버(203)와 DUT(207)의 리드(209) 사이에는 개스킷(205)이 배치된다. DUT(207)는 베이스(213), 베이스(213) 상에 배치되는 변환기(211), 및 변환기(211)를 둘러싸기 위해 베이스(213)에 부착되는 리드(209)를 구비한다.
도 1에서, 리드(109)는 제대로 제조된 디바이스를 나타내는 실선으로 도시된다. 특히, 리드(109)와 베이스(113) 사이에 형성되는 시임은 완전하며, 하우징에 음압이 진입할 수 없게 만든다. 그러나, 도 2의 예에서는, 리드(209)와 베이스(213) 사이에 틈(break)(206)이 존재한다. 이 틈(206)은 예를 들어 리드(209)와 베이스(213) 사이의 결함있는 시일과 같은, 마이크로폰 하우징 내의 결함을 나타낸다. 도 1 및 도 2에 도시된 테스트 장치는 사운드가 결함있는 하우징 내의 잠재 구멍을 통해서 변환기(211)에 진입하기 위한 음원 또는 음향 경로를 제공하지 않기 때문에, 이들과 같은 제조 결함이 검출될 수 없다.
도 3은 DUT(307)의 압력 입력 포트(304)에 음압을 제공할 뿐 아니라 DUT(307)의 하우징 외부에도 음압을 제공하는 다른 테스트 장치의 개략도이다. 이 장치에서, DUT(307)는 리드(309)와 베이스(313) 사이에 시임을 구비하는 리드(309)의 전체 외부를 테스트 사운드에 노출시키기 위해 테스트 챔버(303) 내부에 적어도 부분적으로 배치된다. 챔버(303)의 일 단부에 스피커(301)가 배치되고, 스피커(301)는 챔버(303) 내에 테스트 사운드를 방출하도록 배치된다. 직선 화살표는 스피커(301)로부터 DUT(307)의 압력 입력 포트(304)로의 음향 경로를 나타낸다. 음향 경로가 형성되어 음향적으로 격리되도록 챔버(303)와 DUT(307)의 리드(309) 사이에는 개스킷(305)이 배치된다. 직선 화살표로 표시되는 스피커(301)로부터의 사운드는 변환기(311)에 도달하기 위해 압력 입력 포트(304)에 진입한다. 또한, 결함있는 마이크로폰 하우징이 예를 들어 틈(306)과 같은 일체의 다른 개구를 가지면, 스피커(301)로부터의 사운드는 또한 곡선 화살표로 도시하듯이 틈(306)을 통해서 하우징에 진입하고 변환기(311)의 작동에 영향을 미친다.
도 4는 하우징의 외부를 음압에 노출시킴으로써 하우징 내의 제조 결함을 검출할 수 있는 테스트 장치의 다른 예를 도시한다. 제1 챔버(403)의 일 단부에 제1 스피커(401)가 배치되고, 스피커(401)는 제1 챔버(403) 내에 테스트 사운드를 방출하도록 배치된다. 음향 경로가 형성되어 음향적으로 격리되도록 제1 챔버(403)와 DUT(407)의 리드(409) 사이에는 개스킷(405)이 배치된다. 이 예에서, 제2 챔버(415)가 제1 챔버(403)와 정렬되고 DUT(407)를 둘러싼다. 제2 챔버(415)의 표면(410)은 제1 챔버(403)의 표면(412)에 대해 가압되어 그 사이에 시일을 형성한다. 도 4에 도시된 구조에서, 두 챔버의 표면 사이의 시일은 개스킷(414)에 의해 형성된다. 그러나, 전술했듯이, 다른 구조에서, 각종 부품 사이의 시일은 개스킷(414)의 사용 없이 형성될 수 있다. 시일은 각 챔버의 내부를 외부로부터 및 상호 간에 음향적으로 격리시킨다.
다른 도면에서와 같이, DUT(407)는 베이스(413), 베이스(413) 상에 배치되는 변환기(411), 및 변환기(411)를 둘러싸기 위해 베이스(413)에 부착되는 리드(409)를 구비한다. 리드(409)는 변환기(411)를 보호하며, 압력 입력 포트(404) 이외의 위치에서 사운드가 변환기(411)에 진입하는 것을 방지한다. 도 4의 테스트 장치는 또한, 제 2 챔버(415) 내에 사운드를 방출하기 위해 제2 챔버(415)의 일 단부에 배치되는 제2 스피커(417)를 구비한다.
제1 스피커(401)로부터 방출된 사운드는 압력 입력 포트(404)를 통과하며 변환기(411)에 의해 검출된다. 이후 상세히 설명하듯이, 제대로 구성된 마이크로폰 패키지에서, 제1 스피커(401)로부터의 사운드는 명확한 주파수 응답 프로파일을 생성할 것이다. 그러나, 결함있는 마이크로폰 패키지에 틈(406) 또는 누출구가 존재할 때, 제2 스피커(417)로부터의 사운드(곡선 화살표로 표시됨)는 리드(409) 내의 구멍을 통과할 수 있으며 변환기(411)에 의해 검출되는 주파수 응답 프로파일을 변화시킬 수 있다. 제2 스피커(417)로부터의 사운드뿐 아니라 테스트 챔버(415)의 크기와 형상은 제2 스피커(417)로부터의 사운드가 제1 스피커(401)로부터의 사운드와 구별될 수 있도록 제어된다.
도 5는 테스트 장치의 또 다른 예를 도시한다. 다시, 제1 챔버(503)의 일 단부에 제1 스피커(501)가 배치되고, 스피커(501)는 챔버(503) 내에 테스트 사운드를 방출하도록 배치된다. 직선 화살표는 스피커(501)로부터 DUT(507)의 압력 입력 포트(504)로의 음향 경로를 나타낸다. 음향 경로가 형성되어 음향적으로 격리되도록 챔버와 DUT(507)의 리드(509) 사이에 시일을 형성하기 위해 개스킷(505)이 배치된다. 다른 도면에서와 같이, DUT(507)는 베이스(513), 베이스(513) 상에 배치되는 변환기(511), 및 변환기(511)를 둘러싸기 위해 베이스(513)에 부착되는 리드(509)를 구비한다. 리드(509)는 변환기(511)를 보호하며, 압력 입력 포트(504) 이외의 위치에서 사운드가 변환기(511)에 진입하는 것을 금지한다. 도 5의 예는 DUT(507)의 상기 챔버(503)와 반대쪽에 장착되고 DUT(507)의 하우징의 외부 주위에 사운드를 인가하는 제2 스피커(517)를 구비한다. 이 제2 스피커(517)로부터의 사운드는 결함있는 DUT 하우징 내의 틈(506)을 통과하고(곡선 화살표로 표시됨) 변환기(511)의 주파수 응답 프로파일에 영향을 미칠 수 있다.
도 6은 테스트 장치의 다른 예를 도시한다. 제1 챔버(603)의 일 단부에 제1 스피커(601)가 배치되고, 스피커(601)는 챔버(603) 내에 테스트 사운드를 방출하도록 배치된다. 직선 화살표로 표시하듯이, 사운드는 스피커(601)로부터 DUT(607)의 압력 입력 포트(604)로의 음향 경로를 따라간다. 음향 경로가 형성되고 압력 입력 포트(604)가 음향적으로 격리되도록 챔버(603)와 DUT(607)의 리드(609) 사이에 개스킷(605)이 배치된다. DUT(607)는 다시 베이스(613), 베이스(613) 상에 배치되는 변환기(611), 및 변환기(611)를 둘러싸기 위해 베이스(613)에 부착되는 리드(609)를 구비한다. 리드(609)는 변환기(611)를 보호하며, 압력 입력 포트(604) 이외의 위치에서 사운드가 변환기(611)에 진입하는 것을 금지한다.
DUT(607)는 챔버(615) 내의 표면(608) 상에 배치된다. 개스킷(605)은 DUT(607)를 지지하며 직선으로 도시하듯이 음향 경로를 스피커(601)로부터 격리시킨다. 도 6의 예에서, 완전한 테스트 챔버(615)는, DUT(607)가 테스트 표면(608) 상에 배치될 때 정렬되어 DUT(607)를 둘러싸는 두 개의 개별 섹션, 즉 제1 챔버 섹션(603)과 제2 챔버 섹션(614)을 구비한다. 완전한 테스트 챔버(615)는 음향 경로가 테스트 내내 균일하도록 음향 경로를 형성하고 제어한다. 스피커(601)로부터의 사운드를 압력 입력 포트(604)로 인도하는 것에 추가적으로, 테스트 챔버(615)는 베이스(613)와 DUT(607)의 리드(609)를 스피커(601)로부터의 사운드에 노출시킨다. 따라서, 스피커(601)로부터의 사운드는 결함있는 DUT(607) 내의 일체의 틈(606) 또는 누출구를 통과할 수 있고 변환기(611)의 주파수 응답 프로파일에 영향을 미칠 수 있다.
도 7의 횡단면도는 추가로 다른 형태의 DUT(707)를 위한 도 6의 테스트 장치를 도시한다. 이 예에서, 압력 입력 포트(704)는 리드의 중심에 위치하는 대신에 DUT 하우징의 코너에 위치한다. DUT(707)는 홀더(708)의 표면(705)에 기대어 배치된다. 표면(705)과 DUT(707) 사이에는 시일이 형성된다. 챔버(703)의 표면(710)은 DUT(707)의 하우징에 대해 가압되며, 따라서 DUT(707)를 홀더(708)의 표면(705)에 대해 가압한다. 이는 DUT(707) 주위에 대기실(714)을 형성한다. 챔버(703) 내의 사운드 포트(712)는 DUT(707)에 근접하여 배치된다. 하나의 사운드 포트(712)는 챔버(703)로부터 DUT(707)의 압력 입력 포트(704)로의 음향 경로를 제공한다. 추가 사운드 포트는 챔버(703)로부터 대기실(714)로의 음향 경로를 제공한다. 이 음향 경로는 사운드가 DUT(707)의 리드(709)를 둘러싸게 할 수 있다. DUT(707)의 하우징에 어떤 누출구가 있으면, 이 사운드는 변환기(711)의 주파수 응답 프로파일에 영향을 미칠 수 있다.
도 8은 도 5에 도시된 개략 예에 기초한 테스트 장치의 실시를 도시하며, 다수의 MEMS 센서 디바이스를 동시에 테스트하도록 구성되어 있다. 제1 스피커(801)는 DUT 홀더(802) 아래에 배치된다. DUT 홀더(802)는 스피커(801)를 커버하고 챔버(803)를 형성한다. DUT 홀더(802)는 테스트 중에 단일의 DUT(807) 또는 복수의 DUT(807) 어레이를 지지한다. DUT 홀더(802)는 DUT(807) 어레이와 시일을 형성한다. 그러나, 도 5의 예와 달리, 도 8에서의 DUT 홀더(802)는 챔버(803)와 DUT(807) 어레이 사이에 시일을 형성하기 위해 개스킷(505)을 사용하지 않는다. 대신에, DUT 홀더(802)는 테스트 도중에 시일을 형성하기 위해 압입을 사용한다.
스피커(817) 어레이는 DUT 홀더(802) 위에서 연장되는 전기자(806) 상에 배치된다. 도 9에 도시하듯이, 전기자(806)는 스피커(817) 어레이가 테스트 도중에 DUT(807)와 대면하도록 스피커(817) 어레이를 피봇시킬 수 있는 힌지(808)에 연결된다. 도 8에서 스피커(817) 어레이는 상부 비활성 위치에 있다. 도 9에서 스피커(817) 어레이는 하부 활성 위치에 있다.
도 10의 흐름도는 도 3 내지 도 9에 도시된 테스트 장치 중 어느 하나를 사용하여 마이크로폰을 제조 결함에 대해 테스트하기 위한 과정을 도시한다. 테스트 장치 내에 DUT가 배치되면, 테스트 사운드를 발생시키기 위해 하나 이상의 스피커가 작동된다(단계 1001). 스피커가 오디오 주파수 범위에 걸쳐서 순환됨에 따라(단계 1005) MEMS 압력 센서 디바이스의 감도가 측정된다(단계 1003). 사이클이 완료되면(단계 1007), 측정된 주파수 응답 프로파일이 목표 주파수 응답 프로파일과 비교된다(단계 1009). DUT의 측정된 주파수 응답 프로파일과 목표 주파수 응답 프로파일 사이의 차이가 임의의 주파수에서 목표 감도 범위를 벗어나면(단계 1011), DUT는 결함있는 것으로 식별될 것이다(단계 1013). 그러나, 측정된 주파수 응답 프로파일과 목표 주파수 응답 프로파일 사이의 차이가 한정된 공차 내에 있으면(단계 1011), DUT 하우징의 구조가 검증되고 DUT는 테스트를 통과한다(단계 1015).
도 11은 도 10의 방법을 사용하여 측정되는 주파수 응답 프로파일의 예를 도시한다. 프로파일 1101은 제대로 구성된 DUT의 측정된 주파수 응답 프로파일을 주파수 범위에 걸쳐서 나타낸다. 프로파일 1103은 도 1 및 도 2의 테스트 장치를 사용한 결함있는 DUT의 주파수 응답 프로파일을 나타낸다. 전술했듯이, 도 1 및 도 2의 테스트 장치는 DUT 하우징의 외부를 사운드에 노출시킨다. 따라서, 프로파일 1101 및 1103은 DUT의 리드 내의 제조 결함에도 불구하고 동일하다.
대조적으로, 프로파일 1105는 도 2 내지 도 9에 도시된 테스트 장치 중 하나를 사용한 결함있는 DUT의 주파수 응답 프로파일을 나타낸다. 프로파일 1105는 결함있는 DUT의 리드를 통한 사운드 누설에 의해 초래되는 낮은 주파수에서의 감도 저하를 나타낸다. 제대로 구성된 DUT와 결함있는 DUT 사이의 이러한 감도 차이는, 사운드를 격리시켜 DUT의 압력 입력 포트 내로만 인도하는 테스트 장치에서는 불가능한 제조 결함의 식별을 가능하게 한다.
따라서, 본 발명은 특히, MEMS 압력 센서의 리드에서의 제조 결함을 검출하는 방법을 가능하게 하는 테스트 장치를 제공한다. 본 발명의 다양한 특징 및 장점은 하기 청구범위에 나타나 있다.

Claims (16)

  1. MEMS 압력 센서 디바이스를 테스트하는 방법이며,
    상기 MEMS 압력 센서 디바이스는 하우징 내에 배치되는 압력 센서 및 하우징 외부로부터의 음압을 압력 센서 쪽으로 인도하기 위한 압력 입력 포트를 구비하고,
    상기 방법은,
    음압 소스를 작동시키는 단계;
    음압 소스로부터의 음압을 압력 입력 포트로 인도하는 단계;
    음압 소스로부터의 음압을 압력 입력 포트 이외의 하우징 외부 위치로 인도하는 단계; 및
    압력 센서의 출력 신호에 기초하여, 음압이 압력 입력 포트 이외의 위치에서 하우징의 외부를 통해 압력 센서에 도달할 수 있게 하는 임의의 결함이 존재하는지를 판정하는 단계
    를 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  2. 제1항에 있어서, MEMS 압력 센서 디바이스를 제1 테스트 챔버에 근접하여 배치하는 단계로서, 제1 테스트 챔버는 압력 출력 포트를 구비하고, 음압 소스의 제1 스피커가 제1 테스트 챔버 내에 음압을 생성하며, 제1 스피커에 의해 생성된 음압이 압력 출력 포트를 통해서 제1 테스트 챔버를 빠져나가는 단계; 및
    MEMS 압력 센서 디바이스의 압력 입력 포트를 제1 테스트 챔버의 압력 출력 포트와 정렬시키는 단계
    를 추가로 포함하며,
    상기 음압 소스로부터의 음압을 압력 입력 포트로 인도하는 단계는 제1 테스트 챔버로부터의 음압을 제1 테스트 챔버의 압력 출력 포트를 통해서 MEMS 압력 센서 디바이스의 압력 입력 포트 내로 인도하는 단계를 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 음압 소스로부터의 음압을 압력 입력 포트 이외의 하우징 외부 위치로 인도하는 단계는 제2 스피커의 출력이 압력 입력 포트 이외의 MEMS 압력 센서 디바이스 하우징의 표면을 향해서 인도되도록 음압 소스의 제2 스피커를 MEMS 압력 센서에 근접하여 배치하는 단계를 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  4. 제3항에 있어서, 압력 입력 포트가 제2 스피커의 출력으로부터 음향적으로 격리되도록 MEMS 압력 센서 디바이스의 압력 입력 포트와 제1 테스트 챔버의 압력 출력 포트 사이에 시일을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 시일 형성 단계는 MEMS 압력 센서 디바이스와 제1 테스트 챔버 사이에 개스킷을 배치하는 단계를 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 음압 소스로부터의 음압을 압력 입력 포트 이외의 하우징 외부 위치로 인도하는 단계는 음압 소스의 제2 스피커를 작동시켜 제2 테스트 챔버 내에 음압을 생성하는 단계를 포함하고,
    압력 입력 포트 이외의 하우징의 적어도 일부가 제2 테스트 챔버 내에 배치되고 제2 스피커로부터의 음압에 노출되도록 MEMS 압력 센서 디바이스를 제2 테스트 챔버에 근접하여 배치하는 단계를 추가로 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  7. 제6항에 있어서, 압력 입력 포트가 제2 스피커의 출력으로부터 음향적으로 격리되도록 MEMS 압력 센서 디바이스의 압력 입력 포트와 제1 테스트 챔버의 압력 출력 포트 사이에 제1 시일을 형성하는 단계; 및
    제1 테스트 챔버의 내부와 제2 테스트 챔버의 내부가 외부 사운드로부터 음향적으로 격리되도록 제1 테스트 챔버와 제2 테스트 챔버 사이에 제2 시일을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 시일 형성 단계는 MEMS 압력 센서 디바이스와 제1 테스트 챔버 사이에 개스킷을 배치하는 단계를 포함하고, 상기 제2 시일 형성 단계는 제1 테스트 챔버와 제2 테스트 챔버 사이에 개스킷을 배치하는 단계를 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  9. 제1항에 있어서, MEMS 압력 센서 디바이스를 테스트 챔버의 내부에 배치하는 단계를 추가로 포함하며,
    상기 음압 소스로부터의 음압을 압력 입력 포트로 인도하는 단계는 음압 소스의 스피커를 작동시켜 테스트 챔버 내에 음압을 발생시키는 단계를 포함하고, 상기 테스트 챔버 내에 발생되는 음압은 압력 입력 포트에 진입하며,
    상기 음압 소스로부터의 음압을 압력 입력 포트 이외의 하우징 외부 위치로 인도하는 단계는 스피커를 작동시켜 테스트 챔버 내에 음압을 발생시키는 단계를 포함하고, 상기 압력 입력 포트 이외의 하우징 외부 위치는 테스트 챔버 내에 발생된 음압에 노출되는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 MEMS 압력 센서 디바이스는 테스트 챔버 내부에 배치되고, 압력 입력 포트의 대향 표면은 테스트 챔버의 내부가 외부 사운드로부터 음향적으로 격리되도록 테스트 챔버와 시일을 형성하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 시일 형성 단계는 테스트 챔버와 압력 입력 포트의 대향 표면 사이에 개스킷을 배치하는 단계를 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 MEMS 압력 센서 디바이스를 테스트 챔버의 내부에 배치하는 단계는 MEMS 압력 센서 디바이스를 테스트 챔버 내의 표면 상에 배치하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 테스트 챔버는 상부 절반 요소와 하부 절반 요소를 구비하며, 상부 절반 요소는 두 개의 절반 요소 사이에 시일이 형성되도록 하부 절반 요소와 정렬되는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 MEMS 압력 센서 디바이스를 테스트 챔버의 내부에 배치하는 단계는 시일이 형성되도록 MEMS 압력 센서 디바이스와 테스트 챔버 내의 표면 사이에 하나 이상의 개스킷을 배치하는 단계를 포함하며, 상기 시일은 압력 입력 포트로의 음향 경로를 압력 입력 포트 이외의 하우징 외부 위치로의 음향 경로로부터 격리시키는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 MEMS 압력 센서 디바이스를 테스트 챔버의 내부에 배치하는 단계는 MEMS 압력 센서 디바이스의 하우징 주위에 대기실이 형성되도록 두 개의 절반 요소를 MEMS 압력 센서 디바이스 주위에서 폐쇄시키는 단계를 포함하며, MEMS 압력 센서 디바이스의 하우징이 음압에 노출되도록 스피커로부터 통제된 양의 음압이 대기실 내로 인도되는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  15. 제1항에 있어서, 압력 센서의 출력 신호를 분석하는 단계는
    압력 센서로부터 출력 신호를 수신하는 단계;
    상기 출력 신호의 주파수 응답을 목표 주파수 응답과 비교하는 단계; 및
    상기 출력 신호와 목표 출력 신호 사이의 차이가 임계치를 초과하면 MEMS 압력 센서 디바이스가 결함있는 것으로 판정하는 단계를 추가로 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 MEMS 압력 센서 디바이스는 MEMS 마이크로폰 패키지를 포함하는 MEMS 압력 센서 디바이스 테스트 방법.
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