KR102482534B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102482534B1 KR102482534B1 KR1020170174780A KR20170174780A KR102482534B1 KR 102482534 B1 KR102482534 B1 KR 102482534B1 KR 1020170174780 A KR1020170174780 A KR 1020170174780A KR 20170174780 A KR20170174780 A KR 20170174780A KR 102482534 B1 KR102482534 B1 KR 102482534B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- hole
- light emitting
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 219
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 73
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 34
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 30
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 27
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 hafnium nitride Chemical class 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H01L51/5237—
-
- H01L27/3262—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 투습 불량 및 화상 품질 저하를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것으로, 화소들이 배치된 표시영역, 및 상기 표시영역을 둘러싸는 비 표시영역을 포함하는 제1 기판, 제1 기판 상에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기 발광층, 및 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 제1 기판은 일단에 관통 홀을 가지며, 제2 전극은 관통 홀의 내 측면까지 마련된다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마 표시 장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기 발광 표시 장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러 가지 표시 장치가 활용되며, 특히 스마트 기기에도 다양하게 적용되고 있다.
표시 장치들 중에서 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형으로서, 액정 표시 장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.
유기 발광 표시 장치는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 구비된 구조를 가지며, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광하는 원리를 이용한 표시 장치이다. 여기서, 음극은 공통 전극으로서, 발광층 상에 공통적으로 형성된다.
이러한 유기 발광 표시 장치가 스마트 기기에 적용되는 경우, 유기 발광 표시 장치의 일단에 카메라 홀(Camera Hole)이 형성될 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 영상이 표시되는 표시영역과 영상이 표시되지 않는 비 표시영역을 포함한다. 이때, 공통층으로 형성되는 음극의 특성에 의해, 카메라 홀 부분에만 음극을 제거하는 것이 어려워, 카메라 홀은 비 표시영역에 형성되었다.
그러나, 스마트 기기가 발전함에 따라, 비 표시영역이 감소하고 영상이 표시되는 표시영역이 증가하면서, 카메라 홀을 표시영역에 형성하는 유기 발광 표시 장치의 개발이 이루어지고 있다.
이와 같이 카메라 홀을 유기 발광 표시 장치의 표시영역에 형성하기 위해서, 음극이 형성된 영역을 레이저 커팅(laser cutting)하여 홀을 형성하는 경우, 음극의 단면이 외부로 노출되어 투습 불량이 발생할 수 있다.
또한, 카메라 홀을 유기 발광 표시 장치의 표시영역에 형성하기 위해서, 카메라 홀 영역을 마스크(mask)로 가린 뒤에 음극을 형성하는 경우, 마스크를 고정하기 위해서 가려진 부분에 음극을 2회 증착 형성하게 되는데, 이때 음극의 두께가 불 균일해짐으로 화상 품질이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 투습 불량 및 화상 품질 저하를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 화소들이 배치된 표시영역, 및 상기 표시영역을 둘러싸는 비 표시영역을 포함하는 제1 기판, 제1 기판 상에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 유기 발광층, 및 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하고, 제1 기판은 일단에 관통 홀을 가지며, 제2 전극은 관통 홀의 내 측면까지 마련되는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 관통 홀을 마스크로 가리는 공정 없이, 제2 전극을 제1 기판의 표시영역 상에 전체적으로 형성함으로써, 제2 전극이 관통 홀의 내 측면까지 연장되어 마련되며, 제2 전극을 1회만 증착 형성함으로써, 제2 전극의 두께가 불 균일하여 발생하는 화상 품질 저하를 방지할 수 있으며 공정 증가 또한 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 무기막이 관통 홀의 내 측면까지 연장되어 마련됨으로써, 관통 홀의 내 측면에 마련된 제2 전극의 단면이 외부로 노출되어 투습 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시패널을 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 제1 기판을 보여주는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일 측을 개략적으로 보여주는 단면도로서, 도 2의 I-I'의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 관통 홀을 보여주는 단면도로서, 도 3의 II-II'의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 일 실시예에 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시패널을 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 제1 기판을 보여주는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일 측을 개략적으로 보여주는 단면도로서, 도 2의 I-I'의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 관통 홀을 보여주는 단면도로서, 도 3의 II-II'의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 일 실시예에 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시패널(10), 편광판(20), 프레임(30), 및 커버부재(40)를 포함한다.
상기 표시패널(10)은 제1 기판 및 제2 기판을 포함한다. 상기 제2 기판과 마주하는 상기 제1 기판의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 배치된다. 화소들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다. 표시패널(10)에 대한 자세한 설명은 도 2 및 도 3에서 후술하기로 한다.
상기 편광판(20)은 표시패널(10) 상에 배치된다. 편광판(20)은 표시패널(10)과 커버부재(40) 사이에 하나 이상 배치될 수 있으며, 생략될 수도 있다. 이러한 편광판(20)은 외광 반사 등으로 인하여 표시패널(10)에서 표시되는 영상의 시인성이 저하되는 것을 방지한다.
상기 프레임(30)은 표시패널(10), 편광판(20), 및 커버부재(40)를 수납한다. 일 예에 따른 프레임(30)은 커버부재(40)의 바닥면을 지지하도록 내측벽에 단차가 마련될 수 있다.
상기 커버부재(40)는 프레임(30)에 결합되어 프레임(30)과 함께 유기 발광 표시 장치의 외면을 구성한다. 커버부재(40)는 하면에 접착부재가 마련되어 하부의 구성과 결합될 수 있다. 일 예에 따른 커버부재(40)는 편광판(20)과 결합될 수 있다.
커버부재(40)는 플라스틱 또는 유리(glass)일 수 있다. 일 예에 따른 커버부재(40)는 표시패널(10)에서 생성된 영상이 투과되는 투과영역(TA), 및 상기 투과영역(TA)의 외곽에서 영상이 투과되지 않는 비 투과영역(NTA)을 포함한다. 상기 투과영역(TA)은 표시패널(10)의 표시영역과 중첩되며, 상기 비 투과영역(NTA)은 표시패널(10)의 비 표시영역과 중첩될 수 있다. 투과영역(TA)에는 홀(CH)이 형성되는데, 일 예로 카메라 홀(Camera Hole)일 수 있다. 비 투과영역(NTA)에는 불투명한 패턴층이 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시패널을 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 제1 기판을 보여주는 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(10)은 게이트 구동부(11), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(12), 연성필름(13), 회로보드(14), 및 타이밍 제어부(15)를 포함한다.
상기 표시패널(10)은 제1 기판(S1)과 제2 기판(S2)을 포함한다. 제2 기판(S2)은 봉지 기판일 수 있다. 제1 기판(S1)과 제2 기판(S2)은 플라스틱 또는 유리(glass)일 수 있다.
상기 제2 기판(S2)과 마주보는 제1 기판(S1)의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성된다. 화소들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다.
화소들 각각은 박막 트랜지스터와 애노드 전극, 유기 발광층, 및 캐소드 전극을 구비하는 유기발광소자를 포함할 수 있다. 화소들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 화소들 각각의 유기발광소자는 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다. 화소들 각각의 구조에 대한 자세한 설명은 도 5에서 후술하기로 한다.
표시패널(10)은 도 3과 같이 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 표시영역(DA)과 화상을 표시하지 않는 비 표시영역(NDA)으로 구분될 수 있다.
상기 표시영역(DA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화상을 표시하는 표시영역(DA)을 증가시키기 위해서, 종래에 카메라 홀(Camera Hole)이 형성되었던 비 표시영역(NDA)까지 표시영역(DA)을 확장시킨다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 일 예로, 카메라 홀일 수 있는 관통 홀(CH)이 표시패널(10)의 표시영역(DA)에 형성된다. 상기 관통 홀(CH)에 대한 자세한 설명은 도 5에서 후술하기로 한다.
상기 비 표시영역(NDA)에는 게이트 구동부(11)와 패드들이 형성될 수 있다. 상기 게이트 구동부(11)는 타이밍 제어부(15)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(11)는 표시패널(10)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비 표시영역(DA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 게이트 구동부(11)는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(10)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비 표시영역(NDA)에 부착될 수도 있다.
상기 소스 드라이브 IC(12)는 타이밍 제어부(15)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력 받는다. 소스 드라이브 IC(12)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(12)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(13)에 실장될 수 있다.
표시패널(10)의 비 표시영역(NDA)에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(13)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(12)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(14)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(13)은 이방성 도전 필름(anisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(13)의 배선들이 연결될 수 있다.
상기 회로보드(14)는 연성필름(13)들에 부착될 수 있다. 회로보드(14)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(14)에는 타이밍 제어부(15)가 실장될 수 있다. 회로보드(14)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.
상기 타이밍 제어부(15)는 회로보드(14)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(15)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(11)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(12)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(15)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(11)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(12)들에 공급한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일 측을 개략적으로 보여주는 단면도로서, 도 2의 I-I'의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 표시패널(10)은 제1 기판(S1), 제2 기판(S2), 제1 및 제2 기판들(S1, S2) 사이에 배치된 박막 트랜지스터층(100), 유기발광소자층(200), 및 봉지층(300)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(S1)은 플라스틱 필름 또는 유리 기판일 수 있다.
제1 기판(S1) 상에는 상기 박막 트랜지스터층(100)이 배치된다. 박막 트랜지스터층(100)은 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터들 각각은 게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극들을 포함한다. 게이트 구동부가 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성되는 경우, 게이트 구동부는 박막 트랜지스터층(100)과 함께 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터층(100) 상에는 상기 유기발광소자층(200)이 배치된다. 유기발광소자층(200)은 애노드 전극, 유기 발광층, 캐소드 전극, 및 뱅크를 포함한다. 유기 발광층들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 유기발광소자층(200)이 배치된 영역에는 화소들이 마련되므로, 유기발광소자층(200)이 배치된 영역은 표시영역으로 정의될 수 있다. 표시영역의 주변 영역은 비 표시영역으로 정의될 수 있다.
유기발광소자층(200) 상에는 상기 봉지층(300)이 배치된다. 봉지층(300)은 유기발광소자층(200)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 봉지층(300)은 적어도 하나의 유기막 및 무기막을 포함할 수 있다.
이하에서는 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 관통 홀을 보여주는 단면도로서, 도 3의 II-II'의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 제1 기판(S1)은 표시영역(DA)의 일단에 관통 홀(CH)을 가지며, 제1 기판(S1)의 관통 홀(CH)을 제외한 영역에, 박막 트랜지스터층(100), 유기발광소자층(200), 및 봉지층(300)이 형성된다.
상기 박막 트랜지스터층(100)은 박막 트랜지스터(120)들, 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140), 및 평탄화막(150) 을 포함한다.
제1 기판(S1)의 일면 상에는 버퍼막(110)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼막(110)은 투습에 취약한 제1 기판(S1)을 통해 침투하는 수분으로부터 박막 트랜지스터(120)들과 유기발광소자(210)들을 보호하기 위해 제1 기판(S1)의 일면 상에 배치된다. 제1 기판(S1)의 일면은 제2 기판(S2)과 마주보는 면일 수 있다. 버퍼막(110)은 교번하여 적층된 복수의 무기막들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼막(110)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), SiON 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 버퍼막(110)은 생략될 수 있다.
버퍼막(110) 상에는 상기 박막 트랜지스터(120)가 배치된다. 박막 트랜지스터(120)는 액티브층(121), 게이트 전극(122), 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 포함한다. 도 6에서는 박막 트랜지스터(120)가 게이트 전극(122)이 액티브층(121)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 박막 트랜지스터(120)들은 게이트 전극(122)이 액티브층(121)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트 전극(122)이 액티브층(121)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.
버퍼막(110) 상에는 상기 액티브층(121)이 배치된다. 액티브층(121)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 버퍼막(110)과 액티브층(121) 사이에는 액티브층(121)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 배치될 수 있다.
액티브층(121) 상에는 상기 게이트 절연막(130)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(130)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(130) 상에는 상기 게이트 전극(122)과 게이트 라인이 배치될 수 있다. 게이트 전극(122)과 게이트 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(122)과 게이트 라인 상에는 상기 층간 절연막(140)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(140)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(140) 상에는 상기 소스 전극(123), 드레인 전극(124), 및 데이터 라인(125)이 배치될 수 있다. 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 각각은 게이트 절연막(130)과 층간 절연막(140)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(121)에 접속될 수 있다. 소스 전극(123), 드레인 전극(124), 및 데이터 라인(125)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
소스 전극(123), 드레인 전극(124), 및 데이터 라인(125) 상에는 박막 트랜지스터(120)를 절연하기 위한 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 보호막은 생략될 수 있다.
층간 절연막(140) 상에는 박막 트랜지스터(120)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 상기 평탄화막(150)이 배치될 수 있다. 평탄화막(150)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터층(100) 상에는 상기 유기발광소자층(200)이 배치된다. 유기발광소자층(200)은 유기발광소자(210) 및 뱅크(220)를 포함한다.
상기 유기발광소자(210)와 뱅크(220)는 박막 트랜지스터(120) 및 평탄화막(150) 상에 배치된다. 유기발광소자(210)는 제1 전극(211), 유기 발광층(212), 및 제2 전극(213)을 포함한다.
상기 제1 전극(211)은 평탄화막(150) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(211)은 평탄화막(150)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(123)에 접속된다. 제1 전극(211)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.
상기 뱅크(220)는 평탄화막(150) 및 제1 전극(211) 상에 배치될 수 있다. 뱅크(220)는 화소들을 구획하기 위해 평탄화막(150) 상에서 제1 전극(211)의 가장자리를 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 뱅크(220)는 화소들을 정의하는 화소 정의막으로서 역할을 한다. 뱅크(220)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
제1 전극(211)과 뱅크(220) 상에는 상기 유기 발광층(212)이 배치된다. 유기 발광층(212)은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(211)과 제2 전극(213)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
유기 발광층(212)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유기 발광층(212)은 제1 전극(211)과 뱅크(220)를 덮도록 배치될 수 있다. 또한, 제2 기판(S2) 상에는 컬러 필터(미도시)가 배치될 수 있다.
또는, 유기 발광층(212)은 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 또는 청색 광을 발광하는 청색 발광층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유기 발광층(212)는 제1 전극(211)에 대응되는 영역에 배치될 수 있으며, 제2 기판(S2) 상에는 컬러 필터가 배치되지 않을 수 있다.
상기 제2 전극(213)은 유기 발광층(212) 상에 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 전극(213)은 유기 발광층(212) 상부에서 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 마련된다.
종래에는 관통 홀을 유기 발광 표시 장치의 표시영역에 형성하기 위해서, 관통 홀 형성 영역을 마스크(mask)로 가린 뒤에 제2 전극을 제1 기판 상에 전체적으로 형성하고, 마스크를 고정하기 위해서 가려진 부분에 제2 전극을 다시 형성하였다. 즉, 종래의 유기 발광 표시 장치는 관통 홀이 형성된 주변 영역에 제2 전극을 2회 증착 형성하게 되는데, 공정 상 제2 전극을 1회 증착할 때와 2회 증착할 때에 영역이 겹치도록 형성된다. 따라서, 종래의 유기 발광 표시 장치는 제2 전극의 두께가 불 균일해져 화상 품질이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 이와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 제1 기판(S1)의 일단에 관통 홀 형성 영역(CHA)을 둘러싸는 홈을 형성한 뒤에, 관통 홀 형성 영역(CHA)을 마스크로 가리는 공정 없이, 제2 전극(213)을 제1 기판(S1)의 표시영역(DA) 상에 전체적으로 형성한다. 관통 홀 형성 영역(CHA)을 둘러싸는 홈 영역에서 제1 기판(S1)이 끊기게 되므로, 제2 전극(213) 또한 홈 영역에서 끊기게 된다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제2 전극(213)은 스탭 커버리지(step coverage) 특성에 의해 홈 영역의 내 측면까지 연장되어 마련되며, 관통 홀 형성 영역(CHA)의 제1 기판(S1)을 제거하게 되면, 제2 전극(213)은 관통 홀(CH)의 내 측면까지 마련된다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 관통 홀 형성 영역(CHA)을 마스크로 가리는 공정 없이, 제2 전극(213)을 제1 기판(S1)의 표시영역(DA) 상에 전체적으로 1회만 증착 형성함으로써, 제2 전극(213)의 두께가 불 균일하여 발생하는 화상 품질 저하를 방지할 수 있으며 공정 증가 또한 방지할 수 있다.
한편, 유기 발광 표시 장치가 상부 발광(top emission) 구조로 형성되는 경우, 제2 전극(213)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(213) 상에는 캡핑층(capping layer)이 배치될 수 있다.
유기발광소자층(200) 상에는 상기 봉지층(300)이 배치된다. 본 발명의 일 예에 따른 봉지층(300)은 봉지막(310), 및 댐(DAM)을 포함한다.
상기 봉지막(310)은 제2 전극(213) 상에 배치되며, 유기발광소자층(200)을 덮도록 배치되어 유기 발광층(212)과 제2 전극(213)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(310)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 봉지막(310)은 제1 무기막(311), 유기막(312), 및 제2 무기막(313)를 포함할 수 있다.
제2 전극(213) 상에는 상기 제1 무기막(311)이 배치될 수 있다. 제1 무기막(311)은 제2 전극(213)을 덮도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 무기막(311)은 제2 전극(213) 및 뱅크(220)를 덮으며, 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 제2 전극(213)의 상부 및 측부를 덮는다. 제1 무기막(311)은 스탭 커버리지(step coverage) 특성이 좋기 때문에, 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장된 제2 전극(213)을 상부 및 측부를 덮도록 마련된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 무기막(311)이 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 마련됨으로써, 관통 홀(CH)의 내 측면에 마련된 제2 전극(213)의 단면이 외부로 노출되어 투습 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
제1 무기막(311)에서 발생할 수 있는 결함 및 단차를 보상하기 위해서, 제1 무기막(311) 상에는 상기 유기막(312)이 배치된다. 유기막(312)은 이물들(particles)이 제1 무기막(311)을 뚫고 유기 발광층(212)과 제2 전극(213)에 투입되는 것을 방지하며, 단차를 보상하기 위해서 충분한 두께로 형성될 수 있다. 유기막(312)은 잉크젯(inkjet) 공정을 통해서 액상 형태로 기판 상에 도포된 후 경화 공정을 거쳐 형성될 수 있다.
유기막(312) 상에는 상기 제2 무기막(313)이 배치될 수 있다. 제2 무기막(313)은 유기막(312)을 덮도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 제2 무기막(313)은 유기막(312)을 덮으며, 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 제1 무기막(311) 및 제2 전극(213)의 상부 및 측부를 덮는다. 제2 무기막(313)은 스탭 커버리지(step coverage) 특성이 좋기 때문에, 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장된 제2 전극(213)을 상부 및 측부를 덮도록 마련된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제2 무기막(313)이 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 마련됨으로써, 관통 홀(CH)의 내 측면에 마련된 제2 전극(213)의 단면이 외부로 노출되어 투습 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
제2 무기막(313)은 하부에 배치되는 유기막(312)에 의해서 결함(defect) 또는 단차가 발생하지 않으며, 따라서 외부의 수분이 장치 내부로 투습되는 경로가 형성되지 않아 표시 장치(10)의 신뢰성 및 품질 저하되는 것을 방지할 수 있다.
제1 및 제2 무기막들(311, 313) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 유기막(312)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다.
상기 댐(DAM)은 제1 기판(S1)의 표시영역(DA)에 배치되어 봉지막(310)을 구성하는 유기막(312)의 흐름을 차단한다. 보다 구체적으로, 댐(DAM)은 관통 홀(CH)의 외곽을 둘러싸도록 배치되어 봉지막(310)을 구성하는 유기막(312)의 흐름을 차단할 수 있다. 또한, 댐(DAM)은 유기막(312)의 측면에 배치되어 봉지막(310)을 구성하는 유기막(312)이 관통 홀(CH)로 침범하지 못하도록 유기막(312)의 흐름을 차단할 수 있다. 이를 통해, 댐(DAM)은 유기막(312)이 관통 홀(CH) 내부로 침범하는 것을 방지할 수 있다.
이러한 본 발명의 일 예에 따른 댐(DAM)은 내부댐(ID) 및 외부댐(OD)을 포함할 수 있다.
상기 내부댐(ID)은 유기막(312)에 인접하여 배치되며, 봉지막(310)을 구성하는 유기막(312)의 흐름을 1차적으로 차단할 수 있다.
상기 외부댐(OD)은 내부댐(ID)의 외곽을 둘러싸도록 배치되며, 내부댐(ID)과 서로 이격되어 나란히 배치된다. 이때, 외부댐(OD)과 내부댐(ID) 사이의 간격은 약 30~40um 정도로 매우 좁은 간격을 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 외부댐(OD)은 내부댐(ID)의 외곽으로 흘러 넘치는 유기막(312)을 2차적으로 차단할 수 있다. 본 발명의 일 예에 따른 댐(DAM)은 평탄화막(150), 뱅크(220), 및 스페이서를 형성할 때 동시에 형성될 수 있으며, 따라서 별도의 추가 공정 없이 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이고, 도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 일 실시예에 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6 내지 도 7g에 도시된 단면도들은 전술한 도 5에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것으로, 동일한 구성에 대해 동일한 도면부호를 부여하였다. 이하에서는 도 6 및 도 7a 내지 도 7g를 결부하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
첫 번째로, 도 7a와 같이, 제1 기판(S1) 상에 박막 트랜지스터(120)를 형성한다. (S601)
구체적으로 설명하면, 우선, 제1 기판(111) 상에 버퍼막(110)을 형성하고, 박막 트랜지스터(120)의 액티브층(121)을 형성한다. 보다 구체적으로, 스퍼터링법(Sputtering) 또는 MOCVD법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 등을 이용하여 제1 기판(111) 상의 전면에 액티브 금속층을 형성한다. 그리고 나서, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 액티브 금속층을 패터닝하여 액티브층(121)을 형성한다. 액티브층(121)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다.
그런 다음, 액티브층(121) 상에 게이트 절연막(130)을 형성한다. 게이트 절연막(130)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그런 다음, 게이트 절연막(130) 상에 박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(122) 및 게이트 라인을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법 또는 MOCVD법 등을 이용하여 게이트 절연막(130) 상의 전면(全面)에 제1 금속층을 형성한다. 그 다음, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 제1 금속층을 패터닝하여 게이트 전극(122) 및 게이트 라인을 형성한다. 게이트 전극(122) 및 게이트 라인은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
그런 다음, 게이트 전극(122) 상에 층간 절연막(140)을 형성한다. 층간 절연막(140)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그런 다음, 게이트 절연막(130)과 층간 절연막(140)을 관통하여 액티브층(121)을 노출시키는 컨택홀들과 층간 절연막(140)을 관통하여 게이트 라인을 노출시키는 컨택홀들을 형성한다.
그런 다음, 층간 절연막(140) 상에 박막 트랜지스터(120)의 소스 및 드레인 전극들(123, 124)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법 또는 MOCVD법 등을 이용하여 층간 절연막(140) 상의 전면에 제2 금속층을 형성한다. 그 다음, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 제2 금속층을 패터닝하여 소스 및 드레인 전극들(123, 124)을 형성한다. 소스 및 드레인 전극들(123, 124) 각각은 게이트 절연막(130)과 층간 절연막(140)을 관통하는 컨택홀을 통해 액티브층(121)에 접속될 수 있다. 소스 및 드레인 전극들(123, 124)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
두 번째로, 도 7b와 같이, 제1 기판(S1)의 일단에 관통 홀 형성 영역(CHA) 주변을 둘러싸는 홈(SH)을 형성한다. (S602)
세 번째로, 도 7c와 같이, 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(211)을 형성한다. (S603)
우선, 박막 트랜지스터(120)의 소스 및 드레인 전극들(123, 124) 상에 박막 트랜지스터(120)로 인한 단차를 평탄화하기 위한 평탄화막(150)을 형성한다. 평탄화막(150)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
그런 다음, 평탄화막(150) 상에 평탄화막(150) 상에 유기발광소자(210)의 제1 전극(211)을 형성한다. 구체적으로, 스퍼터링법 또는 MOCVD법 등을 이용하여 평탄화막(150) 상의 전면에 제3 금속층을 형성한다. 그리고 나서, 포토 레지스트 패턴을 이용한 마스크 공정으로 제3 금속층을 패터닝하여 제1 전극(211)을 형성한다. 제1 전극(211)은 평탄화막(150)을 관통하는 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(120)의 소스 전극(213)에 접속될 수 있다. 제1 전극(211)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다.
네 번째로, 도 7d와 같이, 제1 전극(211) 상에 유기 발광층(212)을 형성한다. (S604)
우선, 화소들을 구획하기 위해 평탄화막(150) 상에서 제1 전극(211)의 가장자리를 덮도록 뱅크(220)를 형성하고, 이와 함께 댐(DAM)을 형성한다. 이때, 댐(DAM)은 관통 홀 형성 영역(CHA)을 둘러싸도록 형성된다. 댐(DAM) 및 뱅크(220) 각각은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.
한편, 댐(DAM)이 뱅크(220)와 동시에 형성되는 것으로 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 댐(DAM)은 평탄화막(150)과 동시에 형성될 수도 있다.
그런 다음, 제1 전극(211)과 뱅크(220) 상에 유기 발광층(212)을 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성한다.
네 번째로, 도 7e와 같이, 관통 홀 형성 영역(CHA) 및 유기 발광층(212) 상에 제2 전극(213)을 형성한다. (S605)
제2 전극(213)은 화소들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 전극(213)은 유기 발광층(212) 상부에서 홈(SH)의 내 측면, 즉, 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 마련된다.
종래에는 관통 홀을 유기 발광 표시 장치의 표시영역에 형성하기 위해서, 관통 홀 형성 영역을 마스크(mask)로 가린 뒤에 제2 전극을 제1 기판 상에 전체적으로 형성하고, 마스크를 고정하기 위해서 가려진 부분에 제2 전극을 다시 형성하였다. 즉, 종래의 유기 발광 표시 장치는 관통 홀이 형성된 주변 영역에 제2 전극을 2회 증착 형성하게 되는데, 공정 상 제2 전극을 1회 증착할 때와 2회 증착할 때에 영역이 겹치도록 형성된다. 따라서, 종래의 유기 발광 표시 장치는 제2 전극의 두께가 불 균일해져 화상 품질이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 이와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 제1 기판(S1)의 일단에 관통 홀 형성 영역(CHA)을 둘러싸는 홈(SH)을 형성한 뒤에, 관통 홀 형성 영역(CHA)을 마스크로 가리는 공정 없이, 제2 전극(213)을 제1 기판(S1)의 표시영역(DA) 상에 전체적으로 형성한다. 관통 홀 형성 영역(CHA)을 둘러싸는 홈(SH) 영역에서 제1 기판(S1)이 끊기게 되므로, 제2 전극(213) 또한 홈 영역에서 끊기게 된다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제2 전극(213)은 스탭 커버리지(step coverage) 특성에 의해 홈 영역의 내 측면까지 연장되어 마련되며, 관통 홀 형성 영역(CHA)의 제1 기판(S1)을 제거하게 되면, 제2 전극(213)은 관통 홀(CH)의 내 측면까지 마련된다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 관통 홀 형성 영역(CHA)을 마스크로 가리는 공정 없이, 제2 전극(213)을 제1 기판(S1)의 표시영역(DA) 상에 전체적으로 1회만 증착 형성함으로써, 제2 전극(213)의 두께가 불 균일하여 발생하는 화상 품질 저하를 방지할 수 있으며 공정 증가 또한 방지할 수 있다.
제2 전극(213)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(213)은 스퍼터링법과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다. 제2 전극(213) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.
다섯 번째로, 도 7f와 같이, 제2 전극(213)을 덮는 봉지막(310)을 형성한다. (S606)
유기발광소자층(200) 상에 봉지층(300)을 형성한다. 구체적으로 설명하면, 유기발광소자층(200)을 덮도록 제1 무기막(311), 유기막(312), 및 제2 무기막(313)을 차례로 형성한다.
우선, 평탄화막(150), 뱅크(220), 및 제2 전극(213)을 덮도록 제1 무기막(311)을 형성한다. 구체적으로, 제1 무기막(311)은 제2 전극(213) 및 뱅크(220)를 덮으며, 관통 홈(SH)의 내 측면까지 연장되어 제2 전극(213)의 상부 및 측부를 덮는다. 제1 무기막(311)은 스탭 커버리지(step coverage) 특성이 좋기 때문에, 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장된 제2 전극(213)을 상부 및 측부를 덮도록 마련된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 무기막(311)이 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 마련됨으로써, 관통 홀(CH)의 내 측면에 마련된 제2 전극(213)의 단면이 외부로 노출되어 투습 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
그런 다음, 제1 무기막(311) 상에 유기막(312)을 형성한다. 유기막(312)은 제1 무기막(311)을 덮도록 형성된다. 유기막(312)은 이물들(particles)이 제1 무기막(311)을 뚫고 유기 발광층(212)과 제2 전극(213)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
그런 다음, 제2 무기막(313)은 유기막(312)을 덮도록 형성된다. 구체적으로, 제2 무기막(313)은 유기막(312)을 덮으며, 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 제1 무기막(311) 및 제2 전극(213)의 상부 및 측부를 덮는다. 제2 무기막(313)은 스탭 커버리지(step coverage) 특성이 좋기 때문에, 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장된 제2 전극(213)의 상부 및 측부를 덮도록 마련된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제2 무기막(313)이 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 마련됨으로써, 관통 홀(CH)의 내 측면에 마련된 제2 전극(213)의 단면이 외부로 노출되어 투습 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
제1 및 제2 무기막들(311, 313) 각각은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 유기막(312)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다.
여섯 번째로, 도 7g와 같이, 관통 홀 형성 영역(CHA) 내에 제1 기판(S1)을 제거하여 관통 홀(CH)을 형성한다. (S607)
관통 홀 형성 영역(CHA)의 제1 기판(S1) 상에는 제2 전극(213), 제1 무기막(311), 및 제2 무기막(313)이 형성될 수 있다. 홈(SH) 안쪽에 형성된 제1 기판(S1)을 제거함으로써, 관통 홀 형성 영역(CHA) 내에 관통 홀(CH)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 관통 홀(CH)을 마스크로 가리는 공정 없이, 제2 전극(213)을 제1 기판(S1)의 표시영역(DA) 상에 전체적으로 형성함으로써, 제2 전극(213)이 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 마련되며, 제2 전극(213)을 1회만 증착 형성함으로써, 제2 전극(213)의 두께가 불 균일하여 발생하는 화상 품질 저하를 방지할 수 있으며 공정 증가 또한 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 및 제2 무기막(311, 313)이 관통 홀(CH)의 내 측면까지 연장되어 마련됨으로써, 관통 홀(CH)의 내 측면에 마련된 제2 전극(213)의 단면이 외부로 노출되어 투습 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 표시 패널 11: 게이트 구동부
12: 소스 드라이브 IC 13: 연성필름
14: 회로보드 15: 타이밍 제어부
S1: 제1 기판 S2: 제2 기판
20: 편광판 30: 프레임
40: 커버부재 100: 박막 트랜지스터층
110: 버퍼막 120: 박막 트랜지스터
121: 액티브층 122: 게이트 전극
123: 소스 전극 124: 드레인 전극
130: 게이트 절연막 140: 층간 절연막
150: 평탄화막 200: 유기발광소자층
210: 유기발광소자 211: 제1 전극
212: 유기 발광층 213: 제2 전극
220: 뱅크 300: 봉지층
310: 봉지막 311: 제1 무기막
312: 유기막 313: 제2 무기막
DAM: 댐 ID: 내부댐
OD: 외부댐
12: 소스 드라이브 IC 13: 연성필름
14: 회로보드 15: 타이밍 제어부
S1: 제1 기판 S2: 제2 기판
20: 편광판 30: 프레임
40: 커버부재 100: 박막 트랜지스터층
110: 버퍼막 120: 박막 트랜지스터
121: 액티브층 122: 게이트 전극
123: 소스 전극 124: 드레인 전극
130: 게이트 절연막 140: 층간 절연막
150: 평탄화막 200: 유기발광소자층
210: 유기발광소자 211: 제1 전극
212: 유기 발광층 213: 제2 전극
220: 뱅크 300: 봉지층
310: 봉지막 311: 제1 무기막
312: 유기막 313: 제2 무기막
DAM: 댐 ID: 내부댐
OD: 외부댐
Claims (10)
- 화소들이 배치된 표시영역, 및 상기 표시영역을 둘러싸는 비 표시영역을 포함하는 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 배치된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극; 및
상기 제1 전극, 상기 유기 발광층, 및 상기 제2 전극을 덮는 봉지막을 포함하고,
상기 제1 기판은 일단에 관통 홀을 가지며, 상기 제2 전극은 상기 관통 홀의 내 측면까지 형성되고,
상기 봉지막은 상기 관통 홀의 내 측면까지 형성된 상기 제2 전극을 덮도록 형성된 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 관통 홀은 상기 제1 기판의 표시영역에 마련된 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 관통 홀을 둘러싸는 상기 제 1 기판은 벤딩되지 않는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 봉지막은 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막을 덮는 제2 무기막을 포함하며,
상기 제1 무기막 및 상기 제2 무기막은 상기 제2 전극의 상부 및 측부를 덮는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 봉지막은 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막을 덮는 제2 무기막을 포함하며,
상기 제1 무기막 및 상기 제2 무기막은 상기 관통 홀의 내 측면까지 마련된 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 봉지막은 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막을 덮는 제2 무기막을 포함하며,
상기 유기막 측면에 배치되며, 상기 관통 홀을 둘러싸는 댐을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 댐은 상기 제1 기판의 표시영역에 마련된 유기 발광 표시 장치. - 제1 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 제1 기판의 일단에 관통 홀 형성 영역 주변을 둘러싸는 홈을 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계;
상기 관통 홀 형성 영역 및 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;
상기 제2 전극을 덮는 봉지막을 형성하는 단계; 및
상기 홈에 의해 둘러싸인 상기 관통 홀 형성 영역의 상기 제1 기판을 제거하여 관통 홀을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 관통 홀 형성 영역 및 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 제2 전극이 상기 홈의 내 측면에서 끊기도록 상기 관통 홀 형성 영역을 마스크로 가리는 공정 없이 상기 제2 전극을 상기 제1 기판 상에 1회만 전체적으로 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제2 전극을 덮는 봉지막을 형성하는 단계는 상기 홈의 내 측면에서 끊긴 상기 제2 전극을 덮도록 상기 봉지막이 상기 홈의 내 측면까지 연장되어 형성되는 단계를 포함하고,
상기 제2 전극은 상기 관통 홀의 내 측면까지 형성되고,
상기 봉지막은 상기 관통 홀의 내 측면까지 형성된 상기 제2 전극을 덮도록 형성된 유기 발광 표시 장치의 제조방법. - 삭제
- 제 8 항에 있어서,
상기 봉지막은 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막을 덮는 제2 무기막을 포함하며,
상기 관통 홀을 형성하는 단계 이전에,
상기 관통 홀 형성 영역의 제1 기판 상에는 상기 제2 전극, 상기 제1 무기막, 및 상기 제2 무기막이 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170174780A KR102482534B1 (ko) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170174780A KR102482534B1 (ko) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190073695A KR20190073695A (ko) | 2019-06-27 |
| KR102482534B1 true KR102482534B1 (ko) | 2022-12-28 |
Family
ID=67056963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170174780A Active KR102482534B1 (ko) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102482534B1 (ko) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210003990A (ko) * | 2019-07-02 | 2021-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20210027715A (ko) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN110634410A (zh) * | 2019-10-21 | 2019-12-31 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置 |
| KR102779967B1 (ko) | 2020-01-02 | 2025-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210107216A (ko) * | 2020-02-21 | 2021-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| KR20210131507A (ko) | 2020-04-23 | 2021-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| JP2022539629A (ja) * | 2020-05-27 | 2022-09-13 | 武漢華星光電半導体顕示技術有限公司 | アレイ基板及びその製造方法とディスプレイパネル |
| CN111816664B (zh) * | 2020-06-24 | 2024-02-02 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| KR20220001805A (ko) | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| JP2022072381A (ja) * | 2020-10-29 | 2022-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法及び有機ｅｌパネル |
| CN114551534A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-05-27 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN115274570A (zh) * | 2022-08-01 | 2022-11-01 | 江苏长电科技股份有限公司 | 一种封装结构以及相应的制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016085990A (ja) * | 2004-03-16 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102175991B1 (ko) * | 2014-12-26 | 2020-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102552272B1 (ko) * | 2015-11-20 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102490891B1 (ko) * | 2015-12-04 | 2023-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102502656B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2023-02-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2017
- 2017-12-19 KR KR1020170174780A patent/KR102482534B1/ko active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016085990A (ja) * | 2004-03-16 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190073695A (ko) | 2019-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102482534B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 | |
| US10998391B2 (en) | Display apparatus with a crack detection line | |
| US10910441B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102481863B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US11641756B2 (en) | Display device with enhanced damage resistance and method for manufacturing the same | |
| US10608199B2 (en) | Display apparatus | |
| KR20180073194A (ko) | 표시장치 | |
| KR20190048642A (ko) | 디스플레이 장치 | |
| KR102489225B1 (ko) | 표시장치와 그의 제조방법 | |
| KR102483563B1 (ko) | 표시장치 | |
| KR102456123B1 (ko) | 표시장치 | |
| KR102731256B1 (ko) | 표시장치와 그의 제조방법 | |
| KR102426268B1 (ko) | 표시장치와 그의 제조방법 | |
| KR102555648B1 (ko) | 표시장치 | |
| KR102512418B1 (ko) | 표시장치 | |
| JP2009076437A (ja) | 表示装置 | |
| US20250024709A1 (en) | Display device | |
| KR102542873B1 (ko) | 표시장치 | |
| KR102612737B1 (ko) | 표시장치 | |
| KR102431313B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102665541B1 (ko) | 표시장치와 그의 제조방법 | |
| KR102398001B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20200025582A (ko) | 표시장치 | |
| KR102727008B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR102465139B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20171219 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20201209 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20171219 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220509 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20221102 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20221226 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20221226 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |