JP2009076437A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造コスト及び製造工程数を増大することなく、製造歩留まりの低下を防止することが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】表示エリア１０２に自発光素子を備えたアレイ基板１００と、アレイ基板１００の自発光素子側に対向して配置された封止基板２００と、表示エリア１０２を囲むように枠状に配置され、アレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合せるシール材３００と、表示エリア１０２に配置され、シール材３００の下を通り、封止基板２００の端部２００Ａより外方に延在したアレイ基板１００の延在部１００Ａに引き出された信号供給配線１２と、自発光素子を覆うように配置された保護膜１１５と、を備え、保護膜１１５は、さらに、シール材３００の外側において封止基板２００の端部２００Ａに対向する信号供給配線１２を覆うように配置されたことを特徴とする。
【選択図】 図３Ａ

Description

この発明は、表示装置に係り、特に、自発光素子を含んで構成される表示装置に関する。

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。

有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持して構成されている。しかしながら、このような有機ＥＬ素子に用いられる材料、特に、有機活性層を構成する材料には、水分や酸素により劣化しやすいものが含まれる。このため、有機ＥＬ素子は、アレイ基板に対向配置された封止基板により気密に封止されている。

アレイ基板に信号供給源を接続するための端子部は、封止基板の端部から露出するように設けられている。このため、アレイ基板上の端子部にかかる封止基板は除去される。例えば、基板上に形成された発光部を封止する封止膜を形成してなる有機ＥＬ素子において、有機膜と無機膜とを積層してなる封止膜にレーザー光を照射し、封止膜を除去することによって端子部を露出する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、このような技術とは別に、ガラス基板からなる封止基板をアレイ基板に貼り合わせた後に、端子部にかかる封止基板を割断することによって除去する技術もある。
特開２００６−０６６３６４号公報

アレイ基板は、端子部に接続された信号供給配線を備えている。この信号供給配線は、信号供給源から有機ＥＬ素子に対して各種信号や電源を供給するための配線である。このような構成のアレイ基板上の端子部にかかる封止基板を割断した際、切り落とされた不要部分がアレイ基板上の信号供給配線に接触して、信号供給配線の断線を引き起こしてしまうことがある。したがって、表示装置の製造歩留まりの低下を招くおそれがある。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、製造歩留まりの低下を防止することが可能な表示装置を提供することにある。

この発明の第１態様による表示装置は、
表示エリアに自発光素子を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記自発光素子側に対向して配置された封止基板と、
前記表示エリアを囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合せるシール材と、
前記表示エリアに配置され、前記シール材の下を通り、前記封止基板の端部より外方に延在した前記アレイ基板の延在部に引き出された信号供給配線と、
前記自発光素子を覆うように配置された保護膜と、を備え、
前記保護膜は、さらに、前記シール材の外側において前記封止基板の端部に対向する前記信号供給配線を覆うように配置されたことを特徴とする。

この発明の第２態様による表示装置は、
表示エリアに配置された自発光素子と、前記自発光素子を覆うように配置された無機系材料からなる保護膜と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記自発光素子側に対向して配置された封止基板と、
前記表示エリアを囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるフリットガラスからなるシール材と、
前記表示エリアに配置され、前記シール材の下を通り、前記シール材より外方に延在した前記アレイ基板の延在部に引き出された信号供給配線と、を備え、
前記保護膜は、さらに、前記信号供給配線と前記シール材との間において前記シール材に接するように配置されていることを特徴とする。

この発明によれば、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、製造歩留まりの低下を防止することが可能な表示装置を提供することができる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。

有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、表示エリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び青色画素ＰＸＢによって構成されている。

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３、蓄積容量素子Ｃｓなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチ素子ＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート−ソース間の電位を保持する機能を有している。

駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び第３スイッチ素子ＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタによって構成され、その半導体層は、ここではポリシリコンによって形成されている。

このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子Ｃｓが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。

そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子Ｃｓで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。

表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、有機絶縁膜１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種信号供給配線（ゲート線ＧＬ、映像信号線ＳＬ、電源線Ｐ等）１２などを備えて構成されている。これらのアンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び層間絶縁膜１１３は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの無機系材料によって形成されている。有機絶縁膜１１４は、絶縁性の樹脂材料を用いてパターニングすることにより形成されている。なお、必要に応じて、層間絶縁膜１１３と有機絶縁膜１１４との間に、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機系材料によって形成されたパッシベーション膜を配置しても良い。

すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇなどが配置されている。ゲート電極２０Ｇは、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄなどが配置されている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、有機絶縁膜１１４によって覆われている。

有機ＥＬ素子４０は、各画素ＰＸに独立島状に配置された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され複数の画素ＰＸに共通の第２電極６４と、これらの第１電極６０と第２電極６４との間に保持された有機活性層６２と、によって構成されている。

第１電極６０は、配線基板１２０の表面の有機絶縁膜１１４上に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、有機絶縁膜１１４に形成されたコンタクトホールを介してトランジスタ素子２０のドレイン電極２０Ｄに接続されている。トップエミッション方式の場合、第１電極６０は、反射層を含んでいることが望ましい。例えば、第１電極６０は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成された透過層と、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料によって形成された反射層とを積層した積層体によって構成しても良いし、他の構成、例えば反射層単層または透過層単層で構成してもよい。

有機活性層６２は、第１電極６０上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含んでも良く、例えば、ホール輸送層、ホール注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含んでも良い。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。このような有機活性層６２は、高分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、インクジェット法などの選択塗布法により成膜可能である。また、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。

第２電極６４は、有機活性層６２を覆うように配置され、陰極として機能する。この第２電極６４は、半透過層を含んでいてもよい。すなわち、第２電極６４は、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層と、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などによって形成された半透過層とを積層した積層体によって構成しても良いし、半透過層単層の電極として構成してもよい。なお、第２電極６４は、透過層単層で構成してもよいことは言うまでもない。この第２電極６４は、低電位電源線Ｐ２に接続されている。

有機ＥＬ素子４０は、保護膜１１５によって覆われている。すなわち、第２電極６４は、保護膜１１５によって覆われている。この保護膜１１５は、少なくとも窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機系材料によって形成された膜を含んでいる。このような無機系材料のうち、第２電極６４と同等の屈折率の無機系材料からなる保護膜１１５は、マイクロキャビティ構造を実現する上で、光路長を最適化する光路調整層としても機能し得る。

また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、第１電極６０の周縁を覆うように格子状またはストライプ状に配置されている。このような隔壁７０は、絶縁性の樹脂材料を用いてパターニングすることによって形成されている。また、隔壁７０は、有機活性層６２とともに、第２電極６４によって覆われている。

アレイ基板１００の少なくとも表示エリア１０２は、封止基板２００によって封止されている。すなわち、封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０側に対向するように配置されている。そして、これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、表示エリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール材３００により貼り合わせられている。シール材３００は、感光性樹脂（例えば紫外線硬化型樹脂）であっても良いし、フリットガラスであっても良い。これにより、有機ＥＬ素子４０は、気密なスペースに封止される。トップエミッション方式の場合、封止基板２００の内面（すなわちアレイ基板１００と対向する面）には、シール材３００と表示エリア１０２との間に図示しない乾燥剤が配置可能である。

さらに、アレイ基板１００は、図１に示すように、表示エリア１０２の外側に端子部５０を備えている。端子部５０は、封止基板２００の端部２００Ａより外方に延在したアレイ基板１００の表面側（画素ＰＸなどが配置された側）における延在部１００Ａに配置されている。表示エリア１０２に配置された各種信号供給配線１２（ゲート線ＧＬ、映像信号線ＳＬ、電源線Ｐ等）のそれぞれは、アレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合せるシール材３００の下を通り、延在部１００Ａに引き出され、端子部５０に接続されている。端子部５０には、画素ＰＸを駆動するのに必要な駆動信号を出力する駆動ＩＣチップやフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）などの信号供給源が接続される。

（第１実施形態）
第１実施形態において、図３Ａに示すように、保護膜１１５は、さらに、シール材３００の外側において、封止基板２００の端部２００Ａと対向する信号供給配線１２の表面を覆っている。図３Ｂに示すように、保護膜１１５は、封止基板２００の端部２００Ａから封止基板２００の法線方向に延びた延長面２００Ｂとアレイ基板１００との交わり線１００Ｂ上の信号供給配線１２上に配置されている。つまり、保護膜１１５は、交わり線１００Ｂを含み所定の幅を持って配置されている。なお、端部２００Ａからシール材３００までの距離が短い場合には、保護膜１１５は、シール材３００に接するように配置されることが望ましい。この第１実施形態においては、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５及び信号供給配線１２を覆う保護膜１１５は、ともに無機系材料によって形成されている。

このような第１実施形態によれば、アレイ基板１００上の端子部５０にかかる封止基板２００を割断する際、割断面となる封止基板２００の端部２００Ａに対向する信号供給配線１２が保護膜１１５によって覆われているため、信号供給配線１２が保護される。つまり、割断された不要部分がアレイ基板１００に接触しても、保護膜１１５により、不要部分の信号供給配線１２への接触を防止することができ、信号供給配線１２の断線を防止することが可能となる。

また、有機ＥＬ素子４０上の保護膜１１５と、信号供給配線１２上の保護膜１１５とは、同一材料で形成されているため、有機ＥＬ素子４０上に保護膜１１５を成膜する工程と同時に、信号供給配線１２上に保護膜１１５を成膜することが可能である。このような保護膜１１５の成膜は、例えばマスク蒸着によってなされ、表示エリア１０２のみならず信号供給配線１２に対応した部分に開口を有するマスクを適用することにより、同一工程で有機ＥＬ素子４０及び信号供給配線１２の上に保護膜１１５を成膜することが可能となる。このため、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５の別の材料を用いる必要がなく、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５を蒸着する新たな製造工程が不要である。

したがって、第１実施形態によれば、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。

（第２実施形態）
第２実施形態において、図４Ａに示すように、保護膜１１５は、シール材３００の外側において、封止基板２００の端部２００Ａと対向する信号供給配線１２の表面を覆っている。第１実施形態と同様に、保護膜１１５は、封止基板２００の端部２００Ａから封止基板２００の法線方向に延びた延長面２００Ｂとアレイ基板１００との交わり線１００Ｂ上の信号供給配線１２上に配置されている。

この第２実施形態においては、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５と信号供給配線１２を覆う保護膜１１５とは、ともに有機系材料からなる保護膜（有機層）１１５Ａと、その上に積層された無機系材料からなる保護膜（無機層）１１５Ｂとの積層体によって形成されている。なお、図４Ａでは、２層構造の保護膜１１５を図示しているが、複数の有機層と無機層とを交互に積層した保護膜１１５を適用してもよい。

このように保護膜１１５を形成しても、第１実施形態と同様に、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となる。また、第２実施形態において、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５は、有機系材料からなる保護膜１１５Ａと無機系材料からなる保護膜１１５Ｂとを積層した積層体によって構成されているため、膜厚が増える。このため、さらに、効果的に信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となる。

また、有機ＥＬ素子４０上の保護膜１１５と、信号供給配線１２上の保護膜１１５とは、同一材料を用いて同一工程で形成される。したがって、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。

（第２実施形態−変形例）
この変形例においては、図４Ｂに示すように、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５は、第２実施形態と同様に、有機系材料からなる保護膜１１５Ａと無機系材料からなる保護膜１１５Ｂとから形成されている一方で、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５は、無機系材料からなる保護膜１１５Ｂのみによって形成されている。このような保護膜１１５を適用しても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

（第３実施形態）
第３実施形態において、図５に示すように、保護膜１１５は、シール材３００の外側において、封止基板２００の端部２００Ａと対向する信号供給配線１２の表面を覆っている。また、有機活性層６２は、さらに、シール材３００の外側において、信号供給配線１２の表面を覆っている。つまり、信号供給配線１２と保護膜１１５との間に有機活性層６２が配置されている。このような保護膜１１５及び有機活性層６２は、封止基板２００の端部２００Ａから封止基板２００の法線方向に延びた延長面２００Ｂとアレイ基板１００との交わり線１００Ｂ上の信号供給配線１２上に配置されている。このように、信号供給配線１２と保護膜１１５の間に配置された有機活性層６２も、実質的に信号供給配線１２を保護する保護膜として機能する。

この第３実施形態においては、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５と信号供給配線１２を覆う保護膜１１５は、ともに無機系材料のみによって形成されても良いし、無機系材料と有機系材料との積層体によって形成されていても良い。いずれの保護膜１１５を適用しても、信号供給配線１２は、保護膜１１５に加えて有機活性層６２にも覆われている。このため、信号供給配線１２を保護する保護膜の膜厚が増えるため、さらに、効果的に信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となる。なお、信号供給配線１２と保護膜１１５との間に配置される有機活性層６２は、赤、緑、青のそれぞれの色画素に配置されるものを積層しても良く、これにより、さらに膜厚を増すことが可能となる。

また、有機ＥＬ素子４０上の保護膜１１５と、信号供給配線上の保護膜１１５とは、同一材料を用いて同一工程で形成される。また、有機活性層６２が低分子系材料によって形成されている場合には、保護膜１１５と同様にマスク蒸着法によって成膜可能であるため、有機ＥＬ素子４０の有機活性層６２と、信号供給配線１２上の有機活性層６２とは、同一材料で形成される。したがって、第３実施形態によれば、第１実施形態と同様に、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。

上述した第１乃至第３実施形態は、シール材３００が感光性樹脂である場合にも、フリットガラスである場合にも適用可能である。

（第４実施形態）
第４実施形態は、シール材３００がフリットガラスからなる場合（フリット封止）に好適な構成である。すなわち、アレイ基板１００と封止基板２００とは、表示エリア１０２を囲む枠状のシール材３００によって貼り合せられている。

第４実施形態において、図６に示すように、保護膜１１５は、シール材３００が形成されている領域において、信号供給配線１２とシール材３００との間に介在し、シール材３００に接するように配置されている。特に、この第４実施形態においては、保護膜１１５は、無機系材料によって形成されている。

フリットガラスからなるシール材３００を適用する構成においては、高い気密性が要求される。このため、シール材３００のアレイ基板１００との接着性が極めて重要である。発明者の検討によれば、フリットガラスは、配線材料となる金属との接着性が弱いことがわかった。

このため、本実施形態においては、フリットガラスからなるシール材３００の下地として、無機系材料からなる保護膜１１５を適用し、シール材３００が保護膜１１５と接するように配置されている。このため、シール材３００と保護膜１１５とが密着する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００とが気密に貼り合わせられ、水分や酸素の流入を防ぐことが可能となる。したがって、第４実施形態によれば、有機ＥＬ素子４０の劣化を防止することが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。

さらに、図６に示した例では、保護膜１１５は、シール材３００の外側に延在し、封止基板２００の端部２００Ａと対向する信号供給配線１２の表面を覆っている。このように保護膜１１５を形成すると、第１実施形態と同様に、信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となる。

また、フリット封止の場合においては、レーザーを照射するなどして熱を加えることによって、フリットガラスを溶融してアレイ基板１００と封止基板２００とが接着される。この第４実施形態においては、シール材３００の下に配置された信号供給配線１２は、比較的耐熱性の高い無機系材料（例えば、ＳｉＯＮ）によって形成された保護膜１１５によって覆われている。このため、シール材３００が溶融したときの熱による信号供給配線１２へのダメージを低減することが可能となる。

表示エリア１０２においては、信号供給配線１２より封止基板側に、有機絶縁膜１１４や隔壁７０などの有機系材料によって形成された絶縁層が積層されている。このような有機系材料からなる絶縁層は、比較的耐熱性が低く、無機系材料と比較してフリットガラスとの接着性が劣る。このため、有機絶縁膜１１４及び隔壁７０は、シール材３００よりも内側に留まるように配置されている。つまり、フリット封止を適用する本実施形態においては、有機系材料からなる絶縁層は、シール材３００と接する保護膜１１５を構成することはなく、また、保護膜１１５と信号供給配線１２との間にも介在していない。

また、有機ＥＬ素子４０上の保護膜１１５と、信号供給配線１２上の保護膜１１５とは、同一材料を用いて同一工程で形成される。したがって、第４実施形態によれば、製造コスト及び製造工程数を増大することなく、水分や酸素の流入及び信号供給配線１２の断線を防ぐことが可能となり、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。

なお、上述した第１実施形態乃至第４実施形態において、図７に示すように、有機ＥＬ素子４０を覆う保護膜１１５と、信号供給配線１２を覆う保護膜１１５とを、一体的に形成しても良い。このとき、保護膜１１５は、シール材３００の下を通り、信号供給配線１２を覆うように配置される。

また、シール材３００の外側において、信号供給配線１２と保護膜１１５との間には、信号供給配線１２より上に積層されている層、例えば、有機絶縁膜１１４や、無機系材料によって形成された図示しないパッシベーション膜などを配置しても良い。これにより、プロセス負荷を増すことなく、信号供給配線１２を保護するのに十分な膜厚の保護層を得ることが可能となる。

以上説明したように、この実施の形態の表示装置によれば、製造コスト及び製造工程を増大することなく、製造歩留まりの低下を防止することが可能となる。

なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構成例を概略的に示す断面図である。 図３Ａは、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図３Ｂは、図３Ａに示した有機ＥＬ表示装置の表示エリアの一部の構造を概略的に示す図である。 図４Ａは、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図４Ｂは、第２実施形態の変形例に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図５は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構成を概略的に示す断面図である。 図６は、第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構成を概略的に示す断面図である。 図７は、変形例に係る有機ＥＬ表示装置を切断したときの構成を概略的に示す断面図である。

符号の説明

１…有機ＥＬ表示装置 ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…色画素
１０…画素回路 ＤＲＴ…駆動トランジスタ
ＳＷ１…第１スイッチ ＳＷ２…第２スイッチ
ＳＷ３…第３スイッチ Ｃｓ…蓄積容量素子
４０…有機ＥＬ素子 ６０…第１電極
６２…有機活性層 ６４…第２電極
７０…隔壁
１００…アレイ基板 １０２…表示エリア
１１４…有機絶縁膜 １１５…保護膜 １２０…配線基板
２００…封止基板 ３００…シール材
１２…信号供給配線

Claims (9)

1. 表示エリアに自発光素子を備えたアレイ基板と、
   前記アレイ基板の前記自発光素子側に対向して配置された封止基板と、
   前記表示エリアを囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合せるシール材と、
   前記表示エリアに配置され、前記シール材の下を通り、前記封止基板の端部より外方に延在した前記アレイ基板の延在部に引き出された信号供給配線と、
   前記自発光素子を覆うように配置された保護膜と、を備え、
   前記保護膜は、さらに、前記シール材の外側において前記封止基板の端部に対向する前記信号供給配線を覆うように配置されたことを特徴とする表示装置。
2. 前記保護膜は、無機系材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載された表示装置。
3. 前記保護膜は、無機系材料と有機系材料とが積層されることによって形成されたことを特徴とする請求項１に記載された表示装置。
4. 前記自発光素子を覆う前記保護膜は、有機系材料と無機系材料とが積層されることによって形成され、
   前記信号供給配線を覆う前記保護膜は、無機系材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記シール材は、フリットガラスからなり、
   前記信号供給配線を覆う保護膜は、無機系材料によって形成され、前記シール材と前記信号供給配線との間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記自発光素子は、
   各画素に配置された第１電極と、
   前記第１電極上に配置された有機活性層と、
   前記有機活性層上に配置され、複数の画素に共通の第２電極と、を備え、
   前記有機活性層は、さらに、前記シール材の外側において、前記信号供給配線と前記保護膜との間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 表示エリアに配置された自発光素子と、前記自発光素子を覆うように配置された無機系材料からなる保護膜と、を備えたアレイ基板と、
   前記アレイ基板の前記自発光素子側に対向して配置された封止基板と、
   前記表示エリアを囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを貼り合わせるフリットガラスからなるシール材と、
   前記表示エリアに配置され、前記シール材の下を通り、前記シール材より外方に延在した前記アレイ基板の延在部に引き出された信号供給配線と、を備え、
   前記保護膜は、さらに、前記信号供給配線と前記シール材との間において前記シール材に接するように配置されていることを特徴とする表示装置。
8. 前記保護膜は、さらに、前記シール材の外側において前記封止基板の端部に対向する前記信号供給配線を覆うように配置されたことを特徴と請求項７に記載の表示装置。
9. 前記自発光素子は、
   各画素に配置された第１電極と、
   前記第１電極上に配置された有機活性層と、
   前記有機活性層上に配置され、複数の画素に共通の第２電極と、を備え、
   前記有機活性層は、さらに、前記シール材の外側において、前記信号供給配線と前記保護膜との間に配置されたことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。

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