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KR102779967B1 - 표시 장치 - Google Patents

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KR102779967B1
KR102779967B1 KR1020200000486A KR20200000486A KR102779967B1 KR 102779967 B1 KR102779967 B1 KR 102779967B1 KR 1020200000486 A KR1020200000486 A KR 1020200000486A KR 20200000486 A KR20200000486 A KR 20200000486A KR 102779967 B1 KR102779967 B1 KR 102779967B1
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한미정
김영대
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 개구영역, 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 및 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 배치된 제1비표시영역을 구비한 기판; 상기 표시영역에 배치되고, 화소전극 및 대향전극을 포함하는 표시요소; 상기 표시요소를 덮으며, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 및 상기 제1비표시영역 상으로 연장된 상기 제1무기봉지층 및 상기 제2무기봉지층이 서로 컨택되며 배치된 복수의 그루브들을 구비한 댐부;를 포함하고, 상기 댐부는 상기 개구영역 및 상기 제1비표시영역을 구분하는 경계선에 인접하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치{Display apparatus}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 개구영역을 가지는 표시 패널을 구비한 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적이 확대되면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 화대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로 표시영역 내측에 이미지 디스플레이가 아닌 다양한 기능을 부가하기 위한 영역을 갖는 표시 장치의 연구가 계속되고 있다.
본 발명의 실시예들은 표시영역 내측에 개구영역을 가지는 표시 패널을 구비한 표시 장치에 있어서, 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 개구영역, 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 및 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 배치된 제1비표시영역을 구비한 기판; 상기 표시영역에 배치되고, 화소전극 및 대향전극을 포함하는 표시요소; 상기 표시요소를 덮으며, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 및 상기 제1비표시영역 상으로 연장된 상기 제1무기봉지층 및 상기 제2무기봉지층이 서로 컨택되며 배치된 복수의 그루브들을 구비한 댐부;를 포함하고, 상기 댐부는 상기 개구영역 및 상기 제1비표시영역을 구분하는 경계선에 인접하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 그루브들의 폭은 상기 기판에서 멀어지는 방향으로 증가하다가 감소할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 대향전극과 동일한 물질을 포함하고 인접한 상기 복수의 그루브들 사이에 배치된 제1대향전극패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 그루브들 내부에 상기 제1대향전극패턴과 이격되어 배치된 제2대향전극패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시요소는 상기 화소전극 및 상기 대향전극 사이에 중간층을 더 포함하고, 상기 중간층 중 적어도 일부와 동일한 물질을 포함하고 인접한 상기 복수의 그루브들 사이에 배치되는 제1중간층패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 그루브들 내부에 상기 제1중간층패턴과 이격되어 배치된 제2중간층패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소전극의 중앙부를 노출하는 개구를 갖는 화소정의막; 및 상기 화소정의막 상에 스페이서;를 더 포함하며, 상기 댐부는 상기 화소정의막과 동일한 층에 배치된 제1층 및 상기 스페이서와 동일한 층에 배치된 제1보조댐을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 그루브의 바닥면은 상기 제1층의 상면으로 구비될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1층 상에 상기 복수의 그루브들 및 상기 제1보조댐이 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 인접한 상기 복수의 그루브들 사이에 배치된 패턴부의 두께는 상기 제1보조댐의 두께 보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1보조댐 상에 제2보조댐을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1보조댐은 상부그루브를 구비할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 상부그루브의 깊이는 상기 제1보조댐의 두께와 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 제1비표시영역 상에, 상기 개구영역에서 상기 표시영역으로의 방향으로 상기 댐부와 이격되어 배치된 하부그루브;을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 하부그루브의 내부를 상기 유기봉지층의 적어도 일부가 채울 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 박막봉지층 상에 적어도 하나의 절연층 및 감지전극을 포함하는 터치입력층;을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연층은 상기 복수의 그루브들의 내부에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 개구영역, 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 및 댐부를 구비하여 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 배치된 제1비표시영역을 포함하는 기판; 상기 표시영역에 배치된 표시요소; 상기 표시요소를 덮는 박막봉지층; 및 상기 박막봉지층 상에 배치된 적어도 하나의 절연층을 포함하는 터치입력층;을 포함하고, 상기 적어도 하나의 절연층이 상기 제1비표시영역으로 연장되어 상기 댐부에 구비된 복수의 그루브들의 내부에 배치된 것을 특징으로 하는, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 댐부는 상기 개구영역 및 상기 제1비표시영역을 구분하는 경계선에 인접하는 것을 특징으로 할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 절연층은 무기층 및 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 복수의 그루브들의 내부를 채울 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 실시예들은 상기 댐부가 상기 개구영역 및 상기 제1비표시영역을 구분하는 경계선까지 인접하여 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시에에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 표시 패널에 적용될 수 있는 화소를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 A-A' 선 및 B-B' 선에 따라 취한 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 복수의 그루브들 중 어느 하나를 확대한 확대도이다.
도 7는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 3의 A-A'선 및 B-B'선에 따라 취한 단면도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도 3의 A-A'선 및 B-B'선에 따라 취한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 제1영역(A1) 및 제1영역(A1)을 둘러싸는 제2영역(A2)을 포함할 수 있다. 제2영역(A2)은 복수의 화소들, 예를 들어, 화소들의 어레이가 배치될 수 있으며, 제2영역(A2)은 화소들의 어레이를 통해 이미지를 표시할 수 있다. 제2영역(A2)은 이미지를 표시할 수 있는 표시영역에 해당한다. 제1영역(A1)은 제2영역(A2)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다. 제1영역(A1)은 표시 장치(1)에 다양한 기능을 부여할 수 있는 컴포넌트가 배치되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 컴포넌트가 빛을 이용하는 센서, 카메라 등을 포함하는 경우, 제1영역(A1)은 센서의 빛 또는 카메라로 진행하는 빛이 투과할 수 있는 투과영역에 해당한다. 이 때, 제1영역(A1)은 빛의 투과율을 높이기 위해 기판에 개구영역을 포함할 수 있다.
제1영역(A1)과 제2영역(A2) 사이에는 제3영역(A3)이 배치될 수 있다. 제3영역(A3)은 화소들이 배치되지 않는 제1비표시영역으로 제1영역(A1)을 우회하는 배선들 또는 댐부가 배치될 수 있다. 제2영역(A2)을 둘러싸는 제4영역(A4)도 제3영역(A3)과 마찬가지로 화소들이 배치되지 않는 제2비표시영역일 수 있으며, 제4영역(A4)에는 다양한 종류의 배선들 및 내장 회로 등이 배치될 수 있다.
표시 장치(1)에 구비된 각 화소는 소정의 색상의 빛을 방출할 수 있는 표시 요소로서 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 발광 다이오드는 발광층으로 유기물을 포함하는 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드는 무기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드는 발광층으로 양자점을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의상, 발광 다이오드가 유기발광 다이오드를 포함하는 경우로 설명한다.
도 1에서는 제1영역(A1)이 표시 장치(1)의 폭 방향(예, ±x방향)을 따라 제2영역(A2)의 중심 부분에 배치된 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예에서, 제1영역(A1)은 표시 장치(1)의 폭 방향을 따라 좌측 또는 우측에 오프셋되어 배치될 수 있다. 또한, 제1영역(A1)은 표시 장치(1)의 길이 방향(예, ±y 방향)을 따라 상측에 배치되거나, 가운데 배치되거나, 하측에 배치되는 것과 같이 다양한 위치에 배치될 수 있다.
도 1은 표시 장치(1)가 하나의 제1영역(A1)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예에서 표시 장치(1)는 복수의 제1영역(A1)들을 포함할 수 있다.
도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 간략하게 나타낸 단면도로서, 도 1의 II-II'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10), 표시 패널(10) 상에 배치되는 터치입력층(40), 및 광학기능층(50)을 포함할 수 있으며, 이들은 윈도우(60)로 커버될 수 있다. 윈도우(60)는 광학 투명 점착제(OCA, optical clear adhesive)와 같은 점착층을 통해 그 아래의 구성요소, 예를 들어 광학기능층(50)과 결합될 수 있다. 표시 장치(1)는 휴대폰(mobile phone), 태블릿 PC, 노트북, 스마트 워치와 같은 다양한 전자 기기에 구비될 수 있다.
표시 패널(10)은 제2영역(A2)에 배치되는 복수의 다이오드들을 포함할 수 있다. 터치입력층(40)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 터치입력층(40)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 트레이스 라인(trace line)들을 포함할 수 있다. 터치입력층(40)은 표시 패널(10) 위에 배치될 수 있다. 터치입력층(40)은 뮤추얼 캡 방식 또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
터치입력층(40)은 표시 패널(10) 상에 직접 형성될 수 있다. 또는, 터치입력층(40)은 별도로 형성된 후 광학 투명 점착제(OCA)와 같은 점착층을 통해 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이 터치입력층(40)은 표시 패널(10) 바로 위에 형성될 수 있으며, 이 경우 점착층은 터치입력층(40)과 표시 패널(10) 사이에 개재되지 않을 수 있다.
광학기능층(50)은 반사방지층을 포함할 수 있다. 반사방지층은 윈도우(60)를 통해 외부에서 표시 패널(10)을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사방지층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)와 같은 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 반사방지층은 블랙매트릭스와 컬러필터들의 구조물을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시 패널(10)의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 또 다른 실시예로, 반사방지층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 수 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
광학기능층(50)은 렌즈층을 포함할 수 있다. 렌즈층은 표시 패널(10)에서 방출되는 빛의 출광 효율을 향상시키거나, 색편차를 줄일 수 있다. 렌즈층은 오목하거나 볼록한 렌즈 형상을 가지는 층을 포함하거나, 또는/및 굴절률이 서로 다른 복수의 층을 포함할 수 있다. 광학기능층(50)은 전술한 반사 방지층 및 렌즈층을 모두 포함하거나, 이들 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
표시 패널(10), 터치입력층(40), 및 광학기능층(50)은 각각 홀을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(10)은 표시 패널(10)의 상면과 바닥면을 관통하는 홀(10H)을 포함하며, 터치입력층(40)은 터치입력층(40)의 상면과 바닥면을 관통하는 홀(40H)을 포함하고, 광학기능층(50)은 광학기능층(50)의 상면과 바닥면을 관통하는 홀(50H)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)의 홀(10H), 터치입력층(40)의 홀(40H), 및 광학기능층(50)의 홀(50H)은 제1영역(A1)에 배치되며, 서로 대응되도록 배치될 수 있다.
윈도우(60)와 광학기능층(50) 사이의 점착층이 광학 투명 점착제(OCA, optical clear adhesive)를 포함하는 경우, 점착층은 제1영역(A1)에 대응하는 홀을 구비하지 않을 수 있다.
컴포넌트(20)는 제1영역(A1)에 배치될 수 있다. 컴포넌트(20)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(20)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 수광하여 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1영역(A1)은 컴포넌트(20)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛이 투과할 수 있는 투과영역(transmission area)일 수 있다.
다른 실시예에서, 표시 장치(1)가 스마트 워치나 차량용 계기판으로 이용되는 경우, 컴포넌트(20)는 시계 바늘이나 소정의 정보(예, 차량 속도 등)를 지시하는 바늘과 같은 부재일 수 있다. 표시 장치(1)가 시계 바늘이나 차량용 계기판을 포함하는 경우, 컴포넌트(20)가 윈도우(60)를 관통하여 외부로 노출될 수 있으며, 윈도우(60)는 제1영역(A1)에 대응하는 개구를 포함할 수 있다.
컴포넌트(20)는 전술한 바와 같이 표시 장치(1)에 소정의 기능을 부가할 수 있는 구성요소(들)를 포함하거나, 표시 패널(10)의 심미감을 증가시키는 액세서리와 같은 구성요소 등을 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 표시 패널(10)에 적용될 수 있는 화소(P)를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
표시 패널(10)은 제1영역(A1), 제1영역(A1)을 둘러싸는 제2영역(A2), 제1영역(A1)과 제2영역(A2) 사이의 제3영역(A3), 그리고 제2영역(A2)을 둘러싸는 제4영역(A4)을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 제2영역(A2)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 도 4에 도시된 바와 같이 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소, 예를 들어 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예를 들어, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 4는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 다른 실시예에서 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 3를 참조하면, 제3영역(A3)은 제1영역(A1)을 둘러쌀 수 있다. 제3영역(A3)은 빛을 방출하는 유기발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않은 영역으로, 제3영역(A3)에는 제1영역(A1) 주변에 구비된 화소(P)들에 신호를 제공하는 신호라인들이 지나갈 수 있다.
본 실시예에서, 제3영역(A3)은 댐부(DP)를 포함할 수 있다. 댐부(DP)는 후술할 바와 같이 제2영역(A2)을 커버하는 유기봉지층의 흐름을 제어하여 제1영역(A1)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 이 때, 댐부(DP)는 제1영역(A1)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 특히, 본 실시예에서, 댐부(DP)는 제1영역(A1)에 인접하여 배치될 수 있다. 즉, 댐부(DP)는 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)을 구분하는 경계선에 인접할 수 있다.
제4영역(A4)에는 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 제1스캔 드라이버(1100), 제2스캔 드라이버(1200), 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1300), 및 제1 및 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선(미도시) 등이 배치될 수 있다. 제1스캔 드라이버(1100) 및 제2스캔 드라이버(1200)는 각각 제4영역(A4)에 배치되되, 제2영역(A2)을 사이에 두고 제2영역(A2)의 양측에 각각 배치될 수 있다.
도 3은 데이터 드라이버(1300)가 기판(100)의 일 측변에 인접하게 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예에서, 데이터 드라이버(1300)는 표시 패널(10)의 일 측에 배치된 패드와 전기적으로 접속된 FPCB(flexible Printed circuit board) 상에 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 A-A' 선 및 B-B' 선에 따라 취한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(10) 및 터치입력층(40)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 기판(100), 버퍼층(101), 무기절연층(IL), 제1평탄화층(109), 제2평탄화층(111), 화소정의막(113), 및 박막봉지층(300)이 차례로 적층될 수 있다. 이 때, 무기절연층(IL)은 제1게이트절연층(103), 제2게이트절연층(105), 및 층간절연층(107)을 포함할 수 있다. 또한, 기판(100) 상에는 화소회로(PC)가 배치되고, 화소회로(PC) 상에는 화소회로(PC)에 전기적으로 연결되며, 화소전극(210), 중간층(220), 및 대향전극(230)을 포함하는 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 기판(100)은 개구영역(OA)을 포함할 수 있다. 개구영역(OA)은 제1영역(A1)에 대응하여 배치될 수 있다. 특히, 제1영역(A1) 및 개구영역(OA)은 일치할 수 있다. 개구영역(OA)은 표시영역인 제2영역(A2)에 둘러싸일 수 있으며, 개구영역(OA) 및 제2영역(A2) 사이에는 제1비표시영역인 제3영역(A3)이 배치될 수 있다. 이 때, 제3영역(A3)에는 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)을 구분하는 경계선(BL)에 인접하는 댐부(DP)가 배치될 수 있다.
기판(100)은 글라스이거나 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
버퍼층(101)은 기판(100) 상에 위치하여, 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(101)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 기판(100)과 버퍼층(101) 사이에는 외기의 침투를 차단하는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 일부 실시예에서, 버퍼층(101)은 실리콘산화물(SiO2) 또는 실리콘질화물(SiNX)으로 구비될 수 있다.
상기 버퍼층(101) 상부에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 이 때, 박막트랜지스터(TFT)는 구동 박막트랜지스터일 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(A), 게이트전극(G), 소스전극(S), 드레인전극(D)을 포함할 수 있다.
반도체층(A)은 상기 버퍼층(101) 상에 배치되며, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(A)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(A)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 반도체층(A)은 채널영역과 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.
반도체층(A)을 덮도록 제1게이트절연층(103)이 구비될 수 있다. 제1게이트절연층(103)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1게이트절연층(103)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1게이트절연층(103) 상부에는 반도체층(A)과 중첩되도록 게이트전극(G)이 배치될 수 있다. 게이트전극(G)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 게이트전극(G)은 Mo의 단층일 수 있다.
제2게이트절연층(105)은 게이트전극(G)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(105)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2게이트절연층(105)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제2게이트절연층(105) 상부에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)이 배치될 수 있다.
상부 전극(CE2)은 그 아래의 게이트전극(G)과 중첩할 수 있다. 제2게이트절연층(105)을 사이에 두고 중첩하는 게이트전극(G) 및 상부 전극(CE2)은 스토리지 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다. 게이트전극(G)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)일 수 있다.
상부 전극(CE2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간절연층(107)은 상부 전극(CE2)을 덮도록 형성될 수 있다. 층간절연층(107)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다.
소스전극(S) 및 드레인전극(D)은 층간절연층(107) 상에 배치될 수 있다. 소스전극(S) 및 드레인전극(D)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 소스전극(S)과 드레인전극(D)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
소스전극(S)과 드레인전극(D)을 덮도록 제1평탄화층(109)이 배치될 수 있다. 제1평탄화층(109)은 평탄한 상면을 가질 수 있다.
제1평탄화층(109)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한 제1평탄화층(109)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate나, Polystyrene과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 제1평탄화층(109)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1평탄화층(109)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다.
연결금속(CM)은 제1평탄화층(109) 상에 배치될 수 있다. 연결금속(CM)은 제1평탄화층(109)에 형성된 개구부를 통해 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(S) 또는 드레인전극(D)과 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1평탄화층(109) 상에는 연결금속(CM)과 이격되며, 동일한 물질로 구비된 배선(미도시)이 더 배치될 수 있다.
연결금속(CM) 상에는 제2평탄화층(111)이 배치될 수 있다. 제2평탄화층(111)은 그 상부에 배치되는 화소전극(210)이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다.
제2평탄화층(111)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한, 제2평탄화층(111)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate나, Polystyrene과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 제2평탄화층(111)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 이 경우, 제2평탄화층(111)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다.
제2평탄화층(111)에는 연결금속(CM)을 노출시키는 개구부가 존재하며, 화소전극(210)은 상기 개구부를 통해 연결금속(CM)과 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
화소전극(210)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(210)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(210)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(210)은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.
화소전극(210) 상에는 화소정의막(113)이 형성될 수 있다. 화소정의막(113)은 화소전극(210)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 화소전극(210)의 가장자리를 커버할 수 있다. 화소정의막(113)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(113)은 실리콘나이트라이드나 실리콘옥시나이트라이드, 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(113)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 화소정의막(113)은 유기절연물을 포함하는 경우를 중심으로 상세하게 설명하기로 한다.
중간층(220)은 발광층(220b)을 포함할 수 있다. 발광층(220b)은 예를 들어, 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(220b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 중간층(220)은 발광층(220b)의 아래에 배치된 제1기능층(220a) 및/또는 발광층(220b)의 위에 배치된 제2기능층(220c)을 포함할 수 있다.
제1기능층(220a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예를 들어 제1기능층(220a)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(220a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1기능층(220a)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(220a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2기능층(220c)은 선택적일 수 있다. 예를 들어, 제1기능층(220a)과 발광층(220b)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 제2기능층(220c)을 형성할 수 있다. 제2기능층(220c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(220c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(220) 중 발광층(220b)은 제2영역(A2)에서 각 화소마다 배치될 수 있다. 발광층(220b)은 화소정의막(113)의 개구, 또는/및 화소전극(210)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 중간층(220) 중 제1 및 제2기능층(220a, 220c) 각각 일체(single body)로서, 제2영역(A2)뿐만 아니라 제3영역(A3)으로 연장되어 댐부(DP) 상에도 형성될 수 있다.
대향전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향전극(230)은 일체(single body)로서, 제2영역(A2)에서 복수의 화소전극(210)들을 커버하도록 형성될 수 있다. 또한, 대향전극(230)은 제2영역(A2)에서 제3영역(A3)으로 연장되어 댐부(DP) 상에도 배치될 수 있다. 중간층(220) 및 대향전극(230)은 열 증착법에 의해 형성될 수 있다.
화소정의막(113) 상에는 스페이서(115)가 형성될 수 있다. 스페이서(115)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(115)는 실리콘나이트라이드나 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 스페이서(115)는 화소정의막(113)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 또는 다른 실시예에서, 스페이서(115)는 화소정의막(113)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 이 경우 화소정의막(113)과 스페이서(115)는 하프톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다. 한편, 화소정의막(113) 및 스페이서(115)는 폴리이미드를 포함할 수 있다.
박막봉지층(300)은 유기발광다이오드(OLED)를 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 5는 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)과 이들 사이의 유기봉지층(320)을 나타낸다.
박막봉지층(300)은 제2영역(A2)에서 제3영역(A3)으로 연장될 수 있다. 구체적으로, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 제2영역(A2)에서 제3영역(A3)으로 연장될 수 있다. 이 때, 유기봉지층(320)은 댐부(DP)에 의해 차폐될 수 있다. 이를 다시 말하면, 유기봉지층(320)은 댐부(DP)를 경계로 댐부(DP)로부터 제1영역(A1)으로는 배치되지 않으며, 댐부(DP)로부터 제2영역(A2)으로는 배치될 수 있다. 따라서, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 댐부(DP) 상에서 서로 컨택될 수 있다.
제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 그 하부층 상면의 형상에 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1무기봉지층(310)은 대향전극(230)의 상면의 형상에 따라 배치될 수 있다. 제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320)의 상면의 형상에 따라 배치될 수 있다.
제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 각각 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기 절연물은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 화학기상증착법을 통해 형성될 수 있다.
유기봉지층(320)은 그 상면이 평탄하게 형성될 수 있다. 유기봉지층(320)의 하부층이 평탄하지 않아 유기봉지층(320)의 하부면이 평탄하지 않더라도 유기봉지층(320)의 상면은 평탄할 수 있다.
유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)은 아크릴계 수지, 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 모노머를 경화하거나, 폴리머를 도포하여 형성할 수 있다.
터치입력층(40)은 제2무기봉지층(330) 상에 배치되며, 적어도 하나의 절연층 및 감지전극을 포함할 수 있다. 이 때, 터치입력층(40)은 제2영역(A2)에서 제3영역(A3)으로 연장되어 배치될 수 있다. 또한, 터치입력층(40)은 댐부(DP) 상에 배치될 수 있다.
터치입력층(40)은 절연층 및 도전층이 교대로 적층될 수 있다. 일 실시예에서, 터치입력층(40)은 제1절연층(410), 제1도전층(420), 제2절연층(430), 제2도전층(440), 및 제3절연층(450)을 포함할 수 있다. 제1도전층(420) 및 제2도전층(440)은 컨택홀(미도시)에 의해 연결될 수 있다. 감지전극은 제1도전층(420) 또는 제2도전층(440) 중 적어도 하나에 포함될 수 있다.
제1도전층(420) 또는 제2도전층(440)은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴(Mo), 멘델레븀(Md), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그 밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그래핀(graphene) 등을 포함할 수 있다.
제1도전층(420) 또는 제2도전층(440)은 단층 또는 다층일 수 있다. 단층의 제1도전층(420) 또는 제2도전층(440)은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있으며, 금속층 및 투명도전층의 물질은 앞서 설명한 바와 같다. 제1도전층(420) 및 제2도전층(440) 중 하나는 단일의 금속층을 포함할 수 있다. 제1도전층(420) 및 제2도전층(440) 중 하나는 다층의 금속층을 포함할 수 있다. 다층의 금속층은 예컨대, 티타늄층/알루미늄층/티타늄층의 3층을 포함하거나, 몰리브덴층/멘델레븀층의 2층을 포함할 수 있다. 또는, 다층의 금속층은 금속층 및 투명 도전층을 포함할 수 있다. 제1도전층(420) 및 제2도전층(440)은 서로 다른 적층 구조를 가지거나 동일한 적층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1도전층(420)은 금속층을 포함하고 제2도전층(440)은 투명 도전층을 포함할 수 있다. 또는, 제1도전층(420) 및 제2도전층(440)은 동일한 금속층을 포함할 수 있다.
제1도전층(420) 및 제2도전층(440)의 물질 및 제1도전층(420) 및 제2도전층(440)에 구비되는 감지전극들의 배치는 센싱 감도를 고려하여 결정될 수 있다. RC 딜레이가 센싱 감도에 영향을 미칠 수 있는데, 금속층을 포함하는 감지전극들은 투명 도전층 대비 저항이 작기 때문에 RC 값이 감소될 수 있고, 따라서 감지전극들 사이에 정의된 커패시터의 충전시간이 감소될 수 있다. 투명 도전층을 포함하는 감지전극들은 금속층 대비 사용자에게 시인되지 않고, 입력 면적이 증가하여 커패시턴스를 증가시킬 수 있다.
제1절연층(410), 제2절연층(430), 및 제3절연층(450)은 각각 무기절연물 또는/및 유기절연물을 포함할 수 있다. 무기절연물은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있고, 유기절연물은 고분자 유기물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1절연층(410)은 생략될 수 있다. 이하에서는 제1절연층(410) 및 제2절연층(430)이 무기절연물을 포함하고, 제3절연층(450)이 유기절연물을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
본 실시예에서, 댐부(DP)는 제3영역(A3)에 배치될 수 있다. 특히, 댐부(DP)는 제1영역(A1)에 인접하도록 배치될 수 있다. 이 때, 댐부(DP)는 제1영역(A1)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 예를 들어, 댐부(DP)는 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)을 구분하는 경계선(BL)에 인접하게 배치될 수 있다. 특히 댐부(DP)의 일측면은 경계선(BL)을 포함하며 배치될 수 있다.
댐부(DP)는 유기봉지층(320)의 흐름을 제어하여 유기봉지층(320)이 제1영역(A1)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 댐부(DP)는 제1영역(A1)을 통한 외부의 불순물이 유기봉지층(320)을 통해 제2영역(A2)으로 진행하는 것을 방지할 수 있다.
댐부(DP)는 제1베이스층(ILa), 제2베이스층(109a), 제3베이스층(111a), 제1층(113a), 복수의 그루브(Gv)들 및 제1보조댐(115D)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1영역(A1)과 마주보는 제2베이스층(109a)의 일면, 제3베이스층(111a)의 일면, 및 제1층(113a)의 일면은 경계선(BL)을 포함할 수 있다.
제1베이스층(ILa), 제2베이스층(109a), 및 제3베이스층(111a)은 제3영역(A3)에 차례로 적층될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1베이스층(ILa)은 생략될 수 있다. 이 때, 제1베이스층(ILa)은 무기절연층(IL)과 동일한 물질, 제2베이스층(109a)은 제1평탄화층(109)과 동일한 물질, 제3베이스층(111a)은 제2평탄화층(111)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1베이스층(ILa), 제2베이스층(109a), 및 제3베이스층(111a)은 각각 무기절연층(IL), 제1평탄화층(109), 및 제2평탄화층(111) 형성될 때 동시에 형성될 수 있다.
제1층(113a)은 제3베이스층(111a) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 제1층(113a)은 화소정의막(113)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1층(113a)은 화소정의막(113) 형성시 동시에 형성될 수 있다.
제1보조댐(115D)은 제1층(113a) 상에 배치될 수 있다. 제1보조댐(115D)은 제1보조층(115Da) 및 제1보조층(115Da) 상에 제2보조층(115Db)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1보조층(115Da) 및 제2보조층(115Db)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1보조층(115Da) 및 제2보조층(115Db)은 하프톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1보조층(115Da) 및 제2보조층(115Db)은 상이한 물질을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1보조층(115Da) 및 제2보조층(115Db)이 동일한 물질을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. 이러한 경우, 제1보조댐(115D)은 스페이서(115)와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제1보조댐(115D)은 댐부(DP)와 유사하게 유기봉지층(320)의 흐름을 제어하여 유기봉지층(320)이 제1영역(A1)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1보조댐(115D)은 제1영역(A1)에서 유입된 외부의 불순물이 유기봉지층(320)을 통해 제2영역(A2)으로 진행하는 것을 방지할 수 있다.
제1보조댐(115D)의 표면의 형상을 따라 대향전극(230), 제1무기봉지층(310), 제2무기봉지층(330), 제1절연층(410), 및 제2절연층(430)이 댐부(DP)에 배치될 수 있다. 이 경우, 대향전극(230), 제1무기봉지층(310), 제2무기봉지층(330), 제1절연층(410), 및 제2절연층(430)은 제2영역(A2)에서 제1영역(A1) 방향으로 연장되며, 댐부(DP)의 표면 형상을 따라 배치될 수 있다. 따라서, 대향전극(230), 제1무기봉지층(310), 제2무기봉지층(330), 제1절연층(410), 및 제2절연층(430)은 제2베이스층(109a), 제3베이스층(111a), 제1층(113a), 또는 제1보조댐(115D)으로부터 유기봉지층(320)을 통해 외부의 불순물이 제2영역(A2)으로 진행하는 것을 방지할 수 있다.
복수의 그루브(Gv)들은 댐부(DP)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 복수의 그루브(Gv)들은 제1층(113a) 상에 배치될 수 있다. 또한, 복수의 그루브(Gv)들은 제1영역(A1) 및 제1보조댐(115D) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 그루브(Gv)들 상에 제1기능층(220a), 제2기능층(220c), 대향전극(230), 제1무기봉지층(310), 제2무기봉지층(330), 제1절연층(410), 제2절연층(430), 제3절연층(450) 중 적어도 하나가 배치될 수 있다. 이 때, 제1기능층(220a), 제2기능층(220c), 및 대향전극(230)은 복수의 그루브(Gv)들에 대응하여 단절되도록 배치될 수 있다. 이에 대해서는 도 6a, 및 도 6b에서 후술하기로 한다.
패턴부(115P)는 인접한 복수의 그루브(Gv)들 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 그루브(Gv)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 패턴부(115P)의 폭은 제1층(113a)에서 멀어지는 방향(예를 들어, z 방향)으로 감소하다가 증가할 수 있다. 패턴부(115P)의 두께는 제1보조댐(115D)의 두께보다 작을 수 있다. 패턴부(115P)는 제1보조층(115Da) 또는 스페이서(115)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 패턴부(115P)는 제1보조댐(115D) 형성될 때, 하프톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다.
기판(100)은 제3영역(A3)에 대응하여 하부그루브(LGv)를 더 포함할 수 있다. 하부그루브(LGv)는 댐부(DP) 및 제2영역(A2) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 하부그루브(LGv)는 제1영역(A1)에서 제2영역(A2) 방향으로 댐부(DP)와 이격되어 배치될 수 있다.
하부그루브(LGv)에 중간층(220) 중 적어도 일부, 대향전극(230), 제1무기봉지층(310), 및 유기봉지층(320)이 배치될 수 있다. 이 때, 중간층(220) 중 적어도 일부 및 대향전극(230)은 하부그루브(LGv)에 대응하여 단절되도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 중간층(220) 중 적어도 일부 및 대향전극(230)은 하부그루브(LGv) 내부로 돌출되는 돌출부를 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 하부그루브(LGv) 내부 표면 전체에 걸쳐 배치될 수 있으며, 유기봉지층(320)의 적어도 일부는 하부그루브(LGv) 내부를 채우며 배치될 수 있다. 하부그루브(LGv) 내부에서 제1무기봉지층(310) 및 유기봉지층(320)은 단절없이 배치되므로, 기판(100)과 박막봉지층(300)의 접촉면적이 증가될 수 있다. 따라서, 기판(100)과 박막봉지층(300)의 접착력이 강화될 수 있다.
상기와 같이 댐부(DP)가 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)의 경계선(BL)에 인접하게 배치되는 것은 표시 장치의 신뢰성을 향상시키기 위함일 수 있다. 본 발명의 실시예와 다르게 댐부(DP)가 제1영역(A1)과 이격되어 제3영역(A3) 내부에 배치되는 경우, 제1베이스층(ILa), 제2베이스층(109a), 제3베이스층(111a), 제1층(113a)을 형성하기 위한 유기층의 식각량이 증가될 수 있다. 또한, 터치입력층(40)이 평탄한 면 위에 형성되기 위하여, 댐부(DP)와 제1영역(A1) 사이에서 상부면을 평탄화시키기 위한 제3평탄화층을 더 포함해야 한다. 이러한 경우, 상기 제3평탄화층을 형성하기 위한 공정이 추가되며, 상기 공정 추가로 인해 표시 장치를 생산하는 효율이 감소되거나, 표시 장치에 불량이 발생할 가능성이 높아질 수 있다. 본 발명의 실시예는 유기봉지층(320)을 차폐하기 위한 댐부(DP)를 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)의 경계선(BL)까지 연장하여 상기 제3평탄화층의 역할을 대체할 수 있다. 따라서, 상기 유기층의 식각량이 감소할 수 있으며, 제3평탄화층을 형성하기 위한 공정이 생략될 수 있고, 표시 장치를 생산하는 효율이 증가될 수 있다. 또한, 제3평탄화층을 형성하는 공정으로 인한 불량의 가능성이 없어지는 바, 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
이하, 도 6a 및 도 6b를 참조하여, 복수의 그루브(Gv)들의 형상에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 6a 및 도 6b는 복수의 그루브(Gv)들 중 어느 하나를 확대한 확대도이다. 도 6a 및 도 6b에 있어서, 도 5와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 제1층(113a) 상에 복수의 그루브(Gv)들, 패턴부(115P), 또는 제1보조층(115Da)이 배치될 수 있다. 패턴부(115P) 또는 제1보조층(115Da) 상에는 제1기능층(220a), 제2기능층(220c), 대향전극(230), 제1무기봉지층(310), 제2무기봉지층(330), 제1절연층(410), 제2절연층(430), 및 제3절연층(450)이 차례로 적층될 수 있다.
일 실시예에서, 패턴부(115P)의 두께 및 제1보조층(115Da)의 두께는 동일할 수 있다. 다른 실시예에서, 패턴부(115P)의 두께 및 제1보조층(115Da)의 두께는 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1보조층(115Da)의 두께가 패턴부(115P)의 두께보다 클 수 있다. 이 경우, 패턴부(115P) 및 제1보조층(115Da) 사이에 구비된 그루브(Gv)는 그루브(Gv)의 중심을 기준으로 비대칭적인 형상으로 배치될 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위하여 패턴부(115P)의 두께 및 제1보조층(115Da)의 두께가 동일한 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
일 실시예에서, 패턴부(115P) 또는 제1보조층(115Da)의 옆면은 곡률을 포함할 수 있다. 예를 들어, 패턴부(115P) 또는 제1보조층(115Da)은 제1층(113a)에서 멀어지는 방향으로 패턴부(115P)의 폭 또는 제1보조층(115Da)의 폭이 감소하다가 증가할 수 있다. 즉, 복수의 그루브(Gv)들의 옆면이 복수의 그루브(Gv)들의 중심에서 패턴부(115P) 또는 제1보조층(115Da) 방향으로 볼록할 수 있다.
제1중간층패턴(221P) 및 제1대향전극패턴(231P)은 패턴부(115P) 상에 배치될 수 있다. 제1중간층패턴(221P)은 제1기능층(220a)의 일부 및/또는 제2기능층(220c)의 일부를 포함할 수 있다. 이 때, 인접한 제1중간층패턴(221P) 및 인접한 제1대향전극패턴(231P)은 각각 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 제1중간층패턴(221P) 및 제1대향전극패턴(231P)은 중간층(220) 및 대향전극(230)과 각각 서로 이격되어 배치될 수 있다.
복수의 그루브(Gv)들은 패턴부(115P) 및 제1보조층(115Da) 사이 또는 인접한 패턴부(115P) 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 그루브(Gv)들의 폭은 제1층(113a)에서 멀어지는 방향으로 증가하다가 다시 감소할 수 있다. 예를 들어, 복수의 그루브(Gv)들의 옆면은 원호 형상일 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 그루브(Gv)들의 폭은 제1층(113a)에서 멀어지는 방향(예를 들어, z 방향)으로 증가 또는 감소할 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 그루브(Gv)들의 폭은 일정할 수 있다. 상기와 같은 복수의 그루브(Gv)들의 폭은 스페이서(115)와 동일한 물질을 제1층(113a) 상에 형성한 후, 복수의 그루브(Gv)들을 형성할 때, 식각 공정의 식각 속도 또는 식각 시간을 조절하여 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 복수의 그루브(Gv)의 깊이(H1)는 제1보조층(115Da) 또는 패턴부(115P)의 두께(H2)와 동일할 수 있다. 예를 들어, 도 6a를 참조하면, 복수의 그루브(Gv)의 깊이(H1)는 제1보조층(115Da) 또는 패턴부(115P)의 두께(H2)와 동일할 수 있다. 이러한 경우, 복수의 그루브(Gv)의 바닥면은 제1층(113a)의 상면으로 구비될 수 있다. 다른 실시예에서, 복수의 그루브(Gv)의 깊이(H1)는 제1보조층(115Da) 또는 패턴부(115P)의 두께(H2)와 상이할 수 있다. 예를 들어, 도 6b를 참조하면, 복수의 그루브(Gv)의 깊이(H1)는 제1보조층(115Da) 또는 패턴부(115P)의 두께(H2) 보다 클 수 있다. 이러한 경우, 복수의 그루브(Gv)는 패턴부(115P) 및 제1층(113a)에 걸쳐 구비될 수 있다. 즉, 복수의 그루브(Gv)의 측면 중 적어도 일부는 제1층(113a)의 측면으로 구비될 수 있다. 다른 예로, 복수의 그루브(Gv)의 깊이(H1)는 제1보조층(115Da) 또는 패턴부(115P)의 두께(H2) 보다 작을 수 있다. 이러한 경우, 제1보조층(115Da) 및 패턴부(115P) 또는 인접한 패턴부(115P)들은 서로 연결될 수 있다. 이와 같은 복수의 그루브(Gv)의 깊이(H1)는 스페이서(115)와 동일한 물질을 제1층(113a) 상에 형성한 후, 복수의 그루브(Gv)들을 형성할 때, 식각 공정의 식각 속도 또는 식각 시간을 조절하여 형성할 수 있다.
복수의 그루브(Gv)들 내부에는 제2중간층패턴(222P) 및 제2대향전극패턴(232P)이 배치될 수 있다. 이 때, 제2중간층패턴(222P)은 제1기능층(220a)의 일부 및/또는 제2기능층(220c)의 일부를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제2중간층패턴(222P) 및 제2대향전극패턴(232P)이 복수의 그루브(Gv)들 바닥면에 배치될 수 있다. 이 때, 제2중간층패턴(222P) 및 제2대향전극패턴(232P)은 각각 중간층(220) 및 대향전극(230)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 제2중간층패턴(222P) 및 제2대향전극패턴(232P)은 각각 중간층(220) 및 대향전극(230)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 중간층(220) 및 대향전극(230)은 복수의 그루브(Gv)들에 대응하여 단절될 수 있다.
제2중간층패턴(222P) 및 제2대향전극패턴(232P)은 각각 제1중간층패턴(221P) 및 제1대향전극패턴(231P)과 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2중간층패턴(222P) 및 제1중간층패턴(221P)은 제1층(113a)에서 멀어지는 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 제2대향전극패턴(232P) 및 제1대향전극패턴(231P)은 제1층(113a)에서 멀어지는 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.
제1무기봉지층(310), 제2무기봉지층(330), 제1절연층(410), 및 제2절연층(430)은 복수의 그루브(Gv) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 제1무기봉지층(310), 제2무기봉지층(330), 제1절연층(410), 및 제2절연층(430)은 단절되지 않고 연속적으로 배치될 수 있다.
제3절연층(450)은 복수의 그루브(Gv)의 내부를 채울 수 있다. 이러한 경우, 터치입력층과 댐부 사이에 접촉면적이 증가하여 접착력을 강화할 수 있다. 또한 중간층(220)과 제1중간층패턴(221P) 및 제2중간층패턴(222P)과 이격되도록 배치하여 외부의 불순물이 중간층(220)을 통해 제2영역(A2)으로 진행하는 것을 방지할 수 있다.
도 7는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 3의 A-A'선 및 B-B'선에 따라 취한 단면도이다. 도 7에 있어서, 도 5와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하도록 한다.
도 7을 참조하면, 표시 장치는 제1영역(A1), 제1영역(A1)을 둘러싸는 제2영역(A2), 제1영역(A1) 및 제2영역(A2) 사이에 배치된 제3영역(A3)을 포함할 수 있다. 이 때, 기판(100)은 제1영역(A1)에 대응하는 개구영역(OA)을 구비할 수 있다. 표시요소로 유기발광다이오드(OLED)는 화소전극 및 대향전극을 포함할 수 있다. 박막봉지층(300)은 유기발광다이오드(OLED)를 덮으며 배치되며, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 제3영역(A3)으로 연장되어 복수의 그루브(Gv)들을 구비한 댐부(DP)에서 컨택될 수 있다. 이 때, 댐부(DP)는 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)을 구분하는 경계선(BL)에 인접할 수 있다.
본 실시예에서, 댐부(DP)는 제1보조댐(115D)을 포함할 수 있고, 제1보조댐(115D) 상에 제2보조댐(117D)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1보조댐(115D) 및 제2보조댐(117D)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 제1보조댐(115D) 및 제2보조댐(117D)은 하프톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 제1보조댐(115D) 및 제2보조댐(117D)은 상이한 물질을 포함할 수 있다.
제1보조댐(115D) 및 제2보조댐(117D)은 댐부(DP)와 유사하게 유기봉지층(320)의 흐름을 제어하여 유기봉지층(320)이 제1영역(A1)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1보조댐(115D) 및 제2보조댐(117D)은 제1영역(A1)을 통한 외부의 불순물이 유기봉지층(320)을 통해 제2영역(A2)으로 진행하는 것을 방지할 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도 3의 A-A'선 및 B-B'선에 따라 취한 단면도이다. 도 8 및 도 9에 있어서, 도 5와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하도록 한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 표시 장치는 제1영역(A1), 제1영역(A1)을 둘러싸는 제2영역(A2), 제1영역(A1) 및 제2영역(A2) 사이에 배치된 제3영역(A3)을 포함할 수 있다. 이 때, 기판(100)은 제1영역(A1)에 대응하는 개구영역(OA)을 구비할 수 있다. 표시요소로 유기발광다이오드(OLED)는 화소전극 및 대향전극을 포함할 수 있다. 박막봉지층(300)은 유기발광다이오드(OLED)를 덮으며 배치되며, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 제3영역(A3)으로 연장되어 복수의 그루브(Gv)들을 구비한 댐부(DP)에서 컨택될 수 있다. 이 때, 댐부(DP)는 제1영역(A1) 및 제3영역(A3)을 구분하는 경계선(BL)에 인접할 수 있다.
본 실시예에서, 제1보조댐(115D)은 상부그루브(UGv)를 포함할 수 있다. 구체적으로 상부그루브(UGv)는 제1보조층(115Da) 및/또는 제2보조층(115Db)에 구비될 수 있다.
본 실시예에서, 상부그루브(UGv)의 폭은 제1층(113a)에서 멀어지는 방향(예를 들어, z 방향)으로 증가하다가 다시 감소할 수 있다. 일부 실시예에서, 상부그루브(UGv)의 폭은 제1층(113a)에서 멀어지는 방향으로 증가 또는 감소할 수 있다. 일부 실시예에서, 상부그루브(UGv)의 폭은 일정할 수 있다. 상기와 같은 상부그루브(UGv)는 복수의 그루브(Gv)들을 형성할 때 동시에 형성될 수 있다. 이 때, 상부그루브(UGv)의 폭은 제1보조댐(115D)을 형성한 후, 상부그루브(UGv)를 형성할 때, 식각 공정의 식각 속도 또는 식각 시간을 조절하여 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 상부그루브(UGv)의 깊이(H3)는 제1보조댐(115D)의 두께(H4) 와 상이할 수 있다. 예를 들어, 도 8을 참조하면, 상부그루브(UGv)의 깊이(H3)는 제1보조댐(115D)의 두께(H4) 보다 작을 수 있다. 이러한 경우, 상부그루브(UGv)의 바닥면은 제1보조층(115Da) 또는 제2보조층(115Db)의 상면으로 구비될 수 있다. 다른 실시예에서, 상부그루브(UGv)의 깊이(H3)는 제1보조댐(115D)의 두께(H4)와 동일할 수 있다. 예를 들어, 도 9를 참조하면, 상부그루브(UGv)의 깊이(H3)는 제1보조댐(115D)의 두께(H4)와 동일할 수 있다. 이러한 경우, 상부그루브(UGv)의 바닥면은 제1층(113a)의 상면으로 구비될 수 있다. 또 다른 실시예로, 상부그루브(UGv)의 깊이(H3)는 제1보조댐(115D)의 두께(H4) 보다 클 수 있다. 이러한 경우, 상부그루브(UGv)의 측면 중 적어도 일부는 제1층(113a)의 측면으로 구비될 수 있다. 이와 같은 상부그루브(UGv)의 깊이(H3)는 제1보조댐(115D)을 형성한 후, 상부그루브(UGv)를 형성할 때, 식각 공정의 식각 속도 또는 식각 시간을 조절하여 형성할 수 있다.
상부그루브(UGv)의 내부에는 복수의 그루브(Gv)들의 내부와 유사하게 중간층패턴 및 대향전극패턴이 배치될 수 있으며, 제1무기봉지층(310), 제2무기봉지층(330), 제1절연층(410), 및 제2절연층(430)은 상부그루브(UGv) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 제1무기봉지층(310), 제2무기봉지층(330), 제1절연층(410), 및 제2절연층(430)은 단절되지 않고 연속적으로 배치될 수 있다. 제3절연층(450)은 상부그루브(UGv)의 내부를 채울 수 있다. 이러한 경우, 터치입력층과 댐부 사이에 접촉면적이 증가하여 접착력을 강화할 수 있다. 또한, 외부의 불순물이 중간층(220)을 통해 제2영역(A2)으로 진행하는 것을 방지할 수 있으며, 유기봉지층(320)의 흐름을 제어할 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
A1, A2, A3, A4: 제1영역, 제2영역, 제3영역, 제4영역
1: 표시 장치
40: 터치입력층
100: 기판
113a: 제1층
113: 화소정의막
115: 스페이서
115D, 117D: 제1보조댐, 제2보조댐
115P: 패턴부
210: 화소전극
220: 중간층
220a, 220c: 제1기능층, 제2기능층
221P, 222P: 제1중간층패턴, 제2중간패턴
230: 대향전극
231P, 232P: 제1대향전극패턴, 제2대향전극패턴
300: 박막봉지층
310, 330: 제1무기봉지층, 제2무기봉지층
320: 유기봉지층
410, 430, 450: 제1절연층, 제2절연층, 제3절연층
420, 440: 제1도전층, 제2도전층

Claims (20)

  1. 개구영역,
    상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 및
    상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 배치된 제1비표시영역을 구비한 기판;
    상기 표시영역에 배치되고, 화소전극 및 대향전극을 포함하는 표시요소;
    상기 화소전극의 중앙부를 노출하는 개구를 갖는 화소정의막;
    상기 화소정의막 상에 배치된 스페이서;
    상기 표시요소를 덮으며, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 및
    상기 제1비표시영역 상으로 연장된 상기 제1무기봉지층 및 상기 제2무기봉지층이 서로 컨택되며 배치된 복수의 그루브들을 구비한 댐부;를 포함하고,
    상기 댐부는 상기 개구영역 및 상기 제1비표시영역을 구분하는 경계선에 인접하고,
    상기 댐부는 상기 화소정의막과 동일한 층에 배치된 제1층 및 상기 스페이서와 동일한 층에 배치된 제1보조댐을 포함하고,
    상기 복수의 그루브들의 바닥면은 상기 제1층의 상면으로 구비된 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 그루브들의 폭은 상기 기판에서 멀어지는 방향으로 증가하다가 감소하는, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 대향전극과 동일한 물질을 포함하고 인접한 상기 복수의 그루브들 사이에 배치된 제1대향전극패턴을 포함하는, 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 그루브들 내부에 상기 제1대향전극패턴과 이격되어 배치된 제2대향전극패턴을 포함하는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표시요소는 상기 화소전극 및 상기 대향전극 사이에 중간층을 더 포함하고,
    상기 중간층 중 적어도 일부와 동일한 물질을 포함하고 인접한 상기 복수의 그루브들 사이에 배치되는 제1중간층패턴을 포함하는, 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 그루브들 내부에 상기 제1중간층패턴과 이격되어 배치된 제2중간층패턴을 포함하는, 표시 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1층 상에 상기 복수의 그루브들 및 상기 제1보조댐이 배치된, 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    인접한 상기 복수의 그루브들 사이에 배치된 패턴부의 두께는 상기 제1보조댐의 두께 보다 작은, 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1보조댐 상에 제2보조댐을 더 포함하는, 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1보조댐은 상부그루브를 구비한, 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 상부그루브의 깊이는 상기 제1보조댐의 두께와 동일한, 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제1비표시영역 상에, 상기 개구영역에서 상기 표시영역으로의 방향으로 상기 댐부와 이격되어 배치된 하부그루브;을 더 포함하는, 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 하부그루브의 내부를 상기 유기봉지층의 적어도 일부가 채우는, 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 박막봉지층 상에 적어도 하나의 절연층 및 감지전극을 포함하는 터치입력층;을 더 포함하는, 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 절연층은 상기 복수의 그루브들의 내부에 배치된, 표시 장치.
  18. 개구영역,
    상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 및
    댐부를 구비하여 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 배치된 제1비표시영역을 포함하는 기판;
    상기 표시영역에 배치되고, 화소전극 및 대향전극을 포함하는 표시요소;
    상기 화소전극의 중앙부를 노출하는 개구를 갖는 화소정의막;
    상기 화소정의막 상에 배치된 스페이서;
    상기 표시요소를 덮는 박막봉지층; 및
    상기 박막봉지층 상에 배치된 적어도 하나의 절연층을 포함하는 터치입력층;을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 절연층이 상기 제1비표시영역으로 연장되어 상기 댐부에 구비된 복수의 그루브들의 내부에 배치되고,
    상기 댐부는 상기 화소정의막과 동일한 층에 배치된 제1층 및 상기 스페이서와 동일한 층에 배치된 제1보조댐을 포함하고,
    상기 복수의 그루브들의 바닥면은 상기 제1층의 상면으로 구비된 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 댐부는 상기 개구영역 및 상기 제1비표시영역을 구분하는 경계선에 인접하는 것을 특징으로 하는, 표시 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 절연층은 무기층 및 유기층을 포함하고,
    상기 유기층은 상기 복수의 그루브들의 내부를 채우는, 표시 장치.
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