KR102458743B1 - 자유-라디칼 광개시제 및 실리콘 조성물에서 이의 용도 - Google Patents
자유-라디칼 광개시제 및 실리콘 조성물에서 이의 용도 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 실리콘 조성물, 특히 아크릴 실리콘 조성물의 자유-라디칼 가교를 위한 II 형 광개시제에 관한 것이다. 본 발명은 하기를 포함하는, 300 ㎚ 내지 450 ㎚ 의 파장을 갖는 방사선에의 노출에 의해 가교될 수 있는 실리콘 조성물 (C1) 에 관한 것이다:
- 규소 원자에 결합된 적어도 하나의 메타크릴레이트 기를 포함하는 적어도 하나의 오르가노폴리실록산 (A),
- 상이한 규소 원자에 각각 결합된 적어도 2 개의, 바람직하게는 적어도 3 개의 수소 원자를 포함하는 적어도 하나의 오르가노히드로게노폴리실록산 (H), 및
- 적어도 하나의 자유-라디칼 광개시제 (P).
본 발명은 또한 300 ㎚ 초과의 파장을 갖는 광 방사선을 흡수하는, 특히 방사선에의 노출에 의한, 실리콘 조성물의 가교에 적합한 II 형 광개시제 시스템을 포함하는 자유-라디칼 공정에 의해 중합 또는 가교될 수 있는 실리콘 조성물의 제공에 관한 것이다.
- 규소 원자에 결합된 적어도 하나의 메타크릴레이트 기를 포함하는 적어도 하나의 오르가노폴리실록산 (A),
- 상이한 규소 원자에 각각 결합된 적어도 2 개의, 바람직하게는 적어도 3 개의 수소 원자를 포함하는 적어도 하나의 오르가노히드로게노폴리실록산 (H), 및
- 적어도 하나의 자유-라디칼 광개시제 (P).
본 발명은 또한 300 ㎚ 초과의 파장을 갖는 광 방사선을 흡수하는, 특히 방사선에의 노출에 의한, 실리콘 조성물의 가교에 적합한 II 형 광개시제 시스템을 포함하는 자유-라디칼 공정에 의해 중합 또는 가교될 수 있는 실리콘 조성물의 제공에 관한 것이다.
Description
본 발명은 실리콘 조성물, 특히 아크릴 실리콘 조성물의 자유-라디칼 가교를 위한 II 형 광개시제에 관한 것이다.
이형 코팅을 생성시키기 위해서 실리콘 코팅을 코팅하기 위한 기재 재료로서 플라스틱 필름의 사용은 적절한 기술을 필요로 한다. 사실, 대부분의 이들 플라스틱 필름은 감열성이다. 따라서, 필름에 대한 인장력 및 온도의 조합 효과 하에 가열 오븐 중에서 실리콘 층의 코팅 및 건조 동안 필름의 치수 변형이 발생된다. 자외선 (UV) 방사선 하에서 기능성 실리콘 오일의 가교를 위한 기술은 고온의 사용을 불필요하게 만들고, 그리하여 이형층은 기재에 영향을 미치지 않고 가교될 수 있다. 게다가, 이러한 기술은 에너지 소모 없이, 용매를 사용하지 않고도 고생산성 획득의 장점을 제공한다. 플라스틱 기재는 많은 용도로 선택되는 재료이고 그 사용이 꾸준히 증가되고 있다. 따라서, UV 하에 실리콘 박막 가교 분야에서 연구 및 혁신 노력은 필수적이다.
실리콘 조성물은 일반적으로 그 방출 스펙트럼이 200 ㎚ 에서 가시광 (>400 ㎚) 까지 연장되는 도핑 또는 비도핑 수은 증기 램프에 의해 방출되는 UV 또는 가시광선 하에서 가교된다. 광원 예컨대 두문자어 LED 로 더 잘 알려진, 포인트-소스 UV 또는 가시광선을 전달하는 발광 다이오드가 사용될 수도 있다.
일반적으로, 조사 하의 가교는 광개시제 분자에 의해 촉진된다. 광개시제 및 이의 용도는 문헌에 광범위하게 논의되어 있다. 아크릴 실리콘 조성물의 자유-라디칼 중합 분야에서 통용되는 광개시제 분자는 소위 I 형 광개시제이다. 조사 하에서, 이들 분자는 분해되어 자유 라디칼을 생산한다. 이들 라디칼은 조성물의 경화를 이끄는 중합 개시 반응을 유도한다. 이형 코팅을 수득하기 위해 아크릴 실리콘 배합물에서 그들 사용을 허용하는 특징들을 보유하는 I 형 광개시제의 개발에 많은 노력이 쏟아지고 있다. 본 출원 전반에서 표현 "I 형 광개시제" 는 당업자에게 충분히 공지되어 있고, 분자내 등방성 단편화에 의해 UV 여기 하에 중합-개시 자유 라디칼을 발생시킬 수 있는 화합물을 의미한다.
또한 자유-라디칼 광개시제 및 공개시제를 포함하는 II 형 광개시제 시스템이 존재한다. II 형 광개시제 시스템에서, 사용되는 광개시제는 공개시제라고 불리는 다른 화합물과의 반응에 의해 중합-개시 자유 라디칼을 발생시킬 수 있고, 상기 반응은 공개시제로부터 상기 광개시제로의 수소 전달을 야기시킨다. II 형 광개시제 시스템에서 사용되는 광개시제는 "II 형 광개시제" 라는 표현으로 표시된다.
지금까지, 특별한 파장에 집중된 협소한 출력 스펙트럼을 갖는 광선빔을 발생시키는, 두문자어 LED 로 보다 잘 알려진, 발광 다이오드와 같은 광원에 의해 방출되는 UV 또는 가시광선 하에서 아크릴 실리콘 조성물의 중합반응에 효과적인, 자유-라디칼 광개시제 및 공개시제를 포함하는, II 형 광개시제 시스템은 존재하지 않았다. UV 또는 가시광선 존재의 LED 는 주로 365, 385, 395 또는 405 ㎚ 의 파장에 집중된 방출 밴드를 갖는다.
본 발명의 목적은, 특히 발광 다이오드에 의해 방출되는 UV 또는 가시광선에의 노출에 의해, 실리콘 조성물을 가교시키기에 적합한 II 형 광개시제 시스템을 포함하는 자유-라디칼 중합가능한 또는 가교가능한 실리콘 조성물을 제공하는 것이다. LED 램프는 지금까지 통용되는 수은 또는 크세논 소스의 램프와 비교하여 전력 소비, 유효 수명 및 전기 안전 면에서 장점을 제공한다. LED 의 다른 장점은 예열 시간의 부재로서, 생산성 증가를 제공한다.
본 발명의 다른 목적은 300 ㎚ 초과 파장 광을 흡수하고, 특히 방사선에의 노출에 의해, 실리콘 조성물을 가교시키기에 적합한 II 형 광개시제 시스템을 포함하는 자유-라디칼 중합가능한 또는 가교가능한 실리콘 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 본 발명에 따른 자유-라디칼 중합가능한 실리콘 조성물로부터 출발하여 기재 상에 필름 또는 코팅을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 본 발명에 따른 자유-라디칼 중합가능한 실리콘 조성물로부터 수득된 필름 또는 코팅으로 코팅된 기재를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 (메트)아크릴레이트 기, 특히 (메트)아크릴 에스테르 기 또는 다른 에폭시 아크릴레이트 또는 폴리에테르 아크릴레이트를 포함하는 폴리오르가노실록산으로부터 출발하여, 방사선 하에서, 특히 UV 방사선 하에서 가교되는 이형 코팅을 수득하기 위한 실리콘 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 방사선에의 노출 및 중첨가에 의해서 자유-라디칼 중합가능한 또는 가교가능한 실리콘 조성물을 제공하는 것이다. 이중 가교 시스템을 갖는 이들 실리콘 조성물은 양호한 안정성 및 양호한 기계적 특성을 갖는 실리콘 엘라스토머를 수득하도록, 부분적으로 매우 신속하게 조사에 의해 가교된 후에 가열에 의해 계속 가교될 수 있는 특정한 특성을 갖는다.
이중 가교 시스템을 갖는 실리콘 조성물은 특허 US 4585669 (GE) 에 기술되어 있다. 오르가노히드로게노폴리실록산, 아크릴레이트 라디칼을 포함하는 폴리오르가노실록산, 비닐 기를 포함하는 폴리오르가노실록산, Pt 촉매 및 자유-라디칼 유형의 광개시제를 포함하는 실리콘 조성물이 기술된다. 광개시제로서 디에톡시아세토페논 및 감광제로서 벤조페논의 조합이 예시된다.
이중 가교 시스템을 갖는 실리콘 조성물 ("이중 경화 실리콘 조성물") 은 그들이 실리콘 엘라스토머 물품의 프린팅 속도 증가를 가능하게 만들기 때문에 3D 프린팅에서 사용을 위해 분명히 흥미롭다. 프린팅이 진행되면서 실리콘 조성물 층의 조사는 제작 동안 조성물 일부의 신속한 겔화를 허용하고 그리하여 각 층은 프린팅된 구조체의 붕괴 없이 이의 형상을 유지한다. 프린팅이 끝나면, 가열 단계는 중첨가에 의한 조성물의 가교를 종결시키는 것을 가능하게 하여서 안정성이 양호하고 기계적 특성이 양호한 실리콘 엘라스토머가 수득된다.
국제 특허 출원 공개 번호 WO2016/134972 는 압출 또는 잉크젯 3D 프린터를 사용하여 실리콘 엘라스토머 물품을 제조하는 방법을 기술한다. 이 특허 출원은 UV 조사 및 가열 둘 모두에 의해 가교되는 실리콘 조성물을 적용한다. 조사는 층의 겔화를 초래하고 최종 열 경화는 안정성 및 기계적 특성이 양호한 실리콘 엘라스토머를 생성시킨다. 기술된 유일한 광개시제는 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논에 상응하는 시판 I 형 광개시제인 Irgacure® 651 이다. 파장 360 ㎚ 의 UV 방사선이 실시예에서 사용된다.
국제 특허 출원 공개 번호 WO2017/07952 는 또한 조사에 의해 중합가능한 제 1 시약 및 특히 중첨가에 의해 가교가능한 시약의 제 2 시스템을 포함하는 적층 제조를 위한 실리콘 조성물을 기술한다. 이 특허 출원에서, 적층 제조는 탱크에서 연속 액체 계면 생산 (CLIP) 에 의해 또는 잉크젯에 의해 수행된다. 모르폴리논 및 이소프로필티오크산톤의 조합은 광개시제로서 기술되어 있다. 광개시제의 불량한 가용성이 실시예에 예시되어 있다. 임의의 미용해된 광개시제를 분리하는데 원심분리 단계가 필요하다. 게다가, 아미노 기의 존재 덕분에, 모르폴리논은 중첨가 반응의 억제제이다. 일반적으로 200 내지 500 ㎚ 의 파장에서 흡수하는 광개시제를 기술한다.
결론적으로, 발광 다이오드에 의해 방출되는 300 ㎚ 초과의 파장의 UV 또는 가시광선 하에서 조사 및 실리콘 조성물에 가용성인 광개시제를 사용한 중첨가에 의해 가교가능한 실리콘 조성물을 개발할 필요가 있다.
본 발명의 다른 목적은 방사선에의 노출 및 중첨가에 의해 자유-라디칼 중합가능한 또는 가교가능하고, 또한 3D 프린팅 공정으로 공지된 적층 제조 방법에 유용한 실리콘 조성물을 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명은 하기를 포함하는, 300 내지 450 ㎚ 파장의 방사선에의 노출에 의해 가교가능한 실리콘 조성물 (C1) 에 관한 것이다:
- 규소 원자에 결합된 적어도 하나의 (메트)아크릴레이트 기를 포함하는 적어도 하나의 폴리오르가노실록산 (A),
- 상이한 규소 원자에 각각 결합된 적어도 2 개의, 바람직하게는 적어도 3 개의 수소 원자를 포함하는 적어도 하나의 오르가노히드로게노폴리실록산 (H), 및
- 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 자유-라디칼 광개시제 (P):
상기 식에서,
- 기호 X 는 산소 원자, 황 원자, CH2 기 및 카르보닐 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 기호 R2 및 R4 는 수소 원자이고,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R1 및 R3 은 수소 원자, 히드록실 및 식 -OZ 의 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 기호 O 는 산소 원자이고, 기호 Z 는
■ C1-C20, 바람직하게는 C3-C20, 알킬 기 또는 C2-C20 알케닐 기,
■ 기 -(C=O)-R5 (여기서 라디칼 R5 는 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬 및 C6-C12 아릴 기로부터 선택됨), 및
■ 기 -Si(R6)3 (여기서 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기 R6 은 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬, C6-C12 아릴, C1-C20 알콕실 기 및 수소 원자로부터 선택됨)
로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 치환기 R1 또는 R3 중 적어도 하나는 히드록실 또는 식 -OZ 의 기인 것을 조건으로 한다.
방사선 하에서 광가교 수득 목적을 위해서, 조성물은 입사광 에너지의 흡수 효과 하에서, 매질 중에 자유 라디칼을 방출하는 II 형 광개시제 시스템을 포함한다. 이들 라디칼은 (메트)아크릴 작용기의 자유-라디칼 중합반응의 개시제의 역할을 수행한다. 이것이 조성물 경화의 벡터이므로, 광개시제 시스템은 본 출원의 필수 열쇠이다.
그러므로 본 발명은 상기 정의된 바와 같은 자유-라디칼 광개시제 (P) 및 공개시제로서 오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 의 조합을 포함하는 특별한 II 형 광개시제 시스템의 사용을 기반으로 한다.
실리콘 조성물 (C1) 은 UV 또는 가시광선 노출에 의해 효율적으로 가교되는 장점을 갖는다. 게다가, 식 (I) 의 자유-라디칼 광개시제 (P) 는 시판 자유-라디칼 광개시제 예컨대 벤조페논 또는 이소프로필티오크산톤에 비해서 적어도 하나의 (메트)아크릴레이트 기를 포함하는 폴리오르가노실록산에 더 가용성이라는 장점을 갖는다.
본 문서 전반에서, 실리콘 화학에서 광범위하게 공지된 명칭에 따라, 하기와 같이 나타내는 폴리오르가노실록산의 실록시 단위 M, D, T, Q 를 표시하기 위한 통상의 명명법의 요소가 언급될 것이다:
- M = 식 R3SiO1/2 의 실록시 단위
- D = 식 R2SiO2/2 의 실록시 단위
- T = 식 RSiO3/2 의 실록시 단위, 및
- Q = 식 SiO4/2 의 실록시 단위,
여기서 라디칼 R 은 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있고, 1 가 기이다.
본 출원에서 논의되는 모든 점도는 "뉴턴" 이라 불리는 (달리 명시되지 않으면) 25℃ 에서 동적 점도의 크기, 즉 전단 속도 경사도와 독립적이도록 측정되는 점도에 대해 충분히 낮은 전단 속도 경사도에서 브룩필드 점도계를 사용해, 그 자체로 공지된 방식으로 측정된 동적 점도에 상응한다.
본 발명에 따른 가교가능한 실리콘 조성물 (C1) 은 규소 원자에 결합된 적어도 하나의 (메트)아크릴레이트 기를 포함하는 적어도 하나의 폴리오르가노실록산 (A) 을 포함한다. 실리콘에 의해 보유되고, 본 발명에 매우 특히 적합한 (메트)아크릴레이트 작용기의 대표적인 예로서, 보다 특히 Si-C 결합에 의해 폴리실록산 사슬에 결합되는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 유도체, (메트)아크릴레이트의 에테르 및 (메트)아크릴레이트의 에스테르가 언급될 수 있다.
하나의 실시형태에 따르면, 폴리오르가노실록산 (A) 은 하기를 포함한다:
a1) 하기 식 (A1) 의 적어도 하나의 단위:
RaZbSiO(4-a-b)/2 (A1)
[식에서,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R 은 각각 선형 또는 분지형 C1 내지 C18 알킬 기, 바람직하게는 할로겐 원자로, 임의로 치환되는, C6 내지 C12 아릴 또는 아르알킬 기, 또는 알콕시 라디칼 -OR4 을 나타내고, 여기서 R4 는 수소 원자이거나 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 포함하는 탄화수소 라디칼이고,
- 기호 Z 는 식 -y-(Y')n 의 1 가 라디칼이고, 여기서
ㆍ y 는 히드록시 라디칼에 의해 임의로 치환되는 C1 내지 C4 2 가 옥시알킬렌 또는 폴리옥시알킬렌 라디칼에 의해서 임의로 연장된 선형 또는 분지형 다가 C1-C18 알킬렌 라디칼을 나타내고,
ㆍ Y' 은 1 가 알케닐카르보닐옥시 라디칼을 나타내고,
ㆍ n 은 1, 2 또는 3 이고,
- "a" 는 0, 1 또는 2 의 정수이고, b 는 1 또는 2 의 정수이고, 합계 a+b = 1, 2 또는 3 임]; 및
a2) 임의로는 하기 식 (A2) 의 단위:
RaSiO(4-a)/2 (A2)
[식에서,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R 은 각각 선형 또는 분지형 C1 내지 C18 알킬 기, 바람직하게는 할로겐 원자로, 임의로 치환되는, C6 내지 C12 아릴 또는 아르알킬 기를 나타내고,
- "a" 는 0, 1, 2 또는 3 의 정수임].
상기 식 (A1) 및 (A2) 에서, 기호 R 은 유리하게 메틸, 에틸, 프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필, 크실릴, 톨릴 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 가 라디칼을 나타낼 수 있다.
폴리오르가노실록산 (A) 은 선형, 분지형, 환형 또는 망상형 구조를 가질 수 있다. 그들이 선형 폴리오르가노실록산일 때, 후자는
- 식 R2SiO2/2, RZSiO2/2 및 Z2SiO2/2 의 단위로부터 선택되는 실록시 단위 "D", 및
- 식 R3SiO1/2, R2ZSiO1/2, RZ2SiO1/2 및 Z3SiO1/2 의 단위로부터 선택되는 실록시 단위 "M" 으로 본질적으로 이루어질 수 있고,
- 기호 R 및 Z 는 상기 식 (A1) 에서의 정의와 같다.
하나의 실시형태에 따르면, 상기 식 (A1) 에서, 상기 언급된 알케닐카르보닐옥시 라디칼 Y' 중에, 아크릴옥시 라디칼 [CH2=CH-CO-O-] 및 메타크릴옥시 라디칼: [(CH3)CH=CH-CO-O-] 및 [CH2=C(CH3)-CO-O-] 이 언급될 수 있다.
식 (A1) 의 단위에서 상기 기호 Z 에 대한 기호 y 의 예시로서, 하기의 라디칼이 언급될 수 있다:
-CH2-;
-(CH2)2-;
-(CH2)3-;
-CH2-CH(CH3)-CH2-;
-(CH2)3-NH-CH2-CH2-;
-(CH2)3-OCH2-;
-(CH2)3-[O-CH2-CH(CH3)-]-;
-(CH2)3-O-CH2-CH(OH)(-CH2-);
-(CH2)3-O-CH2-C(CH2-CH3)[-(CH2)2-]2; 및
-(CH2)2-C6H9(OH)-.
바람직하게는, 폴리오르가노실록산 (A) 는 하기 식 (III) 에 상응한다:
상기 식에서,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R1 은 각각 선형 또는 분지형 C1 내지 C18 알킬 기, 바람직하게는 할로겐 원자로, 임의로 치환되는, C6 내지 C12 아릴 또는 아르알킬 기, 또는 알콕시 라디칼 -OR4 를 나타내고, 여기서 R4 는 수소 원자 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 포함하는 탄화수소 라디칼이고,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R2 및 R3 은 각각이 라디칼 R1 또는 식 Z = -w-(Y')n 의 1 가 라디칼을 나타내고, 여기서
ㆍ w 는 히드록시 라디칼로 임의로 치환되는 2 가 C1 내지 C4 옥시알킬렌 또는 폴리옥시알킬렌 라디칼에 의해 임의로 연장된 선형 또는 분지형 다가 C1-C18 알킬렌 라디칼을 나타내고,
ㆍ Y' 은 1 가 알케닐카르보닐옥시 라디칼을 나타내고,
ㆍ n 은 1, 2 또는 3 이고,
- a = 0 내지 1000 이고, b = 0 내지 500 이고, c = 0 내지 500 이고, d = 0 내지 500 이고, a+b+c+d= 0 내지 2500 이며,
- 적어도 하나의 기호 R2 또는 R3 은 식 Z 의 1 가 라디칼을 나타내는 것을 조건으로 한다.
바람직한 실시형태에 따르면, 상기 식 (III) 에서,
- c=0 이고, d=0 이고, a= 1 내지 1000 이고, b= 1 내지 250 이며, 기호 R2 는 식 Z 의 1 가 라디칼을 나타내고 기호 R1 및 R3 은 상기와 동일한 의미를 갖는다.
보다 더 바람직하게는, 상기 식 (III) 에서,
- c=0 이고, d=0 이고, a= 1 내지 500 이고, b= 1 내지 100 이며, 기호 R2 는 식 Z 의 1 가 라디칼을 나타내고, 기호 R1 및 R3 은 상기와 동일한 의미를 갖는다.
하나의 실시형태에 따르면, 본 발명에 따른 폴리오르가노실록산 (A) 은 하기 식 (IV) 에 상응한다:
상기 식에서,
- x 는 1 내지 1000 이고;
- n 은 1 내지 100 이다.
오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 은 각각이 상이한 규소 원자에 결합된 적어도 2 개의, 바람직하게는 적어도 3 개의 수소 원자를 포함한다.
"규소 원자에 결합된 수소 원자" 라는 표현은 작용기 Si-H 또는 결합 Si-H 또는 수소-실릴 작용기를 의미한다.
바람직한 실시형태에 따르면, 오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 은 하기를 포함한다:
(i) 하기 식 (H1) 의 적어도 2 개의 단위:
HdLeSiO(4-(d+e))/2 (H1)
[식에서,
- L 은 수소 원자와 상이한 1 가 라디칼을 나타내고,
- H 는 수소 원자를 나타내고,
- d 및 e 는 정수를 나타내고, d 는 1 또는 2 의 값을 갖고, e 는 0, 1 또는 2 의 값을 가지며 (d+e) 는 1, 2 또는 3 의 값을 가짐]; 및
(ii) 임의로는 식 (H2) 의 다른 단위:
LfSiO(4-f)/2 (H2)
[식에서,
- L 은 상기와 동일한 의미를 가지고,
- f 는 0, 1, 2 또는 3 의 값을 갖는 정수를 나타냄].
상기 식 (H1) 및 (H2) 에서, 몇개의 기 L 이 존재하면, 그들은 서로 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있다는 것을 이해한다. 식 (H1) 에서, 기호 d 는 바람직하게는 1 의 값을 가질 수 있다. 또한, 식 (H1) 및 식 (H2) 에서, L 은 바람직하게는 적어도 하나의 할로겐 원자로 임의로 치환되는, 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 및 아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 가 라디칼을 나타낼 수 있다. L 은 유리하게 메틸, 에틸, 프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필, 크실릴, 톨릴 및 페닐로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 가 라디칼을 나타낼 수 있다. 식 (H1) 의 단위의 예는 다음과 같다: H(CH3)2SiO1/2, H(CH3)SiO2/2 및 H(C6H5)SiO2/2.
오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 은 선형, 분지형, 환형 또는 망상형 구조를 가질 수 있다. 그들이 선형 오르가노히드로게노폴리실록산일 때, 후자는
- 식 HLSiO2/2 (단위 D'이라고 함) 및 L2SiO2/2 의 단위로부터 선택되는 실록시 단위 "D", 및
- 식 HL2SiO1/2 (단위 M'이라고 함) 및 L3SiO2/2 의 단위로부터 선택되는 실록시 단위 "M"
으로 본질적으로 이루어질 수 있고,
여기서 기호 L 은 상기와 동일한 의미를 가지고 기호 H 는 수소 원자를 나타낸다.
이들 선형 오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 은 1 mPa.s 내지 100 000 mPa.s, 바람직하게는 1 mPa.s 내지 5000 mPa.s, 보다 더 바람직하게는 1 mPa.s 내지 2000 mPa.s 의 25℃ 에서의 동적 점도를 갖는 오일일 수 있다.
그들이 환형 오르가노히드로게노폴리실록산일 때, 그들은 식 HLSiO2/2 및 L2SiO2/2 의 단위로부터 선택되는 실록시 단위 "D" 또는 HLSiO2/2 의 실록시 단위 단독으로 이루어질 수 있다. 식 L2SiO2/2 의 단위는 특히 디알킬실록시 단위 또는 알크아릴실록시 단위일 수 있다. 이들 환형 오르가노히드로게노폴리실록산은 1 mPa.s 내지 5000 mPa.s 의 25℃ 에서의 동적 점도를 가질 수 있다.
오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 의 예는
- 히드로게노디메틸실릴 말단을 갖는 폴리디메틸실록산;
- 트리메틸실릴 말단을 갖는 폴리(디메틸실록산-코-히드로게노메틸실록산);
- 히드로게노디메틸실릴 말단을 갖는 폴리(디메틸실록산-코-히드로게노메틸실록산);
- 트리메틸실릴 말단을 갖는 폴리히드로게노메틸실록산; 및
- 환형 히드로게노메틸폴리실록산이다.
그들이 분지형 또는 망상형 오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 일 때, 그들은 다음을 더 포함할 수 있다:
- 식 HSiO3/2 및 LSiO3/2 의 단위로부터 선택되는 실록시 단위 "T";
- 식 SiO4/2 의 실록시 단위 "Q",
여기서 기호 H 는 수소 원자를 나타내고 L 은 상기와 동일한 의미를 갖는다.
하나의 실시형태에 따르면, 오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 은 100 g 의 중합체 당 적어도 0.05 mol 의 Si-H 작용기, 바람직하게는 100 g 의 중합체 당 적어도 0.08 mol 의 Si-H 작용기, 보다 바람직하게는 100 g 의 중합체 당 0.08 mol 내지 2.5 mol 의 Si-H 작용기, 보다 더 바람직하게는 100 g 의 중합체 당 0.08 mol 내지 1.8 mol 의 Si-H 작용기를 포함한다.
실리콘 조성물 (C1) 은 하기 식 (I) 의 자유-라디칼 광개시제 (P) 를 포함한다:
상기 식에서,
- 기호 X 는 산소 원자, 황 원자, CH2 기 및 카르보닐 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 기호 R2 및 R4 는 수소 원자이고,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R1 및 R3 은 수소 원자, 히드록실 및 식 -OZ 의 기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기서 기호 O 은 산소 원자이고, 기호 Z 는
■ C1-C20, 바람직하게는 C3-C20, 알킬 기 또는 C2-C20 알케닐 기,
■ 기 -(C=O)-R5 (여기서 라디칼 R5 는 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬 및 C6-C12 아릴 기로부터 선택됨), 및
■ 기 -Si(R6)3 (여기서 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기 R6 은 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬, C6-C12 아릴, C1-C20 알콕실 기 및 수소 원자로부터 선택됨)
로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 치환기 R1 또는 R3 중 적어도 하나는 히드록실이거나 또는 식 -OZ 의 기인 것을 조건으로 한다.
본 발명의 유리한 실시형태에 따르면, 상기 식 (I) 에서, R2=R3=R4=H 이고, R1=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
다른 실시형태에 따르면, 상기 식 (I) 에서, R1=R2=R4=H 이고 R3=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
하나의 실시형태에 따르면, 자유-라디칼 광개시제 (P) 는 하기 식 (Ia) 의 티오크산톤 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다:
상기 식에서,
- 기호 X 는 황 원자이고,
- 기호 R2 및 R4 는 수소 원자이고,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R1 및 R3 은 수소 원자, 히드록실 및 식 -OZ 의 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 기호 O 는 산소 원자이고, 기호 Z 는
■ C1-C20, 바람직하게는 C3-C20, 알킬 기 또는 C2-C20 알케닐 기,
■ 기 -(C=O)-R5 (여기서 라디칼 R5 는 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬 및 C6-C12 아릴 기로 이루어진 군에서 선택됨), 및
■ 기 -Si(R6)3 (여기서 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기 R6 은 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬, C6-C12 아릴, C1-C20 알콕실 기 및 수소 원자로부터 선택됨)
로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 치환기 R1 또는 R3 중 적어도 하나는 히드록실이거나 또는 식 -OZ 의 기인 것을 조건으로 한다.
본 발명의 유리한 실시형태에 따르면, 상기 식 (Ia) 에서, R2=R3=R4=H 이고 R1=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
다른 실시형태에 따르면, 상기 식 (Ia) 에서, R1=R2=R4=H 이고 R3=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
식 (Ia) 의 자유-라디칼 광개시제 (P) 로서, 특히 하기 화합물이 언급될 수 있다:
2-히드록시-9H-티오크산텐-9-온, RN-CAS= 31696-67-0,
2-메톡시-9H-티오크산텐-9-온, RN-CAS= 40478-82-8,
2-에톡시-9H-티오크산텐-9-온, RN-CAS= 5543-66-8,
2-헥실옥시-9H-티오크산텐-9-온, RN-CAS= 5596-56-5,
2-옥틸옥시-9H-티오크산텐-9-온, 하기 식 (6),
2-데실옥시-9H-티오크산텐-9-온, 하기 식 (7),
2-도데실옥시-9H-티오크산텐-9-온, 하기 식 (8),
2-아세틸옥시-9H-티오크산텐-9-온, RN-CAS= 92439-12-8,
2-[(트리메틸실릴)옥시]-9H-티오크산텐-9-온, 하기 식 (17),
2-프로펜산 9-옥소-9H-티오크산텐-2-일 에스테르, RN-CAS= 113797-58-3,
2-네오데칸산 9-옥소-9H-티오크산텐-2-일 에스테르, 하기 식 (20),
4-네오데칸산 9-옥소-9H-티오크산텐-2-일 에스테르, 하기 식 (25), 및
4-히드록시-9H-티오크산텐-9-온, 하기 식 (23).
다른 실시형태에 따르면, 자유-라디칼 광개시제 (P) 는 하기 식 (Ib) 의 크산톤 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다:
상기 식에서,
- 기호 X 는 산소 원자이고,
- 기호 R2 및 R4 는 수소 원자이고,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R1 및 R3 은 수소 원자, 히드록실 및 식 -OZ 의 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 기호 O 는 산소 원자이고, 기호 Z 는
■ C1-C20, 바람직하게는 C3-C20, 알킬 기 또는 C2-C20 알케닐 기,
■ 기 -(C=O)-R5 (여기서 라디칼 R5 는 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬 및 C6-C12 아릴 기로부터 선택됨), 및
■ 기 -Si(R6)3 (여기서 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기 R6 은 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬, C6-C12 아릴, C1-C20 알콕실 기 및 수소 원자로부터 선택됨)
로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 치환기 R1 또는 R3 중 적어도 하나는 히드록실이거나 또는 식 -OZ 의 기인 것을 조건으로 한다.
본 발명의 유리한 실시형태에 따르면, 상기 식 (Ib) 에서, R2=R3=R4=H 이고 R1=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
다른 실시형태에 따르면, 상기 식 (Ib) 에서, R1=R2=R4=H 이고 R3=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
식 (Ib) 의 자유-라디칼 광개시제 (P) 의 예로서, 특히 하기의 화합물이 언급될 수 있다:
2-히드록시-9H-크산텐-9-온, RN-CAS= 1915-98-6,
2-메톡시-9H-크산텐-9-온, RN-CAS= 1214-20-6,
2-에톡시-9H-크산텐-9-온, RN-CAS= 103573-60-0,
2-헥실옥시-9H-크산텐-9-온, 하기 식 (1),
2-옥틸옥시-9H-크산텐-9-온, 하기 식 (2),
2-데실옥시-9H-크산텐-9-온, 하기 식 (3),
2-도데실옥시-9H-크산텐-9-온, 하기 식 (4),
2-[(트리메틸실릴)옥시]-9H-크산텐-9-온, RN-CAS= 32747-67-4, 하기 식 (18),
2-네오데칸산 9-옥소-9H-크산텐-2-일 에스테르, 하기 식 (19),
4-네오데칸산 9-옥소-9H-크산텐-2-일 에스테르, 하기 식 (24), 및
4-히드록시-9H-크산텐-9-온 RN-CAS= 14686-63-6.
하나의 실시형태에 따르면, 자유-라디칼 광개시제 (P) 는 하기 식 (Ic) 의 안트라세논 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다:
상기 식에서,
- 기호 X 는 CH2 기이고,
- 기호 R2 및 R4 는 수소 원자이고,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R1 및 R3 은 수소 원자, 히드록실 및 식 -OZ 의 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 기호 O 는 산소 원자이고, 기호 Z 는
■ C1-C20, 바람직하게는 C3-C20, 알킬 기 또는 C2-C20 알케닐 기,
■ 기 -(C=O)-R5 (여기서 라디칼 R5 는 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬 및 C6-C12 아릴 기로부터 선택됨), 및
■ 기 -Si(R6)3 (여기서 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기 R6 은 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬, C6-C12 아릴, C1-C20 알콕실 기 및 수소 원자로부터 선택됨)
로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 치환기 R1 또는 R3 중 적어도 하나는 히드록실이거나 또는 식 -OZ 의 기인 것을 조건으로 한다.
본 발명의 유리한 실시형태에 따르면, 상기 식 (Ic) 에서, R2=R3=R4=H 이고 R1=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
다른 실시형태에 따르면, 상기 식 (Ic) 에서, R1=R2=R4=H 이고 R3=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
식 (Ic) 의 안트라세논으로부터 유도된 자유-라디칼 광개시제 (P) 의 예로서, 2-메톡시-10H-안트라센-9-온 (RN-CAS= 53604-95-8) 및 4-메톡시-10H-안트라센-9-온 (RN CAS = 7470-93-1) 뿐만 아니라 하기 식 (13), (14), (15), (16) 및 (22) 의 화합물이 언급될 수 있다.
하나의 실시형태에 따르면, 자유-라디칼 광개시제 (P) 는 하기 식 (Id) 의 안트라퀴논의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다:
상기 식에서,
- 기호 X 는 카르보닐 라디칼이고,
- 기호 R2 및 R4 는 수소 원자이고,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R1 및 R3 은 수소 원자, 히드록실 및 식 -OZ 의 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 기호 O 는 산소 원자이고, 기호 Z 는
■ C1-C20, 바람직하게는 C3-C20, 알킬 기 또는 C2-C20 알케닐 기,
■ 기 -(C=O)-R5 (여기서 라디칼 R5 는 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬 및 C6-C12 아릴 기로부터 선택됨), 및
■ 기 -Si(R6)3 (여기서 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기 R6 은 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬, C6-C12 아릴, C1-C20 알콕실 기 및 수소 원자로부터 선택됨)
로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 치환기 R1 또는 R3 중 적어도 하나는 히드록실이거나 또는 식 -OZ 의 기인 것을 조건으로 한다.
본 발명의 유리한 실시형태에 따르면, 상기 식 (Id) 에서, R2=R3=R4=H 이고 R1=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
다른 실시형태에 따르면, 상기 식 (Id) 에서, R1=R2=R4=H 이고 R3=OH 이거나 또는 상기 정의된 바와 같은 -OZ 이다.
식 (Id) 의 안트라퀴논으로부터 유도된 자유-라디칼 광개시제 (P) 의 예로서, 2-도데실옥시-10H-안트라퀸-9-온 (RN-CAS= 218961-85-4) 및 옥탄산, 9,10-디히드로-9,10-디옥소-2-안트라세닐 에스테르 (RN-CAS= 110484-84) 뿐만 아니라 하기 식 (9), (10), (11), (12) 및 (21) 의 화합물이 언급될 수 있다.
유리한 실시형태에 따르면, 자유-라디칼 광개시제 (P) 는 상기 기술된 바와 같은 식 (Ia) 의 티오크산톤 및 식 (Ib) 의 크산톤의 유도체로부터 선택된다. 365 ㎚ 에서 흡수하는 크산톤의 유도체 및 395 ㎚ 에서 흡수하는 티오크산톤의 유도체는 그들이 LED 에서 사용될 수 있으므로 바람직하다.
하나의 실시형태에 따르면, 본 발명에 따른 가교가능한 실리콘 조성물 (C1) 은 100 g 의 조성물 (C1) 당 적어도 0.0003 mol 의 자유-라디칼 광개시제 (P), 바람직하게는 100 g 의 조성물 (C1) 당 적어도 0.0005 mol 의 자유-라디칼 광개시제 (P) 를 포함한다. 바람직하게는, 본 발명의 조성물 (C1) 중 자유-라디칼 광개시제 (P) 의 몰 함량은 100 g 의 조성물 (C1) 당 0.0003 내지 0.015 mol, 보다 더 바람직하게는 100 g 의 조성물 (C1) 당 0.0005 내지 0.015 mol 이다.
하나의 실시형태에 따르면, 조성물 (C1) 은 백금을 포함하지 않는다.
본 발명에 따른 가교가능한 실리콘 조성물 (C1) 은 적어도 하나의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서, 하기로부터 선택되는, 조성물 중 실리콘/점착제 계면의 탈착력을 제어하는 적어도 하나의 첨가제를 포함할 수 있다:
(i) (메트)아크릴레이트 유기 유도체, 및
(ii) (메트)아크릴레이트 작용기(들)를 갖는 실리콘.
에폭시화된 (메트)아크릴레이트 화합물, (메트)아크릴로글리세로폴리에스테르, (메트)아크릴로-우레탄, (메트)아크릴로폴리에테르, (메트)아크릴로폴리에스테르, 및 (메트)아크릴로-아크릴 화합물이 (메트)아크릴레이트 유기 유도체로서 특히 적합하다. 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트 및 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트가 보다 특히 바람직하다.
본 발명의 바람직한 변형예에 따르면, 사용되는 첨가제는 (메트)아크릴레이트 작용기(들)를 갖는 실리콘이다. 실리콘에 의해 보유되고 본 발명에 매우 특히 적합한 대표적인 (메트)아크릴레이트 작용기로서, 보다 특히 Si-C 결합에 의해 폴리실록산 사슬에 결합되는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 유도체, (메트)아크릴레이트의 에테르 및 메트(아크릴레이트)의 에스테르가 언급될 수 있다. 이러한 종류의 아크릴레이트 유도체는 특히 특허 EP 0 281 718, FR 2 632 960 및 EP 0 940 458 에 기술되어 있다.
본 발명은 또한 이형 특성을 갖는 실리콘 필름을 제조하기 위한 본 발명에 따른 조성물 (C1) 의 용도에 관한 것이다.
바람직하게는, 이들 실리콘 필름의 제조를 위해서, 상기 정의된 바와 같은 조성물 (C1) 은 오르가노히드로게노폴리실록산 (B) 중 광개시제 (P) 의 몰수 대 Si-H 작용기의 몰수의 비율이 0.5 내지 20, 바람직하게는 1 내지 5 이고, 상기 오르가노히드로게노폴리실록산 (B) 은 바람직하게는 100 g 당 적어도 0.08 mol, 바람직하게는 0.1 mol 내지 2.5 mol 의 Si-H 작용기를 포함하는 것이 사용된다.
본 발명은 또한 상기 정의된 바와 같은 조성물 (C1) 을 가교시켜 수득되는 실리콘 엘라스토머에 관한 것이다.
본 발명은 또한 상기 정의된 바와 같은 조성물 (C1) 을 가교하는 단계를 포함하는, 이형 특성을 갖는 실리콘 필름을 제조하는 방법에 관한 것이다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 이형 특성을 갖는 실리콘 필름을 제조하는 방법에서, 상기 정의된 바와 같은 조성물 (C1) 은 오르가노히드로게노폴리실록산 (B) 중 자유-라디칼 광개시제 (P)의 몰수 대 Si-H 작용기의 몰수의 비율이 0.5 내지 20, 바람직하게는 1 내지 5 이고, 상기 오르가노히드로게노폴리실록산 (B)는 바람직하게는 100 g 의 오르가노히드로게노폴리실록산 (B) 당 적어도 0.08 mol, 바람직하게는 0.1 mol 내지 2.5 mol 의 Si-H 작용기를 포함하는 것이 사용된다.
본 발명의 방법의 하나의 실시형태에 따르면, 가교 단계는 공기 하에 또는 불활성 분위기 하에 수행된다. 바람직하게는, 이 가교 단계는 불활성 분위기 하에 수행된다.
하나의 실시형태에 따르면, 본 발명에 따른 방법의 가교 단계는 200 ㎚ 내지 450 ㎚ 파장의 방사선을 사용하여, 바람직하게는 불활성 분위기 하에 수행된다.
바람직한 실시형태에 따르면, 본 발명에 따른 방법의 가교 단계는 300 ㎚ 내지 450 ㎚ 의 파장을 갖는 방사선을 사용하여, 바람직하게는 불활성 분위기 하에 수행된다.
본 발명은 또한 하기 단계를 포함하는, 기재 상에 코팅을 제조하는 방법에 관한 것이다:
- 상기 정의된 바와 같은 가교가능한 조성물 (C1) 을 기재 상에 도포하는 단계, 및
- 200 ㎚ 내지 450 ㎚ 의 파장을 갖는 방사선에 노출시켜 상기 조성물 (C1) 을 가교시키는 단계.
방사선은 그 방출 스펙트럼이 200 ㎚ 로부터 가시광선까지인 도핑 또는 비도핑 수은 증기 램프에 의해 방출될 수 있다. 포인트 소스 UV 또는 가시광을 전달하는, 두문자어 LED 로서 더 잘 알려진 발광 다이오드와 같은 광원이 또한 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시형태에 따르면, 방사선은 발광 다이오드에 의해 발생되고, 보더 더 바람직하게는 방사선은 365, 385, 395 또는 405 ㎚ 의 파장에 집중되는 방출 밴드를 갖는 발광 다이오드에 의해 발생된다.
조사 시간은 짧을 수 있고 일반적으로는 1 분 미만, 바람직하게는 10 초 미만이고, 작은 코팅 두께의 경우에는 대략 100 분의 1 초일 수 있다. 수득된 가교는 임의의 가열 부재 하에서도 우수하다.
하나의 실시형태에 따르면, 가교 단계는 10℃ 내지 50℃, 바람직하게는 15℃ 내지 35℃ 의 온도에서 수행된다.
물론, 경화 속도는 특히 사용되는 램프의 개수, 방사선 노출 기간, 및 조성물과 램프 또는 램프들 간 거리에 의해 제어될 수 있다.
용매 없이, 즉 미희석된 본 발명에 따른 조성물 (C1) 은 소량의 액체를 균일하게 침착시킬 수 있는 장치를 사용해 도포될 수 있다. 이러한 목적을 위해서, 예를 들어 특히 2 개의 중첩된 롤을 포함하는 "헬리오 글리샌트 ("Helio glissant)" 라고 불리는 장치를 사용하는 것이 가능한데, 조성물을 함유하는 코팅 탱크에 침지되어 있는 바닥 롤의 역할은 더 위에 있는 롤을 초박층으로 함침시키는 것이고, 그 다음으로 이의 역할은 종이 상에, 함침되어 있는 조성물의 바람직한 양을 침착시키는 것이며, 이러한 계량은 2 개의 반대로 회전하는 롤의 개별 속도를 제어하여 수득된다.
기재 상에 침착되는 조성물 (C1) 의 양은 가변적이며 가장 흔하게는 처리된 표면에 대해 0.1 내지 5 g/㎡ 이다. 이들 양은 기재의 속성 및 요구되는 이형 특성에 따라 좌우된다. 가장 흔하게는 그들은 비다공성 기재에 대해서 0.5 내지 1.5 g/㎡ 이다.
이 방법은 텍스타일, 종이, 폴리비닐 클로라이드, 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄 또는 부직포 유리 섬유의 가요성 기재인 기재 상에 실리콘 이형 코팅을 제조하는데 특히 적합하다.
이들 코팅은 비점착 분야에서 사용에 특히 적합하다.
그러므로, 본 발명은 또한 상기 정의된 바와 같은 방법으로 수득가능한 코팅된 기재에 관한 것이다. 상기 언급된 바와 같이 기재는 텍스타일, 종이, 폴리비닐 클로라이드, 폴리에스테르, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리우레탄 또는 부직포 유리 섬유의 가요성 기재일 수 있다.
코팅된 기재는 비점착, 발수 특징을 가지거나, 또는 개선된 표면 특성 예컨대 미끄럼성, 내얼룩성, 또는 연성이 부여된다.
본 발명의 다른 양상은 열에 의해 및 300 내지 450 ㎚ 의 파장을 갖는 방사선에의 노출에 의해 가교가능하고, 하기를 포함하는, 실리콘 조성물 (C2) 에 관한 것이다:
- 상기 기술된 바와 같은 적어도 하나의 조성물 (C1),
- 규소 원자에 결합된 적어도 2 개의 알케닐 단위를 포함하는 적어도 하나의 폴리오르가노실록산 (B),
- 적어도 하나의 히드로실릴화 촉매.
이러한 조성물 (C2) 에서, 오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 은 히드로실릴화 반응을 위한 자유-라디칼 공개시제 및 가교제의 역할을 수행한다.
본 특허 출원 전반에서, "가교" 는 메트(아크릴레이트) 작용기의 중합 반응, 오르가노히드로게노폴리실록산 (H) 의 Si-H 결합 및 폴리오르가노실록산 (B) 의 알케닐 기 간 중첨가 반응, 또는 이 둘의 조합에 의한 조성물의 경화를 의미한다.
용어 "열 가교가능한 실리콘 조성물" 은 일반적으로 60 내지 220℃, 바람직하게는 80 내지 180℃ 의 온도에서 가열하여 경화될 수 있는 실리콘 조성물을 의미한다.
용어 "방사선에의 노출에 의해 가교가능한 실리콘 조성물" 은 방사선에의 노출에 의해 경화될 수 있는 실리콘 조성물을 의미한다.
본 발명의 하나의 실시형태에 따르면, 폴리오르가노실록산 (B) 은 하기를 포함한다:
(i) 하기 식의 적어도 2 개의 실록시 단위 (I.5):
[식에서,
- a= 1 또는 2 이고, b= 0, 1 또는 2 이고 a+b= 1, 2 또는 3 이며;
- W 는 독립적으로 바람직하게는 2 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기, 보다 더 바람직하게는 비닐 또는 알릴 기를 나타내고,
- Z 는 독립적으로 1 내지 30 개의 탄소 원자를 갖고, 바람직하게는 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 보다 더 바람직하게는 메틸, 에틸, 프로필 및 3,3,3-트리플루오로프로필 라디칼로 이루어진 군에서 선택되는, 1 가 탄화수소-함유 기를 나타냄], 및
(ii) 임의로 하기 식의 다른 실록시 단위 (I.6):
ZcSiO(4-c)/2 (I.6)
[식에서,
- Z 는 상기와 동일한 의미를 갖고,
- c 는 0, 1, 2 또는 3 의 값을 갖는 정수를 나타냄].
폴리오르가노실록산 (B) 은 선형 구조, 임의로 환형 구조를 가질 수 있다. 이들 선형 폴리오르가노실록산은 100 mPa.s 내지 1000000 mPa.s, 보다 바람직하게는 1000 mPa.s 내지 120000 mPa.s 의 25℃ 에서의 동적 점도를 갖는다.
폴리오르가노실록산 (B) 이 선형 식을 가질 때, 식 (I.5) 에서, a=1 이고 a+b=2 이거나 또는 3 이고, 식 (I.6) 에서, c=2 또는 3 이다. 상기 식 (I.5) 및 (I.6) 에서, 몇개의 라디칼 W 및 Z 가 존재하면, 그들은 서로 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있다고 이해된다.
선형 폴리오르가노실록산의 경우에서, 그들은 하기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다:
- 디메틸비닐실릴 말단을 갖는 폴리디메틸실록산;
- 디메틸비닐실릴 말단을 갖는 폴리(비닐메틸실록산-코-디메틸실록산);
- 트리메틸실릴 말단을 갖는 폴리(디메틸실록산-코-비닐메틸실록산); 및
- 환형 폴리메틸비닐실록산.
폴리오르가노실록산 (B) 은 분지형 구조를 가질 수 있다. 그러면 실리콘 수지라고 불린다. 유리하게 그들은 0.1 내지 20 wt%, 바람직하게는 4 내지 20 wt% 의, 규소 원자에 결합된 C2-C6 알케닐 기를 포함한 실리콘 수지이다. 알케닐 기는 M, D 또는 T 실록시 단위에 위치될 수 있다. 이들 수지는 예를 들어 특허 US-A-2 676 182 에 기술된 방법에 의해서, 0.1 내지 20% 로 제조될 수 있다. 바람직하게는 알케닐 기는 비닐, 알릴 및 헥세닐로부터 선택된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 실리콘 수지는 적어도 2 개의 비닐 라디칼을 포함하고, 하기의 실리콘 수지로 이루어진 군으로부터 선택된다:
- MDViQ (여기서 비닐 기는 D 단위에 포함됨),
- MDViTQ (여기서 비닐 기는 D 단위에 포함됨),
- MMViQ (여기서 비닐 기는 M 단위의 일부로 포함됨),
- MMViTQ (여기서 비닐 기는 M 단위의 일부로 포함됨),
- MMViDDViQ (여기서 비닐 기는 M 및 D 단위의 일부로 포함됨),
- 및 이의 혼합물,
여기서
- MVi = 식 (R)2(비닐)SiO1/2 의 실록시 단위이고,
- DVi = 식 (R)(비닐)SiO2/2 의 실록시 단위이며,
동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기 R 은 1 내지 8 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 예컨대 메틸, 에틸, 프로필 및 3,3,3-트리플루오로프로필 기 및 아릴 기 예컨대 크실릴, 톨릴 및 페닐로부터 선택되는 1 가 탄화수소-함유 기이다. 바람직하게는, 기 R 은 메틸이다.
바람직하게는 실리콘 수지는 상기 기술된 바와 같은 식 MDViQ 또는 MMViQ 을 갖는다.
중첨가 촉매 (K) 는 충분히 공지되어 있다. 백금 및 로듐의 화합물이 바람직하게는 사용된다. 특히, 특허 US-A-3 159 601, US-A-3 159 602, US-A-3 220 972 및 유럽 특허 EP-A-0 057 459, EP-A-0 188 978 및 EP-A-0 190 530 에 기술된 유기 생성물 및 백금의 착물, 특허 US-A-3 419 593, US-A-3 715 334, US-A-3 377 432 및 US-A-3 814 730 에 기술된 비닐화 오르가노실록산 및 백금의 착제, EP1235836 에 기술된 바와 같은 카르벤 리간드와 백금의 착물, US6605734 및 US20170057980 에 기술된 바와 같은 백금-디엔 착물을 사용할 수 있다. WO2016044547 에 기술된 바와 같은 광활성화 히드로실릴화 촉매가 또한 사용될 수 있다. 비금속 예컨대 철, 니켈 및 코발트의 착물을 기반으로 하는 다른 중첨가 촉매가 또한 사용될 수도 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 촉매 (K) 는 백금을 기반으로 한다. 이러한 경우에, 백금 금속의 중량으로서 계산되는, 중량 기준 촉매 (K) 량은 일반적으로 조성물 (C2) 의 총 중량을 기반으로 2 내지 400 ppm, 바람직하게는 5 내지 200 ppm 이다.
유리하게, 조성물 (C2) 중 백금 금속의 함량은 조성물 (C2) 의 총 중량을 기반으로 10 내지 120 ppmw, 바람직하게는 10 내지 95 ppmw, 보다 바람직하게는 10 내지 70 ppmw, 보다 더 바람직하게는 10 내지 60 ppmw 이다.
실리콘 조성물 (C2) 은 또한 하기 화합물 중 적어도 하나를 함유할 수 있다:
ㆍ 억제제 (I),
ㆍ 충전제 (F), 및
ㆍ 점착 촉진제 (G).
충전제 (F) 로서, 보강 미네랄 충전제 또는 반보강 또는 충전 미네랄 충전제를 사용할 수 있다. 보강 미네랄 충전제는 규산질 물질로부터 선택될 수 있다. 규산질 보강 충전제는 콜로이드 실리카, 흄드 실리카 분말 및 침강 실리카의 분말 또는 이의 혼합물로부터 선택된다. 이들 분말은 일반적으로 0.1 ㎛ 미만의 평균 입자 크기, 및 50 ㎡/g 초과, 바람직하게는 150 내지 350 ㎡/g 의 BET 비표면적을 갖는다. 이들 실리카는 일반적으로 그들 그대로 또는 본 출원에 적용되는 유기규소 화합물로 처리된 후에 혼입될 수 있다. 이들 화합물은 메틸폴리실록산 예컨대 헥사메틸디실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산, 메틸폴리실라잔 예컨대 헥사메틸디실라잔, 헥사메틸시클로트리실라잔, 클로로실란 예컨대 디메틸디클로로실란, 트리메틸클로로실란, 메틸비닐디클로로실란, 디메틸비닐클로로실란, 알콕시실란 예컨대 디메틸디메톡시실란, 디메틸비닐에톡시실란, 트리메틸메톡시실란을 포함한다. 규산질 반보강 충전제 예컨대 규조토 또는 분쇄 석영이 또한 사용될 수 있다.
반보강 또는 충전 미네랄 충전제는 보강 실리카에 더해서 또는 그 대신에 첨가될 수 있다. 단독으로 또는 혼합하여 사용가능한, 이들 비규산질 충전제의 예는 임의로 유기산 또는 유기산의 에스테르로 표면 처리된 칼슘 카보네이트, 구운 점토, 금홍석 유형의 티타늄 디옥시드, 철, 아연, 크로뮴, 지르코늄 또는 마그네슘의 산화물, 다양한 알루미나 형태 (수화 여부 무관), 붕소 나이트라이드, 리토폰, 바륨 메타보레이트, 바륨 술페이트, 및 유리 미세구이다. 이들 충전제는 보다 조악하고, 일반적으로 0.1 ㎛ 초과의 평균 입자 직경 및 일반적으로 30 ㎡/g 미만의 비표면적을 갖는다. 이들 충전제는 일반적으로 본 출원에 적용되는 다양한 유기규소 화합물을 처리하여 표면-개질될 수 있다.
전도성 충전제 예컨대 그래핀 기반 나노-물체 또는 탄소 나노튜브가 또한 사용될 수 있다.
본 발명의 하나의 실시형태에 따르면, 보강 충전제 (F) 는 BET 방법으로 측정된 100 내지 400 ㎡/g 의 비표면적을 갖는 흄드 실리카가 사용된다. 보다 더 유리하게, 보강 충전제 (F) 는 BET 방법으로 측정된 100 내지 400 ㎡/g 의 비표면적을 갖고 유기규소 화합물로 처리된 흄드 실리카이다.
본 발명의 특정 실시형태에 따르면, 실리콘 조성물 (C2) 은 실리콘 조성물 (C2) 100 중량부 당 1 내지 40 중량부의 충전제 (F), 바람직하게는 1 내지 25 중량부의 충전제 (F), 보다 바람직하게는 1 내지 15 중량부의 충전제 (F) 를 포함한다.
가교 억제제 I (또는 중첨가 반응의 지연제) 는 이의 일부분에 대해 하기 화합물로부터 선택될 수 있다:
- 유리하게는 환형이고, 적어도 하나의 알케닐로 치환된 폴리오르가노실록산, 특히 바람직하게는 테트라메틸비닐테트라실록산,
- 포스핀 및 유기 포스파이트,
- 불포화 아미드,
- 알킬화 말레에이트, 및
- 아세틸렌 알콜.
이들 아세틸렌 알콜 (FR-B-1 528 464 및 FR-A-2 372 874 참조) 은 히드로실릴화 반응의 바람직한 열 차단제의 일부를 형성하고, 하기 식 (I1) 을 갖는다:
(R1)(R2)C(OH)-C≡CH (I1)
상기 식에서,
- R1 은 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 또는 페닐 라디칼이고;
- R2 는 수소 원자, 선형 또는 분지형 알킬 라디칼, 또는 페닐 라디칼이고;
- 라디칼 R1, R2 및 삼중 결합의 알파 위치의 탄소 원자는 임의로 고리를 형성할 수 있고;
- R1 및 R2 에 함유된 탄소 원자의 총 개수는 적어도 5개, 바람직하게는 9 내지 20 개이다.
상기 알콜은 바람직하게는 250℃ 초과의 비등점을 갖는 것들로부터 선택된다. 예로서, 하기 상업적으로 입수가능한 제품이 언급될 수 있다:
- 에티닐-1-시클로헥사놀-1;
- 메틸-3-도데신-1-올-3;
- 트리메틸-3,7,11-도데신-1-올-3;
- 디페닐-1,1-프로핀-2-올-1;
- 에틸-3-에틸-6-노닌-1-올-3;
- 메틸-3-펜타데신-1-올-3.
이러한 종류의 가교 억제제 (I) 는 조성물 (C2) 의 총 중량에 대해서 3000 ppm 이하의 비율, 바람직하게는 100 내지 2000 ppm 의 비율로 존재한다.
점착 촉진제 (G) 로서, 일반적으로 본 분야에서 적용되는 점착 촉진제를 사용하는 것이 가능할 것이다. 예를 들어, 하기의 것을 사용하는 것이 가능할 것이다:
- 실란 또는 비닐화 폴리오르가노실록산 단독 또는 부분 가수분해물 뿐만 아니라 이의 반응 산물,
- 에폭시 작용기로 작용화된 실란 또는 폴리오르가노실록산 단독 또는 부분 가수분해물 뿐만 아니라 이의 반응 산물,
- 적어도 하나의 SiH 작용기, 및 에폭시 작용기, (메트)아크릴레이트 작용기, 알콕시 작용기 및 비닐 작용기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 포함하는 폴리오르가노실록산,
- 금속 알콕시드 또는 금속 예컨대 Ti, Zr, Al 의 킬레이트, 예를 들어 tert-부틸 티타네이트.
본 발명은 또한 상기 정의된 바와 같은 조성물 (C2) 을 가교시켜 수득된 실리콘 엘라스토머에 관한 것이다.
이들 실리콘 엘라스토머는 다수의 용도에서, 예를 들어 예컨대 "상처치유" 의 의학 분야: 상처 또는 손상의 치유 및 처치 (드레싱의 코팅, 외부 보형물의 제작, 욕창 예방용 쿠션) 에서, 또는 전자 부품의 봉지화를 위해서, 또는 가요성 종이 또는 플라스틱 필름의 코팅용 뿐만 아니라 텍스타일, 특히 차량 에어백 코팅용의 코팅으로서 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 양상은 실리콘 엘라스토머롤 제조된 물품의 제조를 위한 방법에 관한 것으로서, 300 ㎚ 내지 450 ㎚ 의 파장을 갖는 방사선에의 노출에 의해 상기 정의된 바와 같은 조성물 (C2) 을 가교시키는 단계를 포함한다.
유리하게, 상기 방법에서, 방사선은 발광 다이오드에 의해 발생되고, 보다 더 유리하게 방사선은 365, 385, 395 또는 405 ㎚ 의 파장에 집중된 방출 밴드를 갖는 발광 다이오드에 의해 발생된다.
본 발명에 따른 실리콘 엘라스토머로 만들어진 물품의 제조를 위한 방법은 바람직하게는 60 내지 220℃, 보다 더 바람직하게는 80 내지 180℃ 의 온도에서 가열시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 3D 프린팅 공정으로도 알려진, 적층 제조 방법에 의해 실리콘 엘라스토머로 만들어진 물품의 제조를 위한 본 발명에 따른 조성물 (C2) 의 용도에 관한 것이다.
본 설명은 일반적으로 명칭 ASTM F2792-12a, "적층 제조 기술의 표준 용어" 를 포함한다. 이러한 ASTM 표준에 따라서, "3D 프린터" 는 "3D 프린팅에 사용되는 기계" 로서 정의되고 "3D 프린팅" 은 프린팅 헤드, 노즐 또는 일부 다른 프린터 기술을 통한 물질의 침작에 의한 물체의 제작"으로서 정의된다.
적층 제조 (Additive Manufacturing) "AM" 는 절삭 가공 방법과 대조적으로, 일반적으로 한 층씩, 3D 모델의 데이타를 기반으로 물체를 제조하기 위해 재료들을 결합시는 공정으로서 정의된다. 3D 프린팅과 연관되고 3D 프린팅에 포괄되는 동의어는 적층 제조, 적층 공정, 첨가제 기술 및 층상 가공을 포함한다. 적층 제조 (AM) 는 또한 쾌속 조형법 (RP) 으로 호칭될 수 있다. 본원에서 사용되는, "3D 프린팅" 은 "적층 제조" 와 상호교환가능하다.
일반적으로, 모든 3D 프린팅 공정은 물체를 설명할 수 있는 컴퓨터-생성 데이타 소스 또는 프로그램의 공통 출발점을 갖는다. 컴퓨터-생성 데이타 소스 또는 프로그램은 실제 또는 가상 물체를 기반으로 할 수 있다. 예를 들어, 실제 물체는 3D 스캐너를 사용하여 스캐닝될 수 있고, 디지털화 데이타는 컴퓨터-생성 데이타 소스 또는 프로그램을 생성시키기 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 컴퓨터-생성 데이타 소스 또는 프로그램은 스크래치로부터 디자인될 수 있다. 컴퓨터-생성 데이타 소스 또는 프로그램은 일반적으로 표준 언어 (STL) 파일 포맷으로 전환된다. 그러나, 다른 파일 포맷을 사용할 수도 있다. 일반적으로, 파일은 3D 프린팅 소프트웨어에서 읽혀지고, 파일 및 임의로 사용자 입력치는 그 개수가 수천개에 달할 수 있는 "슬라이스" 로 분리된다. 3D 프린팅 소프트웨어는 일반적으로 각 슬라이스를 구성하기 위해 3D 프린터에 의해 읽혀지는, G-코드의 형태일 수 있는 기계 명령어를 전달한다. 기계 명령어는 3D 프린터로 전달되어서, 기계 명령어의 형태인 이 데이타 시퀀스의 함수로서, 한 층씩, 물체를 구성한다. 이들 층의 두께는 가변적일 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 조성물 (C2) 은 실리콘 엘라스토머 물품의 프린팅 속도를 증가시키는 것을 가능하게 만든다. 프린팅이 진행되면서 실리콘 조성물 층의 조사는 제작 동안 조성물의 일부분의 신속한 겔화를 허용하고 그리하여 각 층은 프린팅된 구조의 붕괴 없이 이의 형상을 유지한다. 프린팅이 끝나면, 가열 단계는 중첨가에 의한 조성물의 가교 종료를 가능하게 하여 안정성이 양호하고 기계적 특성이 양호한 실리콘 엘라스토머가 수득된다.
유리하게, 본 발명에 따른 실리콘 조성물 (C2) 은 사용되는 기술에 실리콘 조성물 (C2)의 점도를 적합화시킴으로서 탱크 광중합반응, 재료의 압출 또는 재료의 침착을 사용하는 3D 프린팅 공정에서 사용할 수 있다.
탱크 광중합반응은 탱크에 함유된 경화가능한 액상 수지가 이의 분자 사슬의 중합반응이 자외선광에 의해 촉발될 때 선택적으로 경화되는 적층 제조 공정이다. 탱크 광중합반응은 UV 에너지원으로서 램프 또는 발광 다이오드 (LED) 를 사용할 수 있다. 적층 제조 공정 예컨대 탱크 광중합 반응에서 사용될 때, 실리콘 조성물 (C2) 의 점도는 10 mPa.s 내지 100000 mPa.s, 바람직하게는 100 내지 10000 mPa.s, 보다 더 바람직하게는 100 내지 2000 mPa.s 일 것이다.
"3D 탱크" 프린터는 국제 특허 출원 공개 번호 WO2017/055747 에 기술된 바와 같은 프린터로서, 여기서 UV-가시광 조사용 장치는 LED 기반 광원 및 투사 이미지 생성을 위한 디스플레이 패턴에 따라 조사를 전달하거나 또는 차단하도록 개조된 마스크를 포함한다. 따라서 마스크는 조사를 허용하는 온-상태 및 조사를 차단하는 오프-상태를 추정하도록 구성된 픽셀의 매트릭스를 포함한다. 온-상태는 투사 이미지의 상응하는 지점을 향한 방사선의 전달을 반영한다. 차단 상태는 투사 이미지의 상응하는 지점을 향한 방사선 전달의 부재를 반영한다. 디스플레이 패턴은 상기 픽셀 상태의 분포도에 상응한다.
그러므로 탱크 프린터의 제조 시스템은 바람직하게는 UV-가시광 LED 에 의한 조사를 위한 시스템, 조사 장치에 의해 방출되는 투사 이미지의 생성을 위해 디스플레이 패턴에 따라 LED 에 의해 방출되는 UV-가시광선의 차단을 위해 개조된 마스크를 포함한다. 프린터는 탱크라고 불리는 용기에 배열되는 작업 표면 상에서의 투사 이미지의 이동을 위한 시스템을 포함한다. 탱크는 조사 장치에 의해 방출되는 투사 이미지에 노출된 작업 표면을 갖는 실리콘 배합물을 함유한다.
탱크 제조 시스템은 작업 표면 및 위로부터 개방면을 갖는 실리콘 배합물 층의 조사에 상응하고 또한 다른 가능한 구성은 방사선 투과성인 바닥을 통한 아래로부터의 조사에 상응할 수 있다. 이러한 경우에 작업 표면은 투과성 바닥과 접촉하는 표면이다. 투과성 바닥과 직접 접촉하는 작업 표면의 점착은 투과성 바닥 표면의 산소처리에 의해 투과성 바닥과 접촉하는 층을 생성시켜 피한다. 아래로부터의 투사 방식에 따른 프린터 및 공정의 예는 특허 출원 US7052263 에 기술되어 있다.
재료의 압출은 재료의 필라멘트를 노즐을 통해서 선택적으로 압출시키고 분배시키는 적층 제조 공정이다. 압출된 재료의 유속은 특히 노즐 상에 가해지는 압력 또는 온도에 의해 제어할 수 있다.
재료의 침착은 재료의 미세 액적이 종이 프린터의 것과 유사한 프린트 헤드에 의해 선택적으로 침착되는 적층 제조 공정이다. 이러한 공정은 잉크젯이라고도 알려져 있다.
적층 제조 공정 예컨대 재료의 압출 또는 침착에서 사용을 위해, 실리콘 조성물 (C2) 의 점도는 100 mPa.s 내지 1000000 mPa.s, 바람직하게는 1000 mPa.s 내지 300000 mPa.s, 보다 더 바람직하게는 3000 내지 200000 mPa.s 이 될 것이다. 이러한 사용을 위해서, 실리콘 조성물 (C2) 은 요변성 거동 (전단 동안 점도의 감소 및 전단 후 점도의 증가) 을 나타내야만 한다.
"3D 압출" 프린터는 적층 제조 공정 동안 재료가 노즐, 시린지 또는 오리피스를 통해서 압출되는 3D 프린터이다. 재료의 압출은 일반적으로 물체의 단면적을 프린팅하기 위해 노즐, 시린지 또는 오리피스를 통한 재료의 압출에 의해 기능하고, 이것은 각각의 후속층에 대해 반복될 수 있다. 압출된 재료는 재료의 경화 동안 그 아래에 위치된 층에 결합된다. 바람직한 실시형태에서, 3차원 실리콘 엘라스토머 물품의 프린팅 공정은 압출 3D 프린터를 사용한다. 실리콘 조성물은 노즐을 통해서 압출된다. 노즐은 추가 가교를 위해 실리콘 조성물의 분배를 촉진시키도록 가열될 수 있다. 노즐의 평균 직경은 층의 두께를 한정한다. 하나의 실시형태에서, 층의 직경은 50 내지 2000 ㎛, 바람직하게는 100 내지 800 ㎛, 및 가장 바람직하게는 100 내지 500 ㎛ 이다. 노즐과 기재 사이의 거리는 양호한 성형을 보장하는데 중요한 매개변수이다. 이것은 평균 노즐 직경의 + 30% 내지 -30% 여야 한다. 노즐을 통해서 분배되는 라디칼 가교 및 중첨가를 위한 이중 경화 실리콘 조성물은 카트리지 유형의 시스템으로부터 공급될 수 있다. 카트리지는 액체 저장소 또는 액체 저장소와 연결된 노즐 또는 노즐들을 포함할 수 있다. 정적 혼합기 및 단일 노즐과 함께 2 개 카트리지의 동축 시스템을 사용하는 것이 또한 가능하다. 압력은 분배시키려는 유체, 연결된 평균 노즐 직경 및 프린팅 속도에 맞게 조정될 것이다.
노즐로부터 압출 동안 발생되는 고전단 속도 덕분에, 실리콘 조성물의 점도는 상당히 감소되고 그리하여 박층의 프린팅이 가능하다. 카트리지 압력은 1 내지 20 bar, 바람직하게는 2 내지 10 bar, 및 가장 바람직하게는 4 내지 7 bar 로 가변적일 수 있다. 100 ㎛ 이하의 노즐 직경이 사용되는 경우에, 카트리지 압력은 재료의 양호한 압출을 얻기 위해서 20 bar 초과여야 한다. 이러한 압력을 견디기 위해서 알루미늄 카트리지를 사용하는 적합한 장비가 사용되어야 한다. 노즐 플랫폼 및/또는 플랫폼은 층이 완성되어 Z 축 (수직) 평면으로 이동하기 전에, 물체의 단면을 완성하기 위해 X-Y 평면 (수평면) 으로 움직인다. 노즐은 고정밀도의 XYZ 이동성을 갖는다. 각 층이 작업면 X, Y 에서 프린팅되면, 노즐은 다음층이 작업 위치 X, Y 에 도포되기에 충분한 정도로만 Z 방향으로 옮겨진다. 이러한 방식으로, 3D 물품이 되는 물체가 바닥으로부터 위쪽으로 한번에 한층씩 구성된다.
상기 기술된 바와 같이, 노즐과 선행 층 사이의 거리는 양호한 성형을 보장하기 위한 중요한 매개변수이다. 이것은 평균 노즐 직경의 + 30% 내지 - 30% 여야만 한다. 프린팅 속도는 양호한 정밀도와 가공 속도 간에 최선의 절충안을 얻기 위해 1 내지 50 ㎜/s, 바람직하게는 5 내지 30 ㎜/s 이다.
"3D 잉크젯" 프린터는 실리콘 배합물의 액적이 선택적으로 침착되는 적층 제조 장비로서 정의된다. 실리콘 배합물은 작업면의 바람직한 위치에서, 불연속적으로, 개별 액적의 형태로 프린팅 헤드에 의해 도포된다 (젯팅). 이것은 배합물의 선택적 도포, 또는 가능하다면 다수 배합물의 도포를 허용하는, 적어도 하나, 바람직하게는 2 개 내지 200 개의 프린트 헤드 노즐을 포함하는 프린팅 헤드의 배열을 갖는 3D 구조체의 단계적 생산을 위한 3D 장비 및 공정이다. 잉크젯 프린팅에 의한 실리콘의 도포는 재료의 점도에 특별한 요건을 부여한다. 실리콘 배합물의 3D 분무를 위한 프린터에서, 하나 이상의 저장소에 대해 압력이 가해지고 측정선에 의해 계량 노즐에 연결된다. 저장소의 상류 또는 하류에, 실리콘 조성물이 균질하도록, 균질화 및/또는 용존 가스의 배출을 가능하게 만드는 장치가 존재할 수 있다. 첨가에 의한 가교를 위해 상이한 실리콘 조성물로부터 출발하는 엘라스토머 물품을 구축하기 위해서, 또는 보다 복잡한 구조의 경우에, 실리콘 엘라스토머 및 다른 플라스틱으로 제조되는 복합 부분을 제공하기 위해, 서로 독립적으로 작동되는 하나 이상의 분무 유닛이 존재할 수도 있다. 젯팅 과정 동안 계량 밸브에서 발생되는 고전단 속도 덕분에, 첨가에 의한 가교를 위한 이들 실리콘 조성물의 점도는 상당히 저하되며, 그에 따라 매우 미세한 미세액적의 분출구가 제공된다. 미세액적이 기재 상에 침착되면, 이의 전단 속도의 급작스러운 감소가 존재하여서, 이의 점도가 다시 증가된다. 그 결과로, 침착된 액적은 재빠르게 매우 높은 점도에 도달하고, 그리하여 3차원 구조체의 정밀한 구성이 가능하게 된다. 개별 계량 노즐은 x, y 및 z 방향으로 정확하게 위치될 수 있어서, 기재 상에, 또는 성형된 부분의 후속 형성에서, 가교가능한 실리콘 조성물의 첨가 시에, 표적화된 실리콘 액적의 정확한 침착을 가능하게 한다. 구조체의 붕괴를 피하기 위해 각 층을 프린팅한 후 경화를 개시하기 위해서 UV 및/또는 가시광 조사 시스템을 사용하는 것이 바람직하다.
전형적으로, 3D 프린터는 경화가능한 실리콘 조성물의 프린팅을 위해, 하나 이상의 분배기, 예를 들어 노즐 또는 프린트헤드를 사용한다. 임의로, 분배기는 실리콘 조성물의 분배 이전, 그 동안 및 그 이후에 가열될 수 있다. 하나의 실시형태에서, 이러한 방법은 재료가 공기 중으로 압출되는 것을 피하기 위해 오버행을 지지하고 물체를 구성하는, 2 가지 상이한 목적을 위한 재료를 사용할 수 있다. 물체가 지지 장비 또는 지지 구조체를 사용해 프린팅되었으면, 프린팅 공정이 종료되었을 때, 그것은 일반적으로 제거 (예를 들어, 물 세척에 의함) 되어, 최종 물체만 남게 된다.
프린팅 후에, 최종 물품은 다양한 유형의 후처리가 가해질 수 있다. 하나의 실시형태에서, 방법은 3D 프린팅으로 수득된 실리콘 엘라스토머 물품의 가열로 이루어진 단계를 더 포함한다. 가열은 처리의 촉진을 위해 사용될 수 있다. 다른 실시형태에서, 방법은 3D 프린팅으로 수득된 실리콘 엘라스토머 물품의 추가 조사 단계를 더 포함한다. 추가 조사는 처리의 촉진을 위해 사용될 수 있다. 다른 실시형태에서, 방법은 3D 프린팅으로 수득된 실리콘 엘라스토머 물품의 가열 및 조사로 이루어진 양쪽 단계를 더 포함한다. 선택안으로서, 후처리 단계는 프린팅된 물품의 표면 품질을 상당히 개선시킬 수 있다. 연마는 모델과 눈에 띄게 차이나는 층을 감소시키거나 또는 제거하는 일반 수단이다. 열- 또는 UV-경화가능한 RTV 또는 LSR 실리콘 조성물에 의한 엘라스토머 물품 표면의 분무 또는 코팅은 부드럽고 일관된 표면 마감을 얻기 위해 사용될 수 있다. 레이저 표면 처리가 또한 적용될 수 있다. 의학적 용도의 경우에, 최종 엘라스토머 물품의 멸균은 100℃ 초과의 온도로 물체를 가열하여 얻어질 수 있다.
본 발명은 또한 하기 화합물 (1) 내지 (25) 에 관한 것이다:
네오데칸산은 공통 구조식 C10H20O2, 172.26 g/mol 의 분자량 및 번호 CAS=26896-20-8 을 갖는 카르복실산의 혼합물이다. 혼합물의 성분은 2,2,3,5-테트라메틸헥산산, 2,4-디메틸-2-이소프로필펜탄산, 2,5-디메틸-2-에틸헥산산 및 2,2-디메틸옥탄산을 포함하는, 탄소 2 상에 3 개의 알킬 기를 갖는 "트리알킬아세트산" 의 공통 특성을 갖는 산이다.
하기 구조 (19) 내지 (22), (24) 및 (25) 의 경우에, 광개시제의 합성에 사용되는 네오데칸산은 상기 명시된 다양한 산으로 분지된다.
본 발명은 또한 자유-라디칼 광개시제로서의 상기 기술된 화합물 (1) 내지 (25) 의 용도, 바람직하게는 실리콘 조성물의 가교를 위한 자유-라디칼 광개시제로서의 상기 기술된 화합물 (1) 내지 (25) 의 용도에 관한 것이다.
하기 실시예는 예시의 목적으로 제공되고 제한되지 않는다. 그들은 특히 본 발명의 더 나은 이해 및 모든 이의 장점의 예시를 가능하게 한다.
실시예
하기 실시예에서, 상이한 광개시제, 오르가노히드로게노폴리실록산 및 아크릴레이트 작용기를 갖는 폴리오르가노실록산이 본 발명에 따라 사용되었고 그들 구조는 하기 제공된 표에 표시되어 있다.
표 1: 광개시제
이들 광개시제 중에서, 화합물 (1), (4), (5), (8), (19) 및 (20) 은 하기에 설명된 프로토콜에 따라서 합성되었다.
2-히드록시크산톤 (2 QH-XT) 의 합성:
시약:
- 2-아이오도벤조산
- 4-메톡시페놀
- 세슘 카보네이트
- 구리(I) 클로라이드
- 트리스[2-(2-메톡시에톡시) 에틸]아민 (TDA-1)
- 1,4-디옥산
- 농축 황산
1 구 플라스크를 2-아이오도벤조산의 mmol 당 6 mL 의 1,4-디옥산 중 1 당량의 2-아이오도벤조산, 1.4 당량의 4-메톡시페놀 및 2.8 당량의 세슘 카보네이트로 충전시킨다. 10 분 동안 실온에서, 아르곤 하에 교반시킨다. 그 다음으로, 0.1 당량의 구리(I) 클로라이드 및 0.1 당량의 TDA-1 을 첨가한다. 반응하도록 20 시간 동안 환류 아르곤 하에 놓아둔다.
반응이 종료되면, 1,4-디옥산을 회전식 증발기에서 증발시킨다. 잔류물을 10 wt% 의 Na2CO3 용액에 용해시키고 용액을 여과시킨다. 이어서, 여과물을 분별 깔대기에 넣고 톨루엔/에틸 아세테이트 50/50 혼합물로 세척한다. 수성층을 회수하고 여과 전에 산성화시켜서 반응 중간체를 얻는다. (수율: 75%)
1 구 플라스크를 시약 mmol 당 1.25 mL 의 농축 황산 중 1 당량의 중간체로 충전시킨다. 메톡시를 갖는 생성물 스폿이 TLC 에서 사라질때까지 반응하도록 둔다 (약 3 시간). 반응이 종료되면, 반응 혼합물은 얼음 중에 10 배 부피의 산에 붓기 전에 냉각되도록 둔다. 그 다음으로, 수득된 용액을 3회 에틸 아세테이트로 추출한다. 유기층을 회수하고, 건조 및 증발시킨다. 수득된 생성물은 백색 고체이다. 이것을 아세톤 (수율: 48%) 중에서 재결정화시키는 것이 가능하다. NMR 스펙트럼은 2-히드록시크산톤에 해당된다.
2-히드록시티오크산톤 (2 OH-XT) 의 합성:
시약:
- 티오살리실산
- 페놀
- 황산
1 구 플라스크를 티오살리실산의 mmol 당 1 mL 의 황산 중 1 당량의 티오살리실산으로 서서히 충전시킨다. 10 분 동안 강력하게 교반시킨다. 그 다음으로 30 분의 과정 동안 5 당량의 페놀을 첨가한다. 이어서, 혼합물을 반응하도록 1 시간 동안 실온에 두고 나서, 2 시간 동안 80℃ 에 두고, 밤새 실온에서 정치시킨다.
반응이 종료되면, 끓는 물 중 10 배 부피의 황산에 반응 혼합물을 붓고, 10 분 동안 비등하도록 둔다. 냉각되면 용액을 여과시킨다. 수득된 생성물은 노란색 분말이다 (수율: 62%). NMR 스펙트럼은 2-히드록시티오크산톤에 해당된다.
크산톤 및 티오크산톤의 에테르, 화합물 (1), (4), (5), (8) 의 합성
시약:
- 2-히드록시크산톤 및 2-히드록시티오크산톤
- 아이오도알칸 (1-아이오도헥산 및 1-아이오도도데칸)
- 포타슘 카보네이트
- 디메틸술폭시드 DMSO
균형 맞춘 화학반응식:
프로토콜:
1 구 플라스크를 생성물의 mmol 당 5 mL 의 DMSO 중 1 당량의 2-히드록시크산톤 (또는 2-히드록시티오크산톤) 및 2 당량의 포타슘 카보네이트로 충전시킨다. 10 분 동안 실온에서 아르곤 하에 교반시킨다. 그 다음으로 아이오도알칸 (1-아이오도헥산 또는 1-아이오도도데칸) 을 점적하고 나서, 100℃ 아르곤 하에 48 시간 동안 반응되도록 둔다.
반응이 종료되면, 10 배 부피의 반응 혼합물을 물에 첨가하고, 혼합물을 n-헥산으로 3 회 추출한다. 그 다음으로, 유기층을 수집하여, 건조 및 증발시킨다. 수득된 미정제 생성물은 90/10 시클로헥산/에틸 아세테이트의 용리액으로 실리카 겔 상에서 정제한다 (수율: 약 66%).
화합물 2 네오데카-XT (19) 및 2 네오데카-TX (20) 의 합성
1 구 플라스크를 생성물의 mmol 당 1 당량의 2-히드록시크산톤 (또는 2-히드록시티오크산톤), 1 당량의 네오데칸산 및 1 mL 의 농축 황산으로 충전시킨다. 2 시간 동안 실온에서 아르곤 하에 교반시킨다. 그 다음으로 반응하도록 120℃ 에서 아르곤 하에 12 시간 동안 남겨둔다.
반응이 종료되면, 10 배 부피의 반응 혼합물을 물에 첨가하고 혼합물을 n-헥산으로 3 회 추출한다. 이어서 유기층을 수집하여, 소듐 카보네이트로 중화시키고, 건조 및 증발시킨다. 수득된 미정제 생성물은 90/10 시클로헥산/에틸 아세테이트의 용리액으로 실리카 겔 상에서 정제한다.
표 2: 오르가노히드로게노폴리실록산
상기 표에 명시된 화합물 Hyd 1 및 Hyd 2 는 사슬의 중간 및/또는 말단에 배열된 SiH 단위를 갖는 선형 오르가노히드로게노폴리실록산이다.
아크릴 실리콘
하기 식의 폴리오르가노실록산 아크릴 1 이 조성물에 사용된다:
상기 식에서 x=85 이고 n=7 이다.
조사에 의해 가교되는 실리콘 조성물:
아크릴 실리콘의 중합을 위한 광개시제로서 오르가노히드로게노폴리실록산을 사용하는 본 발명에 따른 II 형 광개시제의 용도를 예시하기 위한 시험을 수행하였다. 다음과 같이 준비를 수행한다: 1.2×10-4 mol 의 광개시제를 칭량하여 2 g 의 폴리오르가노실록산 아크릴 1 에 첨가한다. 전체를 12 시간 동안 교반한다. 그 다음으로 1 wt% 의 오르가노히드로게노폴리실록산 Hyd 1 을 첨가한다.
조사에 의한 2 개 유형의 가교를 시험하였다:
- 수은-크세논 램프를 사용한 UV 방사선으로 90 초. 램프 전력은 510 mW/㎠ 로 고정, 그리고
- 크산톤 유도체의 경우 750 mW/㎠ 전력의 LED 방사선 365 ㎚ 또는 티오크산톤 유도체의 경우 680 mW/㎠ 전력의 LED 방사선 395 ㎚ 하에서 90 초.
산소에 의한 반응성 종의 임의의 억제 효과를 피하기 위해서 라미네이트에서 조작을 수행하였다. 라미네이트에서 조작이 수행될 때, 배합물은 폴리프로필렌의 2 개 시트 사이에, 그리고 나서 CaF2 의 2 개 펠렛 사이에 위치된다.
중합반응 속도론은 실 시간 퓨리에 변환 적외선 (RT-FTIR, Vertex 70, Brucker Optik) 에 의해 모니터링한다. 이러한 분광학 기술은 아크릴 작용기의 C=C 결합의 특징적 밴드인, 1636 cm-1 에서의 IR 스펙트럼의 변화를 모니터링하기 위해 샘플을 빛 및 적외선 방사선에 동시에 노출시키는 것으로 이루어진다.
중합반응 동안 C=C 에서 C-C 로의 전환도는 다음의 등식에 따른 1636 cm-1 에서의 피크하에 계산된 면적의 감소와 직접적으로 연관된다: 전환율 (%)=(A0-At)/A0 Х 100, 여기서 A0 는 조사 전 피크하 면적이고 At 는 조사의 각 시점 t 에서의 피크하 면적이다.
수은-크세논 램프를 사용해 수행된 시험의 경우에, 시간 함수에 따른 그래프는 최종 전환도 뿐만 아니라, 다른 중요한 매개변수, 예컨대 하기 표에서 Rp/[M]0Х100 (여기서 [M]0 는 아크릴레이트 작용기의 초기 농도임) 으로서 표시된 최대 전환율 (Rp) 을 찾는 것을 가능하게 한다. 최대 전환율 (Rp) 은 이의 변곡점에서 그래프 전환율 (%) = f(시간) 의 그래프로부터 결정된다.
결과는 하기 표 3 및 4 에 표시된다.
표 3 UV-LED 방사선
관찰은 자성 교반기로 12 시간 동안 교반 후에 이루어진다.
본 발명에 따른 광개시제는 LED 를 사용한 90 초 조사 이후에 보다 나은 전환도를 제공한다.
표 4. Hg-Xe 램프 사용 결과
본 발명에 따른 광개시제는 Hg-Xe 램프에 의한 조사 90 초 후에 보다 양호한 전환도를 제공한다.
조사 및 열에 의해 가교되는 실리콘 조성물:
시험된 배합물은 하기 표 5 에 상술되어 있다.
배합물은 1 분 동안 1000 rev/분으로 혼합하는, 고속 혼합기에서 모든 성분의 단순 혼합으로 제조된다.
상기에 이미 기술된 화합물 이외에도, 하기 화합물들이 사용된다:
- 오일 비닐 1: 60000 mPa.s 의 점도를 갖는, (CH3)2ViSiO1/2 단위로 각 사슬 말단에서 차단된 폴리디메틸실록산 오일.
- 수지 비닐 2: 1.1 wt% 의 비닐 기를 함유하는 식 MMViQ 의 폴리오르가노실록산.
- 히드로실릴화 촉매: 칼스테트 (Karstedt) 촉매라는 명칭으로 공지된, 10 wt% 의 백금 금속의 유기금속 착물 형태로 첨가되는, 백금 금속,
- 억제제: 에티닐-1-시클로헥사놀-1 또는 ECH,
- 충전제: Evonik 사의 Aerosil® 200,
- 점도 50 mPa.s 의 폴리디메틸실록산 PDMS
표 5: 자유 라디칼 및 중첨가에 의해 가교된 실리콘 조성물
2 종의 조성물이 수득된다:
비교예로서, A1 + B 를 혼합한 조성물 1,
본 발명에 따른 실시예로서, A2 + B 를 혼합한 조성물 2. 23℃ 에서, 조성물의 동적 점도는 15400 mPa.s 이다.
3D 프린팅 시험
100 g 의 조성물은 365 ㎚ LED 에 의한 탱크 광중합반응을 사용하는 3D 프린터의 저장소에 넣는다. 정적 혼합기가 장착된 트윈-카트리지 시스템이 구비된 DLP Prodway® 3D 프린터이다. 암실 (빛으로부터 멀리 떨어짐) 에서 수득된 조성물의 배쓰 수명 (bath life) 또는 "가용 시간 (potlife)" 은 겔화를 겪기 전 24 시간이다.
플레이트 상에 침착되고 75.5 mW/㎠ 의 강도로 365 ㎚ 의 UV LED 방사선에 5.5 초 동안 노출된 두께가 250 ㎛ 인 제 1 층에 필요한 가교 조건의 결과가 하기 표 6 에 표시된다.
표 6: 실리콘 조성물의 250-㎛ 층의 방사선 가교에 필요한 에너지
하기 표에서, Ec 는 mJ/㎠ 로 측정된 임계 표면 에너지를 나타낸다.
본 발명에 따른 조성물은 보다 낮은 임계 표면 에너지를 갖는다. 겔화점에 도달하도록 보다 적은 에너지게 공급되어야 할 것이다. 그러므로 이러한 조성물은 가교에 적은 에너지가 필요하다는 장점을 제공하고 결과적으로 보다 신속하게 연속층을 프린팅하는 것을 가능하게 할 것이다.
E4 는 100 미크론 두께 상에서 가교를 달성하기 위해 공급되는 에너지이고, E8 은 200 미크론에서 달성을 위한 것이고, E10 은 250 미크론에서 달성을 위한 것이다.
표 7: 조사 및 열적 가교후 수득된 실리콘 엘라스토머에 대해 표준 NF EN ISO 527 에 따라 측정된 기계적 특성
Claims (16)
- 하기를 포함하는, 300 내지 450 ㎚ 의 파장을 갖는 방사선에의 노출에 의해 가교가능한 실리콘 조성물 (C1):
- 규소 원자에 결합된 적어도 하나의 (메트)아크릴레이트 기를 포함하는 적어도 하나의 폴리오르가노실록산 (A),
- 상이한 규소 원자에 각각 결합된 적어도 2 개의, 또는 적어도 3 개의 수소 원자를 포함하는 적어도 하나의 오르가노히드로게노폴리실록산 (H), 및
- 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 자유-라디칼 광개시제 (P):
[식에서,
- 기호 X 는 산소 원자, 황 원자, CH2 기 및 카르보닐 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 기호 R2 및 R4 는 수소 원자이고,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R1 및 R3 은 수소 원자, 히드록실 및 식 -OZ 의 기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 기호 O 는 산소 원자이고, 기호 Z 는 C1-C20 알킬 기 또는 C3-C20 알킬 기 또는 C2-C20 알케닐 기, 기 -(C=O)-R5 (여기서 라디칼 R5 는 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬 및 C6-C12 아릴 기로부터 선택됨), 및 기 -Si(R6)3 (여기서 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기 R6 은 C1-C20 알킬, C2-C20 알케닐, C3-C20 시클로알킬, C6-C12 아릴, C1-C20 알콕실 기 및 수소 원자로부터 선택됨)로 이루어진 군으로부터 선택되고,
- 치환기 R1 또는 R3 중 적어도 하나는 히드록실 또는 식 -OZ 의 기인 것을 조건으로 함]. - 제 1 항에 있어서, 광개시제 (P) 가, 기호 X 가 산소 원자 또는 황 원자인 식 (I) 의 화합물로부터 선택되는 실리콘 조성물 (C1).
- 제 1 항에 있어서, 폴리오르가노실록산 (A) 이 하기를 포함하는 실리콘 조성물 (C1):
a1) 하기 식 (A1) 의 적어도 하나의 단위:
RaZbSiO(4-a-b)/2 (A1)
[식에서,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R 은 각각 선형 또는 분지형 C1 내지 C18 알킬 기, 임의로 치환되는 또는 할로겐 원자로 임의로 치환되는, C6 내지 C12 아릴 또는 아르알킬 기, 또는 라디칼 알콕시 -OR4 를 나타내고, 여기서 R4 는 수소 원자이거나 또는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 포함하는 탄화수소 라디칼이고,
- 기호 Z 는 식 -y-(Y')n 의 1 가 라디칼이고, 여기서
ㆍ y 는 히드록시 라디칼로 임의로 치환되는 2 가 C1 내지 C4 옥시알킬렌 또는 폴리옥시알킬렌 라디칼에 의해 임의로 연장된 선형 또는 분지형 다가 C1-C18 알킬렌 라디칼을 나타내고,
ㆍ Y' 은 1 가 알케닐카르보닐옥시 라디칼을 나타내고,
ㆍ n 은 1, 2 또는 3 이고,
- "a" 은 0, 1 또는 2 의 정수이고, b 는 1 또는 2 의 정수이고, 합계 a+b= 1, 2 또는 3 임]; 및
a2) 임의로 하기 식 (A2) 의 단위:
RaSiO(4-a)/2 (A2)
[식에서,
- 동일할 수 있거나 또는 상이할 수 있는 기호 R 은 각각 선형 또는 분지형 C1 내지 C18 알킬 기, 또는 할로겐 원자로 임의로 치환되는, C6 내지 C12 아릴 또는 아르알킬 기를 나타내고,
- "a" 는 0, 1, 2 또는 3 의 정수임]. - 제 1 항에 있어서, 자유-라디칼 광개시제 (P) 의 농도가 조성물 (C1) 100 g 당 0.0003 내지 0.015 mol 인 실리콘 조성물 (C1).
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 이형 특성을 갖는 실리콘 필름을 제조하기 위해 사용되는 실리콘 조성물 (C1).
- 이형 특성을 갖는 실리콘 필름을 제조하는 방법으로서, 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 조성물 (C1) 을 300 ㎚ 내지 450 ㎚ 의 파장을 갖는 방사선에의 노출에 의해 가교시키는 단계를 포함하는 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 방사선이 발광 다이오드에 의해 발생되는 제조 방법.
- 하기를 포함하는, 열에 의해 및 300 내지 450 ㎚ 의 파장을 갖는 방사선에의 노출에 의해 가교가능한 실리콘 조성물 (C2):
- 제 1 항에 따른 적어도 하나의 실리콘 조성물 (C1),
- 규소 원자에 각각 결합된 적어도 2 개의 알케닐 기를 포함하는 적어도 하나의 폴리오르가노실록산 (B), 및
- 적어도 하나의 히드로실릴화 촉매. - 제 8 항에 있어서, 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 실리콘 조성물 (C2):
ㆍ 억제제 (I),
ㆍ 충전제 (F), 및
ㆍ 점착 촉진제 (G). - 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 8 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 조성물 (C1) 또는 (C2) 을 가교시켜 수득된 실리콘 엘라스토머.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 적층 제조 공정에 의해 실리콘 엘라스토머로 만들어진 물품을 제조하기 위해 사용되는 실리콘 조성물 (C2).
- 실리콘 엘라스토머로 만들어진 물품을 제조하는 방법으로서, 제 8 항 또는 제 9 항에 따른 실리콘 조성물 (C2) 을 300 ㎚ 내지 450 ㎚ 의 파장을 갖는 방사선에의 노출에 의해 가교시키는 단계를 포함하는 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 방사선이 발광 다이오드에 의해 발생되는 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 가열 단계를 더 포함하는 제조 방법.
- 하기 식의 화합물 (1) 내지 (4), (6) 내지 (9), (13) 내지 (17), (19) 내지 (22), (24) 및 (25) 에서 선택되는 화합물:
- 제 15 항에 있어서, 자유-라디칼 광개시제로서 사용되는 화합물.
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