KR101426316B1 - 실리콘 수지 필름, 이의 제조방법, 및 나노물질로 충전된실리콘 조성물 - Google Patents
실리콘 수지 필름, 이의 제조방법, 및 나노물질로 충전된실리콘 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101426316B1 KR101426316B1 KR1020087017691A KR20087017691A KR101426316B1 KR 101426316 B1 KR101426316 B1 KR 101426316B1 KR 1020087017691 A KR1020087017691 A KR 1020087017691A KR 20087017691 A KR20087017691 A KR 20087017691A KR 101426316 B1 KR101426316 B1 KR 101426316B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicone resin
- silicone
- sio
- formula
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 title claims abstract description 166
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 65
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 41
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 41
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 34
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 30
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 28
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 28
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 27
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 20
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 11
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011852 carbon nanoparticle Substances 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 44
- -1 siloxane units Chemical group 0.000 description 21
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 20
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 10
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 7
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000006162 Chenopodium quinoa Species 0.000 description 2
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000004188 dichlorophenyl group Chemical group 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- KCIKCCHXZMLVDE-UHFFFAOYSA-N silanediol Chemical group O[SiH2]O KCIKCCHXZMLVDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000001374 small-angle light scattering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 150000003738 xylenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- XUZNXNABRSCKOA-UHFFFAOYSA-M 2-ethylhexanoate;2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium Chemical compound C[N+](C)(C)CCO.CCCCC(CC)C([O-])=O XUZNXNABRSCKOA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003542 3-methylbutan-2-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 125000000490 cinnamyl group Chemical group C(C=CC1=CC=CC=C1)* 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- PYBNTRWJKQJDRE-UHFFFAOYSA-L dodecanoate;tin(2+) Chemical compound [Sn+2].CCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCC([O-])=O PYBNTRWJKQJDRE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 230000009970 fire resistant effect Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000003538 pentan-3-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N tetrabutyltin Chemical compound CCCC[Sn](CCCC)(CCCC)CCCC AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- IUTCEZPPWBHGIX-UHFFFAOYSA-N tin(2+) Chemical compound [Sn+2] IUTCEZPPWBHGIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N tin(4+) Chemical class [Sn+4] SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSBAEPSJVUENNK-UHFFFAOYSA-L tin(ii) 2-ethylhexanoate Chemical compound [Sn+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O KSBAEPSJVUENNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/005—Reinforced macromolecular compounds with nanosized materials, e.g. nanoparticles, nanofibres, nanotubes, nanowires, nanorods or nanolayered materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
- C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2383/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/011—Nanostructured additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/268—Monolayer with structurally defined element
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
Abstract
본 발명은,
박리 라이너를 축합 경화성 실리콘 조성물 및 탄소 나노물질을 포함하는 나노물질로 충전된 실리콘 조성물로 피복하는 단계 및 피복된 박리 라이너의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함하는, 실리콘 수지 필름의 제조방법;
상기 방법에 따라 제조된 실리콘 수지 필름; 및
나노물질-충전된 실리콘 조성물에 관한 것이다.
실리콘 수지 필름, 나노물질-충전된 실리콘 조성물, 탄소 나노물질.
Description
[관련 출원에 대한 상호참조]
본원은 2006년 1월 19일자로 출원된 미국 가특허원 제60/760,261호의 이익을 청구한다. 미국 가특허원 제60/760,261호는 본원에 참조로 인용된다.
본 발명은 실리콘 수지 필름의 제조방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 박리 라이너를 축합 경화성 실리콘 조성물 및 탄소 나노물질을 포함하는 나노물질로 충전된 실리콘 조성물로 피복하는 단계 및 상기 피복된 박리 라이너의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함하는 실리콘 수지 필름의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 방법에 따라 제조된 실리콘 수지 필름, 및 나노물질-충전된 실리콘 조성물에 관한 것이다.
실리콘 수지는 높은 열 안정성, 우수한 내습성, 우수한 가요성, 높은 내산소 성, 낮은 유전 상수 및 높은 투명성을 포함하는 독특한 특성 조합으로 인해 다양한 용도에서 유용하다. 예를 들면, 실리콘 수지는 자동차, 전자, 건설, 가전 및 우주 산업에서 보호용 또는 유전성 피막으로서 널리 사용된다.
실리콘 수지 피막이 다양한 기재를 보호, 절연 또는 결합하기 위해 사용될 수 있음에도 불구하고, 독립형 실리콘 수지 필름은 낮은 인열 강도, 높은 취성, 낮은 유리 전이 온도 및 높은 열팽창계수로 인해 유용성이 제한된다. 결과적으로, 기계적 특성과 열 특성이 개선된 독립형 실리콘 수지 필름이 필요하다.
[발명의 요지]
본 발명은, 박리 라이너를 나노물질로 충전된 실리콘 조성물[상기 나노물질로 충전된 실리콘 조성물은 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 갖는 실리콘 수지를 포함하는 축합 경화성 실리콘 조성물; 및 탄소 나노물질을 포함한다]로 피복하는 단계 및 상기 피복된 박리 라이너의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함하는, 실리콘 수지 필름의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상술한 방법에 따라 제조된 실리콘 수지 필름에 관한 것이다.
추가로, 본 발명은 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 갖는 실리콘 수지를 포함하는 축합 경화성 실리콘 조성물; 및 탄소 나노물질을 포함하는, 나노물질로 충전된 실리콘 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 탄소 나노물질을 함유하지 않는 동일한 실리콘 조성물로부터 제조된 실리콘 수지 필름에 비해 낮은 열팽창계수, 높은 인장 강도 및 높은 모듈러스를 갖는다. 또한, 충전된 (즉, 탄소 나노물질 함유) 실리콘 수지 필름과 충전되지 않은 실리콘 수지 필름이 서로 필적하는 유리 전이 온도를 갖기는 하지만, 충전된 실리콘 수지 필름이 상기 유리 전이에 상응하는 온도 범위에서의 모듈러스 변화가 더 적다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 높은 열 안정성, 가요성, 기계적 강도 및 투명성을 갖는 필름을 필요로 하는 용도에서 유용하다. 예를 들면, 상기 실리콘 수지 필름은 가요성 디스플레이, 태양 전지, 가요성 전자 보드, 터치 스크린, 내화성 벽지 및 내충격성 윈도우의 집적 부품으로서 유용할 수 있다. 또한, 상기 필름은 투명 전극 또는 불투명 전극용으로 적합한 기재이다.
본원에서 사용되는, "수소, 하이드록시 또는 가수분해성 기인 R2 기의 실리콘 수지 중의 몰%"라는 용어는, 상기 실리콘 수지 중의 R2 기의 총 몰 수에 대한 상기 실리콘 수지 중의 규소 결합된 수소, 하이드록시 또는 가수분해성 기의 몰 수의 비에 100을 곱한 값으로 정의한다. 추가로, 본원에서 사용되는, "하이드록시 또는 가수분해성 기인 R4 기의 실리콘 수지 중의 몰%"라는 용어는, 상기 실리콘 수지 중의 R4 기의 총 몰 수에 대한 상기 실리콘 수지 중의 규소 결합된 하이드록시 또는 가수분해성 기의 몰 수의 비에 100을 곱한 값으로 정의한다.
본 발명에 따르는 나노물질로 충전된 실리콘 조성물은 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 갖는 실리콘 수지를 포함하는 축합 경화성 실리콘 조성물; 및 탄소 나노물질을 포함한다.
상기 축합 경화성 실리콘 조성물은 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 갖는 실리콘 수지를 함유하는 임의의 축합 경화성 실리콘 조성물일 수 있다. 전형적으로, 상기 축합 경화성 실리콘 조성물은 상술한 실리콘 수지와, 임의로, 규소 결합된 가수분해성 기를 갖는 가교결합제 및/또는 축합 촉매를 포함한다.
상기 축합 경화성 실리콘 조성물의 실리콘 수지는 통상, M 및/또는 D 실록산 단위와 배합하여, T 실록산 단위, 또는 T 및/또는 Q 실록산 단위를 함유하는 공중합체이다. 더욱이, 상기 실리콘 수지는 축합 경화성 실리콘 조성물의 제2 양태로 후술될 고무 개질된 실리콘 수지일 수 있다.
제1 양태에 따르면, 상기 축합 경화성 실리콘 조성물은 화학식 I의 실리콘 수지를 포함하며, 상기 실리콘 수지는 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 갖는다.
위의 화학식 I에서,
R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌이고,
R2는 R1, -H, -OH 또는 가수분해성 기가고,
w는 0 내지 0.8이고,
x는 0 내지 0.6이고,
y는 0 내지 0.99이고,
z는 0 내지 0.35이고,
w+x+y+z는 1이고,
y+z/(w+x+y+z)는 0.2 내지 0.99이고,
w+x/(w+x+y+z)는 0 내지 0.8이고, 단 y가 0인 경우, w+x/(w+x+y+z)는 0.05 내지 0.8이다.
R1로 나타낸 하이드로카빌 및 할로겐-치환된 하이드로카빌 기는 탄소수 1 내지 10이거나 탄소수 1 내지 6이거나 탄소수 1 내지 4이다. 탄소수 3 이상의 비환식 하이드로카빌 및 할로겐-치환된 하이드로카빌 기는 분지되거나 분지되지 않은 구조를 가질 수 있다. R1로 나타낸 하이드로카빌 기의 예는 알킬(예: 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 1,1-디메틸에틸, 펜틸, 1-메틸부틸, 1-에틸프로필, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐 및 데실), 사이클로알킬(예: 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 메틸사이클로헥실), 아릴(예: 페닐 및 나프틸), 알크아릴(예: 톨릴 및 크실릴), 아르알킬(예: 벤질 및 페네틸), 알케닐(예: 비닐, 알릴 및 프로페닐), 아릴알케닐(예: 스티릴 및 신나밀) 및 알키닐(예: 에테닐 및 프로피닐)을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다. R1로 나타낸 할로겐-치환된 하이드로카빌 기의 예는 3,3,3-트리플루오로프로필, 3-클로로프로필, 클로로페닐, 디클로로페닐, 2,2,2-트리플루오로에틸, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필 및 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로펜틸을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
본원에서 사용되는 용어 "가수분해성 기"는, 상기 규소 결합된 기가 실온(~23 ± 2℃) 내지 100℃의 임의 온도에서 수분 내에, 예를 들면, 30분 내에 촉매의 존재 또는 부재하에 물과 반응하여 실란올(Si-OH) 기를 형성함을 의미한다. R2로 나타낸 가수분해성 기의 예는 -Cl, -Br, -OR3, -OCH2CH2OR3, CH3C(=O)O-, Et(Me)C=N-O-, CH3C(=O)N(CH3)- 및 -ONH2(여기서, R3은 C1 내지 C8 하이드로카빌 또는 C1 내지 C8 할로겐-치환된 하이드로카빌이다)을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
R3으로 나타낸 하이드로카빌 및 할로겐-치환된 하이드로카빌 기는 전형적으로 탄소수 1 내지 8이거나 탄소수 3 내지 6이다. 탄소수 3 이상인 비환식 하이드로카빌 및 할로겐-치환된 하이드로카빌 기는 분지되거나 분지되지 않은 구조를 가질 수 있다. R3으로 나타낸 하이드로카빌 기의 예는 분지되지 않거나 분지된 알킬(예: 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 1,1-디메틸에틸, 펜틸, 1-메틸부틸, 1-에틸프로필, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, 헥실, 헵틸 및 옥틸), 사이클로알킬(예: 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 메틸사이클로헥실), 페닐, 알크아릴(예: 톨릴 및 크실릴), 아르알킬(예: 벤질 및 페네틸), 알케닐(예: 비닐, 알릴 및 프로페닐), 아릴알케닐(예: 스티릴) 및 알키닐(예: 에테닐 및 프로피닐)을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다. R3으로 나타낸 할로겐-치환된 하이드로카빌 기의 예는 3,3,3-트리플루오로프로필, 3-클로로프로필, 클로로페닐 및 디클로로페닐을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
화학식 I의 실리콘 수지에서, 첨자 w, x, y 및 z는 몰 분율이다. 첨자 w는 통상 0 내지 0.8이거나 0.02 내지 0.75이거나 0.05 내지 0.3이고, 첨자 x는 통상 0 내지 0.6이거나 0 내지 0.45이거나 0 내지 0.25이며, 첨자 y는 전형적으로 0 내지 0.99이거나 0.25 내지 0.8이거나 0.5 내지 0.8이고, 첨자 z는 전형적으로 0 내지 0.35이거나 0 내지 0.25이거나 0 내지 0.15이다. 또한, 상기 비 y+z/(w+x+y+z)는 전형적으로 0.2 내지 0.99이거나 0.5 내지 0.95이거나 0.65 내지 0.9이다. 추가로, w+x/(w+x+y+z)의 비는 전형적으로 0 내지 0.80이거나 0.05 내지 0.5이거나 0.1 내지 0.35이다. 추가로, y가 0인 경우, w+x/(w+x+y+z)는 0.05 내지 0.8이거나 0.1 내지 0.5이다.
전형적으로, 상기 실리콘 수지 중의 R2 기의 10몰% 이상, 50몰% 이상 또는 80몰% 이상은 수소, 하이드록시 또는 가수분해성 기이다.
상기 실리콘 수지는 전형적으로 수 평균 분자량(Mn)이 500 내지 50,000이거나 500 내지 10,000이거나 1,000 내지 3,000이며, 이때 상기 분자량은 저각도 레이저 광 산란 검측기 또는 굴절률 검측기 및 실리콘 수지(MQ) 표준을 사용하는 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정한다.
25℃에서 실리콘 수지의 점도는 전형적으로 0.01 내지 100,000 Paㆍs이거나 0.1 내지 10,000 Paㆍs이거나 1 내지 100 Paㆍs이다.
상기 실리콘 수지는 R2SiO3 /2 단위(즉, T 단위)를 함유하거나, R2SiO3 /2 단위(즉, T 단위) 및/또는 SiO4 /2 단위(즉, Q 단위)를 R1R2 2SiO1 /2 단위(즉, M 단위) 및/또는 R2 2SiO2 /2 단위(즉, D 단위)와 함께 함유할 수 있으며, 이때 R1 및 R2는 위에서 기술하고 예시한 바와 같다. 예를 들면, 상기 실리콘 수지는 T 수지, DT 수지, MT 수지, MDT 수지, DTQ 수지, MTQ 수지, MDTQ 수지, DQ 수지, MQ 수지, DTQ 수지, MTQ 수지 또는 MDQ 수지일 수 있다.
실리콘 수지의 예는 하기 화학식을 갖는 수지를 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다:
(MeSiO3 /2)n, (PhSiO3 /2)n,
(Me3SiO1 /2)0.8(Si04 /2)0.2, (MeSi03 /2)0.67(PhSi03 /2)0.33,
(MeSiO3 /2)0.45(PhSiO3 /2)0.40(Ph2SiO2 /2)0.1(PhMeSiO2 /2)0.05,
(PhSiO3 /2)0.4(MeSiO3 /2)0.45(PhSiO3 /2)0.l(PhMeSiO2 /2)0.05 및
(PhSi03 /2)0.4(MeSi03 /2)0.1(PhMeSiO2 /2)0.5.
위의 화학식에서, Me는 메틸이고, Ph는 페닐이며, 괄호 밖에 첨자로 나타낸 숫자는 몰 분율을 나타내며, 첨자 n은 실리콘 수지가 500 내지 50,000의 수 평균 분자량을 갖도록 하는 값이다. 또한, 상기 화학식에서, 단위들의 순서는 특정하지 않았다.
축합 경화성 실리콘 조성물의 제1 양태는 단일 실리콘 수지를 포함하거나 각각 상술한 바와 같은 둘 이상의 상이한 실리콘 수지들을 포함하는 혼합물을 포함할 수 있다.
규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 함유하는 실리콘 수지의 제조방법이 당분야에 익히 공지되어 있으며, 이들 수지의 다수가 시판 중이다. 실리콘 수지는 전형적으로 톨루엔과 같은 유기 용매 속에서 실란 전구체들의 적합한 혼합물을 공가수분해함으로써 제조한다. 예를 들면, 실리콘 수지는 화학식 R1R2 2SiX의 실란 및 화학식 R2SiX3의 실란(여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌이며, R2는 R1, -H 또는 가수분해성 기가고, X는 가수분해성 기가며, 단 R2가 가수분해성 기인 경우, X는 R2에 비해 가수분해 반응에서 반응성이 더 높다)을 톨루엔 속에서 공가수분해하여 제조할 수 있다. 수성 염산 및 실리콘 가수분해물을 분리하고, 상기 가수분해물을 물로 세척하여 잔여 산을 제거하고 온화한 축합 촉매의 존재하에 가열하여 수지를 필요한 점도로 보디(body; 즉, 축합)한다. 필요하다면, 상기 수지를 유기 용매 속에서 축합 촉매로 추가로 처리하여 규소 결합된 하이드록시 기의 함량을 감소시킬 수 있다.
축합 경화성 실리콘 조성물의 제1 양태는 추가의 성분들을 포함할 수 있으나, 단 상기 성분들이 실리콘 수지가 경화하여 후술하는 바와 같이 열팽창계수가 낮고 인장 강도가 높으며 모듈러스가 높은 경화된 실리콘 수지를 형성하는 것을 방해하진 않아야 한다. 추가 성분들의 예는 접착 촉진제, 염료, 안료, 산화방지제, 열 안정제, UV 안정제, 난연제, 유동 조절 첨가제, 유기 용매, 가교결합제 및 축합 촉매를 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
예를 들면, 상기 실리콘 조성물은 가교결합제 및/또는 축합 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 가교결합제는 화학식 R3 qSiX4-q(여기서, R3은 C1 내지 C8 하이드로카빌 또는 C1 내지 C8 할로겐-치환된 하이드로카빌이고, X는 가수분해성 기가고, q는 0 또는 1이다)을 가질 수 있다. R3으로 나타낸 하이드로카빌 및 할로겐-치환된 하이드로카빌 기와 X로 나타낸 가수분해성 기는 위에서 기술하고 예시한 바와 같다.
가교결합제의 예는 알콕시 실란, 예를 들면, MeSi(OCH3)3, CH3Si(OCH2CH3)3, CH3Si(OCH2CH2CH3)3, CH3Si[O(CH2)3CH3]3, CH3CH2Si(OCH2CH3)3, C6H5Si(OCH3)3, C6H5CH2Si(OCH3)3, C6H5Si(OCH2CH3)3, CH2=CHSi(OCH3)3, CH2=CHCH2Si(OCH3)3, CF3CH2CH2Si(OCH3)3, CH3Si(OCH2CH2OCH3)3, CF3CH2CH2Si(OCH2CH2OCH3)3, CH2=CHSi(OCH2CH2OCH3)3, CH2=CHCH2Si(OCH2CH2OCH3)3, C6H5Si(OCH2CH2OCH3)3, Si(OCH3)4, Si(OC2H5)4 및 Si(OC3H7)4; 오가노아세톡시실란, 예를 들면, CH3Si(OCOCH3)3, CH3CH2Si(OCOCH3)3 및 CH2=CHSi(OCOCH3)3; 오가노이미노옥시실란, 예를 들면, CH3Si[O-N=C(CH3)CH2CH3]3, Si[O-N=C(CH3)CH2CH3]4 및 CH2=CHSi[O-N=C(CH3)CH2CH3]3; 오가노아세트아미도실란, 예를 들면, CH3Si[NHC(=O)CH3]3 및 C6H5Si[NHC(=O)CH3]3; 아미노 실란, 예를 들면, CH3Si[NH(s-C4H9)]3 및 CH3Si(NHC6H11)3; 및 오가노아미노옥시실란을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
상기 가교결합제는 단일 실란이거나 각각 상술한 바와 같은 둘 이상의 상이한 실란의 혼합물일 수 있다. 또한, 삼작용성 실란과 사작용성 실란의 제조방법은 당분야에 익히 공지되어 있으며, 이들 실란 중의 다수가 시판 중이다.
존재하는 경우, 상기 실리콘 조성물 중의 가교결합제의 농도는 실리콘 수지를 경화(가교결합)시키기에 충분하다. 가교결합제의 정확한 양은 목적하는 경화 정도에 따라 달려 있으며, 이는 실리콘 수지 중의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기의 몰 수에 대한 가교결합제 중의 규소 결합된 가수분해성 기의 몰 수의 비가 증가함에 따라 일반적으로 증가한다. 보통, 가교결합제의 농도는 실리콘 수지 중의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기 1몰당 규소 결합된 가수분해성 기 0.2 내지 4몰을 제공하기에 충분하다. 가교결합제의 최적량은 일반적인 실험에 의해 용이하게 결정될 수 있다.
상술한 바와 같이, 축합 경화성 실리콘 조성물의 제1 양태는 하나 이상의 축합 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 축합 촉매는 Si-O-Si 결합을 형성하기 위해 규소 결합된 하이드록시 (실란올) 기의 축합을 촉진시키는 데 통상 사용되는 임의의 축합 촉매일 수 있다. 축합 촉매의 예는 아민; 그리고 납, 주석, 아연 및 철과 카복실산과의 착물을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다. 특히, 상기 축합 촉매는 주석 디라우레이트, 주석 디옥토에이트 및 테트라부틸 주석과 같은 주석(II) 및 주석(IV) 화합물과 티타늄 테트라부톡사이드와 같은 티타늄 화합물로부터 선택될 수 있다.
존재하는 경우, 축합 촉매의 농도는 전형적으로, 실리콘 수지의 총 중량을 기준으로 하여, 0.1 내지 10%(w/w)이거나 0.5 내지 5%(w/w)이거나 1 내지 3%(w/w)이다.
제2 양태에 따라, 상기 축합 경화성 실리콘 조성물은
(A) (i) 화학식 II의 실리콘 수지 및 (ii) 성분(i)의 가수분해성 전구체들로부터 선택된 유기 규소 화합물을, 물, 축합 촉매 및 유기 용매의 존재하에, 화학식 III의 실리콘 고무와 반응시켜 가용성 반응 생성물을 형성함으로써 제조한 고무 개질된 실리콘 수지[상기 화학식 II의 실리콘 수지는 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 하이드록시 또는 가수분해성 기를 가지며, 상기 화학식 III의 실리콘 고무는 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 가수분해성 기를 가지며, 화학식 II의 실리콘 수지 중의 규소 결합된 하이드록시 또는 가수분해성 기에 대한 화학식 III의 실리콘 고무 중의 규소 결합된 가수분해성 기의 몰 비는 0.01 내지 1.5이다] 및
(B) 축합 촉매를 포함한다.
위의 화학식 II 및 III에서,
R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌이고,
R4는 R1, -OH 또는 가수분해성 기가고,
R5는 R1 또는 가수분해성 기가고,
m은 2 내지 1,000이고,
w는 0 내지 0.8이고,
x는 0 내지 0.6이고,
y는 0 내지 0.99이고,
z는 0 내지 0.35이고,
w+x+y+z는 1이고,
y+z/(w+x+y+z)는 0.2 내지 0.99이고,
w+x/(w+x+y+z)는 0 내지 0.8이고, 단 y가 0인 경우, w+x/(w+x+y+z)는 0.05 내지 0.8이다.
성분(A)는, (i) 화학식 II의 하나 이상의 실리콘 수지 및 (ii) 성분(i)의 가수분해성 전구체들로부터 선택된 유기 규소 화합물을, 물, 축합 촉매 및 유기 용매의 존재하에, 화학식 III의 하나 이상의 실리콘 고무와 반응시켜 가용성 반응 생성물을 형성함으로써 제조한 고무 개질된 실리콘 수지이며, 단 상기 화학식 II의 실리콘 수지는 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 하이드록시 또는 가수분해성 기를 가지며, 상기 화학식 III의 실리콘 고무는 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 가수분해성 기를 가지며, 화학식 II의 실리콘 수지 중의 규소 결합된 하이드록시 또는 가수분해성 기에 대한 화학식 III의 실리콘 고무 중의 규소 결합된 가수분해성 기의 몰 비는 0.01 내지 1.5이다. 본원에서 사용되는 용어 "가용성 반응 생성물"이란, 성분(A)를 제조하기 위한 반응 생성물이 유기 용매 속에 혼화성이고 침전물 또는 현탁물을 형성하지 않음을 의미한다.
화학식 II
(R1R4 2SiO1 /2)w(R4 2SiO2 /2)x(R4SiO3 /2)y(SiO4 /2)z
화학식 III
R5 3SiO(R1R5SiO)mSiR5 3
위의 화학식 II 및 III에서,
R1, w, x, y, z, y+z/(w+x+y+z) 및 w+x/(w+x+y+z)는 화학식 I의 실리콘 수지에 대해 기술하고 예시한 바와 같고,
R4 및 R5로 나타낸 가수분해성 기는 R2에 대해 기술하고 예시한 바와 같고,
m은 2 내지 1,000이다.
전형적으로, 실리콘 수지(i) 중의 R4 기의 10몰% 이상, 50몰% 이상 또는 80몰% 이상이 하이드록시 또는 가수분해성 기이다.
상기 실리콘 수지(i)는 전형적으로 수 평균 분자량(Mn)이 500 내지 50,000이거나 500 내지 10,000이거나 1,000 내지 3,000이며, 이때 상기 분자량은 저각도 레이저 광 산란 검측기 또는 굴절률 검측기 및 실리콘 수지(MQ) 표준을 사용하는 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정한다.
25℃에서 실리콘 수지(i)의 점도는 전형적으로 0.01 내지 100,000 Paㆍs이거나 0.1 내지 10,000 Paㆍs이거나 1 내지 100 Paㆍs이다.
상기 실리콘 수지(i)는 R4SiO3 /2 단위(즉, T 단위)를 함유하거나, R4SiO3 /2 단위(즉, T 단위) 및/또는 SiO4 /2 단위(즉, Q 단위)를 R1R4 2SiO1 /2 단위(즉, M 단위) 및/또는 R4 2SiO2 /2 단위(즉, D 단위)와 함께 함유할 수 있으며, 이때 R1 및 R4는 위에서 기술하고 예시한 바와 같다. 예를 들면, 상기 실리콘 수지(i)는 T 수지, DT 수지, MT 수지, MDT 수지, DTQ 수지, MTQ 수지, MDTQ 수지, DQ 수지, MQ 수지, DTQ 수지, MTQ 수지 또는 MDQ 수지일 수 있다.
실리콘 수지(i)로서 사용하기에 적합한 실리콘 수지의 예는 화학식 (MeSiO3/2)n, (PhSiO3/2)n, (PhSiO3/2)0.4(MeSiO3/2)0.45(PhSiO3/2)0.l(PhMeSiO2/2)0.05 및 (PhSi03/2)0.4(MeSi03/2)0.1(PhMeSiO2/2)0.5을 갖는 수지(위의 화학식에서, Me는 메틸이고, Ph는 페닐이며, 괄호 밖에 첨자로 나타낸 숫자는 몰 분율을 나타내며, 첨자 n은 실리콘 수지가 500 내지 50,000의 수 평균 분자량을 갖도록 하는 값이다. 또한, 상기 화학식에서, 단위들의 순서는 특정하지 않았다)를 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
실리콘 수지(i)는 단일 실리콘 수지를 포함하거나 각각 화학식 II를 갖는 둘 이상의 상이한 실리콘 수지들을 포함하는 혼합물일 수 있다.
실리콘 수지(i)를 사용하기에 적합한 실리콘 수지의 제조방법은 당분야에 익히 공지되어 있고, 이들 수지의 다수가 시판 중이다. 예를 들면, 실리콘 수지는 전형적으로 화학식 I의 실리콘 수지에 대해 상술한 바와 같이 톨루엔과 같은 유기 용매 중의 실란 전구체들의 적합한 혼합물을 공가수분해함으로써 제조된다.
상기 유기 규소 화합물은 화학식 II의 실리콘 수지의 가수분해성 전구체(ii)일 수 있다. 본원에서 사용되는 용어 "가수분해성 전구체"는 화학식 II의 실리콘 수지를 제조하기 위한 출발 물질(전구체)로서 사용하기에 적합한 가수분해성 기를 갖는 실란을 지칭한다. 상기 가수분해성 전구체는 화학식 R1R4 2SiX, R4SiX2, R4SiX3 및 SiX4(여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌이며, R4는 R1 또는 가수분해성 기가고, X는 가수분해성 기이다)로 나타낼 수 있다. 가수분해성 전구체의 예는 Me2ViSiCl, Me3SiCl, MeSi(OEt)3, PhSiCl3, MeSiCl3, Me2SiCl2, PhMeSiC2, SiCl4, Ph2SiCl2, PhSi(OMe)3, MeSi(OMe)3, PhMeSi(OMe)2 및 Si(OEt)4[여기서, Me는 메틸이고, Et는 에틸이며, Ph는 페닐이다]를 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
가수분해성 기를 갖는 실란의 제조방법은 당분야에 익히 공지되어 있으며, 이들 화합물 중의 다수가 시판 중이다.
화학식 III의 실리콘 고무에서, R1 및 R5는 위에서 기술하고 예시한 바와 같고, 첨자 m은 전형적으로 2 내지 1,000이거나 4 내지 500이거나 8 내지 400이다.
화학식 III의 실리콘 고무의 예는 화학식 (EtO)3SiO(Me2SiO)55Si(OEt)3, (EtO)3SiO(Me2SiO)16Si(OEt)3, (EtO)3SiO(Me2SiO)386Si(OEt)3 및 (EtO)2MeSiO(PhMeSiO)10SiMe(OEt)2의 실리콘 고무(여기서, Me는 메틸이고, Et는 에틸이다)를 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
화학식 III의 실리콘 고무는 단일 실리콘 수지를 포함하거나 각각 화학식 III을 갖는 둘 이상의 상이한 실리콘 수지들을 포함하는 혼합물일 수 있다. 예를 들면, 상기 실리콘 고무는 화학식 III에서 m의 값으로 나타내는 중합도(dp)가 약 15인 제1 실리콘 고무와 dp가 약 350인 제2 실리콘 고무를 포함할 수 있다.
규소 결합된 가수분해성 기를 함유하는 실리콘 고무의 제조방법은 당분야에 익히 공지되어 있고, 이들 화합물의 다수가 시판 중이다.
성분(A)의 고무 개질된 실리콘 수지의 제조에 사용되는 축합 촉매는 축합 경화성 실리콘 조성물의 제1 양태에서 상기 기술하고 예시한 바와 같다. 특히, 티타늄 화합물은 성분(A)의 제조에 사용하기에 적합한 축합 촉매이다.
상기 유기 용매는 하나 이상의 유기 용매이다. 상기 유기 용매는 후술되는 성분(A)를 제조하기 위한 조건하에 유기 규소 화합물, 실리콘 고무 또는 고무 개질된 실리콘 수지와 반응하지 않는 임의의 비양성자성 또는 양극성 비양성자성 용매일 수 있으며, 위에서 언급한 성분들과 혼화성이다.
유기 용매들의 예는 포화 지방족 탄화수소(예: n-펜탄, 헥산, n-헵탄, 이소옥탄 및 도데칸), 사이클로지방족 탄화수소(예: 사이클로펜탄 및 사이클로헥산), 방향족 탄화수소(예: 벤젠, 톨루엔, 크실렌 및 메시틸렌), 사이클릭 에테르(예: 테트라하이드로푸란(THF) 및 디옥산), 케톤(예: 메틸 이소부틸 케톤(MIBK)), 할로겐화 알칸(예: 트리클로로에탄) 및 할로겐화 방향족 탄화수소(예: 브로모벤젠 및 클로로벤젠)을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다. 상기 유기 용매는 단일 유기 용매이거나 각각 위에서 정의한 바와 같은 2개 이상의 상이한 유기 용매들의 혼합물일 수 있다.
유기 규소 화합물, 실리콘 고무, 축합 촉매 및 유기 용매를 임의 순서로 혼합할 수 있다. 전형적으로, 유기 규소 화합물, 실리콘 고무 및 유기 용매를 혼합시킨 다음, 축합 촉매를 도입한다.
화학식 II의 실리콘 수지 중의 규소 결합된 하이드록시 또는 가수분해성 기에 대한 실리콘 고무 중의 규소 결합된 가수분해성 기의 몰 비는 전형적으로 0.01 내지 1.5이거나 0.05 내지 0.8이거나 0.2 내지 0.5이다.
반응 혼합물 중의 물의 농도는 유기 규소 화합물 중의 R4 기의 성질과 실리콘 고무 중의 규소 결합된 가수분해성 기의 성질에 달려 있다. 유기 규소 화합물이 가수분해성 기를 함유하는 경우, 물의 농도는 유기 규소 화합물과 실리콘 고무의 가수분해성 기들을 가수분해시키기에 충분하다. 예를 들면, 물의 농도는 전형적으로 유기 규소 화합물과 실리콘 고무과의 배합물 중의 가수분해성 기 1몰당 0.01 내지 3몰이거나 0.05 내지 1몰이다. 유기 규소 화합물이 가수분해성 기를 함유하지 않는 경우, 오직 미량(예: 100ppm)의 물이 반응 혼합물에 요구된다. 미량의 물은 반응물 및/또는 용매 속에 통상 존재한다.
축합 촉매의 농도는 유기 규소 화합물과 실리콘 고무와의 축합 반응을 촉매하기에 충분하다. 전형적으로, 축합 촉매의 농도는, 유기 규소 화합물의 중량을 기준으로 하여, 0.01 내지 2%(w/w)이거나 0.01 내지 1%(w/w)이거나 0.05 내지 0.2% (w/w)이다.
유기 용매의 농도는, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 전형적으로 10 내지 95%(w/w)이거나 20 내지 85%(w/w)이거나 50 내지 80%(w/w)이다.
상기 반응은 전형적으로 실온(~ 23 ± 2℃) 내지 180℃ 또는 실온 내지 100℃의 온도에서 수행한다.
상기 반응 시간은 유기 규소 화합물과 실리콘 고무의 구조와 온도를 포함하는 몇 가지 인자에 달려 있다. 상기 성분들은 전형적으로 축합 반응을 종결하기에 충분한 시간 동안 반응한다. 이는, 상기 성분들이 29Si NMR 분광계에 의해 측정된 바와 같이 실리콘 고무에 원래 존재하는 규소 결합된 가수분해성 기의 95몰% 이상, 98몰% 이상 또는 99몰% 이상이 축합 반응에서 소모될 때까지 반응함을 의미한다. 반응 시간은 전형적으로 실온(~ 23 ± 2℃) 내지 100℃의 온도에서 1 내지 30시간이다. 최적 반응 시간은 하기 실시예에서 나타낸 방법을 사용하는 통상적인 실험에 의해 측정할 수 있다.
고무-개질된 실리콘 수지는 축합 경화성 실리콘 조성물의 제2 양태에서 분리 또는 정제 없이 사용되거나 상기 수지는 통상적인 증발 방법에 의해 대부분의 용매로부터 분리될 수 있다. 예를 들면, 상기 반응 혼합물은 감압하에 가열될 수 있다.
축합 경화성 실리콘 조성물의 제2 양태의 성분(B)은 하나 이상의 축합 촉매이고, 상기 촉매는 실리콘 조성물의 제1 양태에 대해 위에서 기술하고 예시한 바와 같다. 특히, 아연 화합물과 아민이 본 실리콘 조성물의 성분(B)로서 사용하기에 적합하다.
성분(B)의 농도는, 성분(A)의 중량을 기준으로 하여, 전형적으로 0.1 내지 10%(w/w)이거나 0.5 내지 5%(w/w)이거나 1 내지 3%(w/w)이다.
상기 축합 경화성 실리콘 조성물의 제2 양태는 추가의 성분들을 포함할 수 있으며, 단 상기 성분들은 실리콘 수지가 경화하여 후술하는 바와 같이 열팽창계수가 낮고 인장 강도가 높으며 모듈러스가 높은 경화된 실리콘 수지를 형성하는 것을 방해하진 않아야 한다. 추가 성분들의 예는 접착 촉진제, 염료, 안료, 산화방지제, 열 안정제, UV 안정제, 난연제, 유동 조절 첨가제, 가교결합제 및 유기 용매를 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
예를 들면, 상기 축합 경화성 실리콘 조성물의 제2 양태는 화학식 R3 qSiX4-q의 가교결합제(여기서, R3, X 및 q는 제1 양태의 가교결합제에 대해 위에서 기술하고 예시한 바와 같다)를 추가로 포함할 수 있다. 상기 가교결합제는 단일 실란이거나 각각 상술한 바와 같은 둘 이상의 상이한 실란의 혼합물일 수 있다.
존재하는 경우, 축합 경화성 실리콘 조성물의 제2 양태 중의 가교결합제의 농도는 성분(A)의 고무 개질된 실리콘 수지를 경화(가교결합)시키기에 충분하다. 가교결합제의 정확한 양은 목적하는 경화 정도에 따라 달려 있으며, 이는 고무 개질된 실리콘 수지 중의 규소 결합된 하이드록시 기 또는 가수분해성 기의 몰 수에 대한 가교결합제 중의 규소 결합된 가수분해성 기의 몰 수의 비가 증가함에 따라 일반적으로 증가한다. 전형적으로, 가교결합제의 농도는 고무 개질된 실리콘 수지 중의 규소 결합된 하이드록시 기 또는 가수분해성 기 1몰당 규소 결합된 가수분해성 기 0.2 내지 4몰을 제공하기에 충분하다. 가교결합제의 최적량은 일반적인 실험에 의해 용이하게 결정될 수 있다.
상기 나노물질-충전된 실리콘 조성물의 탄소 나노물질은 하나 이상의 물리적 치수(예: 입자 직경, 섬유 직경, 층 두께)가 약 200nm 미만인 임의의 탄소 물질일 수 있다. 탄소 나노물질의 예는 3개의 치수가 약 200nm 미만인 탄소 나노입자[예: 양자 도트, 중공 스피어, 및 풀레렌스(fullerence)], 2개의 치수가 약 200nm 미만인 섬유상 탄소 나노물질[예: 단일벽 나노튜브 및 다중벽 나노튜브와 같은 나노튜브; 및 축상 배열된 나노섬유, 판형 나노섬유 및 헤링본 또는 피쉬본 나노섬유와 같은 나노섬유]; 및 1개의 치수가 약 200nm 미만인 층상 탄소 나노물질[예: 팽창 흑연 및 그라펜(graphene) 시트]을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다. 상기 탄소 나노물질은 전기전도성이거나 반전도성일 수 있다.
상기 탄소 나노물질은 상술한 탄소 나노물질을 산화 산 또는 산들의 혼합물과 승온에서 처리하여 제조한 산화 탄소 나노물질일 수도 있다. 예를 들면, 상기 탄소 나노물질은 농축 질산과 농축 황산과의 혼합물(1:3 v/v, 25 mL/g 탄소) 속에서 상기 물질을 1 내지 3시간 동안 40 내지 150℃의 온도에서 가열함으로써 산화시킬 수 있다.
상기 탄소 나노물질은 단일 탄소 나노물질이거나 각각 상술한 바와 같은 2개 이상의 상이한 탄소 나노물질을 포함하는 혼합물일 수 있다.
탄소 나노물질의 농도는, 나노물질로 충전된 실리콘 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 전형적으로 0.0001 내지 99%(w/w)이거나 0.001 내지 50%(w/w)이거나 0.01 내지 25%(w/w)이거나 0.1 내지 10%(w/w)이거나 1 내지 5%(w/w)이다.
탄소 나노물질의 제조방법은 당분야에 익히 공지되어 있다. 예를 들면, 탄소 나노입자(예: 풀레렌스) 및 섬유상 탄소 나노물질(예: 나노튜브 및 나노파이버)은 아크 방전, 레이저 절제 및 촉매적 화학 증착 중의 하나 이상의 방법을 사용하여 제조할 수 있다. 아크 방전 방법에서, 2개의 흑연 로드 사이의 아크 방전은 기체 대기에 따라 단일벽 나노튜브, 다중벽 나노튜브 및 풀레렌스를 생성시킨다. 레이저 절제 방법에서, 금속 촉매가 부하된 흑연 표적이 고온 소성 전기로(tube furnace)에서 레이저로 방사되어 단일벽 나노튜브와 다중벽 나노튜브를 생성시킨다. 촉매적 화학 증착 방법에서, 탄소 함유 기체 또는 기체 혼합물을 금속 촉매를 함유하는 고온 소성 전기로 속으로 500 내지 1,000℃의 온도(및 상이한 압력)에서 도입시켜 탄소 나노튜브 및 나노섬유를 생성시킨다. 탄소 나노소판은 흑연의 삽입 및 팽창에 의해 제조될 수 있다.
상기 나노물질-충전된 실리콘 조성물은 실리콘 수지와 탄소 나노물질을 단일 부분에 함유하는 원-파트 조성물이거나 2개 이상의 부분에 상기 성분들을 포함하는 멀티-파트 조성물일 수 있다. 실리콘 조성물이 축합 촉매를 함유하는 경우, 상기 조성물은 전형적으로 실리콘 수지와 축합 촉매가 별도의 부분에 존재하는 투-파트 조성물이다.
본 발명에 따르는 실리콘 수지 필름의 제조방법은, 박리 라이너를 나노물질로 충전된 실리콘 조성물[상기 나노물질로 충전된 실리콘 조성물은 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 갖는 실리콘 수지를 포함하는 축합 경화성 실리콘 조성물; 및 탄소 나노물질을 포함한다]로 피복하는 단계 및 상기 피복된 박리 라이너의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함한다.
실리콘 수지 필름의 제조방법의 제1 단계에서, 박리 라이너는 나노물질로 충전된 실리콘 조성물로 피복되며, 이때 나노물질-충전된 실리콘 조성물은 위에서 기술하고 정의한 바와 같다.
상기 박리 라이너는, 후술하는 바와 같이, 실리콘 수지가 경화된 후 실리콘 수지 필름이 탈층에 의해 손상없이 제거될 수 있는 표면을 갖는 임의의 경질 또는 가요성 물질일 수 있다. 박리 라이너의 예는 규소, 석영; 융합 석영; 산화알루미늄; 세라믹; 유리; 금속 호일; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스테렌 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트와 같은 폴리올레핀; 폴리테트라플루오로에틸렌 및 폴리비닐 플루오라이드와 같은 탄화불소 중합체; 나일론과 같은 폴리아미드; 폴리이미드; 폴리(메틸 메타크릴레이트)와 같은 폴리에스테르; 에폭시 수지; 폴리에테르; 폴리카보네이트; 폴리설폰; 및 폴리에테르 설폰을 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다. 또한, 상기 박리 라이너는 실리콘 박리제와 같은 박리제로 처리된 표면을 갖는 상기 예시한 바와 같은 물질일 수 있다.
상기 박리 라이너는 스핀 피복, 침지, 분무, 브러슁 또는 스크린 인쇄와 같 은 통상적인 피복 기술을 사용하여 나노물질-충전된 실리콘 조성물로 피복될 수 있다. 실리콘 조성물의 양은 후술되는 방법의 제2 단계에서 두께가 1 내지 500㎛인 경화된 실리콘 수지 필름을 형성하기에 충분하다.
상기 실리콘 수지 필름의 제조방법은, 후술하는 경화의 제2 단계 전에, 제2 박리 라이너를 제1 단계의 피복된 박리 라이너에 적용하여 어셈블리를 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 제2 박리 라이너는 피복물과 접촉하여 어셈블리를 압축한다. 상기 어셈블리를 압축하여 과량의 실리콘 조성물 및/또는 포획된 공기를 제거하고 피복물의 두께를 줄일 수 있다. 상기 어셈블리는 스테인레스 스틸 롤러, 수압 프레스, 고무 롤러 또는 적층 롤 세트와 같은 통상적인 장치를 사용하여 압축시킬 수 있다. 상기 어셈블리는 전형적으로 1,000Pa 내지 10MPa의 압력 및 실온(~ 23 ±2℃) 내지 50℃의 온도에서 압축시킨다.
실리콘 수지 필름의 제조방법의 제2 단계에서, 피복된 박리 라이너의 실리콘 수지를 경화시킨다. 실리콘 수지의 경화 조건은 수지 중의 규소 결합된 기의 성질에 달려 있다. 예를 들면, 실리콘 수지가 규소 결합된 수소 원자 또는 가수분해성 기를 함유하지 않는 경우, 상기 실리콘 수지는 피복물을 가열시켜 경화(즉, 가교결합)시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 실리콘 수지는 전형적으로 1 내지 50시간 동안 50 내지 250℃의 온도에서 피복물을 가열시킴으로써 경화될 수 있다. 상기 나노물질-충전된 실리콘 조성물이 축합 촉매를 포함하는 경우, 상기 실리콘 수지는 보다 저온, 예를 들면, 실온(~ 23 ±2℃) 내지 200℃에서 전형적으로 경화시킬 수 있다.
또한, 실리콘 수지가 규소 결합된 수소 원자를 함유하는 경우(예를 들면, 실리콘 조성물의 제1 양태의 실리콘 수지), 상기 실리콘 수지는 100 내지 450℃의 온도에서 0.1 내지 20시간 동안 습기 또는 산소에 피복물을 노출시킴으로써 경화시킬 수 있다. 나노물질로 충전된 실리콘 조성물이 축합 촉매를 함유하는 경우, 상기 실리콘 수지는 전형적으로 보다 저온, 예를 들면, 실온(~ 23 ± 2℃) 내지 400℃에서 경화될 수 있다.
추가로, 상기 실리콘 수지가 규소 결합된 가수분해성 기를 함유하는 경우, 상기 실리콘 수지는 실온(~ 23 ± 2℃) 내지 250℃ 또는 100 내지 200℃의 온도에서 1 내지 100시간 동안 습기에 피복물을 노출시킴으로써 경화시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 실리콘 수지는 전형적으로 약 실온(~ 23 ± 2℃) 내지 150℃의 온도에서 0.5 내지 72시간 동안 피복물을 30%의 상대 습도에 노출시킴으로써 경화시킬 수 있다. 경화는 조성물에 열의 적용, 높은 습도에 노출 및/또는 축합 촉매의 첨가에 의해 가속될 수 있다.
상기 실리콘 수지는 대기압 또는 대기압 이하의 압력에서 경화될 수 있다. 예를 들면, 상기 피복물이 제1 박리 라이너와 제2 박리 라이너 사이에 밀봉되지 않는 경우, 상기 실리콘 수지가 전형적으로 공기 중의 대기압에서 경화된다. 대안으로는, 상기 피복물이 제1 박리 라이너와 제2 박리 라이너 사이에 밀봉된 경우, 상기 실리콘 수지는 전형적으로 감압하에 경화된다. 예를 들면, 상기 실리콘 수지는 1,000 내지 20,000Pa 또는 1,000 내지 5,000Pa의 압력하에 가열될 수 있다. 상기 실리콘 수지는 통상적인 진공 백 공정을 사용하여 감압하에 경화될 수 있다. 전형적인 공정에서, 블리더(예: 폴리에스테르)가 피복된 박리 라이너 위에 도포되며, 통기부(예: 나일론, 폴리에스테르)가 블리더 위에 도포되며, 진공 노즐이 장착된 진공 백 필름(예: 나일론)이 통기부 위에 도포되며, 어셈블리가 테이프로 밀봉되고, 진공(예: 1,000Pa)이 밀봉된 어셈블리에 도포되고, 필요한 경우, 배기된 어셈블리가 상술한 바와 같이 가열된다.
상기 방법은 박리 라이너(들)로부터 경화된 실리콘 수지를 분리하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 경화된 실리콘 수지는 박리 라이너로부터 필름을 기계적으로 박리시킴으로써 상기 박리 라이너로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 방법은 실리콘 수지 필름의 적어도 일부에 피복물을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 피복물의 예는 하이드로실릴화 경화성 실리콘 수지 또는 축합 경화성 실리콘 수지를 경화시켜 제조한 경화된 실리콘 수지; 오가노실세스퀴옥산 수지의 졸을 경화시켜 제조한 경화된 실리콘 수지; 산화인듐주석, 이산화규소 및 이산화티탄과 같은 무기 산화물; 질화규소 및 질화갈륨과 같은 무기 질화물; 구리, 은, 금, 니켈 및 크롬과 같은 금속; 무정형 규소, 미세결정질 규소 및 다결정질 규소와 같은 규소를 포함하지만, 이로 제한되지는 않는다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 전형적으로 경화된 실리콘 수지 10 내지 99%(w/w), 30 내지 95%(w/w), 60 내지 95%(w/w) 또는 80 내지 95%(w/w)를 포함한다. 또한, 상기 실리콘 수지 필름은 전형적으로 두께가 1 내지 500㎛, 15 내지 500㎛, 15 내지 300㎛, 20 내지 150㎛ 또는 30 내지 125㎛이다.
상기 실리콘 수지 필름은 전형적으로 직경이 3.2mm 이하인 원통형 스틸 맨드 렐을 균열 없이 굴곡시킬 수 있는 가요성을 가지며, 상기 가요성은 ASTM 표준 D522-93a, 방법 B에 기술된 바와 같이 측정된다.
상기 실리콘 수지 필름은 선형 열 팽창 계수(CTE)가 낮고 인장 강도가 높으며 모듈러스가 높다. 예를 들면, 상기 필름은 전형적으로 CTE가 실온(~ 23 ± 2℃) 내지 200℃의 온도에서 0 내지 80㎛/m℃, 0 내지 20㎛/m℃ 또는 2 내지 10㎛/m℃이다. 또한, 상기 필름은 전형적으로 25℃에서의 인장 강도가 5 내지 200 MPa, 20 내지 200MPa 또는 50 내지 200MPa이다. 추가로, 상기 실리콘 수지 필름은 전형적으로 25℃에서의 영 모듈러스가 0.3 내지 10GPa, 1 내지 6GPa 또는 3 내지 5GPa이다.
상기 실리콘 수지 필름의 투명성은 경화된 실리콘 수지의 조성, 필름의 두께, 및 탄소 나노물질의 형태 및 농도와 같은 다수의 인자에 달려 있다. 상기 실리콘 수지 필름은 전형적으로 전자기 스펙트럼의 가시광선 영역에서 투명성(투광도%)이 50% 이상, 60% 이상, 75% 이상 또는 85% 이상이다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 탄소 나노물질이 부재하는 동일한 실리콘 조성물로부터 제조된 실리콘 수지 필름에 비해 열 팽창 계수가 낮고 인장 강도가 높으며 모듈러스가 높다. 또한, 충전된(즉, 탄소 나노물질 함유) 실리콘 수지 필름과 충전되지 않은 실리콘 수지 필름이 필적하는 유리 전이 온도를 가짐에도 불구하고, 충전된 필름은 전형적으로 상기 유리 전이에 상응하는 온도 범위에서 모듈러스 변화가 더 작다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 높은 열 안정성, 가요성, 기계적 강도 및 투 명성을 갖는 필름이 요구되는 용도에서 유용하다. 예를 들면, 상기 실리콘 수지 필름은 가요성 디스플레이, 태양 전지, 가요성 전자 보드, 터치 스크린, 내화성 벽지 및 내충격성 창의 집적 부품으로서 사용될 수 있다. 상기 필름은 또한 투명하거나 투명하지 않은 전극에 적합한 기판이다.
다음 실시예는 본 발명의 나노물질-충전된 실리콘 조성물, 방법 및 실리콘 수지 필름을 보다 잘 설명하기 위해 제시되었지만 본 발명을 제한할 의도는 없으며, 본 발명은 첨부된 청구의 범위에 의해 기술된다. 별도의 언급이 없는 한, 실시예에 기록된 모든 부와 %는 중량 기준이다. 다음 방법 및 물질들이 실시예에서 사용된다:
기계적 특성의 측정
영 모듈러스, 인장 강도 및 파단시 인장 변형률은 100-N 로드 셀이 구비된 MTS 얼라이언스 RT/5 시험 프레임을 사용하여 측정하였다. 실시예 4 및 5의 시험편에 대한 영 모듈러스, 인장 강도 및 인장 변형률을 실온(~ 23 ± 2℃)에서 측정하였다.
상기 시험편은 25mm 이격된 2개의 압축공기 그립 속에 부하되며 1mm/분의 크로스헤드 속도에서 인장된다. 부하 및 변위 데이타가 지속적으로 수집된다. 부하-변위 곡선의 초기 섹션에서의 가장 가파른 기울기가 영 모듈러스로서 취해진다. 영 모듈러스(GPa), 인장 강도(MPa) 및 인장 변형률(%)에 대해 보고된 값은 각각 동일한 실리콘 수지 필름의 상이한 아령형 시험편에 대해 3회 측정한 값의 평균을 나타낸다.
부하-변위 곡선에 대한 최고점을 사용하여 수학식 1에 따라 인장 강도를 계산한다.
위의 수학식 1에서,
σ는 인장 강도(MPa)이고,
F는 최고 힘(N)이고,
w는 시험편의 너비(mm)이고,
b는 시험편의 두께(mm)이다.
파단시 인장 변형률은 수학식 2에 따라, 시험하기 전후의 그립 분리의 차를 초기 분리로 나눔으로써 근사치를 구한다:
위의 수학식 2에서,
ε는 파단시 인장 변형률(%)이고,
ｌ 2 는 그립의 최종 분리(mm)이고,
ｌ 1 은 그립의 최초 분리(mm)이다.
피로그라프(Pyrograf)®-III 등급 HHT-19 탄소 나노섬유(제조원: Pyrograf Products, Inc., 미국 오하이오주 시다빌 소재)는 직경이 100 내지 200nm이고 길이가 30,000 내지 100,000nm인 열처리된(최대 3000℃) 탄소 나노섬유이다.
멜리넥스(Melinex)® 516(제조원: Dupont Teijin Films, 미국 버지니아주 호프웰 소재)은 슬립용으로 전처리되고 두께가 100㎛인 폴리에틸렌-테레프탈레이트(PET) 필름이다.
SDC MP101 크리스탈 코트 수지(제조원: SDC Technologies, Inc., 미국 캘리포니아주 아나하임 소재)는 메탄올, 2-프로판올, 물 및 아세트산(~ 1 내지 2%)의 혼합물 중에 MeSiO3/2 단위 및 SiO4/2 단위로 필수적으로 이루어진 실리콘 수지 31%(w/w)를 함유하는 용액이다.
다우 코닝(Dow Corning)®4-3136 결합제 수지(제조원: Dow Corning Corporation, 미국 미시간주 미들랜드 소재)는 크실렌 중의 실란올 작용성 실리콘 수지이고, 여기서 상기 수지는 화학식 (PhSiO3/2)0.40(MeSiO3/2)0.45(PhMeSiO2/2)0.05 (Ph2Si02/2)0.10을 가지며, 상기 수지는 규소 결합된 하이드록시(실란올) 기를 약 2 내지 3%(w/w) 함유한다.
다우 코닝®805 수지(제조원: Dow Corning Corporation, 미국 미시간주 미들랜드 소재)는 크실렌 중의 실란올 작용성 실리콘 수지 50%(w/w)를 함유하는 용액이고, 여기서 상기 수지는 화학식 (PhMeSiO2/2)0.39(Ph2SiO2/2)0.07(PhSiO3/2)0.35 (MeSiO3/2)0.19을 가지며, 상기 수지는 규소 결합된 하이드록시(실란올) 기를 약 1%(w/w) 함유한다.
다우 코닝®Y-177 촉매(제조원: Dow Corning Corporation, 미국 미시간주 미들랜드 소재)는 n-부탄올과 톨루엔 중의 아연 카복실레이트(~ 6%) 염과 콜린 2-에틸헥사노에이트(~3%)와의 혼합물이다.
실시예
1
본 실시예는 화학적으로 산화된 탄소 나노섬유의 제조방법을 설명한다. 피로그라프®-III 탄소 나노섬유(2.0g), 12.5mL의 농축 질산 및 37.5mL의 농축 황산을 응축기, 온도계, 테플론이 피복된 자기 교반 막대 및 온도 조절기가 구비된 500mL 삼구 플라스크 속에서 순차적으로 배합한다. 상기 혼합물을 80℃로 가열하고 이 온도에서 3시간 동안 유지시킨다. 이어서, 상기 혼합물을 1갤론 양동이 속에서 드라이 아이스 층 위에 플라스크를 둠으로써 냉각시켰다. 상기 혼합물을 나일론 막(0.8㎛)을 함유하는 부흐너 깔대기 안에 붓고, 상기 탄소 나노섬유를 진공 여과에 의해 수집하였다. 막 상에 잔류하는 나노섬유를 여과물의 pH가 세척수의 pH와 동일해질 때까지 탈이온수로 몇회 세척하였다. 마지막 세척 후, 탄소 나노섬유를 추가로 15분 동안 깔대기 속에 유지시키면서 계속 진공을 인가하였다. 이어서, 필터 막 상에 지지된 나노섬유를 100℃에서 1시간 동안 오븐 속에 배치하였다. 상기 탄소 나노섬유를 필터 막으로부터 제거하고 건조 밀봉된 유리병 속에 저장하였다.
실시예
2
실시예 1의 산화된 탄소 나노섬유(0.155g) 및 50.0g의 SDC MP1O1 크리스탈 피복 수지를 유리 용기 속에서 배합하였다. 상기 용기를 30분 동안 초음파 욕조 속에 정치시켰다. 이어서, 상기 혼합물을 2000rpm에서 30분 동안 원심분리시켰다. 상청 분산물(1.0g)을 메틸 이소부틸 케톤 6.0g 중의 다우 코닝® 4-3136 결합제 수지 4.0g의 용액 10.0g과 배합하였다. 이어서, 상기 혼합물을 1500rpm에서 30분 동안 원심분리시켰다. 상청액을 깨끗한 용기에 옮기고 진공(45mmHg)하에 50℃에서 90분 동안 유지시켜 메틸 이소부틸 케톤의 대부분을 제거하였다.
실시예
3
실시예 1의 산화된 탄소 나노섬유(0.015g), 및 메틸 이소부틸 케톤 5.7g 중의 다우 코닝® 805 수지 10.6g의 용액 16.3g을 유리 용기 속에서 배합하였다. 상기 용기를 115분 동안 초음파 욕조 속에 정치시켰다. 이어서, 상기 혼합물을 1500rpm에서 30분 동안 원심분리시켰다. 상청액을 깨끗한 용기에 옮기고 진공(45mmHg)하에 50℃에서 90분 동안 유지시켜 메틸 이소부틸 케톤의 대부분을 제거하였다.
실시예
4
실시예 2의 실리콘 조성물(11.0g)을 0.05g의 다우 코닝® Y-177 촉매와 혼합하였다. 생성된 조성물(2.0g)을 멜리넥스(Melinex)® 516 PET 필름(8 인치 ×11 인치)의 (박리제 처리된) 표면 상에 도포하였다. 피복된 PET 필름을 실온에서 밤새 발연 후드 속에 정치시켰다. 이어서, 피복된 필름을 다음 주기에 따라 오븐 속에서 가열하였다: 실온 내지 120℃(2℃/분), 120℃에서 30분, 120 내지 160℃(2℃/분), 160℃에서 60분, 160 내지 200℃(2℃/분), 200℃에서 60분. 상기 오븐을 끄고, 피복된 필름을 오븐 안쪽에서 실온으로 냉각시켰다. 피복된 PET 필름과 피복되지 않은 PET 필름의 모듈러스, 인장강도 및 파단시 인장 변형률을 실온에서 측정하였다. 표 1에 나타낸 실리콘 수지 필름에 대한 상응하는 특성은, 피복된 PET 필름에 대한 값에서 피복되지 않은 PET 필름에 대한 값을 차감하여 계산하였다.
실시예
5
실시예 2의 실리콘 조성물 대신에 실시예 3의 실리콘 조성물을 사용하는 점을 제외하고는 실시예 4의 방법에 따라 실리콘 수지 필름을 제조하였다. 상기 실리콘 수지 필름의 기계적 특성은 표 1에 제시하였다.
| 실시예 | 두께 (mm) |
인장 강도 (MPa) |
영 모듈러스 (MPa) |
파단시 인장 변형률 (%) |
| 4 | 0.03 | 48.65 | 990.3 | 9.1 |
| 5 | 0.02 | 143.43 | 551.4 | 30.7 |
Claims (9)
- 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 갖는 실리콘 수지를 포함하는 축합 경화성 실리콘 조성물; 및 산화 탄소 나노물질을 포함하는, 독립형 실리콘 수지 필름을 위한, 나노물질로 충전된 실리콘 조성물로서,상기 축합 경화성 실리콘 조성물은 하기 화학식 I의 실리콘 수지를 포함하거나, 또는 (A) (i) 하기 화학식 II의 실리콘 수지 및 (ii) 성분(i)의 가수분해성 전구체들로부터 선택된 유기 규소 화합물을, 물, 축합 촉매 및 유기 용매의 존재 하에, 하기 화학식 III의 실리콘 고무와 반응시켜 가용성 반응 생성물을 형성함으로써 제조한 고무 개질된 실리콘 수지를 포함하는 것인, 독립형 실리콘 수지 필름을 위한, 나노물질로 충전된 실리콘 조성물.화학식 I(R1R2 2SiO1/2)w(R2 2SiO2/2)x(R2SiO3/2)y(SiO4/2)z화학식 II(R1R4 2SiO1/2)w(R4 2SiO2/2)x(R4SiO3/2)y(SiO4/2)z화학식 IIIR5 3SiO(R1R5SiO)mSiR5 3상기 화학식 I, II 및 III에서,R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌이고,R2는 R1, -H, -OH 또는 가수분해성 기이고,R4는 R1, -OH 또는 가수분해성 기이고,R5는 R1 또는 가수분해성 기이고,m은 2 내지 1,000이고,w는 0 내지 0.8이고,x는 0 내지 0.6이고,y는 0 내지 0.99이고,z는 0 내지 0.35이고,w+x+y+z는 1이고,y+z/(w+x+y+z)는 0.2 내지 0.99이고,w+x/(w+x+y+z)는 0 내지 0.8이고, 단 y가 0인 경우, w+x/(w+x+y+z)는 0.05 내지 0.8이다.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 II의 실리콘 수지는 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 가지고, 상기 화학식 III의 실리콘 고무는 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 가수분해성 기를 가지며, 상기 화학식 II의 실리콘 수지 중의 규소 결합된 하이드록시 또는 가수분해성 기에 대한 상기 화학식 III의 실리콘 고무 중의 규소 결합된 가수분해성 기의 몰 비가 0.01 내지 1.5이며, (B) 축합 촉매를 추가로 포함하는 것인, 나노물질로 충전된 실리콘 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화 탄소 나노물질이 탄소 나노입자, 섬유상 탄소 나노물질, 또는 층상 탄소 나노물질로부터 선택되는 것인, 나노물질로 충전된 실리콘 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화 탄소 나노물질의 농도가, 나노물질로 충전된 실리콘 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 0.001 내지 50중량%인 것인, 나노물질로 충전된 실리콘 조성물.
- 박리 라이너를 나노물질로 충전된 실리콘 조성물로 피복하는 단계; 및상기 피복된 박리 라이너의 실리콘 수지를 경화시켜 독립형 실리콘 수지 필름을 형성하는 단계를 포함하는 독립형 실리콘 수지 필름의 제조 방법으로서, 상기 실리콘 조성물은 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 수소 원자, 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 갖는 실리콘 수지를 포함하는 축합 경화성 실리콘 조성물 및 산화 탄소 나노물질을 포함하며, 상기 축합 경화성 실리콘 조성물은 하기 화학식 I의 실리콘 수지를 포함하거나, 또는 (A) (i) 하기 화학식 II의 실리콘 수지 및 (ii) 성분(i)의 가수분해성 전구체들로부터 선택된 유기 규소 화합물을, 물, 축합 촉매 및 유기 용매의 존재 하에, 하기 화학식 III의 실리콘 고무와 반응시켜 가용성 반응 생성물을 형성함으로써 제조한 고무 개질된 실리콘 수지를 포함하는 것인, 독립형 실리콘 수지 필름의 제조 방법.화학식 I(R1R2 2SiO1/2)w(R2 2SiO2/2)x(R2SiO3/2)y(SiO4/2)z화학식 II(R1R4 2SiO1/2)w(R4 2SiO2/2)x(R4SiO3/2)y(SiO4/2)z화학식 IIIR5 3SiO(R1R5SiO)mSiR5 3상기 화학식 I, II 및 III에서,R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌이고,R2는 R1, -H, -OH 또는 가수분해성 기이고,R4는 R1, -OH 또는 가수분해성 기이고,R5는 R1 또는 가수분해성 기이고,m은 2 내지 1,000이고,w는 0 내지 0.8이고,x는 0 내지 0.6이고,y는 0 내지 0.99이고,z는 0 내지 0.35이고,w+x+y+z는 1이고,y+z/(w+x+y+z)는 0.2 내지 0.99이고,w+x/(w+x+y+z)는 0 내지 0.8이고, 단 y가 0인 경우, w+x/(w+x+y+z)는 0.05 내지 0.8이다.
- 제5항에 있어서, 상기 화학식 II의 실리콘 수지는 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 하이드록시 기 또는 가수분해성 기를 가지고, 상기 화학식 III의 실리콘 고무는 분자당 평균 2개 이상의 규소 결합된 가수분해성 기를 가지며, 상기 화학식 II의 실리콘 수지 중의 규소 결합된 하이드록시 기 또는 가수분해성 기에 대한 상기 화학식 III의 실리콘 고무 중의 규소 결합된 가수분해성 기의 몰 비가 0.01 내지 1.5이며, 상기 실리콘 조성물이 (B) 축합 촉매를 추가로 포함하는 것인, 독립형 실리콘 수지 필름의 제조 방법.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 산화 탄소 나노물질이 탄소 나노입자, 섬유상 탄소 나노물질 또는 층상 탄소 나노물질로부터 선택되는, 독립형 실리콘 수지 필름의 제조방법.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 산화 탄소 나노물질의 농도가, 나노물질로 충전된 실리콘 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 0.001 내지 50중량%인, 독립형 실리콘 수지 필름의 제조 방법.
- 제5항 또는 제6항의 방법에 따라 제조한 독립형 실리콘 수지 필름.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US76026106P | 2006-01-19 | 2006-01-19 | |
| US60/760,261 | 2006-01-19 | ||
| PCT/US2006/045107 WO2008051242A2 (en) | 2006-01-19 | 2006-11-22 | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone compositon |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020147008591A Division KR20140060557A (ko) | 2006-01-19 | 2006-11-22 | 실리콘 수지 필름, 이의 제조방법, 및 나노물질로 충전된 실리콘 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080089419A KR20080089419A (ko) | 2008-10-06 |
| KR101426316B1 true KR101426316B1 (ko) | 2014-08-06 |
Family
ID=39231043
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020087017691A Active KR101426316B1 (ko) | 2006-01-19 | 2006-11-22 | 실리콘 수지 필름, 이의 제조방법, 및 나노물질로 충전된실리콘 조성물 |
| KR1020147008591A Ceased KR20140060557A (ko) | 2006-01-19 | 2006-11-22 | 실리콘 수지 필름, 이의 제조방법, 및 나노물질로 충전된 실리콘 조성물 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020147008591A Ceased KR20140060557A (ko) | 2006-01-19 | 2006-11-22 | 실리콘 수지 필름, 이의 제조방법, 및 나노물질로 충전된 실리콘 조성물 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8084532B2 (ko) |
| EP (1) | EP1973964B1 (ko) |
| JP (2) | JP5543111B2 (ko) |
| KR (2) | KR101426316B1 (ko) |
| CN (1) | CN101346417B (ko) |
| AT (1) | ATE515528T1 (ko) |
| TW (1) | TWI408173B (ko) |
| WO (1) | WO2008051242A2 (ko) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5241242B2 (ja) | 2005-02-16 | 2013-07-17 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 強化シリコーン樹脂フィルムおよびその製造方法 |
| US8092910B2 (en) * | 2005-02-16 | 2012-01-10 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Reinforced silicone resin film and method of preparing same |
| CN101238181B (zh) * | 2005-08-04 | 2011-10-05 | 陶氏康宁公司 | 增强的有机硅树脂膜及其制备方法 |
| US8912268B2 (en) | 2005-12-21 | 2014-12-16 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition |
| WO2008051242A2 (en) * | 2006-01-19 | 2008-05-02 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone compositon |
| US20090005499A1 (en) * | 2006-02-02 | 2009-01-01 | Mark Fisher | Silicone Resin Film, Method of Preparing Same, and Nanomaterial-Filled Silicone Composition |
| US8084097B2 (en) * | 2006-02-20 | 2011-12-27 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition |
| EP2021175A2 (en) * | 2006-04-18 | 2009-02-11 | Dow Corning Corporation | Metal foil substrates coated with condensation cured silicon resin compositions |
| EP2066757A1 (en) * | 2006-10-05 | 2009-06-10 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film and method of preparing same |
| CN101595166A (zh) * | 2007-02-06 | 2009-12-02 | 陶氏康宁公司 | 有机硅树脂、有机硅组合物、涂覆基材和增强有机硅树脂膜 |
| JP5426402B2 (ja) | 2007-02-22 | 2014-02-26 | ダウ コーニング コーポレーション | 強化シリコーン樹脂フィルム |
| WO2008103419A2 (en) | 2007-02-22 | 2008-08-28 | Dow Corning Corporation | Composite article having excellent fire and impact resistance and method of making the same |
| JP5377334B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2013-12-25 | ダウ コーニング コーポレーション | 強化シリコーン樹脂フィルム |
| US20100087581A1 (en) * | 2007-02-22 | 2010-04-08 | Mark Fisher | Reinforced Silicone Resin Film and Method of Preparing Same |
| EP2142589A2 (en) * | 2007-05-01 | 2010-01-13 | Dow Corning Corporation | Reinforced silicone resin film |
| CN101821200B (zh) | 2007-10-12 | 2013-09-11 | 陶氏康宁公司 | 氧化铝分散体及其制备方法 |
| EP2201063B1 (en) * | 2007-10-12 | 2011-07-06 | Dow Corning Corporation | Reinforced silicone resin film and nanofiber-filled silicone composition |
| US8023247B2 (en) * | 2008-12-10 | 2011-09-20 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic chuck with compliant coat |
| US8039547B2 (en) * | 2009-03-18 | 2011-10-18 | Eaton Corporation | Compositions for coating electrical interfaces including a nano-particle material and process for preparing |
| US8283412B2 (en) * | 2009-05-01 | 2012-10-09 | Nanosys, Inc. | Functionalized matrices for dispersion of nanostructures |
| KR101546729B1 (ko) | 2013-12-11 | 2015-08-24 | 한국과학기술원 | 에폭시 실록산 수지 조성물을 이용한 하드코팅막 및 이의 제조 방법 |
| WO2017079502A1 (en) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Carbon, Inc. | Silicone dual cure resins for additive manufacturing |
| WO2017112751A1 (en) | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Carbon, Inc. | Blocked silicone dual cure resins for additive manufacturing |
| US12022642B2 (en) | 2018-08-21 | 2024-06-25 | Laird Technologies, Inc. | Patterned electromagnetic interference (EMI) mitigation materials including carbon nanotubes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000026760A (ja) | 1998-07-14 | 2000-01-25 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 機能性コーティング剤組成物 |
| JP2005521782A (ja) * | 2002-04-01 | 2005-07-21 | ワールド・プロパティーズ・インコーポレイテッド | 導電性ポリマフォームおよびエラストマ、ならびにそれらの製造方法 |
Family Cites Families (147)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US736971A (en) | 1902-07-26 | 1903-08-25 | William R Jenkins | Power-hammer. |
| US2702764A (en) * | 1949-08-20 | 1955-02-22 | Fabric Res Lab Inc | High tear strength resin-coated nylon fabric and method of making the same |
| GB736971A (en) | 1952-08-18 | 1955-09-14 | Rhone Poulenc Sa | New organosilicon resins and their preparation |
| US3031417A (en) * | 1958-04-21 | 1962-04-24 | Du Pont | Preparation of fibrous alumina monohydrate and aquasols thereof |
| US2915475A (en) | 1958-12-29 | 1959-12-01 | Du Pont | Fibrous alumina monohydrate and its production |
| NL131800C (ko) | 1965-05-17 | |||
| NL129346C (ko) * | 1966-06-23 | |||
| US4087585A (en) * | 1977-05-23 | 1978-05-02 | Dow Corning Corporation | Self-adhering silicone compositions and preparations thereof |
| JPS55120656A (en) * | 1979-03-09 | 1980-09-17 | Toray Silicone Co Ltd | Curable liquid organopolysiloxane composition |
| US4260780A (en) * | 1979-11-27 | 1981-04-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Phenylmethylpolysilane polymers and process for their preparation |
| US4276424A (en) * | 1979-12-03 | 1981-06-30 | Petrarch Systems | Methods for the production of organic polysilanes |
| US4332525A (en) * | 1979-12-03 | 1982-06-01 | United Technologies Corporation | Matched stiffness rotor flexbeam and blade system |
| JPS56157464A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-04 | Toshiba Silicone Co Ltd | Coat formation |
| US4314956A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-09 | Dow Corning Corporation | High yield silicon carbide pre-ceramic polymers |
| US4324901A (en) * | 1981-04-29 | 1982-04-13 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Soluble polysilastyrene and method for preparation |
| JPS5945356A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-14 | Toray Silicone Co Ltd | 導電性シリコ−ンゴム組成物 |
| US4530879A (en) * | 1983-03-04 | 1985-07-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation activated addition reaction |
| US4460639A (en) * | 1983-04-06 | 1984-07-17 | Dow Corning Corporation | Fiber reinforced glass matrix composites |
| US4460638A (en) * | 1983-04-06 | 1984-07-17 | Dow Corning Corporation | Fiber reinforced glass matrix composites |
| US4460640A (en) | 1983-04-06 | 1984-07-17 | Dow Corning Corporation | Fiber reinforced glass matrix composites |
| US4510094A (en) * | 1983-12-06 | 1985-04-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Platinum complex |
| FR2564470B1 (fr) | 1984-05-18 | 1987-01-02 | Rhone Poulenc Spec Chim | Resine organosilicique a motifs disilaniques et a proprietes thermomecaniques ameliorees et en outre utilisables notamment pour l'hydrofugation du batiment |
| US4537829A (en) * | 1984-09-20 | 1985-08-27 | Dow Corning Corporation | Curable silicone compositions comprising resins |
| US4568566A (en) * | 1984-10-30 | 1986-02-04 | General Electric Company | Acrylic-functional silicone resin compositions |
| JPS62257939A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シリコ−ンエラストマ−球状微粉末の製造方法 |
| JPS63251464A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Toray Silicone Co Ltd | 導電性シリコ−ンゴム粒状物 |
| US4766176A (en) * | 1987-07-20 | 1988-08-23 | Dow Corning Corporation | Storage stable heat curable organosiloxane compositions containing microencapsulated platinum-containing catalysts |
| DE3811567A1 (de) * | 1988-04-07 | 1989-10-19 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von organopolysilanen |
| JPH0214244A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-18 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 加熱硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| US4916169A (en) * | 1988-09-09 | 1990-04-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Visible radiation activated hydrosilation reaction |
| JP2631572B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1997-07-16 | 東芝シリコーン株式会社 | 導電性シリコーンゴム組成物 |
| DE4020828A1 (de) | 1990-06-29 | 1992-01-02 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von organopolysilanen |
| WO1994017003A1 (en) | 1990-09-21 | 1994-08-04 | Allied-Signal Inc. | Ceramic fiber reinforced silicon carboxide composite with adjustable dielectric properties |
| JPH0767784B2 (ja) | 1990-10-11 | 1995-07-26 | 信越化学工業株式会社 | シリコーンゴム積層体及びその製造方法 |
| DE4033157A1 (de) | 1990-10-12 | 1992-04-16 | Nuenchritz Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von loeslichen methylalkoxypoly(disilyl)-siloxanen |
| JP3029680B2 (ja) * | 1991-01-29 | 2000-04-04 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | オルガノペンタシロキサンおよびその製造方法 |
| US5371139A (en) | 1991-06-21 | 1994-12-06 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Silicone rubber microsuspension and method for its preparation |
| US5213868A (en) * | 1991-08-13 | 1993-05-25 | Chomerics, Inc. | Thermally conductive interface materials and methods of using the same |
| US5281455A (en) * | 1991-08-22 | 1994-01-25 | Dow Corning Corporation | Laminate article comprising moisture-curable silicone pressure sensitive adhesive and release liner |
| US5278272A (en) * | 1991-10-15 | 1994-01-11 | The Dow Chemical Company | Elastic substantialy linear olefin polymers |
| JP2511348B2 (ja) * | 1991-10-17 | 1996-06-26 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
| JP3161786B2 (ja) * | 1991-11-20 | 2001-04-25 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
| EP0556551B1 (de) | 1992-02-21 | 1996-10-23 | J.M. Voith GmbH | Auftragwerk zum Auftragen von Streichfarbe auf eine Papierbahn |
| FR2688790B1 (fr) | 1992-03-23 | 1994-05-13 | Rhone Poulenc Chimie | Compositions a base de polyorganosiloxanes a groupements fonctionnels reticulables et leur utilisation pour la realisation de revetements anti-adhesifs. |
| US5312946A (en) * | 1992-04-13 | 1994-05-17 | General Electric Company | Siloxane fluid from methylchlorosilane residue waste |
| JP3367964B2 (ja) * | 1992-04-21 | 2003-01-20 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 硬化性樹脂組成物 |
| JP3786139B2 (ja) | 1992-05-26 | 2006-06-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物 |
| DE4414653A1 (de) * | 1993-05-13 | 1994-11-17 | Gen Electric | Schneller klebende Silicon-Klebstoffzusammensetzungen |
| US5861467A (en) * | 1993-05-18 | 1999-01-19 | Dow Corning Corporation | Radiation curable siloxane compositions containing vinyl ether functionality and methods for their preparation |
| JP3406646B2 (ja) * | 1993-06-29 | 2003-05-12 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | オルガノポリシロキサンおよびその製造方法 |
| US5468826A (en) | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Dow Corning Corporation | Adhesion promoting additives and curable organosiloxane compositions containing same |
| DE4423195A1 (de) * | 1994-07-01 | 1996-01-04 | Wacker Chemie Gmbh | Triazenoxid-Übergangsmetall-Komplexe als Hydrosilylierungskatalysatoren |
| JPH0841206A (ja) | 1994-07-26 | 1996-02-13 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 有機ケイ素重合体およびその製造方法 |
| US5738976A (en) * | 1995-03-16 | 1998-04-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photo-curable organopolysiloxane composition and a method for producing a (meth) acryloyloxyl group-containing organopolysiloxane used therein |
| US5824761A (en) | 1995-05-18 | 1998-10-20 | Dow Corning Corporation | Radiation curable compositions containing vinyl ether functionality and methods for their preparation |
| JP3730317B2 (ja) * | 1996-05-30 | 2006-01-05 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 人工大理石用熱硬化性樹脂組成物および人工大理石 |
| US5794649A (en) * | 1996-10-01 | 1998-08-18 | O. Ames Co. | Portable hose cart assembly |
| DE19647369A1 (de) * | 1996-11-15 | 1998-05-20 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Verbundwerkstoffe |
| DE19647368A1 (de) * | 1996-11-15 | 1998-05-20 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Verbundwerkstoffe |
| US5904796A (en) * | 1996-12-05 | 1999-05-18 | Power Devices, Inc. | Adhesive thermal interface and method of making the same |
| DE69728846T2 (de) * | 1996-12-31 | 2005-04-21 | Dow Corning | Verfahren zur Herstellung von Gummi-modifizierte feste Silikon-Harze und daraus hergestellte Komposite |
| US5747608A (en) * | 1996-12-31 | 1998-05-05 | Dow Corning Corporation | Rubber-modified rigid silicone resins and composites produced therefrom |
| US6884314B2 (en) * | 1997-02-07 | 2005-04-26 | Henkel Corporation | Conducive, silicone-based compositions with improved initial adhesion reduced microvoiding |
| US5801262A (en) * | 1997-06-30 | 1998-09-01 | General Electric Company | Process for preparing polysiloxane microspheres with a narrow size distribution |
| US6432497B2 (en) * | 1997-07-28 | 2002-08-13 | Parker-Hannifin Corporation | Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components |
| JP4086946B2 (ja) * | 1998-01-05 | 2008-05-14 | 日東電工株式会社 | 熱伝導性感圧接着シ―ト類およびこれを用いた電子部品と放熱部材との固定方法 |
| US5972512A (en) * | 1998-02-16 | 1999-10-26 | Dow Corning Corporation | Silicone resin composites for fire resistance applications and method for fabricating same |
| US6297305B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-10-02 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Curable silicone composition |
| JP3641377B2 (ja) * | 1998-12-17 | 2005-04-20 | 日本原子力研究所 | 繊維強化されたポリテトラフルオロエチレン複合成形体の製造方法 |
| US7622159B2 (en) * | 1999-01-28 | 2009-11-24 | Loparex, Inc. | Release liners and processes for making the same |
| DE19915378A1 (de) | 1999-04-06 | 2000-10-12 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Haushaltsgeräte mit katalytischer Zusammensetzung |
| US6150546A (en) * | 1999-05-03 | 2000-11-21 | General Electric Company | Irradiation-curable silicone compositions, photo-active platinum (IV) compounds, and method |
| JP3932155B2 (ja) * | 1999-06-03 | 2007-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 球状シリコーン樹脂微粒子 |
| US6310146B1 (en) | 1999-07-01 | 2001-10-30 | Dow Corning Corporation | Silsesquioxane resin with high strength and fracture toughness and method for the preparation thereof |
| US6368535B1 (en) * | 1999-08-06 | 2002-04-09 | Dow Corning Corporation | Condensation reaction curable silsesquioxane resin composition and methods for the synthesis and cure thereof |
| US6644395B1 (en) * | 1999-11-17 | 2003-11-11 | Parker-Hannifin Corporation | Thermal interface material having a zone-coated release linear |
| FR2801601B1 (fr) * | 1999-11-26 | 2003-04-25 | Rhodia Chimie Sa | Complexe silicone reticulable thermiquement / adhesif dont l'interface possede une force de decollement modulable |
| SG92708A1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-11-19 | Dow Corning | Process for synthesis of silicone resin |
| JP3628935B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2005-03-16 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | シリコーンゴムスポンジ形成性組成物、シリコーンゴムスポンジおよびそれらの製造方法 |
| AU2001265719A1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-01-02 | Compagnie Royale Asturienne Des Mines S.A. | Protective barrier |
| US6465550B1 (en) | 2000-08-08 | 2002-10-15 | Dow Corning Corporation | Silicone composition and electrically conductive, cured silicone product |
| US6387487B1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-05-14 | General Electric Company | Dual cure, low-solvent silicone pressure sensitive adhesives |
| JP4759122B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2011-08-31 | ポリマテック株式会社 | 熱伝導性シート及び熱伝導性グリス |
| US6407922B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-06-18 | Intel Corporation | Heat spreader, electronic package including the heat spreader, and methods of manufacturing the heat spreader |
| JP2002121404A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-04-23 | Polymatech Co Ltd | 熱伝導性高分子シート |
| US6617674B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-09-09 | Dow Corning Corporation | Semiconductor package and method of preparing same |
| JP4697829B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2011-06-08 | ポリマテック株式会社 | カーボンナノチューブ複合成形体及びその製造方法 |
| EP1399928B1 (en) | 2001-04-06 | 2012-06-13 | World Properties, Inc. | Electrically conductive silicone gaskets and method of manufacture thereof |
| US7204906B2 (en) | 2001-04-20 | 2007-04-17 | Dofasco Inc. | Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation |
| CN100408160C (zh) * | 2001-06-22 | 2008-08-06 | 阿尔戈耐德公司 | 纳米大小的正电性非纺织滤器 |
| EP1444701A4 (en) * | 2001-07-27 | 2005-01-12 | Eikos Inc | CONFORMAL COATINGS CONTAINING CARBON NANOTUBES |
| US6680016B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-01-20 | University Of Dayton | Method of forming conductive polymeric nanocomposite materials |
| US7074481B2 (en) | 2001-09-17 | 2006-07-11 | Dow Corning Corporation | Adhesives for semiconductor applications efficient processes for producing such devices and the devices per se produced by the efficient processes |
| EP1454962A4 (en) | 2001-09-25 | 2005-01-05 | Hitachi Chemical Co Ltd | HEAT-RESISTANT RESIN COMPOSITION WITH LOW HEAT EXTENSION AND RESIN FOIL |
| US7311967B2 (en) * | 2001-10-18 | 2007-12-25 | Intel Corporation | Thermal interface material and electronic assembly having such a thermal interface material |
| JP3972674B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2007-09-05 | 東レ株式会社 | 炭素繊維その製造方法および炭素繊維強化樹脂組成物 |
| US6689859B2 (en) * | 2002-03-05 | 2004-02-10 | Dow Corning Corporation | High fracture toughness hydrosilyation cured silicone resin |
| US6660395B2 (en) | 2002-03-12 | 2003-12-09 | Dow Corning Corporation | Silicone resin based composites interleaved for improved toughness |
| GB0212324D0 (en) | 2002-05-29 | 2002-07-10 | Dow Corning | Silicon composition |
| KR100969496B1 (ko) * | 2002-06-05 | 2010-07-13 | 다우 코닝 코포레이션 | 폴리실록산 필름 및 이의 제조방법 |
| US7147367B2 (en) * | 2002-06-11 | 2006-12-12 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Thermal interface material with low melting alloy |
| US6791839B2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-09-14 | Dow Corning Corporation | Thermal interface materials and methods for their preparation and use |
| ATE329976T1 (de) | 2002-08-22 | 2006-07-15 | Du Pont | Verfahren zum beschichten von faserverstärkten kunststoffsubstraten mit einem primer |
| US6908682B2 (en) | 2002-09-12 | 2005-06-21 | 3M Innovative Properties Company | Photocured silicone sealant having improved adhesion to plastic |
| GB0224044D0 (en) | 2002-10-16 | 2002-11-27 | Dow Corning | Silicone resins |
| US6783692B2 (en) * | 2002-10-17 | 2004-08-31 | Dow Corning Corporation | Heat softening thermally conductive compositions and methods for their preparation |
| US6841213B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-01-11 | Scimed Life Systems, Inc | Fiber pattern printing |
| US7037592B2 (en) * | 2003-02-25 | 2006-05-02 | Dow Coming Corporation | Hybrid composite of silicone and organic resins |
| US7132062B1 (en) * | 2003-04-15 | 2006-11-07 | Plasticolors, Inc. | Electrically conductive additive system and method of making same |
| JP2004339427A (ja) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Fuiisa Kk | カーボンナノチューブを含有するシリコーン樹脂組成物及びその製造方法 |
| KR100827861B1 (ko) | 2003-05-22 | 2008-05-07 | 지벡스 퍼포먼스 머티리얼즈, 엘엘씨 | 나노복합물 및 이의 제조 방법 |
| US20070259994A1 (en) * | 2003-06-23 | 2007-11-08 | William Marsh Rice University | Elastomers Reinforced with Carbon Nanotubes |
| JP4196779B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2008-12-17 | 東海ゴム工業株式会社 | 電子写真機器用導電性組成物の製法 |
| EP1699889B1 (en) * | 2003-12-22 | 2010-09-08 | Dow Corning Corporation | Silicone compositions and their use in controlling the release or transfer of printed or molded patterns and transferring processes therefore |
| WO2005116757A2 (en) | 2004-03-23 | 2005-12-08 | Sierracin Corporation | Coatings containing nanotubes, methods of applying the same and transparencies incorporating the same |
| DE102004014216A1 (de) * | 2004-03-23 | 2005-10-13 | Wacker-Chemie Gmbh | Vernetzbare Massen auf der Basis von Organosiliciumverbindungen |
| CN100383213C (zh) * | 2004-04-02 | 2008-04-23 | 清华大学 | 一种热界面材料及其制造方法 |
| US20050281997A1 (en) | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Sealed Air Corporation (Us) | Pitch modulating laminate |
| WO2006049792A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-11 | Dow Corning Corporation | Conductive curable compositions |
| WO2006064783A1 (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Kabushiki Kaisha Fine Rubber Kenkyuusho | 比誘電率の制御方法、誘電体、携帯電話機及び人体ファントムモデル |
| EP1856206B1 (en) | 2005-02-16 | 2011-10-12 | Dow Corning Corporation | Reinforced silicone resin film and method of preparing same |
| JP5241242B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2013-07-17 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 強化シリコーン樹脂フィルムおよびその製造方法 |
| US8092910B2 (en) * | 2005-02-16 | 2012-01-10 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Reinforced silicone resin film and method of preparing same |
| DE602006011313D1 (de) * | 2005-06-14 | 2010-02-04 | Dow Corning | Angereicherte silikonharzfolie und verfahren für ihre zubereitung |
| US20090200942A1 (en) | 2005-07-26 | 2009-08-13 | Takashi Sasaki | Plasma display panel and plasma display apparatus |
| CN101238181B (zh) * | 2005-08-04 | 2011-10-05 | 陶氏康宁公司 | 增强的有机硅树脂膜及其制备方法 |
| US20100308279A1 (en) * | 2005-09-16 | 2010-12-09 | Chaohui Zhou | Conductive Silicone and Methods for Preparing Same |
| JP5079997B2 (ja) | 2005-09-30 | 2012-11-21 | 帝人デュポンフィルム株式会社 | 離型フィルム |
| US8912268B2 (en) * | 2005-12-21 | 2014-12-16 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition |
| WO2008051242A2 (en) | 2006-01-19 | 2008-05-02 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone compositon |
| US20090005499A1 (en) * | 2006-02-02 | 2009-01-01 | Mark Fisher | Silicone Resin Film, Method of Preparing Same, and Nanomaterial-Filled Silicone Composition |
| US8084097B2 (en) | 2006-02-20 | 2011-12-27 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition |
| KR101358066B1 (ko) | 2006-04-11 | 2014-02-06 | 다우 코닝 코포레이션 | 열변형이 적은 실리콘 복합 모울드 |
| CN101467263A (zh) * | 2006-04-18 | 2009-06-24 | 道康宁公司 | 碲化镉基光伏器件及其制造方法 |
| JP2009534841A (ja) | 2006-04-18 | 2009-09-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 銅インジウム二セレン化物をベースとする光起電デバイスおよびそれを作製する方法 |
| CN101681939B (zh) | 2006-06-05 | 2014-02-26 | 陶氏康宁公司 | 包括有机硅树脂层的太阳能电池 |
| JP5179493B2 (ja) | 2006-07-27 | 2013-04-10 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シリコーン樹脂、シリコーン組成物および被覆基板 |
| JP2009544797A (ja) | 2006-07-27 | 2009-12-17 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 強化シリコーン樹脂フィルム及びその調製方法 |
| EP2066757A1 (en) | 2006-10-05 | 2009-06-10 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film and method of preparing same |
| CN101595166A (zh) * | 2007-02-06 | 2009-12-02 | 陶氏康宁公司 | 有机硅树脂、有机硅组合物、涂覆基材和增强有机硅树脂膜 |
| US20100087581A1 (en) * | 2007-02-22 | 2010-04-08 | Mark Fisher | Reinforced Silicone Resin Film and Method of Preparing Same |
| JP5377334B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2013-12-25 | ダウ コーニング コーポレーション | 強化シリコーン樹脂フィルム |
| JP5426402B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2014-02-26 | ダウ コーニング コーポレーション | 強化シリコーン樹脂フィルム |
| CN101627096B (zh) * | 2007-02-22 | 2012-11-07 | 道康宁公司 | 增强硅树脂膜及其制备方法 |
| KR20100017500A (ko) * | 2007-05-01 | 2010-02-16 | 다우 코닝 코포레이션 | 나노물질-충전된 실리콘 조성물 및 강화 실리콘 수지 필름 |
| EP2142589A2 (en) * | 2007-05-01 | 2010-01-13 | Dow Corning Corporation | Reinforced silicone resin film |
| EP2201063B1 (en) * | 2007-10-12 | 2011-07-06 | Dow Corning Corporation | Reinforced silicone resin film and nanofiber-filled silicone composition |
-
2006
- 2006-11-22 WO PCT/US2006/045107 patent/WO2008051242A2/en active Application Filing
- 2006-11-22 JP JP2008551258A patent/JP5543111B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-22 CN CN2006800490875A patent/CN101346417B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-22 EP EP06851767A patent/EP1973964B1/en not_active Not-in-force
- 2006-11-22 US US12/084,858 patent/US8084532B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-22 AT AT06851767T patent/ATE515528T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-11-22 KR KR1020087017691A patent/KR101426316B1/ko active Active
- 2006-11-22 KR KR1020147008591A patent/KR20140060557A/ko not_active Ceased
- 2006-12-08 TW TW095146112A patent/TWI408173B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-01-11 JP JP2013003443A patent/JP5543623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000026760A (ja) | 1998-07-14 | 2000-01-25 | Suzuki Sogyo Co Ltd | 機能性コーティング剤組成物 |
| JP2005521782A (ja) * | 2002-04-01 | 2005-07-21 | ワールド・プロパティーズ・インコーポレイテッド | 導電性ポリマフォームおよびエラストマ、ならびにそれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI408173B (zh) | 2013-09-11 |
| JP5543623B2 (ja) | 2014-07-09 |
| ATE515528T1 (de) | 2011-07-15 |
| US20100062247A1 (en) | 2010-03-11 |
| CN101346417B (zh) | 2012-01-25 |
| EP1973964B1 (en) | 2011-07-06 |
| JP5543111B2 (ja) | 2014-07-09 |
| KR20080089419A (ko) | 2008-10-06 |
| TW200728405A (en) | 2007-08-01 |
| CN101346417A (zh) | 2009-01-14 |
| WO2008051242A3 (en) | 2008-06-19 |
| WO2008051242A2 (en) | 2008-05-02 |
| JP2009523885A (ja) | 2009-06-25 |
| EP1973964A2 (en) | 2008-10-01 |
| KR20140060557A (ko) | 2014-05-20 |
| US8084532B2 (en) | 2011-12-27 |
| JP2013082938A (ja) | 2013-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101426316B1 (ko) | 실리콘 수지 필름, 이의 제조방법, 및 나노물질로 충전된실리콘 조성물 | |
| JP5377334B2 (ja) | 強化シリコーン樹脂フィルム | |
| EP2118203B1 (en) | Reinforced silicone resin film and method of preparing same | |
| US8912268B2 (en) | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition | |
| EP2117836B1 (en) | Reinforced silicone resin films | |
| EP2118217B1 (en) | Reinforced silicone resin film and method of preparing same | |
| EP1979427B1 (en) | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition | |
| JP5241242B2 (ja) | 強化シリコーン樹脂フィルムおよびその製造方法 | |
| WO2008134241A1 (en) | Nanomaterial-filled silicone composition and reinforced silicone resin film |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20080718 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20111121 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20130422 Patent event code: PE09021S01D |
|
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20140128 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20130422 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
| PJ0201 | Trial against decision of rejection |
Patent event date: 20140228 Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event code: PJ02012R01D Patent event date: 20140128 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PJ02011S01I Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal Decision date: 20140507 Appeal identifier: 2014101001270 Request date: 20140228 |
|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| AMND | Amendment | ||
| PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20140331 |
|
| PB0901 | Examination by re-examination before a trial |
Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20140331 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event date: 20140228 Patent event code: PB09011R01I Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20130923 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20111121 Patent event code: PB09011R02I |
|
| B701 | Decision to grant | ||
| PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
Patent event date: 20140507 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PB07012S01D Patent event date: 20140410 Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial Patent event code: PB07011S01I |
|
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20140729 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20140730 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |