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KR101388304B1 - 기판형 입자 센서 - Google Patents

기판형 입자 센서 Download PDF

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KR101388304B1
KR101388304B1 KR1020097002270A KR20097002270A KR101388304B1 KR 101388304 B1 KR101388304 B1 KR 101388304B1 KR 1020097002270 A KR1020097002270 A KR 1020097002270A KR 20097002270 A KR20097002270 A KR 20097002270A KR 101388304 B1 KR101388304 B1 KR 101388304B1
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KR
South Korea
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substrate
particle sensor
type
sensor according
controller
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KR1020097002270A
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English (en)
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KR20090071539A (ko
Inventor
데니스 제이. 본시오리니
크레이그 씨. 램시
델래 에치. 가드너
펠릭스 제이. 슈다
Original Assignee
싸이버옵틱스 쎄미콘덕터 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 싸이버옵틱스 쎄미콘덕터 인코퍼레이티드 filed Critical 싸이버옵틱스 쎄미콘덕터 인코퍼레이티드
Publication of KR20090071539A publication Critical patent/KR20090071539A/ko
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Abstract

기판형 입자 센서(100)는 기판형 베이스부(102) 및 기판형 베이스부(102)에 배치되는 전자 인클로져(104)를 포함한다. 전원(204)은 전자 인클로져(104)내에 배치된다. 컨트롤러(208)는 전원(104)에 작동 가능하게 결합된다. 입자 센서(214)는 컨트롤러(208)에 작동 가능하게 결합되어, 입자 센서(214) 가까이에 있는 적어도 하나의 입자의 지표를 컨트롤러(208)에 제공한다.

Description

기판형 입자 센서{PARTICLES SENSOR INTEGRATED WITH SUBSTRATE}
현재, 반도체 공정 산업의 첨단 기술은 65 나노미터 및 45 나노미터 노드 (node)의 생산으로 발전하고 있다. 또한, 32 나노미터 및 22 나노미터의 노드의 개발도 현재 진행되고 있다. 따라서, 반도체 공정 도구 및 공정 자체가 예전에는 결코 요구되지 않던 허용 한계(tolerances) 및 조건까지 제어되어야 하는 것이 점점 더 중요시 되고 있다. 웨이퍼 파편(wafer scrap) 및 정비 비가동시간(maintenance downtime)의 비용에 의하여, 공정 및 장비의 제어 요구는 계속하여 더 엄격한 레벨까지 이르고 있고, 100 나노미터가 넘는 공정에서는 중요하지 않던 다른 문제가 발생함에 따라, 공정 및 장비 기술자는 반도체 공정을 더욱 잘 제어할 수 있는 새롭고 혁신적인 방법을 찾고 있다.
반도체 웨이퍼를 제조하는 동안, 웨이퍼가 노출되는 여러 도구 및 공정 단계가 있다. 각각의 이러한 단계 중에, 더러운 장비 및/또는 열악한 공정 조건에 의하여 발생할 수 있는 잠재적 결함이 존재하고, 이는 웨이퍼의 표면상에 증착되는 미시적(microscopic) 입자 때문에 최종적인 집적 회로 소자의 수율을 저하시킬 수 있다. 따라서, 모든 공정 스테이지 및 단계를 합리적으로 가능한한 깨끗하게 유지하고, 웨이퍼를 공정에 회부하기 전에 다양한 단계의 조건을 감시할 수 있는 것이 매 우 중요하다. 이는, 각각의 웨이퍼가 수십개 또는 심지어 수백개의 집적 회로 소자를 위한 회로를 포함할 수 있고, 하나의 웨이퍼 손실은 수백 또는 수천 달러 가치의 파편을 야기할 수 있기 때문이다.
종래에, 웨이퍼는 반도체 공정 도구를 통하여 시험 가동(test-run)되고, 웨이퍼상의 입자는 시험 가동 이전 및 이후 모두 계산된다. 입자 수의 차이는 도구에 의하여 발생한다고 생각한다. 이는 시간 소모적 공정이고, 도구 내에서 입자가 어디에 증착되는 지에 대하여 어떠한 지표도 제공하지 않을 수 있다.
따라서, 제공된 시험 가동 웨이퍼상에 너무 많은 입자가 발견되면, 이는 다만 반도체 공정 도구가 너무 더럽고, 또한 상기 도구를 개봉하여 입자의 기원(sources)을 식별하고 적합한 교정 행동을 취하기 위하여 기술자의 노력이 필요하다는 것을 나타낸다. 이러한 공정이 완료되면, 웨이퍼는 다시 시험 가동되고, 전체 공정은 반도체 공정 도구가 알맞게 깨끗하다는 표시가 있을 때까지 반복되어야 한다.
기판형 입자 센서는 기판형 베이스부 및 기판형 베이스부 상에 배치된 전자 인클로져(electronics enclosure)를 포함한다. 전원은 상기 전자 인클로져내에 배치된다. 컨트롤러는 상기 전원에 작동 가능하게 결합된다. 입자 센서는 상기 컨트롤러에 작동 가능하게 결합되고, 입자 센서 가까이에 적어도 하나의 입자가 있다는 지시를 컨트롤러에 제공한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 특히 유용한 무선 기판형 센서의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 무선 기판형 입자 센서의 블록 다이어그램이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 무선 기판형 입자 센서(300)의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 센서를 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 무선 기판형 입자 센서의 사시도이다.
도 6은 도 5에 대하여 기재된 MEMS 질량-기반 실시예를 나타내는 도면이다.
일반적으로, 본 발명의 실시예는 반도체 공정 도구의 밀봉된 환경에서 입자가 있는 것을 실시간 감지한다. 입자의 감지는 다양한 기술에 따라 실행될 수 있다. 본 명세서에 제공된 하나의 예시적인 기술은 무선 기판형 센서에 근접한 입자를 광학적으로 감지하는 것을 포함한다. 다른 실시예는 무선 기판형 센서에 결합된 기계적 구조에 배치되는 입자의 질량을 감지하는 것을 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 특히 유용한 무선 기판형 센서의 사시도이다.
센서(100)는 기판형 부분(102)을 포함하고, 바람직하게는, 상기 기판형 부분의 크기는, 표준 기판 크기의 직경과 동일한 직경을 갖도록 형성된다. 일예로, 크기는 200 밀리미터의 직경이나 또는 300 밀리미터의 직경을 포함한다. 그러나, 다른 표준이 개발되거나 채용됨에 따라, 이러한 치수는 달라질 수 있다.
센서(100)는 전자 하우징 또는 인클로져(104)를 포함하고, 상기 하우징 또는 인클로져는 기판형 부분(102)에 배치된다. 전체 센서(100)의 강도를 증가시키기 위하여, 복수 개의 핀(fin) 또는 스트럿(strut)(106)이 제공되고, 상기 핀 또는 스트럿은 전자 인클로져의 측벽(108)을 기판형 부분(102)의 표면(110)에 결합시킨다. 밀봉된 반도체 공정 챔버를 용이하게 통과하기 위하여, 기판형 센서(102)는, 실제 기판과 동일하지 않은 경우 실제 기판과 매우 유사한 형상계수(form factor)를 갖는 것이 바람직하다. 일반적인 웨이퍼 치수 및 특징은 이하의 사양에서 찾을 수 있다: SEMI M1-0302, "Specification for Polished Monochrystoline Silicon Wafers", Semiconductor Equipment and Materials International, www.semi.org.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 무선 기판형 입자 센서의 블록 다이어그램이다.
센서(200)는 상기 인클로져(104)와 동일할 수 있는 전자 인클로져(202)를 포함한다. 인클로져(202) 내에는 전원(204), 전력 관리 모듈(206) 및 컨트롤러(208)가 배치된다. 또한, 메모리(210)도 인클로져(202) 내에 배치되어, 컨트롤러(208)에 결합된다. 또한, 무선 주파수 모듈(212)도 인클로져(202)내에 배치되어 컨트롤러(208)에 결합된다.
도 2에서 입자 센서(214)는 인클로져(202)내에 배치되는 것으로 도시된 반면, 상기 센서는 인클로져(202)의 일부를 형성되거나, 인클로져(202)의 외부에서 인클로져에 근접하여 배치될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 바람직하게는, 전원(204)은 인클로져(202)내에 배 치되는 배터리이고, 전력 관리 모듈(206)을 통하여 컨트롤러(208)에 결합된다. 바람직하게는, 전력 관리 모듈(206)은 리니어 테크놀로지 코포레이션사(Linear Technology Corporation)의 모델명 LTC3443으로 입수가능한 전력 관리 집적 회로이다. 바람직하게는, 컨트롤러(208)는 텍사스 인스트루먼트사(Texas Instruments)의 모델명 MSC1211Y5로 입수가능한 마이크로프로세서이다. 컨트롤러(208)는 메모리 모듈(210)에 결합되고, 상기 메모리 모듈은, 컨트롤러(208)의 내부 뿐만 아니라 컨트롤러(208)의 외부에 있는 메모리도 포함하여, 임의의 메모리 타입의 형태를 포함할 수 있다.
바람직한 컨트롤러는 내부 SRAM, 플래시 RAM 및 부트 ROM을 포함한다. 또한, 바람직하게는, 메모리 모듈(210)은 64K × 8의 크기를 갖는 외부 플래시 메모리를 포함한다. 플래시 메모리는 프로그램, 칼리브레이션(calibration) 데이터 및/또는 영구(non-changing) 데이터와 같이 필요할 수 있는 비휘발성 데이터를 저장하는 데 유용하다. 내부 랜덤 접근 메모리는 프로그램 작동과 관련되는 휘발성 데이터를 저장하는 데 유용하다.
컨트롤러(208)는 외부 장치와 통신하기 위하여, 직렬 포트(serial port)와 같은 적합한 포트를 통하여 무선 주파수 통신 모듈(212)에 결합된다. 본 발명의 일 실시예에서, 무선 주파수 모듈(212)은 불루투스 에스아이지사(Bluetooth SIG) (www.bluethooth.com)로부터 얻을 수 있는, 주지의 블루투스 스탠다드, 블루투스 코어 사양 버전 1.1(2001.2.22)에 따라 작동된다. 모듈(212)의 일 예시는 미추미사(Mitsumi)로부터 모델명 WMLC40으로 얻을 수 있다. 또한, 상기 모듈(212)에 추가 적으로 또는 이를 대신하여, 무선 통신의 다른 형태가 사용될 수도 있다. 그러한 무선 통신의 적합한 예시는 무선 주파수 통신, 음향 통신, 적외선 통신 또는 심지어 자기 유도(magnetic induction)를 채용하는 통신 중 임의의 다른 형태를 포함할 수 있다.
컨트롤러(208)는 입자 센서(214)에 결합되고, 상기 입자 센서는 반도체 공정 도구의 밀봉된 환경에서 센서(200)에 근접한 하나 이상의 입자를 감지하도록 구성된다. 바람직하게는, 센서(214)는 입자가 있는 것(입자 수를 산출하기 위하여) 뿐만 아니라 질량 및/또는 크기와 같은 각 입자의 특징도 감지할 수 있다. 이하에 기재되는 실시예는 특히 입자 질량을 다루는 반면, 입자 크기는 라인 센서와 같은 다중 화소(multi-pixel) 이미지 센서 또는 어레이를 이용하거나, 얼마나 많은 화소가 입자의 세도우(shadow)를 감지하는지를 검출함으로써 감지될 수 있다.
또한, 센서(200)는 선택 전극(216)을 포함할 수 있고, 상기 전극은 바람직하게는 정전기판(electrostatic plate)을 형성하고, 상기 정전기판은 센서(200)에 근접하여 공기중에 떠다니는 입자를 입자 센서(214)로 유인하여 더욱 효율적으로 감지되도록 배치된다. 선택 전극(216)이 이러한 기능을 수행하는 방법에 대한 상세 사항은 이하에 기재되는 별개의 실시예에 대하여 기재될 것이다.
바람직하게는, 센서(200)는 입자 수를 제공하고 및/또는 공정 기술자에게 진행/비진행(go/no go)에 대한 지표를 표시하도록 구성되는 디스플레이(218)를 포함한다. 또한, 입자 수를 리셋(reset)하기 위하여, 리셋 버튼(220)도 제공되어 컨트롤러(208)에 결합된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 무선 기판형 입자 센서(300)의 사시도이다.
센서(300)는 상기 센서(100, 200)와 매우 유사하고, 유사한 구성 요소는 유사한 번호를 부여하였다. 센서(300)는 홈이 파인 표면(302)을 가진 전자 인클로져(104)를 포함한다. 전자 인클로져(104) 내에 표면(302) 아래, 도 2에 도시된 것과 같은 모든 전자부품이 배치된다.
도 3에 도시된 실시예는 센서(300)에 근접한 입자를 측정하기 위한 광학적 기술을 제공한다. 특히, 입자 센서(214)는 표면(302)의 중앙 가까이에 배치되는 광원(304)을 포함한다. 광원(304)은 LED, 레이저 또는 임의의 다른 적합한 광원일 수 있다. 적어도 하나의 조도 센서(306)가 표면(302)의 주변 가까이에 배치된다. 또한, 복수 개의 거울(도 4에 도시됨)은 표면(302)의 주변 가까이에 포함되는 것이 바람직하다.
광원(304)으로부터 방출되는 조명(illumination)은 본질적으로 모든 방향으로 나갈 수 있고, 입자가 없다면 각 센서(306)에 실질적으로 일정한 조명 신호를 생성한다. 하나 이상의 입자가 광원(304)과 검출기(306) 중 하나 사이의 영역에 들어가면, 검출기(306)는 광도에서의 변동을 알릴 것이다. 이러한 변동은 입자 수를 증가시키거나, 일부 다른 적합한 방식으로 저장될 수 있다.
도 3이 광원(304)이 실질적으로 모든 방향으로 조명을 생성하는 것으로서 도시하는 한, 상기 광원(304)은 하나 이상의 지향성 빔을 생성할 수 있는 것이 명백하게 고려되어야 하고, 상기 빔은 구조화된 조명을 포함하던 포함하지 않던 최종적으로 검출기(306)에 영향을 미치기 전에 하나 이상의 미러와 상호 작용할 수 있다. 이러한 방식으로, 표면(302)과 근접한 영역이 입자와 상호 작용하는 것이 보다 감시될 수 있다.
또한, 도 3은 비교적 큰 판의 형태로 선택 전극(216)을 도시한다. 전극(216)은 바람직하게는 정전기 전극이고, 상기 정전기 전극은, 공지된 방식으로, 입자를유인할 위치에 유지된다.
도 3에 대하여 도시된 실시예가 하나의 정전기원(static source)으로부터 복수 개의 정전기 센서로 이동하는 조명의 하나 이상의 빔 또는 광선을 도시하였으나, 하나 이상의 빔이 스캔될 수 있거나, 그렇지 않으면 예컨대 이동 거울을 이용하여 표면(302)에 근접하여 통과될 수 있다는 것이 명백히 고려되어야 한다. 또한, 도 3에 도시된 실시예 또는 스캐닝 빔 실시예에서, 빔 또는 조명은 수직으로 조준(collimation)될 수 있으나, 수평으로 분기되어(diverged) 각도 유효범위 (angular coverage)가 이들의 물리적 스캐닝없이 향상된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 센서(300)를 도시하는 평면도이다.
광원(304)은 방향(310, 312, 314, 316)로 조명을 생성한다. 조명(312)은 입자(318)에 영향을 미치는 것으로 도시되고, 상기 입자는 매우 과장된 크기로 도시되었다. 이후, 조명의 일부는 라인(320)에 도시된 바와 같이 편향되고, 단지 조명 (322)만 검출기(306)에 도달한다. 검출기(306)는 조명강도에서 이러한 일시적 변화를 감지하고, 입자를 컨트롤러(208)에 기록한다. 도 4는 또한 복수 개의 거울(324)을 도시하고, 상기 거울은 표면(302)을 따라 근접하고 실질적으로 표면(302)에 평행인 더 큰 광학적 경로가 용이해지도록 돕거나, 그렇지 않으면 상기 경로를 생성 한다.
도 3 및 도 4에 도시된 실시예에 대하여 기재된 조명은 임의의 적합한 형태를 취할 수 있고, 상기 조명은 청색 또는 심지어 자외선 스펙트럼 범위와 같이 비교적 짧은 파장을 갖는 것이 바람직하고, 이는 더 긴 파장의 조명은 매우 작은 입자에 의하여 더 적게 산란되기 때문이다. 따라서, 공정 기술이 점점 더 작은 임계 치수(critical dimension)로 발전되고 있는 점에서 짧은 파장 조명이 바람직하다.
또한, 도 3 및 도 4에 대해 기재된 광학-기반 실시예가 일반적으로 중앙 광원로부터 방출된 광을 측정하는 반면, 통상적으로 중앙 광원으로부터 온 광을 보지 않고 그 대신 산란된 입자 상호 작용으로부터의 광을 보는 하나 이상의 센서가 사용되거나 배치될 수 있다. 따라서, 이 실시예에서, 빔에 입자가 없다면, 산란된 광이 검출되지 않는다. 반대로, 빔에 입자가 있다면 산란된 광이 검출된다. 더욱이, 입자 구속(particle detention) 오류의 가능성을 줄이기 위하여, 산란된 광 및 산란되지 않은 광 모두를 검출하는 검출기의 조합이 사용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 무선 기판형 입자 센서의 사시도이다.
센서(400)는 센서(100, 300)과 일부 유사하고, 유사한 구성 요소는 유사한 번호를 부여하였다. 센서(400)는, 센서(400)가 구조(402)에 접착된 입자의 질량을 본질적으로 측정함으로써 입자 정량을 결정한다는 점에서, 앞서 기재된 센서와 구별된다. 바람직하게는, 상기 구조(402)는 압전 요소(piezoelectric element)를 포함하는 마이크로 전자기계 시스템(microelectromechanical system; MEMS)이고, 상기 압전 요소는 공명 주파수를 결정하기 위하여 상기 구조(402)를 여기시키거나, 또는 구동시킬 수 있다. 입자가 구조(402)에 접착됨에 따라, 조합된 입자/구조 (402)의 질량은 변하고, 따라서 공명 주파수도 바뀐다. 센서(400)의 효율을 향상시키기 위하여, 센서(400)가 상기 구조(402)상에 배치되는 선택적 정전기 전극(216)을 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 구조(402)에 근접하여 떠다니는 입자는 정전기력에 의하여 구조(402)에 접착되도록 촉진될 것이다. 이후, 상기 구조(402)는 선택 전극(216)으로부터의 정전기 전하를 이용하여 입자를 구조의 빔 또는 구조(402)의 매스 프루프(proof of mass)로 유인한다. 전극(216)이 양전하 또는 음전하를 유지하는 것이 바람직한 반면, 입자를 유인하는 것과 잠재적으로 반도체 공정 도구로부터의 입자를 제거하는 일은 번갈아 이루어질 수 있다.
도 6은 도 5에 대하여 기재된 MEMS 질량-기반 실시예를 나타내는 도면이다.
특히, 구조(402)는 캔틸레버(cantilever) 구조이고, 상기 구조는 일말단상에 또는 그에 근접하여 도면으로 도시된 바와 같이 지지부(406)에서 지지된다. 구조(402)의 일부는 압전(piezoelectric)이거나, 그렇지 않으면 적합한 마이크로 전자 기계 구조로 형성되어, 컨트롤러(208)로부터의 전류가 라인(408)을 통하여 구조(402)내에서 움직임을 생성한다.
압전 요소의 전기 응답(electrical response)을 분석하여, 컨트롤러(208)는 구조(402)의 질량 및/또는 구조(402)의 공명 주파수에 변화가 있는 것을 산출하거나, 또는 관찰할 수 있다. 이는, 참조 번호 410으로 표시된 바와 같이, 입자가 구조(402)상에 배치됨에 따라, 지지부(206) 주위의 시스템의 총 질량 및 회전 관성이 바뀌기 때문이다. 이후, 이러한 변화는 다른 공명 주파수로서 검출된다. 도 6은 또 한 구조(402)의 상부에 배치되어 입자(410)를 유인하는 선택 전극(216)을 도시한다.
본 발명의 실시예는 일반적으로 반도체 공정 도구를 이용하여 실질적으로 실시간으로 입자를 검출하는 것을 제공한다. 이러한 실시간 피드백은 기술자 뷰잉 디스플레이(218)에 의하여 공정 도구의 창을 통하여 공정 기술자에게 시각적으로 제공될 수 있다. 또한, 대안적으로, 실시간 피드백은 무선 주파수 통신 모듈(212)을 통하여 제공되는 무선 주파수 신호에 의하여 제공될 수 있다.
본 발명이 비록 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 당업자는 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않고 형태 및 상세한 내용의 변형이 가능함을 이해할 것이다.

Claims (15)

  1. 기판과 유사한 형상계수를 갖는 기판형 베이스부;
    상기 기판형 베이스부에 배치되는 전자 인클로져(enclosure);
    상기 전자 인클로져내에 배치되는 전원;
    상기 전원에 작동 가능하게 결합되는 컨트롤러;
    상기 컨트롤러에 결합되는 무선 통신 모듈; 및
    상기 컨트롤러에 작동 가능하게 결합되는 입자 센서를 포함하는, 기판의 밀봉된 공정 챔버 내의 입자를 감지하는 기판형 입자 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 입자 센서는, 입자에 의하여 산란되는 빔을 생성하고 상기 빔이 산란되는 정도를 검출하는 광원을 채용하는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  3. 제2항에 있어서, 상기 광원은 레이저 광원인 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기판형 센서의 표면을 가로질러 빔이 구부러지도록 배치되는 적어도 하나의 거울을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  5. 제2항에 있어서, 상기 광원은 LED 광원인 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기판형 센서의 표면을 가로질러 빔이 구부러지도록 배치되는 적어도 하나의 거울을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  7. 제1항에 있어서, 상기 입자 센서는 축적된 입자의 질량을 측정하는 장치를 채용하는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  8. 제7항에 있어서, 상기 장치는 MEMS 장치인 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  9. 제1항에 있어서, 상기 무선 통신 모듈은 기판형 센서가 웨이퍼 공정 시스템내에 배치되는 동안 입자 감지 정보를 통신하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  10. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤러는 센서에 의하여 감지된 파라미터를 기반으로 하여 웨이퍼 공정 시스템내에 있는 입자의 정량을 산출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  11. 제10항에 있어서, 상기 컨트롤러에 작동 가능하게 결합되고, 입자 정량에 대 한 지표를 제공하도록 구성되는 디스플레이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  12. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤러에 작동 가능하게 결합되고, 입자 정량에 대한 지표를 제공하도록 구성되는 디스플레이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  13. 제1항에 있어서, 상기 컨트롤러에 작동 가능하게 결합되는 리셋 버튼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  14. 제12항에 있어서, 상기 디스플레이는 웨이퍼 공정 시스템 내에서 검출된 입자의 레벨에 기반하여 진행/비진행을 표시하는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
  15. 제1항에 있어서, 상기 센서는 입자 크기의 지표를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판형 입자 센서.
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