KR101209395B1 - 방사선 검출기와 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 방사선 검출기와 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일례에 따른 방사선 검출기(11)는 광전 변환 소자(21)를 구비한 기판(12)과, 상기 기판(12)상에 형성되어 방사선을 형광으로 변환하는 신틸레이터층(13)과, 적어도 상기 신틸레이터층(13)을 포함하는 깊이를 갖고, 또한 주변에 고리부(33)를 구비한 방습체(15)와, 상기 기판(12)과 상기 방습체(15)의 고리부(33)를 접착 밀봉하는 접착층(34)을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

방사선 검출기와 그 제조 방법{RADIATION DETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 방사선을 검출하는 방사선 검출기와 그 제조 방법에 관한 것이다.

신세대의 X선 진단용 검출기로서 액티브매트릭스를 이용한 평면형 X선 검출기가 개발되어 있다. 이 X선 검출기에 조사된 X선을 검출함으로써 X선 촬영상 또는 리얼타임의 X선 화상이 디지털 신호로서 출력된다. 그리고, 이 X선 검출기에서는 X선을 신틸레이터층에 의해 가시광, 즉 형광으로 변환시키고, 이 형광을 아몰퍼스 실리콘(a-Si) 포토다이오드 또는 CCD(Charge Coupled Device) 등의 광전 변환 소자로 신호 전하로 변환하여 화상을 취득하고 있다.

신틸레이터층은 재료로서 일반적으로 요드화 세슘(CsI):나트륨(Na), 요드화 세슘(CsI):탈륨(Tl), 요드화 나트륨(NaI) 또는 산황화 가드리늄(Gd₂O₂S) 등이 이용되고, 다이싱 등에 의해 홈을 형성하거나 기둥 형상 구조가 형성되도록 증착법으로 퇴적하여 해상도 특성을 향상시킬 수 있다. 신틸레이터층의 재료로서는 상기와 같이 여러 가지 있고, 용도나 필요한 특성에 따라서 사용이 구분되어 있다.

그리고, 신틸레이터층으로부터의 형광의 이용 효율을 높여 감도 특성을 개선하기 위해 신틸레이터층상에 반사층을 형성하는 방법이 있다. 즉 신틸레이터층에서 발광한 형광 중 광전 변환 소자측에 대해 반대측을 향하는 형광을 반사층에서 반사시켜 광전 변환 소자측에 도달하는 형광을 증대시키는 것이다.

반사층의 예로서는 은 합금이나 알루미늄 등 형광 반사율이 높은 금속층을 신틸레이터층상에 성막하는 방법이나 TiO₂ 등의 광산란성 물질과 바인더 수지로 이루어진 광산란 반사성 반사층을 도포 형성하는 방법 등이 알려져 있다. 또한 신틸레이터층상에 형성하는 것이 아니라 알루미늄 등의 금속 표면을 가진 반사판을 신틸레이터층에 밀착시켜 신틸레이터광을 반사시키는 방식도 실용화되어 있다.

또한, 신틸레이터층이나 반사층 또는 반사판 등을 외부 분위기로부터 보호하여 습도 등에 의한 특성의 열화를 억제하기 위한 방습 구조는 방사선 검출기를 실용적인 제품으로 하는 데에 중요한 구성 요소가 된다. 특히 습도에 대해 열화가 큰 재료인 CsI:T1막이나 CsI:Na막을 신틸레이터층으로 하는 경우에는 높은 방습 성능이 요구된다.

종래의 방습 구조로서는 신틸레이터층을 덮는 폴리파라크실리렌의 CVD막을 방습층으로서 이용하는 방법(예를 들면, 특허공보 제3077941호(제3-4페이지, 제 1-2도) 참조) 또는 기판상에 신틸레이터층의 주위를 덮는 포위 부재를 접착제로 접착하고, 또한 포위 부재상에 커버를 접착제로 접착하여 신틸레이터층을 밀봉하는 구조 등이 있다(예를 들면 일본 공개특허공보 평5-242841호(제 3-5페이지, 도 1) 참조).

그러나 종래의 방습 구조에서는 이하와 같은 문제가 있다.

폴리파라크실리렌의 CVD막을 방습층으로서 이용하는 방법의 경우, 적어도 실용적인 막두께 범위(예를 들면 20㎛)에서는 투습 차단성이 불충분한 경우가 많다. 구체예로서 방습 성능의 확인을 위해 유리 기판상에 신틸레이터층으로서 CsI:Tl막(막두께 600㎛), 방습층으로서 폴리파라크실리렌의 CVD막(막두께 20㎛)을 이용한 샘플을 시작(試作)하고, 고온고습 시험에서의 휘도와 해상도의 변화를 조사한 결과를 이하에 개설(槪說)한다.

휘도와 해상도의 측정 방법으로서는 신틸레이터층측으로부터 X선을 조사하고, 유리 기판측으로부터 CCD 카메라에 의해 유리 기판과 신틸레이터층의 계면에 초점을 맞춰 X선 화상을 관찰했다. 휘도는 후지 필름 증감지(HG-H2 Back)에 대한 상대 휘도이고, 해상도는 해상도 차트상으로부터 2Lp/mm의 CTF(Contrast Transfer Function)를 측정하여 각각을 지표로 했다.

이와 같이 작성된 샘플에서는 60℃-90% RH의 고온고습 라이프 시험에서 휘도의 변화는 작지만, 해상도의 열화는 크고 24H에서 CTF(2Lp/mm)의 값이 초기의 80% 정도까지 저하했다. 해상도 저하의 현상 해석으로서 SEM에 의해 형태를 관찰한 결과, 초기에는 독립성이 강한 CsI:Tl막의 필러 구조가, 고온고습 시험에서 해상도가 열화된 샘플에서는 필러간의 융합이 발생하는 것을 알 수 있었다. 필러간의 융합에 의해 라이트가이드 효과가 저감하여 해상도 저하로 연결된다고 생각된다.

계속해서 기판상에 신틸레이터층의 주위를 덮는 포위 부재를 접착제로 접착하고, 또한 포위 부재상에 커버를 접착제로 접착하여 신틸레이터층을 밀봉하는 구조의 경우, 포위 부재는 일반적으로 금속 등의 강성이 있는 물질이고, 기판과 포위 부재의 사이 및 커버와 포위 부재 사이의 열팽창률 차에 의해 냉열 사이클이나 열 충격 등의 신뢰성 시험에서 접착 부분의 균열이나 박리를 발생하기 쉽고, 방습 성능이 치명적으로 저하된다. 또한, 포위 부재의 상하에 접착 밀봉되어 있으므로 수지의 접착제를 통한 투습량은 접착부가 1개인 경우에 비해 명확히 증대된다.

본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 방습 특성이 우수하고, 또한 냉열 사이클이나 열충격 등의 온도 변화에 대한 신뢰성도 높은 방사선 검출기와 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 방사선 검출기는 광전 변환 소자를 가진 기판과, 상기 기판상에 형성되어 방사선을 형광으로 변환하는 신틸레이터층과, 적어도 상기 신틸레이터층을 포함하는 깊이를 갖고, 또한 주변에 고리부를 구비한 방습체와, 상기 기판과 상기 방습체의 고리부를 접착 밀봉하는 접착층을 구비하고 있다.

또한, 본 발명의 방사선 검출기의 제조 방법은 상기 방사선 검출기의 방습체와 기판을 감압 상태로 접착 밀봉하는 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태를 나타내는 방사선 검출기의 단면도,
도 2a는 방사선 검출기의 방습체를 도시한 정면도,
도 2b는 방사선 검출기의 방습체를 도시한 측면도,
도 3은 방사선 검출기의 사시도,
도 4는 방습 구조의 종류마다의 60℃-90%RH 고온고습 시험에 의한 해상도 유지율을 나타내는 그래프,
도 5는 접착층의 재료의 투과계수와 방습 효과의 관계를 나타내는 그래프,
도 6은 접착층의 W/T 비율과 방습 성능의 관계를 나타내는 그래프,
도 7은 방습체의 재질과 해상도 유지율의 관계를 나타내는 그래프,
도 8은 적층 구조의 방습체의 적층 횟수와 투습률의 관계를 나타내는 그래프,
도 9는 방습체의 형광 흡수층의 유무에 의한 해상도의 관계를 나타내는 그래프,
도 10은 반사층의 유무에 의한 휘도 및 해상도의 관계를 나타내는 그래프,
도 11은 감압 가압 장치의 단면도,
도 12는 접착제의 종류마다의 60℃-90% RH 고온고습 시험에 의한 해상도 유지율을 나타내는 그래프 및
도 13은 본 발명의 일 실시형태를 나타내는 방사선 검출기의 단면도이다.

이하, 본 발명의 일 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다.

도 1에 방사선 검출기의 단면도, 도 2a 및 도 2b에 방사선 검출기의 방습체의 정면도 및 측면도, 도 3에 방사선 검출기의 사시도를 도시한다.

도면부호 "11"은 방사선 검출기로서의 X선 검출기이고, 이 X선 검출기(11)는 방사선상인 X선상을 검출하는 X선 평면 센서이고, 예를 들면 일반 의료 용도 등에 이용되고 있다. 그리고, 이 X선 검출기(11)는 형광을 전기 신호로 변환하는 기판인 광전 변환 기판으로서의 어레이 기판(12), 이 어레이 기판(12)의 한 주면인 표면상에 설치되어 입사하는 X선을 형광으로 변환하는 X선 변환부인 신틸레이터층(13), 이 신틸레이터층(13)상에 설치되어 신틸레이터층(13)으로부터의 형광을 어레이 기판(12)측으로 반사시키는 반사층(14), 어레이 기판(12)상에 신틸레이터층(13) 및 반사층(14)을 덮어 설치되어 이것들을 외기나 습도로부터 보호하는 방습 구조로서 모자 형상의 방습체(15)를 구비하고 있다.

그리고, 어레이 기판(12)은 신틸레이터층(13)에 의해 X선으로부터 가시광으로 변환된 형광을 전기 신호로 변환하는 것으로 유리 기판(16), 상기 유리 기판(16) 상에 설치되어 광센서로서 기능을 하는 대략 직사각형 형상의 복수의 광전 변환부(17), 행 방향을 따라서 설치된 복수의 제어 라인(또는 게이트 라인)(18), 열방향을 따라서 설치된 복수의 데이터 라인(또는 시그널 라인)(19), 각 제어 라인(18)이 전기적으로 접속된 도시하지 않은 제어 회로, 각 데이터 라인(19)이 전기적으로 접속된 도시하지 않은 증폭/변환부를 구비하고 있다.

어레이 기판(12)에는 각각 동일 구조를 가진 화소(20)가 매트릭스상으로 형성되어 있고, 또한 각 화소(20) 내에 각각 광전 변환 소자로서의 포토다이오드(21)가 설치되어 있다. 이들 포토다이오드(21)는 신틸레이터층(13)의 하부에 설치되어 있다.

각 화소(20)는 포토다이오드(21)에 전기적으로 접속된 스위칭 소자로서의 박막 트랜지스터(TFT)(22), 포토다이오드(21)로 변환한 신호 전하를 축적하는 전하 축적부로서의 도시하지 않은 축적 캐피시터를 구비하고 있다. 단, 축적 캐피시터는 포토다이오드(21)의 용량이 겸하는 경우도 있어 반드시 필요하지 않다.

각 박막 트랜지스터(22)는 포토다이오드(21)로의 형광의 입사로 발생한 전하를 축적 및 방출시키는 스위칭 기능을 담당한다. 결정성을 가진 반도체 재료인 비정질 반도체로서의 아몰퍼스 실리콘(a-Si) 또는 다결정 반도체인 폴리실리콘(P-Si) 등의 반도체 재료로 적어도 일부가 구성되어 있다. 또한, 박막 트랜지스터(22)는 게이터 전극(23), 소스 전극(24) 및 드레인 전극(25)의 각각을 구비하고 있다. 이 드레인 전극(25)은 포토 다이오드(21) 및 축적 캐피시터에 전기적으로 접속되어 있다. 축적 캐피시터는 직사각형 평판 형상으로 형성되고, 각 포토다이오드(21)의 하부에 대향하여 설치되어 있다.

제어 라인(18)은 각 화소(20) 사이에 행방향을 따라서 설치되고, 동일한 행의 각 화소(20)의 박막 트랜지스터(22)의 게이트 전극(23)으로 전기적으로 접속되어 있다.

데이터 라인(시그널 라인)(19)은 각 화소(20) 사이에 열 방향을 따라서 설치되고, 동일한 열의 각 화소(20)의 박막 트랜지스터(22)의 소스 전극(24)에 전기적으로 접속되어 있다.

제어 회로는 각 박막 트랜지스터(22)의 동작 상태, 즉 온 및 오프를 제어하는 것으로 어레이 기판(12)의 표면에서의 행방향을 따르는 측 가장자리에 실장되어 있다.

증폭/변환부는 예를 들면 각 데이터 라인(19)에 대응하여 각각 설치된 복수의 전하 증폭기, 이들 전하 증폭기가 전기적으로 접속된 병렬/직렬 변환기, 이 병렬/직렬 변환기가 전기적으로 접속된 아날로그-디지털 변환기를 구비하고 있다.

어레이기판(12)의 표면에는 수지제 보호층(26)이 형성되어 있다.

또한, 신틸레이터층(13)은 입사되는 X선을 가시광, 즉 형광으로 변환하는 것으로, 예를 들면 요드화 세슘(CsI):탈륨(Tl) 또는 요드화 나트륨(NaI):탈륨(Tl) 등에 의해 진공 증착법으로 기둥 형상 구조로 형성한 것 또는 산황화 가드리늄(Gd₂O₂S) 형광체 입자를 바인더재와 혼합하고, 어레이 기판(12)상에 도포하여 소성 및 경화하고, 다이서에 의해 다이싱하는 등으로 홈부를 형성하여 사각 기둥 형상으로 형성한 것 등이다. 이들 기둥 사이에는 대기 또는 산화방지용 질소(N₂) 등의 비활성 가스가 밀봉되거나, 또는 진공 상태로 하는 것도 가능하다. 그리고 이하에 나타내는 각 실시예에서는 신틸레이터층(13)에 CsI:Tl의 증착막을 이용하여 막두께는 약 600㎛, CsI:Tl의 기둥 형상 구조 결정의 기둥(필러)의 굵기는 최표면에서 8~12㎛ 정도의 것이 이용된다.

또한, 모자 형상의 방습체(15)에는 신틸레이터층(13)의 표면에 대향되는 표면부(31)가 형성되고, 이 표면부(31)의 주변으로부터 신틸레이터층(13)을 포함하는 깊이를 가진 둘레면부(32)가 형성되고, 이 둘레면부(32)의 선단측으로부터 주변으로 돌출되는 고리부(33)가 형성되어 있다. 고리부(33)는 방습체(15)의 주변으로부터 돌출된 고리 형상이고, 어레이 기판(12)의 표면과 평행하게 형성되어 있으며, 접착층(34)을 통해 어레이 기판(12)에 접착 밀봉되어 있다. 이 방습체(15)는 반사층(14)과 접촉하지 않아도 좋지만, 통상은 반사층(14)과의 사이에 틈(35)이 존재한다.

그리고 이하에 각 실시예를 나타낸다. 각 실시예에서 최종적인 X선 검출기(11)로서는 전술한 바와 같이 어레이 기판(12)상에 신틸레이터층(13) 및 반사층(14)을 차례로 형성하고, 또 주변 회로나 모니터 등도 모두 배치하여 X선 화상을 관찰하게 되지만, 여러 가지 시작(試作)에 대해 이를 실시하는 것은 많은 비용과 시간을 요한다. 이 곤란을 해소하기 위해 고온고습 시험에서의 신틸레이터층(13)의 휘도 및 해상도의 변화, 즉 방습 구조의 방습 성능을 간단히 평가하기 위해 어레이 기판(12) 대신에 화소나 배선 패턴이 전혀 없는 유리 기판상에 CsI:Tl의 신틸레이터층(13)을 형성하고, 상기 신틸레이터층(13)상에 반사층(14)을 형성하며, 또한 방습체(15)를 형성하여 휘도와 해상도(CTF) 특성을 측정하는 방법을 적절히 이용했다. 이 방법에서의 휘도와 해상도 특성은 X선을 방습체(15)측으로부터 입사하고, 유리 기판측으로부터 이 유리 기판과 신틸레이터층(13)의 계면에 초점을 맞춰 CCD 카메라로 X선상을 촬영하는 방법을 채용했다. 이 CCD 카메라에 의한 간이적인 평가 방법은 어레이 기판(13)으로도 사용할 수 없는 것은 아니지만, 어레이 기판(12)과 화소나 배선 패턴이 지장을 주어 기판 내면으로부터 CCD 카메라에 의한 화상 관찰이(후술하는 실시예에서 일부 이용하고 있는 바와 같이 불가능하지 않지만) 매우 곤란해지므로 전혀 패턴이 없는 유리 기판을 이용하고 있다. 또한, 본 발명에 따른 중요 특성인 해상도(CTF)도 이 간이적인 방법으로 충분히 평가 가능하다. 또한 X선 질 조건으로서는 70KVp로 RQA-5 상당 조건으로 하고, 휘도는 표준으로 하는 증감지(후지 필름 가부시키가이샤 HG-H2 Back)에 대한 상대 휘도로 하고, 해상도는 해상도 차트상의 2Lp/mm의 CTF(Contrast Transfer Function)의 값=CTF(2Lp=mm)%를 화상 처리에 의해 구했다.

우선 제 1 실시예를 설명한다.

신틸레이터층(13)은 40mm 사각형 유리 기판상에 25mm 사각형 사이즈의 CsI:Tl막(600㎛)을 진공 증착법으로 형성하고, 또한 반사층(14)은 TiO₂의 서브미크론 분체와 바인더 수지 및 용매를 혼합한 용액을 신틸레이터층(13)상에 도포, 건조하여 형성했다. 방습체(15)는 두께 80㎛의 Al 합금박을 주변부에 5mm폭의 고리부(33)를 가진 구조로 프레스 성형하여 모자 형상으로 했다. 방습체(15)의 고리부(33)에 접착층(34)을 디스펜서에 의해 한둘레 도포하고, 신틸레이터층(13) 및 반사층(14)이 형성된 유리 기판과 부착했다. 접착층(34)은 일반에게 시판되어 있는 가열 경화형 접착제, 자외선 경화형 접착제의 양쪽으로 작성했다.

비교용으로서 방지 구조에 폴리파라크실렌의 CVD막(막두께 20㎛)을 이용한 것 및 신틸레이터층(13)의 주위를 둘러싼 알루미늄 프레임의 하면을 유리 기판에 접착하고, 또한 알루미늄 프레임의 상면에 1mm 두께의 알루미늄판과 접착하는 구조를 시작했다. 접착제의 재질은 본 실시예와 동일하다.

이들 샘플을 60℃-90% RH의 고온고습 시험에 제공하여 휘도 및 해상도 변화를 추적했다. 그 결과 도 4에 도시한 바와 같이 폴리파라크실리렌의 CVD막을 이용한 샘플은 24시간 시점에서 해상도의 지표인 CTF(2Lp/mm)의 값이 초기의 2/3 전반으로 저하했다. 이에 대해 방습체(15)를 이용한 샘플은 500시간 경과해도 CTF(2Lp/mm)의 값은 초기값과 거의 변화하고 있지 않다. 알루미늄 프레임과 알루미늄판으로 방습 구조를 형성한 샘플에서는 방습체(15)를 이용한 샘플에 비교하여 CTF의 저하는 2배 정도 크다. 또한 방습 구조에 1mm의 알루미늄판을 이용하므로 휘도 및 DQE(0Lp/mm)의 값이 대략 X선 흡수의 약 9% 상당분만큼 낮은 값이 되었다.

이와 같이 신틸레이터층(13)을 포함하는 깊이를 갖고, 또한 주변에 고리부(33)를 구비한 방습체(15)를 이용하여 실질적으로 투습을 무시할 수 있는 레벨의 방습체(15)로 신틸레이터층(13)의 대부분을 덮는 구조가 가능하다. 또한 방습체(15)의 고리부(33) 부분을 접착부로서 이용하여 접착층(34)과 어레이 기판(12)의 사이를 얇은 접착층(34)으로 하여 투습 단면적을 작게 억제할 수 있고, 또한 접착층(34)의 폭을 고리부(33)의 폭 정도까지 넓게 확보할 수 있다. 또한 방습체(15) 자체는 Al 합금이나 제 5 실시예에서 설명하는 적층 구조의 경우, 핀홀을 발생시키지 않을 정도의 두께(대략 20~30㎛ 이상)가 있으면 충분하므로 X선의 흡수에 의한 손실도 매우 작게 억제할 수 있다. 따라서 접착층(34)으로부터의 투습을 최소한으로 억제하고, 또한 X선의 흡수에 의한 손실도 매우 작아 높은 검출 능력의 X선 검출기(11)를 실현할 수 있다.

여기서 투습률에 관해 근사식을 사용하여 설명하면, 방습체(15) 및 접착층(34)을 포함하는 방습 구조 전체의 투습률은 개략적으로 이하의 식 1로 나타낸다. 여기서 본 실시예의 구조의 경우, 식 1의 1항째의 Q(방습체)는 방습 구조의 대부분을 차지하는 방습체(15)로부터의 투습률을 나타내지만, 이 투습률은 실질적으로 제로 레벨로 억제하는 것이 가능하다. 또한 본 실시예의 구조에서는 식 1의 2항째의 Q(접착층)도 매우 낮은 값으로 억제된다. 즉, 식 1의 2항째의 Q(접착층)를 기재한 식 2중에서 이미 설명한 바와 같이, 고리부(33) 부분을 유효하게 이용하여 접착층(34)의 폭(W)의 값을 크게 취하고, 또한 방습체(15)의 평탄한 고리부(33) 부분과 어레이 기판(12) 사이에 접착층(34)을 형성하므로 접착층(34)의 두께(T)를 필요최소한까지 작게 억제할 수 있다. 따라서 T(접착층(34)의 두께)/W(접착층(34)의 폭)의 값을 매우 낮은 값으로 하는 것이 가능해진다.

Q(Total) = Q(방습체) + Q(접착층) (식 1)

Q(접착층) = P(접착층)

S(접착층)/W(접착층)

= P(접착층)

L(접착층)

T(접착층)/W(접착층) (식 2)

Q: 투습층

P: 접착층(34)의 투습 계수

S: 접착층(34)의 투습 단면적

W: 접착층(34)의 폭

L: 접착층(34)의 둘레 길이

T: 접착층(34)의 두께

계속해서 제 2 실시예를 설명한다.

40mm 사각형 사이즈의 유리 기판상에 25mm 사각형 사이즈의 CsI:Tl막(두께 600㎛)을 형성했다. 방습체(15)로서는 두께 0.1mm의 Al합금박을 이용했다. 접착층(34)으로서는 수지 재료중에 접착층 두께 미만의 두께의 Al₂O₃이나 SiO₂ 등 무기 재료의 필러재를 첨가한 접착제를 이용했다. 필러재는 대표 크기가 수㎛～수십㎛의 구형상이나 인편(鱗片)형상, 로드형상의 것이 첨가되고, 재질이나 형상, 함유 비율 등은 접착제 제조업체에 의해 적정화되어 있다. 일반적으로는 동일 함유 비율(중량 함유율)의 경우는 필러재의 사이즈는 작고(2차 응집을 발생하지 않을 정도로) 필러 입자의 갯수가 많아지는 것이 바람직하다. 또한 필러재의 함유 비율은 접착 성능이나 도포성을 유지하고, 또한 틈을 발생하지 않는 범위에서는 높은 쪽이 투습계수를 낮게 할 수 있다.

본 실시예의 접착층(34)에 이용한 접착제는 60℃-90% RH에서의 투습계수가 2g?mm/(㎡?day) 정도로 낮게 억제되어 있다. 비교예로서는 시판되는 시일재이고, 동일 조건의 투습 계수가 에폭시계의 15g?mm/(㎡?day), 실리콘계의 25g?mm/(㎡?day)의 것을 이용했다. 접착층(34)의 두께는 본 실시예 및 비교예 모두 270㎛ 정도, 폭은 약 5mm 정도로 동등 레벨로 맞췄다.

60℃-90% RH×24h의 고온고습 시험 결과, 도 5에 도시한 바와 같이 해상도의 저하는 접착제의 투습계수의 값에 대략 대응하는 결과로 되어 있다. 즉, 투습계수가 2g?mm/(㎡?day)인 본 실시예의 해상도 유지율이 가장 높고, 투습 계수가 15g?mm/(㎡?day)인 에폭시계, 투습계수가 25g?mm/(㎡?day)인 실리콘계순으로 해상도 유지율이 낮아지는 결과로 되어 있다.

필러재의 효과는 접착층(34)중에서 투습도(path)를 제한하여 실질적인 투습 단면적의 저하와 투습 거리의 연장을 얻을 수 있다. 이 효과로 상기 식 2의 투습계수(P)(접착층)의 실효값을 저감할 수 있다.

계속해서 제 3 실시예를 설명한다.

방습체(15)로서는 두께 0.1mm의 Al합금박을 이용했다. 접착층(34)으로서는 수지 재료중에 접착층 두께 미만의 두께의 Al₂O₃이나 SiO₂ 등의 무기 재료의 필러재를 첨가한 접착제를 이용하고, 접착층(34)의 실질적인 평균 폭(W)과 실질적인 평균 두께(T)를 수대로 나누어 시작(試作)했다.

60℃-90% RH 고온고습 시험에 의한 해상도의 열화 속도(예를 들면 해상도가 초기의 90% 정도에 도달하는 시간)는 도 6에 도시한 바와 같이 평균 폭(W)이 동일한 경우에는 평균 두께(T)에 대략 비례하여 크다(열화가 빠르다). 또한, 평균 두께(T)가 동일한 경우에는 평균 폭(W)에 대략 반비례하여 열화 속도가 저감하는 것을 알 수 있다. 이들 결과로부터 W〉〉T의 영역에서 특히 해상도 열화를 억제하는 방습 구조가 실현된다고 할 수 있다. 구체적으로는 W/T〉10이 기준이 된다.

계속해서 제 4 실시예를 설명한다.

방습체(15)의 재질로서 Al 합금의 A3004-H0박을 이용했다. 방습체(15)는 도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이 두께 0.1mm의 박재를 프레스로 깊이 약 1m 정도로 드로잉 가공하고, 또한 주변에는 5mm 정도의 폭의 평탄 부분(접착하는 부분)인 고리부(33)를 형성했다.

방습체(15)의 가공에 이용한 A3004-H0박(두께 0.1mm)의 60℃-90%RH 투습도를측정한 결과는 0.2g/㎡/day 이하(투습계수로서는 0.02g?mm/㎡/day 상당 이하)였다. 방습체를 형성하는 박재로서는 Al(알루미늄) 또는 각종 Al 합금을 동일하게 이용할 수 있다.

이 방습체(15)를 적용하고, 접착층(34)은 필러재 첨가의 자외선 경화형 접착제를 이용하여 수십㎛의 접착층 두께이고 접착층 폭은 약 5mm로서 시작(試作)했다. 비교용으로 시작(試作)한 수지제 방습체(폴리에스테르필름 두께 0.1mm 투습 계수=7.4g?mm/㎡/day 상당)의 비교에서 도 7에 도시한 바와 같이 본 실시예의 60℃-90%RH의 특성 유지율은 매우 우수하다는 것을 알 수 있다.

방습체(15)의 Al 또는 Al 합금박의 두께는 방습 성능 면에서는 대략 20㎛ 이상이면 문제없지만, 핀홀 리스크 등을 고려하면 30㎛ 정도 이상이 바람직하다. 한편, 방습체(15)의 Al 또는 Al 합금의 두께가 너무 두꺼워지면 X선 흡수에 의한 손실이 커진다. X선 검출기(11)의 용도나 X선의 에너지에도 의하지만, RQA-5 상당의 X선의 경우는 대략 0.2mm 이하의 두께이면 X선 흡수는 2% 정도 이하로 억제된다. 맘모그래피 용도 등의 저에너지 X선을 검출할 경우에는 방습성을 확보할 수 있는 범위에서 가능한 한 두께를 억제하는 것이 바람직하다.

방습체(15)는 Al 합금의 박에 한정되지 않고, Al 및 Al 합금중 어느 한쪽의 재료로 박 및 박판 중 어느 형태를 이용해도 동일한 효과가 얻어진다.

계속해서 제 5 실시예를 설명한다.

방습체(15)로서 수지 재료로서 PET와 Al₂O₃(실제로는 Al₂Ox라도 동일)를 적층한 적층 필름을 이용했다. 이 방습체(15)의 제조는 예를 들면 이형성이 좋은 모자 형상의 틀 위에 수지 재료의 분사 도포 및 건조와 Al₂O₃의 스퍼터 성막을 반복하는 방법으로 적층 수를 늘려 형성했다.

PET의 두께 및 Al₂O₃의 스퍼터막의 두께 및 이들 적층 횟수를 몇 번으로 나누어 방습 성능을 비교했다. 방습 성능은 컵법에 의해 60℃-90%RH에서의 투습률을 측정했다.

도 8에 도시한 바와 같이, PET층과 Al₂O₃층의 두께가 동일한 경우에는 투습률은 적층 횟수가 늘어날수록 저감하고, 측정 한도 하한 이하로 일정화되는 경향이 된다. 이 예에서는 10㎛의 PET 기재에 3㎛의 Al₂O₃의 스퍼터막을 성막한 것을 적층했다. 적층 횟수로서는 무기막의 총 수로 대략 3층 이하인 경우에 특히 투습도의 저감이 크다.

적층 횟수가 동일한 경우에는 PET와 Al₂O₃의 층 두께 증대에 의해 투습 계수는 저감된다. 또한 시작(試作)한 층두께의 범위에서 각각의 재료의 총 두께가 동일한 경우에는 PET 및 Al₂O₃의 1층의 두께가 얇고 적층 횟수가 많은 쪽이 투습 계수는 낮다. 적층의 횟수나 두께를 늘려 투습 계수가 저감하는 것은 단순히 각 층의 총 투습 저항이 증대하기 때문이라고 생각된다. 총 두께가 동일하고 적층 횟수가 많은 경우에는 각 층의 핀홀이나 미세한 리크패스가 적층된 각 층 사이에서 분단되므로 투습계수를 더 낮게 억제할 수 있다고 생각된다.

적층 필름을 방습체(15)에 이용하고, 접착층(34)은 필러재 첨가의 자외선 경화형 접착제를 이용한 시작(試作)에서는 적층 필름 전체의 투습도가 클수록 해상도의 열화는 빠르다. 한편 Al₂O₃나 SiO₂ 등 무기막의 총 두께가 커지면 X선 흡수에 의한 손실도 증대하므로, 예를 들면 RQA-5 상당의 X선 조사 조건인 경우는 무기막의 총 두께로서는 대략 0.2mm 이하가 바람직하다.

수지 재료는 PET에 한정되지 않고, 성형성과 무기막의 피착성에 문제가 없으면 여러 가지 수지 재료를 동일하게 사용할 수 있다. 또한 무기막은 Al₂O₃에 한정되지 않고, SiOx나 Si-O-N, Si-Al-O-N, 그 외 전자 디바이스의 방습층이나 보호층에 이용되는 박막 재료를 동일하게 사용할 수 있다. 즉, 방습체(15)는 Si 또는 Al 등의 경원소의 산화막 또는 질화막 또는 산질화막 등의 무기막 또는 Al 또는 Al 합금 등의 경금속의 박막과 수지 재료의 적층 구조를 사용할 수 있다.

계속해서 제 6 실시예를 설명한다.

제 5 실시예와 같이 수지 재료와 적층하는 무기막에 Al 또는 Al 합금의 박막을 이용한 경우에 어레이 기판(12)의 신호 라인으로부터 연결되는 회로 배선의 어스 전위와 방습체(15)를 전기적으로 접속한 경우와 접속하지 않는 경우를 비교했다. 이 비교 평가는 노이즈 측정을 수반하므로 실제 어레이 기판(12)을 이용한 시작으로 실시했다. 어레이 기판(12)으로서는 9인치 사각형 상당 사이즈의 것을 이용하고, 신틸레이터층(13)으로서는 약 600㎛ 두께의 CsI:Tl막을 증착했다. 어레이 기판(12)상에 신틸레이터층(13)의 전체를 덮도록 Al 합금의 방습체(15)를 얹어 설치하고, 이 방습체(15)의 고리부(33)를 자외선 경화형 접착제로 접착 밀봉했다. 방습체(15)와 회로 배선의 어스 전위의 전기적 접속에는 실드선을 이용하고, 방습체(15)의 Al 합금과 실드선의 전기적 접속에는 도전 페이스트를 이용했다.

어레이 기판(12)의 노이즈 특성을 조사한 결과, 방습체(15)와 어레이 기판(12)의 회로의 그라운드를 전기적으로 접속한 샘플에서는 접속하지 않은 샘플에 비교하여 저노이즈 특성이 얻어졌다. 이는 방습체(15)가 어레이 기판(12) 전체를 덮는 실드의 역할이 되어 외부로부터의 전자 노이즈의 침입을 억제하는 효과를 나타낸 것이라고 생각된다.

본 실시예에서는 회로의 그라운드와 방습체(15)를 전기적으로 접속하고 있지만, 회로측은 반드시 그라운드에 한정되지 않고, 일정 전위와의 전기적 접속에 의해 동일한 효과가 얻어진다.

계속해서 제 7 실시예를 설명한다.

방습체(15)의 재질에 따라 정도는 다르지만, 방습체(15)에 의한 형광의 반사는 휘도 특성을 상승시키는 한편 해상도 특성을 저하시킨다. 특히 방습체(15)의 재질이 Al 또는 Al 합금 등의 메탈 재질인 경우에는 그 영향이 크다. X선 검출기(11)의 용도 등의 경우에는 휘도는 억제해도 해상도 특성을 우선시키는 것이 일반적으로는 바람직하다.

방습체(15)로서 0.1mm 두께의 Al를 이용하여 이 방습체(15)의 적어도 내측, 즉 신틸레이터층(13)과 대치하는 면에 형광을 흡수하는 형광 흡수층을 설치한다. 형광 흡수층으로서 흑화 처리하여 흑 알마이트 처리를 실시한 것과, 광흡수 시트를 배치한 것을 시작했다. 비교예로서는 광흡수층이 없는 것을 이용했다.

도 9에 결과를 나타내는 바와 같이, 방습체(15)에 흑 알마이트 처리를 실시한 X선 검출기(11) 및 방습체(15)에 광흡수 시트를 이용한 X선 검출기(11)는 형광 흡수층이 없는 것에 비해 휘도가 낮지만, 해상도 특성이 우수한 것을 알 수 있다.

형광 흡수층으로서는 흑화 또는 형광을 흡수하는 색상의 착색이 이루어져 있거나, 흑색 또는 형광을 흡수하는 색정도의 시트를 이용할 수 있어 동일한 효과가 얻어진다.

계속해서 제 8 실시예를 설명한다.

유리 기판상에 600㎛의 두께로 CsI:Tl막을 증착했다. 또한 그 상부에 서브 ㎛ 사이즈의 TiO₂ 분체와 바인더 수지로 이루어진 반사층(14)을 약 100㎛의 두께로 형성했다. 방습체(15)는 두께 0.1mm의 A3004-H0의 Al 합금제를 이용했다. 비교예로서는 반사층(14)을 부착하지 않고 방습체(15)를 형성했다.

도 10에 도시한 바와 같이 본 실시예의 반사층(14)을 설치한 X선 검출기(11)는 비교예에 비해 휘도 특성이 우수하고, 해상도 특성도 우수하여 양호한 결과를 얻었다. 반사층(14)을 CsI:Tl막의 신틸레이터층(13)에 밀착하여 형성하여 신틸레이터층(13)과 반사층(14)과의 틈이 없고, 틈에 기인하는 형광의 산란이나 반사광의 먼쪽으로의 확장이 최소한으로 억제된 효과라고 생각된다. 이 때문에 반사층(14)에 의한 고휘도를 얻으면서 해상도의 저하는 최소한으로 억제되어 있다. 비교로서 이와 같이 신틸레이터층(13)에 밀착된 반사층(14)이 없는 경우는 방습체(15)에 의한 반사광이 신틸레이터층(13)과 방습체(15)의 틈(35)에 의해 먼 곳으로 확장되므로 해상도의 저하를 초래한다.

계속해서 제 9 및 제 10 실시예를 도 13을 참조하여 설명한다.

신틸레이터층(13)으로서는 두께 600㎛의 CsI:Tl막을 이용했다. 상술한 TiO₂ 분말과 바인더 수지로 이루어진 반사층(14)을 신틸레이터층(13)상에 밀착 형성한 실시예와 반사층(14)이 없는 실시예를 작성했다. 이들 각 실시예의 반사층(14)상 또는 신틸레이터층(13)상에 실리콘 수지계 완충 시트(48)(두께 0.2mm)를 얹어 설치했다. 또한 A3004-H0의 Al 합금제의 방습체(15)를 신틸레이터(및 반사막(14))를 덮도록 얹어 설치하고, 상기 고리부(33)와 어레이 기판(12)을 자외선 경화형 접착제로 접착했다. 반사층(14)의 유무의 각 실시예에 대해 비교예는 각각 완충 시트(48)를 구비하지 않은 것을 작성했다.

신뢰성 시험으로서 감압 사이클 시험(1 기압과 0.5 기압의 반복을 100회)과 열충격 시험(-15℃×30분/45℃×30분 30 사이클)을 실시한 바, 완충 시트(48)가 있는 각 실시예에서는 내부의 막(신틸레이터층(13) 또는 반사층(14))에 크랙 등의 이상을 발생시키지 않았지만, 비교예에서는 각각 미세한 크랙이 발생하는 것이 분해 조사 결과 판명되었다.

본 실시예의 완충 시트(48)의 삽입에 의해 감압 시험 시의 방습체(15)의 변형에 의한 충격이 완화되고, 또한 열충격 시험 시에는 단열층으로서 작용했으므로 반사층(14)이나 신틸레이터층(13)의 급격한 온도 변화를 억제하여 크랙 등의 발생을 방지한 것이라고 생각된다.

계속해서 제 11 실시예를 설명한다.

방습체(15)의 형성 이전의 제조 공정은 동일하지만, 방습체(15)를 형성할 때 도 11에 도시한 감압 가압 장치(41)를 이용하여 감압 상태로 접착 밀봉을 실시한다.

이 감압 가압 장치(41)는 감압 가능한 챔버(42), 상기 챔버(42) 내에 배치되는 하부 스테이지(43) 및 이 하부 스테이지(43)에 개폐 가능한 상부 스테이지(44)를 구비하고, 하부 스테이지(43)상에 쿠션 시트(45)를 통해 고리 형상의 부착 지그(46) 및 이 부착 지그(46)의 내측에 높이 조정 시트(47)가 배치되어 있다.

그리고 우선은 0.1mm 두께의 A3004-H0 모자 형상의 방습체(15)를 부착한 지그(46)상에 역치(逆置)하고, 주변의 고리부(33)에 접착제를 도포하며, 이 방습체(15)상에 신틸레이터층(13) 및 반사층(14)이 형성된 어레이 기판(12)도 역치한다.

계속해서 챔버(42) 내를 감압한 후에 하부 스테이지(43)와 상부 스테이지(44) 사이에서 방습체(15)와 어레이 기판(12)을 합체, 가압한다. 이 때의 가압력은 주변의 접착 부분에서 1㎝당 10N(약 0.1Kg)으로 하고, 수십초 동안 유지했다.

그 후, 챔버(42)를 대기 개방하고, 가압을 해제한 후에 방습체(15) 내부의 감압 상태가 파괴되지 않도록 취출하고, 접착 부분을 노출시키며, 자외선 램프에 의해 자외선을 조사하여 접착제를 경화시켰다. 자외선의 조사량은 360nm의 자외선의 적산 조사량이 7J/㎠ 정도가 되는 조건으로 실시했다. 또한 80℃의 오븐중에서 약 1시간의 가열 처리를 실시하여 경화를 촉진했다.

감압 조건으로서는 0.1~0.9 기압까지 0.1 기압마다 감압 조건을 나눠 수대로의 샘플을 시작(試作)했다.

완성된 샘플에 관해 방습체(15)의 내부의 틈 용적은 외형에서 구한 방습체(15)의 내부 용적으로부터 신틸레이터층(13)과 반사층(14) 등의 내부 충전물의 체적을 빼 구했다. 또한, 0.1 기압 이하로 주위를 감압한 경우의 방습체(15)의 내부의 틈 용적은 A3004-H0 모자 형상의 방습체(15)가 최대한 팽창된 경우의 용적으로부터 신틸레이터층(13)과 반사층(14) 등의 내부 충전물의 체적을 빼 구했다.

이들 샘플을 감압 시험에 제공한 결과, 주위의 감압의 정도에 의해 A3004-H0 모자 형상의 방습체(15)는 팽창했다. 최대한 팽창되는 이상의 감압 상태에서는 방습체(15)의 주변의 접착층(34)에 대해 내외 압력차에 따른 힘이 가해지고 있다고 생각된다. 통상 요구되는 조건으로서 항공기의 수송 등을 상정한 0.5 기압 정도의 감압 상태와 대기압과의 반복으로도 접착층(34)의 신뢰성이 확보되지 않으면 안된다. 1기압과 0.5기압의 감압 사이클을 20사이클 반복하는 시험 결과, 감압 밀봉 시의 감압 조건이 대략 0.5 기압 이하로 밀착시킨 샘플은 접착층(34)이 파괴되지 않았다. 또한, 이 조건으로 감압 밀봉한 샘플에서는 방습체(15)의 내부의 틈(35)의 용적이 방습체(15)의 주위를 0.1 기압까지 감압한 경우(최대한 팽창된 경우)에 대해 1.0 기압(대기압에 의해 내부 구조에 밀착한 상태)에서는 대략 1/2 이하였다.

계속해서 제 12 실시예를 설명한다.

이 실시예에서는 화소 및 배선 패턴이 있는 기판 내면으로부터 자외선을 조사하여 자외선 경화형 시일재의 경화 상황을 평가할 필요가 있으므로, 주변부에 제어 라인(18)이나 데이터 라인(19)의 회로 배선을 구비한 어레이 기판(12)을 이용했다. CsI:Tl막(막 두께 600㎛)의 신틸레이터층(13), 반사층(14)을 형성하는 곳은 이제까지의 실시예와 동일하다. 방습체(15)는 0.1mm 두께의 A3004-H0 모자 형상의 Al 합금박을 이용하여 양이온 중합형 에폭시계 자외 경화형 접착제(나가세 케무텍 XNR-5516ZHVB-1)를, 또한 비교예로서는 라디칼 중합형 아크릴계 자외선 경화형 접착제 및 가열 경화형 접착제(나가세 케무텍 T832/R101B-1)를 이용하여 어레이 기판(12)상에 접착 밀봉했다.

접착제는 방습체(15)의 고리부(33)에 디스펜서로 소정량을 도포한 후에 어레이 기판(12)과 합체했다. 접착 부분에 압력을 가해 밀착을 유지한 상태로 자외선 경화형 접착제는 각각의 추장(推奬) 조건에 상당하는 자외선량을 조사했다. 방습체(15)측으로부터 자외선이 투과하지 않으므로 어레이 기판(12)의 이면측으로부터 자외선을 조사했다. 자외선 조사 후, 경화 반응을 촉진시키기 위해 60℃-3H의 가열 처리를 실시했다. 가열 경화형 접착제는 접착 부분에 압력을 가해 밀착을 유지한 상태로 추장조건에 의해 80℃-1H의 가열처리를 했다.

가열 경화형 접착제를 이용한 샘플에서는 실온으로 복귀했을 때 어레이 기판(12)의 면이 오목형으로 휘어지는 현상이 발생했다. 이는 가열 상태의 80℃에서 Al합금박의 방습체와 어레이 기판이 접착 고정화되었으므로, 실온으로 복귀했을 때의 온도 차로 어레이 기판(12)의 유리 기판(16)과 Al 합금박 및 접착제의 에폭시 수지의 열팽창률 차에 의해 발생한 것이라고 생각된다. 즉, 시작에서 이용한 코닝1737유리 기판(0.7mm 두께)의 열팽창률은 약 3.8ppm/deg, AL 합금박의 열팽창률은 24ppm/deg, 에폭시 수지의 열팽창률은 약 24ppm/deg이다. 45㎝ 사각형 사이즈에서 60℃의 온도 차의 경우에는 약 0.55mm의 팽창차를 발생한다. 휘어짐량은 장소에 따라서 다르지만, 어레이 기판(12)의 주변부에서 최대 약 1mm 이상의 틈을 발생했다. 이들 틈은 후 공정에서 기판 주변의 TAB 용접 시에 FPC와 Pad의 용접 위치 오차를 초래하거나 실장 시에 어레이 기판(12)의 내면에 틈을 발생시켜 방열 특성의 악화를 초래한다.

한편, 자외선 경화형 접착제의 2종류는 실온에서 자외선 경화 후에 60℃×3h의 가열 처리를 실시했지만, 그 후에 실온으로 복귀했을 때의 휘어짐이 거의 발생하지 않았다. 또한 가열 처리가 없는 것도 당연히 휘어짐을 발생시키지 않았다.

계속해서 밀봉성의 비교로서 60℃-90%RH의 고온 고습 시험을 실시한 결과, 도 12에 도시한 바와 같이 자외선 경화형 접착제 중, 양이온 중합형 에폭시계 접착제 및 가열 경화형 에폭시계 접착제를 이용한 샘플은 우수한 해상도(CTF) 유지율이었지만, 라디칼 중합형 아크릴계 접착제를 이용한 경우는 투습에 의한다고 생각되는 해상도(CTF) 열화가 보였다. 양이온 중합계의 자외선 경화형 접착제는 일반적으로 정지 반응이 없으므로 어레이 기판(12)의 배선 회로 패턴에 의해 자외선 조사의 그림자가 된 부분에도 경화 반응이 전파되고, 어레이 기판(12)의 배선 회로 패턴의 유무에 관계없이 자외선 경화가 전체적으로 이루어졌다고 생각된다. 한편, 라디칼 중합계 자외선 경화형 접착제에서는 정지 반응이 있으므로 회로 배선 패턴이 있는 어레이 기판(12)에서는 자외선이 도달하지 않는 배선의 그림자 부분에서 가교 반응이 진행되지 않고, 따라서 충분한 밀착성이나 방습 성능이 얻어지지 않는 것이라고 추정된다.

또한, 화소나 배선 패턴 부착 기판(12)을 통한 CTF(2Lp/mm)의 측정은 화소 패턴의 틈을 통한 X선 화상 측정이 되지만, 해상도 차트가 있는 X선 화상을 해상도 차트가 없는 X선 화상으로 나눗셈하는 등의 화상 처리에 의해 측정이 가능하다. 화소나 배선 회로 패턴이 없는 유리 기판상의 경우와는 달리 CTF의 절대값은 어긋난 값이 되지만, 고온고습 시험에 의한 CTF의 열화 특성은 이니셜에 대한 유지율(상대값)을 문제로 하므로 이와 같은 열화 특성의 평가에는 특별히 문제는 없다.

본 실시예의 구조 및 제조 방법에 의하면 어레이 기판(12)의 휘어짐을 발생시키지 않고, 또한 방습 신뢰성이 높은 X선 검출기(11)가 얻어진다.

본 발명의 방사선 검출기에 의하면 적어도 신틸레이터층을 포함하는 깊이를 갖고, 또한 주변에 고리부를 구비한 방습체를 이용하며, 이 방습체의 고리부와 기판을 접착층으로 접착 밀봉하므로 실질적으로 투습을 무시할 수 있는 레벨의 방습체로 신틸레이터층의 대부분을 덮는 구조가 가능하고, 또한 방습체의 고리부 부분을 접착부로서 이용하여 접착층과 기판 사이를 얇은 접착층으로 하여 투습 단면적을 작게 억제할 수 있고, 또한 접착층의 폭을 고리부의 폭 정도까지 넓게 확보할 수 있다. 또한, 방습체 자체는 필요 이상으로 두껍게 할 필요가 없으므로 방사선의 흡수에 의한 손실도 매우 작게 억제할 수 있다. 따라서 접착층으로부터의 투습을 최소한으로 억제하여 신뢰성이 높고, 또한 방사선의 흡수에 의한 손실도 작으며, 높은 검출 능력의 방사선 검출기를 실현할 수 있다.

본 발명의 방사선 검출기의 제조 방법에 의하면 상기 방사선 검출기의 효과 뿐만 아니라 방습체와 기판을 감압 상태로 접착 밀봉하므로, 예를 들면 항공기에서의 수소 등에 의한 주위의 감압에 대해 방습체와 기판의 접착 밀봉의 신뢰성을 확보할 수 있다.

Claims (14)

1. 광전 변환 소자(21)를 구비한 기판(12),
   상기 기판(12)상에 형성되어 방사선을 형광으로 변환하는 신틸레이터층(13),
   금속재 또는 무기재를 포함하고, 적어도 상기 신틸레이터층(13)을 포함하는 깊이를 갖고, 또한 주변에 고리부(33)를 구비하는 모자 형상으로 성형되고, 상기 신틸레이터층상에 배치되는 방습체(15), 및
   상기 기판(12)과 상기 방습체(15)의 고리부(33)를 접착 밀봉하는 접착층(34)을 구비하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
2. 광전 변환 소자(21)를 구비한 기판(12),
   상기 기판(12)상에 형성되어 방사선을 형광으로 변환하는 신틸레이터층(13),
   적어도 상기 신틸레이터층(13)을 포함하는 깊이를 갖고, 또한 주변에 고리부(33)를 구비하는 방습체(15), 및
   상기 기판(12)과 상기 방습체(15)의 고리부(33)를 접착 밀봉하는 접착층(34)을 구비하고,
   상기 접착층(34)은 수지 재료 중에 접착층(34) 두께 미만의 두께의 필러재를 함유하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   접착층(34)은 접착층(34)의 평균 두께(T)와 평균 폭(W)이 W/T 〉10의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
4. 제 1 항에 있어서,
   방습체(15)는 Al 및 Al 합금 중 어느 한쪽의 재료로 박(箔) 및 박판(薄板) 중 어느 한쪽의 형태로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
5. 제 1 항에 있어서,
   방습체(15)는 Al 및 Si의 무기막 및 Al의 박막 중 어느 한쪽과 수지 재료의 적층 구조로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
   방습체(15)는 기판(12)에 형성되는 회로 배선(18, 19)의 적어도 일부와 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
7. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
   방습체(15)의 신틸레이터층(13)측의 면에 형광을 흡수하는 형광 흡수층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
8. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
   신틸레이터층(13)과 방습체(15) 사이에 형광을 기판(12)측으로 반사하는 반사층(14)을 구비하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
9. 제 8 항에 있어서,
   반사층(14)과 방습체(15) 사이에 완충 시트(48)를 구비하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    신틸레이터층(13)과 방습체(15) 사이에 완충 시트(48)를 구비하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    1 기압하에서의 방습체(15)의 내부의 틈 용적이 방습체(15)의 주위를 0.1 기압 이하로 감압한 경우의 방습체(15)의 내부의 틈 용적에 대해 1/2 이하인 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11).
12. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 방사선 검출기(11)의 제조 방법에 있어서,
    방습체(15)와 기판(12)을 감압 상태로 접착 밀봉하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11)의 제조 방법.
13. 제 12 항에 있어서,
    접착층(34)은 자외선 경화형 접착제를 방습체(15)의 고리부(33) 및 고리부(33)와 접착하는 기판(12)측의 면의 적어도 어느 한쪽에 도포하고, 상기 방습체(15)의 고리부(33)와 기판(12)을 밀착시킨 후에 자외선을 조사하여 접착제를 실온 경화시키거나 자외선을 조사하여 접착제를 실온 경화시킨 후에 가열하여 더 경화시키는 것 중 어느 한쪽으로 경화시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11)의 제조 방법.
14. 제 13 항에 있어서,
    접착층(34)은 양이온 중합에 의해 경화 반응이 진행되는 자외선 경화형 접착제를 이용하여 회로 배선을 구비하는 기판(12)측으로부터 자외선을 조사하여 경화 반응을 발생시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기(11)의 제조 방법.

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