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CN110323235A - 摄像面板 - Google Patents

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CN110323235A
CN110323235A CN201910240019.6A CN201910240019A CN110323235A CN 110323235 A CN110323235 A CN 110323235A CN 201910240019 A CN201910240019 A CN 201910240019A CN 110323235 A CN110323235 A CN 110323235A
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CN
China
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mentioned
film
scintillator
pixel region
insulating film
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CN201910240019.6A
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English (en)
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森胁弘幸
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

不使闪烁光的检测精度降低地抑制制造成本并抑制水分向摄像面板的侵入。摄像面板(1)具备：有源矩阵基板(1a)，其在各像素中具备光电转换元件；闪烁器(1b)，其设置于有源矩阵基板的表面；防湿材料(212)，其覆盖闪烁器整体；以及粘接层(211)，其将防湿材料与闪烁器及有源矩阵基板之间粘接。有源矩阵基板具备：第1平坦化膜(108)，其设置于像素区域和像素区域外侧，包括感光性树脂膜；以及第1无机膜(109)，其至少在像素区域的外侧设置于第1平坦化膜与闪烁器之间，俯视时与闪烁器的整个区域重叠，并与第1平坦化膜接触。在第1无机膜上，俯视时与闪烁器重叠的区域的外侧的至少一部分区域被粘接层覆盖。

Description

摄像面板
技术领域
本发明涉及摄像面板。
背景技术
以往以来，在X射线摄像装置中使用按每一像素具备与开关元件连接的光电转换元件的有源矩阵基板。在下述专利文献1中，公开了抑制水分向这种X射线摄像装置侵入的技术。该专利文献1的X射线摄像装置抑制水分经由将防湿保护层和光电转换基板粘接的粘接剂的侵入，上述防湿保护层保护设置于光电转换基板上的荧光体层。具体地，在光电转换基板上设置包括聚酰亚胺等的表面有机膜，沿着荧光体层的外周将埋入了树脂的槽部设置于表面有机膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特许第6074111号公报
发明内容
发明要解决的问题
在上述专利文献1中，将具有防湿效果的表面有机膜设置于光电转换基板上，在表面有机膜中设置埋入了树脂的槽部，因此，不易发生粘接剂的积液，水分不易侵入光电转换基板。因此，能够在某种程度上抑制水分从光电转换基板向荧光体层的侵入。然而，虽然例如数10μm的聚酰亚胺等的表面有机膜有防湿效果，但是由于吸收闪烁光的波段，因此，闪烁光的检测精度下降。
本发明提供一种能够不使闪烁光的检测精度下降地抑制水分向摄像面板的侵入的技术。
用于解决问题的方案
解决上述问题的本发明的摄像面板具备：有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；防湿材料，其覆盖上述闪烁器的整体；以及粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板的表面之间粘接，上述有源矩阵基板具备：第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及第1无机膜，其至少在上述像素区域的外侧设置于上述第1平坦化膜与上述闪烁器之间，俯视时与设置有上述闪烁器的整个区域重叠，并且与上述第1平坦化膜接触，在上述第1无机膜上，俯视时与上述闪烁器重叠的区域的外侧的至少一部分区域被上述粘接层覆盖。
发明效果
根据本发明，能够不使闪烁光的检测精度下降地抑制水分向摄像面板的侵入。
附图说明
图1是表示第1实施方式的X射线摄像装置的示意图。
图2是表示图1所示的有源矩阵基板的概略构成的示意图。
图3是将图2所示的有源矩阵基板的设置有像素的像素部的一部分放大后的俯视图。
图4A是图3的像素部的A-A线的截面图。
图4B是图1所示的摄像面板的像素部的截面图。
图5A是图1所示的摄像面板的概略俯视图。
图5B是图5A所示的B-B线的截面图。
图6是在图4B所示的摄像面板的像素部配置有第6绝缘膜时的截面图。
图7A是变形例(1)的摄像面板的端部区域的截面图。
图7B是表示在变形例(1)的摄像面板的端部区域中配置与图7A的第6绝缘膜不同的例子的截面图。
图8是变形例(3)的摄像面板的端部区域的截面图。
附图标记说明
1…摄像面板、1a、1a_1…有源矩阵基板、1b…闪烁器、2…控制部、2A…栅极控制部、2B…信号读出部、3…X射线源、10…源极配线、11…栅极配线、12…光电二极管、13…薄膜晶体管(TFT)、13a…栅极电极、13b…半导体活性层、13c…源极电极、13d…漏极电极、14a…下部电极、14b…上部电极、15…光电转换层、16…偏置配线、100…X射线摄像装置、101…基板、102…栅极绝缘膜、103…第1绝缘膜、105…第2绝缘膜、106…第3绝缘膜、107…第4绝缘膜、108…第5绝缘膜、109…第6绝缘膜、110…第7绝缘膜、151…n型非晶质半导体层、152…本征非晶质半导体层、153…p型非晶质半导体层、211…粘接层、212…防湿材料。
具体实施方式
本发明的一实施方式的摄像面板具备：有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；防湿材料，其覆盖上述闪烁器的整体；以及粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板的表面之间粘接，上述有源矩阵基板具备：第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及第1无机膜，其至少在上述像素区域的外侧设置于上述第1平坦化膜与上述闪烁器之间，俯视时与设置有上述闪烁器的整个区域重叠，并且与上述第1平坦化膜接触，在上述第1无机膜上，俯视时与上述闪烁器重叠的区域的外侧的至少一部分区域被上述粘接层覆盖。(第1构成)。
根据第1构成，在有源矩阵基板的表面设置闪烁器，闪烁器的整体隔着粘接层被防湿材料覆盖。有源矩阵基板在像素区域和像素区域的外侧具备包括感光性树脂膜的第1平坦化膜。另外，有源矩阵基板在第1平坦化膜与闪烁器之间具备第1无机膜，第1无机膜在俯视时与设置有闪烁器的整个区域重叠，并与第1平坦化膜接触。而且，在第1无机膜上，俯视时与闪烁器重叠的区域的外侧的至少一部分区域被粘接层覆盖。即，第1平坦化膜不会与闪烁器接触，闪烁器被粘接层和第1无机膜覆盖。第1无机膜和粘接层与包括感光性树脂膜的第1平坦化膜相比，吸湿性较低。因此，即使水分从第1平坦化膜的表面进入，水分也不易向闪烁器进入，能够抑制水分的侵入所致的检测精度的下降。
可以是，第1构成的上述第1无机膜中的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面与上述闪烁器接触(第2构成)。
根据第2构成，第1无机膜与第1平坦化膜及闪烁器接触，因此，即使水分从第1平坦化膜的表面进入，水分也不易经由第1无机膜进入闪烁器。
在第1构成中可以是，上述有源矩阵基板具备有机膜，上述有机膜接触上述第1无机膜中的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，并且与上述闪烁器接触，上述有机膜的端部被上述粘接层覆盖(第3构成)。
根据第3构成，有机膜与闪烁器接触，因此能够促进闪烁器的晶体生长。另外，有机膜的端部被粘接层覆盖，因此，即使水分从第1平坦化膜的表面进入，水分也不易经由有机膜进入闪烁器。
在第1到第3构成中的任意一个构成中可以是，上述有源矩阵基板在上述像素区域和上述像素区域的外侧还具备第2无机膜，上述第2无机膜设置于上述第1平坦化膜中的与上述第1无机膜相反的一侧的面，上述第2无机膜从上述像素区域连续设置到上述像素区域的外侧为止(第4构成)。
根据第4构成，在第1平坦化膜中的与第1无机膜相反的一侧的面上设置有第2无机膜，第2无机膜从像素区域连续到像素区域的外侧。即，第1平坦化膜设置于第1无机膜与第2无机膜之间，第2无机膜无缝地配置于从像素区域直至像素区域的外侧为止的范围。第2无机膜与第1平坦化膜相比，防湿性较高。因而，水分不易经由第1无机膜向闪烁器侵入，水分不易经由第2无机膜向像素区域侵入。
在第4构成中可以是，上述有源矩阵基板在上述像素区域和上述像素区域的外侧还具备第2平坦化膜，上述第2平坦化膜相对于上述第2无机膜设置于与上述第1平坦化膜相反的一侧，包括感光性树脂膜，上述第2平坦化膜覆盖上述像素区域中的各像素的光电转换元件(第5构成)。
根据第5构成，即使水分至少渗透到第1平坦化膜，水分也不易经由第2无机膜侵入第2平坦化膜，水分也不易进入像素区域的光电转换元件。
在第5构成中可以是，上述有源矩阵基板还具备：配线，其设置于上述多个像素的每一个像素；以及金属膜，其在上述像素区域的外侧设置于上述第2无机膜与上述第2平坦化膜之间，上述金属膜经由接触孔与上述配线连接(第6构成)。
根据第6构成，在像素区域的外侧设置于第2无机膜和第2平坦化膜之间的金属膜与设置于像素区域的配线经由接触孔连接。因此，能够将像素区域的配线经由金属膜延伸设置到像素区域的外侧。
在第6构成中可以是，上述配线在上述像素区域中设置于上述第2无机膜与上述第2平坦化膜之间，与各像素的上述光电转换元件连接(第7构成)。
根据第7构成，能够将希望的电压从像素区域的外侧经由配线提供给光电转换元件。
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。针对图中相同或相当的部分附上同一附图标记，省略其说明。
(构成)
图1是表示应用了本实施方式的摄像面板的X射线摄像装置的示意图。X射线摄像装置100具备摄像面板1和控制部2，摄像面板1具备有源矩阵基板1a和闪烁器1b。
控制部2包括栅极控制部2A和信号读出部2B。从X射线源3对被摄体S照射X射线。透射过被摄体S的X射线在配置于有源矩阵基板1a的上部的闪烁器1b中被转换为荧光(以下称为闪烁光)。X射线摄像装置100通过摄像面板1和控制部2拍摄闪烁光，从而取得X射线图像。
图2是表示有源矩阵基板1a的概略构成的示意图。如图2所示，在有源矩阵基板1a中形成有多个源极配线10、以及与多个源极配线10交叉的多个栅极配线11。栅极配线11与栅极控制部2A连接，源极配线10与信号读出部2B连接。
有源矩阵基板1a在源极配线10与栅极配线11交叉的位置具有与源极配线10和栅极配线11连接的TFT13。另外，在被源极配线10和栅极配线11包围的区域(以下称为像素)中设置有光电二极管12。在像素中，将透射过被摄体S的X射线转换而成的闪烁光由光电二极管12转换为与其光量相应的电荷。
有源矩阵基板1a的各栅极配线11通过栅极控制部2A依次切换为选择状态，与选择状态的栅极配线11连接的TFT13成为导通状态。当TFT13成为导通状态时，与通过光电二极管12转换后的电荷相应的信号经由源极配线10输出到信号读出部2B。
图3是将图2所示的有源矩阵基板1a的一部分像素放大后的俯视图。
如图3所示，在被栅极配线11和源极配线10包围的像素P1中具有光电二极管12和TFT13。
光电二极管12具有一对电极和设置在一对电极之间的光电转换层。TFT13具有：栅极电极13a，其与栅极配线11一体化；半导体活性层13b；源极电极13c，其与源极配线10一体化；以及漏极电极13d。光电二极管12中的一个电极经由接触孔CH1与漏极电极13d连接。
此外，栅极电极13a和源极电极13c也可以不是与栅极配线11或源极配线10分别一体化的。也可以将栅极电极13a和栅极配线11设置于相互不同的层，栅极配线11与栅极电极13a经由接触孔连接。另外，也可以将源极电极13c和源极配线10设置于相互不同的层，源极配线10与源极电极13c经由接触孔连接。通过这样构成，能够将栅极配线11和源极配线10低电阻化。
另外，以与光电二极管12在像素内重叠的方式配置偏置配线16，偏置配线16经由接触孔CH2与光电二极管12连接。偏置配线16对光电二极管12供应偏置电压。
在此，说明像素P1的A-A线的截面结构。图4A是图3的像素P1的A-A线的截面图。如图4A所示，在基板101上形成有栅极电极13a和栅极绝缘膜102，栅极电极13a与栅极配线11(参照图3)一体化。基板101是具有绝缘性的基板，例如包括玻璃基板等。
栅极电极13a和栅极配线11在该例中可以是从下层开始按顺序层叠有钨(W)、钽(Ta)的金属膜，并且膜厚构成为100nm以上、1000nm以下的程度。此外，栅极电极13a和栅极配线11不限于两层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成，材料和膜厚不限于此。
栅极绝缘膜102覆盖栅极电极13a。栅极绝缘膜102在该例中具有层叠了两层无机绝缘膜的层叠结构。两层无机绝缘膜可以是从下层开始按顺序由包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)的无机绝缘膜构成。优选栅极绝缘膜102的膜厚是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，栅极绝缘膜102不限于两层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成。另外，栅极绝缘膜102的材料和膜厚不限于上述内容。
半导体活性层13b以及与半导体活性层13b连接的源极电极13c及漏极电极13d隔着栅极绝缘膜102设置于栅极电极13a上。
半导体活性层13b形成为与栅极绝缘膜102接触。半导体活性层13b包括氧化物半导体。氧化物半导体可以使用例如按规定的比率含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的非晶氧化物半导体等。在该情况下，优选半导体活性层13b的膜厚例如是100nm程度。不过，半导体活性层13b的材料和膜厚不限于上述内容。
源极电极13c和漏极电极13d配置成在栅极绝缘膜102之上与半导体活性层13b的一部分接触。在该例中，源极电极13c与源极配线10(参照图3)一体地形成。源极电极13c和漏极电极13d具有层叠有3个金属膜的层叠结构。三层金属膜可以是从下层开始按顺序由包括钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)的金属膜构成。在该情况下，优选源极电极13c和漏极电极13d的膜厚例如是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，源极电极13c和漏极电极13d不限于三层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成。另外，源极电极13c和漏极电极13d的材料和膜厚不限于上述内容。
在栅极绝缘膜102之上，以与源极电极13c和漏极电极13d重叠的方式设置有第1绝缘膜103。第1绝缘膜103在漏极电极13d之上具有接触孔CH1。在该例中，第1绝缘膜103具有层叠有两个无机绝缘膜的层叠结构。两层无机绝缘膜可以是从下层开始按顺序由包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)的无机绝缘膜构成。在该情况下，优选第1绝缘膜103的膜厚是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，第1绝缘膜103不限于两层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成。此外，在用单层构成第1绝缘膜103的情况下，仅包括氧化硅(SiO2)。另外，第1绝缘膜103的材料和膜厚不限于上述内容。
在第1绝缘膜103之上设置有光电二极管12的一个电极(以下称为下部电极)14a和第2绝缘膜105。下部电极14a经由接触孔CH1与漏极电极13d连接。
下部电极14a在该例中具有层叠了3个金属膜的层叠结构。三层金属膜例如可以是从下层开始按顺序由包括钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)的金属膜构成。在该情况下，优选下部电极14a的膜厚是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，下部电极14a不限于三层结构，也可以由单层或两层以上的多层构成。另外，下部电极14a的材料和膜厚不限于上述内容。
在下部电极14a的上部设置有光电转换层15，下部电极14a与光电转换层15连接。
光电转换层15是按顺序层叠n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152以及p型非晶质半导体层153而构成的。
n型非晶质半导体层151包括掺杂了n型杂质(例如磷)的非晶硅。
本征非晶质半导体层152包括本征的非晶硅。本征非晶质半导体层152以与n型非晶质半导体层151接触的方式形成。
p型非晶质半导体层153包括掺杂了p型杂质(例如硼)的非晶硅。p型非晶质半导体层153以与本征非晶质半导体层152接触的方式形成。
在该例中，优选n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152以及p型非晶质半导体层153的膜厚分别例如是1nm以上、100nm以下的程度；500nm以上、2000nm以下的程度；1nm以上、100nm以下的程度。此外，n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152以及p型非晶质半导体层153的掺杂剂和膜厚不限于上述内容。
在p型非晶质半导体层153之上设置有光电二极管12的另一个电极(以下称为上部电极)14b。上部电极14b例如由包括ITO(Indium TinOxide：铟锡氧化物)的透明导电膜构成。在该情况下，优选上部电极14b的膜厚例如是10nm以上、100nm以下的程度。不过，上部电极14b的材料和膜厚不限于此。
在第1绝缘膜103、下部电极14a以及上部电极14b上设置有第2绝缘膜105，在第2绝缘膜105上设置有第3绝缘膜106。在上部电极14b上形成有将第2绝缘膜105和第3绝缘膜106贯通的接触孔CH2。
在该例中，第2绝缘膜105由包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)的无机绝缘膜构成。在该情况下，优选第2绝缘膜105的膜厚例如是100nm以上、1000nm以下的程度。不过，第2绝缘膜105的材料和膜厚不限于上述内容。
另外，第3绝缘膜106(第2平坦化膜)是包括感光性树脂的平坦化膜，优选膜厚例如是1.0μm以上、3.0μm以下的程度。不过，第3绝缘膜106的材料和膜厚不限于上述内容。
在第3绝缘膜106之上设置有偏置配线16，在接触孔CH2中，偏置配线16与上部电极14b连接。偏置配线16连接到控制部2(参照图1)。偏置配线16将从控制部2输入的偏置电压施加到上部电极14b。
在该例中，偏置配线16具有在下层层叠了金属层并在上层层叠了透明导电层的层叠结构。可以是，金属层例如由层叠了钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)的层叠膜构成，透明导电层例如由ITO构成。优选偏置配线16的膜厚是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，偏置配线16也可以由单层或两层以上的多层构成。另外，偏置配线16的材料和膜厚不限于上述内容。
在第3绝缘膜106上设置有覆盖偏置配线16的第4绝缘膜107(第2无机膜)。在该例中，第4绝缘膜107例如可以由包括氮化硅(SiNx)的无机绝缘膜构成，优选膜厚例如是100nm以上、1000nm以下的程度。此外，第4绝缘膜107不限于包括1个无机绝缘膜的单层结构，也可以具有层叠了多个无机绝缘膜的层叠结构。另外，第4绝缘膜107的材料和膜厚不限于上述内容。
以覆盖第4绝缘膜107的方式设置有第5绝缘膜108(第1平坦化膜)。第5绝缘膜108是包括感光性树脂的平坦化膜，优选膜厚例如是1.0μm以上、10.0μm程度。不过，第5绝缘膜108的材料和膜厚不限于上述内容。
一个像素P1在有源矩阵基板1a中的截面结构是如上所示的结构。此外，在摄像面板1中，在有源矩阵基板1a之上设置有闪烁器1b。图4B是表示摄像面板1的像素区域的截面结构的截面图。如图4B所示，在有源矩阵基板1a的上部，以覆盖第5绝缘膜108的方式设置有闪烁器1b，以覆盖闪烁器1b的方式设置有经由粘接层211与闪烁器1b粘接的防湿材料212。粘接层211例如包括光固化树脂、热固化树脂、或热熔树脂等，具有防湿效果。防湿材料212包括例如具有防湿性的有机膜。
下面，针对摄像面板1的比整个像素区域靠外侧、即摄像面板1的端部区域的结构进行说明。图5A是摄像面板1的概略俯视图，图5B是图5A所示的B-B线的截面图，是将有源矩阵基板1a的一边的端部区域P2的一部分放大后的截面图。
在图5A、图5B中，对与图4B相同的构成附上与图4B相同的附图标记。以下，具体地说明端部区域P2的结构。此外，在图5B中，为了方便，示出了有源矩阵基板1a的一边的端部区域的截面，但其它3边的端部区域也与图5B同样地构成。
如图5B所示，在端部区域P2中，在基板101上设置有栅极层130，栅极层130设置于与栅极电极13a相同的层，并包括与栅极电极13a相同的材料，在栅极层130上设置有栅极绝缘膜102。另外，在栅极绝缘膜102上设置有源极层131，源极层131设置于与源极电极13c和漏极电极13d相同的层，并包括与源极电极13c和漏极电极13d相同的材料。
此外，栅极层130也可以经由接触孔(省略图示)与设置于有源矩阵基板1a的像素区域的外侧的栅极端子(省略图示)连接。另外，源极层131也可以经由接触孔(省略图示)与设置于有源矩阵基板1a的像素区域的外侧的源极端子(省略图示)连接。
在源极层131上设置有第1绝缘膜103，在第1绝缘膜103上设置有第2绝缘膜105，在第2绝缘膜105上设置有第3绝缘膜106。
在第3绝缘膜106上设置有偏置配线层160，偏置配线层160设置于与偏置配线16相同的层，并包括与偏置配线16相同的材料。
偏置配线层160与设置于有源矩阵基板1a的像素区域的外侧的端子(省略图示)经由接触孔(省略图示)连接。偏置配线16和偏置配线层160经由形成于像素区域或像素区域的外侧的接触孔(省略图示)相互连接，输入到端子的偏置电压经由偏置配线层160提供给偏置配线16。
此外，栅极层130、源极层131、偏置配线层160各自也可以从像素区域P1连续形成到端部区域P2为止。另外，也可以在像素区域P1的外侧，将设置于与栅极配线11、源极配线10、偏置配线16各自不同的层的金属膜和这些配线经由接触孔连接。
在偏置配线层160上设置有第4绝缘膜107。在第4绝缘膜107上设置有第5绝缘膜108。在第5绝缘膜108上设置有覆盖第5绝缘膜108的第6绝缘膜109(第1无机膜)。
第6绝缘膜109由包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)的无机绝缘膜构成。此外，第6绝缘膜109既可以是包括1个无机绝缘膜的单层结构，也可以具有层叠了多个无机绝缘膜的层叠结构。
此外，在该例中，第6绝缘膜109没有设置于像素区域P1，而在端部区域P2中以覆盖第5绝缘膜108的表面的方式仅设置于端部区域P2。但是也可以是，如图6所示，在像素P1中也以覆盖第5绝缘膜108的方式设置有第6绝缘膜109，第6绝缘膜109从像素P1连续设置到端部区域P2为止。
在像素P1中覆盖偏置配线16部分的第4绝缘膜107与第3绝缘膜106上的第4绝缘膜107相比膜厚较薄，或者第4绝缘膜107易于缺损。当水分从第5绝缘膜108侵入时，偏置配线16有时也会腐蚀，水分易于从偏置配线16的腐蚀部分或第4绝缘膜107的缺损部分向光电二极管12或TFT13进入。但是，如图6所示，像素P1中的第5绝缘膜108的表面被第6绝缘膜109覆盖，由此，水分不易侵入第5绝缘膜108。其结果是，即使在覆盖偏置配线16部分的第4绝缘膜107中存在膜厚较薄的部分或缺损部分，也能够抑制偏置配线16的腐蚀、水分向光电二极管12或TFT13的侵入。
在第6绝缘膜109之上设置有闪烁器1b，在闪烁器1b之上设置有经由粘接层211与闪烁器1b粘接的防湿材料212。
如图5B所示，第6绝缘膜109在端部区域P2中以俯视时与闪烁器1b、粘接层211以及防湿材料212重叠的方式设置在第5绝缘膜108与闪烁器1b之间。作为无机绝缘膜的第6绝缘膜109与作为有机绝缘膜的第5绝缘膜108相比，吸湿性较低。因此，通过以与闪烁器1b、粘接层211以及防湿材料212重叠的方式设置第6绝缘膜109，即使水分从第5绝缘膜108的端部进入，水分也不易经由第6绝缘膜109侵入闪烁器1b。
另外，在端部区域P2中，在偏置配线层160上设置有作为无机绝缘膜的第4绝缘膜107。因此，即使水分从第5绝缘膜108的端部进入，水分也不易经由第4绝缘膜107渗透到设置在比第4绝缘膜107靠下层的第3绝缘膜106，能够抑制水分向设置于像素区域P1的光电二极管12或TFT13的侵入。
(X射线摄像装置100的动作)
在此，预先说明图1所示的X射线摄像装置100的动作。首先，从X射线源3照射X射线。此时，控制部2对偏置配线16(参照图3等)施加规定的电压(偏置电压)。从X射线源3照射的X射线透射过被摄体S并向闪烁器1b入射。入射到闪烁器1b的X射线被转换为荧光(闪烁光)，闪烁光向有源矩阵基板1a入射。当闪烁光入射到在有源矩阵基板1a的各像素中设置的光电二极管12时，通过光电二极管12变化为与闪烁光的光量相应的电荷。与由光电二极管12转换后的电荷相应的信号在TFT13(参照图3等)根据从栅极控制部2A经由栅极配线11输出的栅极电压(正的电压)而成为了导通(ON)状态时，通过源极配线10被信号读出部2B(参照图2等)读出。然后，在控制部2中生成与所读出的信号相应的X射线图像。
以上说明了本发明的实施方式，但是上述的实施方式不过是用于实施本发明的例示。因而，本发明不限于上述的实施方式，能够在不脱离其宗旨的范围内将上述的实施方式适当地变形后实施。
(1)在上述的实施方式中，在端部区域P2中，以覆盖第5绝缘膜108上的整个面的方式配置有第6绝缘膜109，但也可以如图7A所示，在第5绝缘膜108上仅在与闪烁器1b重叠的区域中设置第6绝缘膜109。即使这样构成，在水分从第5绝缘膜108的表面进入的情况下，水分也不易经由第6绝缘膜109进入闪烁器1b。此外，也可以如图7B所示，第6绝缘膜109以第6绝缘膜109的端部的位置配置于闪烁器1b的边界与粘接层211的边界之间的方式设置。即，也可以在比设置有闪烁器1b的闪烁器区域的边界靠外侧的位置配置第6绝缘膜109的端部。
(2)另外，在上述的实施方式中，例如图5B所示的偏置配线层160、源极层131以及栅极层130的各金属层的侧端部的位置配置于与基板101的侧端部大致相同的位置，各金属层的侧端部不被绝缘膜覆盖。在该情况下，金属层与外部气体接触，因此，金属层有时会腐蚀，水分有时会进入有源矩阵基板1a。因此，也可以构成为，以各金属层的侧端部配置于比基板101的侧端部靠内侧的方式配置各金属层，用上层的绝缘膜覆盖该金属层的侧端部。即，在该情况下，用第4绝缘膜107覆盖偏置配线层160的包括侧端部在内的整个表面，用第1绝缘膜103覆盖源极层131的包括侧端部在内的整个表面，用栅极绝缘膜102覆盖栅极层130的包括侧端部在内的整个表面。
(3)在上述的实施方式中，说明了第6绝缘膜109与闪烁器1b及第5绝缘膜108接触的例子，如图8所示，本变形例的有源矩阵基板1a_1在闪烁器1b与第6绝缘膜109之间还具备包括感光性树脂材料的第7绝缘膜110(有机膜)。在该图中示出了端部区域P2，但在像素P1中也在第6绝缘膜109与闪烁器1b之间设置第7绝缘膜110。这样，在像素P1和端部区域P2中，第7绝缘膜110与闪烁器1b接触，由此，闪烁器1b的晶体生长得到促进，能够提高X射线的检测精度。
(4)在上述的实施方式和变形例中，第5绝缘膜108和第3绝缘膜106也可以包括正型或负型的感光性树脂材料。

Claims (7)

1.一种摄像面板，其特征在于，具备：
有源矩阵基板，其具有包含多个像素的像素区域，在上述多个像素的每一个像素中具备光电转换元件；
闪烁器，其设置于上述有源矩阵基板的表面，将X射线转换为闪烁光；
防湿材料，其覆盖上述闪烁器的整体；以及
粘接层，其将上述防湿材料与上述闪烁器及上述有源矩阵基板的表面之间粘接，
上述有源矩阵基板具备：
第1平坦化膜，其设置于上述像素区域和上述像素区域的外侧，包括感光性树脂膜；以及
第1无机膜，其至少在上述像素区域的外侧设置于上述第1平坦化膜与上述闪烁器之间，俯视时与设置有上述闪烁器的整个区域重叠，并且与上述第1平坦化膜接触，
在上述第1无机膜上，俯视时与上述闪烁器重叠的区域的外侧的至少一部分区域被上述粘接层覆盖。
2.根据权利要求1所述的摄像面板，
上述第1无机膜中的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面与上述闪烁器接触。
3.根据权利要求1所述的摄像面板，
上述有源矩阵基板
具备有机膜，上述有机膜接触上述第1无机膜中的与上述第1平坦化膜相反的一侧的面，并且与上述闪烁器接触，
上述有机膜的端部被上述粘接层覆盖。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的摄像面板，
上述有源矩阵基板
在上述像素区域和上述像素区域的外侧还具备第2无机膜，上述第2无机膜设置于上述第1平坦化膜中的与上述第1无机膜相反的一侧的面，
上述第2无机膜从上述像素区域连续设置到上述像素区域的外侧为止。
5.根据权利要求4所述的摄像面板，
上述有源矩阵基板
在上述像素区域和上述像素区域的外侧还具备第2平坦化膜，上述第2平坦化膜相对于上述第2无机膜设置于与上述第1平坦化膜相反的一侧，包括感光性树脂膜，
上述第2平坦化膜覆盖上述像素区域中的各像素的光电转换元件。
6.根据权利要求5所述的摄像面板，
上述有源矩阵基板还具备：
配线，其设置于上述多个像素的每一个像素；以及
金属膜，其在上述像素区域的外侧设置于上述第2无机膜与上述第2平坦化膜之间，
上述金属膜经由接触孔与上述配线连接。
7.根据权利要求6所述的摄像面板，
上述配线在上述像素区域中设置于上述第2无机膜与上述第2平坦化膜之间，与各像素的上述光电转换元件连接。
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