JP2017015428A - 放射線検出器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】熱応力の低減を図ることができる放射線検出器及びその製造方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る放射線検出器は、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた複数の光電変換素子と、を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記基板の一方の面側に設けられ、前記シンチレータ層を囲む壁体と、前記シンチレータ層と、前記壁体と、の間に設けられた充填部と、前記シンチレータ層の上方を覆い、周縁部近傍が前記充填部の上面に接合され、エンボス状の応力吸収部を有する防湿体と、を備えている。【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、放射線検出器及びその製造方法に関する。

放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器においては、Ｘ線をシンチレータ層により可視光すなわち蛍光に変換し、この蛍光をアモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)フォトダイオード、あるいはＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの光電変換素子を用いて信号電荷に変換することでＸ線画像を取得している。
また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ層の上に反射層をさらに設ける場合もある。
ここで、水蒸気などに起因する解像度特性の劣化を抑制するために、シンチレータ層と反射層は、外部雰囲気から隔離する必要がある。特に、シンチレータ層が、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）：Ｔｌ（タリウム）やＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム）などからなる場合には、湿度などによる解像度特性の劣化が大きくなるおそれがある。
そのため、高い防湿性能を得られる構造として、シンチレータ層と反射層をハット形状の防湿体で覆い、防湿体のつば（鍔）部を基板と接着する技術が提案されている。
また、シンチレータ層が設けられる領域を囲む枠状の壁体を基板上に設け、シンチレータ層および反射層を覆う平板状の防湿体の周縁領域を壁体の上面に接着する技術も提案されている。
ここで、防湿体はアルミニウムなどの金属から形成されている。基板はガラスなどから形成されている。壁体は樹脂などから形成されている。
そのため、放射線検出器が設けられた環境の温度が変化すると、防湿体と基板との間に、熱膨張係数の違いに起因する熱応力が発生する。
発生する熱応力が大きくなると、防湿体が剥離するおそれがある。
そこで、防湿体に熱膨張量の差を吸収する吸収部を設ける技術が提案されている。
ここで、防湿体と壁体との間において発生した熱応力によるモーメントは、壁体の下面と基板との接合部分に作用する。
この場合、防湿体を基板に直接接着する場合に比べて、ほぼ壁体の高さ寸法の分だけ熱応力に起因するモーメントが大きくなる。
そのため、壁体を設ける場合には、熱応力のさらなる低減を図ることが望まれていた。

特開２０１０−２１０５８０号公報

本発明が解決しようとする課題は、熱応力の低減を図ることができる放射線検出器及びその製造方法を提供することである。

実施形態に係る放射線検出器は、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた複数の光電変換素子と、を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記基板の一方の面側に設けられ、前記シンチレータ層を囲む壁体と、前記シンチレータ層と、前記壁体と、の間に設けられた充填部と、前記シンチレータ層の上方を覆い、周縁部近傍が前記充填部の上面に接合され、エンボス状の応力吸収部を有する防湿体と、を備えている。

第１の実施形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。 Ｘ線検出器１の模式断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、防湿体７を例示するための模式図である。 他の実施形態に係る吸収部を例示するための模式平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、応力吸収部７ｂが弾性変形する様子を例示するための模式断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る応力吸収部１７ｂを例示するための模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、応力吸収部の断面形状について例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係る防湿体２７を備えたＸ線検出器１ａの模式断面図である。 （ａ）は、防湿体２７の模式正面図である。（ｂ）は、防湿体２７の模式側面図である。 他の実施形態に係る防湿体３７を備えたＸ線検出器１ｂの模式断面図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係るＸ線検出器１について例示をする。
図１は、第１の実施形態に係るＸ線検出器１を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図１においては、反射層６、防湿体７、充填部８、壁体９、接合層１０などを省いて描いている。
図２は、Ｘ線検出器１の模式断面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図２においては、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、信号処理部３、画像伝送部４などを省いて描いている。
放射線検出器であるＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができる。ただし、Ｘ線検出器１の用途は、一般医療用途に限定されるわけではない。

図１および図２に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４、シンチレータ層５、反射層６、防湿体７、充填部８、壁体９、および接合層１０が設けられている。
アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、および保護層２ｆを有する。

基板２ａは、板状を呈し、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部２ｂは、矩形状を呈し、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とで画された領域に設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。
なお、１つの光電変換部２ｂは、１つの画素（pixel）に対応する。

光電変換部２ｂには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）２ｂ２が設けられている。
また、光電変換部２ｂには、光電変換素子２ｂ１において変換した信号電荷を蓄積する図示しない蓄積キャパシタを設けることができる。図示しない蓄積キャパシタは、例えば、矩形平板状を呈し、薄膜トランジスタ２ｂ２の下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が図示しない蓄積キャパシタを兼ねることができる。

光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蛍光が光電変換素子２ｂ１に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ２ｂ２は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料を含むものとすることができる。薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極は、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極は、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極は、対応する光電変換素子２ｂ１と図示しない蓄積キャパシタとに電気的に接続される。

制御ライン２ｃ１は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、第１の方向（例えば、行方向）に延びている。
複数の制御ライン２ｃ１は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ１とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた図示しない制御回路とそれぞれ電気的に接続されている。

データライン２ｃ２は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、第１の方向に直交する第２の方向（例えば、列方向）に延びている。
複数のデータライン２ｃ２は、基板２ａの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド２ｄ２とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた図示しない増幅・変換回路とそれぞれ電気的に接続されている。
保護層２ｆは、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、およびデータライン２ｃ２を覆うように設けられている。
保護層２ｆは、窒化ケイ素（ＳｉＮ）やアクリル系樹脂などの絶縁性材料から形成することができる。

信号処理部３は、基板２ａの、光電変換部２ｂが設けられる側とは反対側に設けられている。
信号処理部３には、図示しない制御回路と、図示しない増幅・変換回路とが設けられている。
図示しない制御回路は、各薄膜トランジスタ２ｂ２の動作、すなわちオン状態およびオフ状態を制御する。例えば、図示しない制御回路は、フレキシブルプリント基板２ｅ１と配線パッド２ｄ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次印加する。制御ライン２ｃ１に印加された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２が受信できるようになる。

図示しない増幅・変換回路は、例えば、複数の電荷増幅器、並列／直列変換器、およびアナログ−デジタル変換器を有している。
複数の電荷増幅器は、各データライン２ｃ２にそれぞれ電気的に接続されている。
複数の並列／直列変換器は、複数の電荷増幅器にそれぞれ電気的に接続されている。
複数のアナログ−デジタル変換器は、複数の並列／直列変換器にそれぞれ電気的に接続されている。
図示しない複数の電荷増幅器は、データライン２ｃ２と配線パッド２ｄ２とフレキシブルプリント基板２ｅ２とを介して、各光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順次受信する。

そして、図示しない複数の電荷増幅器は、受信した画像データ信号Ｓ２を順次増幅する。
図示しない複数の並列／直列変換器は、増幅された画像データ信号Ｓ２を順次直列信号に変換する。
図示しない複数のアナログ−デジタル変換器は、直列信号に変換された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順次変換する。

画像伝送部４は、配線４ａを介して、信号処理部３の図示しない増幅・変換回路と電気的に接続されている。なお、画像伝送部４は、信号処理部３と一体化されていてもよい。
画像伝送部４は、図示しない複数のアナログ−デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいて、Ｘ線画像を構成する。構成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。

シンチレータ層５は、複数の光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射するＸ線を可視光すなわち蛍光に変換する。
シンチレータ層５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。

シンチレータ層５は、柱状結晶の集合体となっている。
柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層５は、例えば、真空蒸着法などを用いて形成することができる。
シンチレータ層５の厚み寸法は、例えば、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱（ピラー）の太さ寸法は、例えば、最表面で８μｍ〜１２μｍ程度とすることができる。

また、シンチレータ層５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、例えば、以下のようにしてシンチレータ層５を形成することができる。まず、酸硫化ガドリニウムからなる粒子をバインダ材と混合する。次に、混合された材料を、基板２ａ上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域を覆うように塗布する。次に、塗布された材料を焼成する。次に、ブレードダイシング法などを用いて、焼成された材料に溝部を形成する。この際、複数の光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ層５が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。溝部には、大気（空気）、あるいは酸化防止用の窒素ガスなどの不活性ガスが満たされるようにすることができる。また、溝部が真空状態となるようにしてもよい。

反射層６は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、反射層６は、シンチレータ層５において生じた蛍光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。

反射層６は、シンチレータ層５のＸ線の入射側を覆っている。
反射層６は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ層５上に塗布することで形成することができる。また、反射層６は、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで形成することもできる。
また、反射層６は、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる板を用いて形成することもできる。

なお、図２に例示をした反射層６は、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５のＸ線の入射側に塗布し、これを乾燥させることで形成したものである。
この場合、反射層６の厚み寸法は、１２０μｍ程度とすることができる。
なお、反射層６は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて設けるようにすればよい。
以下においては、反射層６が設けられる場合を例示する。

防湿体７は、空気中に含まれる水蒸気により、反射層６の特性やシンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。
防湿体７は、反射層６の上方を覆っている。この場合、防湿体７と反射層６の上面との間に隙間があってもよいし、防湿体７と反射層６の上面が接触するようにしてもよい。
例えば、大気圧よりも減圧された環境において、防湿体７と、充填部８および壁体９の少なくともいずれかの上面とを接合すれば、大気圧により防湿体７と反射層６の上面が接触する。

防湿体７は、シンチレータ層５の上方を覆い、周縁部近傍が充填部８および壁体９の少なくともいずれかの上面に接合されている。
防湿体７の端面７ａの位置は、平面視において、有効画素エリアＡよりは外側であれば特に限定はない。防湿体７の端面７ａの位置は、壁体９の内面９ａよりは外側であってもよいし、内面９ａと同程度の位置であってもよいし、内面９ａよりは内側であってもよい。
この場合、平面視において、防湿体７の端面７ａの位置が、壁体９の内面９ａより外側になるようにすれば、充填部８の上面と防湿体７との封止性および信頼性を向上させることができる。

防湿体７は、透湿係数の小さい材料から形成することができる。
防湿体７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、あるいは、樹脂膜と無機材料（アルミニウムやアルミニウム合金などの金属、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３などのセラミック系材料）からなる膜とが積層された低透湿防湿膜（水蒸気バリアフィルム）などから形成することができる。

この場合、実効的な透湿係数がほとんどゼロであるアルミニウムやアルミニウム合金などを用いて防湿体７を形成すれば、防湿体７を透過する水蒸気をほぼ完全になくすことができる。
また、アルミニウムやアルミニウム合金などを用いて防湿体７を形成すれば、充填部８および壁体９の少なくともいずれかとの密着性、基板２ａの熱膨張係数との差の縮小、Ｘ線の吸収率の低減、応力吸収部７ｂの加工性の向上、および低コスト化などを図ることができる。

また、防湿体７の厚み寸法は、Ｘ線の吸収、剛性、防湿性能などを考慮して決定することができる。この場合、防湿体７の厚み寸法が大きくなりすぎると、Ｘ線の吸収が大きくなったり、応力吸収部７ｂの加工性が悪くなったり、熱応力が大きくなったり、材料費が増大したりする。防湿体７の厚み寸法を小さくしすぎると剛性が低下して破損しやすくなる。
防湿体７は、例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔またはアルミニウム合金箔を用いて形成することができる。

また、樹脂膜と無機材料からなる膜とが積層された低透湿防湿膜を用いて防湿体７を形成すれば、環境温度の変化（冷熱の繰り返し）により防湿体７にしわが発生するのを抑制することができる。

充填部８および枠体９を設ける様にすれば、防湿体７を基板２ａに直接接着する場合に比べて、ほぼ充填部８および枠体９の高さ寸法の分だけ熱応力に起因するモーメントが大きくなる。
この大きなモーメントにより、例えば、壁体９と基板２ａとの接着界面の剥離や、壁体９と接合層１０との接着界面の剥離や、接合層１０や充填部８と防湿体との界面の剥離などが引き起こされやすくなる。
そこで、このモーメントの値を低減させるため、防湿体７には、基板２ａと防湿体７との間における熱膨張量の差を吸収する応力吸収部７ｂを設けるようにしている。
なお、応力吸収部７ｂに関する詳細は後述する。

充填部８は、反射層６により覆われたシンチレータ層５の側面と、壁体９の内面９ａとの間に設けられている。充填部８の一部は、壁体９の内面９ａより外側の壁体９の上に乗り上げてもよい。
充填部８の上面の位置は、反射層６により覆われたシンチレータ層５の上面の位置と同程度とすることができる。
この場合、充填部８の上面の位置は、反射層６により覆われたシンチレータ層５の上面の位置と同じであってもよいし、反射層６により覆われたシンチレータ層５の上面の位置より少し高くてもよいし、反射層６により覆われたシンチレータ層５の上面の位置より少し低くてもよい。
ただし、充填部８の上面の位置が、壁体９の上面の位置より少し低くなるようにすれば、後述する充填を行う際に、充填部８を形成するための材料が壁体９の上面を超えて顕著にあふれ出ないようにすることができる。

充填部８の材料は、透湿係数が低いものとすることができる。
充填部８は、例えば、無機材料からなるフィラー材と、樹脂（例えば、エポキシ系樹脂など）を含む。
フィラー材は、例えば、タルク（滑石：Ｍｇ_３Ｓｉ_４Ｏ_１０（ＯＨ）_２）などから形成されたものとすることができる。
タルクは、低硬度の無機材質であり、滑り性が高い。そのため、タルクを高い濃度で含有させても、充填部８の形状変形が困難となることがない。

タルクからなるフィラー材の粒径が、数μｍから数十μｍ程度となるようにすれば、タルクの濃度（充填密度）を高めることができる。
タルクの濃度を高めれば、樹脂のみの場合と比較して透湿係数を１ケタ程度低くすることができる。

ここで、反射層６にも無機材料である酸化チタンが含まれている。
しかしながら、反射層６に含まれる無機材料は、光散乱性を向上させるためのものである。

この場合、光散乱性は、無機材料の種類（屈折率、透明性、および安定性など）、粒径（例えば、平均粒径は０．３μｍ程度が望ましい）、無機材料とバインダ樹脂との比率、溶媒の種類、および溶媒の含有率などにより適正化することができる。
一方、充填部８に含まれる無機材料は、透湿量を少なくするためのものである。そのため、無機材料の濃度を余り低くしすぎると、透湿量が多くなって、解像度特性が劣化するおそれがある。
この場合、充填部８に含まれる無機材料の濃度は、樹脂との間に隙間を生じたり、充填後の乾燥でクラックを生じたり、また充填部８の形成時に必要な流動性を損なわない（充填部８に隙間が生じ難い）範囲で、高くすることが好ましい。
例えば、充填部８に含まれるタルクからなるフィラー材の濃度は、５０重量％以上とすることができる。

また、充填部８は、吸湿材と、樹脂（例えば、エポキシ系樹脂など）を含むものとすることもできる。
例えば、充填部８を形成するための材料は、吸湿材である塩化カルシウムと、バインダ樹脂（例えば、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂など）と、溶媒を混合して作成したものとすることができる。
この場合、例えば、密度が２．１ｇ／ｃｃ程度、単位重量当たりの吸湿容量が２７％程度、粘度が室温で１２０Ｐａ・ｓｅｃ程度以下となるようにすることができる。
また、エポキシ化亜麻仁油などのエポキシ化植物油をさらに加えて、可撓性を有する充填部８が形成されるようにすることができる。
可撓性を有する充填部８とすれば、その柔軟性により、温度変化と部材間の熱膨張率差に起因する熱応力で充填部８が剥がれるのを抑制することができる。

充填部８の上面は、平坦であることが好ましい。
充填部８の上面が平坦であれば、充填部８の上面と防湿体７との封止性を確保し、且つ高い信頼性を得ることができる。
この場合、充填部８を形成するための材料の粘度を低めにすることで、充填部８の上面が平坦となるようにすることができる。
例えば、充填部８を形成するための材料の粘度が、室温で１２０Ｐａ・ｓｅｃ程度以下となるようにすればよい。

例えば、以下の様にして充填部８を形成することができる。
まず、枠体９を先に形成する。
次に、充填部８を形成するための材料を、枠体９と、反射層６で覆われたシンチレータ層５の側面との間の隙間に充填する。
次に、充填した材料を硬化させて充填部８を形成する。
また、壁体９は、例えば、アルミニウムなどの金属やガラスなどの無機材料から形成することもできる。

壁体９は、枠状を呈している。壁体９は、平面視において、シンチレータ層５よりは外側であって、配線パッド２ｄ１、２ｄ２が設けられる領域よりは内側に設けられている。 この場合、壁体９が、配線パッド２ｄ１、２ｄ２が設けられる領域の近傍に設けられるようにすれば、充填部８の上面の面積を大きくすることができる。そのため、充填部８の上面と防湿体７との封止性および信頼性を向上させることができる。

壁体９を形成するための材料は、透湿係数が低いものとすることができる。
壁体９を形成するための材料は、充填部８を形成するための材料と同様とすることができる。
ただし、壁体９を形成するための材料の粘度は、充填部８を形成するための材料の粘度よりも高くなっている。
壁体９を形成するための材料の粘度は、例えば、室温で３４０Ｐａ・ｓｅｃ程度となるようにすることができる。

接合層１０は、防湿体７と、充填部８の上面との間に設けられ、防湿体７の周縁近傍と充填部８とを接合している。
接合層１０は、充填部８の上部にのみ限定して形成する必要はない。例えば、接合層１０は、充填部８の外側の壁体９の上部や、充填部８の内側の反射層６やシンチレータ層５の周縁上部にまで広がって形成されていても問題はない。
接合層１０は、例えば、遅延硬化型接着剤（紫外線照射後に一定の時間をおいて硬化反応が顕在化するＵＶ硬化型接着剤）、自然（常温）硬化型接着剤、および加熱硬化型接着剤のいずれかが硬化することで形成されたものとすることができる。

次に、応力吸収部７ｂを有する防湿体７についてさらに説明する。
図３（ａ）、（ｂ）は、防湿体７を例示するための模式図である。
なお、図３（ａ）は、防湿体７の模式平面図である。
図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＡ−Ａ線断面の模式拡大図である。
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、防湿体７は、箔状または薄板状を呈したものとすることができる。防湿体７の平面形状は、四隅に丸みを有する四角形とすることができる。

図３（ｂ）に示すように、応力吸収部７ｂのシンチレータ層５側とは反対側の面（Ｘ線が入射する側の面）７ｂ１は、防湿体７のシンチレータ層５側とは反対側の面７ｃから突出している。
また、応力吸収部７ｂのシンチレータ層５側の面７ｂ２は、防湿体７のシンチレータ層５側の面７ｄから面７ｂ１と同じ方向に突出している。
応力吸収部７ｂの肉厚寸法は、防湿体７の応力吸収部７ｂ以外の部分の肉厚寸法Ｔとほぼ同じとなっている。
すなわち、応力吸収部７ｂは、防湿体７の一方の面７ｃの一部が凸状に形成され、面７ｃが凸状に形成された部分において、防湿体７の他方の面７ｄが凹状に形成されたものである。
なお、以降においては、この様な応力吸収部７ｂの形態を「エンボス状」と称することにする。
応力吸収部７ｂは、例えば、アルミニウム箔やアルミニウム合金箔にプレス刻印金型によるプレス加工（エンボス加工）を施すことで形成することができる。
なお、樹脂膜と無機材料からなる膜とが積層された低透湿防湿膜であっても、プレス刻印金型によるプレス加工（エンボス加工）を施すことで応力吸収部７ｂを形成することができる。

図３（ａ）に示すように、応力吸収部７ｂの平面形状は、四角形の環状であって、四隅に丸みを有するものとすることができる。
この場合、応力吸収部７ｂの図心は、防湿体７の図心と同じ位置にあるものとすることができる。
また、応力吸収部７ｂの辺は、防湿体７の辺と平行となるようにすることができる。
応力吸収部７ｂの四隅の丸みの半径寸法は、防湿体７の四隅の丸みの半径寸法よりも大きくすることができる。
応力吸収部７ｂの高さ寸法Ｈは、防湿体７の応力吸収部７ｂ以外の部分の肉厚寸法Ｔよりも大きくすることができる。応力吸収部７ｂの高さ寸法Ｈは、例えば、０．５ｍｍ程度とすることができる。
応力吸収部７ｂの幅寸法Ｗには特に限定はない。応力吸収部７ｂの幅寸法Ｗは、発生する熱応力の大きさや、防湿体７の大きさなどに応じて適宜決定することができる。

図４は、他の実施形態に係る応力吸収部を例示するための模式平面図である。
図４に示すように、応力吸収部は複数設けることができる。
なお、図４においては、３つの応力吸収部７ｂ、７ｂａ、７ｂｂが設けられる場合を例示したが、応力吸収部の数は発生する熱応力の大きさや、防湿体７の大きさなどに応じて適宜変更することができる。
また、応力吸収部７ｂ、７ｂａ、７ｂｂのそれぞれの図心は、防湿体７の図心と同じ位置にあるものとすることができる。

また、応力吸収部７ｂ、７ｂａ、７ｂｂのそれぞれの辺は、防湿体７の辺と平行となるようにすることができる。
応力吸収部７ｂ、７ｂａ、７ｂｂのそれぞれの四隅の丸みの半径寸法は、防湿体７の四隅の丸みの半径寸法よりも長くすることができる。
応力吸収部７ｂ、７ｂａ、７ｂｂの高さ寸法Ｈは、防湿体７の応力吸収部７ｂ、７ｂａ、７ｂｂ以外の部分の肉厚寸法Ｔよりも長くすることができる。応力吸収部７ｂ、７ｂａ、７ｂｂの高さ寸法Ｈは、例えば、０．５ｍｍ程度とすることができる。

次に、応力吸収部７ｂの作用および効果について説明する。
基板２ａの材料となる無アルカリガラスの熱膨張係数は、室温で約４ｐｐｍ／ｄｅｇ程度である。
防湿体７の材料の一例であるアルミニウムの熱膨張係数は、室温で約２４ｐｐｍ／ｄｅｇ程度である。
そのため、熱膨張量の差により熱応力が発生し、防湿体７と基板２ａとの間に形成された防湿構造体に応力が加わる。
具体的には、防湿体７と接合層１０との界面、接合層１０と壁体９または充填部８との界面、壁体９または充填部８と基板２ａとの界面に応力が加わる。更には、これら界面に加わる応力により、壁体９、充填部８、および接合層１０など各要素の内部に対しても応力が加わる。

ここで、熱応力Ｆの大きさは、以下の近似式で表すことができる。
Ｆ＝Ｅ・Ｓ・（ΔＬ／Ｌ）＝Ｅ・Ｓ・（Ｌ・Δα・ΔＴ／Ｌ）＝Ｅ・Ｓ・Δα・ΔＴ
なお、ΔＴは温度差、Δαは熱膨張係数の差、Ｌは防湿体７の対辺間又は対角間の距離、ΔＬは防湿体７と基板２ａとの間の伸び量の差、Ｓは防湿体７の対辺間又は対角間における厚み方向の断面積、Ｅは防湿体７のヤング率などの剛性係数である。

この場合、熱応力Ｆの大きさの一例を計算すると以下の様になる。
例えば、防湿体７の材料をアルミニウム、厚み寸法Ｔを０．１ｍｍ、仮想的な幅寸法Ｗを１０ｍｍとして、幅寸法Ｗが１０ｍｍのアルミニウム材の長さＬ方向に働く熱応力を試算する。
壁体９および充填部８を室温（２０℃）の環境で形成し、Ｘ線検出器１を６０℃又は−２０℃（室温との温度差が４０℃の場合）の環境に置くものとする。
防湿体７の縦弾性係数（アルミニウムの縦弾性係数）Ｅは、７０ＫＮ／ｍｍ^２程度である。
防湿体７の対角間又は対辺間における厚み方向の断面積Ｓ（Ｔ×Ｗ）は、１０ｍｍ×０．１ｍｍ＝１ｍｍ^２となる。
無アルカリガラスと、アルミニウムとの熱膨張係数の差Δαは、約２０ｐｐｍ／ｄｅｇ程度である。
これらの値を前述した式に代入すると、熱応力Ｆの大きさは、約５６Ｎ（約５．７ｋｇｆ）となる。
すなわち、１０ｍｍ程度の狭い範囲に６ｋｇｆ近い熱応力Ｆが加わることになる。
熱応力Ｆによるモーメントの値は、熱応力Ｆに壁体９又は充填部８の高さ寸法を掛けることで求められる。
この場合、例えば、６ｋｇｆに０．８ｍｍを掛けるた値（４．８ｋｇｆ・ｍｍ程度）となり、熱応力Ｆによるモーメントは大きな値となる。
そのため、Ｘ線検出器１を環境温度の変化が繰り返される環境に置くと、壁体９、充填部８、および前述した界面に繰り返し大きな応力が加わることになる。そのため、接合部分が剥離したり、壁体９や充填部８などにクラックが生じたりするおそれがある。

そのため、本実施の形態に係る防湿体７は、熱膨張量の差を吸収する応力吸収部７ｂを有している。
図３（ｂ）に示すように、応力吸収部７ｂはエンボス状を呈している。
そのため、応力吸収部７ｂは弾性変形することができるので、熱膨張係数の差Δαに基づく熱膨張量の差を吸収することができる。
例えば、応力吸収部７ｂの肉厚寸法を０．１ｍｍ程度、応力吸収部７ｂの高さ寸法Ｈを０．３ｍｍ程度、応力吸収部７ｂの幅寸法を１０ｍｍ程度とする。この場合、応力吸収部７ｂの幅寸法の変化に対する弾性係数（変形弾性係数）Ｋは、防湿体７の縦弾性係数Ｅと比べて極めて小さい値となる。
小さい変形弾性係数Ｋを有する応力吸収部７ｂは撓みやすいので、防湿体７の縦弾性係数（アルミニウムの縦弾性係数）Ｅによる大きな応力Ｆ_０は、応力吸収部７ｂにより殆ど吸収される。
その結果、発生する熱応力を低減させることができる。

図５（ａ）〜（ｃ）は、応力吸収部７ｂが弾性変形する様子を例示するための模式断面図である。
なお、図５（ａ）は常温状態の場合、図５（ｂ）は高温状態の場合、図５（ｃ）は低温状態の場合を表している。
高温状態の場合には、熱膨張係数の差Δαにより防湿体７の膨張量が基板２ａに対して相対的に大きくなる。そのため、応力吸収部７ｂは、防湿体７と基板２ａとの接合部により押される。その結果、図５（ｃ）に示すように、応力吸収部７ｂは、図５（ａ）に示す常温状態の場合と比べてエンボス状の底辺側の幅が縮小されるように弾性変形する。
低温状態の場合には、熱膨張係数の差Δαにより防湿体７の収縮量が基板２ａに対して相対的に大きくなる。そのため、応力吸収部７ｂは、防湿体７と基板２ａとの接合部により引っ張られる。その結果、図５（ｂ）に示すように、応力吸収部７ｂは、図５（ａ）に示す常温状態の場合と比べてエンボス状の底辺側の幅が拡大されるように弾性変形する。
以上の様にして、応力吸収部７ｂは発生する熱応力を低減させることができる。

またさらに、応力吸収部７ｂの平面形状は、環状を呈している。そして、応力吸収部７ｂの図心は、防湿体７の図心と同じ位置にある。
そのため、応力吸収部７ｂは、防湿体７の図心を中心として全方向における熱応力を低減させることができる。

応力吸収部７ｂによる熱応力の低減効果の一例を計算すると以下の様になる。
防湿体７の縦弾性係数（アルミニウムの縦弾性係数）をＥ、防湿体７の対辺間又は対角間における厚み方向の断面積をＳ、防湿体７の対角間の距離をＬａ、熱膨張による防湿体７の対辺間又は対角間の距離の変化をΔＬａ（Ｌａ・α・ΔＴ）、応力吸収部７ｂの幅寸法をＵ、応力による応力吸収部７ｂの幅寸法の変化をΔＵ、応力吸収部７ｂの数をＮ、応力吸収部７ｂの幅寸法の変化に対する変形弾性係数をＫ（Ｓ，Ｒ）とする。
なお、Ｋ（Ｓ，Ｒ）は、防湿体７の対角間における厚み方向の断面積Ｓと、形状因子Ｒとの関数である。

応力吸収部７ｂが設けられていないとすると、防湿体７の対角間における応力Ｆ_０は以下の通りとなる。
Ｆ_０＝Ｅ・Ｓ・ΔＬ／Ｌ ・・・（１）
Ｎ個の応力吸収部７ｂが設けられているとすると、対角方向または対辺方向における熱膨張差による熱応力と、Ｎ個の応力吸収部７ｂの弾性力とがバランスすることになる。
この場合、バランスした応力値Ｆｂは以下の様になる。
Ｆｂ＝Ｅ・Ｓ・（ΔＬ−２Ｎ・ΔＵ）／Ｌ＝Ｋ・ΔＵ ・・・（２）
すなわち、熱膨張量の差により生じた熱応力により、各応力吸収部７ｂの底辺側の幅寸法がΔＵだけ変化（拡大または縮小）すると、応力吸収部７ｂの変形弾性係数Ｋと、応力吸収部７ｂの底辺側の幅寸法の変化ΔＵとに比例した反発力が生じる。応力値Ｆｂにて、熱応力と反発力がバランスすることを意味している。

また、（２）式に（１）式を代入すると以下の（３）式となる。
Ｆ_０−２Ｎ・Ｅ・Ｓ・ΔＵ／Ｌ＝Ｋ・ΔＵ ・・・（３）
（３）式をΔＵについて解くと以下の（４）式となる。
ΔＵ＝Ｆ_０／（Ｋ＋（２Ｎ・Ｅ・Ｓ／Ｌ）） ・・・（４）
（４）式を（２）式に代入すると以下の（５）式となる。
この場合、Ｆｂ＝Ｆ_０／（１＋（２Ｎ・Ｅ・Ｓ／Ｋ・Ｌ））となり、
更に、Ｆ_０＝Ｅ・Ｓ・ΔＬ／Ｌ を用いて変形すると、
Ｆｂ＝Ｆ_０／（１＋Ｆ_０／（Ｋ・ΔＬ／２Ｎ）） ・・・（５）
となる。

（５）式の最右辺の意味するところと、その結果から推定されるＦｂの大きさについて説明する。
ΔＬ／２Ｎは、熱膨張係数の差による防湿体７と、基板２ａとの伸びの差を、防湿体７の対角間、または防湿体７の対辺間にある応力吸収部７ｂの数（２Ｎ）で除したものである。

例えば、防湿体７の平面寸法が４３０ｍｍ×４３０ｍｍ程度の場合、壁体９および充填部８を室温（２０℃）の環境で形成し、Ｘ線検出器１を６０℃又は−２０℃（室温との温度差が４０℃の場合）の環境に置くと、防湿体７と基板２ａとの熱膨張量の差は、対辺間で０．３４ｍｍ程度、対角間で０．４８ｍｍ程度となる。

この場合、図４に示すように、防湿体を３つ設けるものとすると（Ｎ＝３）、ΔＬ／２Ｎは、対辺間では０．０６ｍｍ程度、対角間では０．０８ｍｍ程度となる。
防湿体７の厚み寸法を０．１ｍｍ、応力吸収部７ｂの幅寸法を５ｍｍ、応力吸収部７ｂの高さ寸法を０．３ｍｍとすると、応力吸収部７ｂの幅寸法は、約１．２％変化することになる。

ここで、応力吸収部７ｂの幅寸法の変化に対する変形弾性係数Ｋは、防湿体７の材料、応力吸収部７ｂの断面形状や寸法などにより多少の差異は生じるが、例えば、０．１ｍｍ程度の厚みのアルミニウム箔材の場合には、実験的にＫ＜１Ｎ／ｍｍである。従って、アルミニウム箔から形成された防湿体７の平面寸法が４３０ｍｍ×４３０ｍｍ程度の場合、対辺間または対角間において、Ｋ・ΔＬ／２Ｎ＝Ｋ・ΔＬ／６＜０．１Ｎ（ニュートン）となる。
前述したように、Ｆ_０は、約５６Ｎ（約５．７ｋｇｆ）となるので、
Ｆ_０／（Ｋ・ΔＬ／２Ｎ）＞５６／０．１＝５６０となる。
これを（５）式に代入すると、
Ｆｂ＜Ｆ_０／５６１となる。
すなわち、応力吸収部７ｂを３個設ければ、熱応力を１／５００以下にすることができる。

なお、応力吸収部７ｂの形状、数、環境温度の変化の程度などは例示をしたものに限定されるわけではない。
応力吸収部７ｂの形状、数、環境温度の変化の程度などが異なるものとなった場合には、効果の程度に差が生じるが熱応力を大幅に低減できることに変わりはない。
この場合、応力吸収部７ｂの底面側の幅寸法の変化に対する変形弾性係数Ｋを小さくすれば、熱応力をさらに低減することができる。具体的には、エンボス状の応力吸収部７ｂの高さ寸法を大きくしたり、剛性率がより小さい材料から防湿体７を形成したり、防湿体７の厚み寸法を更に小さくしたりすることができる。
この場合、他の特性への影響が小さく、且つ効果的に変形弾性係数Ｋを小さくするためには、例えば、応力吸収部７ｂの高さ寸法又は凹凸の変化量が肉厚よりも大きくなるようにすればよい。
応力吸収部７ｂの高さ寸法又は凹凸の変化量が応力吸収部７ｂの肉厚よりも大きければ、応力吸収部７ｂの底辺側の幅方向における変形が容易となり、防湿体７と基板２ａとの間の伸び量の差ΔＬの大部分をより小さい力で吸収することができる。

図６（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る応力吸収部１７ｂを例示するための模式図である。
なお、図６（ａ）は模式平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面の模式拡大図である。
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、応力吸収部１７ｂはエンボス状を呈している。
また、応力吸収部１７ｂの外観形状は、突起状となっている。
すなわち、応力吸収部７ｂの平面形状は枠状であったが、応力吸収部１７ｂの平面形状はドット状である。
応力吸収部１７ｂは、複数設けられている。
この場合、防湿体７の図心から周辺部に向かう線上に、少なくとも応力吸収部１７ｂの一部分が一つあるようにすることが好ましい。
また、防湿体７の図心から周辺部にかけて、所定の数の応力吸収部１７ｂが設けられるようにすることが好ましい。
ただし、防湿体７に設けられる応力吸収部１７ｂの数は、発生する熱応力の大きさや、防湿体７の大きさなどに応じて適宜変更することができる。
環境温度が変化すると、防湿体７の図心から周辺部にかけて当方的な熱膨張が発生する。
熱応力を緩和させるためには、応力吸収部７ｂのような環状の形態としてもよいが、図６（ａ）、（ｂ）に例示をしたような外観が突起状を呈する応力吸収部１７ｂを設けてもよい。
なお、応力吸収部７ｂの外観形状は、円錐台状に限定されるわけではなく適宜変更することができる。

表１は、応力吸収部７ｂ、１７ｂの効果を例示するための表である。

表１は、冷熱信頼性試験の結果を示すものである。
応力吸収部７ｂが３つ設けられた防湿体７は、厚み寸法が１ｍｍのアルミニウム箔に、高さ寸法が０．３ｍｍ、幅寸法が１０ｍｍの応力吸収部７ｂを３つ設けたもの（図４に例示をしたもの）とした。
応力吸収部１７ｂが複数設けられた防湿体７は、厚み寸法が１ｍｍのアルミニウム箔に、底面側の直径が１２ｍｍ、上面側の直径が１０ｍｍ、高さ寸法が０．３ｍｍの応力吸収部１７ｂを複数設けたもの（図６（ａ）、（ｂ）に例示をしたもの）とした。
応力吸収部７ｂ、１７ｂが設けられていない防湿体は、厚み寸法が１ｍｍのアルミニウム箔とした。
また、それぞれ５個のサンプルを作成し、充填部８の上面に接合した。
壁体９および充填部８は室温（２０℃）の環境で形成した。
試験の環境温度は、６０℃と−２０℃との間で交互に切り換えた。

冷熱信頼性試験における評価は以下の様にした。
所定の時間間隔で、充填部８および壁体９における剥がれやクラックの発生を検査した。剥がれやクラックの発生は、レッドチェック液の内部への侵入が有るか無いかで判断した。
基板２ａは、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されているので、レッドチェック液の侵入は基板２ａの裏面側から容易に確認することができる。

表１から分かるように、応力吸収部７ｂが３つ設けられた防湿体７は、１００回の冷熱サイクルであっても異常が生じなかった。
また、応力吸収部１７ｂが複数設けられた防湿体７は、３０回の冷熱サイクルであっても異常が生じなかった。
これに対して、応力吸収部７ｂ、１７ｂが設けられていない防湿体は、１０回の冷熱サイクルで異常が生じた。
表１から分かるように、応力吸収部７ｂ、１７ｂを設けるようにすれば、充填部８および壁体９における剥がれやクラックの発生を抑制することができる。このことは、応力吸収部７ｂ、１７ｂを設けるようにすれば、熱応力の低減を図ることができることを意味すると考えられる。

次に、応力吸収部の断面形状についてさらに説明する。
図７（ａ）、（ｂ）は、応力吸収部の断面形状について例示するための模式断面図である。
Ｘ線は、防湿体７の主面にほぼ垂直な方向から防湿体７に入射する。
そのため、図７（ａ）に示すように、応力吸収部７ｂの側面７ｂ３の傾斜角度θが大きくなると、Ｘ線の実効透過厚み寸法が大きくなる。
例えば、厚み寸法が０．１ｍｍのアルミニウム箔材に、高さ寸法が０．３ｍｍ、側面傾斜角度が９０°の応力吸収部を形成すると、垂直方向から入射するＸ線に対する応力吸収部の側面部の実効的な厚み寸法は０．３ｍｍとなる。そのため、応力吸収部の側面部の実効的な厚み寸法は、応力吸収部が設けられていない平坦面や応力吸収部の周辺における厚み寸法０．１ｍｍと比べて顕著に大きくなる。
Ｘ線の実効透過厚み寸法が大きくなりすぎると、側面７ｂ３を透過したＸ線の強度が弱くなり得られるＸ線画像の品質が悪くなるおそれがある。
また、Ｘ線画像の補正に用いるＸ線の線質（Ｘ線のエネルギースペクトル）と、実際に被写体を通して入射するＸ線の線質（Ｘ線のエネルギースペクトル）との違いにより、画像補正に不具合が生じることになる。
この場合、図７（ｂ）に示すように、応力吸収部７ｂの側面７ｂ３の傾斜角度θを小さくすれば、Ｘ線の実効透過厚み寸法が大きくなるのを抑制することができる。

本発明者らの得た知見によれば、側面７ｂ３の傾斜角度θを６０°以下とすればＸ線画像への悪影響を抑制することができる。
また、側面７ｂ３の傾斜角度θを小さくしすぎると、前述した熱応力の低減効果が低くなる。
本発明者らの得た知見によれば、側面７ｂ３の傾斜角度θを５°以上、６０°以下とすれば、Ｘ線画像への悪影響をほぼ無くすことができ、且つ、熱応力の低減効果の低下も抑制することができる。

図８は、他の実施形態に係る防湿体２７を備えたＸ線検出器１ａの模式断面図である。 なお、煩雑となるのを避けるために、図８においては、信号処理部３および画像伝送部４などを省いて描いている。
図９（ａ）は、防湿体２７の模式正面図である。
図９（ｂ）は、防湿体２７の模式側面図である。
図８に示すように、Ｘ線検出器１ａには、アレイ基板２、図示しない信号処理部３、図示しない画像伝送部４、シンチレータ層５、反射層６、防湿体２７、充填部８、壁体９、および接合層１０が設けられている。

すなわち、Ｘ線検出器１ａには、前述した防湿体７に代えて防湿体２７が設けられている。
図９（ａ）（ｂ）に示すように、防湿体２７は、ハット形状を呈し、表面部２７ａ、周面部２７ｂ、および、つば（鍔）部２７ｃを有する。
また、防湿体２７は、前述した防湿体７と同様に応力吸収部７ｂを有している。
なお、防湿体２７は、防湿体７と同様に複数の応力吸収部７ｂを有していてもよいし、突起状の応力吸収部１７ｂを有していてもよい。
防湿体２７は、表面部２７ａ、周面部２７ｂ、および、つば部２７ｃをプレス加工などで一体成形することで形成することができる。
また、応力吸収部７ｂ、１７ｂは、プレス刻印金型によるプレス加工（エンボス加工）により形成することができる。
なお、表面部２７ａ、周面部２７ｂ、つば部２７ｃ、および、応力吸収部７ｂ、１７ｂを同時に形成することもできる。

防湿体２７の材料は、前述した防湿体７の材料と同様とすることができる。
防湿体２７の厚みは、前述した防湿体７の厚みと同様とすることができる。
表面部２７ａは、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）に対峙している。
周面部２７ｂは、表面部２７ａの周縁を囲むように設けられている。周面部２７ｂは、表面部２７ａの周縁から基板２ａ側に向けて伸びている。
表面部２７ａと、反射層６との間には隙間があっても良い。

つば部２７ｃは、周面部２７ｂの、表面部２７ａ側とは反対側の端部を囲むように設けられている。つば部２７ｃは、周面部２７ｂの端部から外側に向けて延びている。つば部２７ｃは、環状を呈している。
つば部２７ｃは、接合層１０を介して、充填部８の上面に接合されている。

ハット形状の防湿体２７とすれば、剛性を高めることができる。
また、防湿体２７を充填部８の上面に接合する際に、表面部２７ａおよび周面部２７ｂからなる立体形状を利用して位置決めを行うことができる。
そのため、防湿体２７を充填部８の上面に接合する際の作業性や接合精度を向上させることができる。
また、応力吸収部７ｂや応力吸収部１７ｂを設けることで前述した熱応力の低減効果を得ることができる。

図１０は、他の実施形態に係る防湿体３７を備えたＸ線検出器１ｂの模式断面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図１０においては、信号処理部３および画像伝送部４などを省いて描いている。
図１０に示すように、Ｘ線検出器１ｂには、アレイ基板２、図示しない信号処理部３、図示しない画像伝送部４、シンチレータ層５、反射層６、防湿体３７、充填部８、壁体９、および接合層１０が設けられている。

すなわち、Ｘ線検出器１ｂには、前述した防湿体７に代えて防湿体３７が設けられている。

図１０に示すように、防湿体３７は、前述した防湿体７と同様に応力吸収部７ｂを有している。
なお、防湿体３７は、防湿体７と同様に複数の応力吸収部７ｂを有していてもよいし、突起状の応力吸収部１７ｂを有していてもよい。
防湿体３７の材料は、前述した防湿体７の材料と同様とすることができる。
防湿体３７の厚みは、前述した防湿体７の厚みと同様とすることができる。

また、防湿体３７の周縁近傍には、基板２ａ側に向けて突出する屈曲部３７ｂが設けられている。
屈曲部３７ｂは、防湿体３７の周縁に沿うように設けられている。
屈曲部３７ｂの平面形状は、環状を呈している。
防湿体３７は、屈曲部３７ｂをプレス加工などで一体成形することで形成することができる。
また、応力吸収部７ｂ、１７ｂは、プレス刻印金型によるプレス加工（エンボス加工）により形成することができる。
なお、屈曲部３７ｂと応力吸収部７ｂ、１７ｂを同時に形成することもできる。

屈曲部３７ｂは、接合層１０を介して、充填部８の上面に接合されている。
防湿体３７の端面３７ａの位置は、平面視において、有効画素エリアＡよりは外側であれば特に限定はない。防湿体３７の端面３７ａの位置は、壁体９の内面９ａよりは外側であってもよいし、内面９ａと同程度の位置であってもよいし、内面９ａよりは内側であってもよい。

屈曲部３７ｂを有する防湿体３７とすれば、剛性を高めることができる。
また、防湿体３７を充填部８の上面に接合する際に、充填部８の上面に設けられた凹部に、屈曲部３７ｂをはめ込むことで位置決めを行うこともできる。

そのため、防湿体３７を充填部８の上面に接合する際の作業性や接合精度を向上させることができる。
また、屈曲部３７ｂを設けるようにすれば、接合面積を大きくすることができる。そのため、接合強度の向上や防湿性能の向上を図ることができる。

以上に説明したように、充填部８を設けるようにすれば、充填部８の上面に防湿体７、２７、３７を接合することができるので、壁体９の外側に防湿体７、２７、３７を接合するためのスペースを設ける必要がなくなる。
そのため、Ｘ線検出器１、１ａ、１ｂの小型化や軽量化などを図ることができる。
また、充填部８を設けるようにすれば、防湿性能を向上させることができ、ひいては解像度特性の劣化を抑制することもできる。
この場合、充填部８および枠体９を設ける様にすれば、防湿体７を基板２ａに直接接着する場合に比べて、ほぼ充填部８および枠体９の高さ寸法に比例する分だけ熱応力に起因するモーメントが大きくなる。
しかしながら、防湿体７は、応力吸収部７ｂを有しているので、発生する熱応力を低減させることができ、ひいては熱応力に起因するモーメントを低減させることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るＸ線検出器１、１ａ、１ｂの製造方法について例示をする。
まず、アレイ基板２を作成する。
アレイ基板２は、例えば、基板２ａの上に光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、配線パッド２ｄ１、配線パッド２ｄ２、および保護層２ｆなどを順次形成することで作成することができる。
アレイ基板２は、例えば、半導体製造プロセスを用いて作成することができる。
次に、アレイ基板２上の複数の光電変換部２ｂが形成された領域を覆うようにシンチレータ層５を設ける。
シンチレータ層５は、例えば、真空蒸着法などを用いて、ヨウ化セシウム：タリウムからなる膜を成膜することで形成することができる。この場合、シンチレータ層５の厚み寸法は、６００μｍ程度とすることができる。柱状結晶の柱の太さ寸法は、最表面で８〜１２μｍ程度とすることができる。

次に、シンチレータ層５の表面側（Ｘ線の入射面側）の面を覆うように反射層６を形成する。反射層６は、例えば、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層５上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。

次に、アレイ基板２の上に、反射層６により覆われたシンチレータ層５を囲み、フィラー材と、樹脂とを含む壁体９を設ける。
壁体９は、例えば、フィラー材が添加された樹脂（例えば、タルクからなるフィラー材が添加されたエポキシ系樹脂など）を、反射層６により覆われたシンチレータ層５の周囲に塗布し、これを硬化させることで形成することができる。
なお、フィラー材が添加された樹脂の塗布は、例えば、ディスペンサー装置などを用いて行うことができる。
この場合、フィラー材が添加された樹脂の塗布と、硬化とを複数回繰り返すことで、壁体９を形成することができる。
また、金属や無機材料などからなる枠状の壁体９をアレイ基板２の上に接着することもできる。
金属や無機材料などからなる板状の部材をアレイ基板２の上に接着することで壁体９を形成することもできる。
壁体９の高さは、反射層６により覆われたシンチレータ層５の高さよりも少し高くなるようにすることができる。

次に、反射層６により覆われたシンチレータ層５の側面と、壁体９の内面９ａとの間に、フィラー材および吸湿材の少なくともいずれかと、樹脂とを含む材料を充填して充填部８を設ける。
充填部８は、例えば、フィラー材が添加された樹脂や吸湿材が添加された樹脂を、反射層６により覆われたシンチレータ層５の側面と、壁体９の内面９ａとの間に充填し、これを硬化させることで形成することができる。
なお、充填は、例えば、ディスペンサー装置などを用いて行うことができる。
この場合、フィラー材が添加された樹脂や吸湿材が添加された樹脂の塗布と、硬化とを複数回繰り返すことで、充填部８を形成することができる。
なお、樹脂の塗布後に表面が平滑化するのを待って硬化を行う様にすることが好ましい。

充填部８の上面の位置は、反射層６により覆われたシンチレータ層５の上面の位置と同じであってもよいし、反射層６により覆われたシンチレータ層５の上面の位置より少し高くてもよいし、反射層６により覆われたシンチレータ層５の上面の位置より少し低くてもよい。

充填部８を設けるようにすれば、充填部８の上面に防湿体７、２７、３７を接合することができるので、防湿体７、２７、３７の端部の位置がばらつくことで出っ張ることを想定したスペースを壁体９の外側に設ける必要がなくなる。
そのため、Ｘ線検出器１、１ａ、１ｂの小型化や軽量化などを図ることができる。
また、充填部８を設けるようにすれば、防湿性能の向上、ひいては解像度特性の劣化の抑制を図ることもできる。

次に、エンボス状の応力吸収部７ｂ、１７ｂを有する防湿体７の周縁部近傍を充填部８の上面に接合する。
または、充填部８の上面に防湿体２７のつば部２７ｃを接合する。この際、表面部２７ｂおよび周面部２７ｂからなる立体形状を利用して位置決めを行うことができる。
あるいは、充填部８の上面に防湿体３７を接合する。この際、充填部８の上面に設けられた凹部に、屈曲部３７ｂをはめ込むようにすることができる。また、充填部８が固まる前に、屈曲部３７ｂを充填部８に押し付けるようにすることもできる。

例えば、充填部８の上面に紫外線硬化型接着剤を塗布し、紫外線硬化型接着剤の上に防湿体７、２７、３７を載せ、紫外線硬化型接着剤に紫外線を照射してこれを硬化させて接合層１０を形成するとともに、防湿体７、２７、３７と、充填部８の上面とを接合する。 また、紫外線硬化型接着剤は、紫外線照射後に遅延して硬化が進行する遅延硬化型接着剤とすることもできる。
遅延硬化型接着剤を用いるようにすれば、紫外線照射後に、紫外線硬化型接着剤の上に防湿体７、２７、３７を載せればよいので、遮蔽物などがあって基板２ａの裏面側から紫外線の照射が困難な場合にも接合を行うことができる。
なお、接着剤は、自然硬化型接着剤や加熱硬化型接着剤などであってもよい。
また、大気圧よりも減圧された環境（例えば、１０ＫＰａ程度）において、防湿体７、２７、３７の周縁部近傍を充填部８の上面に接合することもできる。
なお、エンボス状の応力吸収部７ｂ、１７ｂは、プレス刻印金型によるプレス加工（エンボス加工）により形成することができる。

次に、フレキシブルプリント基板２ｅ１、２ｅ２を介して、アレイ基板２と信号処理部３を電気的に接続する。
また、配線４ａを介して、信号処理部３と画像伝送部４を電気的に接続する。
その他、回路部品などを適宜実装する。

次に、図示しない筐体の内部にアレイ基板２、信号処理部３、画像伝送部４などを格納する。
そして、必要に応じて、光電変換素子２ｂ１の異常や電気的な接続の異常などの有無を確認する電気試験、Ｘ線画像試験、高温高湿試験、冷熱サイクル試験などを行う。
以上のようにして、Ｘ線検出器１、１ａ、１ｂを製造することができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１ Ｘ線検出器、１ａ Ｘ線検出器、１ｂ Ｘ線検出器、２ アレイ基板、２ａ 基板、２ｂ 光電変換部、３ 信号処理部、４ 画像伝送部、５ シンチレータ層、６ 反射層、７ 防湿体、７ｂ 応力吸収部、７ｂａ 応力吸収部、７ｂｂ 応力吸収部、８ 充填部、９ 壁体、１０ 接合層、１７ｂ 応力吸収部、２７ 防湿体、３７ 防湿体

Claims (9)

1. 基板と、前記基板の一方の面側に設けられた複数の光電変換素子と、を有するアレイ基板と、
   前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
   前記基板の一方の面側に設けられ、前記シンチレータ層を囲む壁体と、
   前記シンチレータ層と、前記壁体と、の間に設けられた充填部と、
   前記シンチレータ層の上方を覆い、周縁部近傍が前記充填部の上面に接合され、エンボス状の応力吸収部を有する防湿体と、
   を備えた放射線検出器。
2. 前記応力吸収部の平面形状は、環状である請求項１記載の放射線検出器。
3. 前記応力吸収部の平面形状は、ドット状である請求項１記載の放射線検出器。
4. 前記応力吸収部の側面の傾斜角度は、６０°以下である請求項１〜３のいずれか１つに記載の放射線検出器。
5. 前記防湿体の材料は、アルミニウム、アルミニウム合金、および、樹脂膜と無機材料からなる膜とが積層された低透湿防湿膜のいずれかである請求項１〜４のいずれか１つに記載の放射線検出器。
6. 前記壁体は、無機材料からなるフィラー材および吸湿材の少なくともいずれかと、樹脂と、を含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の放射線検出器。
7. 前記壁体は、金属および無機材料の少なくともいずれかからなる請求項１〜５のいずれか１つに記載の放射線検出器。
8. 前記充填部は、無機材料からなるフィラー材および吸湿材の少なくともいずれかと、樹脂と、を含む請求項１〜７のいずれか１つに記載の放射線検出器。
9. 複数の光電変換素子を有するアレイ基板の上に、シンチレータ層を設ける工程と、
   前記アレイ基板の上に、前記シンチレータ層を囲む壁体を設ける工程と、
   前記シンチレータ層と、前記壁体との間に、無機材料からなるフィラー材および吸湿材の少なくともいずれかと、樹脂と、を含む材料を充填して充填部を設ける工程と、
   エンボス状の応力吸収部を有する防湿体の周縁部近傍を、前記充填部の上面に接合する工程と、
   を備えた放射線検出器の製造方法。

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