KR101050968B1 - 박막 집적 회로를 포함하는 박막 집적 회로 장치, ｉｃ 라벨, 용기, 상기 박막 집적 회로 장치의 제조 방법, 상기 용기의 제조 방법 및 상기 용기를 갖는 제품의 관리 방법 - Google Patents
박막 집적 회로를 포함하는 박막 집적 회로 장치, ｉｃ 라벨, 용기, 상기 박막 집적 회로 장치의 제조 방법, 상기 용기의 제조 방법 및 상기 용기를 갖는 제품의 관리 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101050968B1 KR101050968B1 KR1020040012300A KR20040012300A KR101050968B1 KR 101050968 B1 KR101050968 B1 KR 101050968B1 KR 1020040012300 A KR1020040012300 A KR 1020040012300A KR 20040012300 A KR20040012300 A KR 20040012300A KR 101050968 B1 KR101050968 B1 KR 101050968B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- integrated circuit
- metal
- thin film
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 238000007726 management method Methods 0.000 title description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 274
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 61
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 87
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 20
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
- H10D86/0214—Manufacture or treatment of multiple TFTs using temporary substrates
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6758—Thin-film transistors [TFT] characterised by the insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 초박막 집적 회로 및 상기 박막 집적 회로 장치를 포함하는 박막 집적 회로 장치를 제공한다. 따라서, 제품의 디자인은 집적 회로가 두껍고 제품 용기의 표면상에 불규칙성을 형성하는 실리콘 웨이퍼로 형성되면 손상될 수 있다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 종래 실리콘 웨이퍼로 형성된 집적 회로와 달리 능동 영역(예를들어 박막 트랜지스터의 채널 영역) 같은 반도체막을 포함한다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 카드 또는 용기같은 제품에 박막 집적 회로가 장착될때조차 디자인이 손상되지 않도록 충분히 얇다.
초박막 집적 회로, 박막 집적 회로 장치, IC 라벨, 박막 집적 회로 접착 용기, 용기를 포함하는 제품의 관리 방법
Description
도 1a 내지 1e는 본 발명에 따른 박막 집적 회로의 제조 방법을 도시한다.
도 2a 내지 2c는 본 발명에 따른 박막 집적 회로의 제조 방법을 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 비접촉 박막 집적 회로의 상세도이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명에 따른 비접촉 박막 집적 회로의 상세도이다.
도 5는 본 발명에 따른 비접촉 박막 집적 회로의 원리를 도시한다.
도 6a 내지 6c는 본 발명에 따른 박막 집적 회로가 장착된 제품을 도시한다.
도 7a 내지 7c는 본 발명에 따른 비접촉 박막 집적 회로의 판독기/기록기들을 도시한다.
도 8은 본 발명에 따른 IC 라벨이 장착된 제품을 판독하는 상태를 도신한다.
도 9는 제작자, 판매자 및 소비자 사이의 관계를 도시한다.
도 10a 내지 10c는 본 발명에 따른 박막 집적 회로의 제조 방법을 도시한다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 제품 11 : 라벨
12 : 집적 회로 13 : 금속 함유 산화물
14 : 접착제 15 : IC 라벨
16 : 제 2 접착제 17 : 라벨
본 발명은 메모리 및 마이크로프로세서(중앙 처리 유닛(CPU))를 갖는 종이처럼 얇고 가요성의 박막 집적 회로가 장착된 박막 집적 회로 장치, 하나의 라벨을 위한 박막 집적 회로 장치를 사용하는 집적 회로(IC) 라벨, 박막 집적 회로를 포함하는 제품 용기, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 제품의 관리 방법에 관한 것이다.
최근에, 사람이 소유하는 카드의 수는 증가하는 중이다. 모든 종류의 정보는 카드에 기록되고 필요시 갱신된다. 기록된 정보의 양은 점차적으로 증가하고 있다.
상기 정보량의 증가는 다양한 분야에서 필수적이다. 예를들어, 제품 안정성 및 관리 구조에서 개선이 요구되는 바와같은 음식 산업 및 제조 산업에서, 제품 정보의 양은 상응하게 증가된다. 그러나, 현재 제품 정보는 10개의 컬럼상의 도면을 포함하는 바코드를 사용함으로써 주로 제공된 제조국, 제조자, 제품 번호와 같이 매우 작다. 게다가, 바코드가 사용될 때, 주로 각각의 제품을 판독하기 위한 시간을 요구한다.
상기를 고려하여, 네트워크를 사용하여 제품을 관린하는 방법의 예가 고안된다. 이 방법을 사용하여, 제품상 정보는 각각의 상점에서 네트워크 단말기로 제품의 식별자를 입력함으로써 서버를 통하여 저장하도록 전달된다. 제품의 식별자는 2차원 바코드 또는 문자열들을 사용하여 도시되고 그것들이 상점의 단말기에 입력된후 서버로 보내진다. 제품은 제품상 프로그램 및 데이타, 또는 개인 정보를 홀딩하는 분리가능한 저장 매체를 갖는다. IC 카드, 스마트 카드 및 컴팩트 플래시 메모리 같은 카드는 저장 매체(참조 1 : 일본 특허 공개 2002-230141)의 예로서 주어진다.
대안으로서, 유일한 식별 번호가 소매점에서 팔려진 각각의 음식에 할당되고, 소비자는 음식들, 제품들 및 인터넷을 액세스함에 의한 유통 채널에 대한 자료를 브라우즈할 수 있다. 이 경우, 요구된 제품 정보는 판독기/기록기에 의해 판독된 정보를 처리하기 위한 서버 또는 소프트웨어를 사용함으로써 질문에 응답하여 제공되어, 생산성 및 유통 효율을 개선시킨다. 따라서, RFID IC 태그에 관한 시스템의 다양성이 확장된다(참조 1: 2002년 11월 18일 Nikkei Electronics, Nikkei Business Publications, pp. 67-76).
정보 관리가 정보의 상기 증가와 조화하여 바코드를 사용함으로써 수행되면, 제공될수있는 정보의 양은 제한된다. 정보의 부족외에 판독을 위한 시간을 소비하는 것은 비효율적이다. 게다가, 바코드 판독의 수동 동작으로 인한 판독 에러는 피할 수 없다.
특히 상기 참조와 관련하여, 소비자가 인터넷에 액세스하기 위한 시간을 소비하는 문제와 자신의 개인 컴퓨터를 가져야 하는 문제점이 있다. 게다가, RFID IC 태그에 인가된 실리콘 웨이퍼를 포함하는 집적 회로가 두껍기 때문에, 불규칙성이 용기의 표면 상에 형성되고, 태그가 제품 용기상에 장착될 때 디자인은 손상된다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 실리콘 웨이퍼(박막 집적 회로)보다 얇고 많은 정보를 저장할 수 있는 집적 회로(IC) 및 박막 집적 회로를 갖는 박막 집적 회로 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 라벨(IC 라벨)을 박막 집적 회로에 장착하고 디자인이 손상되지 않는 제품 용기, 및 라벨과 용기 제조 방법을 제공하는 것에 관한 것이다. 본 발명의 다른 목적은 IC 라벨이 로딩된 제품의 관리 방법을 제공하는 것이다.
상기에서, 본 발명은 종이와 같이 얇은 집적 회로(IC)(박막 집적 회로)가 장착된 박막 집적 회로 장치(예를들어, IC 라벨)을 제공한다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 종래 실리콘 웨이로부터 형성된 집적 회로(IC)와 달리 능동 영역(예를들어, 채널 영역으로서 박막 트랜지스터) 같은 반도체막을 포함한다.
상기 IC는 일반적으로 5 킬로바이트 이상의 데이타를 저장하지만 자기적으로 저장될 수 있는 데이타는 여러 타스의 바이트들 정도이고; IC는 보다 많은 용량만큼 저장할 수 있다. 그러므로, 큰 정보량은 바코드와 비교하여 모든 영역에 제공될 수 있다. 예를들어, 박막 집적 회로가 카드에 탑재되는 박막 집적 회로 장치를 사용하는 경우, 정보 관리 효율성은 다량의 정보가 저장되기 때문에 개선될 수 있다. 박막 집적 회로를 사용함으로써, 복수의 카드는 더 이상 사용될 필요가 없고 단일 카드에 의해 대체될것이다. 게다가, 필요할때 정보를 다시 기입할 수 있는 박막 집적 회로 장치는 기록가능한 메모리를 갖는 박막 집적 회로를 장착함으로써 제공될 수 있다.
게다가, 대부분의 카드들은 개선된 보안성 및 높은 신뢰성을 가지도록 요구된다. 박막 집적 회로는 데이타가 다른 자기장을 판독할 수 없고 저장된 데이타는 변조되기 어렵다는 장점을 갖는다. 다른 말로, 저장된 정보의 보안성은 보장될 수 있다. 게다가, 경고는 IC를 탑재함으로써 훔치거나 도둑질을 방지하기 위하여 발생될 수 있다.
본 발명은 제품 디자인을 손상시키지 않는 초박막 집적 회로를 사용하는 라벨(IC 라벨), 및 상기 IC 라벨이 각각 장착된 제품 용기를 제공한다.
특정 IC 라벨에 대해, 도 6a에 도시된 바와 같이, IC 라벨(15)은 박막 집적 회로(12)를 바닥 또는 카드에 의해 특정화된 제품(10)에 고정된 라벨(11) 후면에 고정(부착) 및 장착됨으로써 형성된다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 대략 500 nm의 두께로 반도체막으로부터 형성되기 때문에 실리콘 웨이퍼로부터 형성된 IC와 비교하여 훨씬 얇다. 그러므로, 제품의 디자인은 본 발명에 따른 반도체막을 포함하는 박막 집적 회로가 제품 레벨에 사용될 때조차 손상되지 않는다.
도 6b는 라인 a-a'를 따라 얻어진 도 6a의 제품(10) 단면이다. 여기에는 접착제(14)로 제품에 부착 및 고정되고 본 발명에 따른 박막 집적 회로가 라벨의 후면상에 배치된 박막 집적 회로 장치, 특히 IC 라벨이 도시된다. 라벨(11)이 부착될때, 접착제(14)는 필요하지 않다. 여기에는 제품에 접착되고 고정되며 본 발명에 따른 박막 집적 회로가 라벨 사이에 샌드위치(홀딩)되는 상태에 있는 박막 집적 회로 장치, 특히 IC 라벨이 도시된다. 라벨(11)은 박막 집적 회로와 접촉하는 접착면 및 제품과 접촉하는 다른 접착면을 각각 갖는다. 라벨들이 접착되지 않을때, 접착제는 사용될 수 있다. IC 라벨은 박막 집적 회로를 제품에 직접적으로 전달함으로써 및 그 위에 라벨을 붙임으로써 완성될 수 있다.
따라서, 본 발명은 초박막 집적 회로 및 그것과 함께 장착된 제품을 갖는 박막 집적 회로 장치(특히, IC 라벨)를 제공한다. 다양한 방법은 박막 집적 회로를 고정하기 위하여 사용될 수 있다.
상기 IC 라벨은 공급 관리, 재고 관리, 작업 스케쥴 통제법, 또는 유통 스케쥴 통제법 같은 상품 관리, 또는 판매 채널 관리 같은 유통 관리 효율성 개선을 인에이블한다. 게다가, 재료, 발단 장소, 각각의 제품 처리의 검사 결과, 또는 유통 처리 기록 같은 제품상 다량의 정보는 관리되고 소비자에게 제공된다.
상기된 바와 같은 본 발명에 따른 박막 집적 회로가 매우 얇기 때문에, 비록 카드 및 용기 같은 제품에 장착되더라도 디자인은 손상되지 않는다. 게다가, 보다 많은 양의 정보가 바코드 및 마그네티슘과 비교하여 저장될 수 있다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 접촉형 IC 또는 비접촉형 IC에 임의적으로 사용될 수 있다.
이후, 본 발명의 예시적인 모드는 첨부 도면에 따라 기술될 것이다. 상기 실시예 모드를 설명하기 위한 모든 도면에서, 동일 참조 번호는 동일한 기능을 갖는 동일 부분에 부여되고, 그것의 설명은 추가로 반복되지 않을것이다.
(실시예 모드 1)
이 실시예 모드에서, 박막화 및 변형 기술을 사용하는 본 발명에 따른 박막 집적 회로의 제조 방법은 기술될것이다.
첫째, 금속막(11)은 도 1a에 도시된 바와같이 제 1 기판(10)상에 형성된다. 유리 기판, 석영 기판, 세라믹 기판, 실리콘 기판, 금속 기판, 또는 스테인레스 기판 같은 다음 적층 처리를 견디기 위한 견고성을 갖는 임의의 기판은 제 1 기판에 사용될 수 있다. W, Ti, Ta, Mo, Nd, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os 및 Ir의 단일층 또는 상기 성분으로 구성된 그룹으로 선택된 원소의 적층물; 주로 상기 원소를 포함하는 합금 재료 또는 화합물 재료는 금속막에 사용될 수 있다. 예를들어, 금속막은 금속 타켓을 사용하는 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다. 금속막의 막 두께가 10nm 내지 200nm, 바람직하게 50nm 내지 75nm일수있다.
금속막 대신, 상기 재료가 질화된(예를들어, 텅스텐 질화물막 또는 몰리브듐 질화물막) 막은 사용될 수 있다. 선택적으로, 금속의 금속 합금(예를들어, W 및 Mo :WxMo1-x)은 금속막에 사용될 수 있다. 상기 경우, 스퍼터링은 제 1 금속(W) 및 제 2 금속(Mo), 또는 제 1 금속(W) 및 제 2 금속(Mo)의 합금 타켓 같은 금속 형성 챔버에 배치되는 복수의 타켓을 사용함으로써 수행될 수 있다. 질소 및 산소는 금속막에 부가될 수 있다. 예를들어, 질소 또는 산소를 금속막에 이온 주입하는 것은 수행될 수 있고, 또는 금속막은 그 내부가 질소 또는 산소 분위기인 막 형성 챔버에서 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
금속막이 스퍼터링에 의해 형성될 때, 기판 주변의 막 두께는 때때로 평탄하지 않게 된다. 그러므로, 막의 주변부를 건식 에칭에 의해 제거하는 것이 바람직하다. 상기 경우, 실리콘 산화질화물(SiON 또는 SiNO)막 같은 절연막은 제 1 기판(10) 및 금속막(11) 사이에 대략 100nm로 형성될 수 있어서, 제 1 기판은 에칭되지 않는다.
상기와 같은 금속막을 형성하는 방법을 사용함으로써, 박막화 처리는 제어될수있고, 처리 범위는 넓어진다. 따라서, 예를 들어 금속 합금이 사용될 때 박막화 처리는 합금에서 각각의 금속의 구성 비를 제어함으로써 제어될 수 있다. 특히, 박막화 열처리 온도 및 열처리의 사용 또는 배제는 제어될 수 있다.
박막화 층(12)은 금속막(11)상에 형성된다. 박막화 층은 실리콘 함유 산화물막 및 반도체막을 갖는다. 안테나는 비접촉 IC가 형성될 때 제공될 수 있다. 실리콘 질화물(SiN)막 또는 실리콘 산화질화물(SiON 또는 SiNO)막 같은 질소 함유 절여막은 박막화층(12)보다 낮은 층, 특히 반도체막보다 낮은 층 내에 베이스막으로서 제공되어 불순물 또는 먼지가 금속막 또는 기판에 침투하는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
실리콘 산화물, 실리콘 산화질화물, 또는 그와 동종의 물질은 스퍼터링 또는 CVD에 의해 실리콘 함유 산화물막으로서 형성될 수 있다. 실리콘 함유 산화물막의 두께는 바람직하게 금속막의 두께의 두배이다는 것이 주의된다. 이 실시예 모드에서, 실리콘 산화물막은 실리콘 타켓을 사용하여 스퍼터링에 의해 150nm 내지 200nm의 막두께로 형성된다.
실리콘 함유 산화물막이 형성될때, 금속을 포함하는 산화물(금속 산화물)(13)는 금속막상에 형성된다. 금속 산화물막은 황산, 염산 또는 질산을 갖는 수용액; 황산, 염산 또는 질산 및 과산화 수소물이 혼합된 수용액; 또는 오존액 처리에 의해 금속막의 표면상에 형성되는 얇은 금속 산화물 형태로 형성될 수 있다. 다른 대안으로서, 산화는 산소 분위기에서 플라즈마 처리에 의해 또는 산소 함유 분위기에서 자외선으로 오존을 생성함으로써, 또는 대략 200 내지 350℃에서 열처리에 의해 수행될 수 있고 클린 오븐이 수행될 수 있어서 금속 산화물막을 형성한다.
금속 산화물은 0.1nm 내지 1㎛, 바람직하게 0.1nm 내지 100nm, 보다 바람직하게 0.1nm 내지 5nm의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.
실리콘 함유 산화물막 및 반도체막 및 금속막 사이에 제공된 베이스막은 전부 절연막으로서 불린다는 것이 주의된다. 따라서, 금속막, 금속 산화물, 절연막, 및 반도체막이 순차적으로 적층된 구조는 사용될 수 있다. 즉, 반도체막이 절연막의 한측면 및 절연막의 다른 측면상에 제공된 구조에는 금속 산화물이 제공되고 금속막은 사용될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT), 유기 TFT, 박막 다이오드 등 같은 반도체 원소들은 반도체막상에 소정 제조 공정을 인가함으로써 형성된다. 상기 반도체 원소들은 박막 집적 회로의 CPU 또는 메모리를 형성한다. 반도체 원소들 상에 DLC(diamond like carbon)막 또는 카본 질화물(CN)막 같은 카본 함유 보호막, 또는 실리콘 질화물(SiN)막 또는 실리콘 산화질화물(SiNO 또는 SiON)막 같은 질소 함유 보호막을 제공하는 것은 바람직하다. 카본 함유 보호막 및 질소 함유 보호막은 교대로 적층될 수 있다.
상기된 바와 같은 박막화층을 형성한후; 특히, 금속 산화물이 형성된후, 열처리는 금속 산화물을 결정하기 위하여 수행된다. 예를들어, W(텅스텐)이 금속막에 사용될 때, WO2 또는 WO3의 금속 산화물은 적어도 400℃에서 열처리됨으로써 결정화된다. 게다가, 만약 열처리가 박막화층(12)의 반도체막을 형성한 후 수행되면, 반도체막의 수소는 확산될 수 있다. 수소는 금속 산화물의 밸런스 변화를 유발할수있다. 열처리가 필요하면, 그 온도는 금속막의 선택된 금속에 따라 결정될 수 있다. 만약 필요하다면, 금속 산화물은 결정화되어 박막화를 쉽게 수행한다.
게다가, 반도체 소자를 제조하는 공정에서 열처리는 상기 단계의 열처리와 동시에 수행될 수 있어서, 단계 수를 감소시킨다. 예를 들어, 열처리는 결정 반도체막이 열 오븐 또는 레이저 방사선을 사용하여 형성되는 동안 수행될 수 있다.
그후, 박막화층(12) 및 제 2 기판(14)은 도 1b에 도시된 바와 같이 제 1 접착제(15)로 함께 접착된다. 제 2 기판(14)에 대해 제 1 기판(10)의 견고성보다 높은 견고성을 갖는 기판을 사용하는 것은 바람직하다. 예를 들어, 자외선에 의해 제거되는 자외선 박리형(UV peelable) 같은 박리형 접착제, 열에 의해 제거되는 열 박리형 형태, 물에 의해 제거되는 수용성 접착재; 또는 두가지 형태 테이프는 바람직하게 제 1 접착제(15)에 사용될 수 있다.
금속막(11)이 제공된 제 1 기판(10)은 물리적 수단(도 1c)을 사용함으로써 분리된다. 상기 분리는 도면이 프레임 포맷을 도시하기 때문에 도시되지 않더라도 결정화된 금속 산화물 층 또는 경계(인터페이스), 금속 산화물의 양쪽 표면, 즉 금속 산화물 층 및 금속막 사이 인터페이스 또는 금속 산화물 및 박막화층 사이 인터페이스에서 발생한다. 따라서, 박막화층(12)은 제 1 기판(10)으로부터 분리될 수 있다.
기판의 일부를 코팅하고 커팅 표면상 박막화 인터페이스, 즉 금속막 및 금속 산화물막 사이 인터페이스 근처를 커터 등을 사용하여 스크래치하여 박막화를 쉽게 수행하는 것이 바람직하다.
도 1d에 도시된 바와같이, 분리된 박막화층(12)은 제 2 접착제(16)를 사용하여 전달 몸체일 제 3 기판(예를들어, 라벨)에 접착된다. 자외선 경화형 수지, 특히 에폭시 수지 접착 같은 접착, 또는 수지 접착제; 양면 테이프; 등은 제 2 접착제(16)에 사용될 수 있다. 제 3 기판 표면이 접착될때, 제 2 접착제는 필요하지 않다.
가용성 또는 얇은 막두께(기판이 이후 막 기판이라 한다)를 갖는 기판, 예를들어 폴리에틸렌 네레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 또는 폴리에테르술폰 같은 플라스틱 기판은 제 3 기판에 사용될 수 있다. 막 기판의 표면상 불 규칙성은 코팅에 의해 감소되거나; 또는 그것의 견고성, 경도 또는 안정성은 사전에 증가될 수 있다.
그후, 제 1 접착제(15)는 제거되고 제 2 기판(14)은 분리된다(도 1e). 특히, 자외선, 열처리 또는 물 세척은 제 1 접착제를 벗겨내기 위해 수행된다.
제 1 접착제의 제거 및 제 2 접착제의 경화는 하나의 단계로 수행될 수 있다. 예를들어, 제 1 및 제 2 접착제가 각각 열적 박리형 수지 및 열경화형 수지, 또는 자외선 박리형 수지 및 자외선 경화형 수지를 사용할 때, 제거 및 경화는 열 또는 자외선의 하나의 단계로 수행될 수 있다. 접착제는 제 3 기판 등의 투명성을 고려하여 조작자에 의해 대략적으로 선택될 수 있다.
상기된 바와 같이, 본 발명의 박막 및 박막 집적 회로는 완성된다. 이후, 박막 집적 회로는 카드, 용기 또는 라벨 같은 제품에 접착되고, 따라서 박막 집적 회로, 즉 박막 집적 회로가 장착된 제품을 얻는다. 말할 것도 없이, 박막 집적 회로가 라벨들 사이에 유지되는 IC 라벨은 형성되고 제품에 접착(부착, 고정)된다. 제품의 표면은 바닥측 처럼 곡선을 형성한다.
금속 산화물(13)는 박막 집적 회로에서 완전히 제거되거나, 금속 산화물(13)의 일부 또는 대부분은 박막화층의 하부 표면상에서 산란(남겨짐)된다. 우연히, 금속 산화물 남아있을 때, 그것은 에칭등에 의해 제거될 수 있다. 게다가, 실리콘 함유 산화물막은 제거될 수 있다.
다음, 박막 집적 회로 장치의 제조 방법의 일례는 도 1a 내지 1d와 다르고, 여기서 IC 라벨은 박막화층을 제품에 전달함으로써 형성되고 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명될 것이다.
도 2a에서, 제 1 기판은 분리되고, 박막화 층(12)은 카드 또는 용기 같은 제품(18)의 표면에 제 2 접착제(16)를 사용하여 전달된다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 제 2 기판(14)은 분리된다. 박막화 방법은 도 1a 내지 1e에 도시된다.
도 2c에 도시된 바와 같이, IC 라벨이 장착된 제품은 박막화층을 커버하기 위하여 라벨(17)을 접착함으로써 완성된다. 라벨(17)은 접착 표면을 가지며 박막 집적 회로를 커버 및 고정한다. 실리콘 산화질화물(SiNO 또는 SiON)막 같은 질소 함유 절연막, DLC막, 또는 카본 질화물(CN)막 같은 카본 함유 절연막은 바람직하게 IC 및 라벨 사이에 형성될 수 있다. 게다가, 질소 함유 절연막 및 카본 함유 절연막은 교대로 적층될 수 있다. 바람직하게, 보호막은 전체 제품을 커버하기 위하여 바람직하게 제공된다.
상기 방법을 사용하여, 복수의 박막 집적 회로가 하나의 큰 기판으로 형성된다. 결과적으로, 박막 집적 회로 장치는 저비용으로 제조될 수 있다.
상기된 박막화 및 전달과 달리, 본 발명의 박막 집적 회로의 제조 방법은 레이저 방사선에 의해 제 1 기판으로부터 박막화 층을 분리하는 단계, 또는 제 1 기판을 에칭하는 단계 및 그것을 제 3 기판에 전달하는 단계를 사용할수있다.
본 발명에 따른 상기 집적 회로는 매우 얇게 형성되는데, 그 이유는 그것이 250nm 내지 750nm, 바람직하게 500nm를 갖는 얇은 반도체막으로 형성되기 때문이고, 반면 IC는 50㎛의 막 두께를 갖는 실리콘 웨이퍼로 형성되고, RFID IC 태그에 사용된다. 예를 들어, 박막 집적 회로가 능동 원소일 반도체막을 포함할 때, 1500nm 내지 3000nm로서 매우 얇은 게이트 절연막, 게이트 전극, 중간층 절연막, 단층 배선 및 보호막은 형성될 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 박막 집적 회로는 디자인을 손상시키지 않고 카드 또는 용기 같은 제품에 접착될 수 있다.
본 발명에 따른 박막 집적 회로는 실리콘 웨이퍼로부터 형성된 IC와 달리 크랙 또는 그라인딩 마크를 유발한 후면 그라인딩을 요구하지 않는다. 박막 집적 회로의 막 두께의 비균일성은 반도체막 등의 막 형성중에 발생된 비균일성에 따른다. 그러므로, 박막 집적 회로의 막 두께의 비균일성은 물 이용 후면 그라인딩 동안 생성된 비균일성보다 상당히 적은 약 몇백 나노미터 정도로 감소될 수 있다.
(실시예 모드 2)
이 실시예 모드에서, 박막 집적 회로의 구조 및 비접촉 박막 집적 회로 원리는 설명될 것이다. 비접촉 박막 집적 회로는 접촉없이 판독될 수 있는 IC 라벨에 인가된다.
첫째, 비접촉 박막 집적 회로의 원리는 도 5의 블록도에 도시된다. 비접촉 박막 집적 회로(50)는 CPU(51), 메모리(52), I/O 포트(53) 및 코프로세서(54)를 가지며 경로(55)를 통해 데이타를 교환한다. 게다가, IC는 RFID(무선) 인터페이스(56) 및 비접촉 인터페이스(57)를 갖는다. 판독 수단으로서 사용하는 판독기/기록기(60)는 비접촉 인터페이스(61) 및 인터페이스 회로(62)를 갖는다. IC는 판독기/기록기에 홀딩되고, 정보의 전송 또는 정보 교환은 비접촉 인터페이스들 사이에서 무선파를 통해 수행된다. 호스트 컴퓨터와의 정보 전송 또는 정보 교 환은 판독기/기록기의 인터페이스 회로에 의해 수행된다. 호스트 컴퓨터는 판독/기록 수단을 선택적으로 가질수있다.
PROM, EPROM 또는 EEPROM은 메모리에 사용될 수 있다. PROM 및 EPROM은 카드가 발행될 때를 제외하고 기록될 수 없다. 한편, EEPOM은 재기록가능하다. 메모리는 이용시 선택될 수 있다.
비접촉 IC의 특성은 전력이 코일 안테나, 상호 유도(전자기 결합), 또는 정전기 유도(정전기 결합)의 전자기 유도(전자기 유도)에 의해 공급된다. 수신하기 위한 주파수 레벨은 안테나의 턴수를 제어함으로써 선택될 수 있다.
도 3은 안테나(31), 전류 회로(32), CPU(33) 및 메모리(34) 등을 포함하는 집적 회로 영역(35)을 갖는 특정 비접촉 박막 집적 회로의 평면도이다. 안테나는 전류 회로를 통해 IC에 접속된다. 전류 회로(32)는 예를들어 다이오드 및 캐패시터를 포함하는 구조를 가지며, 안테나가 수신하는 교류(AC) 사이클을 직류(DC)로 전환하기 위한 기능을 갖는다.
다음, IC 라벨의 특정 제조 방법은 도 3의 라인 a-a'을 따라 얻어진 단면을 도시하는 도 4a 내지 4c를 참조하여 설명된다. 도 4a 내지 4c에서, 박막 집적 회로는 도 6c에서 처럼 라벨들 사이에 샌드위치된다.
도 4a는 제 1 라벨(40)상 접착부(41)상에 금속 산화물(42), 실리콘 함유 산화물막(43), 질소 함유 절연막, 불순물 영역을 갖는 반도체막, 게이트 절연막상 게이트 전극, 게이트 전극을 커버하는 제 1 중간층 절연막(46)제 2 중간층 절연막(47), 불순물 영역에 접속된 배선, 배선과 동일 층의 안테나(49), 배선 및 안테나를 커버하는 보호층(49) 및 보호막상 제 2 라벨(50)을 포함하는 베이스막(44)이 제공된 구조를 도시한다. 안테나없이 유사한 구조는 접촉형 박막 집적 회로에 사용될 수 있다.
반도체막, 불순물 영역, 게이트 전극등은 공지된 기술을 사용함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 베이스막은 SiNO 및 SiON의 층진 구조를 가지며; 배선은 단일 층 또는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W) 및 실리콘(Si)로부터 선택된 금속을 함유하는 금속막의 층진 구조(예를들어, Ti/Al-Si/Ti)를 가지며; 게이트 전극은 단일 층 또는 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)로부터 선택된 원소를 포함하는 층진 구조(예를들어, W/TaN)을 갖는다. 게다가 반도체막은 실리콘 또는 실리콘 게르마늄을 포함하는 재료로 형성될 수 있고; 제 1 중간층 절연막은 질소를 포함하는 절연막(패시베이션막)으로 형성될 수 있고; 제 2 중간층 절연막은 무기 재료 또는 유기 재료로 형성될 수 있다.
부드러운 표면을 갖는 유기 수지막은 접착성을 개선하기 위하여 보호막에 사용된다. 게다가, 실리콘 질화물(SiN)막 또는 실리콘 산화질화물(SiON 또는 SiNO)막 같은 질소 함유 절연막; 또는 DLC 또는 CN 같은 카본 함유 절연막, 또는 절연막의 적층은 불순물로부터 반도체막을 보호하기 위하여 형성될 수 있다.
따라서, 도 4a에 도시된 구조의 특성은 안테나가 배선과 동일층에 형성되는 것이다. 안테나의 제조 조건은 적당하게 설정될 수 있다. 예를 들어, 안테나는 도전 페이스트(특히, 은 페이스트)를 사용하는 잉크젯 또는 인쇄 방법에 의해, 또는 에칭백에 의한 제 2 중간층 절연막 및 패터닝에 형성된 함몰부 상에 안테나 재료를 부어서 배선의 형성과 동시에 배선 재료를 사용한 소정 패턴 에칭에 의해 형성된다.
도 4b는 도 4a의 경우와 달리 게이트 전극과 동일층에 안테나(51)을 형성하는 실시예를 도시한다. 안테나는 배선의 형성과 동시에 게이트 재료를 사용하여 소정 패턴을 에칭함으로써 형성되고, 도전 페이스(특히, 은 페이스트)를 사용하여 잉크젯 또는 인쇄 방법에 의해 또는 제 1 중간층 절연막 또는 게이트 절연막에 형성된 함몰부에 안테나 재료를 부음으로써 형성된다. 안테나없이 유사한 구조는 접촉형 박막 집적 회로에 사용될 수 있다.
도 4c는 도 4a 및 4b와 달리 안테나 및 IC 영역 각각을 형성하는 다른 실시예를 도시한다. CPU 및 메모리를 갖는 IC는 소정 위치로 전달되고, 안테나(52)는 도전 페이스트(특히, 은 페이스트)를 사용한 잉크젯 또는 인쇄 방법에 의해 형성된다. 도전 페이스트는 보호막(49)에 의해 커버된다. 보호막(49)과 다른 보호막은 선택적으로 사용된다. 그때, 안테나 및 집적 회로 영역은 적당하게 배치된다. 안테나를 가지지 않은 유사한 구조는 접촉형 박막 집적 회로에 사용될 수 있다.
도 4a 내지 4c에 대하여, 박막 집적 회로가 전달되는 라벨이 접착제에 의해 카드 또는 용기 같은 제품에 접착될때, 라벨(50)은 제품에 의해 대체될 것이다. 게다가, 박막 집적 회로가 직접적으로 제품에 전달될때, 라벨(40)은 제품에 의해 대체될 것이다.
또한, 도 10a 내지 10c에서, 박막 집적 회로가 곡선 표면에 접착되는 경우의 구조 예가 있다. 즉, 상기 구조는 박막 집적 회로가 스트레스에 의해 변형될 때 발생하는 박막 트랜지스터 같은 반도체 원소의 스트레스 크랙킹을 방지한다. 도 10a 내지 10c는 용기 또는 카드 같은 제품(100)에 접착되는 박막 집적 회로의 CPU(33) 및 메모리(34)를 포함하는 영역을 도시한다. 도 10a 내지 10c에 도시된 구조는 도 4a 내지 4c의 박막 집적 회로의 어느것에나 인가될 수 있고 그 각각은 접촉형 또는 비접촉형이다.
첫째, 박막 트랜지스터의 제 1 중간층 절연막의 형성 단계는 도 10a에 도시된 바와 같이 수행된다. 그 다음, 마스크는 반도체막상에 증착되고; 제 1 중간층 절연막, 게이트 절연막 및 베이스막은 반도체막이 제공되지 않은 영역에서 에칭되고, 개구부를 형성한다. 상기 에칭은 주어진 선택 비율에 적당한 방식으로 수행된다. 예를 들어, 건식 에칭은 인가될 수 있다.
다음, 무기 재료와 비교하여 높은 탄성을 갖는 폴리이미드 같은 유기 재료를 포함하는 제 2 중간층 절연막(47)은 개구부를 커버하기 위하여 형성된다. 따라서, 그것의 주변(에지)를 포함하는 반도체막은 제 2 중간층 절연막으로 감싸진다. 결과적으로, 변형 동안 발생하는 스트레스는 유기 재료를 갖는 제 2 중간층 절연막상에 집중되고, 제 2 중간층 절연막은 일차적으로 변형되고; 그러므로, 박막 트랜지스터상 스트레스는 감소된다. 게다가, 변형이 발생할 때, 스트레스는 대부분 반도체막의 에지 대신 베이스막의 에지에 인가되고; 따라서, 반도체막의 에지 또는 인터페이스에서 스트레스 농도는 감소될 수 있다.
따라서, 개구부는 바람직하게 형성되어 대부분의 스트레스 받은 부분은 반도 체막 에지와 다르고, 상기 부분은 베이스막 에지로 제한되지 않는다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 베이스 막의 적층부가 제공될 때, 반도체상 스트레스는 제 1 베이스막에 도달하는 개구부를 형성함으로써 경감될 수 있다. 따라서, 각각의 박막 트랜지스터는 개구부를 형성함으로써 분리되고, 스트레스는 분산될 수 있다. 그러므로, 박막 집적 회로는 표면의 곡선이 날카로울때, 즉 표면이 작은 곡률을 가질 때조차 반도체 원소를 손상시키지 않고 장착될 수 있다.
배선은 높은 연성(ductility) 및 가단성(malleability)을 갖는 금속 재료를 포함하도록 형성되고, 보다 바람직하게 막 두께는 보다 얇아져서 변형으로 인한 스트레스를 견딘다.
개구부는 도 10a의 각각의 박막 트랜지스터들 사이에 형성된다. 그러나, 절연은 각각의 회로 블록들 사이, 즉 각각의 CPU들 또는 메모리들 사이에 개구부를 형성함으로써 수행될 수 있다. 각각의 회로 불록이 절연될 때, 각각의 박막 트랜지스터가 절연되는 경우와 비교하여 개구부를 형성하기 쉽다. 게다가, 개구부가 박막 트랜지스터들 사이에 제공되지 않기 때문에, 서로 인접한 박막 트랜지스터들 사이 거리는 보다 작고, 집적도는 개선될 수 있다.
다음, 각각의 회로 블록들이 절연되는 상태에서 적층부의 복수의 중간층 절연막 및 배선을 형성하는 예가 도시된다. 예를 들어, 복수의 제 2 중간층 절연막(47a 및 47b)는 적층되고소스 전극 및 소스 와이어를 접속하기 위한 배선, 및 드레인 전극 및 드레인 와이어는 적층부에 형성된다. 상기 경우, 제 2 중간층 절연막(47a 및 47b), 상부상 적어도 제 2 중간층 절연막(47b)에 유기 재료를 사용 하여, 유기 재료로 개구부를 채우는 것은 바람직하다. 유기 재료가 상부상 제 2 중간층 절연막상에만 사용될 때, 유기 재료를 갖는 제 2 중간층 절연막은 박막 트랜지스터상 열처리가 완료된후 형성될 수 있다. 따라서, 오히려 아크릴 같은 낮은 열저항 재료는 사용될 수 있고, 유기 재료의 옵션은 증가될 수 있다.
다음, 각각의 회로 블록들이 절연되고 박막 트랜지스터들이 적층되는 구조를 갖는 박막 집적 회로는 도시될것이다. 층진 구조는 박막 트랜지스터들이 도 1a 내지 1e 또는 도 2a 내지 2c에 도시된 방법에 따라 형성되는 상태에서 박막화 및 전달을 수행함으로써 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 그것들이 극히 얇은 막 두께를 가지기 때문에 적층될 수 있다.
예를들어, 도 10c에 도시된 것과 같은 층진 구조를 갖는 막 집적 회로의 경우, 모든 박막 트랜지스터에서 모든 제 2 중간층 절연막(47)은 높은 탄성 유기 재료를 포함하도록 각각 형성된다. 예를 들어, 도 10b에 도시된 구조에서, 유기 재료는 제 2 중간층에 사용될수있고, 각각의 박막 트랜지스터 절연막, 및 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 배선층의 중간층 절연막은 유기 재료로 형성된다.
도 10a 내지 10c에 도시된 바와같이, 개구부는 형성되고, 스트레스를 수신하는 높은 탄성 유기 재료를 포함하는 제 2 중간층 절연막은 바람직하게 개구부에 형성된다.
본 발명에 따른 비접촉형 박막 집적 회로는 원격 형태, 근접 형태, 인접 형태, 또는 옆쪽 형태중 하나이고, 그 각각은 판독기/기록기로부터 2m 또는 그 이하, 70cm 또는 그 이하, 10cm 또는 그 이하 또는 몇 cm 또는 그 이하의 거리를 갖는다. 제조 사이트의 동작 시, 인접 형태 또는 근접 형태는 바람직하다.
주파수에 대하여, 원격 형태에 대해 마이크로파, 근접 및 인접 형태에 대해 13.56MHz 및 또는 옆쪽 형태에 대해 4.91MHz는 일반적으로 사용된다. 안테나의 턴수는 주파수 증가에 의해 최소화되고 파장은 짧아진다.
비접촉형 전력 공급 및 데이타 전송은 접촉형 박막 집적 회로와 비교하여 비접촉형 박막 집적 회로의 판독기/기록기와 접촉하지 않고 수행된다. 그러므로, 비접촉형 박막 집적 회로는 높은 내구성을 구비하고, 정전기로 인한 직접적인 손상 및 에러는 방지될 수 있다. 게다가, 판독기/기록기 그 자체는 구조상 복잡하지 않고, 박막 집적 회로는 그것이 단지 판독기/기록기에 홀딩될 필요만을 가지기 때문에 조절하기 쉬운 장점을 갖는다.
상기된 바와같이 형성된 비접촉 또는 접촉 박막 집적 회로가 매우 얇기 때문에, 디자인은 비록 그것이 카드 또는 용기 같은 제품상에 장착될지라도 손상되지 않는다. 게다가, 비접촉형 박막 집적 회로의 경우, IC 및 안테나는 하나의 유니트로서 형성될 수 있고, 곡선 표면을 갖는 제품에 쉽게 전달될 수 있다.
(실시예 모드 3)
이 실시예 모드에서, IC 라벨이 장착된 제품에 대한 정보를 판독하기 위한 방법이 설명될 것이다. 특히, IC 라벨이 비접촉형인 경우가 설명될 것이다.
IC 라벨(72)이 장착된 제품은 도 7a에 도시된 판독기/기록기 몸체(70)의 감지 영역(71)에 홀딩된다. 재료 외에, 제조중, 각각의 제조(생산) 공저의 검사 결과, 분배 처리 기록 등; 제품의 사양 같은 제품 정보가 디스플레이 영역에 디스플 레이된다. 디스플레이 영역은 판독기/기록기에 제공될 필요가 없고, 각각 형성될 수 있다. 상기 판독기/기록기는 디스플레이 랙(display rack)에 제공될 수 있다.
도 7b에 도시된 바와같이, 예를들어, 셀방식 전화(80) 같은 휴대 정보 단말은 그 내부에 판독 기능을 구비하고; IC 라벨(82)을 포함하는 제품은 메인 몸체에 탑재된 감지 영역(81)에 홀딩된다. 그 다음, 정보는 디스플레이 영역(83)에 디스플레이된다. 제품 정보는 또한 디스플레이된다. 디스플레이 영역은 판독기/기록기로서 사용하는 휴대 정보 단말에 구비될 필요 없고, 각각 형성될 수 있다.
도 7c에 도시된 것외에, IC 라벨(92)이 장착된 제품은 휴대용 판독기(90)의 감지 영역(91)에 홀딩된다. 그 다음 정보는 디스플레이 영역(93)에 디스플레이된다. 제품 정보는 또한 디스플레이된다. 디스플레이 영역은 판독기/기록기에 제공될 필요 없고, 각각 형성될 수 있다.
비접촉형의 판독기/기록기는 상기에서 설명되었다. 접촉형에 대해, 정보는 유사한 방식으로 디스플레이 영역에 디스플레이될 수 있다. 게다가, 디스플레이 영역은 비접촉형 또는 접촉형 박막 집적 회로를 구비한 제품에 제공될 수 있다.
따라서, 소비자는 RFID IC 태그에 의해 제공된 정보와 비교하여 자유롭게 제품의 풍부한 정보를 얻을 수 있다. 제품 관리는 박막 집적 회로를 사용하여 정확하고 빠르게 수행될 수 있다.
(실시예 모드 4)
이 실시예 모드에서, IC 라벨을 갖는 제품의 관리 방법 및 정보 및 제품의 흐름은 설명될 것이다. 특히, IC 라벨이 비접촉 방식인 경우가 설명될 것이다.
도 8에 도시된 바와같이, 제조자에 의해 제품 선적전 또는 판매자에 의한 제품 디스플레이전, 제품 관리에 필요한 정보는 호스트 컴퓨터에 입력된다. 예를 들어, 그 각각이 IC 라벨(204)을 갖는 복수의 제품(200)이 패키지된 카드보드 박스는 벨트 컨베이어 같은 전송 수단(201)을 사용함으로써 판독기/기록기(203)로 지나가고, 제품 정보는 컴퓨터에 입력된다. 이 경우, 판독기/기록기는 직접적으로 컴퓨터에 접속된다. 판독기/기록기를 사용하는 입력은 각각의 카드보드 박스 대신 각각의 제품에 대해 수행될 수 있다.
박막 집적 회로에 저장된 제품상 많은양의 데이타는 컴퓨터(202)에 즉각적으로 입력된다. 컴퓨터는 제품상 데이타 처리 기능을 갖는 소프트웨어를 구비한다. 데이타 처리는 하드웨어로 수행될 수 있다. 결과적으로, 에러, 작업 및 데이타 처리 시간은 감소될 수 있고 제품 관리 부담은 가벼울 수 있다.
제조자(생산자), 판매자 및 고객 사이의 정보 및 제품 흐름은 도 9에 도시된다. 제조자(생산자)는 판매자 또는 고객에게 박막 집적 회로가 장착된 제품을 제공한다. 판매자는 제조자(생산자)에게 예를들어 가격 정보, 판매 제품수, 또는 구매 시간을 제공한다. 한편, 고객은 개인용 정보 같은 구매 정보를 제공할 수 있다. 예를 들어, 구매 정보는 각각이 소유하는 박막 집적 회로 또는 판독기를 구비한 신용 카드에 의해 네트워크를 통해 제조자(생산자)에게 제공될 수 있다.
또한, 판매자는 제품 정보를 소비자에게 제공할 수 있고, 소비자는 박막 집 적 회로에 의해 구매 정보를 판매자에게 제공할 수 있다. 상기 판매 정보, 구매 정보 등은 값어치 있고 미래 판매 전략에서 유용할 것이다.
판매자 또는 고객에 의해 소유된 판독기로 판독한 박막 집적 회로상 정보를 제조자(생산자), 판매자 또는 소비자에게 컴퓨터 또는 네트워크를 통해 개시하는 방법은 다양한 정보를 제공하기 위한 방식으로 주어질 수 있다.
따라서, 다양한 정보는 필요시 누군가에게 제공될 수 있다. 본 발명에 따른 박막 집적 회로는 상업 트레이딩 또는 제품 관리에 바람직하다.
본 발명에 따른 매우 얇은 두께를 갖는 박막 집적 회로는 정보 교환 또는 정보 관리를 매우 쉽고 빠르게 수행할 수 있게 한다. 다양한 정보는 필요시 누군가에게 제공될 수 있다. 게다가, 박막 집적 회로는 충분히 얇고 디자인은 IC 라벨이 제품 용기에 통합될 때조차 손상되지 않는다.
RFID IC 태그에 탑재된 실리콘 웨이퍼로 형성된 IC와는 달리, 크랙 또는 그라인딩 마크를 유발하는 후면 그라인딩은 필요하지 않다. 게다가, 박막 집적 회로의 막 두께 균일성은 IC를 형성하는 각각의 막의 박막 형성중에 생성된 비균일성에 따른다. 그러므로, 박막 집적 회로의 막 두께 비균일성은 웨이퍼 후면 그라인딩 동안 생성된 몇 다스의 ㎛ 의 비균일성보다 훨씬 작은 약 몇백 나노미터 정도로 감소될 수 있다.
Claims (60)
- 박막 집적 회로 장치로서,절연막;상기 절연막의 한쪽 표면 위에 제공된 서로 분리된 복수의 반도체막들;상기 복수의 반도체막들을 갖는 박막 집적 회로; 및상기 절연막의 다른쪽 표면 위에 제공된 금속 산화물을 포함하는, 박막 집적 회로 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 WO2 또는 WO3를 포함하는, 박막 집적 회로 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물은, W, Ti, Ta, Mo, Nd, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os, 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속; 상기 금속을 포함하는 합금; 또는 상기 금속의 화합물의 산화물인, 박막 집적 회로 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체막들 각각은 능동 영역으로서 기능하는, 박막 집적 회로 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체막들 각각은 채널 영역으로서 기능하는, 박막 집적 회로 장치.
- IC 라벨로서,절연막;상기 절연막의 한쪽 표면 위에 제공된 서로 분리된 복수의 반도체막들;능동 영역으로서 상기 복수의 반도체막들을 갖는 박막 집적 회로; 및상기 IC 라벨의 표면을 용기에 부착하는 부착 수단을 포함하는, IC 라벨.
- 제 6 항에 있어서,상기 IC 라벨은 비접촉형인, IC 라벨.
- 제 6 항에 있어서,상기 IC 라벨의 다른쪽 표면은, 문자, 글자, 텍스트, 심볼, 또는 다이어그램으로 인쇄될 수 있는, IC 라벨.
- 비접촉형 박막 집적 회로를 포함하는 IC 라벨로서,상기 IC 라벨은 용기에 접착되고,상기 비접촉형 박막 집적 회로는,능동 영역으로서 절연막 위에 제공된 서로 분리된 복수의 반도체막들;상기 반도체막들 위에 제공된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 동일 층에 있는 안테나를 포함하는, IC 라벨.
- 제 9 항에 있어서,상기 안테나는 상기 게이트 전극과 동일 재료로 형성되는, IC 라벨.
- 제 9 항에 있어서,상기 안테나는 도전 페이스트를 포함하는, IC 라벨.
- 비접촉형 박막 집적 회로를 포함하는 IC 라벨로서,상기 IC 라벨은 용기에 접착되고,상기 비접촉형 박막 집적 회로는,능동 영역으로서 절연막 위에 제공된 서로 분리된 복수의 반도체막들;상기 반도체막들 중 하나의 불순물 영역에 접속된 배선; 및상기 배선과 동일 층에 있는 안테나를 포함하는, IC 라벨.
- 제 12 항에 있어서,상기 안테나는 상기 배선과 동일 재료를 포함하는, IC 라벨.
- 제 12 항에 있어서,상기 안테나는 도전 페이스트를 포함하는, IC 라벨.
- 용기로서,절연막;상기 절연막의 한쪽 표면 위에 제공된 서로 분리된 복수의 반도체막들; 및능동 영역으로서 상기 복수의 반도체막들을 갖는 박막 집적 회로를 포함하고,상기 박막 집적 회로는 상기 용기에 접착되는, 용기.
- 제 15 항에 있어서,상기 박막 집적 회로는 라벨에 의해 커버되는, 용기.
- 제 16 항에 있어서,상기 박막 집적 회로와 상기 라벨 사이에 DLC(Diamond Like Carbon)막 또는 CN(Carbon Nitride)막을 갖는 보호막이 제공되는, 용기.
- 제 15 항에 있어서,상기 박막 집적 회로는 제 1 라벨 및 제 2 라벨 사이에 유지되고, 상기 제 2 라벨은 접착제로 상기 박막 집적 회로에 부착되는, 용기.
- 제 15 항에 있어서,금속 산화물이 상기 절연막의 다른 쪽에 제공되고,상기 금속 산화물이 상기 용기에 접착되는, 용기.
- 용기에 접착되는 비접촉형 박막 집적 회로를 포함하는 상기 용기로서,상기 비접촉형 박막 집적 회로는,능동 영역으로서 절연막의 한쪽 표면 위에 제공된 서로 분리된 복수의 반도체막들;상기 복수의 반도체막들 위에 제공된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 동일층에 제공된 안테나를 포함하고,상기 절연막의 다른쪽 표면은 금속 산화물을 포함하는, 용기.
- 제 20 항에 있어서,상기 비접촉형 박막 집적 회로는 라벨에 의해 커버되는, 용기.
- 제 21 항에 있어서,상기 비접촉형 박막 집적 회로와 상기 라벨 사이에 DLC막 또는 CN막을 갖는 보호막이 제공되는, 용기.
- 제 20 항에 있어서,상기 비접촉형 박막 집적 회로는 제 1 라벨과 제 2 라벨 사이에 유지되고, 상기 제 2 라벨은 접착제로 상기 비접촉형 박막 집적 회로에 부착되는, 용기.
- 용기에 접착된 비접촉형 박막 집적 회로를 포함하는 상기 용기로서,상기 비접촉형 박막 집적 회로는,능동 영역으로서 절연막의 한쪽 표면 위에 제공된 서로 분리된 복수의 반도체막들;상기 복수의 반도체막들 위에 제공된 배선; 및상기 배선과 동일 층에 제공된 안테나를 포함하고,상기 절연막의 다른쪽 표면은 금속 산화물을 포함하는, 용기.
- 제 24 항에 있어서,상기 비접촉형 박막 집적 회로는 라벨에 의해 커버되는, 용기.
- 제 25 항에 있어서,상기 비접촉형 박막 집적 회로와 상기 라벨 사이에 DLC막 또는 CN막을 갖는 보호막이 제공되는, 용기.
- 제 24 항에 있어서,상기 비접촉형 박막 집적 회로는 제 1 라벨과 제 2 라벨 사이에 유지되고, 상기 제 2 라벨은 접착제로 상기 비접촉형 박막 집적 회로에 부착되는, 용기.
- 박막 집적 회로 장치의 제조 방법으로서,제 1 기판 위에 금속막을 형성하는 단계;실리콘 함유 산화물막 및 질소 함유 절연막이 상기 금속막 위에 적층된 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 위에 반도체막을 형성하는 단계;상기 반도체막을 갖는 박막 집적 회로를 형성하는 단계;제 1 접착제로 상기 반도체막에 제 2 기판을 접착하는 단계;상기 제 1 기판을 분리하는 단계;제 2 접착제로 제 3 기판에 상기 금속막을 접착하는 단계; 및상기 제 1 접착제를 제거하고 상기 제 2 기판을 분리하는 단계를 포함하고,금속 산화물은 상기 금속막 위에 형성되고,상기 분리는 상기 금속 산화물층 또는 상기 금속막과 상기 금속 산화물 사이의 경계에서 발생하는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 박막 집적 회로 장치는 도전 페이스트를 사용하여 인쇄법에 의해 형성된 안테나를 갖는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 실리콘 함유 산화물 막은 스퍼터링에 의해 상기 금속막 위에 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 금속 산화물은, 상기 실리콘 함유 산화물막이 상기 금속막 위에 형성될 때, 금속의 산화로 인해 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 금속 산화물은 가열에 의해 결정화되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 제 1 접착제의 제거 및 상기 제 2 접착제의 경화는 하나의 단계로 수행되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 금속막은, W, Ti, Ta, Mo, Nd, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os, 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속; 상기 금속을 포함하는 합금; 또는 상기 금속의 화합물을 포함하는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 제 1 접착제는, UV 박리형 수지(UV peelable resin), 열 박리형 수지(heat peelable resin), 또는 수용성 수지를 포함하는 접착제; 또는 양면 테이프로 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 제 2 접착제는, UV 경화형 수지, 열경화형 수지, 또는 수용성 수지를 포함하는 접착제; 또는 양면 테이프로 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 박막 집적 회로 장치 제조 방법으로서,제 1 기판 위에 금속막을 형성하는 단계;실리콘 함유 산화물 막 및 질소 함유 절연막이 상기 금속막 위에 적층된 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 위에 반도체막을 형성하는 단계;상기 반도체막 위에 동일층으로 게이트 전극 및 안테나를 증착함으로써 박막 집적 회로를 형성하는 단계;제 1 접착제로 상기 게이트 전극 및 상기 안테나에 제 2 기판을 접착하는 단계;상기 제 1 기판을 분리하는 단계;제 2 접착제로 상기 금속막에 제 3 기판을 접착하는 단계; 및상기 제 1 접착제를 제거하고 상기 제 2 기판을 분리하는 단계를 포함하고,금속 산화물은 상기 금속막 위에 형성되고,상기 분리는 상기 금속 산화물 층 또는 상기 금속막과 상기 금속 산화물 사이의 경계에서 발생하는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 실리콘 함유 산화물 막은 스퍼터링에 의해 상기 금속막 위에 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 38 항에 있어서,상기 금속 산화물은, 상기 실리콘 함유 산화물 막이 상기 금속막 위에 형성될 때, 금속의 산화로 인해 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 금속 산화물은 가열에 의해 결정화되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 제 1 접착제의 제거 및 상기 제 2 접착제의 경화는 하나의 단계로 수행되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 금속막은, W, Ti, Ta, Mo, Nd, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os, 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속; 상기 금속을 포함하는 합금; 또는 상기 금속의 화합물을 포함하는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 제 1 접착제는, UV 박리형 수지, 열 박리형 수지, 또는 수용성 수지를 포함하는 접착제; 또는 양면 테이프로 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 제 2 접착제는 UV 경화형 수지, 열경화형 수지, 또는 수용성 수지를 포함하는 접착제; 또는 양면 테이프로 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 박막 집적 회로 장치의 제조 방법으로서,제 1 기판 위에 금속막을 형성하는 단계;실리콘 함유 산화물 막 및 질소 함유 절연막이 상기 금속막 위에 적층된 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 위에 불순물 영역을 포함하는 반도체막을 형성하는 단계;상기 반도체막 위에 동일층으로 상기 불순물 영역에 접속된 배선 및 안테나를 증착함으로써 박막 집적 회로를 형성하는 단계;제 1 접착제로 상기 배선 및 상기 안테나에 제 2 기판을 접착하는 단계;상기 제 1 기판을 분리하는 단계;제 2 접착제로 상기 금속막에 제 3 기판을 접착하는 단계; 및상기 제 1 접착제를 제거하고 상기 제 2 기판을 분리하는 단계를 포함하고,금속 산화물은 상기 금속막 위에 형성되고,상기 분리는 상기 금속 산화물층 또는 상기 금속막과 상기 금속 산화물 사이의 경계에서 발생하는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 45 항에 있어서,상기 실리콘 함유 산화물 막은 스퍼터링에 의해 상기 금속막 위에 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 46 항에 있어서,상기 금속 산화물은, 상기 실리콘 함유 산화물막이 상기 금속막 위에 형성될 때, 금속의 산화로 인해 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 45 항에 있어서,상기 금속 산화물은 가열에 의해 결정화되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 45 항에 있어서,상기 제 1 접착제의 제거 및 상기 제 2 접착제의 경화는 하나의 단계로 수행되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 45 항에 있어서,상기 금속막은, W, Ti, Ta, Mo, Nd, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os, 및 Ir로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속; 상기 금속을 포함하는 합금; 또는 상기 금속의 화합물을 포함하는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 45 항에 있어서,상기 제 1 접착제는, UV 박리형 수지, 열 박리형 수지, 또는 수용성 수지를 포함하는 접착제; 또는 양면 테이프로 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 제 45 항에 있어서,상기 제 2 접착제는, UV 경화형 수지, 열경화형 수지, 또는 수용성 수지를 포함하는 접착제; 또는 양면 테이프로 형성되는, 박막 집적 회로 장치 제조 방법.
- 박막 집적 회로가 접착된 용기의 제조 방법으로서,제 1 기판 위에 금속막을 형성하는 단계;실리콘 함유 산화물막 및 질소 함유 절연막이 상기 금속막 위에 적층된 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 위에 반도체막을 형성하는 단계;제 1 접착제로 상기 반도체막에 제 2 기판을 접착하는 단계;상기 제 1 기판을 분리하는 단계;제 2 접착제로 상기 금속막에 용기를 접착하는 단계; 및상기 제 1 접착제를 제거하고 상기 제 2 기판을 분리하는 단계를 포함하고,금속 산화물은 상기 금속막 위에 형성되고,상기 분리는 상기 금속 산화물층 또는 상기 금속막과 상기 금속 산화물 사이의 경계에서 발생하는, 박막 집적 회로가 접착된 용기 제조 방법.
- 박막 집적 회로가 접착된 용기의 제조 방법으로서,제 1 기판 위에 금속막을 형성하는 단계;실리콘 함유 산화물 막 및 질소 함유 절연막이 상기 금속막 위에 적층된 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 위에 반도체막을 형성하는 단계;제 1 접착제로 상기 반도체막에 제 2 기판을 접착하는 단계;상기 제 1 기판을 분리하는 단계;제 2 접착제로 상기 금속막에 용기를 접착하는 단계;상기 제 1 접착제를 제거하고 상기 제 2 기판을 분리하는 단계; 및상기 용기를 커버하기 위하여 보호막을 형성하는 단계를 포함하고,금속 산화물은 상기 금속막 위에 형성되고,상기 분리는 상기 금속 산화물층 또는 상기 금속막과 상기 금속 산화물 사이의 경계에서 발생하는, 박막 집적 회로가 접착된 용기 제조 방법.
- 제 54 항에 있어서,상기 보호막은 DLC를 포함하는, 박막 집적 회로가 접착된 용기 제조 방법.
- 절연막의 한쪽 표면 위에 제공된 반도체막 및 상기 절연막의 다른쪽 표면 위에 제공된 금속 산화물을 갖는 박막 집적 회로에 접착되는 용기를 갖는 제품의 관리 방법으로서,상기 제품을 판독 수단에 홀딩하는 단계; 및상기 판독 수단에 의해 얻어진 정보를 소비자 또는 판매자에게 제공하는 단계를 포함하는, 관리 방법.
- 제 56 항에 있어서,상기 정보는 상기 판독 수단에 접속된 디스플레이 영역에 디스플레이되는, 관리 방법.
- 제 56 항에 있어서,상기 판독 수단은 휴대 정보 단말에 탑재되는, 관리 방법.
- 절연막의 한쪽 표면 위에 제공된 반도체막 및 상기 절연막의 다른쪽 표면위에 제공된 금속 산화물을 갖는 박막 집적 회로에 접착된 용기를 갖는 제품의 관리 방법으로서,상기 제품을 판독 수단에 홀딩하는 단계; 및상기 판독 수단으로부터 얻어진 정보를 네트워크를 통해 제조자 또는 판매자에게 제공하는 단계를 포함하는, 관리 방법.
- 제 59 항에 있어서,상기 판독 수단은 휴대 정보 단말에 탑재되는, 관리 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2003-00046456 | 2003-02-24 | ||
| JP2003046456 | 2003-02-24 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090017885A Division KR101022641B1 (ko) | 2003-02-24 | 2009-03-03 | 가요성 집적 회로 및 시스템 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040076223A KR20040076223A (ko) | 2004-08-31 |
| KR101050968B1 true KR101050968B1 (ko) | 2011-07-26 |
Family
ID=32767704
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040012300A Expired - Fee Related KR101050968B1 (ko) | 2003-02-24 | 2004-02-24 | 박막 집적 회로를 포함하는 박막 집적 회로 장치, ｉｃ 라벨, 용기, 상기 박막 집적 회로 장치의 제조 방법, 상기 용기의 제조 방법 및 상기 용기를 갖는 제품의 관리 방법 |
| KR1020090017885A Expired - Fee Related KR101022641B1 (ko) | 2003-02-24 | 2009-03-03 | 가요성 집적 회로 및 시스템 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090017885A Expired - Fee Related KR101022641B1 (ko) | 2003-02-24 | 2009-03-03 | 가요성 집적 회로 및 시스템 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7973313B2 (ko) |
| EP (1) | EP1453088A3 (ko) |
| JP (6) | JP5165071B2 (ko) |
| KR (2) | KR101050968B1 (ko) |
| CN (2) | CN1525393B (ko) |
| TW (3) | TWI390716B (ko) |
Families Citing this family (118)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4373085B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
| US7130234B2 (en) * | 2003-12-12 | 2006-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7768405B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7405665B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, RFID tag and label-like object |
| CN1697187B (zh) | 2003-12-19 | 2011-05-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体集成电路、半导体器件和半导体集成电路的制造方法 |
| US7508305B2 (en) * | 2003-12-26 | 2009-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Packing material, tag, certificate, paper money, and securities |
| US7566010B2 (en) * | 2003-12-26 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Securities, chip mounting product, and manufacturing method thereof |
| US7699232B2 (en) * | 2004-02-06 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN100468740C (zh) * | 2004-04-02 | 2009-03-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其驱动方法 |
| EP1733334B1 (en) | 2004-04-09 | 2011-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Product management system |
| CN100517728C (zh) * | 2004-06-24 | 2009-07-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造薄膜集成电路的方法 |
| KR100626008B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 및 이를 구비한 평판표시장치 |
| EP1782455A4 (en) * | 2004-07-09 | 2013-07-10 | Semiconductor Energy Lab | IC-CHIP AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE |
| US20150287660A1 (en) | 2007-01-05 | 2015-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laminating system, ic sheet, scroll of ic sheet, and method for manufacturing ic chip |
| KR101254277B1 (ko) * | 2004-07-30 | 2013-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 라미네이팅 시스템, ｉｃ 시트, ｉｃ 시트 두루마리, 및ｉｃ 칩의 제조방법 |
| US9953259B2 (en) | 2004-10-08 | 2018-04-24 | Thin Film Electronics, Asa | RF and/or RF identification tag/device having an integrated interposer, and methods for making and using the same |
| EP1812893A4 (en) * | 2004-10-18 | 2008-12-10 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND CONTROL METHOD THEREFOR |
| US8178958B2 (en) * | 2004-10-19 | 2012-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having antenna and method for manufacturing thereof |
| WO2006043687A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN101044624A (zh) | 2004-10-22 | 2007-09-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| CN100541803C (zh) * | 2004-11-11 | 2009-09-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
| WO2006051996A1 (en) | 2004-11-11 | 2006-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7688624B2 (en) * | 2004-11-26 | 2010-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| EP1820215A4 (en) * | 2004-12-07 | 2008-11-12 | Semiconductor Energy Lab | MEMORY BLOCK AND SEMICONDUCTOR BLOCK |
| US8716834B2 (en) * | 2004-12-24 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including antenna |
| US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
| WO2006078065A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP4884784B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2012-02-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法及び半導体装置 |
| WO2006080322A1 (en) | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| TWI472037B (zh) * | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 |
| TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 |
| WO2006080552A1 (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing thereof |
| US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20080138889A1 (en) * | 2005-02-10 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor Device |
| EP1696368B1 (en) * | 2005-02-28 | 2011-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| US20060202269A1 (en) | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip and electronic appliance having the same |
| CN101142715B (zh) * | 2005-03-15 | 2012-08-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件以及具有该半导体器件的电子器件 |
| KR101191678B1 (ko) * | 2005-03-25 | 2012-10-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| WO2006101241A1 (en) | 2005-03-25 | 2006-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element, memory device, and semiconductor device |
| WO2006104019A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and measuring method thereof |
| US7926726B2 (en) | 2005-03-28 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Survey method and survey system |
| TWI467702B (zh) * | 2005-03-28 | 2015-01-01 | Semiconductor Energy Lab | 記憶裝置和其製造方法 |
| TWI395321B (zh) * | 2005-03-31 | 2013-05-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其驅動方法 |
| US8288197B2 (en) * | 2005-04-27 | 2012-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device including a memory device comprising an insulator mixture region in a conductive layer |
| US7700984B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device including memory cell |
| US7566971B2 (en) * | 2005-05-27 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR101424524B1 (ko) | 2005-05-30 | 2014-08-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| US7688272B2 (en) * | 2005-05-30 | 2010-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7605056B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device including separation by physical force |
| US7651932B2 (en) | 2005-05-31 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing antenna and method for manufacturing semiconductor device |
| US7456104B2 (en) * | 2005-05-31 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7868320B2 (en) * | 2005-05-31 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2006129817A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of antenna |
| US7972910B2 (en) * | 2005-06-03 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of integrated circuit device including thin film transistor |
| US7719103B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device |
| US7465596B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US7510950B2 (en) * | 2005-06-30 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7727859B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7820495B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| WO2007004296A1 (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Fujitsu Limited | 誘電体多層膜を含んだ光学素子およびその製造方法 |
| US7687327B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-03-30 | Kovio, Inc, | Methods for manufacturing RFID tags and structures formed therefrom |
| CN101233531B (zh) * | 2005-07-29 | 2012-05-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| EP1920459A4 (en) * | 2005-08-12 | 2012-07-25 | Semiconductor Energy Lab | METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT |
| DE102005041221A1 (de) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Krones Ag | Herstellung von Etiketten mit RFID-Transpondern |
| EP1952312B1 (en) * | 2005-10-14 | 2012-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and communication system using the semiconductor device |
| JP5089033B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2012-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7684781B2 (en) * | 2005-11-25 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device |
| WO2007063786A1 (en) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Antenna and manufacturing method thereof, semiconductor device including antenna and manufacturing method thereof, and radio communication system |
| KR101319468B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2013-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
| US20070126556A1 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-07 | Kovio, Inc. | Printed radio frequency identification (RFID) tag using tags-talk-first (TTF) protocol |
| US8047889B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Block set and managing method thereof |
| TWI411964B (zh) * | 2006-02-10 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
| JP4640221B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2011-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | インクカートリッジ及びプリンタ |
| KR101316558B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2013-10-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 메모리 소자 및 반도체 장치 |
| JP4661643B2 (ja) * | 2006-03-13 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、インクカートリッジ及び電子機器 |
| CN101038981B (zh) * | 2006-03-16 | 2012-09-05 | 陈永顺 | 可以导电天线的制造方法及其装置 |
| EP1850378A3 (en) * | 2006-04-28 | 2013-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semicondutor device |
| US7923719B2 (en) * | 2006-04-28 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device wherein wiring contact is made through an opening in an organic compound layer |
| JP5204959B2 (ja) | 2006-06-26 | 2013-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP5127183B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
| WO2008041716A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP4766437B2 (ja) * | 2006-10-11 | 2011-09-07 | コヴィオ インコーポレイテッド | マルチモードタグとマルチモードタグの作製方法および使用方法 |
| EP2076923B1 (en) | 2006-10-24 | 2012-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device including storage device and method for driving the same |
| KR101416876B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2014-07-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| EP1956523B1 (en) * | 2007-02-02 | 2013-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless identification system, semiconductor device, and communication device |
| JP5263757B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2013-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US8009050B2 (en) * | 2007-02-02 | 2011-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless system, semiconductor device, and communication device |
| JP5525694B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| US7875881B2 (en) * | 2007-04-03 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
| CN103258964B (zh) * | 2008-05-16 | 2016-06-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、电子设备和照明装置 |
| CN101345330A (zh) * | 2008-08-25 | 2009-01-14 | 合隆科技(杭州)有限公司 | 射频天线及其制作方法 |
| US9016585B2 (en) * | 2008-11-25 | 2015-04-28 | Thin Film Electronics Asa | Printed antennas, methods of printing an antenna, and devices including the printed antenna |
| JP4821871B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2011-11-24 | ソニー株式会社 | 電子デバイスの製造方法および表示装置の製造方法 |
| JP4812889B1 (ja) * | 2010-06-09 | 2011-11-09 | 三智商事株式会社 | 無線ｉｃタグのデータ処理・投入装置 |
| KR101845480B1 (ko) | 2010-06-25 | 2018-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| US20120040128A1 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-16 | Feinics Amatech Nominee Limited | Transferring antenna structures to rfid components |
| US12360310B2 (en) * | 2010-10-13 | 2025-07-15 | Monolithic 3D Inc. | Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding |
| US9202822B2 (en) | 2010-12-17 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| MX2013008730A (es) | 2011-01-28 | 2013-08-29 | Nestec Sa | Aparatos y metodos para diagnosticar disfuncion en la deglucion. |
| US11074025B2 (en) | 2012-09-03 | 2021-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| CN103971590B (zh) * | 2013-02-01 | 2017-02-22 | 比亚迪股份有限公司 | 一种防伪商标及其制造方法 |
| WO2014129519A1 (en) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
| US9209513B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-12-08 | Apple Inc. | Antenna window and antenna pattern for electronic devices and methods of manufacturing the same |
| US9427949B2 (en) | 2013-12-03 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and stack manufacturing apparatus |
| CN105793957B (zh) | 2013-12-12 | 2019-05-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 剥离方法及剥离装置 |
| US9397149B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2016038411A1 (en) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | Michael Traut | Tamper-proof restaurant cash register system |
| CN104209136A (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-17 | 浙江大学 | TiO2/多孔g-C3N4复合材料的制备方法 |
| CN104292236A (zh) * | 2014-09-15 | 2015-01-21 | 浙江大学 | 三维多孔g-C3N4材料的制备方法 |
| US10332684B2 (en) | 2015-07-19 | 2019-06-25 | Vq Research, Inc. | Methods and systems for material cladding of multilayer ceramic capacitors |
| US10242803B2 (en) | 2015-07-19 | 2019-03-26 | Vq Research, Inc. | Methods and systems for geometric optimization of multilayer ceramic capacitors |
| US10236123B2 (en) | 2015-07-19 | 2019-03-19 | Vq Research, Inc. | Methods and systems to minimize delamination of multilayer ceramic capacitors |
| US10128047B2 (en) | 2015-07-19 | 2018-11-13 | Vq Research, Inc. | Methods and systems for increasing surface area of multilayer ceramic capacitors |
| US10431508B2 (en) | 2015-07-19 | 2019-10-01 | Vq Research, Inc. | Methods and systems to improve printed electrical components and for integration in circuits |
| CN108963419A (zh) * | 2017-05-26 | 2018-12-07 | 上海翔港包装科技股份有限公司 | Rfid天线的制作方法 |
| US10453872B1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-10-22 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technologiy Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof |
| CN108878354B (zh) * | 2018-06-29 | 2021-03-05 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种cmos薄膜晶体管及ltps阵列基板的制作方法 |
| US11476643B2 (en) * | 2018-11-08 | 2022-10-18 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Internal combustion engine component and method of manufacturing internal combustion engine component |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001166301A (ja) | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Seiko Epson Corp | バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6509217B1 (en) * | 1999-10-22 | 2003-01-21 | Damoder Reddy | Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same |
| JP2003045890A (ja) | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (96)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206304A (ja) | 1985-03-11 | 1986-09-12 | Hitachi Ltd | トランジスタ集積回路 |
| US6753253B1 (en) * | 1986-06-18 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
| US4900695A (en) * | 1986-12-17 | 1990-02-13 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
| EP0295065A3 (en) * | 1987-06-10 | 1991-07-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device, method of making same or cutting method for same, and cutting system using energy beam for same |
| US5618739A (en) * | 1990-11-15 | 1997-04-08 | Seiko Instruments Inc. | Method of making light valve device using semiconductive composite substrate |
| US5347154A (en) | 1990-11-15 | 1994-09-13 | Seiko Instruments Inc. | Light valve device using semiconductive composite substrate |
| JPH0521465A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6979840B1 (en) * | 1991-09-25 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring |
| JP2781706B2 (ja) | 1991-09-25 | 1998-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| US5985741A (en) * | 1993-02-15 | 1999-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP3662263B2 (ja) * | 1993-02-15 | 2005-06-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US5643804A (en) * | 1993-05-21 | 1997-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a hybrid integrated circuit component having a laminated body |
| JP3155886B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2001-04-16 | キヤノン株式会社 | 表示装置及びその製造法 |
| JPH08167630A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Hitachi Ltd | チップ接続構造 |
| JPH09270515A (ja) | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US5822856A (en) * | 1996-06-28 | 1998-10-20 | International Business Machines Corporation | Manufacturing circuit board assemblies having filled vias |
| JP4619461B2 (ja) | 1996-08-27 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法 |
| JP3809681B2 (ja) | 1996-08-27 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 剥離方法 |
| US6372608B1 (en) * | 1996-08-27 | 2002-04-16 | Seiko Epson Corporation | Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method |
| JP4619462B2 (ja) | 1996-08-27 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜素子の転写方法 |
| US6127199A (en) * | 1996-11-12 | 2000-10-03 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
| US6331722B1 (en) * | 1997-01-18 | 2001-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Hybrid circuit and electronic device using same |
| US5998838A (en) * | 1997-03-03 | 1999-12-07 | Nec Corporation | Thin film transistor |
| JPH10256576A (ja) | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池シート |
| US5976974A (en) * | 1997-04-22 | 1999-11-02 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Method of forming redundant signal traces and corresponding electronic components |
| JPH1126733A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
| JPH11134460A (ja) | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Toppan Forms Co Ltd | 非接触式ｉｃラベル |
| JP3406207B2 (ja) | 1997-11-12 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法 |
| EP0958663A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-11-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Identification transponder |
| JPH11243209A (ja) | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
| US6313481B1 (en) * | 1998-08-06 | 2001-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6215130B1 (en) * | 1998-08-20 | 2001-04-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
| JP4463377B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP3447619B2 (ja) * | 1999-06-25 | 2003-09-16 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス基板の製造方法、中間転写基板 |
| CN1141668C (zh) | 1999-07-27 | 2004-03-10 | 深圳市华阳微电子有限公司 | 非接触式电子防伪识别标签 |
| JP3804349B2 (ja) | 1999-08-06 | 2006-08-02 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置 |
| US6312795B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-11-06 | Toda Kogyo Corporation | Magnetic sheet |
| US6436520B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-08-20 | Toda Kogyo Corporation | Magnetic display device |
| JP2001127302A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 半導体薄膜基板、半導体装置、半導体装置の製造方法および電子装置 |
| US6136702A (en) * | 1999-11-29 | 2000-10-24 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
| JP3319455B2 (ja) | 1999-12-15 | 2002-09-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4748859B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| US7060153B2 (en) * | 2000-01-17 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| JP2001217443A (ja) | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法、太陽電池およびその製造方法ならびに半導体素子を用いた光学素子 |
| JP4884592B2 (ja) | 2000-03-15 | 2012-02-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法及び表示装置の作製方法 |
| JP2001284622A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
| JP2001319891A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Nec Corp | 薄膜処理方法及び薄膜処理装置 |
| JP2001326190A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Nec Corp | 薄膜処理方法及び薄膜処理装置 |
| US6729922B2 (en) * | 2000-06-05 | 2004-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device for inspecting element substrates and method of inspection using this device |
| TW501282B (en) * | 2000-06-07 | 2002-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing semiconductor device |
| ATE259522T1 (de) * | 2000-07-11 | 2004-02-15 | Ident Technology Gmbh X | Sicherheitsetikett/sicherheitsanhänger mit darin integriertem rfid-transponder |
| US6720577B2 (en) * | 2000-09-06 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2002087844A (ja) | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
| JP2002118074A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| KR100382955B1 (ko) * | 2000-10-10 | 2003-05-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| JP2002133385A (ja) | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触、接触両用型ｉｃモジュール及びｉｃカード |
| JP2002164512A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3974749B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-09-12 | シャープ株式会社 | 機能素子の転写方法 |
| KR100710282B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-04-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP4255639B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2009-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2002230141A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Optrom Inc | 商品管理方法とそのシステム |
| JP3612280B2 (ja) * | 2001-02-22 | 2005-01-19 | 株式会社日立製作所 | 薄膜形成法とその薄膜及びそれを用いた平面表示装置 |
| US6850080B2 (en) * | 2001-03-19 | 2005-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Inspection method and inspection apparatus |
| SG117406A1 (en) * | 2001-03-19 | 2005-12-29 | Miconductor Energy Lab Co Ltd | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2002278473A (ja) | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
| JP3560563B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2004-09-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002340989A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 測定方法、検査方法及び検査装置 |
| JP2002353235A (ja) | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリクス基板とそれを用いた表示装置およびその製造方法 |
| JP4058919B2 (ja) | 2001-07-03 | 2008-03-12 | 日立化成工業株式会社 | 非接触式ｉｃラベル、非接触式ｉｃカード、非接触式ｉｃラベルまたは非接触式ｉｃカード用ｉｃモジュール |
| JP4027740B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| TW564471B (en) * | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
| US6887650B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-05-03 | Seiko Epson Corporation | Transfer method, method of manufacturing thin film devices, method of manufacturing integrated circuits, circuit board and manufacturing method thereof, electro-optical apparatus and manufacturing method thereof, ic card, and electronic appliance |
| US6814832B2 (en) * | 2001-07-24 | 2004-11-09 | Seiko Epson Corporation | Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance |
| JP2003044808A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Kyodo Printing Co Ltd | 表示付き非接触ｉｃカードの製造方法、および表示付き非接触ｉｃカード |
| JP4673513B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4439766B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2010-03-24 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 |
| TW554398B (en) * | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device |
| JP3909583B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2007-04-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| JP4166455B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2008-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 偏光フィルム及び発光装置 |
| KR100944886B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2010-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6885032B2 (en) * | 2001-11-21 | 2005-04-26 | Visible Tech-Knowledgy, Inc. | Display assembly having flexible transistors on a flexible substrate |
| EP1456892A1 (en) * | 2001-11-30 | 2004-09-15 | Acreo AB | Electrochemical device |
| US6777529B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-08-17 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| US6621099B2 (en) * | 2002-01-11 | 2003-09-16 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| US6770904B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-08-03 | Xerox Corporation | Polythiophenes and electronic devices generated therefrom |
| US6821348B2 (en) * | 2002-02-14 | 2004-11-23 | 3M Innovative Properties Company | In-line deposition processes for circuit fabrication |
| JP2003243631A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁性体記憶装置ならびにそれを用いた無線チップ、流通管理システムおよび製造工程管理システム |
| JP4136482B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置 |
| US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
| WO2004040649A1 (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
| US6878643B2 (en) * | 2002-12-18 | 2005-04-12 | The Regents Of The University Of California | Electronic unit integrated into a flexible polymer body |
| US7088145B2 (en) * | 2002-12-23 | 2006-08-08 | 3M Innovative Properties Company | AC powered logic circuitry |
| US7652359B2 (en) * | 2002-12-27 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Article having display device |
| EP1437683B1 (en) * | 2002-12-27 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card and booking account system using the IC card |
| US7042052B2 (en) * | 2003-02-10 | 2006-05-09 | Micron Technology, Inc. | Transistor constructions and electronic devices |
| JP4243121B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2009-03-25 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 相補型半導体装置およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-02-20 US US10/781,795 patent/US7973313B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-23 TW TW093104458A patent/TWI390716B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-23 EP EP04004083A patent/EP1453088A3/en not_active Withdrawn
- 2004-02-23 TW TW097139553A patent/TWI397994B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-23 TW TW101141141A patent/TWI525799B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-02-24 CN CN2004100070265A patent/CN1525393B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-24 CN CN201110062354.5A patent/CN102184891B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-24 KR KR1020040012300A patent/KR101050968B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-03 KR KR1020090017885A patent/KR101022641B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-07 JP JP2011023530A patent/JP5165071B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-07 JP JP2011023531A patent/JP5439406B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-25 US US13/115,133 patent/US8193532B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-08-08 JP JP2013164852A patent/JP5723935B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-10-16 JP JP2014211594A patent/JP5953355B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-11 JP JP2016003111A patent/JP2016058756A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-09-15 JP JP2017177230A patent/JP6538789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6509217B1 (en) * | 1999-10-22 | 2003-01-21 | Damoder Reddy | Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same |
| JP2001166301A (ja) | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Seiko Epson Corp | バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2003045890A (ja) | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1525393B (zh) | 2011-05-04 |
| TW200917469A (en) | 2009-04-16 |
| EP1453088A2 (en) | 2004-09-01 |
| JP2011109132A (ja) | 2011-06-02 |
| JP5723935B2 (ja) | 2015-05-27 |
| US20040164302A1 (en) | 2004-08-26 |
| TW200509378A (en) | 2005-03-01 |
| TWI525799B (zh) | 2016-03-11 |
| KR20040076223A (ko) | 2004-08-31 |
| EP1453088A3 (en) | 2011-12-21 |
| JP5953355B2 (ja) | 2016-07-20 |
| JP5439406B2 (ja) | 2014-03-12 |
| JP2011135088A (ja) | 2011-07-07 |
| TWI390716B (zh) | 2013-03-21 |
| TWI397994B (zh) | 2013-06-01 |
| US7973313B2 (en) | 2011-07-05 |
| US20110223966A1 (en) | 2011-09-15 |
| JP6538789B2 (ja) | 2019-07-03 |
| CN102184891A (zh) | 2011-09-14 |
| KR20090039690A (ko) | 2009-04-22 |
| JP2017224862A (ja) | 2017-12-21 |
| CN1525393A (zh) | 2004-09-01 |
| JP2015043455A (ja) | 2015-03-05 |
| US8193532B2 (en) | 2012-06-05 |
| JP2013258421A (ja) | 2013-12-26 |
| CN102184891B (zh) | 2014-01-29 |
| TW201320313A (zh) | 2013-05-16 |
| JP2016058756A (ja) | 2016-04-21 |
| JP5165071B2 (ja) | 2013-03-21 |
| KR101022641B1 (ko) | 2011-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101050968B1 (ko) | 박막 집적 회로를 포함하는 박막 집적 회로 장치, ｉｃ 라벨, 용기, 상기 박막 집적 회로 장치의 제조 방법, 상기 용기의 제조 방법 및 상기 용기를 갖는 제품의 관리 방법 | |
| JP4566578B2 (ja) | 薄膜集積回路の作製方法 | |
| CN101452962B (zh) | 半导体装置 | |
| CN1894796B (zh) | 薄膜集成电路器件的制造方法和非接触薄膜集成电路器件及其制造方法 | |
| US7465647B2 (en) | Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device | |
| TW200529088A (en) | ID label, ID tag, and ID card | |
| JP4776941B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、ｉｃカード、ｉｃタグ、ｒｆｉｄ、トランスポンダ、紙幣、有価証券、パスポート、電子機器、バッグ及び衣類 | |
| CN100573569C (zh) | 半导体装置 | |
| JP2005251176A (ja) | Ｉｄラベル、ｉｄタグ及びｉｄカード | |
| JP4912586B2 (ja) | 薄膜集積回路装置の作製方法 | |
| JP4823705B2 (ja) | 薄膜集積回路の作製方法及びｉｃラベルの作製方法 | |
| JP2005235191A (ja) | Ｉｄラベル、ｉｄカード及びｉｄタグ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20040224 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20090224 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20040224 Comment text: Patent Application |
|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| PA0107 | Divisional application |
Comment text: Divisional Application of Patent Patent event date: 20090303 Patent event code: PA01071R01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20101027 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20110513 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20110715 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20110718 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140630 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140630 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150619 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150619 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160624 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160624 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170616 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170616 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190617 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190617 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200618 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20220426 |