JP2002087844A - 表示パネルの製造方法 - Google Patents
表示パネルの製造方法Info
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-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板サイズを縮小することなく且つ生産性を
低下させることなく、表示パネルの軽量化及び薄型化を
実現する。 【解決手段】 表示パネルを製造する為、所定の肉厚を
有する基板を用いて表示パネル１を作り込むパネル作成
工程と、表示パネル１を薬液１７に浸漬し、化学反応に
より基板の表面を一定量除去して肉厚を薄くする化学処
理工程とを行う。化学処理工程は、薬液１７の温度変化
が予め設定した温度から±５℃の範囲に収まるように制
御しながら、基板の表面を一定量除去する。この場合、
薬液１７の予め設定した温度は、３０℃から６０℃の間
にある。又、薬液１７の濃度変化が予め設定した濃度か
ら±５重量％の範囲に収まるように制御しながら、基板
の表面を一定量除去する。この場合、薬液１７の予め設
定した濃度は、１０重量％から３０重量％の間にある。
又、化学反応によって析出する物質を薬液１７中から回
収しながら、基板の表面を一定量除去する。又、容器２
０に満たした薬液１７を循環しながら表示パネル１を薬
液１７に浸漬する。
低下させることなく、表示パネルの軽量化及び薄型化を
実現する。 【解決手段】 表示パネルを製造する為、所定の肉厚を
有する基板を用いて表示パネル１を作り込むパネル作成
工程と、表示パネル１を薬液１７に浸漬し、化学反応に
より基板の表面を一定量除去して肉厚を薄くする化学処
理工程とを行う。化学処理工程は、薬液１７の温度変化
が予め設定した温度から±５℃の範囲に収まるように制
御しながら、基板の表面を一定量除去する。この場合、
薬液１７の予め設定した温度は、３０℃から６０℃の間
にある。又、薬液１７の濃度変化が予め設定した濃度か
ら±５重量％の範囲に収まるように制御しながら、基板
の表面を一定量除去する。この場合、薬液１７の予め設
定した濃度は、１０重量％から３０重量％の間にある。
又、化学反応によって析出する物質を薬液１７中から回
収しながら、基板の表面を一定量除去する。又、容器２
０に満たした薬液１７を循環しながら表示パネル１を薬
液１７に浸漬する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示パネルの製造方
法に関する。より詳しくは、液晶ディスプレイなどで代
表されるガラス基板を用いたフラット型の表示パネルの
薄型化及び軽量化技術に関する。
法に関する。より詳しくは、液晶ディスプレイなどで代
表されるガラス基板を用いたフラット型の表示パネルの
薄型化及び軽量化技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、モバイル用途等で液晶ディスプレ
イなどの表示パネルに対する需要の増加とともに、表示
パネルに対する薄型化及び軽量化への要求が高まってい
る。表示パネルにおいて、厚さと重さの点で大きなウエ
イトを占めているのがガラス基板である。従って、表示
パネルの薄型化及び軽量化には、ガラス基板の薄型化が
必要である。大型の液晶ディスプレイに着目した場合、
ガラス基板の厚さは、近年１．１ｍｍから０．７ｍｍに
薄型化されている。この場合には、単にガラス基板の厚
みを薄くして組立工程に投入するだけで済み、生産ライ
ンの大きな変更は要求されなかった。基板サイズについ
ても、０．７ｍｍ厚では、対角寸法が１ｍの表示パネル
までは対応可能と考えられている。
イなどの表示パネルに対する需要の増加とともに、表示
パネルに対する薄型化及び軽量化への要求が高まってい
る。表示パネルにおいて、厚さと重さの点で大きなウエ
イトを占めているのがガラス基板である。従って、表示
パネルの薄型化及び軽量化には、ガラス基板の薄型化が
必要である。大型の液晶ディスプレイに着目した場合、
ガラス基板の厚さは、近年１．１ｍｍから０．７ｍｍに
薄型化されている。この場合には、単にガラス基板の厚
みを薄くして組立工程に投入するだけで済み、生産ライ
ンの大きな変更は要求されなかった。基板サイズについ
ても、０．７ｍｍ厚では、対角寸法が１ｍの表示パネル
までは対応可能と考えられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、モバイ
ル用途として、更なる基板の薄型化に対する要求が強ま
っている。次段階の基板厚みの目標としては、０．５ｍ
ｍが想定されている。０．５ｍｍまでガラス基板を薄く
すると、撓みが大きくなり、例えば６００ｍｍ×７００
ｍｍのサイズのガラス基板を考えた場合、現状の生産技
術及び搬送技術では対応が不可能である。この為、基板
のサイズを４００ｍｍ×５００ｍｍまで縮小して生産ラ
インを再構築することが考えられる。しかしながら、基
板サイズを縮小すると、一枚当たりから取り出される最
終製品としての液晶パネルの取り個数が少なくなる為、
生産性が大きく落ちることになる。又、一旦基板を厚い
まま表示パネルに組立て、その後にガラス基板の表面を
機械的に研磨することで、表示パネルの薄型化を図る試
みもある。しかしながら、この機械的な研磨方式では、
大型の基板を組立てた後、複数個のパネルに切り出した
後で、個々のパネル毎に機械研磨を掛ける為、やはり生
産性が低下するという課題がある。以上の様に、薄い基
板を生産ラインの最初から投入しようとすると、基板の
撓みの影響があり、基板サイズを無制限に大きくするこ
とができないという問題が生じる。又、基板をパネルに
組立てた後研磨して薄くしようとすると、基板からパネ
ルを一枚ずつ取り出した後に研磨処理することとなり、
時間が掛かる為生産性が低下するという問題が生じる。
ル用途として、更なる基板の薄型化に対する要求が強ま
っている。次段階の基板厚みの目標としては、０．５ｍ
ｍが想定されている。０．５ｍｍまでガラス基板を薄く
すると、撓みが大きくなり、例えば６００ｍｍ×７００
ｍｍのサイズのガラス基板を考えた場合、現状の生産技
術及び搬送技術では対応が不可能である。この為、基板
のサイズを４００ｍｍ×５００ｍｍまで縮小して生産ラ
インを再構築することが考えられる。しかしながら、基
板サイズを縮小すると、一枚当たりから取り出される最
終製品としての液晶パネルの取り個数が少なくなる為、
生産性が大きく落ちることになる。又、一旦基板を厚い
まま表示パネルに組立て、その後にガラス基板の表面を
機械的に研磨することで、表示パネルの薄型化を図る試
みもある。しかしながら、この機械的な研磨方式では、
大型の基板を組立てた後、複数個のパネルに切り出した
後で、個々のパネル毎に機械研磨を掛ける為、やはり生
産性が低下するという課題がある。以上の様に、薄い基
板を生産ラインの最初から投入しようとすると、基板の
撓みの影響があり、基板サイズを無制限に大きくするこ
とができないという問題が生じる。又、基板をパネルに
組立てた後研磨して薄くしようとすると、基板からパネ
ルを一枚ずつ取り出した後に研磨処理することとなり、
時間が掛かる為生産性が低下するという問題が生じる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上した従来の技術の課題
に鑑み、本発明は基板サイズを縮小することなく且つ生
産性を低下させることなく、表示パネルの軽量化及び薄
型化を実現する製造方法を提供することを目的とする。
係る目的を達成する為に以下の手段を講じた。即ち、本
発明に係る表示パネルの製造方法は、所定の肉厚を有す
る基板を用いて表示パネルを作り込むパネル作成工程
と、該表示パネルを薬液に浸漬し、化学反応により該基
板の表面を一定量除去して肉厚を薄くする化学処理工程
とを行う。好ましくは、前記化学処理工程は、該薬液の
温度変化が予め設定した温度から±５℃の範囲に収まる
ように制御しながら、該基板の表面を一定量除去する。
この場合、前記化学処理工程は、該薬液の予め設定した
温度が、３０℃から６０℃の間にある。又、前記化学処
理工程は、該薬液の濃度変化が予め設定した濃度から±
５重量％の範囲に収まるように制御しながら、該基板の
表面を一定量除去する。この場合、前記化学処理工程
は、該薬液の予め設定した濃度が、１０重量％から３０
重量％の間にある。又、前記化学処理工程は、該化学反
応によって析出する物質を薬液中から回収しながら、該
基板の表面を一定量除去する。又、前記化学処理工程
は、容器に満たした薬液を循環しながら該表示パネルを
薬液に浸漬し、該基板の表面を一定量除去する。又、前
記化学処理工程は、該薬液に気泡を導入して攪拌しなが
ら該表示パネルを薬液に浸漬し、該基板の表面を一定量
除去する。又、前記化学処理工程は、該表示パネルを揺
動しながら薬液に浸漬し、該基板の表面を一定量除去す
る。又、前記パネル作成工程と前記化学処理工程との間
で、該基板に付着した異物を除去する異物除去工程を行
う。この場合、前記異物除去工程は、該基板にオゾン水
を作用させて異物を除去する。又、前記化学処理工程の
後、４０℃以上に加温された純水を用いて、該基板に付
着した薬液を除去する薬液除去工程を行う。又、前記化
学処理工程は、該基板の表面を一定量除去したか否かを
検出する手順を含む。又、前記化学処理工程は、フッ酸
と硫酸を含む薬液に浸漬して、ガラスからなる基板の表
面を一定量除去する。又、前記パネル作成工程は、所定
の肉厚を有する二枚の基板を所定の間隙で互いに張り合
わせて表示パネルを作り込み、前記化学処理工程の後該
表示パネルの間隙に液晶を注入する液晶注入工程を行
う。或いは、前記パネル作成工程は、所定の肉厚を有す
る一枚の基板の上にエレクトロルミネッセンス素子を形
成して表示パネルを作り込み、前記化学処理工程は、該
エレクトロルミネッセンス素子を保護した状態で表示パ
ネルを薬液に浸漬し該基板の表面を一定量除去する。
に鑑み、本発明は基板サイズを縮小することなく且つ生
産性を低下させることなく、表示パネルの軽量化及び薄
型化を実現する製造方法を提供することを目的とする。
係る目的を達成する為に以下の手段を講じた。即ち、本
発明に係る表示パネルの製造方法は、所定の肉厚を有す
る基板を用いて表示パネルを作り込むパネル作成工程
と、該表示パネルを薬液に浸漬し、化学反応により該基
板の表面を一定量除去して肉厚を薄くする化学処理工程
とを行う。好ましくは、前記化学処理工程は、該薬液の
温度変化が予め設定した温度から±５℃の範囲に収まる
ように制御しながら、該基板の表面を一定量除去する。
この場合、前記化学処理工程は、該薬液の予め設定した
温度が、３０℃から６０℃の間にある。又、前記化学処
理工程は、該薬液の濃度変化が予め設定した濃度から±
５重量％の範囲に収まるように制御しながら、該基板の
表面を一定量除去する。この場合、前記化学処理工程
は、該薬液の予め設定した濃度が、１０重量％から３０
重量％の間にある。又、前記化学処理工程は、該化学反
応によって析出する物質を薬液中から回収しながら、該
基板の表面を一定量除去する。又、前記化学処理工程
は、容器に満たした薬液を循環しながら該表示パネルを
薬液に浸漬し、該基板の表面を一定量除去する。又、前
記化学処理工程は、該薬液に気泡を導入して攪拌しなが
ら該表示パネルを薬液に浸漬し、該基板の表面を一定量
除去する。又、前記化学処理工程は、該表示パネルを揺
動しながら薬液に浸漬し、該基板の表面を一定量除去す
る。又、前記パネル作成工程と前記化学処理工程との間
で、該基板に付着した異物を除去する異物除去工程を行
う。この場合、前記異物除去工程は、該基板にオゾン水
を作用させて異物を除去する。又、前記化学処理工程の
後、４０℃以上に加温された純水を用いて、該基板に付
着した薬液を除去する薬液除去工程を行う。又、前記化
学処理工程は、該基板の表面を一定量除去したか否かを
検出する手順を含む。又、前記化学処理工程は、フッ酸
と硫酸を含む薬液に浸漬して、ガラスからなる基板の表
面を一定量除去する。又、前記パネル作成工程は、所定
の肉厚を有する二枚の基板を所定の間隙で互いに張り合
わせて表示パネルを作り込み、前記化学処理工程の後該
表示パネルの間隙に液晶を注入する液晶注入工程を行
う。或いは、前記パネル作成工程は、所定の肉厚を有す
る一枚の基板の上にエレクトロルミネッセンス素子を形
成して表示パネルを作り込み、前記化学処理工程は、該
エレクトロルミネッセンス素子を保護した状態で表示パ
ネルを薬液に浸漬し該基板の表面を一定量除去する。
【０００５】本発明によれば、例えば表示パネルを構成
する二枚の基板を組み合わせた後、これらの基板を薬液
に浸漬し、化学反応により基板表面を一定量除去する。
大型の基板から個々の表示パネルを切り出す前に一括し
て処理できる為、生産性を低下させることがない。又、
組立て段階では、厚い状態の基板を用いて生産プロセス
が進む為、基板を大型化してもハンドリングの問題が生
じない。尚、基板の厚みを全面に亘って一定に薄くする
為、本発明では化学反応に用いる薬液の温度を±５℃以
内に調節している。同様の目的で、薬液の濃度はばらつ
きの範囲が±５重量％以内に調節している。又、化学反
応中に生成した物質の再付着は均一な肉厚除去の障害と
なる為、再付着を防止する手段が講じられている。例え
ば、基板浸漬中に、化学反応で析出した物質を回収する
為にフィルタを使っている。又処理中薬液が循環する様
になっている。更に、薬液に気体を混入し、基板に対し
てバブリングの作用が働く様にする。加えて、処理中に
は、浸漬している基板が揺動できる様にする。又、化学
処理を均一に行なう為、予め基板を貼り合わせる工程と
化学的に基板をエッチングする工程との間に、基板に付
着している異物を除去する工程を加えている。この異物
除去工程では、例えば酸化力の強いオゾン水を用いて、
有機の異物を除去している。更には、基板に付着した薬
液を除去するリンス工程において、リンス液として４０
℃以上の温純水を用いることで、乾燥を容易にしてい
る。又、基板を浸漬処理中あるいは浸漬処理後、所定量
除去されたことをモニタして、基板の厚み管理を定量的
に行なっている。
する二枚の基板を組み合わせた後、これらの基板を薬液
に浸漬し、化学反応により基板表面を一定量除去する。
大型の基板から個々の表示パネルを切り出す前に一括し
て処理できる為、生産性を低下させることがない。又、
組立て段階では、厚い状態の基板を用いて生産プロセス
が進む為、基板を大型化してもハンドリングの問題が生
じない。尚、基板の厚みを全面に亘って一定に薄くする
為、本発明では化学反応に用いる薬液の温度を±５℃以
内に調節している。同様の目的で、薬液の濃度はばらつ
きの範囲が±５重量％以内に調節している。又、化学反
応中に生成した物質の再付着は均一な肉厚除去の障害と
なる為、再付着を防止する手段が講じられている。例え
ば、基板浸漬中に、化学反応で析出した物質を回収する
為にフィルタを使っている。又処理中薬液が循環する様
になっている。更に、薬液に気体を混入し、基板に対し
てバブリングの作用が働く様にする。加えて、処理中に
は、浸漬している基板が揺動できる様にする。又、化学
処理を均一に行なう為、予め基板を貼り合わせる工程と
化学的に基板をエッチングする工程との間に、基板に付
着している異物を除去する工程を加えている。この異物
除去工程では、例えば酸化力の強いオゾン水を用いて、
有機の異物を除去している。更には、基板に付着した薬
液を除去するリンス工程において、リンス液として４０
℃以上の温純水を用いることで、乾燥を容易にしてい
る。又、基板を浸漬処理中あるいは浸漬処理後、所定量
除去されたことをモニタして、基板の厚み管理を定量的
に行なっている。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係る表示パ
ネルの製造方法の第一実施形態の一例を模式的に表わし
たものである。具体的には、本発明に係る表示パネルの
製造方法を実現する為の装置を概略的に表わしている。
図示する様に、本装置は容器２０を基本としており、そ
の中には薬液１７が満たされている。この薬液１７に
は、処理対象となるパネル１を搭載したカセット６を投
入可能である。カセット６は、矢印で示す様に容器２０
内で上下に揺動可能である。容器２０にはＨＦ供給ライ
ン７を介してフッ酸を含む薬液１７を投入可能である。
又、容器２０には純水供給ライン８を介して純水も導入
できる。容器２０の底部には廃液ライン１３が接続され
ており、使用済みとなった薬液１７を排出することがで
きる。図示する様に、本発明の製造方法では、大型の基
板を貼り合わせてパネル１を作成した後、このパネル１
をカセット６に入れ、薬液１７で満たされた容器２０に
浸漬させて、基板表面を一定量除去する。薬液１７とし
てはフッ酸（ＨＦ）を用い、濃度は２０重量％に設定し
ている。又、容器２０のサイズは、縦７００ｍｍ×横７
００ｍｍ×高さ９００ｍｍとなっている。
の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係る表示パ
ネルの製造方法の第一実施形態の一例を模式的に表わし
たものである。具体的には、本発明に係る表示パネルの
製造方法を実現する為の装置を概略的に表わしている。
図示する様に、本装置は容器２０を基本としており、そ
の中には薬液１７が満たされている。この薬液１７に
は、処理対象となるパネル１を搭載したカセット６を投
入可能である。カセット６は、矢印で示す様に容器２０
内で上下に揺動可能である。容器２０にはＨＦ供給ライ
ン７を介してフッ酸を含む薬液１７を投入可能である。
又、容器２０には純水供給ライン８を介して純水も導入
できる。容器２０の底部には廃液ライン１３が接続され
ており、使用済みとなった薬液１７を排出することがで
きる。図示する様に、本発明の製造方法では、大型の基
板を貼り合わせてパネル１を作成した後、このパネル１
をカセット６に入れ、薬液１７で満たされた容器２０に
浸漬させて、基板表面を一定量除去する。薬液１７とし
てはフッ酸（ＨＦ）を用い、濃度は２０重量％に設定し
ている。又、容器２０のサイズは、縦７００ｍｍ×横７
００ｍｍ×高さ９００ｍｍとなっている。
【０００７】図２は、二枚の基板を貼り合わせてパネル
１を組立てた状態を表わしている。ガラス基板の大きさ
は６００ｍｍ×７２０ｍｍであり、例えばコーニング社
製の７０５９を使用することができる。二枚のガラス基
板はシール剤３により互いに接着されている。シール剤
３で囲まれた部分は表示領域２となる。化学処理でガラ
ス基板の肉厚を一定量除去した後、パネル１は表示領域
２毎に切断され、本例の場合は最終的に四個の表示パネ
ルが得られる。本例では、表示領域２を囲むシール剤３
は完全に閉じた形状となっており、薬液が表示領域に浸
入できない様な構造としている。シール剤３の塗布はデ
ィスペンサにより行なう為、自動制御用のプログラムを
編集し、閉じたパタンに沿ってシール剤３を塗布するこ
とは容易である。シール剤３はエポキシ樹脂など熱硬化
性の樹脂を用いている。エポキシ樹脂はＨＦへの耐エッ
チング性がある為、パネル１をＨＦに浸漬した場合で
も、表示領域２を保護することができる。
１を組立てた状態を表わしている。ガラス基板の大きさ
は６００ｍｍ×７２０ｍｍであり、例えばコーニング社
製の７０５９を使用することができる。二枚のガラス基
板はシール剤３により互いに接着されている。シール剤
３で囲まれた部分は表示領域２となる。化学処理でガラ
ス基板の肉厚を一定量除去した後、パネル１は表示領域
２毎に切断され、本例の場合は最終的に四個の表示パネ
ルが得られる。本例では、表示領域２を囲むシール剤３
は完全に閉じた形状となっており、薬液が表示領域に浸
入できない様な構造としている。シール剤３の塗布はデ
ィスペンサにより行なう為、自動制御用のプログラムを
編集し、閉じたパタンに沿ってシール剤３を塗布するこ
とは容易である。シール剤３はエポキシ樹脂など熱硬化
性の樹脂を用いている。エポキシ樹脂はＨＦへの耐エッ
チング性がある為、パネル１をＨＦに浸漬した場合で
も、表示領域２を保護することができる。
【０００８】図３は、化学処理後のパネルを示す模式的
な断面図である。図示する様に、パネル１は一対の基板
１ａ，１ｂをシール剤３で貼り合わせた構造となってい
る。ガラスからなる基板１ａ，１ｂを貼り合わせた後、
パネル１をＨＦの入った反応槽に浸漬させ、ガラス表面
のエッチングを行なった。時間は６０分である。これに
より、点線で示す様に、両基板１ａ，１ｂの表面から肉
厚が一定量だけ除去されている。一時間経った後、槽内
のＨＦを排出し、同じ槽に純水を満たし、基板表面のリ
ンス処理を行なった。リンス時間は５分である。乾燥処
理を行なった後で、パネル１の面内における厚みを測定
した。処理前は、面内２５点について、平均値が１．４
１０ｍｍで、分散が０．０１６ｍｍであった。処理後
は、平均値が１．００８ｍｍで、分散が０．０３６であ
り、表示パネルとして問題のない面内均一性が得られ
た。
な断面図である。図示する様に、パネル１は一対の基板
１ａ，１ｂをシール剤３で貼り合わせた構造となってい
る。ガラスからなる基板１ａ，１ｂを貼り合わせた後、
パネル１をＨＦの入った反応槽に浸漬させ、ガラス表面
のエッチングを行なった。時間は６０分である。これに
より、点線で示す様に、両基板１ａ，１ｂの表面から肉
厚が一定量だけ除去されている。一時間経った後、槽内
のＨＦを排出し、同じ槽に純水を満たし、基板表面のリ
ンス処理を行なった。リンス時間は５分である。乾燥処
理を行なった後で、パネル１の面内における厚みを測定
した。処理前は、面内２５点について、平均値が１．４
１０ｍｍで、分散が０．０１６ｍｍであった。処理後
は、平均値が１．００８ｍｍで、分散が０．０３６であ
り、表示パネルとして問題のない面内均一性が得られ
た。
【０００９】エッチング処理後、大型基板を貼り合わせ
たパネルを、スクライブ、ブレークし、図の様に表示パ
ネル１ｘ毎に切り出した。この時、表示パネル１ｘの表
示領域２を囲んでいたシール剤３の一部を注入口のとこ
ろで切り離す様にしている。ブレーク後、注入口から液
晶を注入し、偏光板を貼り付けて画像を表示させたとこ
ろ、曇り、むら、画素欠陥等のない、良好な表示が得ら
れた。
たパネルを、スクライブ、ブレークし、図の様に表示パ
ネル１ｘ毎に切り出した。この時、表示パネル１ｘの表
示領域２を囲んでいたシール剤３の一部を注入口のとこ
ろで切り離す様にしている。ブレーク後、注入口から液
晶を注入し、偏光板を貼り付けて画像を表示させたとこ
ろ、曇り、むら、画素欠陥等のない、良好な表示が得ら
れた。
【００１０】以上の様に、本発明に係る表示パネルの製
造方法は、所定の肉厚を有する基板１ａ，１ｂを用いて
表示パネル１を作り込むパネル作成工程と、表示パネル
１を薬液１７に浸漬し、化学反応により基板１ａ，１ｂ
の表面を一定量除去して肉厚を薄くする化学処理工程と
を行なう。化学処理工程では、薬液１７の温度変化が予
め設定した温度から±５℃の範囲に収まる様に制御しな
がら、基板１ａ，１ｂの表面を一定量除去する。これに
より、表示パネルの厚みの面内ばらつきを均一にでき
る。尚、薬液の予め設定した温度は、３０℃〜６０℃の
間に入る。好ましくは４０±５℃である。更に好ましく
は４０±２℃である。３０℃以下ではガラスのエッチン
グ速度が遅くなる。６０℃以上では、エッチングの面内
均一性に悪影響が出る可能性がある。又、化学処理工程
では、薬液１７の濃度変化が予め設定した濃度から±５
重量％の範囲に収まる様に制御しながら、基板１ａ，１
ｂの表面を一定量除去している。これにより、ガラス基
板の厚みの面内ばらつきを抑制することができる。尚、
薬液の予め設定した濃度は、１０重量％から３０重量％
の間にある。１０重量％以下ではエッチングレートが遅
くなり、３０重量％を超えるとエッチングにむらが生じ
る場合がある。好ましくは、化学処理工程では、化学反
応によって析出する物質を薬液中から回収しながら、基
板の表面を一定量除去している。例えば、ガラス基板を
ＨＦ（フッ酸）で処理した場合、化学反応によって反応
生成物が析出する場合がある。この析出した反応生成物
が基板表面に再付着するとエッチングむらとなる。そこ
で、フィルタを用いて薬液中から析出物質を回収するこ
とが好ましい。又、化学処理工程では、容器２０に満た
した薬液１７を循環しながらパネル１を薬液１７に浸漬
し、基板１ａ，１ｂの表面を一定量除去する。これによ
り、析出物質の再付着を抑制できる。又、化学処理工程
では、薬液１７に窒素ガスなどの気泡を導入して撹拌し
ながらパネル１を薬液に浸漬し、基板１ａ，１ｂの表面
を一定量除去するとよい。これにより、析出物質の再付
着を防止できる。同様な理由により、パネル１を揺動し
ながら薬液１７に浸漬し、基板１ａ，１ｂの表面を一定
量除去するとよい。好ましくは、前述したパネル作成工
程と化学処理工程との間で、基板１ａ，１ｂに付着した
異物をあらかじめ除去する異物除去工程を行なうとよ
い。この異物除去工程では、例えば基板１ａ，１ｂにオ
ゾン水を作用させて、有機の異物を酸化作用により除去
できる。化学処理工程前に予め異物を除去することで、
エッチングを均一に行なうことができる。化学処理工程
の後、４０℃以上に加温された純水を用いて、基板１
ａ，１ｂに付着した薬液を除去することが好ましい。温
純水を用いることで、リンス後の乾燥を容易に行なうこ
とができる。好ましくは、化学処理工程では、基板１
ａ，１ｂの表面を一定量除去したか否かを検出する手順
を含む。好適な実施例では、化学処理工程は、フッ酸
（ＨＦ）と硫酸を含む薬液に浸漬して、ガラスからなる
基板の表面を一定量除去する。フッ酸に加え硫酸を用い
ることで、化学反応によって析出する物質の量を抑制可
能である。即ち、硫酸は反応生成物の凝集を抑制する効
果が認められる。
造方法は、所定の肉厚を有する基板１ａ，１ｂを用いて
表示パネル１を作り込むパネル作成工程と、表示パネル
１を薬液１７に浸漬し、化学反応により基板１ａ，１ｂ
の表面を一定量除去して肉厚を薄くする化学処理工程と
を行なう。化学処理工程では、薬液１７の温度変化が予
め設定した温度から±５℃の範囲に収まる様に制御しな
がら、基板１ａ，１ｂの表面を一定量除去する。これに
より、表示パネルの厚みの面内ばらつきを均一にでき
る。尚、薬液の予め設定した温度は、３０℃〜６０℃の
間に入る。好ましくは４０±５℃である。更に好ましく
は４０±２℃である。３０℃以下ではガラスのエッチン
グ速度が遅くなる。６０℃以上では、エッチングの面内
均一性に悪影響が出る可能性がある。又、化学処理工程
では、薬液１７の濃度変化が予め設定した濃度から±５
重量％の範囲に収まる様に制御しながら、基板１ａ，１
ｂの表面を一定量除去している。これにより、ガラス基
板の厚みの面内ばらつきを抑制することができる。尚、
薬液の予め設定した濃度は、１０重量％から３０重量％
の間にある。１０重量％以下ではエッチングレートが遅
くなり、３０重量％を超えるとエッチングにむらが生じ
る場合がある。好ましくは、化学処理工程では、化学反
応によって析出する物質を薬液中から回収しながら、基
板の表面を一定量除去している。例えば、ガラス基板を
ＨＦ（フッ酸）で処理した場合、化学反応によって反応
生成物が析出する場合がある。この析出した反応生成物
が基板表面に再付着するとエッチングむらとなる。そこ
で、フィルタを用いて薬液中から析出物質を回収するこ
とが好ましい。又、化学処理工程では、容器２０に満た
した薬液１７を循環しながらパネル１を薬液１７に浸漬
し、基板１ａ，１ｂの表面を一定量除去する。これによ
り、析出物質の再付着を抑制できる。又、化学処理工程
では、薬液１７に窒素ガスなどの気泡を導入して撹拌し
ながらパネル１を薬液に浸漬し、基板１ａ，１ｂの表面
を一定量除去するとよい。これにより、析出物質の再付
着を防止できる。同様な理由により、パネル１を揺動し
ながら薬液１７に浸漬し、基板１ａ，１ｂの表面を一定
量除去するとよい。好ましくは、前述したパネル作成工
程と化学処理工程との間で、基板１ａ，１ｂに付着した
異物をあらかじめ除去する異物除去工程を行なうとよ
い。この異物除去工程では、例えば基板１ａ，１ｂにオ
ゾン水を作用させて、有機の異物を酸化作用により除去
できる。化学処理工程前に予め異物を除去することで、
エッチングを均一に行なうことができる。化学処理工程
の後、４０℃以上に加温された純水を用いて、基板１
ａ，１ｂに付着した薬液を除去することが好ましい。温
純水を用いることで、リンス後の乾燥を容易に行なうこ
とができる。好ましくは、化学処理工程では、基板１
ａ，１ｂの表面を一定量除去したか否かを検出する手順
を含む。好適な実施例では、化学処理工程は、フッ酸
（ＨＦ）と硫酸を含む薬液に浸漬して、ガラスからなる
基板の表面を一定量除去する。フッ酸に加え硫酸を用い
ることで、化学反応によって析出する物質の量を抑制可
能である。即ち、硫酸は反応生成物の凝集を抑制する効
果が認められる。
【００１１】図５は、本発明に係る表示パネル製造方法
の第二実施形態の一例を示すものであり、本製造方法を
実現する装置の概略を表わしている。尚、理解を容易に
する為に、図１に示した化学反応装置（エッチング装
置）と対応する部分には対応する参照番号を付してあ
る。図示する様に、本実施形態では、薬液１７が容器２
０内で循環可能となっている。又、ＨＦ濃度計１０を用
いた濃度調整機能の他、フィルタ１１、ヒータ１２、Ｎ
2 供給ライン２５を有する。又、第一実施形態と同様に
カセット６は処理中に上下に揺動することが可能となっ
ている。薬液１７はＨＦを用い、濃度は２０重量％とし
た。又、容器２０のサイズは、図１に示した第一実施形
態と同様に、縦７００ｍｍ×横７００ｍｍ×高さ９００
ｍｍとなっている。
の第二実施形態の一例を示すものであり、本製造方法を
実現する装置の概略を表わしている。尚、理解を容易に
する為に、図１に示した化学反応装置（エッチング装
置）と対応する部分には対応する参照番号を付してあ
る。図示する様に、本実施形態では、薬液１７が容器２
０内で循環可能となっている。又、ＨＦ濃度計１０を用
いた濃度調整機能の他、フィルタ１１、ヒータ１２、Ｎ
2 供給ライン２５を有する。又、第一実施形態と同様に
カセット６は処理中に上下に揺動することが可能となっ
ている。薬液１７はＨＦを用い、濃度は２０重量％とし
た。又、容器２０のサイズは、図１に示した第一実施形
態と同様に、縦７００ｍｍ×横７００ｍｍ×高さ９００
ｍｍとなっている。
【００１２】薬液１７の循環機能については、ポンプ９
により循環させる様にし、毎分１０リットルの流量で循
環する様に設定した。濃度については、循環ラインにＨ
Ｆ濃度計１０を取り付け、濃度が１８重量％になった
ら、４９重量％の原液をＨＦ供給ライン７から供給する
設定とした。原液は濃度計１０の値が２２重量％となる
まで供給され、そこに到達したところでバルブＶが閉ま
る様にしてある。尚、本実施形態では濃度を±２重量％
の範囲で制御しているが、±５重量％の範囲に制御すれ
ば、エッチングむらをある程度抑制することができる。
又、循環ラインの途中にフィルタ１１を取り付けてい
る。フィルタ１１の径は０．５μｍとした。これによ
り、化学反応により生成された物質を濾過できる。又、
ヒータ１２を取り付け、温度を上げてエッチングできる
様にしている。温度設定は、４０℃としている。容器２
０に取り付けた温度計（図示省略）の値をヒータ１２に
フィードバックして温度が４０±２℃となる様に制御し
ている。尚、設定温度に対して±５℃の範囲で制御すれ
ば、基板表面のエッチングむらをある程度緩和すること
が可能である。又、薬液槽となる容器２０の底部に気泡
発生器２６を取り付け、Ｎ 2 供給ライン２５からＮ2 を
送り込み、バブリングする機能も設けてある。これによ
り、反応生成物の再付着を防いでいる。更に、カセット
６を容器２０に投入するロボット（図示せず）に、エッ
チング中もカセット６を上下に揺動させる機能も設けて
ある。カセット６は、エッチング中１０ｃｍの距離で上
下方向に揺動し、且つ３０サイクル／分の間隔で上下動
する。
により循環させる様にし、毎分１０リットルの流量で循
環する様に設定した。濃度については、循環ラインにＨ
Ｆ濃度計１０を取り付け、濃度が１８重量％になった
ら、４９重量％の原液をＨＦ供給ライン７から供給する
設定とした。原液は濃度計１０の値が２２重量％となる
まで供給され、そこに到達したところでバルブＶが閉ま
る様にしてある。尚、本実施形態では濃度を±２重量％
の範囲で制御しているが、±５重量％の範囲に制御すれ
ば、エッチングむらをある程度抑制することができる。
又、循環ラインの途中にフィルタ１１を取り付けてい
る。フィルタ１１の径は０．５μｍとした。これによ
り、化学反応により生成された物質を濾過できる。又、
ヒータ１２を取り付け、温度を上げてエッチングできる
様にしている。温度設定は、４０℃としている。容器２
０に取り付けた温度計（図示省略）の値をヒータ１２に
フィードバックして温度が４０±２℃となる様に制御し
ている。尚、設定温度に対して±５℃の範囲で制御すれ
ば、基板表面のエッチングむらをある程度緩和すること
が可能である。又、薬液槽となる容器２０の底部に気泡
発生器２６を取り付け、Ｎ 2 供給ライン２５からＮ2 を
送り込み、バブリングする機能も設けてある。これによ
り、反応生成物の再付着を防いでいる。更に、カセット
６を容器２０に投入するロボット（図示せず）に、エッ
チング中もカセット６を上下に揺動させる機能も設けて
ある。カセット６は、エッチング中１０ｃｍの距離で上
下方向に揺動し、且つ３０サイクル／分の間隔で上下動
する。
【００１３】第一実施形態と同様のパネルを用い、図５
に示した処理槽に浸漬させ、表面のエッチングを行なっ
た。時間は第一実施形態と同様に一時間である。一時間
経った後、槽内のＨＦを排出し、同じ槽に純水を満た
し、基板表面のリンス処理を行なった。リンス時間は５
分とした。乾燥処理を行なった後で、基板面内厚さを測
定した。処理前は、面内２５点について、平均値が１．
４０８ｍｍで分散が０．０１８ｍｍであった。処理後
は、平均値が０．９２４ｍｍで分散が０．０２０であっ
た。第一実施形態よりも更に面内分布が改善され、表示
パネルとして問題のない面内均一性が得られた。
に示した処理槽に浸漬させ、表面のエッチングを行なっ
た。時間は第一実施形態と同様に一時間である。一時間
経った後、槽内のＨＦを排出し、同じ槽に純水を満た
し、基板表面のリンス処理を行なった。リンス時間は５
分とした。乾燥処理を行なった後で、基板面内厚さを測
定した。処理前は、面内２５点について、平均値が１．
４０８ｍｍで分散が０．０１８ｍｍであった。処理後
は、平均値が０．９２４ｍｍで分散が０．０２０であっ
た。第一実施形態よりも更に面内分布が改善され、表示
パネルとして問題のない面内均一性が得られた。
【００１４】図６は、本発明に係る表示パネルの製造方
法の第三実施形態の一例を示す模式図であり、本製造方
法を実現する為の装置構成を概略的に表わしている。
尚、理解を容易にする為、図５に示した装置と対応する
部分には対応する参照番号を付してある。本実施形態で
は、基板表面をエッチングするＨＦ槽となる容器２０に
加え、リンス槽となる容器２１を設けている。このリン
ス槽には、純水供給ライン８とオゾン水供給ライン１４
が取り付けられている。オゾン水を供給するオゾン供給
装置を設け、リンス槽にオゾン水を供給する様にしてい
る。オゾン水の濃度は１０ｐｐｍとしてある。純水供給
ライン８及びオゾン水供給ライン１４はそれぞれ毎分１
０リットルの供給能力を持ち、ＨＦ槽で基板を処理中
に、リンス槽の中の薬液２２を交換できる様にしてい
る。ＨＦ槽については第二実施形態と同様に、濃度調整
用のＨＦ濃度計１０、フィルタ１１、ヒータ１２、窒素
供給ライン（図示省略）、カセット揺動機構（図示省
略）を取り付け、第二実施形態と同様の処理を可能とし
ている。薬液はＨＦを用い、濃度は２０重量％とした。
又、リンス槽の大きさは第一実施形態と同様、縦７００
ｍｍ×横７００ｍｍ×高さ９００ｍｍとなっている。処
理として、最初にリンス槽の中のオゾン水にパネルをデ
ィップし、その後ＨＦ槽でエッチングし、その後リンス
槽に戻して純水でリンスする工程とした。
法の第三実施形態の一例を示す模式図であり、本製造方
法を実現する為の装置構成を概略的に表わしている。
尚、理解を容易にする為、図５に示した装置と対応する
部分には対応する参照番号を付してある。本実施形態で
は、基板表面をエッチングするＨＦ槽となる容器２０に
加え、リンス槽となる容器２１を設けている。このリン
ス槽には、純水供給ライン８とオゾン水供給ライン１４
が取り付けられている。オゾン水を供給するオゾン供給
装置を設け、リンス槽にオゾン水を供給する様にしてい
る。オゾン水の濃度は１０ｐｐｍとしてある。純水供給
ライン８及びオゾン水供給ライン１４はそれぞれ毎分１
０リットルの供給能力を持ち、ＨＦ槽で基板を処理中
に、リンス槽の中の薬液２２を交換できる様にしてい
る。ＨＦ槽については第二実施形態と同様に、濃度調整
用のＨＦ濃度計１０、フィルタ１１、ヒータ１２、窒素
供給ライン（図示省略）、カセット揺動機構（図示省
略）を取り付け、第二実施形態と同様の処理を可能とし
ている。薬液はＨＦを用い、濃度は２０重量％とした。
又、リンス槽の大きさは第一実施形態と同様、縦７００
ｍｍ×横７００ｍｍ×高さ９００ｍｍとなっている。処
理として、最初にリンス槽の中のオゾン水にパネルをデ
ィップし、その後ＨＦ槽でエッチングし、その後リンス
槽に戻して純水でリンスする工程とした。
【００１５】オゾン水への浸漬時間は２０分とした。こ
れにより、パネル表面に付着した油やゴミなどの有機異
物を酸化作用で除去することができる。オゾン処理後、
カセット６ごとＨＦ槽に移し、基板表面のエッチングを
行なった。エッチング処理については、濃度調整機能、
フィルタ、ヒータ、窒素供給ライン、カセット揺動機能
を使い、第二実施形態と同様の処理とした。時間も同じ
く一時間に設定した。ＨＦ処理後、今度はカセット６ご
と、リンス槽に移し、純水にてリンス処理を行なった。
リンス槽には、オゾン処理後オゾン水を排出した後にあ
らかじめ純水を満たしてある。このリンス槽にて、５分
間リンス処理を行なった。この後乾燥処理を行ない、基
板面内の厚みを測定した。処理前は面内２５点につい
て、平均値１．４０５ｍｍ分散０．０１４ｍｍであった
が、処理後は平均値０．９０２ｍｍ分散０．０１８であ
り、表示パネルとして問題のない面内均一性が得られ
た。又、第一実施形態及び第二実施形態で観察された基
板表面での若干の光の散乱が本実施形態では見られなか
った。これは、オゾン水処理によって基板表面から予め
異物を除去した効果が現れたものであると考えられる。
れにより、パネル表面に付着した油やゴミなどの有機異
物を酸化作用で除去することができる。オゾン処理後、
カセット６ごとＨＦ槽に移し、基板表面のエッチングを
行なった。エッチング処理については、濃度調整機能、
フィルタ、ヒータ、窒素供給ライン、カセット揺動機能
を使い、第二実施形態と同様の処理とした。時間も同じ
く一時間に設定した。ＨＦ処理後、今度はカセット６ご
と、リンス槽に移し、純水にてリンス処理を行なった。
リンス槽には、オゾン処理後オゾン水を排出した後にあ
らかじめ純水を満たしてある。このリンス槽にて、５分
間リンス処理を行なった。この後乾燥処理を行ない、基
板面内の厚みを測定した。処理前は面内２５点につい
て、平均値１．４０５ｍｍ分散０．０１４ｍｍであった
が、処理後は平均値０．９０２ｍｍ分散０．０１８であ
り、表示パネルとして問題のない面内均一性が得られ
た。又、第一実施形態及び第二実施形態で観察された基
板表面での若干の光の散乱が本実施形態では見られなか
った。これは、オゾン水処理によって基板表面から予め
異物を除去した効果が現れたものであると考えられる。
【００１６】図７は、本発明に係る表示パネルの製造方
法の第四実施形態の一例を示す模式図であり、同じく本
製造方法を実現する装置を概略的に表わしている。本実
施形態では、パネル１の表面をエッチングするＨＦ槽と
なる容器２０の外側に、ＨｅＮｅレーザ１５とそのディ
テクタ１６が取り付けられている。ＨｅＮｅレーザ１５
から発射した光束はパネル１に対して３０°の角度で入
射し、ディテクタ１６にパネル１を通過したレーザ光が
取り込まれる様になっている。レーザ光はパネル１の基
板に入射すると屈折して光路が変わるが、ディテクタ１
６は基板の厚みが１．０ｍｍになった時丁度屈折したレ
ーザ光を取り込むことができる様に位置決め設定されて
いる。
法の第四実施形態の一例を示す模式図であり、同じく本
製造方法を実現する装置を概略的に表わしている。本実
施形態では、パネル１の表面をエッチングするＨＦ槽と
なる容器２０の外側に、ＨｅＮｅレーザ１５とそのディ
テクタ１６が取り付けられている。ＨｅＮｅレーザ１５
から発射した光束はパネル１に対して３０°の角度で入
射し、ディテクタ１６にパネル１を通過したレーザ光が
取り込まれる様になっている。レーザ光はパネル１の基
板に入射すると屈折して光路が変わるが、ディテクタ１
６は基板の厚みが１．０ｍｍになった時丁度屈折したレ
ーザ光を取り込むことができる様に位置決め設定されて
いる。
【００１７】先に説明した第二実施形態と同様にパネル
１を浸漬し、エッチングを行なったところ、４８分３０
秒でＨｅＮｅレーザ１５とディテクタ１６からなる厚み
センサが作動した。そこで、ＨＦが排出され、以降は第
二実施形態と同様にリンス処理及び乾燥処理を行なっ
た。処理後、レーザ光が当たった部分の厚みを測定した
ところ、０．９９８ｍｍであった。又、処理後の面内均
一性は、平均値１．００４ｍｍ、分散０．０１９であ
り、表示パネルとして問題のない面内均一性が得られ
た。
１を浸漬し、エッチングを行なったところ、４８分３０
秒でＨｅＮｅレーザ１５とディテクタ１６からなる厚み
センサが作動した。そこで、ＨＦが排出され、以降は第
二実施形態と同様にリンス処理及び乾燥処理を行なっ
た。処理後、レーザ光が当たった部分の厚みを測定した
ところ、０．９９８ｍｍであった。又、処理後の面内均
一性は、平均値１．００４ｍｍ、分散０．０１９であ
り、表示パネルとして問題のない面内均一性が得られ
た。
【００１８】図８は、本発明に従って製造された表示パ
ネルの一例を示す模式的な斜視図である。本例は、一対
の基板を貼り合わせて作成した液晶表示装置である。図
示するように、本表示装置は一対の絶縁基板１００，１
０２と両者の間に保持された電気光学物質１０３とを備
えたパネル構造を有する。電気光学物質１０３として
は、液晶材料を用いる。下側の絶縁基板１００には画素
アレイ部１０４と駆動回路部とが集積形成されている。
駆動回路部は垂直駆動回路１０５と水平駆動回路１０６
とに分かれている。又、絶縁基板１００の周辺部上端に
は外部接続用の端子部１０７が形成されている。端子部
１０７は配線１０８を介して垂直駆動回路１０５及び水
平駆動回路１０６に接続している。画素アレイ部１０４
には行状のゲート配線１０９と列状の信号配線１１０が
形成されている。両配線の交差部には画素電極１１１と
これを駆動する薄膜トランジスタＴＦＴが形成されてい
る。薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極は対応するゲ
ート配線１０９に接続され、ドレイン領域は対応する画
素電極１１１に接続され、ソース領域は対応する信号配
線１１０に接続している。ゲート配線１０９は垂直駆動
回路１０５に接続する一方、信号配線１１０は水平駆動
回路１０６に接続している。
ネルの一例を示す模式的な斜視図である。本例は、一対
の基板を貼り合わせて作成した液晶表示装置である。図
示するように、本表示装置は一対の絶縁基板１００，１
０２と両者の間に保持された電気光学物質１０３とを備
えたパネル構造を有する。電気光学物質１０３として
は、液晶材料を用いる。下側の絶縁基板１００には画素
アレイ部１０４と駆動回路部とが集積形成されている。
駆動回路部は垂直駆動回路１０５と水平駆動回路１０６
とに分かれている。又、絶縁基板１００の周辺部上端に
は外部接続用の端子部１０７が形成されている。端子部
１０７は配線１０８を介して垂直駆動回路１０５及び水
平駆動回路１０６に接続している。画素アレイ部１０４
には行状のゲート配線１０９と列状の信号配線１１０が
形成されている。両配線の交差部には画素電極１１１と
これを駆動する薄膜トランジスタＴＦＴが形成されてい
る。薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極は対応するゲ
ート配線１０９に接続され、ドレイン領域は対応する画
素電極１１１に接続され、ソース領域は対応する信号配
線１１０に接続している。ゲート配線１０９は垂直駆動
回路１０５に接続する一方、信号配線１１０は水平駆動
回路１０６に接続している。
【００１９】図９は、本発明に従って製造された表示装
置の他の例を示す模式的な部分断面図である。本例で
は、一枚の基板を用いてエレクトロルミネッセンス表示
装置を作成している。尚、このパネルをエッチングする
際には、予め画素部を保護した状態で、ＨＦに浸漬し、
ガラス基板のエッチングを行なうことが好ましい。本実
施例は、画素として有機エレクトロルミネッセンス素子
ＯＬＥＤを用いている。図示する様に、ＯＬＥＤは陽極
Ａ，有機層２１０及び陰極Ｋを順に重ねたものである。
陽極Ａは画素毎に分離しており、例えばクロムからなり
基本的に光反射性である。陰極Ｋは画素間で共通接続さ
れており、例えば極薄の金属層２１１と透明導電層２１
２の積層構造であり、基本的に光透過性である。係る構
成を有するＯＬＥＤの陽極Ａ／陰極Ｋ間に順方向の電圧
（１０Ｖ程度）を印加すると、電子や正孔などキャリア
の注入が起こり、発光が観測される。ＯＬＥＤの動作
は、陽極Ａから注入された正孔と陰極Ｋから注入された
電子により形成された励起子による発光と考えられる。
置の他の例を示す模式的な部分断面図である。本例で
は、一枚の基板を用いてエレクトロルミネッセンス表示
装置を作成している。尚、このパネルをエッチングする
際には、予め画素部を保護した状態で、ＨＦに浸漬し、
ガラス基板のエッチングを行なうことが好ましい。本実
施例は、画素として有機エレクトロルミネッセンス素子
ＯＬＥＤを用いている。図示する様に、ＯＬＥＤは陽極
Ａ，有機層２１０及び陰極Ｋを順に重ねたものである。
陽極Ａは画素毎に分離しており、例えばクロムからなり
基本的に光反射性である。陰極Ｋは画素間で共通接続さ
れており、例えば極薄の金属層２１１と透明導電層２１
２の積層構造であり、基本的に光透過性である。係る構
成を有するＯＬＥＤの陽極Ａ／陰極Ｋ間に順方向の電圧
（１０Ｖ程度）を印加すると、電子や正孔などキャリア
の注入が起こり、発光が観測される。ＯＬＥＤの動作
は、陽極Ａから注入された正孔と陰極Ｋから注入された
電子により形成された励起子による発光と考えられる。
【００２０】一方、ＯＬＥＤを駆動する薄膜トランジス
タＴＦＴは、ガラスなどからなる基板２００の上に形成
されたゲート電極２０１と、その上面に重ねられたゲー
ト絶縁膜２２３と、このゲート絶縁膜２２３を介してゲ
ート電極２０１の上方に重ねられた半導体薄膜２０５と
からなる。薄膜トランジスタＴＦＴはＯＬＥＤに供給さ
れる電流の通路となるソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃｈ
及びドレイン領域Ｄを備えている。チャネル領域Ｃｈは
丁度ゲート電極２０１の直上に位置する。このボトムゲ
ート構造を有する薄膜トランジスタＴＦＴは層間絶縁膜
２０７により被覆されており、その上には配線電極２０
９及びドレイン電極２２０が形成されている。これらの
上には別の層間絶縁膜２９１を介して前述したＯＬＥＤ
が成膜されている。このＯＬＥＤの陽極Ａはドレイン電
極２２０を介して薄膜トランジスタＴＦＴに電気接続さ
れている。
タＴＦＴは、ガラスなどからなる基板２００の上に形成
されたゲート電極２０１と、その上面に重ねられたゲー
ト絶縁膜２２３と、このゲート絶縁膜２２３を介してゲ
ート電極２０１の上方に重ねられた半導体薄膜２０５と
からなる。薄膜トランジスタＴＦＴはＯＬＥＤに供給さ
れる電流の通路となるソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃｈ
及びドレイン領域Ｄを備えている。チャネル領域Ｃｈは
丁度ゲート電極２０１の直上に位置する。このボトムゲ
ート構造を有する薄膜トランジスタＴＦＴは層間絶縁膜
２０７により被覆されており、その上には配線電極２０
９及びドレイン電極２２０が形成されている。これらの
上には別の層間絶縁膜２９１を介して前述したＯＬＥＤ
が成膜されている。このＯＬＥＤの陽極Ａはドレイン電
極２２０を介して薄膜トランジスタＴＦＴに電気接続さ
れている。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る表示
パネルの製造方法では、基板表面に対して半導体プロセ
スなどを行なって画素アレイを形成した後、他の基板あ
るいは保護部材を貼り合わせた状態で、薬液に浸漬し基
板の表面を化学的な反応によりエッチングしている。従
って、厚い基板のままで基板表面に対する半導体プロセ
スが行なえ、現状の表示パネル製造プロセスに化学反応
プロセスを加えるだけで、薄型及び軽量の表示パネルが
得られる。又、本発明に係る製造方法では、パネルを薬
液へ浸漬し化学的な反応により基板表面を一定量除去す
る為、基板をバッチ処理することが可能である。この
為、薬液槽を大型化することにより、６００ｍｍ×７０
０ｍｍ程度の大型基板でも、一時間当たり２０枚の処理
が可能となり、量産設備としての適応性がある。
パネルの製造方法では、基板表面に対して半導体プロセ
スなどを行なって画素アレイを形成した後、他の基板あ
るいは保護部材を貼り合わせた状態で、薬液に浸漬し基
板の表面を化学的な反応によりエッチングしている。従
って、厚い基板のままで基板表面に対する半導体プロセ
スが行なえ、現状の表示パネル製造プロセスに化学反応
プロセスを加えるだけで、薄型及び軽量の表示パネルが
得られる。又、本発明に係る製造方法では、パネルを薬
液へ浸漬し化学的な反応により基板表面を一定量除去す
る為、基板をバッチ処理することが可能である。この
為、薬液槽を大型化することにより、６００ｍｍ×７０
０ｍｍ程度の大型基板でも、一時間当たり２０枚の処理
が可能となり、量産設備としての適応性がある。
【図１】本発明に係る表示パネルの製造方法の第一実施
形態を示す模式図である。
形態を示す模式図である。
【図２】第一実施形態で処理される前のパネルの例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】第一実施形態で処理された後のパネルを示す断
面図である。
面図である。
【図４】第一実施形態で製造されたパネルの最終状態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】本発明に係る表示パネルの製造方法の第二実施
形態を示す模式図である。
形態を示す模式図である。
【図６】本発明に係る表示パネルの第三実施形態を示す
模式図である。
模式図である。
【図７】本発明に係る表示パネルの製造方法の第四実施
形態を示す模式図である。
形態を示す模式図である。
【図８】本発明に従って製造された表示パネルの一例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図９】本発明に従って製造された表示パネルの他の例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
１・・・パネル、１ａ・・・基板、１ｂ・・・基板、２
・・・表示領域、３・・・シール剤、６・・・カセッ
ト、７・・・ＨＦ供給ライン、８・・・純水供給ライ
ン、９・・・循環ポンプ、１０・・・ＨＦ濃度計、１１
・・・フィルタ、１２・・・ヒータ、１３・・・廃液ラ
イン、１４・・・オゾン水供給ライン、１５・・・Ｈｅ
Ｎｅレーザ、１６・・・ディテクタ
・・・表示領域、３・・・シール剤、６・・・カセッ
ト、７・・・ＨＦ供給ライン、８・・・純水供給ライ
ン、９・・・循環ポンプ、１０・・・ＨＦ濃度計、１１
・・・フィルタ、１２・・・ヒータ、１３・・・廃液ラ
イン、１４・・・オゾン水供給ライン、１５・・・Ｈｅ
Ｎｅレーザ、１６・・・ディテクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７Ｚ Ｈ０５Ｂ 33/02 Ｈ０５Ｂ 33/02 33/10 33/10 33/14 33/14 Ａ
Claims (32)
- 【請求項１】 所定の肉厚を有する基板を用いて表示パ
ネルを作り込むパネル作成工程と、 該表示パネルを薬液に浸漬し、化学反応により該基板の
表面を一定量除去して肉厚を薄くする化学処理工程とを
行う表示パネルの製造方法。 - 【請求項２】 前記化学処理工程は、該薬液の温度変化
が予め設定した温度から±５℃の範囲に収まるように制
御しながら、該基板の表面を一定量除去する請求項１記
載の表示パネルの製造方法。 - 【請求項３】 前記化学処理工程は、該薬液の予め設定
した温度が、３０℃から６０℃の間にある請求項２記載
の表示パネルの製造方法。 - 【請求項４】 前記化学処理工程は、該薬液の濃度変化
が予め設定した濃度から±５重量％の範囲に収まるよう
に制御しながら、該基板の表面を一定量除去する請求項
１記載の表示パネルの製造方法。 - 【請求項５】 前記化学処理工程は、該薬液の予め設定
した濃度が、１０重量％から３０重量％の間にある請求
項４記載の表示パネルの製造方法。 - 【請求項６】 前記化学処理工程は、該化学反応によっ
て析出する物質を薬液中から回収しながら、該基板の表
面を一定量除去する請求項１記載の表示パネルの製造方
法。 - 【請求項７】 前記化学処理工程は、容器に満たした薬
液を循環しながら該表示パネルを薬液に浸漬し、該基板
の表面を一定量除去する請求項１記載の表示パネルの製
造方法。 - 【請求項８】 前記化学処理工程は、該薬液に気泡を導
入して攪拌しながら該表示パネルを薬液に浸漬し、該基
板の表面を一定量除去する請求項１記載の表示パネルの
製造方法。 - 【請求項９】 前記化学処理工程は、該表示パネルを揺
動しながら薬液に浸漬し、該基板の表面を一定量除去す
る請求項１記載の表示パネルの製造方法。 - 【請求項１０】 前記パネル作成工程と前記化学処理工
程との間で、該基板に付着した異物を除去する異物除去
工程を行う請求項１記載の表示パネルの製造方法。 - 【請求項１１】 前記異物除去工程は、該基板にオゾン
水を作用させて異物を除去する請求項１０記載の表示パ
ネルの製造方法。 - 【請求項１２】 前記化学処理工程の後、４０℃以上に
加温された純水を用いて、該基板に付着した薬液を除去
する薬液除去工程を行う請求項１記載の表示パネルの製
造方法。 - 【請求項１３】 前記化学処理工程は、該基板の表面を
一定量除去したか否かを検出する手順を含む請求項１記
載の表示パネルの製造方法。 - 【請求項１４】 前記化学処理工程は、フッ酸と硫酸を
含む薬液に浸漬して、ガラスからなる基板の表面を一定
量除去する請求項１記載の表示パネルの製造方法。 - 【請求項１５】 前記パネル作成工程は、所定の肉厚を
有する二枚の基板を所定の間隙で互いに張り合わせて表
示パネルを作り込み、前記化学処理工程の後該表示パネ
ルの間隙に液晶を注入する液晶注入工程を行う請求項１
記載の表示パネルの製造方法。 - 【請求項１６】 前記パネル作成工程は、所定の肉厚を
有する一枚の基板の上にエレクトロルミネッセンス素子
を形成して表示パネルを作り込み、前記化学処理工程
は、該エレクトロルミネッセンス素子を保護した状態で
表示パネルを薬液に浸漬し該基板の表面を一定量除去す
る請求項１記載の表示パネルの製造方法。 - 【請求項１７】 所定の肉厚を有する基板を用いて作り
込まれた表示パネルであって、該基板は、該表示パネル
を薬液に浸漬し、化学反応により該基板の表面を一定量
除去して肉厚を薄くしたものであることを特徴とする表
示パネル。 - 【請求項１８】 前記基板は、該薬液の温度変化が予め
設定した温度から±５℃の範囲に収まるように制御しな
がら、表面を一定量除去したものであることを特徴とす
る請求項１７記載の表示パネル。 - 【請求項１９】 前記基板は、該薬液の予め設定した温
度が３０℃から６０℃の間で表面を一定量除去したもの
であることを特徴とする請求項１８記載の表示パネル。 - 【請求項２０】 前記基板は、該薬液の濃度変化が予め
設定した濃度から±５重量％の範囲に収まるように制御
しながら、表面を一定量除去したものであることを特徴
とする請求項１７記載の表示パネル。 - 【請求項２１】 前記基板は、該薬液の予め設定した濃
度が１０重量％から３０重量％の間で表面を一定量除去
したものであることを特徴とする請求項２０記載の表示
パネル。 - 【請求項２２】 前記基板は、該化学反応によって析出
する物質を薬液中から回収しながら表面を一定量除去し
たものであることを特徴とする請求項１７記載の表示パ
ネル。 - 【請求項２３】 前記基板は、容器に満たした薬液を循
環しながら容器に浸漬して表面を一定量除去したもので
あることを特徴とする請求項１７記載の表示パネル。 - 【請求項２４】 前記基板は、該薬液に気泡を導入して
攪拌しながら浸漬して表面を一定量除去したものである
ことを特徴とする請求項１７記載の表示パネル。 - 【請求項２５】 前記基板は、該表示パネルを揺動しな
がら薬液に浸漬し、該基板の表面を一定量除去したもの
であることを特徴とする請求項１７記載の表示パネルの
製造方法。 - 【請求項２６】 前記基板は、薬液に浸漬して化学反応
により表面を一定量除去する前に、表面に付着していた
異物を予め除去したものであることを特徴とする請求項
１７記載の表示パネル。 - 【請求項２７】 前記基板は、オゾン水を作用させて表
面に付着していた異物を予め除去したものであることを
特徴とする請求項２６記載の表示パネル。 - 【請求項２８】 前記基板は、４０℃以上に加温された
純水を用いて表面に付着した薬液を除去したものである
事を特徴とする請求項１７記載の表示パネル。 - 【請求項２９】 前記基板は、肉厚の変化を検出しなが
ら表面を一定量除去したものであることを特徴とする請
求項１７記載の表示パネル。 - 【請求項３０】 前記基板はガラスからなり、フッ酸と
硫酸を含む薬液に浸漬して表面を一定量除去したもので
あることを特徴とする請求項１７記載の表示パネル。 - 【請求項３１】 所定の肉厚を有する二枚の基板を所定
の間隙で互いに張り合わせた後、薬液に浸漬して各基板
の表面を一定量除去し、該間隙に液晶を注入したもので
あることを特徴とする請求項１７記載の表示パネル。 - 【請求項３２】 所定の肉厚を有する一枚の基板の上に
エレクトロルミネッセンス素子を形成した後、該エレク
トロルミネッセンス素子を保護した状態で該基板を薬液
に浸漬し表面を一定量除去したものであることを特徴と
する請求項１７記載の表示パネル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280363A JP2002087844A (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 表示パネルの製造方法 |
| TW090122766A TW543014B (en) | 2000-09-14 | 2001-09-13 | Method for manufacturing display panel |
| KR1020010056358A KR100780256B1 (ko) | 2000-09-14 | 2001-09-13 | 표시 패널 제조방법 |
| US09/951,641 US6646711B2 (en) | 2000-09-14 | 2001-09-13 | Method for manufacturing display panel having reduced wall thickness and display panel having reduced wall thickness |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280363A JP2002087844A (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 表示パネルの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002087844A true JP2002087844A (ja) | 2002-03-27 |
Family
ID=18765217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000280363A Pending JP2002087844A (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 表示パネルの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6646711B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002087844A (ja) |
| KR (1) | KR100780256B1 (ja) |
| TW (1) | TW543014B (ja) |
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