JP2002196337A - 電気光学装置の製造方法及び製造装置、並びに液晶パネルの製造方法及び製造装置 - Google Patents
電気光学装置の製造方法及び製造装置、並びに液晶パネルの製造方法及び製造装置Info
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁膜や配向膜を均一に形成することができ
る電気光学装置の製造方法及び製造装置、並びに配向膜
を効率的に洗浄することができる液晶パネルの製造方法
及び製造装置を提供する。 【解決手段】 基板の表面に絶縁膜又は配向膜が形成さ
れた電気光学装置を製造する方法であって、基板の表面
に紫外線を照射する工程（紫外線照射工程）と、紫外線
が照射された基板の表面に絶縁膜又は配向膜を形成する
工程（絶縁材料塗布工程又は配向膜塗布工程）とを含む
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
る電気光学装置の製造方法及び製造装置、並びに配向膜
を効率的に洗浄することができる液晶パネルの製造方法
及び製造装置を提供する。 【解決手段】 基板の表面に絶縁膜又は配向膜が形成さ
れた電気光学装置を製造する方法であって、基板の表面
に紫外線を照射する工程（紫外線照射工程）と、紫外線
が照射された基板の表面に絶縁膜又は配向膜を形成する
工程（絶縁材料塗布工程又は配向膜塗布工程）とを含む
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に絶縁膜又は
配向膜が形成された電気光学装置の製造方法及び製造装
置、並びに液晶パネルの製造方法及び製造装置に関す
る。さらに詳しくは、絶縁膜や配向膜を均一に形成する
ことができる電気光学装置の製造方法及び製造装置、並
びに配向膜を効率的に洗浄することができる液晶パネル
の製造方法及び製造装置に関する。
配向膜が形成された電気光学装置の製造方法及び製造装
置、並びに液晶パネルの製造方法及び製造装置に関す
る。さらに詳しくは、絶縁膜や配向膜を均一に形成する
ことができる電気光学装置の製造方法及び製造装置、並
びに配向膜を効率的に洗浄することができる液晶パネル
の製造方法及び製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、携帯電話機、携帯電子端末機等の
電子機器において、文字、数字、絵柄等の情報を表示す
るために液晶装置が広く用いられている。このような液
晶装置は、一般に、内面に電極が形成された一対の液晶
基板間に液晶を封入した液晶パネルを備え、この液晶パ
ネルに封入された液晶に電圧を制御しつつ印加すること
によってその液晶の配向を制御し、液晶に入射する光を
変調させる構成を有している。
電子機器において、文字、数字、絵柄等の情報を表示す
るために液晶装置が広く用いられている。このような液
晶装置は、一般に、内面に電極が形成された一対の液晶
基板間に液晶を封入した液晶パネルを備え、この液晶パ
ネルに封入された液晶に電圧を制御しつつ印加すること
によってその液晶の配向を制御し、液晶に入射する光を
変調させる構成を有している。
【０００３】このような液晶装置において、液晶基板の
内外面（表面）には、液晶に電圧を印加するための上記
電極のほか、２層間の絶縁を確保すること等を目的とし
た絶縁膜、及び液晶の配向を形成する（液晶を所定の向
きに配向させる）ことを目的とした配向膜が、それぞれ
形成される。絶縁膜の材料として酸化金属等の無機材料
が、また、配向膜としてポリイミド等の有機材料が、そ
れぞれ一般的に用いられている。
内外面（表面）には、液晶に電圧を印加するための上記
電極のほか、２層間の絶縁を確保すること等を目的とし
た絶縁膜、及び液晶の配向を形成する（液晶を所定の向
きに配向させる）ことを目的とした配向膜が、それぞれ
形成される。絶縁膜の材料として酸化金属等の無機材料
が、また、配向膜としてポリイミド等の有機材料が、そ
れぞれ一般的に用いられている。
【０００４】また、上述の配向膜の表面には、いわゆる
ラビング処理（例えば、布等によって擦る処理）が施さ
れる。ラビング処理で配向膜の表面に微細な溝が形成さ
れ、液晶が溝の方向に沿って配列することにより所定の
配向が形成されるものと考えられている。
ラビング処理（例えば、布等によって擦る処理）が施さ
れる。ラビング処理で配向膜の表面に微細な溝が形成さ
れ、液晶が溝の方向に沿って配列することにより所定の
配向が形成されるものと考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガラス製の基
板の表面に直接絶縁膜や配向膜を形成する場合、絶縁膜
の材料である酸化金属等の無機材料、また配向膜の材料
であるポリイミド等の有機材料は、ガラス基板に対する
濡れ性が低く、ガラス基板の表面上に絶縁膜や配向膜を
均一に形成することが困難であるという問題があった。
板の表面に直接絶縁膜や配向膜を形成する場合、絶縁膜
の材料である酸化金属等の無機材料、また配向膜の材料
であるポリイミド等の有機材料は、ガラス基板に対する
濡れ性が低く、ガラス基板の表面上に絶縁膜や配向膜を
均一に形成することが困難であるという問題があった。
【０００６】また、ラビング処理の際、配向膜の表面に
布の繊維等の異物が付着することがあり、このような配
向膜表面の異物は、ラビング処理の後、純水による超音
波洗浄によって除去するのであるが、配向膜は疎水性で
あるため水をはじき易く、異物が配向膜上の気泡に集ま
って除去されずに液晶パネル内に残留する場合があり、
このような残留した異物に起因して液晶の配向性に関係
する不良が発生するという問題があった。
布の繊維等の異物が付着することがあり、このような配
向膜表面の異物は、ラビング処理の後、純水による超音
波洗浄によって除去するのであるが、配向膜は疎水性で
あるため水をはじき易く、異物が配向膜上の気泡に集ま
って除去されずに液晶パネル内に残留する場合があり、
このような残留した異物に起因して液晶の配向性に関係
する不良が発生するという問題があった。
【０００７】本発明は、絶縁膜や配向膜を基板の表面上
に均一に形成することができる電気光学装置の製造方法
及び製造装置、並びに配向膜を効率的に洗浄することが
できる液晶パネルの製造方法及び製造装置を提供するこ
とを目的とする。
に均一に形成することができる電気光学装置の製造方法
及び製造装置、並びに配向膜を効率的に洗浄することが
できる液晶パネルの製造方法及び製造装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置の
製造方法は、基板の表面に絶縁膜又は配向膜が形成され
た電気光学装置を製造する方法であって、基板の表面に
紫外線を照射する工程と、紫外線が照射された前記基板
の表面に絶縁膜又は配向膜を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
製造方法は、基板の表面に絶縁膜又は配向膜が形成され
た電気光学装置を製造する方法であって、基板の表面に
紫外線を照射する工程と、紫外線が照射された前記基板
の表面に絶縁膜又は配向膜を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
【０００９】この電気光学装置の製造方法によれば、基
板の表面に絶縁膜又は配向膜を形成する前に基板の表面
に紫外線を照射するので、基板に対する絶縁膜の材料又
は配向膜の材料の濡れ性を高めることができる。従っ
て、基板表面に形成される絶縁膜又は配向膜の均一性を
向上させることができる。
板の表面に絶縁膜又は配向膜を形成する前に基板の表面
に紫外線を照射するので、基板に対する絶縁膜の材料又
は配向膜の材料の濡れ性を高めることができる。従っ
て、基板表面に形成される絶縁膜又は配向膜の均一性を
向上させることができる。
【００１０】この場合、前記基板の表面に紫外線を照射
する工程の前に、前記基板の表面を洗浄する工程を含む
ものであってもよい。
する工程の前に、前記基板の表面を洗浄する工程を含む
ものであってもよい。
【００１１】このように、紫外線を照射する前に、基板
の表面を洗浄することによって、洗浄した直後の基板の
表面に絶縁膜又は配向膜を形成することができるので、
紫外線照射の効果を高めることができる。
の表面を洗浄することによって、洗浄した直後の基板の
表面に絶縁膜又は配向膜を形成することができるので、
紫外線照射の効果を高めることができる。
【００１２】本発明の電気光学装置の製造方法は、基板
の表面にカップリング層を形成する工程と、形成された
前記カップリング層の表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された前記カップリング層の上に絶縁膜又
は配向膜を形成する工程とを含むことを特徴とするもの
であってもよい。
の表面にカップリング層を形成する工程と、形成された
前記カップリング層の表面に紫外線を照射する工程と、
紫外線が照射された前記カップリング層の上に絶縁膜又
は配向膜を形成する工程とを含むことを特徴とするもの
であってもよい。
【００１３】この電気光学装置の製造方法によれば、絶
縁膜又は配向膜を形成する前に、基板の表面に形成した
カップリング層の表面に紫外線を照射するので、カップ
リング層に対する絶縁膜の材料又は配向膜の材料の濡れ
性を高めることができる。従って、基板表面に形成され
る絶縁膜又は配向膜の均一性を向上させることができ
る。
縁膜又は配向膜を形成する前に、基板の表面に形成した
カップリング層の表面に紫外線を照射するので、カップ
リング層に対する絶縁膜の材料又は配向膜の材料の濡れ
性を高めることができる。従って、基板表面に形成され
る絶縁膜又は配向膜の均一性を向上させることができ
る。
【００１４】前記基板の表面にカップリング層を形成す
る工程の前に、前記基板の表面を洗浄する工程を含むも
のであってもよい。
る工程の前に、前記基板の表面を洗浄する工程を含むも
のであってもよい。
【００１５】このように、基板の洗浄後にカップリング
層を形成し、さらに紫外線を照射するので、カップリン
グ層に紫外線を照射した直後に絶縁膜又は配向膜を形成
することができる。従って、紫外線照射の効果を高める
ことができる。
層を形成し、さらに紫外線を照射するので、カップリン
グ層に紫外線を照射した直後に絶縁膜又は配向膜を形成
することができる。従って、紫外線照射の効果を高める
ことができる。
【００１６】前記基板の材質としては、紫外線照射に対
して比較的耐性のあるガラスが好ましく、またその上に
形成される絶縁膜としては無機酸化膜であることが好ま
しい。
して比較的耐性のあるガラスが好ましく、またその上に
形成される絶縁膜としては無機酸化膜であることが好ま
しい。
【００１７】同様に、前記基板がガラスであり、かつ前
記配向膜がポリイミド膜であることが好ましい。この場
合も、本来、基板に対する配向膜の材料の濡れ性は低い
が、紫外線の照射により濡れ性を高めることができるた
め、配向膜の均一性を効果的に向上させることができ
る。
記配向膜がポリイミド膜であることが好ましい。この場
合も、本来、基板に対する配向膜の材料の濡れ性は低い
が、紫外線の照射により濡れ性を高めることができるた
め、配向膜の均一性を効果的に向上させることができ
る。
【００１８】また、本発明の電気光学装置の製造装置
は、基板の表面を超音波で洗浄する洗浄部と、前記洗浄
部で超音波洗浄された前記基板の表面に、紫外線を照射
する紫外線照射部と、前記洗浄部及び前記紫外線照射部
を順次通過するように前記基板を搬送する搬送手段とを
備えてなることを特徴とする。
は、基板の表面を超音波で洗浄する洗浄部と、前記洗浄
部で超音波洗浄された前記基板の表面に、紫外線を照射
する紫外線照射部と、前記洗浄部及び前記紫外線照射部
を順次通過するように前記基板を搬送する搬送手段とを
備えてなることを特徴とする。
【００１９】この電気光学装置の製造装置によれば、搬
送手段によって搬送される基板の洗浄及び基板への紫外
線の照射を連続的に行い基板の流れを阻害することがな
いので、製造効率を高めることができる。また、紫外線
の照射によって基板表面が活性化されるため、後工程に
おいて基板表面に形成される層の材料の基板に対する濡
れ性を高めることができる。従って、後工程において形
成される層の均一性を向上させることができる。
送手段によって搬送される基板の洗浄及び基板への紫外
線の照射を連続的に行い基板の流れを阻害することがな
いので、製造効率を高めることができる。また、紫外線
の照射によって基板表面が活性化されるため、後工程に
おいて基板表面に形成される層の材料の基板に対する濡
れ性を高めることができる。従って、後工程において形
成される層の均一性を向上させることができる。
【００２０】この場合、前記紫外線照射部で紫外線を照
射された前記基板の表面に、絶縁膜又は配向膜を形成す
る絶縁膜又は配向膜形成部をさらに備えてなるものであ
ってもよい。
射された前記基板の表面に、絶縁膜又は配向膜を形成す
る絶縁膜又は配向膜形成部をさらに備えてなるものであ
ってもよい。
【００２１】このように構成することによって、紫外線
の照射によって基板に対する絶縁膜の材料又は配向膜の
材料の濡れ性を高めることができるため、絶縁膜又は配
向膜の均一性を向上させることができる。
の照射によって基板に対する絶縁膜の材料又は配向膜の
材料の濡れ性を高めることができるため、絶縁膜又は配
向膜の均一性を向上させることができる。
【００２２】前記基板がガラスであり、かつ前記絶縁膜
が無機酸化膜であることが好ましく、また前記基板がガ
ラスであり、かつ前記配向膜がポリイミド膜であること
が好ましいのは、前述の電気光学装置の製造方法の場合
と同様である。
が無機酸化膜であることが好ましく、また前記基板がガ
ラスであり、かつ前記配向膜がポリイミド膜であること
が好ましいのは、前述の電気光学装置の製造方法の場合
と同様である。
【００２３】本発明の液晶パネルの製造方法は、一対の
基板間に液晶が封入されてなるとともに、前記基板上に
配向膜が形成された液晶パネルを製造する方法であっ
て、基板上に形成した配向膜にラビング処理を施すラビ
ング工程と、前記ラビング処理を施した前記配向膜に紫
外線を照射する紫外線照射工程と、前記紫外線が照射さ
れた前記配向膜を洗浄する洗浄工程とを含むことを特徴
とする。
基板間に液晶が封入されてなるとともに、前記基板上に
配向膜が形成された液晶パネルを製造する方法であっ
て、基板上に形成した配向膜にラビング処理を施すラビ
ング工程と、前記ラビング処理を施した前記配向膜に紫
外線を照射する紫外線照射工程と、前記紫外線が照射さ
れた前記配向膜を洗浄する洗浄工程とを含むことを特徴
とする。
【００２４】この液晶パネルの製造方法によれば、配向
膜の洗浄工程の前に配向膜に紫外線を照射するので、洗
浄工程における配向膜の濡れ性を改善することができる
ため、洗浄工程における気泡の発生を抑制して配向膜を
効率的に洗浄することができる。
膜の洗浄工程の前に配向膜に紫外線を照射するので、洗
浄工程における配向膜の濡れ性を改善することができる
ため、洗浄工程における気泡の発生を抑制して配向膜を
効率的に洗浄することができる。
【００２５】この場合、前記紫外線照射工程における紫
外線の波長を２５４ｎｍとし、かつその照射量を９００
ｍＪ／ｃｍ2以上とする、又は前記紫外線照射工程にお
ける紫外線の波長を３６５ｎｍとし、かつその照射量を
３０００ｍＪ／ｃｍ2以上とするとともに、前記紫外線
照射工程における紫外線の照射から前記洗浄工程におけ
る洗浄までの時間を６０分以内としてもよい。
外線の波長を２５４ｎｍとし、かつその照射量を９００
ｍＪ／ｃｍ2以上とする、又は前記紫外線照射工程にお
ける紫外線の波長を３６５ｎｍとし、かつその照射量を
３０００ｍＪ／ｃｍ2以上とするとともに、前記紫外線
照射工程における紫外線の照射から前記洗浄工程におけ
る洗浄までの時間を６０分以内としてもよい。
【００２６】このように構成することによって、洗浄に
対する紫外線照射の効果を十分に発揮させることができ
る。
対する紫外線照射の効果を十分に発揮させることができ
る。
【００２７】また、前記紫外線照射工程における紫外線
の波長を２５４ｎｍとし、かつその照射量を１５０ｍＪ
／ｃｍ2以上とする、又は前記紫外線照射工程における
紫外線の波長を３６５ｎｍとし、かつその照射量を５０
０ｍＪ／ｃｍ2以上とするとともに、前記紫外線照射工
程における紫外線の照射から前記洗浄工程における洗浄
までの時間を５分以内としてもよい。
の波長を２５４ｎｍとし、かつその照射量を１５０ｍＪ
／ｃｍ2以上とする、又は前記紫外線照射工程における
紫外線の波長を３６５ｎｍとし、かつその照射量を５０
０ｍＪ／ｃｍ2以上とするとともに、前記紫外線照射工
程における紫外線の照射から前記洗浄工程における洗浄
までの時間を５分以内としてもよい。
【００２８】このように構成することによって、洗浄に
対する紫外線照射の効果を十分に発揮させることができ
る。
対する紫外線照射の効果を十分に発揮させることができ
る。
【００２９】また、前記紫外線照射工程における紫外線
の照射から前記洗浄工程における洗浄までの時間を長く
するに従って、前記紫外線照射工程における紫外線の照
射量を増大させてもよい。
の照射から前記洗浄工程における洗浄までの時間を長く
するに従って、前記紫外線照射工程における紫外線の照
射量を増大させてもよい。
【００３０】このように構成することによって、紫外線
の照射から洗浄までの時間に応じて紫外線の照射量を適
切な値とすることができるので、いたずらに紫外線の照
射量を高めることなく、洗浄に対する紫外線照射の効果
を効率良く発揮させることができる。
の照射から洗浄までの時間に応じて紫外線の照射量を適
切な値とすることができるので、いたずらに紫外線の照
射量を高めることなく、洗浄に対する紫外線照射の効果
を効率良く発揮させることができる。
【００３１】本発明の液晶パネルの製造装置は、一対の
基板間に液晶が封入されてなるとともに、前記基板上に
配向膜が形成された液晶パネルを製造する装置であっ
て、前記基板上に形成した前記配向膜にラビング処理を
施すラビング部と、前記ラビング部でラビング処理を施
された前記配向膜に紫外線を照射する紫外線照射部と、
前記ラビング部から前記紫外線照射部に前記配向膜が形
成された基板（配向膜形成基板）を搬送するとともに、
前記紫外線照射部で紫外線を照射された前記配向膜形成
基板を洗浄するために排出する搬送手段とを備えること
を特徴とする。
基板間に液晶が封入されてなるとともに、前記基板上に
配向膜が形成された液晶パネルを製造する装置であっ
て、前記基板上に形成した前記配向膜にラビング処理を
施すラビング部と、前記ラビング部でラビング処理を施
された前記配向膜に紫外線を照射する紫外線照射部と、
前記ラビング部から前記紫外線照射部に前記配向膜が形
成された基板（配向膜形成基板）を搬送するとともに、
前記紫外線照射部で紫外線を照射された前記配向膜形成
基板を洗浄するために排出する搬送手段とを備えること
を特徴とする。
【００３２】この液晶パネルの製造装置によれば、配向
膜が形成された基板（配向膜形成基板）を洗浄する前に
配向膜に紫外線を照射するので、洗浄時における配向膜
の濡れ性を改善することができるため、洗浄時における
気泡の発生を抑制して配向膜を効率的に洗浄することが
できる。また、ラビング部と紫外線照射部とを直列に接
続することにより、基板の流れを阻害することなく紫外
線を照射することができる。なお、紫外線を照射してか
ら洗浄までの時間が短いほど紫外線を照射することによ
る効果が顕著であるため、紫外線の照射から洗浄までの
時間は６０分以内とすることが好ましい。
膜が形成された基板（配向膜形成基板）を洗浄する前に
配向膜に紫外線を照射するので、洗浄時における配向膜
の濡れ性を改善することができるため、洗浄時における
気泡の発生を抑制して配向膜を効率的に洗浄することが
できる。また、ラビング部と紫外線照射部とを直列に接
続することにより、基板の流れを阻害することなく紫外
線を照射することができる。なお、紫外線を照射してか
ら洗浄までの時間が短いほど紫外線を照射することによ
る効果が顕著であるため、紫外線の照射から洗浄までの
時間は６０分以内とすることが好ましい。
【００３３】この場合、前記紫外線照射部を経由して紫
外線を照射された前記配向膜形成基板を洗浄する洗浄部
をさらに備えるとともに、前記搬送手段が、前記ラビン
グ部から前記洗浄部に至る搬送経路に沿って、前記配向
膜形成基板を搬送するとともに、前記配向膜形成基板を
排出する構成を有するものであってもよい。
外線を照射された前記配向膜形成基板を洗浄する洗浄部
をさらに備えるとともに、前記搬送手段が、前記ラビン
グ部から前記洗浄部に至る搬送経路に沿って、前記配向
膜形成基板を搬送するとともに、前記配向膜形成基板を
排出する構成を有するものであってもよい。
【００３４】このように構成することによって、洗浄部
で洗浄する直前に配向膜に紫外線を照射するので、洗浄
部における配向膜の濡れ性を改善して、洗浄部における
気泡の発生を抑制して配向膜を効率的に洗浄することが
できる。また、ラビング部、紫外線照射部及び洗浄部を
直列に接続することにより、基板の流れを阻害すること
なく紫外線の照射及び基板の洗浄を行うことができる。
で洗浄する直前に配向膜に紫外線を照射するので、洗浄
部における配向膜の濡れ性を改善して、洗浄部における
気泡の発生を抑制して配向膜を効率的に洗浄することが
できる。また、ラビング部、紫外線照射部及び洗浄部を
直列に接続することにより、基板の流れを阻害すること
なく紫外線の照射及び基板の洗浄を行うことができる。
【００３５】また、前記紫外線照射部における紫外線の
波長が２５４ｎｍであり、かつその照射量が９００ｍＪ
／ｃｍ2以上であり、又は前記紫外線照射部における紫
外線の波長が３６５ｎｍであり、かつその照射量が３０
００ｍＪ／ｃｍ2以上であるとともに、前記紫外線照射
部における紫外線の照射から前記洗浄部における洗浄ま
での時間が６０分以内であるものが好ましい。
波長が２５４ｎｍであり、かつその照射量が９００ｍＪ
／ｃｍ2以上であり、又は前記紫外線照射部における紫
外線の波長が３６５ｎｍであり、かつその照射量が３０
００ｍＪ／ｃｍ2以上であるとともに、前記紫外線照射
部における紫外線の照射から前記洗浄部における洗浄ま
での時間が６０分以内であるものが好ましい。
【００３６】このように構成することによって、洗浄に
対する紫外線照射の効果を十分に発揮させることができ
る。
対する紫外線照射の効果を十分に発揮させることができ
る。
【００３７】また、前記紫外線照射部における紫外線の
波長が２５４ｎｍであり、かつその照射量が１５０ｍＪ
／ｃｍ2以上であり、又は前記紫外線照射部における紫
外線の波長が３６５ｎｍであり、かつその照射量が５０
０ｍＪ／ｃｍ2以上であるとともに、前記紫外線照射部
における紫外線の照射から前記洗浄部における洗浄まで
の時間が５分以内であるものが好ましい。
波長が２５４ｎｍであり、かつその照射量が１５０ｍＪ
／ｃｍ2以上であり、又は前記紫外線照射部における紫
外線の波長が３６５ｎｍであり、かつその照射量が５０
０ｍＪ／ｃｍ2以上であるとともに、前記紫外線照射部
における紫外線の照射から前記洗浄部における洗浄まで
の時間が５分以内であるものが好ましい。
【００３８】このように構成することによって、洗浄に
対する紫外線照射の効果を十分に発揮させることができ
る。
対する紫外線照射の効果を十分に発揮させることができ
る。
【００３９】また、前記紫外線照射部における紫外線の
照射から前記洗浄部における洗浄までの時間が長くなる
に従って、前記紫外線照射部における紫外線の照射量を
増大させる制御部をさらに備えたものがさらに好まし
い。
照射から前記洗浄部における洗浄までの時間が長くなる
に従って、前記紫外線照射部における紫外線の照射量を
増大させる制御部をさらに備えたものがさらに好まし
い。
【００４０】このように構成することによって、紫外線
の照射から洗浄までの時間に応じて紫外線の照射量を適
切に制御することができるため、紫外線の照射量をいた
ずらに高めることなく、洗浄に対する紫外線照射の効果
を効率良く発揮させることができる。
の照射から洗浄までの時間に応じて紫外線の照射量を適
切に制御することができるため、紫外線の照射量をいた
ずらに高めることなく、洗浄に対する紫外線照射の効果
を効率良く発揮させることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照しつつ、
本発明の電気光学装置の製造方法の一の実施の形態につ
いて具体的に説明する。
本発明の電気光学装置の製造方法の一の実施の形態につ
いて具体的に説明する。
【００４２】図１は、本発明の電気光学装置の製造装置
の一の実施の形態を模式的に示す説明図である。図１に
示すように、本実施の形態に用いられる電気光学装置の
製造装置１００は、液晶基板１０の表面を超音波で洗浄
する洗浄部１と、洗浄部１で超音波又は純水で洗浄され
た液晶基板１０の表面に紫外線２２を照射する紫外線照
射部２と、洗浄部１及び紫外線照射部２を順次通過する
ように液晶基板１０を搬送する搬送手段３とを備えてな
るものである。
の一の実施の形態を模式的に示す説明図である。図１に
示すように、本実施の形態に用いられる電気光学装置の
製造装置１００は、液晶基板１０の表面を超音波で洗浄
する洗浄部１と、洗浄部１で超音波又は純水で洗浄され
た液晶基板１０の表面に紫外線２２を照射する紫外線照
射部２と、洗浄部１及び紫外線照射部２を順次通過する
ように液晶基板１０を搬送する搬送手段３とを備えてな
るものである。
【００４３】洗浄部１には、搬送手段３によって搬送さ
れる液晶基板１０に向けて純水を噴射する複数のノズル
１１と、液晶基板１０に向けて空気を吹き付けるエアナ
イフノズル１２とが設けられている。ノズル１１には純
水に超音波振動を与える振動板（図示せず）が設けら
れ、振動板を振動させつつノズル１１から純水を噴出す
ることにより、純水と空気とが混合された超音波励振水
をノズル１１から勢いよく液晶基板１０に吹き付けるこ
とができる。エアナイフノズル１２からは液晶基板１０
に向けて高速でエアーが吹き付けられる。これにより、
液晶基板１０に付着した純水を吹き飛ばして除去するこ
とができる。
れる液晶基板１０に向けて純水を噴射する複数のノズル
１１と、液晶基板１０に向けて空気を吹き付けるエアナ
イフノズル１２とが設けられている。ノズル１１には純
水に超音波振動を与える振動板（図示せず）が設けら
れ、振動板を振動させつつノズル１１から純水を噴出す
ることにより、純水と空気とが混合された超音波励振水
をノズル１１から勢いよく液晶基板１０に吹き付けるこ
とができる。エアナイフノズル１２からは液晶基板１０
に向けて高速でエアーが吹き付けられる。これにより、
液晶基板１０に付着した純水を吹き飛ばして除去するこ
とができる。
【００４４】紫外線照射部２には、搬送手段３によって
搬送される液晶基板１０に向けて紫外線２２を照射する
紫外線ランプ２１が設けられている。液晶基板１０に紫
外線２２を照射することにより、液晶基板１０の表面に
対する配向膜材料又は絶縁膜材料に対する濡れ性を向上
させることができる。
搬送される液晶基板１０に向けて紫外線２２を照射する
紫外線ランプ２１が設けられている。液晶基板１０に紫
外線２２を照射することにより、液晶基板１０の表面に
対する配向膜材料又は絶縁膜材料に対する濡れ性を向上
させることができる。
【００４５】搬送手段３として、本実施の形態において
は、図１に示すように、ベルトコンベア式の搬送手段を
用いた場合を示すが、この他に、コロコンベア式の搬送
手段、又はロボットを用いて液晶基板１０を搬送する装
置等を用いてもよい。
は、図１に示すように、ベルトコンベア式の搬送手段を
用いた場合を示すが、この他に、コロコンベア式の搬送
手段、又はロボットを用いて液晶基板１０を搬送する装
置等を用いてもよい。
【００４６】図２は、本発明の電気光学装置の製造方法
の一の実施の形態を模式的に示す工程図である。なお、
本実施の形態においては電気光学装置としてパッシブマ
トリクス方式の液晶装置を用いた場合を示す。
の一の実施の形態を模式的に示す工程図である。なお、
本実施の形態においては電気光学装置としてパッシブマ
トリクス方式の液晶装置を用いた場合を示す。
【００４７】図１を参照しつつ図２に示すように、電気
光学装置の製造装置１００において基板を洗浄する前に
（基板洗浄工程の前に）、液晶基板１０に、ＩＴＯ電極
パターンを形成する（ＩＴＯのパターン形成工程）。
光学装置の製造装置１００において基板を洗浄する前に
（基板洗浄工程の前に）、液晶基板１０に、ＩＴＯ電極
パターンを形成する（ＩＴＯのパターン形成工程）。
【００４８】次に、液晶基板１０は電気光学装置の製造
装置１００に搬入され、搬送手段３により搬送される液
晶基板１０は、順次、洗浄部１と紫外線照射部２とを通
過する（基板洗浄工程及び紫外線照射工程）。電気光学
装置の製造装置１００から搬出された液晶基板１０の表
面は、洗浄及び紫外線の照射により、絶縁膜材料に対す
る濡れ性が向上している。
装置１００に搬入され、搬送手段３により搬送される液
晶基板１０は、順次、洗浄部１と紫外線照射部２とを通
過する（基板洗浄工程及び紫外線照射工程）。電気光学
装置の製造装置１００から搬出された液晶基板１０の表
面は、洗浄及び紫外線の照射により、絶縁膜材料に対す
る濡れ性が向上している。
【００４９】次に、液晶基板１０の表面に絶縁材料を塗
布する（絶縁材料塗布工程）。絶縁材料としては、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｎＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｓｂ2Ｏ5等の無機酸
化膜を用いることができる。絶縁材料の塗布方法として
は、スクリーン印刷、凸版印刷等の通常の方法を用いる
ことができる。
布する（絶縁材料塗布工程）。絶縁材料としては、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｎＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｓｂ2Ｏ5等の無機酸
化膜を用いることができる。絶縁材料の塗布方法として
は、スクリーン印刷、凸版印刷等の通常の方法を用いる
ことができる。
【００５０】絶縁膜の形成後、絶縁膜上に配向膜を塗布
する（配向膜塗布工程）。配向膜の材料としては、ポリ
イミド等を用いることができる。次に、配向膜に対しラ
ビング処理を施す（ラビング処理工程）。ラビング処理
は、配向膜の表面を綿の布等で一方向に擦ることによ
り、微細な溝を形成する工程である。これにより液晶装
置（パネル）に封入される液晶の配向方向を制御するこ
とができる。
する（配向膜塗布工程）。配向膜の材料としては、ポリ
イミド等を用いることができる。次に、配向膜に対しラ
ビング処理を施す（ラビング処理工程）。ラビング処理
は、配向膜の表面を綿の布等で一方向に擦ることによ
り、微細な溝を形成する工程である。これにより液晶装
置（パネル）に封入される液晶の配向方向を制御するこ
とができる。
【００５１】次に、液晶装置（パネル）を構成する一対
の基板を接着するためのシール材を印刷する（シール材
印刷工程）。
の基板を接着するためのシール材を印刷する（シール材
印刷工程）。
【００５２】次に、シール材により一対の基板を接着す
るとともに、一対の基板間に液晶を注入して液晶パネル
を完成させる（組立工程）。
るとともに、一対の基板間に液晶を注入して液晶パネル
を完成させる（組立工程）。
【００５３】上記実施の形態においては、紫外線照射工
程の後に絶縁膜材料塗布工程を配置する例を示したが、
紫外線照射工程の後に配向膜塗布工程を配置する場合に
ついても、同様の効果を得ることができる。
程の後に絶縁膜材料塗布工程を配置する例を示したが、
紫外線照射工程の後に配向膜塗布工程を配置する場合に
ついても、同様の効果を得ることができる。
【００５４】図３は、本発明の電気光学装置の製造方法
の他の実施の形態を模式的に示す工程図である。なお、
本実施の形態においても電気光学装置としてパッシブマ
トリクス方式の液晶装置を用いた場合を示す。
の他の実施の形態を模式的に示す工程図である。なお、
本実施の形態においても電気光学装置としてパッシブマ
トリクス方式の液晶装置を用いた場合を示す。
【００５５】本実施の形態においては、紫外線照射工程
の後に、絶縁膜材料塗布工程を経ることなく、配向膜塗
布工程を配置している。このように、配向膜を形成する
前に紫外線を照射することにより、配向膜を均一に形成
することができる。
の後に、絶縁膜材料塗布工程を経ることなく、配向膜塗
布工程を配置している。このように、配向膜を形成する
前に紫外線を照射することにより、配向膜を均一に形成
することができる。
【００５６】この場合、配向膜材料としては、有機高分
子系配向膜材料（中でも、ポリイミド系ワニスが好まし
い）等を使用することができる。
子系配向膜材料（中でも、ポリイミド系ワニスが好まし
い）等を使用することができる。
【００５７】ガラス基板は、本来、ポリイミド等の配向
膜材料に対する濡れ性が悪いが、上記のように本実施の
形態では紫外線照射によって液晶基板の表面の絶縁材料
に対する濡れ性が向上するため、配向膜を均一に形成す
ることができる。
膜材料に対する濡れ性が悪いが、上記のように本実施の
形態では紫外線照射によって液晶基板の表面の絶縁材料
に対する濡れ性が向上するため、配向膜を均一に形成す
ることができる。
【００５８】本実施の形態においては、紫外線を照射し
てから配向膜を塗布するまでの時間が長くなると、紫外
線照射の効果が弱まるため、その時間としては３０分以
内が好ましい。また、紫外線の強度としては２５４ｎｍ
の波長で２００ｍＪ／ｃｍ2以上とするのが好ましい。
てから配向膜を塗布するまでの時間が長くなると、紫外
線照射の効果が弱まるため、その時間としては３０分以
内が好ましい。また、紫外線の強度としては２５４ｎｍ
の波長で２００ｍＪ／ｃｍ2以上とするのが好ましい。
【００５９】上記実施の形態では、電気光学装置の製造
装置１００を使用して液晶装置を製造する場合について
例示したが、本発明の電気光学装置の製造方法は上記の
ような装置を使用する場合に限定されることはない。ま
た、本発明の電気光学装置の製造方法は、パッシブマト
リクス方式の液晶装置への適用に限定されることはな
く、アクティブマトリクス方式の液晶装置を含むすべて
の液晶装置の他、プラズマディスプレイ装置、エレクト
ロルミネッセンス表示装置等のすべての電気光学装置を
製造する場合に適用することができる。
装置１００を使用して液晶装置を製造する場合について
例示したが、本発明の電気光学装置の製造方法は上記の
ような装置を使用する場合に限定されることはない。ま
た、本発明の電気光学装置の製造方法は、パッシブマト
リクス方式の液晶装置への適用に限定されることはな
く、アクティブマトリクス方式の液晶装置を含むすべて
の液晶装置の他、プラズマディスプレイ装置、エレクト
ロルミネッセンス表示装置等のすべての電気光学装置を
製造する場合に適用することができる。
【００６０】以下、図４〜図７を参照しつつ、本発明の
液晶パネルの製造装置の一の実施の形態について説明す
る。
液晶パネルの製造装置の一の実施の形態について説明す
る。
【００６１】図４は、本発明の液晶パネルの製造装置の
一の実施の形態を模式的に示す説明図である。なお、図
４においては、液晶パネル製造装置２００として、枚葉
式の液晶パネルを製造する装置を示す。
一の実施の形態を模式的に示す説明図である。なお、図
４においては、液晶パネル製造装置２００として、枚葉
式の液晶パネルを製造する装置を示す。
【００６２】図５は、本発明の液晶パネルの製造装置の
一の実施の形態におけるＵＶ照射部の一例を模式的に示
す説明図である。
一の実施の形態におけるＵＶ照射部の一例を模式的に示
す説明図である。
【００６３】図４に示すように、液晶パネルの製造装置
２００は、複数のパネル基板が配置された基板（マザー
基板）１０上に形成した配向膜にラビング処理を施すた
めのラビング部３０と、ラビング部３０を経由した基板
１０の配向膜が形成された面に紫外線を照射するＵＶ照
射部４０とを備えている。また、ラビング部３０の手前
側には、基板１０を受け入れる搬入部５０が設けられて
いる。なお、符号６は洗浄部を示す。
２００は、複数のパネル基板が配置された基板（マザー
基板）１０上に形成した配向膜にラビング処理を施すた
めのラビング部３０と、ラビング部３０を経由した基板
１０の配向膜が形成された面に紫外線を照射するＵＶ照
射部４０とを備えている。また、ラビング部３０の手前
側には、基板１０を受け入れる搬入部５０が設けられて
いる。なお、符号６は洗浄部を示す。
【００６４】図５に示すように、ＵＶ照射部４０は、一
定間隔で配置された状態で搬送される基板１０に向けて
紫外線２２を照射するＵＶランプ２１を備えている。
定間隔で配置された状態で搬送される基板１０に向けて
紫外線２２を照射するＵＶランプ２１を備えている。
【００６５】図６は、ラビング部３０を経由した基板１
０をＵＶ照射部４０に向けて搬入するとともにＵＶ照射
部４０内で基板１０を搬送する搬送手段を模式的に示す
説明図であり（図４参照）、図６（ａ）はベルトコンベ
ア式の搬送手段４を、図６（ｂ）はコロコンベア式の搬
送手段４Ａをそれぞれ示す。
０をＵＶ照射部４０に向けて搬入するとともにＵＶ照射
部４０内で基板１０を搬送する搬送手段を模式的に示す
説明図であり（図４参照）、図６（ａ）はベルトコンベ
ア式の搬送手段４を、図６（ｂ）はコロコンベア式の搬
送手段４Ａをそれぞれ示す。
【００６６】図６（ａ）に示すように、ベルトコンベア
式の搬送手段４では、ＵＶランプ２１の下方を基板１０
がベルト４１に載せられて搬送される。基板１０は配向
膜が形成された面を上に向けて搬送される。ベルト４１
は駆動機構（図示せず）により駆動される。
式の搬送手段４では、ＵＶランプ２１の下方を基板１０
がベルト４１に載せられて搬送される。基板１０は配向
膜が形成された面を上に向けて搬送される。ベルト４１
は駆動機構（図示せず）により駆動される。
【００６７】図６（ｂ）に示すように、コロコンベア式
の搬送手段４Ａでは、複数のコロ４２が基板１０の搬送
経路に沿って設けられ、駆動機構（図示せず）によって
コロ４２が回転されることによりコロ４２に載せられた
基板１０がＵＶランプ２１の下方を搬送される。基板１
０は配向膜が形成された面を上に向けて搬送される。
の搬送手段４Ａでは、複数のコロ４２が基板１０の搬送
経路に沿って設けられ、駆動機構（図示せず）によって
コロ４２が回転されることによりコロ４２に載せられた
基板１０がＵＶランプ２１の下方を搬送される。基板１
０は配向膜が形成された面を上に向けて搬送される。
【００６８】図６（ｃ）は、搬送手段として、ロボット
を用いた枚葉照射炉等を用いた場合を示しており、この
搬送手段４Ｂではロボット４３により基板１０を１枚ず
つステージ４４に載置し、ステージ４４の上で基板１０
に対して紫外線２２を照射している。基板１０は配向膜
が形成された面を上に向けて載置される。紫外線の照射
後、ロボット４５により基板１０はステージ４４から搬
出される。ステージ４４には基板１０を上下方向に駆動
する昇降ピン４４ａが設けられ、昇降ピン４４ａで基板
１０を上昇させることにより、基板１０の搬出入時にロ
ボット４３のハンド４３ａ及びロボット４５のハンド４
５ａが挿入される間隙を確保することができる。
を用いた枚葉照射炉等を用いた場合を示しており、この
搬送手段４Ｂではロボット４３により基板１０を１枚ず
つステージ４４に載置し、ステージ４４の上で基板１０
に対して紫外線２２を照射している。基板１０は配向膜
が形成された面を上に向けて載置される。紫外線の照射
後、ロボット４５により基板１０はステージ４４から搬
出される。ステージ４４には基板１０を上下方向に駆動
する昇降ピン４４ａが設けられ、昇降ピン４４ａで基板
１０を上昇させることにより、基板１０の搬出入時にロ
ボット４３のハンド４３ａ及びロボット４５のハンド４
５ａが挿入される間隙を確保することができる。
【００６９】図７は、ＵＶ照射部４０で紫外線が照射さ
れた基板１０を排出する搬送手段を模式的に示す説明図
であり（図４参照）、図７（ａ）は、ロボットを用いた
搬送手段５、図７（ｂ）はコロコンベア式の搬送手段５
Ａをそれぞれ示す。図７（ａ）に示す搬送手段５では、
ロボット５１を用いて基板１０をラック５２に順次収納
している。ラック５２に収納された基板１０はラック５
２単位で洗浄部６に移動され、ラック５２単位でまとめ
て（バッチ式で）洗浄される。図７（ｂ）に示す搬送手
段５Ａでは、基板１０の搬送方向に沿って配列されたコ
ロ５３によって基板１０が、順次、洗浄部６に向けて搬
送される。この場合には、基板１０が１枚ずつ洗浄部６
内に搬送されて順次洗浄される。図７（ｂ）に示すよう
に基板１０を１枚ずつ洗浄部６に搬送する場合には、液
晶パネル製造装置の一部として洗浄部６を組み込むこと
ができる。
れた基板１０を排出する搬送手段を模式的に示す説明図
であり（図４参照）、図７（ａ）は、ロボットを用いた
搬送手段５、図７（ｂ）はコロコンベア式の搬送手段５
Ａをそれぞれ示す。図７（ａ）に示す搬送手段５では、
ロボット５１を用いて基板１０をラック５２に順次収納
している。ラック５２に収納された基板１０はラック５
２単位で洗浄部６に移動され、ラック５２単位でまとめ
て（バッチ式で）洗浄される。図７（ｂ）に示す搬送手
段５Ａでは、基板１０の搬送方向に沿って配列されたコ
ロ５３によって基板１０が、順次、洗浄部６に向けて搬
送される。この場合には、基板１０が１枚ずつ洗浄部６
内に搬送されて順次洗浄される。図７（ｂ）に示すよう
に基板１０を１枚ずつ洗浄部６に搬送する場合には、液
晶パネル製造装置の一部として洗浄部６を組み込むこと
ができる。
【００７０】図４に示すように、搬入部５０に置かれた
液晶パネル１０は、搬送手段（図示せず）によりラビン
グ部３０に導かれるように構成されている。搬送手段と
して、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すものと同様の搬送
手段を用いることができる。この搬送手段は、ラビング
部３０内において基板を搬送する装置（図示せず）と共
通化してもよいし、搬入部５０からＵＶ照射部４０又は
洗浄部６に至る搬送経路で搬送手段を共通化してもよ
い。
液晶パネル１０は、搬送手段（図示せず）によりラビン
グ部３０に導かれるように構成されている。搬送手段と
して、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すものと同様の搬送
手段を用いることができる。この搬送手段は、ラビング
部３０内において基板を搬送する装置（図示せず）と共
通化してもよいし、搬入部５０からＵＶ照射部４０又は
洗浄部６に至る搬送経路で搬送手段を共通化してもよ
い。
【００７１】次に、本発明の液晶パネルの製造方法の一
の実施の形態について、図８を参照しつつ説明する。
の実施の形態について、図８を参照しつつ説明する。
【００７２】図８は、本発明の液晶パネルの製造方法の
一の実施の形態における製造工程を模式的に示す工程図
である。
一の実施の形態における製造工程を模式的に示す工程図
である。
【００７３】図８に示すように、基板１０（図４参照）
の表面にＩＴＯ電極パターンを形成した（ＩＴＯのパタ
ーン形成工程）後、スクリーン印刷、凸版印刷等を用い
てＩＴＯ電極パターン上に配向膜を形成する（配向膜形
成工程）。配向膜の材料としては、ポリイミド等を用い
ることができる。なお、ＩＴＯ電極パターンの形成後、
絶縁膜をＩＴＯ電極パターン上に形成し、この絶縁膜の
上に配向膜を形成してもよい。
の表面にＩＴＯ電極パターンを形成した（ＩＴＯのパタ
ーン形成工程）後、スクリーン印刷、凸版印刷等を用い
てＩＴＯ電極パターン上に配向膜を形成する（配向膜形
成工程）。配向膜の材料としては、ポリイミド等を用い
ることができる。なお、ＩＴＯ電極パターンの形成後、
絶縁膜をＩＴＯ電極パターン上に形成し、この絶縁膜の
上に配向膜を形成してもよい。
【００７４】次に、図４を参照しつつ図８に示すよう
に、配向膜が形成された基板１０を図４に示す液晶パネ
ル製造装置２００の搬入部５０に載置する。搬入部５０
に置かれた基板１０を上記搬送手段によりラビング部３
０に導入する。ラビング部３０では基板１０の配向膜に
対しラビング処理を行う（ラビング工程）。これにより
液晶パネルに封着される液晶の配向方向を制御すること
ができる。なお、ラビング処理としては、汎用されてい
る処理方法を用いることができる。
に、配向膜が形成された基板１０を図４に示す液晶パネ
ル製造装置２００の搬入部５０に載置する。搬入部５０
に置かれた基板１０を上記搬送手段によりラビング部３
０に導入する。ラビング部３０では基板１０の配向膜に
対しラビング処理を行う（ラビング工程）。これにより
液晶パネルに封着される液晶の配向方向を制御すること
ができる。なお、ラビング処理としては、汎用されてい
る処理方法を用いることができる。
【００７５】次に、基板１０をＵＶ照射部４０に搬送し
て配向膜に紫外線を照射する（ＵＶ照射工程）。その
後、基板１０を順次ラック５２に収納し、又は１枚ずつ
洗浄部６に搬入する（図７参照）。
て配向膜に紫外線を照射する（ＵＶ照射工程）。その
後、基板１０を順次ラック５２に収納し、又は１枚ずつ
洗浄部６に搬入する（図７参照）。
【００７６】次に、基板１０を洗浄部６において純水に
より超音波洗浄する（ラビング後洗浄工程）。この工程
によってラビング工程において付着した布の繊維等の配
向膜表面の異物を除去する。本実施の形態では配向膜に
紫外線を照射した後、配向膜の超音波洗浄を行っている
ので配向膜の濡れ性が改善され、洗浄効果を向上させる
ことができる。紫外線照射の効果については後述する。
より超音波洗浄する（ラビング後洗浄工程）。この工程
によってラビング工程において付着した布の繊維等の配
向膜表面の異物を除去する。本実施の形態では配向膜に
紫外線を照射した後、配向膜の超音波洗浄を行っている
ので配向膜の濡れ性が改善され、洗浄効果を向上させる
ことができる。紫外線照射の効果については後述する。
【００７７】配向膜を洗浄し基板１０を乾燥させた後、
シール印刷を行う（シール印刷工程）。シール印刷では
シール材を基板１０又は基板１０と組合わされるべき基
板（マザー基板）に、個々の液晶パネルの形状に合わせ
た形状に塗布する。
シール印刷を行う（シール印刷工程）。シール印刷では
シール材を基板１０又は基板１０と組合わされるべき基
板（マザー基板）に、個々の液晶パネルの形状に合わせ
た形状に塗布する。
【００７８】次に、上記基板（マザー基板）の一対をシ
ール材により接着した後、短冊状に切断する。次に、こ
の一対の基板間に液晶を注入、封止した後、個々の液晶
パネルごとに切断することで、液晶パネルを製造するこ
とができる（組立工程）。
ール材により接着した後、短冊状に切断する。次に、こ
の一対の基板間に液晶を注入、封止した後、個々の液晶
パネルごとに切断することで、液晶パネルを製造するこ
とができる（組立工程）。
【００７９】ラビング処理後の紫外線の照射量と、紫外
線の照射から洗浄までの放置時間との間の、紫外線照射
による洗浄効果に対する相関関係を表１（紫外線の波長
が２５４ｎｍの場合）及び表２（紫外線の波長が３６５
ｎｍの場合）にそれぞれ示す。
線の照射から洗浄までの放置時間との間の、紫外線照射
による洗浄効果に対する相関関係を表１（紫外線の波長
が２５４ｎｍの場合）及び表２（紫外線の波長が３６５
ｎｍの場合）にそれぞれ示す。
【００８０】
【表１】
【００８１】
【表２】
【００８２】紫外線照射による洗浄結果は４段階で評価
しており、最も良好な状態はラビング後に洗浄した基板
表面に点状濡れ性欠陥がない状態（状態１：表中◎で示
す）、次いで良好な状態はラビング後に洗浄した基板表
面に点状濡れ性欠陥が１０箇所未満の状態（状態２：表
中〇で示す）、その次に良好な状態は点状濡れ性欠陥が
１０箇所以上確認されるがパネル点灯時の欠陥とならな
い状態（状態３：表中△で示す）、最も悪い状態はパネ
ル点灯時の欠陥を生じる状態（状態４：表中×で示す）
である。
しており、最も良好な状態はラビング後に洗浄した基板
表面に点状濡れ性欠陥がない状態（状態１：表中◎で示
す）、次いで良好な状態はラビング後に洗浄した基板表
面に点状濡れ性欠陥が１０箇所未満の状態（状態２：表
中〇で示す）、その次に良好な状態は点状濡れ性欠陥が
１０箇所以上確認されるがパネル点灯時の欠陥とならな
い状態（状態３：表中△で示す）、最も悪い状態はパネ
ル点灯時の欠陥を生じる状態（状態４：表中×で示す）
である。
【００８３】表１からわかるように、紫外線の波長が２
５４ｎｍのとき、放置時間を５分とした場合には照射量
７５ｍＪ／ｃｍ2では状態２となるが、照射量１５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間を１０分と
した場合には照射量７５ｍＪ／ｃｍ2では状態３とな
り、照射量１５０ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射
量３００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間
を２０分とした場合には照射量７５ｍＪ／ｃｍ2では状
態４となり、照射量１５０ｍＪ／ｃｍ2では状態３とな
り、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射
量４５０ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間
を３０分とした場合には照射量１５０ｍＪ／ｃｍ 2以下
では状態４となり、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2及び４５
０ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射量６００ｍＪ／
ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間を４５分とした
場合には照射量１５０ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４とな
り、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2では状態３となり、照射
量４５０ｍＪ／ｃｍ2及び６００ｍＪ／ｃｍ2では状態２
となり、照射量９００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１とな
る。放置時間を６０分とした場合には照射量３００ｍＪ
／ｃｍ2以下では状態４となり、照射量４５０ｍＪ／ｃ
ｍ2では状態３となり、照射量６００ｍＪ／ｃｍ2では状
態２となり、照射量９００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１
となる。放置時間を９０分とした場合には照射量４５０
ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４となり、照射量６００ｍＪ
／ｃｍ2では状態３となり、照射量９００ｍＪ／ｃｍ2以
上では状態２となる。放置時間を１２０分とした場合に
は照射量６００ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４となり、照
射量９００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態３となる。放置時
間を２４０分とした場合にはすべての照射量で状態４と
なる。
５４ｎｍのとき、放置時間を５分とした場合には照射量
７５ｍＪ／ｃｍ2では状態２となるが、照射量１５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間を１０分と
した場合には照射量７５ｍＪ／ｃｍ2では状態３とな
り、照射量１５０ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射
量３００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間
を２０分とした場合には照射量７５ｍＪ／ｃｍ2では状
態４となり、照射量１５０ｍＪ／ｃｍ2では状態３とな
り、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射
量４５０ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間
を３０分とした場合には照射量１５０ｍＪ／ｃｍ 2以下
では状態４となり、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2及び４５
０ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射量６００ｍＪ／
ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間を４５分とした
場合には照射量１５０ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４とな
り、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2では状態３となり、照射
量４５０ｍＪ／ｃｍ2及び６００ｍＪ／ｃｍ2では状態２
となり、照射量９００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１とな
る。放置時間を６０分とした場合には照射量３００ｍＪ
／ｃｍ2以下では状態４となり、照射量４５０ｍＪ／ｃ
ｍ2では状態３となり、照射量６００ｍＪ／ｃｍ2では状
態２となり、照射量９００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１
となる。放置時間を９０分とした場合には照射量４５０
ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４となり、照射量６００ｍＪ
／ｃｍ2では状態３となり、照射量９００ｍＪ／ｃｍ2以
上では状態２となる。放置時間を１２０分とした場合に
は照射量６００ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４となり、照
射量９００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態３となる。放置時
間を２４０分とした場合にはすべての照射量で状態４と
なる。
【００８４】このように、放置時間を短くした場合には
紫外線の照射量が少なくても十分な洗浄効果を得ること
ができるが、放置時間を長くするに従って紫外線の照射
量を増大させる必要がある。また、放置時間を９０分以
上とした場合には、紫外線の照射量を増加させても状態
１にはならず、十分な洗浄効果を得ることができない。
従って、放置時間は６０分以内とすることが好ましい。
紫外線の照射量が少なくても十分な洗浄効果を得ること
ができるが、放置時間を長くするに従って紫外線の照射
量を増大させる必要がある。また、放置時間を９０分以
上とした場合には、紫外線の照射量を増加させても状態
１にはならず、十分な洗浄効果を得ることができない。
従って、放置時間は６０分以内とすることが好ましい。
【００８５】例えば、ラビング後洗浄工程をバッチ処理
としたときに発生する付帯時間により約３０〜４５分の
放置時間を必要とする場合には、９００ｍＪ／ｃｍ2の
照射量とすれば洗浄状態が常に状態１となる。また、洗
浄工程を紫外線照射工程と連動した一連の枚葉ラインと
して組んだ場合に、例えば、放置時間を５分以内にする
ことができれば１５０ｍＪ／ｃｍ2の照射量でも洗浄状
態を常に状態１とすることができる。
としたときに発生する付帯時間により約３０〜４５分の
放置時間を必要とする場合には、９００ｍＪ／ｃｍ2の
照射量とすれば洗浄状態が常に状態１となる。また、洗
浄工程を紫外線照射工程と連動した一連の枚葉ラインと
して組んだ場合に、例えば、放置時間を５分以内にする
ことができれば１５０ｍＪ／ｃｍ2の照射量でも洗浄状
態を常に状態１とすることができる。
【００８６】表２からわかるように、紫外線の波長が３
６５ｎｍのとき、放置時間を５分とした場合には照射量
２５０ｍＪ／ｃｍ2では状態２となるが、照射量５００
ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間を１０分
とした場合には照射量２５０ｍＪ／ｃｍ2では状態３と
なり、照射量５００ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照
射量１０００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置
時間を２０分とした場合には照射量２５０ｍＪ／ｃｍ2
では状態４となり、照射量５００ｍＪ／ｃｍ2では状態
３となり、照射量１０００ｍＪ／ｃｍ2では状態２とな
り、照射量１５００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１とな
る。放置時間を３０分とした場合には照射量５００ｍＪ
／ｃｍ2以下では状態４となり、照射量１０００ｍＪ／
ｃｍ2及び１５００ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射
量２０００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時
間を４５分とした場合には照射量５００ｍＪ／ｃｍ2以
下では状態４となり、照射量１０００ｍＪ／ｃｍ2では
状態３となり、照射量１５００ｍＪ／ｃｍ2及び２００
０ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射量３０００ｍＪ
／ｃｍ 2以上では状態１となる。放置時間を６０分とし
た場合には照射量１０００ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４
となり、照射量１５００ｍＪ／ｃｍ2では状態３とな
り、照射量２０００ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照
射量３０００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置
時間を９０分とした場合には照射量１５００ｍＪ／ｃｍ
2以下では状態４となり、照射量２０００ｍＪ／ｃｍ2で
は状態３となり、照射量３０００ｍＪ／ｃｍ2以上では
状態２となる。放置時間を１２０分とした場合には照射
量２０００ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４となり、照射量
３０００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態３となる。放置時間
を２４０分とした場合にはすべての照射量で状態４とな
る。
６５ｎｍのとき、放置時間を５分とした場合には照射量
２５０ｍＪ／ｃｍ2では状態２となるが、照射量５００
ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時間を１０分
とした場合には照射量２５０ｍＪ／ｃｍ2では状態３と
なり、照射量５００ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照
射量１０００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置
時間を２０分とした場合には照射量２５０ｍＪ／ｃｍ2
では状態４となり、照射量５００ｍＪ／ｃｍ2では状態
３となり、照射量１０００ｍＪ／ｃｍ2では状態２とな
り、照射量１５００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１とな
る。放置時間を３０分とした場合には照射量５００ｍＪ
／ｃｍ2以下では状態４となり、照射量１０００ｍＪ／
ｃｍ2及び１５００ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射
量２０００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置時
間を４５分とした場合には照射量５００ｍＪ／ｃｍ2以
下では状態４となり、照射量１０００ｍＪ／ｃｍ2では
状態３となり、照射量１５００ｍＪ／ｃｍ2及び２００
０ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照射量３０００ｍＪ
／ｃｍ 2以上では状態１となる。放置時間を６０分とし
た場合には照射量１０００ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４
となり、照射量１５００ｍＪ／ｃｍ2では状態３とな
り、照射量２０００ｍＪ／ｃｍ2では状態２となり、照
射量３０００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態１となる。放置
時間を９０分とした場合には照射量１５００ｍＪ／ｃｍ
2以下では状態４となり、照射量２０００ｍＪ／ｃｍ2で
は状態３となり、照射量３０００ｍＪ／ｃｍ2以上では
状態２となる。放置時間を１２０分とした場合には照射
量２０００ｍＪ／ｃｍ2以下では状態４となり、照射量
３０００ｍＪ／ｃｍ2以上では状態３となる。放置時間
を２４０分とした場合にはすべての照射量で状態４とな
る。
【００８７】このように、放置時間を短くした場合には
紫外線の照射量が少なくても十分な洗浄効果を得ること
ができるが、放置時間を長くするに従って紫外線の照射
量を増大させる必要がある。また、放置時間を９０分以
上とした場合には、紫外線の照射量を増加させても状態
１にはならず、十分な洗浄効果を得ることができない。
従って、放置時間は６０分以内とすることが好ましい。
紫外線の照射量が少なくても十分な洗浄効果を得ること
ができるが、放置時間を長くするに従って紫外線の照射
量を増大させる必要がある。また、放置時間を９０分以
上とした場合には、紫外線の照射量を増加させても状態
１にはならず、十分な洗浄効果を得ることができない。
従って、放置時間は６０分以内とすることが好ましい。
【００８８】例えば、ラビング後洗浄工程をバッチ処理
としたときに発生する付帯時間により約３０〜４５分の
放置時間を必要とする場合には、３０００ｍＪ／ｃｍ2
以上の照射量とすれば洗浄状態が状態１となる。また、
洗浄工程を紫外線照射工程と連動した一連の枚葉ライン
として組んだ場合に、例えば、放置時間を５分以内にす
ることができれば５００ｍＪ／ｃｍ2の照射量でも洗浄
状態を状態１とすることができる。
としたときに発生する付帯時間により約３０〜４５分の
放置時間を必要とする場合には、３０００ｍＪ／ｃｍ2
以上の照射量とすれば洗浄状態が状態１となる。また、
洗浄工程を紫外線照射工程と連動した一連の枚葉ライン
として組んだ場合に、例えば、放置時間を５分以内にす
ることができれば５００ｍＪ／ｃｍ2の照射量でも洗浄
状態を状態１とすることができる。
【００８９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって、
絶縁膜や配向膜を均一に形成することができる電気光学
装置の製造方法及び製造装置、並びに配向膜を効率的に
洗浄することができる液晶パネルの製造方法及び製造装
置を提供することができる。
絶縁膜や配向膜を均一に形成することができる電気光学
装置の製造方法及び製造装置、並びに配向膜を効率的に
洗浄することができる液晶パネルの製造方法及び製造装
置を提供することができる。
【図１】本発明の電気光学装置の製造装置の一の実施の
形態を模式的に示す説明図である。
形態を模式的に示す説明図である。
【図２】本発明の電気光学装置の製造方法の一の実施の
形態を模式的に示す工程図である。
形態を模式的に示す工程図である。
【図３】本発明の電気光学装置の製造方法の他の実施の
形態を模式的に示す工程図である。
形態を模式的に示す工程図である。
【図４】本発明の液晶パネルの製造装置の一の実施の形
態を模式的に示す説明図である。
態を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明の液晶パネルの製造装置の一の実施の形
態におけるＵＶ照射部の一例を模式的に示す説明図であ
る。
態におけるＵＶ照射部の一例を模式的に示す説明図であ
る。
【図６】本発明の液晶パネルの製造装置の一の実施の形
態における、ラビング部を経由した基板をＵＶ照射部に
向けて搬入するとともにＵＶ照射部内で基板を搬送する
搬送手段を模式的に示す説明図である。
態における、ラビング部を経由した基板をＵＶ照射部に
向けて搬入するとともにＵＶ照射部内で基板を搬送する
搬送手段を模式的に示す説明図である。
【図７】本発明の液晶パネルの製造装置の一の実施の形
態における、ＵＶ照射部で紫外線が照射された基板を排
出する搬送手段を模式的に示す説明図である。
態における、ＵＶ照射部で紫外線が照射された基板を排
出する搬送手段を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の液晶パネルの製造方法の一の実施の形
態における製造工程を模式的に示す工程図である。
態における製造工程を模式的に示す工程図である。
１…洗浄部 ２…紫外線照射部 ３…搬送手段 ４…ベルトコンベア式の搬送手段 ４Ａ…コロコンベア式の搬送手段 ４Ｂ…ロボットを用いた枚葉照射炉等を用いた搬送手段 １０…液晶基板（基板） ２１…ＵＶランプ ２２…紫外線 ３０…ラビング部 ４０…ＵＶ照射部 ５０…搬入部 １００…電気光学装置の製造装置 ２００…液晶パネル製造装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１０ Ｆターム(参考） 2H088 FA10 FA17 FA20 FA21 FA24 FA28 FA30 HA03 MA16 MA18 2H090 HB03Y HB08Y HC05 HC13 HC15 HC17 HC18 JC09 JC19 JD08 MA04 MB01 5C094 AA43 BA43 DA15 EB02 5G435 AA17 BB12 EE33 KK05 KK10
Claims (19)
- 【請求項１】 基板の表面に絶縁膜又は配向膜が形成さ
れた電気光学装置を製造する方法であって、 前記基板の表面に紫外線を照射する工程と、 紫外線が照射された前記基板の表面に絶縁膜又は配向膜
を形成する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記基板の表面に紫外線を照射する工程
の前に、前記基板の表面を洗浄する工程を含む請求項１
に記載の電気光学装置の製造方法。 - 【請求項３】 基板の表面にカップリング層を形成する
工程と、 形成された前記カップリング層の表面に紫外線を照射す
る工程と、 紫外線が照射された前記カップリング層の上に絶縁膜又
は配向膜を形成する工程とを含むことを特徴とする電気
光学装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記基板の表面にカップリング層を形成
する工程の前に、前記基板の表面を洗浄する工程を含む
請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記基板がガラスであり、かつ前記絶縁
膜が無機酸化膜である請求項１又は３に記載の電気光学
装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記基板がガラスであり、かつ前記配向
膜がポリイミド膜である請求項１又は３に記載の電気光
学装置の製造方法。 - 【請求項７】 基板の表面に絶縁膜又は配向膜が形成さ
れた電気光学装置を製造する装置であって、 前記基板の表面を超音波で洗浄する洗浄部と、 前記洗浄部で超音波洗浄された前記基板の表面に紫外線
を照射する紫外線照射部と、 前記洗浄部及び前記紫外線照射部を順次通過するように
前記基板を搬送する搬送手段とを備えてなることを特徴
とする電気光学装置の製造装置。 - 【請求項８】 前記紫外線照射部で紫外線を照射された
前記基板の表面に、絶縁膜又は配向膜を形成する絶縁膜
又は配向膜形成部をさらに備えてなる請求項７に記載の
電気光学装置の製造装置。 - 【請求項９】 前記基板がガラスであり、かつ前記絶縁
膜が無機酸化膜である請求項８に記載の電気光学装置の
製造装置。 - 【請求項１０】 前記基板がガラスであり、かつ前記配
向膜がポリイミド膜である請求項８に記載の電気光学装
置の製造装置。 - 【請求項１１】 一対の基板間に液晶が封入されてなる
とともに、前記基板上に配向膜が形成された液晶パネル
を製造する方法であって、 前記基板上に形成した前記配向膜にラビング処理を施す
ラビング工程と、 前記ラビング処理を施した前記配向膜に紫外線を照射す
る紫外線照射工程と、 前記紫外線が照射された前記配向膜を洗浄する洗浄工程
とを含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。 - 【請求項１２】 前記紫外線照射工程における紫外線の
波長を２５４ｎｍとし、かつその照射量を９００ｍＪ／
ｃｍ2以上とする、又は前記紫外線照射工程における紫
外線の波長を３６５ｎｍとし、かつその照射量を３００
０ｍＪ／ｃｍ 2以上とするとともに、前記紫外線照射工
程における紫外線の照射から前記洗浄工程における洗浄
までの時間を６０分以内とする請求項１１に記載の液晶
パネルの製造方法。 - 【請求項１３】 前記紫外線照射工程における紫外線の
波長を２５４ｎｍとし、かつその照射量を１５０ｍＪ／
ｃｍ2以上とする、又は前記紫外線照射工程における紫
外線の波長を３６５ｎｍとし、かつその照射量を５００
ｍＪ／ｃｍ2以上とするとともに、前記紫外線照射工程
における紫外線の照射から前記洗浄工程における洗浄ま
での時間を５分以内とする請求項１１に記載の液晶パネ
ルの製造方法。 - 【請求項１４】 前記紫外線照射工程における紫外線の
照射から前記洗浄工程における洗浄までの時間を長くす
るに従って、前記紫外線照射工程における紫外線の照射
量を増大させる請求項１１に記載の液晶パネルの製造方
法。 - 【請求項１５】 一対の基板間に液晶が封入されてなる
とともに、前記基板上に配向膜が形成された液晶パネル
を製造する装置であって、 前記基板上に形成した前記配向膜にラビング処理を施す
ラビング部と、 前記ラビング部でラビング処理を施された前記配向膜に
紫外線を照射する紫外線照射部と、 前記ラビング部から前記紫外線照射部に前記配向膜が形
成された基板（配向膜形成基板）を搬送するとともに、
前記紫外線照射部で紫外線を照射された前記配向膜形成
基板を洗浄するために排出する搬送手段とを備えること
を特徴とする液晶パネルの製造装置。 - 【請求項１６】前記紫外線照射部を経由して紫外線を照
射された前記配向膜形成基板を洗浄する洗浄部をさらに
備えるとともに、前記搬送手段が、前記ラビング部から
前記洗浄部に至る搬送経路に沿って、前記配向膜形成基
板を搬送するとともに、前記配向膜形成基板を排出する
構成を有するものである請求項１５に記載の液晶パネル
の製造装置。 - 【請求項１７】 前記紫外線照射部における紫外線の波
長が２５４ｎｍであり、かつその照射量が９００ｍＪ／
ｃｍ2以上であり、又は前記紫外線照射部における紫外
線の波長が３６５ｎｍであり、かつその照射量が３００
０ｍＪ／ｃｍ 2以上であるとともに、前記紫外線照射部
における紫外線の照射から前記洗浄部における洗浄まで
の時間が６０分以内である請求項１６に記載の液晶パネ
ルの製造装置。 - 【請求項１８】 前記紫外線照射部における紫外線の波
長が２５４ｎｍであり、かつその照射量が１５０ｍＪ／
ｃｍ2以上であり、又は前記紫外線照射部における紫外
線の波長が３６５ｎｍであり、かつその照射量が５００
ｍＪ／ｃｍ2以上であるとともに、前記紫外線照射部に
おける紫外線の照射から前記洗浄部における洗浄までの
時間が５分以内である請求項１６に記載の液晶パネルの
製造装置。 - 【請求項１９】 前記紫外線照射部における紫外線の照
射から前記洗浄部における洗浄までの時間が長くなるに
従って、前記紫外線照射部における紫外線の照射量を増
大させる制御部をさらに備えた請求項１６に記載の液晶
パネルの製造装置。
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