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KR100634109B1 - 발광 장치, 그 제조 방법, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 - Google Patents

발광 장치, 그 제조 방법, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 Download PDF

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KR100634109B1
KR100634109B1 KR1020037012909A KR20037012909A KR100634109B1 KR 100634109 B1 KR100634109 B1 KR 100634109B1 KR 1020037012909 A KR1020037012909 A KR 1020037012909A KR 20037012909 A KR20037012909 A KR 20037012909A KR 100634109 B1 KR100634109 B1 KR 100634109B1
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South Korea
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light emitting
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driving circuit
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이노우에사토시
시모다다츠야
미야시타사토루
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

유기 EL 표시체를 효율적으로 제조한다. 박막트랜지스터(11)로 구성되는 구동 회로가 형성된 구동 회로 기판(100)과, 투명 전극층(31), 절연물로 이루어지는 뱅크층(32), 정공 주입층(33), 유기 EL층(34) 및 음극층(36)이 적층된 발광 기판(300)을 접합시켜, 발광 장치(1000)를 제조한다.
유기 EL, 박막트랜지스터, 발광 장치, 발광 기판

Description

발광 장치, 그 제조 방법, 전기 광학 장치, 및 전자 기기{LIGHT-EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 일렉트로루미네선스(Electroluminescence: 이하, 「EL」이라고 약기(略記)한다) 디스플레이 등에 적합한 발광 장치의 구조 및 그 제조 방법에 있어서, 광의 이용 효율이 상당히 양호한 발광 장치를 제공하는 것이다.
종래부터, 유기 EL을 사용한 표시체, 특히 박막트랜지스터(TFT)로 구성한 회로에 의해 유기 EL층을 구동하는 표시체가 알려져 있다. 예를 들면, 시모다(下田)씨 등의 논문(T. Shimoda, H. Ohshima, S. Miyashita, M. Kimura, T. Ozawa, I. Yudasaka, S. Kanbe, H. Kobayashi, R. H. Friend, J. H. Burroughes and C. R. Towns: Proc. 18th Int. Display Research Conf., Asia Display 98, (1998) p.217.)에는, 유리 기판 위에 저온 폴리실리콘(poly-Si) 박막트랜지스터(TFT)를 이용한 구동 회로를 화소마다 형성하고, 또한, 배선 형성 공정, 투명 전극 형성 공정, 뱅크층 형성 공정, 정공 주입층 형성 공정, 유기 EL층 형성 공정, 음극 형성 공정 등을 차례로 거쳐 유기 EL 표시체를 형성하는 것이 개시되어 있다.
도 16 및 도 17에 이러한 공지 기술에 의해 제조되는 표시체의 구성을 나타 낸다. 도 17은 공지 기술에 의해 제조되는 유기 EL 표시체의 평면도이고, 도 16은 도 17에 나타낸 평면도 위의 B-B 절단면(굴곡 단면)에서의 단면도이다. 도 16에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(1) 위에 박막트랜지스터(2), 배선층(3), 투명 전극(4), 뱅크층(5), 정공 주입층(6), 유기 EL층(7), 및 음극(8)이 차례로 적층되어 있다.
여기서, 음극(8)은 광을 투과하지 않는 금속에 의해 형성되어 있기 때문에, 유기 EL층(7)으로부터의 광은 구동 회로가 형성되어 있는 유리 기판(1) 측으로부터 밖으로 취출(取出)된다. 즉, 유기 EL층(7)에 대하여 구동 회로 측의 면이 표시면으로 된다. 이러한 표시체에서는, 구동 회로가 형성되어 있는 영역은 광을 투과하지 않기 때문에, 개구율이 저하된다. 즉, 도 17에 나타낸 바와 같이, 박막트랜지스터(2) 그 이외의 배선(커패시터(2), 배선(3, 9))이 형성되어 있는 영역을 피하여 유기 EL층(7)을 형성해야만 했다. 화소 영역 내에 메모리 등 다양한 회로를 내장하여 표시체의 성능이나 부가가치를 높이고자 하는 요구가 있을 경우, 또는 고정밀 표시체를 실현하고자 할 경우에, 광을 투과하지 않는 회로 부분의 면적이 상대적으로 커지기 때문에, 이 개구율의 저하는 현저한 문제로 된다.
이 문제를 해결하기 위해서는, 광을 사출하는 측에 구동 회로 등이 존재하지 않는 구조, 즉, 음극에 투명한 전극 재료를 사용하거나, 음극이 구동 회로 측에 있는 구조로 할 필요가 있다.
그러나, 음극에 투명한 재료를 사용하는 것은 곤란하다. 이것은, 전극 재료는 유기 EL층에 사용하는 유기 EL 재료에 대하여 일함수가 가까운 것을 선택해야만 한다는 제한이 있기 때문이다. 예를 들면, 양극에 사용하는 전극 재료는 유기 EL 재료의 HOMO 레벨, 음극에 사용하는 전극 재료는 유기 EL 재료의 LUMO 레벨에 대하여 각각 일함수가 가까운 것을 선정할 필요가 있다. 그런데, 음극에 사용하기 위한, 유기 EL 재료의 LUMO 레벨에 가까운 투명한 전극 재료에는, 현재로서는 적당한 것이 없는 것이다. 음극의 막 두께를 얇게 하는 것도 생각할 수 있으나, 얇은 전극층은 내구성이나 전류 용량의 점에서 결점이 있어 신뢰성상 바람직하지 않다.
한편, 음극을 구동 회로 측에 설치하는 구조의 경우, 지금까지는 음극 형성 후에 유기 EL층을 형성하고, 그 위에 정공 주입층을 형성할 필요가 있다. 이 때, 유기 EL층을 정공 주입층보다 먼저 형성할 필요가 있기 때문에, 유기 EL층에 막 두께의 불균일성이 생겨 발광 광량(光量)의 불균일이 생길 우려가 있다. 또한, 음극에 사용하는 재료는 칼슘(Ca) 등 산화되기 쉬운 재료이기 때문에, 음극을 밀폐한 구조로 해야만 한다. 이러한 사정 때문에, 지금까지 유기 EL층으로부터의 광을 구동 회로에 대하여 반대측으로 취출하는 것은 곤란했다.
본 발명은 이러한 요구에 의거하여 안출된 것으로서, EL층에 대하여 음극층을 구동 회로 측에 구비하는 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 발광 장치는, 광투과성이 있는 양극층과 음극층 사이에 EL층을 포함하는 발광층이 삽입되어 구성되는 발광 기판과, 발광층을 구동하기 위한 구동 회로가 형성된 구동 회로 기판을 구비하고, 구동 회로의 출력이 음극층에 전기적으로 접속되어 있으며, 발광 기판과 구동 회로 기판 사이에는 음극층의 산화를 방지하는 수단을 구비하고 있다.
상기 구성에 의하면, 음극층이 구동 회로와 전기적으로 접속되기 때문에, 음극층이 EL층에 대하여 구동 회로 측에 존재한다. 또한, 음극층에는 산화를 방지하는 수단이 설치되기 때문에, 음극의 손상을 방지할 수 있다. 그리고, 양극층이 광투과성을 구비하기 때문에, 발광층으로부터 사출된 광은 양극층을 투과하여 사출된다. 발광 효율이 음극층의 하층에 있는 구동 회로의 규모나 배치에 영향을 받지 않기 때문에, 발광 장치의 개구율을 높게 하는 것이 가능하다.
여기서, 본 발명에서 「광투과성」은 광을 거의 100% 투과하는 투명한 상태 이외에, 어느 정도 광을 감쇠(減衰)하여도 실용 목적을 충족시킬 정도로 광을 투과할 수 있는 상태도 포함한다.
또한, 「EL(일렉트로루미네선스)층」은, 그 발광성 물질이 유기인지 무기(Zn:S 등)인지를 불문하고, 전계의 인가에 의해, 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자가 재결합할 때에 재결합 에너지에 의해 발광시키는 일렉트로루미네선스 현상을 이용하여 발광하는 발광 재료로 형성된 층 일반을 의미한다. 또한, 「발광층」의 층 구조로서, 발광성 물질로 이루어지는 EL층 이외에, 정공 주입(수송)층 및 전자 주입(수송)층의 어느 한쪽 또는 양쪽을 구비하고 있을 수도 있다. 구체적으로는, 층 구조로서, 음극/발광층/양극 이외에, 음극/발광층/정공 주입층/양극, 음극/전자 주입층/발광층/양극, 또는 음극/전자 주입층/발광층/정공 주입층/양극 등의 층 구조를 적용할 수 있다. 특히, 양극에 투명 전극 재료를 사용한다면, 정공 주입층을 구비하고 있는 것이 바람직하다.
또한, 「구동 회로」는 전류 구동형 EL층을 구비하는 발광 기판을 구동하는 전류를 공급할 수 있도록 구성된 회로를 의미하고, 예를 들어, 박막트랜지스터를 포함하여 구성된다. 발광 장치가 액티브 매트릭스형 등의 전기 광학 장치인 경우에는, 각 화소의 발광에 관여하는 회로 소자의 집합체를 의미한다.
또한, 「발광 장치」는 광을 발하는 기능을 갖고 있으면 충분하고, 반드시 화상 표시 기능이 요구되지는 않는다. 예를 들면, 조명 장치나 게시(揭示) 장치 등을 포함하는 개념이다.
본 발명에 있어서, 발광층은 기판 평면과 대략 수직 방향으로부터 보아 구동 회로의 일부 또는 전부와 서로 겹쳐 있다. 본 발명의 구성에 의하면, 발광층으로부터의 광은 양극층 측으로부터 사출되기 때문에, 발광층으로부터 보아 음극층의 하층 측에는 중복하여 구동 회로가 존재하고 있어도 사출되는 광을 차단하지 않는다. 발광 효율이 구동 회로의 규모나 배치에 영향을 받지 않기 때문에, 발광 장치의 개구율을 높게 하는 것이 가능하다.
여기서, 예를 들어, 음극층의 산화를 방지하는 수단은, 음극층을 밀봉하는 접착제가 발광 기판과 상기 구동 회로 기판 사이에 봉입(封入)되어 구성되어 있다. 접착제를 충전함으로써, 음극층을 산화하는 요인으로 되는 산소를 차단할 수 있다. 또한, 접착제의 접착력에 의해, 발광 기판과 구동 회로 기판을 보다 강고하게 접합시키는 것이 가능해진다. 접착제에 의하면, 절연 성능도 높기 때문에, 전기적 특성에 악영향을 주는 경우도 없다.
여기서, 예를 들어, 음극층의 산화를 방지하는 수단은, 음극층의 산화를 방 지하는 불활성 기체가 발광 기판과 상기 구동 회로 기판 사이에 봉입되어 구성되어 있다. 불활성 기체를 충전하면, 음극층을 산화하는 요인으로 되는 산소가 음극층에 작용하는 것을 방지할 수 있다. 불활성 기체를 봉입하여 공기를 차단할 필요가 있기 때문에, 발광 장치의 기판 단면(端面) 등에는 불활성 기체를 밀봉하는 구조를 마련하는 것이 바람직하다.
여기서, 예를 들어, 발광층은 양극층 측에 형성되어 있는 정공 주입층과, 상기 정공 주입층 위에 형성되어 있는 상기 EL층을 적어도 구비한다. 정공 주입층을 사용할 경우, 동작 시에 양극층으로부터의 정공을 효율적으로 EL층 측에 공급하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제조 공정에 있어서, 양극층 측으로부터 적층하여 갈 경우에, 정공 주입층을 형성하고 나서 EL층을 형성하게 되기 때문에, 정공 주입층의 존재에 의해 EL층을 평탄하게, 또한, 균일한 두께로 형성할 수 있다. 이것은 발광량의 균일화나 일부에 전류가 집중되는 것에 의한 내구성 저하를 방지하는 것과 관련된다.
여기서, 예를 들어, 음극층은 발광층을 덮고, 또한, 기판 끝에 단부(端部)가 노출되는 것을 방지하는 노출 방지 구조를 구비한다. 이러한 구성을 구비하면, 전자를 효율적으로 EL층에 주입할 수 있게 되는 이외에, 음극층이 공기 등과 접촉하여 산화되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 「노출 방지 구조」는 음극층이 직접 산소와 접촉하는 것을 방지하는 구조를 의미하고, 예를 들어, 음극층을 패터닝하여, 접속 후에 노출 부분을 접착제나 불활성 기체로 둘러싸는 것이 가능한 구조로 하는 것을 의미한다. 또는, 다른 층을 음극층 위에 더 적층하여 산화를 방지하는 것도 포함된다.
여기서, 예를 들어, 구동 회로 기판은 출력이 공급되고, 음극층에 접속되는 전극을 구비한다. 전극을 구비하면 음극층에 접속하기 쉽고, 또한, 이러한 전극이 형성되어 있는 구동 회로 기판은 상기 발명에 적용되는 것을 추정할 수 있다.
여기서, 예를 들어, 전극과 음극층은 도전성 재료에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 도전성 재료에 의해, 전극과 음극층의 접촉 저항을 낮추고, 또한, 불필요한 전기적 접속이 발생하는 등 예기치 못한 단락 등을 방지할 수 있다.
또한, 「도전성 재료」는 도전성이 높고, 전극간의 접속에 이용할 수 있는 것을 의미하는데, 예를 들어, 이방성 도전성 페이스트나 이방성 도전성 필름을 이용할 수 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 발광 장치를 구비하는 전기 광학 장치이고, 전자 기기이기도 하다.
여기서, 「전기 광학 장치」는 상기 발광 장치에 전원 등을 공급하는 설비를 구비하고, 독립적으로 발광 작용을 나타낼 수 있도록 구성된 장치를 의미하며, 전자 기기의 부품으로 될 수 있는 것, 예를 들어, 조명판 및 표시체 등의 유닛을 의미한다. 또한, 「전자 기기」는 상기 발광 장치를 구비하고 거래의 대상으로 될 수 있는 장치 일반을 의미하며, 그 구성에 한정이 없지만, 예를 들어, 퍼스널 컴퓨터, 디지털 스틸 카메라, 액정 텔레비전, 뷰파인더형이나 모니터 직시형의 비디오 테이프 리코더, 카 네비게이션(car-navigation) 장치, 소형 무선 호출기(pager), 전자 수첩, 계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, 화상 전화, POS 단말, 터치 패널 을 갖는 장치, 휴대 전화, 헤드 마운트 디스플레이, 리어형 또는 프런트형 프로젝터, 표시 기능을 갖는 팩스 장치 등을 의미한다.
또한, 본 발명에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 광투과성이 있는 양극층과 음극층 사이에 EL층을 포함하는 발광층이 삽입되어 구성되는 발광 기판을 형성하는 공정과, 발광층을 구동하기 위한 구동 회로를 구비하는 구동 회로 기판을 형성하는 공정과, 발광 기판에서의 음극층에 구동 회로 기판에서의 구동 회로의 출력을 전기적으로 접속하는 공정과, 발광 기판과 구동 회로 기판 사이를 음극층의 산화를 방지할 수 있게 밀봉하는 공정을 구비하고 있다.
상기 공정에 의하면, 음극층이 구동 회로와 전기적으로 접속되기 때문에, 음극층이 EL층에 대하여 구동 회로 측에 존재하는 발광 장치를 제조할 수 있다. 또한, 음극층에는 산화를 방지하는 수단이 설치되기 때문에, 음극의 손상을 방지할 수 있다. 그리고, 양극층이 광투과성을 구비하기 때문에, 발광층으로부터 사출된 광은 양극층을 투과하여 사출된다. 발광 효율이 음극층의 하층에 있는 구동 회로의 규모나 배치에 영향을 받지 않기 때문에, 발광 장치의 개구율을 높게 하는 것이 가능하다.
여기서, 예를 들어, 구동 회로 기판을 형성하는 공정에서는, 발광 기판과 구동 회로 기판을 접속한 경우에, 기판 평면과 대략 수직 방향으로부터 보아, 구동 회로 기판에서의 구동 회로의 일부 또는 전부가 발광 기판에서의 발광층과 서로 겹치는 위치에 형성한다. 본 발명에 의하면, 발광층으로부터의 광은 양극층 측으로부터 사출되기 때문에, 발광층으로부터 보아 음극층의 하층 측에는 중복하여 구동 회로가 존재하고 있어도 사출되는 광을 차단하지 않는다. 이 때문에, 발광 효율의 저하를 고려하지 않고, 사양에 따라 자유롭게 구동 회로를 배치하거나 회로 구성을 설계하는 것이 가능하다.
여기서, 예를 들어, 밀봉하는 공정에서는, 음극층을 밀봉하는 접착제를 발광 기판과 구동 회로 기판 사이에 충전한다. 접착제를 충전함으로써, 음극층을 산화하는 요인으로 되는 산소를 차단할 수 있다. 또한, 접착제의 접착력에 의해, 발광 기판과 구동 회로 기판을 보다 강고하게 접합시키는 것이 가능해진다. 접착제에 의하면, 절연 성능도 높기 때문에, 전기적 특성에 악영향을 주는 경우도 없다.
여기서, 예를 들어, 밀봉하는 공정에서는, 음극층의 산화를 방지하는 불활성 기체를 발광 기판과 구동 회로 기판 사이에 봉입한다. 불활성 기체를 충전하면, 음극층을 산화하는 요인으로 되는 산소가 음극층에 작용하는 것을 방지할 수 있다. 불활성 기체를 봉입하여 공기를 차단할 필요가 있기 때문에, 발광 장치의 기판 단면 등에는 불활성 기체를 밀봉하는 구조를 마련하는 것이 바람직하다.
여기서, 예를 들어, 발광 기판을 형성하는 공정에서는, 발광층으로서, 양극층 측에 정공 주입층을 형성하는 공정과, 정공 주입층 위에 EL층을 형성하는 공정을 적어도 구비한다. 본 공정에 의하면, 정공 주입층을 형성하고 나서 EL층을 형성하게 되기 때문에, 정공 주입층의 존재에 의해 EL층을 평탄하게, 또한, 균일한 두께로 형성할 수 있다. 이것은 발광량의 균일화나 일부에 전류가 집중되는 것에 의한 내구성 저하를 방지하는 것과 관련된다. 또한, 정공 주입층을 사용하기 때문에, 동작 시에 양극층으로부터의 정공을 효율적으로 EL층 측에 공급하여 발광 효율 을 향상시킬 수 있다.
여기서, 예를 들어, 발광 기판을 형성하는 공정에서는, 음극층을 EL층을 덮고, 또한, 기판 끝에 단부가 노출되는 것을 방지하는 노출 방지 형상으로 형성한다. 이러한 형상으로 형성하면, 전자를 효율적으로 EL층에 주입할 수 있게 되는 이외에, 음극층이 공기 등과 접촉하여 산화되는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 예를 들어, 구동 회로 기판을 형성하는 공정에서는, 구동 회로로부터의 출력이 공급되고, 음극층에 접속되는 전극을 형성한다. 전극을 형성하면 음극층에 접속하기 쉽고, 또한, 이러한 전극이 형성되어 있는 구동 회로 기판은 상기 제조 방법을 사용한 것이라고 추정할 수 있다.
여기서, 예를 들어, 발광 기판과 구동 회로 기판을 접속하는 공정에서는, 전극과 음극층을 도전성 재료에 의해 전기적으로 접속한다. 도전성 재료에 의해, 전극과 음극층의 접촉 저항을 낮추고, 또한, 불필요한 전기적 접속이 발생하는 등 예기치 못한 단락 등을 방지할 수 있다.
본 발명의 발광 장치(유기 EL 표시체)는 유기 EL 소자를 표시부에 사용한 표시체로서, 상기 유기 EL 소자의 구동 회로가 제조된 구동 회로 기판과, 상기 유기 EL 소자가 제조된 EL 기판을 각각 준비하고, 이것을 접합시켜 구성된다.
이것에 의해, 구동 회로에 대하여 EL 소자 측의 면이 표시면으로 되고, 화소 영역 내에 메모리를 비롯한 다양한 회로를 내장하여, 표시체의 성능이나 부가가치를 높이거나, 고정밀 표시체의 실현이 가능해진다.
또한, 상기 발광체에 있어서, 상기 구동 회로 기판 및 EL 기판을 접합시키는 측의 표면에는 각각 접속용 전극이 형성되고, 이 전극끼리를 접속할 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 EL 기판의 접속용 전극은 EL의 음극 또는 음극에 연결되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 표시체로서의 표면은 상기 EL 기판 측으로 할 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 EL 기판은 투명 재료로 이루어지는 공통의 양극층과, 그 위에 각 화소에 대응하여 형성된 정공 수송층, 발광층, 음극 패턴을 포함하고 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 구동 회로 기판 위의 구동 회로는 유리 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 구동 회로 기판 위의 구동 회로는 플렉시블 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 구동 회로 기판이 다른 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되는 구동 회로를 전사하여 형성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 구동 회로 기판이 다른 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되는 구동 회로를 화소마다 또는 복수의 화소마다 전사하여 형성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 구동 회로 기판이 다른 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되는 구동 회로를 플렉시블 기판 위에 전사하여 형성되어 있을 수도 있다. 이 구성에 의하면, 전사 기술을 이용하여 구동 회로를 화소마 다 전사하여, 반도체 재료를 낭비하지 않고 표시체를 제조할 수 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 EL 기판이 유리 기판 위에 형성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 EL 기판이 플렉시블 기판 위에 형성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 구동 회로 기판 및 EL 기판의 접합이 이방성 도전성 페이스트 또는 이방성 도전성 필름을 양자 사이에 끼워 넣음으로써 실행되고 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치에 있어서, 상기 EL 기판이 기판 표면에 각 화소에서 공통의 투명 전극층이 적층되는 동시에, 그 투명 전극층의 상면에 유기 EL층을 포함하는 발광층 및 음극층이 상기 각 화소에 대응한 위치에 적층되어 있을 수도 있다.
본 발명의 발광 장치의 제조 방법은, 유기 EL 소자의 구동 회로가 제조된 구동 회로 기판과, 상기 유기 EL 소자가 제조된 EL 기판을 접합시킬 수 있다.
이 제조 방법에 의하면, 대형 표시체의 제조나 가요성(flexible) 표시체의 제조가 가능해진다.
또한, 상기 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 구동 회로 기판과 EL 기판을 접합시키는 측의 표면에는 각각 접속용 전극이 형성되고, 이 전극끼리를 접속할 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 EL 기판의 접속용 전극을 EL의 음극 또는 음극에 접속한다.
또한, 상기 제조 방법에 있어서, 표시체로서의 표면은 상기 EL 기판 측인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 EL 기판은 투명 재료로 이루어지는 공통의 양극층과, 그 위에 각 화소에 대응하여 형성된 정공 수송층, 발광층, 음극 패턴을 포함하고 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 구동 회로 기판에서의 구동 회로는 유리 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 구동 회로는 플렉시블 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 구동 회로 기판은 다른 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되는 구동 회로를 전사하여 형성될 수도 있다.
또한, 상기 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 구동 회로 기판은 다른 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되는 구동 회로를 화소마다 또는 복수의 화소마다 전사하여 형성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 구동 회로 기판은 다른 기판 위에 형성된 박막트랜지스터로 구성되는 구동 회로를 플렉시블 기판 위에 전사하여 형성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 EL 기판은 유리 기판 위에 형성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 EL 기판은 플렉시블 기판 위에 형성되어 있을 수도 있다.
또한, 상기 구동 회로 기판 및 EL 기판의 접합을 이방성 도전성 페이스트 또는 이방성 도전성 필름을 양자 사이에 끼워 넣음으로써 행할 수도 있다. 또한, 이방성 도전성 페이스트 및 이방성 도전성 필름은 이미 공지의 것으로서, 접착제로서 이용 가능한 페이스트 및 필름이며, 접착제로서 2개의 부재 사이에 얇게 개재된 경우에, 막 두께 방향으로는 낮은 전기 저항을 나타내고, 막의 면에 따른 방향으로는 높은 전기 저항을 나타내는 것이다.
또한, 상기 EL 기판은 기판 표면에 각 화소에서 공통의 투명 전극층이 적층되는 동시에, 그 투명 전극층의 상면에 유기 EL층을 포함하는 발광층 및 음극층이 상기 각 화소에 대응한 위치에 적층되어 있을 수도 있다.
도 1은 본 발명의 발광 장치의 일례인 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 단면도(도 2에서의 A-A 절단면).
도 2는 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 평면도.
도 3은 접합 공정 전에서의 구동 회로 기판의 단면도.
도 4는 접합 공정 전의 발광 기판의 단면도.
도 5는 접합 공정 후의 발광 장치의 단면도.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전기 광학 장치의 회로도.
도 7은 제 1 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 예시하는 제조 공정도.
도 8은 본 발명의 발광 장치의 일례인 제 2 실시예에 따른 발광 장치에서의 접합 공정 전의 발광 기판의 단면도.
도 9는 제 2 실시예에 따른 발광 장치에서의 접합 공정 전의 구동 회로 기판의 단면도.
도 10은 접합 공정 후의 발광 장치의 단면도.
도 11은 본 발명의 발광 장치의 일례인 제 3 실시예에 따른 발광 장치에서의 접합 공정 전의 발광 기판의 단면도.
도 12는 제 3 실시예에 따른 발광 장치에서의 구동 회로 기판에 전사되기 전의 박막트랜지스터로 구성되는 구동 회로의 단면도.
도 13은 본 발명에 따른 전자 기기의 일례인 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도.
도 14는 본 발명에 따른 전자 기기의 일례인 휴대 전화의 구성을 나타내는 사시도.
도 15는 본 발명에 따른 전자 기기의 일례인 디지털 스틸 카메라의 뒷면 측의 구성을 나타내는 사시도.
도 16은 종래의 유기 EL 표시체의 구조를 나타내는 단면도.
도 17은 종래의 유기 EL 표시체의 구조를 나타내는 평면도.
이하, 적합한 본 발명의 실시예를 도면을 참조하면서 설명한다.
(제 1 실시예)
<발광 장치의 구조>
도 1에 본 발명에 따른 제 1 실시예의 발광 장치(1000)의 단면도를 나타낸 다. 도 2에 상기 제 1 실시예에 따른 발광 장치(1000)의 평면도를 나타낸다. 도 1은 도 2의 평면도에서의 A-A 절단면에서의 단면도이다.
본 제 1 실시예에서의 발광 장치(1000)는 화상 표시에 이용되는 유기 EL 표시체이고, 구동 회로 기판(100) 측의 구조와 발광(EL) 기판(300) 측의 구조를 구비하고 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 구동 회로 기판(100)의 층 구조는 하층 측으로부터 기판(10), 반도체 박막(11)(소스(112), 드레인(113), 채널(114)), 게이트 절연막(12), 게이트 전극층(13), 제 1 보호 박막(14), 배선층(16), 제 2 보호 박막(17), 화소 전극층(19)의 각층을 구비하여 구성되어 있다.
한편, 발광 기판(300)의 층 구조는 상층 측(도면 위로부터: 제조 시에는 하층 측으로 됨)으로부터 투명 기판(30), 투명 전극층(31), 뱅크(32)로 구획된 화소 형성 영역 내에 정공 주입층(33), 유기 EL층(34), 및 음극층(36)이 적층되어 구성되어 있다. 정공 주입층(33) 및 유기 EL층(34)에 의해 발광층(35)이 형성되어 있다.
보다 구체적으로는, 도 2의 평면도에 나타낸 바와 같이 구동 회로나 화소 영역이 배치되어 있다. 도 6에 이 배치에 대응하는 발광 장치(1000)의 회로도를 나타낸다. 도 2 및 도 6을 참조하여 알 수 있듯이, 상기 발광 장치는 전원을 공급하는 전원선(supply line)(161) 및 기록 정보를 공급하는 신호선(signal line)(163)과, 주사 신호를 공급하는 주사선(scan line)(193) 및 유지 용량(storage capacitor)(C)이 접속되는 용량선(capacitor line)(192)이 교차한 영역에 각각의 화소 영역이 마련되어 있다.
반도체 박막(11)은 구동용 박막트랜지스터(driving TFT)(T1)에 따른 박막(110), 및 스위칭용 박막트랜지스터(switching TFT)(T2)에 따른 박막(111)으로 패터닝되어 있다. 게이트 전극층(13)은 박막트랜지스터(T1)에 따른 게이트 전극(131), 및 박막트랜지스터(T2)에 따른 게이트 전극(132)으로 패터닝되어 있다. 또한, 배선층(16)은 전원선(161), 드레인 전극(162), 신호선(163), 및 용량 전극(164)으로 패터닝되어 있다. 화소 전극층(19)은 화소 전극(191), 용량선(192), 및 주사선(193)으로 패터닝되어 있다.
또한, 구동용 박막트랜지스터(T1)를 구성하는 반도체 박막(110)의 소스(112)는 관통 구멍(151)을 통하여 전원선(161)에 접속되어 있다. 박막트랜지스터(T1)의 드레인(113)은 관통 구멍(152)을 통하여 드레인 전극(162)에 접속되어 있다. 드레인 전극(162)은 관통 구멍(181)을 통하여 화소 전극(191)에 접속되어 있다. 한편, 박막트랜지스터(T1)의 게이트 전극(131)은 관통 구멍(154)을 통하여 유지 용량(C)에 접속되고, 다시 관통 구멍(155)을 통하여 스위칭용 박막트랜지스터(T2)를 구성하는 반도체 박막(111)의 소스(112)에 접속되어 있다. 유지 용량(C)은 용량선(192)과의 사이에서 전하를 축적하고, 이 유지 용량(C)의 양단에 유지되는 전압에 대응하여 발광층(35)을 구동하기 위한 전류가 정해지도록 되어 있다. 또한, 박막트랜지스터(T2)의 드레인(113)은 관통 구멍(153)을 통하여 신호선(163)에 접속되어 있다. 박막트랜지스터(T2)의 게이트 전극(132)은 관통 구멍(156)을 통하여 주사선(193)에 접속되어 있다.
도 1 및 도 6으로부터 알 수 있듯이, 상기 구성에 의하면, 구동 회로 기판(100)에 있어서, 주사 타이밍마다 주사선(193)이 온(on) 상태로 되면, 스위칭용 박막트랜지스터(T2)가 도통하고, 신호선(163)에 공급되고 있는 전압이 유지 용량(C)에 축적된다. 이어서, 이 전압에 대응한 전류가 구동용 박막트랜지스터(T1)를 흐르게 되기 때문에, 이 전류가 유기 EL 소자의 양극측(cathode), 즉, 양극층(31)으로부터 발광층(35), 즉, 정공 주입층(33) 및 유기 EL층(34)에 유입되고, 전류량에 대응하는 광량으로 발광한다. 즉, 신호선(163)에서 지정된 전압에 대응하는 광량으로 유기 EL 소자가 발광하는 것이다.
특히 본 발명에서는, 발광층(35)으로부터 발광된 광이 광투과성이 있는 양극층(31)을 통하여 기판(30)으로부터 사출되고, 음극층(36) 측에는 사출되지 않는다. 이 때문에, 발광층(35)으로부터 보아 음극층(36)의 배후(背後)에는 광을 투과하지 않는 부재를 마련하여도, 즉, 구동 회로가 존재하고 있어도 영향이 없다. 그래서, 본 실시예에서는, 예를 들어, 도 2의 평면도에 나타낸 바와 같이, 평면도 상, 발광층(35)에 일부 또는 전부를 중복시켜 박막트랜지스터(T1, T2), 유지 용량(C), 배선층(161∼164, 191∼193)을 배치할 수 있는 것이다.
<구동 회로의 제조 방법>
다음으로, 도 7의 제조 공정 플로차트를 참조하여, 본 발광 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 이 제조 방법은 구동 회로 기판(100)을 형성하는 공정(S10∼S17), 발광 기판(300)을 형성하는 공정(S20∼S24), 및 양 기판을 사용하여 발광 장치(1000)를 제조하는 공정(S30, S31)에 의해 구성되어 있다.
이 구동 회로 기판의 형성이나 발광 기판의 형성은 각각 독립적으로, 예를 들어, 다른 공장에서 실시될 수도 있고, 동일한 제조 현장에서 차례로 실시(예를 들어, 구동 회로 기판을 형성하고, 그 다음에 발광 기판을 형성한다. 또는 그 반대)할 수도 있다. 또한, 발광 장치(1000)를 제조하는 공정은 구동 회로 기판의 형성이나 발광 기판의 형성과 동일한 장소에서 행할 수도 있고, 다른 장소에서 행할 수도 있다. 여기서는, 편의상 구동 회로 기판의 형성에서부터 차례로 설명한다.
구동 회로 기판(100)의 제조에는 공지의 각종 제조 기술을 적용할 수 있다. 이하, 그 일례를 예시한다. 우선, 구동 회로 기판(100)의 베이스로 되는 기판(10) 위에 반도체 박막(11)(110, 111)을 형성한다((S10). 본 발명에서는 구동 회로 기판 측에 광투과성이 있는 재료를 사용할 필요는 없기 때문에, 내구성 및 기계적 강도 등에 의해 기판 재료를 선택할 수 있다. 예를 들면, 기판(10)에는 금속 등의 도전성 물질, 실리콘카바이드나 알루미나, 질화알루미늄 등의 세라믹 재료, 용융 석영이나 유리 등의 투명 또는 비(非)투명 절연성 물질, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 물질, 및 이것을 가공한 LSI 기판 등을 사용할 수 있다.
또한, 본원 출원인이 개발한 전사 기술(예를 들어, 일본국 특개평10-125931호 공보나 일본국 특개평11-26733호 공보)을 이용하여 유리 기판 등에 미리 별도로 형성한 반도체 장치를 플렉시블 기판에 전사하여 구동 회로 기판을 제조할 경우에는, 기판(10)이 플렉시블 기판으로 된다. 상세하게는 제 2 실시예에서 설명한다.
반도체 박막(11)의 재료로서는 실리콘이나 게르마늄, 실리콘게르마늄이나 실 리콘카바이드나 게르마늄카바이드 등을 이용할 수 있다. 반도체 박막(11)은 APCVD법이나 LPCVD법, PECVD법 등의 CVD법, 또는 스퍼터링법 등이나 증착법 등의 PVD법에 의해 형성된다. 반도체 박막(11)의 성능을 향상시키기 위해서는, 엑시머 레이저 등의 고출력 레이저를 이용하여 반도체 박막을 다결정화시킬 수도 있다. 이 반도체 박막(11)은, 각 박막트랜지스터 형상으로 포토리소그래피에 의해 패턴을 형성한 후, 건식 에칭 등으로 에칭되어 형성된다.
이어서, 게이트 절연막(12)을 형성한다(S11). 게이트 절연막(12)은 ECR 플라즈마 CVD법, 평행 평판 RF 방전 플라즈마 CVD법 등 공지의 방법에 의해, SiO2을 퇴적시켜 소정의 두께로 형성된다.
이어서, 게이트 전극층(13)(131, 132)을 형성한다(S12). 우선, 게이트 절연막(12) 위에 게이트 전극으로 되는 금속 박막을 PVD법 또는 CVD법 등에 의해 퇴적시킨다. 게이트 전극층의 재질(材質)은 전기 저항이 낮으며, 열 공정에 대하여 안정적인 것이 요구되고, 예를 들어, 탄탈, 텅스텐, 크롬 등의 고(高)융점 금속이 적합하다. 또한, 이온 도핑에 의해 소스 및 드레인을 형성할 경우, 수소의 채널링을 방지하기 위해, 이 게이트 전극의 막 두께가 대략 700㎚ 정도 필요하게 된다. 게이트 전극층(13)의 형성 후에, 공지의 포토리소그래피법 및 에칭법을 적용하여 게이트 전극(131, 132)의 형상으로 패터닝한다.
다음으로, 반도체 박막(11)에 불순물을 도입하여 소스(112), 드레인(113), 채널(114)의 각 영역을 형성한다(S13). 이 불순물 도입에서는 게이트 전극(131, 132)이 이온 주입의 마스크로 되기 때문에, 채널은 게이트 전극 아래에만 형성되는 자기 정합 구조로 된다. 예를 들면, 박막트랜지스터가 n형 MOS 트랜지스터인 경우, 채널(114)에는 붕소, 갈륨, 인듐 등의 p형 불순물이 도핑되고, 소스(112) 및 드레인(113)에는 인, 비소, 안티몬 등의 n형 불순물이 도입된다.
이어서, 게이트 전극을 덮도록 제 1 보호 박막(14)을 형성한다(S14). 제 1 보호 박막(14)의 형성은 게이트 절연막의 형성과 동일하게 행한다.
이어서, 배선층(16)(161∼164)을 형성한다(S15). 그 전에, 상기 배선층(16)과 반도체 박막(11)이나 게이트 전극(13)을 전기적으로 접속하기 위한 관통 구멍(15)(151∼155)을 게이트 절연막(12)이나 제 1 보호 박막(14)에 개구시킨다. 그리고, PVD법이나 CVD법 등의 공지 기술을 이용하여, 알루미늄 등의 금속으로 배선층(16)을 형성하고, 각 배선의 형태로 패터닝하여, 전원선(161), 드레인 전극(162), 신호선(163), 용량 전극(164)을 형성한다.
이어서, 제 2 보호 박막(17)을 제 1 보호 박막(14)과 동일하게 하여 형성하고 나서(S16), 화소 전극층(19)(191∼193)을 하층의 드레인 전극(162) 및 주사선(193)을 전기적으로 접속하기 위한 관통 구멍(18)(181, 182)을 개구시킨다. 그리고, 화소 전극층(19)을 PVD법이나 CVD법 등의 공지 기술을 이용하여 형성하고, 화소 전극(191)이나 용량선(192), 주사선(193)의 형상으로 패터닝한다(S17). 각 배선층(16)이나 화소 전극층(19)은 도전성이 있는 금속 재료, 예를 들어, 알루미늄리튬(Al-Li)을 0.1㎛∼1.0㎛ 정도 적층하여 형성한다. 이상의 각 공정에 의해 구동 회로 기판(100)이 형성된다.
도 3에 이와 같이 하여 제조된 구동 회로 기판(100)의 층 구조를 나타낸다. 또한, 도 3은 도 2의 평면도에서의 굴곡된 절단면 B-B에서 절단한 경우의 단면도이다.
<발광 기판의 제조 방법>
다음으로, 다시 도 7의 제조 공정 플로차트를 참조하여, 발광 기판(300)의 제조 방법을 설명한다. 발광 기판(300)의 제조에는 공지의 각종 제조 기술을 적용할 수 있다. 이하, 그 일례를 예시한다.
우선, 투명 기판(30) 위에 투명 전극층(31)을 형성한다(S20). 본 발명에서는 발광층으로부터의 광은 이 기판(30)을 투과하여 사출되기 때문에, 기판(30)은 광투과성이 있는 것이 기본이고, 그 이외에, 내구성 및 기계적 강도 등을 고려하여 재료를 선택한다. 예를 들면, 용융 석영이나 유리 등의 투명 또는 반투명 절연성 물질을 사용할 수 있다. 투명 전극층(31)은 도전성이 있고, 또한, 광투과성이 있는 재료로서, EL층(34)에 사용되는 유기 EL 재료의 HOM0 레벨에 대하여 각각 일함수가 가까운 것, 예를 들어, ITO 및 네사(nesa) 등에 의해 형성한다. 투명 전극층(31)은, 각 화소 영역의 공통 전극으로 되도록 각 화소에 배치되어 있는 발광층(35)의 전역(全域)에 걸쳐 공통으로 형성되어 있다. 형성 방법은 공지의 도포법 및 스퍼터링법 등에 의해, 0.05㎛∼0.2㎛ 정도의 두께로 조정되어 있다.
이어서, 투명 전극층(31) 위에 뱅크층(32)을 형성한다. 상기 뱅크층은, 각 화소에서 발광층(35)이나 음극층(36)을 분리하는 구획 부재로서의 역할을 수행하고 있다. 뱅크층(32)의 재료는 절연 무기 화합물 또는 절연 유기 화합물에 의해 구성 되고, 예를 들어, 산화실리콘, 질화실리콘, 비정질 실리콘, 폴리실리콘, 폴리이미드 또는 불소 화합물 등을 이용할 수 있다. 예를 들면, 뱅크층(32)은, 정공 주입층(33)이나 EL층(34) 등을 형성하기 위한 박막 재료액에 대한 접촉각이 30° 이하로 되도록 그 친화성이 조정된다. 뱅크층(32)의 두께는 정공 주입층(33) 및 EL층(34) 형성 후의 두께의 합계보다 두껍고, 또한, 음극층(36) 형성 후의 두께를 더 합계한 두께보다는 낮아지도록 조정된다. 뱅크층(32)은, 상기 절연 화합물을 공지의 스퍼터링법, CVD법, 각종 도포법(스핀 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 다이 코팅, 딥 코팅) 등에 의해 성막한 후에, 포토리소그래피법 등에 의해 뱅크 영역을 남겨 상기 화합물을 제거함으로써 형성된다.
이어서, 정공 주입층(33)을 형성한다(S22). 정공 주입층(33)의 재료로서는, 정공의 주입 기능 또는 전자의 장벽으로 되는 기능을 구비한 유기물 또는 무기물을 사용한다. 예를 들면, 일본국 특개평10-163967호 공보나 일본국 특개평8-248276호 공보에 기재되어 있는 것을 사용할 수 있다.
또한, 상기 정공 주입층(33)이나 다음 공정의 EL층(34) 형성에는 공지의 다양한 방법을 이용할 수 있지만, 잉크젯법을 이용하는 것이 바람직하다. 그 때문에, 뱅크층(32)으로 둘러싸인 오목부에 이들 층을 형성하기 위해 박막 재료액을 차례로 충전하여 박막층을 형성하여 간다. 잉크젯 방식에 의하면, 임의의 위치에 임의의 양으로 유동체를 충전할 수 있고, 가정용 프린터에 사용되는 소형 장치로 충전이 가능하기 때문이다. 예를 들면, 잉크젯 헤드로부터 박막 재료액을 뱅크층(32) 사이의 오목부에 충전하고, 가열하여 용매 성분을 제거한다. 또한, 잉 크젯 방식으로서는, 피에조젯 방식, 열에 의한 기포 발생에 의해 토출하는 방식, 정전 가압 방식 등을 이용할 수 있다. 가열에 의한 유동체의 변질이 없는 점에서 피에조젯 방식이 바람직하다.
정공 주입층(33)의 형성 후에, 동일한 방법으로 EL층(34)을 형성한다(S23). 전류를 흐르게 함으로써 발광하는 재료를 사용한다. 이 재료는 발광시키는 색채에 따라, 예를 들어, 일본국 특개평10-163967호 공보나 일본국 특개평8-248276호 공보에 기재되어 있는 것을 사용한다. 구체적으로는, 적색 EL층의 재료로서는, 시아노폴리페닐렌비닐렌 전구체, 2-1, 3', 4'-디히드록시페닐-3, 5, 7-트리히드록시-1-벤조피릴리움퍼클로레이트, PVK에 DCM1을 도핑한 것 등을 사용한다. 녹색 EL층의 재료로서는, 폴리페닐렌비닐렌 전구체, 2, 3, 6, 7-테트라히드로-11-옥소-1H, 5H, 11H-(1)벤조피라노[6, 7, 8-ij]-퀴놀리진-10-카복실산, PVK에 쿼타민6을 도핑한 것 등을 사용한다. 청색 EL층의 재료로서는, 알루미늄퀴놀리놀 착체(錯體), 피라졸린 다이머, 2, 3, 6, 7-테트라히드로-9-메틸-11-옥소-1H, 5H, 11H-(1)벤조피라노[6, 7, 8-ij]-퀴놀리진, 디에스테르 유도체, PVK에 1, 1, 4, 4-트리페닐-1, 3-부타디엔을 도핑한 것 등을 사용한다. EL층(34)은 충분한 광량이 얻어지는 두께, 예를 들어, O.05㎛∼0.2㎛ 정도 적층하여 구성된다.
또한, 필요에 따라 전자 주입층을 EL층 위에 동일한 방법으로 형성할 수도 있다. 음극층으로부터 주입된 전자를 발광층에 효율적으로 전달하기 위함이다. 전자 주입층의 재료로서는, 예를 들어, 일본국 특개평10-163967호 공보나 일본국 특개평8-248276호 공보, 일본국 특개소59-194393호 공보에 기재되어 있는 것을 사 용할 수 있다. 구체적으로는, 니트로 치환 플루오렌 유도체, 안트라퀴노디메탄 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 티오피란디옥시드 유도체, 나프탈렌페릴렌 등의 복소환 테트라카복실산 무수물, 카보디이미드, 플루오레닐리덴메탄 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 안트론 유도체, 옥사디아졸 유도체, 퀴노크살린 유도체 등을 사용할 수 있다. 그 두께는 전자 수송 기능을 충분히 수행할 수 있을 정도로 한다.
이어서, 음극층(36)을 형성한다(S24). 본 발명에서는 음극층에 광의 투과율을 고려할 필요가 없기 때문에, 발광층에 사용하는 유기 EL 재료의 LUMO 레벨에 대하여 일함수가 가까운 것이면 된다. 예를 들면, 음극층의 재료로서는, 칼슘, 나트륨, 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘, 리튬, 마그네슘/구리 혼합물, 마그네슘/은 혼합물, 마그네슘, 알루미늄 혼합물, 마그네슘/인듐 혼합물, 알루미늄/산화알루미늄 혼합물, 인듐, 리튬/알루미늄 혼합물, 기타 희토류 금속을 들 수 있다. 음극층의 형성에는 공지의 기술, 즉, 스퍼터링법이나 증착법 등을 이용한다. 음극층 형성 후에 포토리소그래피법과 에칭법을 적용하여 각 화소 영역마다 분리한다. 이 때, 도 1이나 도 4에 나타낸 바와 같이, 뱅크층(32)의 에지를 덮도록 형성하는 것이 바람직하다. 발광층(35)에 빈틈 없이 접촉시키는 것이 가능해지기 때문이다.
도 4에 이와 같이 하여 형성된 발광 기판(300)의 층 구조를 나타낸다. 또한, 도 4는 도 2의 평면도에서의 굴곡된 절단면 B-B에서 절단한 경우의 단면도이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 투명 기판(30)의 표면 전체에는 투명 전극층(31)이 성막되고, 다시 그 투명 전극층(31)의 상면에는 절연물로 이루어지는 뱅크(32)로 상호 분리된 화소 형성 영역에 투명 전극층(31) 측으로부터 정공 주입층(33), EL층(34) 및 음극층(36)이 적층되어 있어, 정공 주입층(33) 및 유기 EL층(34)에 의해 발광층(35)이 구성되어 있다.
<접속 공정: S30>
다음으로, 도 3에 나타낸 구동 회로 기판(100)과, 도 4에 나타낸 발광 기판(300)을 화소 전극(191)이 형성된 측과 음극층(36)이 형성된 측을 대향시켜 접합시킨다. 화소 전극(191)과 음극층(36)은 전기적으로 접속되도록 구동 회로 기판(100) 및 발광 기판(300)의 위치 맞춤을 행한다. 이 때, 구동 회로 기판(100)에서의 화소 전극(191)과 발광 기판(300)에서의 음극층(36) 사이의 도전성을 확보하기 위해, 이방성 도전성 페이스트 또는 이방성 도전성 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 도전성 재료를 사용함으로써, 예기치 못한 단락 등을 회피할 수 있다. 본 실시예에 의하면, 화소 전극(191)과 음극층(36)이 각각 상대적으로 돌출되어 있기 때문에, 위치 맞춤을 정확하게 행하면, 양 전극을 압착(壓着)하여 확실한 전기 전도를 확보할 수 있다.
도 5에 이와 같이 하여 구동 회로 기판(100) 및 발광 기판(300)을 접합시킨 상태의 발광 장치(1000) 전체의 단면도를 나타낸다. 또한, 도 5는 도 2의 평면도에서의 굴곡된 절단면 B-B에서 절단한 경우의 단면도이다.
<밀봉 공정: S31>
다음으로, 필요에 따라, 전기적으로 접속한 구동 회로 기판(100)과 발광 기판(300) 사이에 전기 전도성이 없고, 또한, 음극 재료에 대하여 불활성인 충전 재료(20)를 충전하여 기판 사이를 밀봉한다.
이러한 재료(20)로서, 예를 들어, 각종 접착제가 적당하다. 접착제로서는, 반응성 경화형 접착제, 열경화형 접착제, 혐기(嫌氣) 경화형 접착제 등의 각종 경화형 접착제를 들 수 있다. 이러한 접착제의 조성으로서는, 예를 들어, 에폭시계, 아크릴레이트계, 실리콘계 등을 적용할 수 있다. 접착제는, 예를 들어, 도포법에 의해 형성된다. 음극층 및 구동 회로 기판은 광을 투과하지 않기 때문에, 광 이외의 에너지로 경화되는 접착제인 것이 바람직하다. 예를 들면, 구동 회로 기판(100)의 화소 전극(191) 이외의 영역에 접착제를 적량(適量) 도포하고, 화소 전극(191)과 발광 기판(300)의 음극층(36)의 전기적 접속을 확보하면서 발광 기판(300) 전체를 접합한 후, 경화형 접착제의 특성에 따른 경화 방법에 의해 상기 경화형 접착제를 경화시킨다.
접착제를 충전함으로써, 음극층을 산화하는 요인으로 되는 산소를 차단할 수 있다. 또한, 접착제의 접착력에 의해, 발광 기판과 구동 회로 기판을 보다 강고하게 접합시키는 것이 가능해진다. 접착제에 의하면, 절연 성능도 높기 때문에, 전기적 특성에 악영향을 주는 경우도 없다.
또한, 접착제를 이용하지 않고, 구동 회로 기판(100)과 발광 기판(300) 사이에 불활성 기체를 충전하여 밀봉할 수도 있다. 불활성 기체로서는, 예를 들어, 헬륨 및 아르곤 등을 이용할 수 있다. 다만, 음극층에 산소가 작용하지 않으면 좋기 때문에, 구동 회로 기판과 발광 기판 사이의 진공도를 높일 수도 있다. 기체를 이용하거나 진공으로 할 경우에는, 양 기판 사이의 기밀성을 높이기 위해, 기판 끝을 밀봉하는 구조로 할 필요가 있다. 불활성 기체를 충전하거나 진공으로 하면, 음극 층을 산화하는 요인으로 되는 산소가 음극층에 작용하는 것을 방지할 수 있다.
도 5에도 도시되는 바와 같이, 상기 제조 공정에 의해 제조되는 발광 장치(1000)에 있어서, 구동 회로가 동작하여 전류가 음극층(36)으로부터 발광층(35)에 유입되면, 발광층(35)은 그 전류량에 따른 광량으로 발광하게 된다. 이 때, 음극층(36)에는 광투과성은 없지만, 양극 측은 투명 전극층(31)이 형성되어 있기 때문에, 발광층(35)으로부터 발광된 광은 투명 전극층(31) 및 기판(30)을 통하여 외부에 조사된다.
<실시예의 이점>
이와 같이, 본 제 1 실시예에 따르면, 구동 회로 기판(100)과 발광 기판(300)을 다른 공정에서 제조하기 때문에, 제조 수율이 향상된다. 사정에 따라, 구동 회로 기판(100)과 발광 기판(300)을 각각 다른 공장 또는 다른 기업에서 각각 제조하여, 최종적으로 양자를 접합시킨다는 제조 방법도 가능하기 때문에, 제조 비용의 저감을 도모하는데 상당히 유리하다.
또한, 본 제 1 실시예에 의하면, 발광층(35)으로부터 발광된 광은 투명 전극층(31) 및 기판(30)을 통하여 외부에 조사된다. 즉, 기판(30) 전체가 표시면으로 되지만, 발광층(35)의 기판(30) 측에는 광을 차단하는 배선 등이 제조되어 있지 않기 때문에, 발광 장치로서의 개구율을 상당히 높게 할 수 있다.
한편, 구동 회로 기판(100) 측의 구조에 대해서는 개구율에 관여하지 않기 때문에, 화소 영역 전체에 회로를 배치할 수 있다. 따라서, 화소 영역 내에 메모리를 비롯한 다양한 회로를 내장하여, 표시체의 성능이나 부가가치를 높이는 것이 가능해진다. 또한, 유기 EL은 전류 구동 소자이기 때문에, 표시체의 사이즈 또는 정밀도의 증대에 따라, 구동 전류도 커진다. 이 경우, 배선 폭을 넓게 할 필요가 생기는데, 이 문제에도 배선 영역을 자유롭게 확보할 수 있기 때문에 대응 가능하다. 또한, 구동 회로 기판의 구성 재료가 투명할 필요도 없다.
또한, 발광 장치(1000)의 각 화소의 피치는, 발광 기판(30)에 제조된 발광층(35) 사이의 피치에 의해 결정되는 것으로서, 구동 회로 기판(100)과 EL 기판(30)의 접합 시의 위치 결정 정밀도는 화소 피치에 전혀 영향을 주지 않는다. 이 때문에, 본 실시예와 같은 접합에 의한 제조 방법을 채용했다고 하여도, 발광 장치(1000)의 화소 피치 정밀도가 저하되지 않는 것이다.
이와 같이, 본 실시예의 제조 방법에 의하면, 발광 장치를 상당히 효율적으로 제조할 수 있다.
(제 2 실시예)
이하에서는, 본 발명의 제 2 실시예를 도면에 의거하여 설명한다. 도 8 내지 도 10은 본 발명의 제 2 실시예를 나타내는 도면이다. 도 8은 접합시키기 전의 구동 회로 기판(600)의 단면도이고, 도 9는 접합시키기 전의 발광(EL) 기판(700)의 단면도이며, 도 1O은 양자를 접합시킴으로써 제조된 유기 EL 표시체인 발광 장치(800)의 단면도이다.
본 실시예에 따른 발광 장치(800)에 있어서, 구체적인 각층의 구성(재료)에 대해서는, 상기 제 1 실시예와 유사하기 때문에, 다른 점을 주로 설명하기로 한다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 구동 회로 기판(600)에 있어서, 합성수지 등의 절 연물로 이루어지는 기재(基材)(60)의 표면에는, 나중에 제조되는 발광 장치(800)의 화소 위치에 대응하여 주사선이나 신호선 등의 배선(61)이 형성되어 있다. 또한, 배선(61)의 표면은 보호 박막(62)으로 덮여 있다. 이 보호 박막(62)에는 배선(61)의 일부를 노출시키기 위한 관통 구멍(63)이 개구되어 있고, 그 관통 구멍(63)을 통하여 배선(61)의 일부와 도통을 취할 수 있도록 배선(64) 및 화소 전극(65)이 형성되어 있다. 특히 본 실시예에서는, 기재(60)가 합성수지 등으로 구성되어 있는 점에 특징이 있다.
또한, 보호 박막(62)의 제막 방법, 관통 구멍(63)의 개구 방법, 배선(61, 64) 및 화소 전극(65)의 패터닝 방법 등에 대해서는 상기 제 1 실시예와 동일하게 생각할 수 있다. 즉, 공지의 제막 방법이나 포토리소그래피 공정을 적용할 수 있다.
또한, 박막트랜지스터 등으로 구성되는 구동 회로(66)가 화소마다 또는 복수의 화소마다 배치되고, 또한, 배선(64) 및 화소 전극(65)과 연결되어 있다. 따라서, 구동 회로는 구동 회로 기판(600)의 주사선이나 신호선 등의 배선(61) 및 화소 전극(65)과 접속하고 있게 된다.
상기 각층의 재료 및 제조 방법에 대해서는, 상기 제 1 실시예와 동일하게 생각할 수 있기 때문에(도 7: S10∼S17), 설명을 생략한다.
한편, 도 9에 나타낸 바와 같이, 발광 기판(700)에 있어서, 합성수지 등으로 이루어지는 기재(70)의 표면 전체에는 투명 전극층(71)이 성막되어 있다. 또한, 그 투명 전극층(71)의 상면에는, 절연물로 이루어지는 뱅크(72)에 의해 상호 분리 된 화소 형성 영역에 투명 전극층(71) 측으로부터 정공 주입층(73), 유기 EL층(74) 및 음극층(76)이 적층되어 있다. 정공 주입층(73) 및 유기 EL층(74)으로 발광층(75)이 구성되어 있다. 특히 본 실시예에서는, 기재(70)가 합성수지로 구성되어 있는 점에도 특징이 있다.
또한, 다른 투명 전극층(71), 정공 주입층(73), 유기 EL층(74), 음극층(76)을 형성하는 재료 및 제조 방법은 상기 제 1 실시예와 동일(도 7: S20∼S24)하게 생각할 수 있기 때문에, 설명을 생략한다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 따른 발광 장치(800)는, 도 8에 나타낸 구동 회로 기판(600)과 도 9에 나타낸 발광 기판(700)을 화소 전극(65)이 형성된 측과 음극층(76)이 형성된 측을 내측을 향하여 접합시켜 구성되어 있다. 따라서, 화소 전극(65)과 음극층(76)이 전기적으로 접속되도록 구동 회로 기판(600) 및 발광 기판(700)의 위치 맞춤을 행하여 접합시킬 필요가 있다. 양 기판을 접합시키는 공정에 대해서는, 상기 제 1 실시예(도 7: S30)와 동일하다. 또한, 상기 제 1 실시예와 동일하게, 필요에 따라 접착제를 충전하거나 불활성 기체를 봉입하거나 진공으로 하는 공정(S 7: S31)을 적용할 수도 있다.
여기서, 발광 기판(700) 대신에, 도 11에 나타낸 바와 같은 구조의 발광 기판(900)을 적용할 수도 있다. 상기 발광 기판(900)에 있어서, 합성수지 등으로 이루어지는 기재(90)의 표면 전체에는 투명 전극층(91)이 성막되어 있고, 기재(90)는 에칭되어 있다. 여기서 남은 기판 부분은 뱅크(92)로서 기능한다. 뱅크(92)에 의해 상호 분리된 화소 형성 영역에 투명 전극층(91) 측으로부터 정공 주입층(93), 유기 EL층(94) 및 음극층(96)이 적층되어 있어, 정공 주입층(93) 및 유기 EL층(94)으로 발광층(95)이 구성되어 있다. 각층의 재료 및 구성에 대해서는, 상기 제 1 실시예와 동일하게 생각할 수 있다. 이 변형예에서도 기재(90)는 합성수지 등의 재료로 구성되어 있다.
또한, 구동 회로 기판(600)에 있어서, 각 구동 회로(66)를, 예를 들어, 도 12에 나타낸 바와 같이, 유리 등의 투명 기판(200) 표면에 형성된 것을 전사 기술에 의해 구동 회로 기판(600)에 전사하여 제조할 수도 있다. 즉, 이 제조 방법을 이용할 경우, 도 12에 나타낸 바와 같이, 미리 전사원 기판으로 되는 유리 등의 투명 기판(200) 위에 비정질 실리콘 등으로 이루어지는 박리층(201)을 퇴적시키고, 그 위에 복수의 피전사체인 박막트랜지스터로 구성되는 구동 회로(66)를 형성한다. 이 투명 기판(200)과 구동 회로 기판(600)을 얼라인먼트하고, 구동 회로(66)의 영역마다 투명 기판(200)의 전사시켜야 할 박막트랜지스터에 대응하는 일부 영역에 에너지를 부여하여(뒤쪽으로부터 광을 조사하여), 상기 박막트랜지스터를 전사처의 구동 회로 기판(600)에 전사한다.
본 제 2 실시예에 의하면, 상기 제 1 실시예와 동일한 효과를 나타내는 이외에, 특히 구동 회로 기판(600)에서의 기재(60)와 발광 기판(700)에서의 기재(70)가 모두 합성수지 등이 사용되는 점에 특징이 있다. 이러한 합성수지제의 플라스틱 필름은 온도를 가했을 때의 팽창률이 커서, 종래의 방법에서는, 유기 EL층을 형성할 때의 마스크 얼라인먼트가 곤란하기 때문에 사용할 수 없다는 인식이 있었다. 그런데, 본 발명에서는, 발광 장치(800)의 각 화소의 피치는 기판(70)에 제조된 발 광층(75)의 피치에 의해 결정되는 것으로서, 구동 회로 기판(600)의 기재(60)와 발광 기판(700)의 기재(70)의 접합 시의 위치 결정 정밀도는 화소 피치에 전혀 영향을 주지 않는다. 즉, 2개의 기판 위의 미소한 피치의 위치 맞춤을 행한다는 목적 때문에, 열팽창률이 낮고 중량이 큰 유리 등의 기판을 사용할 필요가 없다. 이 때문에, 본 실시예와 같이, 합성수지 등으로 기판을 구성하는 것이 가능해져, 저렴한 기판 재료를 자유롭게 선택할 수 있게 된다.
이와 같이, 본 실시예의 제조 방법에 의하면, 발광 장치(800)를 상당히 효율적으로 제조할 수 있고, 결과적으로 대형의 가요성 표시체를 제조할 수 있게 된다.
또한, 본 제 2 실시예에 의하면, 구동 회로 기판(600)에 간격을 두어 배치되는 복수의 박막트랜지스터(66)를 일괄적으로 투명 기판(200) 위에 집적하여 제조할 수 있기 때문에, 박막트랜지스터 제조를 위한 재료 사용량을 상대적으로 삭감시켜, 면적 효율을 대폭으로 향상시키고, 다수의 박막트랜지스터 등의 회로나 소자가 분산되어 배치되는 구동 회로 기판을 효율적으로 저렴하게 제조할 수 있다.
또한, 본 제 2 실시예에 의하면, 투명 기판(200) 위에 집중적으로 제조한 다수의 박막트랜지스터를 전사 전에 선별 및 배제하는 것을 용이하게 실행할 수 있게 되고, 그 결과, 제품 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
(제 3 실시예)
본 발명의 제 3 실시예는 상술한 EL 소자 구동 회로, 및 이 구동 회로에 의해 구동되는 발광 장치를 액티브 매트릭스 구동 가능하게 구성한 전기 광학 장치인 유기 EL 표시 패널을 구비한 전자 기기의 몇 가지 예에 대해서 설명한다.
<예 1: 모바일형 컴퓨터>
우선, 본 제 3 실시예에 따른 유기 EL 표시 패널을 모바일형 퍼스널 컴퓨터에 적용한 예에 대해서 설명한다. 도 13은 이 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도이다. 도 13에 있어서, 퍼스널 컴퓨터(1100)는 키보드(1102)를 구비한 본체부(1104)와, 표시 유닛(1106)으로 구성되어 있다. 표시 유닛(1106)은 유기 EL 표시 패널(11O1)을 갖고 있다.
<예 2: 휴대 전화>
다음으로, 유기 EL 표시 패널을 휴대 전화의 표시부에 적용한 예에 대해서 설명한다. 도 14는 이 휴대 전화의 구성을 나타내는 사시도이다. 도 14에 있어서, 휴대 전화(1200)는 복수의 조작 버튼(1202) 이외에, 수화구(1204) 및 송화구(1206)와 함께, 상술한 유기 EL 표시 패널(1201)을 구비하는 것이다.
<예 3: 디지털 스틸 카메라>
또한, 유기 EL 표시 패널을 파인더에 사용한 디지털 스틸 카메라에 대해서 설명한다. 도 15는 디지털 스틸 카메라의 구성을 나타내는 사시도인데, 외부 기기와의 접속에 대해서도 간단하게 나타내는 것이다.
통상의 카메라는 피사체의 광상(光像)에 의해 필름을 감광하는 것에 반하여, 디지털 스틸 카메라(1300)는 피사체의 광상을 CCD(Charge Coupled Device) 등의 촬상 소자에 의해 광전 변환하여 촬상 신호를 생성하는 것이다. 여기서, 디지털 스틸 카메라(1300)에서의 케이스(1302) 뒷면에는 상술한 유기 EL 표시 패널(1301)이 설치되고, CDD에 의한 촬상 신호에 의거하여, 표시를 행하는 구성으로 되어 있다. 이 때문에, 유기 EL 표시 패널(1301)은 피사체를 표시하는 파인더로서 기능한다. 또한, 케이스(1302)의 관찰 측(도 15에서는 뒷면 측)에는 광학 렌즈나 CDD 등을 포함한 수광 유닛(1304)이 설치되어 있다.
여기서, 촬영자가 유기 EL 표시 패널(1301)에 표시된 피사체상을 확인하여, 셔터 버튼(1306)을 누르면, 그 시점에서의 CDD의 촬상 신호가 회로 기판(1308)의 메모리에 전송 및 저장된다. 또한, 이 디지털 스틸 카메라(1300)에서는, 케이스(1302)의 측면에 비디오 신호 출력 단자(1312)와, 데이터 통신용 입출력 단자(1314)가 설치되어 있다. 그리고, 도 15에 도시되는 바와 같이, 전자의 비디오 신호 출력 단자(1312)에는 텔레비전 모니터(1430)가, 또한, 후자의 데이터 통신용 입출력 단자(1314)에는 퍼스널 컴퓨터(1440)가 각각 필요에 따라 접속된다. 또한, 소정의 조작에 의해, 회로 기판(1308)의 메모리에 저장된 촬상 신호가 텔레비전 모니터(1430)나 퍼스널 컴퓨터(1440)에 출력되는 구성으로 되어 있다.
또한, 전자 기기로서는, 도 13의 퍼스널 컴퓨터나, 도 14의 휴대 전화, 도 15의 디지털 스틸 카메라 이외에도, 액정 텔레비전이나, 뷰파인더형 및 모니터 직시형의 비디오 테이프 리코더, 카 네비게이션 장치, 소형 무선 호출기, 전자 수첩, 계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, 화상 전화, POS 단말, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 그리고, 이들 각종 전자 기기의 표시부로서, 상술한 표시 장치를 적용할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 구동 회로가 배열 설치된 구동 회로 기판과 발광층 등이 형성된 발광 기판을 접합시킴으로써 발광 장치를 제조하도록 했기 때문에, 발광 장치를 상당히 효율적으로 제조할 수 있다는 효과가 있다.
특히, 본 발명에 의하면, 대형의 가요성 표시체를 제조할 수 있게 된다.

Claims (37)

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  21. 구동 회로 기판과,
    상기 구동 회로 기판 위에 배치되어 있는 제1 배선과,
    상기 구동 회로 기판 및 상기 제1 배선 위에 배치되어 있는 보호 박막과,
    상기 보호 박막 위 및 상기 보호 박막의 일부를 관통하는 관통 구멍의 내부에 형성되고, 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되어 있는 제2 배선과,
    상기 보호 박막 위에 배치되어 있는 화소 전극과,
    상기 제2 배선 및 상기 화소 전극 위에 배치되고, 상기 제2 배선 및 상기 화소 전극과 전기적으로 접속되어 있는 구동 회로와,
    상기 화소 전극 위에 배치되고, 상기 화소 전극과 전기적으로 접속된 음극과,
    상기 음극 위에 배치되고, 복수의 뱅크 사이에 배치된 유기 EL층을 포함하는 발광층과,
    상기 유기 EL층 및 상기 복수의 뱅크 위에 배치된 투명 전극과,
    상기 투명 전극 위에 배치된 발광 기판,
    을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 음극의 산화를 방지하기 위한 밀봉 수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  23. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 구동 회로 기판 또는 상기 발광 기판의 평면에 대략 수직 방향에서 보아 상기 구동 회로의 일부 또는 전부와 서로 겹쳐 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 밀봉 수단은 적어도 상기 보호 박막과 상기 음극까지의 사이에 배치되어 있는 접착제인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  25. 제22항에 있어서,
    상기 밀봉 수단은 적어도 상기 보호 박막과 상기 음극까지의 사이 간격에 봉입되어 있는 불활성 기체인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  26. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    상기 발광층은 적어도 상기 화소 전극측에 형성되어 있는 정공 주입층과 상기 정공 주입층의 위에 형성되어 있는 상기 유기 EL층을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  27. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    상기 음극은 상기 발광층으로부터 상기 뱅크의 단부까지 덮도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  28. 제21항 또는 제22항에 기재된 발광 장치를 구비하는 전기 광학 장치.
  29. 제21항 또는 제22항에 기재된 발광 장치를 구비하는 전자 기기.
  30. 구동 회로 기판 위에 제1 배선을 형성하는 공정과,
    상기 구동 회로 기판 및 상기 제1 배선 위에 보호 박막을 형성하는 공정과,
    상기 보호 박막의 일부를 상기 제1 배선에 도달하는 곳까지 관통시키는 관통 구멍을 형성하는 공정과,
    상기 관통 구멍 내부 및 상기 보호 박막 위에, 상기 화소 전극과 전기적으로 접속하도록 제2 배선을 형성하는 공정과,
    상기 보호 박막 위에 화소 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제2 배선 및 상기 화소 전극과 전기적으로 접속하도록 구동 회로를 형성하는 공정과,
    발광 기판 위에 투명 전극을 형성하는 공정과,
    상기 투명 전극 또는 상기 발광 기판 위에 복수의 뱅크를 형성하는 공정과,
    상기 복수의 뱅크로 상호 분리된 화소 형성 영역에 유기 EL층을 포함하는 발광층을 형성하는 공정과,
    상기 발광층 위에 음극을 형성하는 공정과,
    상기 구동 회로 기판과 상기 발광 기판을 마주보도록 하여 상기 화소 전극과 상기 음극을 전기적으로 접속하는 공정
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 구동 회로 기판과 상기 발광 기판의 사이를 밀봉하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  32. 제30항 또는 제31항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 공정에서는 상기 구동 회로 기판 또는 상기 발광 기판의 평면에 대략 수직 방향으로 볼 때 상기 구동 회로의 일부 또는 전부와 서로 겹치도록 상기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  33. 제31항에 있어서,
    상기 밀봉 공정에서는 적어도 상기 구동 회로 기판과 상기 발광 기판 사이의 일부에 접착제를 봉입하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  34. 제31항에 있어서,
    상기 밀봉 공정에서는 적어도 상기 구동 회로 기판과 상기 발광 기판의 사이에 불활성 기체를 봉입하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  35. 제30항 또는 제31항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 공정에서는, 적어도 상기 화소 전극측에 정공 주입층을 형성하는 공정과 상기 정공 주입층 위에 상기 유기 EL층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  36. 제30항 또는 제31항에 있어서,
    상기 음극을 형성하는 공정에서는, 상기 발광층으로부터 상기 뱅크의 단부까지 덮도록 상기 음극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  37. 제30항 또는 제31항에 있어서,
    상기 구동 회로를 형성하는 공정에서는,
    전사원 기판 위에 박리층을 형성하는 공정과,
    상기 박리층 위에 복수의 상기 구동 회로를 형성하는 공정과,
    상기 전사원 기판과 상기 구동 회로 기판을, 적어도 복수의 상기 구동 회로의 일부가 상기 화소 전극 및 상기 제2 배선과 전기적으로 접속하는 위치에 얼라이먼트(alignment)하는 공정과,
    위치 맞춰진 적어도 상기 구동 회로의 일부가 형성되어 있는 박리층에 에너지를 부여하는 공정에 의해, 상기 구동 회로를 상기 화소 전극 및 상기 제2 배선에 전기적으로 접속하는 위치에 전사하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464864B1 (ko) * 2002-04-25 2005-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
TWI272872B (en) * 2002-12-13 2007-02-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
US7235920B2 (en) * 2003-02-24 2007-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Display device and method of its manufacture
JP2004311955A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Sony Corp 超薄型電気光学表示装置の製造方法
US7847756B2 (en) 2003-07-09 2010-12-07 Sony Corporation Three-dimensional image display apparatus including a rotating two-dimensional display panel
JP3915985B2 (ja) * 2003-08-22 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 画素素子基板、表示装置、電子機器、及び画素素子基板の製造方法
JP4807677B2 (ja) * 2003-09-30 2011-11-02 カシオ計算機株式会社 表示装置
JP2005116623A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3849680B2 (ja) * 2003-10-06 2006-11-22 セイコーエプソン株式会社 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置
US7170176B2 (en) 2003-11-04 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR100621865B1 (ko) * 2003-12-29 2006-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
GB0402559D0 (en) * 2004-02-05 2004-03-10 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
US7733441B2 (en) * 2004-06-03 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Organic electroluminescent lighting system provided with an insulating layer containing fluorescent material
JP2006024535A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Seiko Epson Corp 有機薄膜素子の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電子機器の製造方法
JP4771042B2 (ja) * 2004-07-23 2011-09-14 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー 圧電素子搭載装置、およびこれを用いた液滴吐出装置、画像出力装置
JP2006107755A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、画像形成装置および画像読み取り装置
JP4581692B2 (ja) * 2005-01-11 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 有機発光ダイオード装置、画像形成装置および画像読み取り装置
JP4552804B2 (ja) * 2004-11-08 2010-09-29 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出方法
JP4513963B2 (ja) * 2005-01-26 2010-07-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法及び電子機器
US7737629B2 (en) 2005-03-31 2010-06-15 Seiko Epson Corporation Light emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US7436114B2 (en) 2005-06-03 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a first workpiece, a second workpiece, and a conductive member substantially directly bonded to the first and second workpieces
US7855498B2 (en) * 2005-07-27 2010-12-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device with a sealing integrated driver circuit
WO2007013692A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element, exposure device and image forming apparatus
US8138502B2 (en) * 2005-08-05 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP1953833B1 (en) * 2005-11-24 2010-05-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ultraviolet sensor
KR101252083B1 (ko) 2005-12-22 2013-04-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100890250B1 (ko) * 2007-01-08 2009-03-24 포항공과대학교 산학협력단 플렉서블 소자의 제조 방법 및 플렉서블 표시 장치의 제조방법
TWI350714B (en) * 2007-07-19 2011-10-11 Chimei Innolux Corp System for displaying image and fabrication method thereof
JP2010010296A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Ricoh Co Ltd 有機トランジスタアレイ及び表示装置
JP2010117475A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Sony Corp 表示装置、電子機器および表示装置の駆動方法
JP2010153813A (ja) * 2008-11-18 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法、並びに、携帯電話機
US8536783B2 (en) * 2009-02-05 2013-09-17 Koninklijke Philips N.V. Electroluminescent device with protective means for contact areas
KR101703765B1 (ko) * 2009-02-05 2017-02-07 코닌클리케 필립스 엔.브이. 전계 발광 디바이스
WO2010125494A1 (en) * 2009-04-27 2010-11-04 Koninklijke Philips Electronics N. V. Organic light emitting diode circuit with cover
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101201720B1 (ko) * 2010-07-29 2012-11-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
JP2012043583A (ja) 2010-08-17 2012-03-01 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
US9373666B2 (en) 2011-02-25 2016-06-21 The Regents Of The University Of Michigan System and method of forming semiconductor devices
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN108336106A (zh) * 2017-01-19 2018-07-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 无边框显示器件及其制造方法
CN112490266A (zh) * 2019-09-11 2021-03-12 北京小米移动软件有限公司 显示面板和终端设备
CN114002289B (zh) * 2022-01-04 2022-03-22 苏州大学 瞬态光电压测试样品组件、瞬态光电压测量装置及方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5130833A (en) * 1989-09-01 1992-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal device and manufacturing method therefor
JPH0431299U (ko) * 1990-07-06 1992-03-13
US5457356A (en) * 1993-08-11 1995-10-10 Spire Corporation Flat panel displays and process
US6091194A (en) 1995-11-22 2000-07-18 Motorola, Inc. Active matrix display
US5796509A (en) * 1996-08-21 1998-08-18 International Business Machines Corporation Thin film frontlighting and backlighting for spatial light modulators
US6049167A (en) * 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JPH10333601A (ja) 1997-06-02 1998-12-18 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法
US6175345B1 (en) 1997-06-02 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof
JPH113048A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
JPH1154268A (ja) 1997-08-08 1999-02-26 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6370019B1 (en) * 1998-02-17 2002-04-09 Sarnoff Corporation Sealing of large area display structures
JP2000323276A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物
JP2001035663A (ja) * 1999-07-27 2001-02-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法
JP3942770B2 (ja) * 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
US6641933B1 (en) * 1999-09-24 2003-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting EL display device
JP2001117509A (ja) 1999-10-14 2001-04-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ表示装置
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2001282123A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Toshiba Corp 表示装置およびその製造方法
US6738034B2 (en) * 2000-06-27 2004-05-18 Hitachi, Ltd. Picture image display device and method of driving the same
JP3840926B2 (ja) * 2000-07-07 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、並びに電子機器
US6879110B2 (en) * 2000-07-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
US6956324B2 (en) * 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2002083691A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置及びその製造方法
KR100365519B1 (ko) * 2000-12-14 2002-12-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법
TW545080B (en) * 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4011292B2 (ja) * 2001-01-15 2007-11-21 株式会社日立製作所 発光素子、及び表示装置

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