KR100567472B1 - 무기공의 분말야금 합금 물품, 이의 제조 방법, 연속 플라즈마 스퍼터링 장치, 연속 플라즈마 스퍼터링 방법 및 ito 관상 타겟 제조 방법 - Google Patents
무기공의 분말야금 합금 물품, 이의 제조 방법, 연속 플라즈마 스퍼터링 장치, 연속 플라즈마 스퍼터링 방법 및 ito 관상 타겟 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 소량의 Sn 분말 및 다량의 In203 분말을 시작 물질로 시작하되, 공정 제어제(process controlling agent) 존재 하에 기계적 합금 공정으로 상기 두 분말을 혼합 및 밀링함으로써 In203 분말의 표면에 Sn 분말을 균일하게 분포시킨 후 고정하여 기계적으로 합금된 혼합 분말을 형성하는 단계와, 이러한 혼합 분말을 고온에서 압밀 성형(compacting)하여 무기공의(pore-free) 합금 물품을 형성하는 단계를 포함하는, 무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법에 관한 것이다. 이 합금 물품은 양호한 전기전도도를 가지며 플라즈마 스퍼터링용 ITO 조성물 타겟으로 사용될 수 있다.
Description
발명의 분야
본 발명은 ITO (인듐 - 주석 - 산화물) 합금 물품, 특히 플라즈마 스퍼터링 공정 및 장치용 타겟으로 사용되는 무기공의(pore-free) In203 : Sn (인듐세스퀴옥사이드 : 주석) 물품 (이하 ISOT - 물품, ISOT - 타겟이라함), 그 제조방법 및 이 합금 물품으로 된 플라즈마 스퍼터링용 타겟에 관한 것이다.
발명의 배경
플라즈마 스퍼터링용 ITO - 타겟 제조는 DE 4037733 A1 에 공지되어 있다. 예를 들면 터치 패널 (touch panels) 로서의 사용처럼, 플라즈마 스퍼터링에 의해 ITO 박막층이 피복된 박막 기판(film substrate)과 관련하여서는 많은 출원이 있다. 타겟들은 산소분위기에서 SnO2 미세분말과 In2O3 미세 분말의 혼합물을 가압 및 소결시켜서 만들어진다. 이렇게 얻어진 타겟은 고밀도를 갖지만, 비교적 낮은 전기전도성을 가져서 DC - 마그네트론 방전에서 저 DC 전력 밀도로만 사용될 수 있다.
발명의 목적 및 간단한 설명
본 발명의 목적은 적당한 비율의 In, Sn 및 산소로 구성되되 전기전도성이 양호한 무기공의 분말야금 합금 물품을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 주석(Sn) 이 산화물 형태가 아닌 금속 상태로 In2O3 분말에 첨가되고 이러한 Sn의 금속 상태가 무기공 합금 물품의 제조 공정 전체 과정에서 크게 유지될 수 있다면 저전도성의 단점은 극복될 수 있다. 여기서 "무기공" 금속 분말 합금 물품이란 In2O3 이론 밀도가 95 % 이상의 밀도를 갖는 물품을 의미한다.
본 발명의 또 다른 목적은 불활성 가스(대부분의 경우 Ar)에 반응성 산소 가스의 첨가가 생략 또는 급감될 수 있도록 플라즈마 스퍼터링 공정 및 장치에서 타겟으로 상기 합금 물품을 이용하는 것이다. 이것은 스퍼터링 공정 제어를 상당히 단순화시킨다. 이처럼 본 발명은 타겟이 적어도 90 % Ar 과 나머지는 산소 가스의 화학양론비로 구성된 분위기에서 스퍼터링에 사용되어 기판에 ITO 조성물을 증착시키는 플라즈마 스퍼터링 공정, 특히 연속 공정 및 장치에 관한 것이다. 기판은 세장형 물체(elongated object), 예를 들면 와이어, 필라멘트, 코드, 방사(yarn), 스트립, 봉, 관이나 프로필(profile), 또는 평행 배열된 일련의 이들 물체일 수 있다. 또한, 기판은 호일, 필름, 웨브, 직포, 부직포, 편성포나 브레이디드 직물(braided fabric), 판 또는 시트 같은 평판 형태의 물체일 수 있다. ITO 조성물로 피복될 기판의 형상에 따라 타겟은 판상 또는 관상을 가질 수 있다.
상기 목적들은 소량의 Sn 분말 및 다량의 In2O3 분말로 시작하되,
- 공정 제어제(process controlling agent) 존재 하에 기계적인 합금 공정으로 두 상이한 분말의 혼합 및 밀링에 의해 In2O3 분말 표면에 Sn 분말을 균일 분포시킨 후 고정시켜서 기계적으로 합금된 분말을 형성시키는 단계와,
- 이 합금된 분말을 고온에서 압밀 성형(compacting)하여서 합금 물품을 형성하는 단계를 포함하는, 무기공의 합금 물품을 분말야금학적으로 제조하는 방법에 의해 달성된다.
혼합 및 밀링 작업은 분말에 가소성 혼련 효과(plastic Kneading effect)를 준다. 편의상 본 발명방법으로 얻어진 무기공 분말합금 및 얻어진 물품은 계속 ISOT - 분말 합금 또는 ISOT - 물품으로 호칭될 것이다.
원료인 In2O3 및 Sn 분말은 상당히 다양한 분말 입자 크기를 가질 수 있다. In2O3 분말은 In(OH)3를 로스팅(roasting)한 후 원하는 입자 크기로 파쇄시켜서 얻어지므로 입자들은 다소 불규칙 형상 및 박편 모양의 입자로 된다. 각 In2O3 분말입자의 평균부피는 각 Sn 분말입자의 것 보다 큰 것이 바람직하다. 합금 물품 중 총 Sn 양은 3 - 25 wt % 사이, 바람직하게는 8 - 15 wt % 사이이며 최종 성형 후 밀도는 조성물 이론 밀도의 적어도 97 % 가 바람직하다. 어쨌든 금속분말합금 물품의 질량밀도 또는 비중은 적어도 6.8 g/㎤ 가 바람직하다. 결과적으로 합금 물품은 바람직하게는 1 m ohm cm 보다 작은 전기 저항을 갖는다.
합금 물품 제조 방법은 상이한 분말의 혼합 및 밀링으로 시작한다. 이것은 상온에서 수행되는 것이 바람직하다. 혼합 및 밀링을 위한 몇몇 방법이 가능하며 후술될 것이다. 바람직한 일 방법은 공정제어제로 에탄올 존재 하에 애트리터 (attritor), 유성형 밀 또는 다른 고에너지 밀에서의 혼합 및 밀링 작업으로 구성된다. 그러나 상이한 분말이 상기와 같은 최종 혼합 및 밀링 단계 전에 종래 방식으로 혼합될 수 있다.
In2O3 분말은 친수성이므로, 쉽게 In(OH)3 또는 양자의 중간 조성물로 전환된다. 후에 고온에서의 압밀 및 성형 단계 중 이들 조성물은 다시 H20 및 H2 가스를 방출한다. 이들 가스형성은 혼합물 내 Sn 상에 의해 촉매 작용을 받게 된다. 이 현상은 가스가 압분체에 포집되어서 충분한 밀도의 합금 물품 형성을 방해하므로 적당한 압밀을 방해한다. 따라서 분말에 대한 물이나 수소의 흡수는 회피되거나 분말에 결합 또는 분말로부터 해리된 수소 또는 물은 압밀 및 공고화전에 제거되어야 한다. 분말, 바람직하게는 합금분말의 탈가스 작업은 압밀 및 공고화전에 모든 H20, 하이드록사이드 및 H2 제거를 위해 필요하다. 이 탈가스 작업이 초기 분말에 대해 수행되면, 다음 단계들은 H2, H20 및 02 가 없는 분위기에서 실행된다. 탈가스 작업은 불활성 가스에서 수행되며, 불활성 가스로는 Ar 및 N2 가 적당하다. 원칙적으로 탈가스 작업은 후속의 고온에서 하는 압밀의 온도 보다 약간 높은 온도에서 수행된다. 탈가스 후 합금분말은 보호분위기, 예를 들면 N2 나 Ar 하에서 냉각되어 불활성 가스 하에 용기에 저장된다.
본 발명의 또 다른 면에 따르면, 후속의 압밀 성형 공정은 HIP(Hot Isostatic Pressing) 공정과 조합된 CIP(Cold Isostatic Pressing) 공정으로 구성되는 것이 바람직하다. 금속합금 물품은 원하는 임의의 형상을 할 수 있다. 특히 스퍼터링 장치의 타겟용의 경우, 합금 물품은 일반적으로 판(판상 타겟) 또는 관(예를 들면, 회전형 타겟) 형상을 가질 것이다. 조합된 CIP - HIP 공정에 의한 성형공정도중 상기 합금분말은 일반적으로 다른 재료의 지지구조물상에 고정될 것이다. 판 또는 관은 상기 다른 물질로 일면이 피복된다. ITO 조성물의 플라즈마 스퍼터링을 위한 타겟으로 분말야금학적으로 제조된 합금 물품을 사용할 때 상기 다른 물질은 물론 타겟의 스퍼터링 측의 반대쪽에 위치된다. 바람직한 실시예에서, 지지물질은 Ni 로 피복되고 다시 ITO 조성물과 접하는 Ti 층으로 피복된 스테인레스 강부재이다.
세장형 물체 피복 시, 공정 실행 장치는 상기 다른 물질의 지지 관 내측에 고정된 정지형 관상 구조물 형태의 타겟으로 구성된다. 이 관상 구조물은 종래의 자석 어레이, Ar, 냉각수 전원 등의 공급 수단을 또한 포함하는 스퍼터링 장치에 설치된다. 판상 물체 피복 시, 장치는 상기 다른 물질의 지지관 외측에 고정되는 회전형 관상 구조물 형태로 된 적어도 하나의 타겟을 포함한다. 이 다른 물질은 금속이며 상기와 같은 타겟 배열은 WO 95/08438 호에 공지되어 있다.
일부 실시예의 상세한 설명 ; 구체예들
본 발명이 플라즈마 스퍼터링용 회전형 ITO - 타겟으로 사용가능한 일부 실시예를 참조하여 상세히 설명될 것이다. 이에 의해 또 다른 장점들이 명백해질 것이다.
분말야금학적으로 제조된 무기공의 합금 물품 제조의 제 1 단계는 In203 분말 배치(batch)에 소량으로 첨가되는 Sn 분말을 균일 분포시키는 것이다. 예를 들면, 투명 전도체(ITO 코팅) 증착용 화학조성을 갖는 타겟물질을 얻으려면, 원료 분말은 고순도 (적어도 99.9 %, 바람직하게는 99.99 % )가 선택되어야 한다. 혼합은 상온에서 다양한 조건 및 장치에서 행해질 수 있다. 예를 들면 혼합은 혼합 효율 제고를 위해 동석(凍石 ; steatite) 볼(직경 6mm, 분말 100 g 당 볼 100 g)을 사용하는 3 차원 관상 - 밀에서 수행될 수 있다. 혼합은 비교적 저속의 관(예를 들면 70 rpm) 에서 2 시간 행해진다. 또한 혼합은 2 차원 볼 밀에서 수행될 수 있다.
합금분말을 얻기 위해 Sn 분말은 기계적 합금화 작업으로 In203 분말 표면에 고정되는 것이 바람직하다. 다량의 연질 분말을 소량의 경질 분말과 결합시키는 이런 작업은 공지되어 있다. 이 경우 경질 입자들은 연질 입자에 기계적으로 압입된다. 그러나, 본 발명의 상황은 반대다. 균일한 분포를 얻기 위해 소량의 연질 Sn 분말은 비교적 경질인 In203 입자 표면에 균일 분포되는 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면, 이는 공정 제어제로 에탄올과 같은 알콜 존재 하에 4 - 7 mm 직경의 크롬 볼을 갖는 애트리터 또는 유성형 밀에서 상온에서 수행된다. 애트리터 사용시, 혼합은 공기 또는 불활성 분위기에서 약 1 시간 동안 적당한 속도(예를 들면, 약 150 rpm) 로 수행될 수 있다. 균일 분포성은 애트리터에서의 기계적 합금화가, 예를 들면 전술한 관상 밀 혼합 공정에서 제조되는 것처럼, 예비 혼합된 분말에 대해 수행될 때 향상된다. 그러나 예비 혼합 단계는 기계적 혼합단계가 약간 변형되면 생략될 수 있다.
전술한 이유로, 합금된 분말의 열에 의한 탈가스 작업은 매우 바람직하다. 초기 분말이 탈가스화되고 후속의 혼합 및 기계적 합금화와 모울딩 프레스로의 공급이 보호 분위기(N2, Ar) 또는 진공에서 수행되면 열에 의한 탈가스 작업은 생략될 수 있다. 그러나 진공 또는 불활성 가스에서의 공정은 매우 비실제적이다. 열에 의한 탈가스 작업을 위해 합금된 분말은 캐리어에 확포되어 순수한 보호가스 분위기 (바람직하게는 4N - 5N 의 순수한 N2 또는 Ar) 하에서 수시간 동안 노에서 가열될 수 있다. 탈가스화된 분말은 보호분위기에서 상온으로 냉각되며 다시 동일한 불활성 가스하에서, 바람직하게는 과압(overpressure)으로 용기에 저장된다.
다른 방법으로는, 큰 입자 (최소입자 크기는 20 μm) 의 In203 분말이 먼저 얇은 Sn 층으로 피복될 수 있다. 탈가스화는 Sn 보호층이 In (0H)3 로의 복귀를 억제하므로 그 중요성이 감소하게 된다. 이때 기계적 합금화 단계는 이 경우 생략될 수 있다.
탈가스화된 분말을 원하는 형상과 전도도를 갖는 무기공의 합금화된 ISOT 물품으로 변환시키는 목적을 위한 최종의 압밀 성형 단계를 ITO 층의 플라즈마 스퍼터링용 관상 타겟 제조와 관련하여 설명한다. 먼저 지지 관이 외측 캔 내에 동심원상으로 고정되며 그에 용접된다. 이 지지관은 시판의 티타늄 (미국, 마이애미 48335, 파밍튼 힐즈소재 TIC0 TITANIUM , Inc. 에 의해 공급됨) 또는 미리코팅된 시판의 스테인레스 강( AISI 304 ) 중 어느 하나일 수 있다. 위와 같이 미리코팅된 부분은 약 50 - 150 ㎛ 의 전해 Ni 코팅 및 뒤이은 플레임 또는 플라즈마 분사 Ti 코팅(약 80 - 200 ㎛ 두께)으로 구성된다. Ni 코팅은 플레임 또는 플라즈마 분사(두께 50 - 200 ㎛)에 의해 증착될 수도 있다. 외측의 캔 관은 시판의 탄소강 (예를 들면, St 35 또는 St 37 또는 이와동등물) 이어야 하며, 이는 양극 처리 단계가 뒤따르는 전해 알루미나이징 또는 분사기술에 의해 내측 벽에 Al2O3가 피복되어야 한다. 또한, 대안으로서 양극 처리된 Al 포일이 강관 내면에 고정될 수 있다. 이 포일은 약 0.4 mm 두께로 조명 업계(lighting industry)에서 만들어진다. 그러나 이런 포일을 위한 양극 처리 공정은 변경되어야 한다 : 광택이 전연 불요하므로 Al203 층 내에 유기화합물의 혼입은 피해져야 하며 이는 문제가 없다. 지지 관과 외측 캔 관의 단부 부분들은 관상의 내측 공간을 얻도록 서로 용접(기밀) 된다. 다른 단부 부분은 관상의 내측 공간을 제공하도록 적당한 단부 캡으로 밀봉된다.
이 공간은 진공화되고 뒤이어 바람직하게는 적어도 1000 기압에서 등상(isostatic) 가압을 위해 합금화된 IOST 분말에 의해 종래방식으로 충전된다. 이 캔은 탈가스 효과를 개선하기 위해 합금분말로 충전되기전 가열되는 것이 바람직하다. CIP - HIP 조합공정은 이렇게 시작되어 후술되는 특성을 갖는다. CIP 공정 단계에서 관 구조물의 내외측 공간은 상온에서 1000 - 4000 기압사이로 등방 가압되어 적어도 2 시간 유지된다. 후속의 HIP 공정단계에서 온도는 500 ℃ 로 상승되고 압력은 2000 기압으로 변하며 관상 구조물은 약 4 시간동안 이 상태를 유지한다. 이후 압력과 온도는 수시간의 제어 냉각기를 통해 분위기 조건으로 복귀된다.
이후 외측 캔 관은 세심한 기계가공으로 제거되어 관상의 ISOT 타겟을 유지하고 이 관상의 ISOT 타겟은 관상 지지물 외측에 고정 유지된다. 변형예로서, 기계가공은 0.5 - 1mm 두께의 외측 캔 관이 남을 때까지 행해진다. 그 후 남아있는 강(Al/Al203 또는 Al203 가 피복됨)은 화학 또는 전기 화학적으로 제거된다. 또는, 외측 캔 관의 남아있는 부분은 적당한 자석 어레이를 갖는 DC - 마그네트론에서 스퍼터링 에칭으로 제거될 수 있다. 적층 스테인레스강/Ni - Ti /ISOT 벽의 총 두께는 6 - 25 mm 이다. ISOT 타겟층 두께는 약 3 - 7 mm 이다. 초기 분말 혼합물 내 17 wt/% Sn의 경우, 상기 공정은 최소 95 % 의 ISOT 타겟 밀도, 적어도 6.8 g/cm3 의 비중 및 약 1 m ohm cm 의 전기 저항을 갖는 ISOT 재료를 얻게된다. 초기 분말 혼합물 내 10 wt % Sn 분말량의 경우, 상기 공정은 약 98 % 의 ISOT 타겟 밀도, 7 g/㎤ 의 비중이 된다. CIP/HIP 공정에 의해 계면에서의 ISOT 물질 내로의 Ti(또는 Ti/Ni 계면층으로의 Sn)가 과도하게 확산되지는 않는다. 상호 확산된 중간 층은 약 수 μm 의 두께만을 갖는다. HIP 공정 중 Ni 층은 AISI 304 지지층에 화학적으로 결합된다. 역시 Ni 및 Ti 층, 및 ISOT 조성물의 Sn 과 Ti 사이의 강력한 합금 결합이 HIP 공정 중에 생긴다. 이렇게 하여 스테인레스 강 (19μm/mk) - Ni (13.3 μm/mK) - Ti 99 % (8.9 μm/mK) - ISOT (7.2 μm/mK) 사이에서 열팽창 계수가 점차적으로 변화한다.
또 다른 CIP/HIP 공정으로, 압력은 상온에서 예를 들면 2000 기압까지 올라갈 수 있으며 2 시간 유지 후 온도는 500 ℃ 로 증가되며 등상 HIP 압력은 4000 기압까지 변한다. 또 다른 바람직한 실시예에서, 탈가스화된 분말은 수시간 동안 약 3700 기압에서 Ti - 또는 미리코팅된 AISI 304 -지지 관(전술되어 있음)에 대해 고무 모울드에서 등상 가압 (CIP) 되어 약 55 % 밀도에 도달한다. 고무 모울드 제거 후 금속 형태의 외측 캔이 부착되며 압밀 성형된 합금이 HIP 로(furnace)로 도입되어서 4 시간 동안 500 ℃ 로 가열된다. 또한 혼합된 분말이 이미 CIP 공정 중 상당히 고체화되었기 때문에 HIP 공정은 외측 캔 사용 없이 실행될 수 있다.
미리코팅된 AISI 304 또는 Ti 지지 층을 갖는 관상 타겟은 예를 들면 23 - 200 μm 의 두께를 갖는 투명 폴리에스테르 막상에 연속 ITO 코팅 층 증착을 위해 종래 DC 플라즈마 스퍼터링 장치에서 회전 캐소드로 배열될 수 있다. 타겟 재료의 뛰어난 전도성으로 인하여, DC 마그네트론 스퍼터링 공정은 레이스 트랙(race track)에서 예를 들면 10 - 15 W/cm2 의 고전력 밀도로 실행될 수 있다. 산소 함유 Ar 에서의 In/Sn 타겟의 반응성 스퍼터링은 상대적으로 느리며 (In/Sn 타겟의 용융을 피하기 위해 7.0 W/cm2 레이스 트랙에서 전력밀도의 전력상한 때문임), 제어 상태를 유지하는 것이 어렵다는 것이 알려져 있기 때문에 이는 큰 장점이다. 박막의 기판 상의 ITO 층 두께는 0.02 - 0.20 μm 범위이다. ITO 층 증착 전 또는 후에, 물론 다른 재료가 기판에 피복될 수 있다.
Claims (26)
- 소량의 Sn 분말 및 다량의 In203 분말로 시작하되,공정 제어제(process controlling agent) 존재 하에서 기계적 합금 공정으로 상기 두 분말을 혼합 및 밀링함으로써 In2O3 분말의 표면에 Sn 분말을 균일하게 분포시킨 후 고정하여 기계적으로 합금된 분말을 형성하는 단계와,이러한 합금 분말을 고온에서 압밀 성형(compacting)하여 무기공(pore-free)분말야금 합금 물품을 형성하는 단계를 포함하는.무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,평균적으로 각 In203 분말의 부피가 각 Sn 분말의 부피보다 큰, 무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,혼합 및 밀링이 상온에서 수행되는,무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 두 분말이 애트리터(attritor) 또는 유성형 밀(planetary mill) 내에서 혼합 및 밀링되는,무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 1 항 또는 4 항에 있어서,상기 두 분말이 상기 혼합 및 밀링 단계를 받기 이전에 통상적인 방식으로 혼합 처리를 받는,무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,탈가스 작업(degassing)이 압밀 성형 및 고체화 단계 이전에 수행되는,무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,탈가스 작업이 초기 분말들에 대해 실행되며, 이로써, 상기 나머지 단계가 H2,H20 및 02 가 없는 분위기에서 수행되는,무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 6 항 또는 7 항에 있어서,탈가스 작업이 합금된 분말에 대해 실행되는,무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 압밀 성형단계는 HIP(hot isostatic press) 공정과 조합된 CIP(cold isostatic press) 공정을 포함하는,무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 압밀 성형 단계의 압력은 1000 기압 이상인,무기공 분말야금 합금 물품의 제조방법.
- 제 1 항에 따른 방법으로 얻어진 합금 물품에 있어서,상기 합금 물품 중의 Sn 의 양이 3 - 25 wt % 이고,상기 합금 물품의 밀도는 97 % 이상인,합금 물품.
- 제 11 항에 있어서,Sn 의 양이 8 - 15 wt % 인,합금 물품.
- 제 11 항 또는 12 항에 있어서,합금 물품의 비중이 6.8 g/cm3 이상인,합금 물품.
- 제 11 항 또는 12 항에 있어서,합금 물품의 전기 저항이 1 m ohm cm 보다 작은,합금 물품.
- 제 11 항에 있어서,합금 물품이 판 또는 관상 형태로 된,합금 물품.
- 제 15 항에 있어서,판 또는 관의 한 표면이 다른 물질로 피복된,합금 물품.
- 제 16 항의 합금물품으로 된 ITO 조성물의 플라즈마 스퍼터링용 타겟으로서,상기 다른 물질이 타겟을 위한 지지물질이며 타겟의 스퍼터링 측의 대향측에 위치된, 플라즈마 스퍼터링용 타겟.
- 제 17 항에 있어서,지지물질이 Ni 피복되고 다시 ITO 조성물과 접하는 Ti 층으로 피복된 스테인레스 강부재로 된, 플라즈마 스퍼터링용 타겟.
- 제 17 항에 있어서,지지물질이 티타늄 부재로 된, 플라즈마 스퍼터링용 타겟.
- 제 17 항에 따른 타겟이 90 % 이상의 Ar 과 나머지는 산소로 된 화학양론비의 분위기에서 스퍼터링 증착되는, 기판에 ITO 조성물을 증착시키는 연속 플라즈마 스퍼터링 방법.
- 제 20 항에 있어서,기판이 세장형 물체(an elongated object)인,연속 플라즈마 스퍼터링 방법.
- 제 20 항에 있어서,기판이 평판 물체(a planar object)인,연속 플라즈마 스퍼터링 방법.
- 제 20 항에 따른 방법을 수행하는 장치로서,타겟이 평판 구조를 갖는,연속 플라즈마 스퍼터링 장치.
- 제 21 항에 따른 방법을 수행하는 장치로서,타겟이 상기 다른 물질의 지지 관 내측에 고정된 정지형 관상 구조물 형태인,연속 플라즈마 스퍼터링 장치.
- 제 22 항에 따른 방법을 수행하는 장치로서,타겟이 상기 다른 물질의 지지 관 외측에 고정된 회전형 관상 구조물 형태인,연속 플라즈마 스퍼터링 장치.
- 외측 캔 내에 동심원상으로 지지 관을 고정시키고 용접시켜서 관상 공간(tubular space)을 제공하는 단계와,공간을 진공화하는 단계와,진공화된 공간 내부에 기계적으로 합금된 ISOT 분말로 충전하는 단계와,고온에서 분말을 압밀 성형하는 단계와,외측 캔을 제거하는 단계를 포함하고,외측 캔은 그 내부 벽이 Al2O3 로 피복된 탄소강 관인,ITO 관상 타겟 제조 방법.
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