JPH02115326A - 良導電性インジウムースズ酸化物焼結体の製造法 - Google Patents
良導電性インジウムースズ酸化物焼結体の製造法Info
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- JPH02115326A JPH02115326A JP26581888A JP26581888A JPH02115326A JP H02115326 A JPH02115326 A JP H02115326A JP 26581888 A JP26581888 A JP 26581888A JP 26581888 A JP26581888 A JP 26581888A JP H02115326 A JPH02115326 A JP H02115326A
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- tin oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、４電性にすぐれたインジウム−スズ酸化＠
（以下、ＩＴＯという）焼結体に関するものであシ、上
記ＩＴＯ焼結体は、液晶表示素子等の透ＢＡ尋′ＩＩＬ
換作製のだめの真空蒸溜用タブレットまたはスパッタリ
ング用ターゲットなどに用いられる。
（以下、ＩＴＯという）焼結体に関するものであシ、上
記ＩＴＯ焼結体は、液晶表示素子等の透ＢＡ尋′ＩＩＬ
換作製のだめの真空蒸溜用タブレットまたはスパッタリ
ング用ターゲットなどに用いられる。
従来、：ａ明２ｓ篭農作裂のためのＩＴＯ焼結体の製造
法として。
法として。
（１） Ｉ Ｚ１２０５粉末とＳｎＯ２粉末の混合粉
末を一軸プレスあるいは静水圧ブレスして成形した後に
常圧焼結または真空ホットプレスする方法（特開昭６１
−１３６９５４号公報参照）。
末を一軸プレスあるいは静水圧ブレスして成形した後に
常圧焼結または真空ホットプレスする方法（特開昭６１
−１３６９５４号公報参照）。
（２） Ｉｎ２Ｏ５粉末と８ｎ０２粉末の混合粉末を
大気中で焼成した後、−軸プレスあるいは静水圧プレス
して成形し、ついで常圧焼結または真空ホットプレスす
る方法（特開昭６２−２１’７５１号公報および特開昭
６２−２１１５２号公報参照）。
大気中で焼成した後、−軸プレスあるいは静水圧プレス
して成形し、ついで常圧焼結または真空ホットプレスす
る方法（特開昭６２−２１’７５１号公報および特開昭
６２−２１１５２号公報参照）。
が知られている。
ところが上記従来の技術（１）および（２）の方法によ
って作製されたＩＴＯ焼結体は電気抵抗が高く。
って作製されたＩＴＯ焼結体は電気抵抗が高く。
安価な直流スパッタリング装置のターゲットとして用い
た場合、低パワーでのスパッタリングは可能であるけれ
ども、生産性向上のために高パワーに負荷するとターゲ
ットが急速加熱されて割れてしまい、さらに異常放電が
生じるという問題点があった。
た場合、低パワーでのスパッタリングは可能であるけれ
ども、生産性向上のために高パワーに負荷するとターゲ
ットが急速加熱されて割れてしまい、さらに異常放電が
生じるという問題点があった。
そこで１本発明者等は、１１！流スパツタリング装置の
ターゲットとしても使用可能な導電性に優れたＩＴＯ焼
結体を製造すべく研究を行った結果。
ターゲットとしても使用可能な導電性に優れたＩＴＯ焼
結体を製造すべく研究を行った結果。
Ｉｎ２Ｏ５粉末に金属８ｎ粉末を混合し、この混合粉末
を非酸化性雰囲気下で焼成してＩｎ−ａｎ−０系酸化物
固溶体を作製し、仁のＩｎ−ａｎ−０系酸化物固溶体を
粉砕して得られたＩｎ−８ｎ−０系酸化物固溶体粉末を
、非酸化性雰囲気の下でホットプレスするか、または、
成形後非酸化性雰囲気下で焼結することによりＩＴＯ焼
結体を作製すると、得られ丸上記ＩＴＯ焼結体は、良導
電性を示し、直流スフツタリング装置のターゲットとし
ても使用可能であるという知見を得たのである。
を非酸化性雰囲気下で焼成してＩｎ−ａｎ−０系酸化物
固溶体を作製し、仁のＩｎ−ａｎ−０系酸化物固溶体を
粉砕して得られたＩｎ−８ｎ−０系酸化物固溶体粉末を
、非酸化性雰囲気の下でホットプレスするか、または、
成形後非酸化性雰囲気下で焼結することによりＩＴＯ焼
結体を作製すると、得られ丸上記ＩＴＯ焼結体は、良導
電性を示し、直流スフツタリング装置のターゲットとし
ても使用可能であるという知見を得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って。
って。
Ｉ ｎ２０５粉末に金属８ｎ粉末を混合して非酸化性雰
囲気中で焼成し、Ｉｎ−ａｎ−０系酸化物固溶体を作製
する工程。
囲気中で焼成し、Ｉｎ−ａｎ−０系酸化物固溶体を作製
する工程。
上記Ｉｎ−８ｎ−０系酸化物固溶体を粉砕して得られた
粉末を非酸化性雰囲気下でホットプレスするかまたけ成
形後非酸化性雰囲気下で焼結する工程からなる良導電性
インジウムースズ酸化物焼結体の製造法に特徴を有する
ものである。
粉末を非酸化性雰囲気下でホットプレスするかまたけ成
形後非酸化性雰囲気下で焼結する工程からなる良導電性
インジウムースズ酸化物焼結体の製造法に特徴を有する
ものである。
上記非酸化性雰囲気は、還元性雰囲気、不活性ガス雰囲
気または真空雰囲気のうちのいずれでもよいが、特に還
元性雰囲気が好ましい。
気または真空雰囲気のうちのいずれでもよいが、特に還
元性雰囲気が好ましい。
上記Ｉｎ２Ｏ５粉末に加える金属８嘲末は、°合量で３
〜１５重１％でるり、 Ｉｎ２０ｇ粉末に対ルて比較
的少輩でるるから、Ｉｎ２０Ｂ粉末と金［Ｓｎ粉末の混
合粉末を非酸化性雰囲気で焼成して得られたＩｎ−３ｎ
−０系酸化物固溶体は簡単に解砕または粉砕して微粉末
とすることができる。
〜１５重１％でるり、 Ｉｎ２０ｇ粉末に対ルて比較
的少輩でるるから、Ｉｎ２０Ｂ粉末と金［Ｓｎ粉末の混
合粉末を非酸化性雰囲気で焼成して得られたＩｎ−３ｎ
−０系酸化物固溶体は簡単に解砕または粉砕して微粉末
とすることができる。
この発明によシ得られたインジウム−スズ酸化物＃ｔ、
＠体が良導電性を示すのは、久のような理由によるもの
と考えられる。
＠体が良導電性を示すのは、久のような理由によるもの
と考えられる。
一般に、Ｉｎ−８ｎ−０系酸化物固溶体のような酸化物
固溶体の専１率は、原子窒孔量に比例することはよく知
られているところである。
固溶体の専１率は、原子窒孔量に比例することはよく知
られているところである。
この発明の製造法により、 Ｉｎ２Ｏ３粉禾と金属Ｓ
ｎ粉末の混合粉末を非酸化性雰囲気（好ましくは。
ｎ粉末の混合粉末を非酸化性雰囲気（好ましくは。
還元性雰囲気）において焼成すると、Ｉｎ−ａｎ−０系
酸化物固溶体が形成され、 ５ｎ０２よりも反応性に富
んだ金７１ｇ８ｎを用いて非酸化性雰囲気中で焼成する
ことＫより、＊素が不足し上記Ｉｎ−８ｎ−０系酸化物
固溶体に含まれる酸素原子空孔量が大゛巾に増大し、し
たがって、すぐれた導電性を示すものと考えられる。こ
れに対し、従来の方法にょシ作製されたものはｓ ”
２０Ｂ粉末と５ｎ０２扮末の混合粉末を大気中で焼成し
たのち焼結するか、または大気中でホットプレスするた
めに、Ｉｎ−８ｎ−０系酸化物固溶体は生成するが、酸
化性雰囲気で行なわれるために酸素原子空孔の生成量は
少なく、シたがって導電性が劣るものと考えられる。
酸化物固溶体が形成され、 ５ｎ０２よりも反応性に富
んだ金７１ｇ８ｎを用いて非酸化性雰囲気中で焼成する
ことＫより、＊素が不足し上記Ｉｎ−８ｎ−０系酸化物
固溶体に含まれる酸素原子空孔量が大゛巾に増大し、し
たがって、すぐれた導電性を示すものと考えられる。こ
れに対し、従来の方法にょシ作製されたものはｓ ”
２０Ｂ粉末と５ｎ０２扮末の混合粉末を大気中で焼成し
たのち焼結するか、または大気中でホットプレスするた
めに、Ｉｎ−８ｎ−０系酸化物固溶体は生成するが、酸
化性雰囲気で行なわれるために酸素原子空孔の生成量は
少なく、シたがって導電性が劣るものと考えられる。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的にａ５！
、明する。
、明する。
平均粒径：３μ厘のＩｎ２０Ｂ粉末に平均粒径：よ５２
票の金属８ｎ粉末を合量で３．９１１を囁加えて、ボー
ルきルにより２時間後合し、混合粉末を作製した。
票の金属８ｎ粉末を合量で３．９１１を囁加えて、ボー
ルきルにより２時間後合し、混合粉末を作製した。
実施例１
上記混合粉末を、温度二５００℃、水素＝１０容１＊の
水素と窒素の混合雰囲気中２時間保持の条件で焼成し、
Ｉｎ−ａｎ−０系酸化物固溶体を作表した。この時の酸
素含有鼠は１６．０重量％であった。この焼成粉末をボ
ールミルにより６時間粉砕し、平均粒径：５μ風のＩｎ
−８ｎ−０系酸化物固溶体扮床を作製し、この粉末を用
いて、温度＝９５０℃、アルゴン雰囲気中、プレス圧カ
ニ１５０に１ｉ＋／６ＩＬ２の条件でホットプレスし、
直径：１２５ｓａａＸ厚さ二１０ａｉ＋焼結体を作製し
た。
水素と窒素の混合雰囲気中２時間保持の条件で焼成し、
Ｉｎ−ａｎ−０系酸化物固溶体を作表した。この時の酸
素含有鼠は１６．０重量％であった。この焼成粉末をボ
ールミルにより６時間粉砕し、平均粒径：５μ風のＩｎ
−８ｎ−０系酸化物固溶体扮床を作製し、この粉末を用
いて、温度＝９５０℃、アルゴン雰囲気中、プレス圧カ
ニ１５０に１ｉ＋／６ＩＬ２の条件でホットプレスし、
直径：１２５ｓａａＸ厚さ二１０ａｉ＋焼結体を作製し
た。
このよりにして得られた焼結体の密度および電気抵抗値
ヲー１１定したところ。
ヲー１１定したところ。
ｍ 度 ＝ ６． ６ ｊ／ ７ｃｍ３ 。
電気抵抗値二〇、フ×ｌＯＱ−ｃ！ｎ。
でめった。
実施例２
上記混合粉末を、温度：１ＯＯＯ℃、真空度＝ｌ Ｘ
Ｉ ＯＴｏｒｒの真壁中、２時間保持の条件で焼成し、
Ｉｎ−８ｎ−○系酸化物固溶体を作製した。この時の酸
素含有量は１６．６重ｆ［ｓであった。
Ｉ ＯＴｏｒｒの真壁中、２時間保持の条件で焼成し、
Ｉｎ−８ｎ−○系酸化物固溶体を作製した。この時の酸
素含有量は１６．６重ｆ［ｓであった。
このｍ成して得られたＩｎ−ａｎ−０系酸化物固溶体を
ボールミルによシロ時間粉砕し、平均粒径：５μ諷のＩ
ｎ−８ｎ−０系酸化物固溶体粉末とし、この酸化物固溶
体粉末を温度：９５０℃、真空度二ｌ ｘ ｌ ＯＴｏ
ｒｒの真空中、プレス圧カニ１５０に９／ｃＩＬ２の条
件下でホットプレスし、直径：１２５騙Ｘ淳さ二１０５
ｃｍの焼結体を作製した。
ボールミルによシロ時間粉砕し、平均粒径：５μ諷のＩ
ｎ−８ｎ−０系酸化物固溶体粉末とし、この酸化物固溶
体粉末を温度：９５０℃、真空度二ｌ ｘ ｌ ＯＴｏ
ｒｒの真空中、プレス圧カニ１５０に９／ｃＩＬ２の条
件下でホットプレスし、直径：１２５騙Ｘ淳さ二１０５
ｃｍの焼結体を作製した。
このようにして得られた焼結体は、黒味かがった實色を
呈しており。
呈しており。
密度： ６．５ Ｊ／ ／ｃｍ’
電気抵抗値： １．０Ｘｌｏ Ｑ−ｃｒｔｔ。
であつ死。
実施例３
上記混合粉末を、温度：９００℃、 Ａ、ｒガス雰囲気
中、１．０時間保持の条件で焼成し、Ｉｎ−３＋１−０
系酸化物固溶体を作製した。この時の酸素含南放は１１
６．８重量−であった。
中、１．０時間保持の条件で焼成し、Ｉｎ−３＋１−０
系酸化物固溶体を作製した。この時の酸素含南放は１１
６．８重量−であった。
この条件で焼成して得られたＩｎ−８ｎ−０系酸化物固
溶体をボールミルにより６時間粉砕し、平均粒径：５μ
虱のＩｎ−ａｎ−０系酸化物固溶体粉末を作製した。こ
の酸化物固溶体粉末をプレス成形して直径：３０１１Ｘ
厚さ二５Ｂの圧粉体とし、この圧粉体を温度：１０００
’Ｃ，Ａｒガス雰囲気中、５時間保持の条°件で焼結し
て直径：２５ｍＸ厚さ＝４、ＩＢの焼結体を作製した。
溶体をボールミルにより６時間粉砕し、平均粒径：５μ
虱のＩｎ−ａｎ−０系酸化物固溶体粉末を作製した。こ
の酸化物固溶体粉末をプレス成形して直径：３０１１Ｘ
厚さ二５Ｂの圧粉体とし、この圧粉体を温度：１０００
’Ｃ，Ａｒガス雰囲気中、５時間保持の条°件で焼結し
て直径：２５ｍＸ厚さ＝４、ＩＢの焼結体を作製した。
ついでこの焼結体の密度および電気抵抗値を測定したと
ころ。
ころ。
密度： ６．３１／ｃＩ！Ｌ３＋
電気抵抗値：ｌ−５Ｘ１０ Ｑ−ｃａ。
でめった。
上記実施例１〜３で作製した焼結体を、直流スパッタリ
ング装置のターゲットとしてセットし。
ング装置のターゲットとしてセットし。
スパッタ出カニ １． ＯＡ／ ５００Ｖの高パワー負
荷で２４時間の連続運転を行なったが、ターゲットにク
ラックは認められず、Ｊ４常放電も発生しなかった。
荷で２４時間の連続運転を行なったが、ターゲットにク
ラックは認められず、Ｊ４常放電も発生しなかった。
この発明によシ得られた焼結体は、導電性にすぐれてい
るので、安価な直流スパッタリング装置のターゲットと
して使用し、＾パワー負荷操業をすることができ、その
ため生産性を大巾に向上することかできるという産業上
すぐれた効果がある。
るので、安価な直流スパッタリング装置のターゲットと
して使用し、＾パワー負荷操業をすることができ、その
ため生産性を大巾に向上することかできるという産業上
すぐれた効果がある。
Claims (5)
- （１）酸化インジウム粉末と金属スズ粉末の混合粉末を
非酸化性雰囲気中で焼成したのち粉砕して得られた焼成
粉末を、非酸化性雰囲気中でホットプレスすることを特
徴とする良導電性インジウム−スズ酸化物焼結体の製造
法。 - （２）酸化インジウム粉末と金属スズ粉末の混合粉末を
非酸化性雰囲気中で焼成したのち粉砕して得られた焼成
粉末を、プレス成形して圧粉体とし、ついで、この圧粉
体を非酸化性雰囲気中で焼結することを特徴とする良導
電性インジウム−スズ酸化物焼結体の製造法。 - （３）上記非酸化性雰囲気は、還元性雰囲気であること
を特徴とする請求項１または２記載の良導電性インジウ
ム−スズ酸化物焼結体の製造法。 - （４）上記非酸化性雰囲気は、真空雰囲気であることを
特徴とする請求項１または２記載の良導電性インジウム
−スズ酸化物焼結体の製造法。 - （５）上記非酸化性雰囲気は、不活性ガス雰囲気である
ことを特徴とする請求項１または２記載の良導電性イン
ジウム−スズ酸化物焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265818A JP2570832B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 良導電性インジウムースズ酸化物焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265818A JP2570832B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 良導電性インジウムースズ酸化物焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02115326A true JPH02115326A (ja) | 1990-04-27 |
| JP2570832B2 JP2570832B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=17422484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63265818A Expired - Lifetime JP2570832B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 良導電性インジウムースズ酸化物焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570832B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02297813A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-12-10 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲット |
| JPH0451409A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ｉｔｏ焼結体及びその製造方法 |
| EP0694507A1 (de) * | 1994-07-29 | 1996-01-31 | W.C. Heraeus GmbH | Bauteil aus Indium-Zinn-Oxid und Verfahren für seine Herstellung |
| WO1997008358A1 (en) * | 1995-08-31 | 1997-03-06 | Innovative Sputtering Technology | A process for manufacturing ito alloy articles |
| JP2007031786A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜 |
| JP2012144793A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ターゲット、およびこれを備えた成膜装置 |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63265818A patent/JP2570832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02297813A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-12-10 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにそれを用いたターゲット |
| JPH0451409A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ｉｔｏ焼結体及びその製造方法 |
| EP0694507A1 (de) * | 1994-07-29 | 1996-01-31 | W.C. Heraeus GmbH | Bauteil aus Indium-Zinn-Oxid und Verfahren für seine Herstellung |
| WO1997008358A1 (en) * | 1995-08-31 | 1997-03-06 | Innovative Sputtering Technology | A process for manufacturing ito alloy articles |
| AU707146B2 (en) * | 1995-08-31 | 1999-07-01 | Innovative Sputtering Technology | A process for manufacturing ITO alloy articles |
| US6123787A (en) * | 1995-08-31 | 2000-09-26 | Innovative Sputtering Technology | Process for manufacturing ITO alloy articles |
| KR100567472B1 (ko) * | 1995-08-31 | 2006-07-03 | 이노베이티브 스퍼터링 테크놀로지 | 무기공의 분말야금 합금 물품, 이의 제조 방법, 연속 플라즈마 스퍼터링 장치, 연속 플라즈마 스퍼터링 방법 및 ito 관상 타겟 제조 방법 |
| JP2007031786A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜 |
| JP4761868B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-08-31 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜 |
| JP2012144793A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ターゲット、およびこれを備えた成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2570832B2 (ja) | 1997-01-16 |
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