[go: up one dir, main page]

KR100517860B1 - 액정구동기판의 검사장치 - Google Patents

액정구동기판의 검사장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100517860B1
KR100517860B1 KR10-2002-7014628A KR20027014628A KR100517860B1 KR 100517860 B1 KR100517860 B1 KR 100517860B1 KR 20027014628 A KR20027014628 A KR 20027014628A KR 100517860 B1 KR100517860 B1 KR 100517860B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
defect
pixel
voltage
liquid crystal
electro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR10-2002-7014628A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030023622A (ko
Inventor
이와사키유키히로
나가사와유타카
요시모토요시카즈
Original Assignee
이시카와지마-하리마 주고교 가부시키가이샤
샤프 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이시카와지마-하리마 주고교 가부시키가이샤, 샤프 가부시키가이샤 filed Critical 이시카와지마-하리마 주고교 가부시키가이샤
Publication of KR20030023622A publication Critical patent/KR20030023622A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100517860B1 publication Critical patent/KR100517860B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254—Checking; Testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Abstract

액정구동기판의 검사정밀도를 향상시켜서 보다 정확하게 결함종류를 판정하고 또한 스루풋을 저하시키지 않는 액정구동기판의 검사장치를 제공하는 것을 목적으로 하며, 이 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 화소전극이 행렬 형태로 배치된 액정구동기판에 전기광학소자판을 대면 배치하고 화소전극에 소정 전압을 기입하여 얻어지는 전기광학소자판의 전압이미지 및 전기광학소자판의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 실제 전압을 화소전압으로서 산출하고, 해당 화소전압에 근거하여 이상 전압의 결함화소와 정상 전압의 정상 화소를 판별하는 액정구동기판의 검사장치에 있어서, 화소전압을 결함화소의 결함종류별로 설정한 문턱값과 비교하여 결함종류별로 결함후보의 화소전극을 분류하고 결함종류별 결함후보의 화소전극을 결함종류별로 마련된 판정조건에 근거하여 최종적으로 각 결함종류별 결함화소로 판정하는 화상처리장치를 구비하는 검사장치를 제공한다.

Description

액정구동기판의 검사장치{Inspection device for liquid crystal driving substrate}
본 발명은 액정표시패널에 있어서 평면상에 실링된 액정을 전계구동하는 액정구동기판의 검사장치에 관한 것이다.
주지한 바와 같이 액정표시패널은 액정에 전계를 가하는 액정구동기판에 액정이 실링된 유리판(액정판)을 대향 배치한 것이다. 이 액정표시 패널은 액정구동기판의 화소전극에 가하는 데이터 전압을 제어하여 액정에 가하는 전계를 조절하고, 이 전계조절에 의해 액정의 광투과율을 제어하여 화상을 표시하는 것이다.
이와 같은 액정표시패널용 액정구동기판은, 유리기판 위에 행렬 형태로 배치된 복수의 화소전극을 설치하여 이들 복수의 화소전극에 데이터선을 통해 데이터 전압을 공급함과 동시에 해당 데이터선과 화소전극 사이에 TFT 등의 스위칭 소자를 설치함과 동시에 해당 TFT 소자를 게이트선을 통해 공급되는 게이트 전압에 의해 제어하도록 구성되어 있다. 즉 화소전극으로의 데이터 전압의 기입은 데이터선을 통해 TFT에 공급되는 데이터 전압 및 게이트선을 통해 TFT에 공급되는 게이트 전압에 의해 제어되도록 되어 있다. 이와 같이 구성된 액정구동기판을 액정판에 근접대향 배치함으로써 실질적으로 화소전극에 인가·보존된 전압(화소전압)에 의한 전계가 액정에 작용하여 액정판 표면에 화상이 표시된다.
예컨대 이와 같은 액정구동기판의 작동을 검사하는 검사장치로서, 일본 특허 공개공보 평5-256794호 공보에 기재된 전기광학소자판(모듈레이터라 칭함)을 이용하는 것이 있다. 이 검사장치는 검사대상인 액정구동기판에 모듈레이터를 대향 배치하고, 액정구동기판의 각 화소전극에 소정 데이터 전압을 인가한 경우 화소전극으로의 전압인가 상태에 따라 다른 모듈레이터의 화상(전압 이미지)을 CCD 카메라 등의 촬영수단으로 촬영하고, 이 전압 이미지와 이미 확인되어 있는 모듈레이터의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 전압(화소전압)을 산출함으로써 각 화소전극에 정상적으로 데이터 전압이 인가되는지의 여부, 즉 데이터 전압이 정상적으로 인가되지 않은 결함화소전극이 어떻게 분포하는지에 따라 액정구동기판의 품질을 판정하는 것이다.
이와 같은 모듈레이터를 이용한 종래의 검사장치에서는 전압 이미지에서 화소전압을 산출하면 해당 화소전압을 소정의 문턱값과 비교함으로써 2치화하여 정상화소와 결함화소를 판별하고 있다. 이 경우 종래의 검사장치의 문턱값은 유일하게 1개의 문턱값을 설정하여 결함화소를 판정하고 있기 때문에 다음과 같은 문제점이 있었다.
도 14는 이 문제점을 설명하기 위한 화소전압과 문턱값의 관계를 도시한 특성도이다. 이 도면에 있어서 횡축은 화소(픽셀) 즉 화소의 배열방향의 위치를 도시하고 종축은 해당 배열방향의 각 화소의 화소전압을 도시하고 있다. 여기에서 각 화소의 화소전압은 화소에 데이터 전압을 기입하는 기구에 어떠한 이상이 발생한 경우에 그 이상의 종류에 따른 화소전압 또는 화소전압의 변화 패턴이 된다.
예컨대 결함화소의 종류(결함종류)로는 ① 오픈 선결함 ② 점결함 ③ 쇼트 선결함 등이 있다. 오픈 선결함은, 상기 데이터선 또는 게이트선의 어느 부분이 단선되어 발생하는 것으로서 연속되는 복수의 화소전극에 데이터 전압이 정상적으로 기입되지 않는 결함이다. 이와 같은 오픈선 결함의 화소전극의 화소전압(오픈 선결함부)은 도시한 바와 같이 정상화소의 화소전압에 대해 매우 낮은 값이 복수의 화소에 걸쳐 연속된다.
점결함은 단독의 화소전극에 데이터 전압이 정상적으로 기입되지 않은 상태의 것으로서, 어느 화소전극의 절연불량 또는 해당 화소전극에 설치된 TFT의 동작불량 등에 기인하여 발생하는 것이다. 이와 같은 점결함의 화소전극의 화소전압(점 결함부)은 도시한 바와 같이 정상화소의 화소전압에 대해 1개의 화소의 범위에서 낮은 값이 되고 상술한 오픈 선결함부보다 다소 높은 값이 되는 것이 일반적이다.
또한, 쇼트선 결함은 상기 데이터선 또는 게이트선이 어느 부분에서 단락되어 발생하는 것으로서, 연속하는 복수의 화소전극에 데이터 전압이 정상적으로 기입되지 않는 결함이다. 이와 같은 쇼트 선결함의 화소전극의 화소전압(쇼트 선결함부)은 도시한 바와 같이 정상화소의 화소전압에 대해 극단적인 차가 없는 값이 복수의 화소에 걸쳐 연속된다.
이와 같이 모듈레이터의 전압 이미지에서 얻어지는 화소전압은 결함 종류에 따라 다양한 값이 되는데, 결함 종류별로 어느 정도의 값이 되는지는 액정구동기판의 검사를 통해 통계적으로 구해진다. 또 정상화소에 대해서는, 여러 가지 원인에 의해 화소전압에 일정 범위 불균일이 있으며 그 화소전압은 도시한 바와 같이 쇼트선 결함부와 가까운 전압값(정상점)이 되는 경우가 있다.
종래의 검사장치에서는, 이와 같은 화소전압에 대해 1개의 문턱값을 설정하여 결함화소와 정상화소를 판별했다. 이 문턱값은 검사기준을 어느 정도로 설정하는지에 기초하여 액정구동기판의 실제 제조공정마다 결정된다. 도시한 바와 같이 예컨대 문턱값 1을 설정한 경우에는 정상점을 결함화소로 판정하게 된다. 또 이를 피하기 위해 문턱값 2를 설정한 경우에는 쇼트선 결함부를 검출할 수 없게 된다. 따라서 종래와 같이 1개의 문턱값을 설정하여 결함화소와 정상화소를 판별한 경우에는 각 결함 종류를 정확히 분류할 수 없음과 동시에 결함화소의 판정 자체도 정밀도가 떨어진다.
한편 이 종류의 검사장치에서는, 스루풋의 향상이 매우 중요한 성능요소이다. 이제까지 검사알고리즘의 연구에 의해 1개의 액정구동기판의 검사에 필요한 시간 즉 스루풋의 단축이 도모되어 왔다. 따라서 상기 문제점을 해결함에 있어서 이 점을 유의해야 한다. 상기 문제점을 해결함으로써 검사장치의 검사정밀도 향상을 달성할 수 있지만, 동시에 스루풋이 저하되지 않도록 해야 한다.
본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서 다음을 목적으로 한다.
(1) 액정구동기판의 검사정밀도의 향상을 꾀한다
(2) 보다 정확하게 결함 종류를 판정한다.
(3) 스루풋을 저하시키지 않고 액정구동기판의 검사정밀도의 향상을 꾀한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에서 검사대상이 되는 액정구동기판의 와관형태를 도시한 평면도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에서 검사대상이 되는 액정구동기판의 구성을 도시한 평면도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에서 액정구동기판의 검사장치의 기능구성을 도시한 블록도이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에서 액정구동기판의 전체적인 검사순서를 도시한 흐름도이고,
도 5는 본 발명의 일 실시예에서 액정구동기판의 전체적인 검사순서에 있어서 사이트 처리의 상세를 도시한 흐름도이고,
도 6은 본 발명의 일 실시예에서 사이트 처리에 있어서 화소전극의 화소전압의 산출방법을 설명하기 위한 모식도이고,
도 7은 본 발명의 일 실시예에서 결함 종류별 화소전압 및 결함 종류별 결함후보용 문턱값을 도시한 설명도이고,
도 8은 본 발명의 일 실시예에서 사이트 처리에 있어서 결함 종류별 분류처리결과의 일예를 도시한 표이고,
도 9는 본 발명의 일 실시예에서 사이트 처리에 있어서 결함 종류별 분류결과의 검사정보용 데이터 베이스로의 등록상태를 도시한 표이고,
도 10은 본 발명의 일 실시예에서 패널처리의 상세를 도시한 흐름도이고,
도 11은 본 발명의 일 실시예에서 패널처리에 있어서 결함화소의 추출결과의 일예을 2차원 배열 형태로 도시한 모식도이고,
도 12는 본 발명의 일 실시예에서 패널처리에 있어서 결함화소의 전압구배 산출방법을 설명하기 위한 설명도이고,
도 13은 본 발명의 일 실시예에서 선결함 및 클러스터 결함으로서 판정된 결함화소의 일예를 도시한 모식도이고,
도 14는 종래 기술에서의 결함화소의 판정방법을 설명하기 위한 설명도이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 화소전극이 행렬 형태로 배치된 액정구동기판에 전기광학소자판을 대면(對面) 배치하고 화소전극에 소정 전압을 기입하여 얻어지는 전기광학소자판의 전압이미지 및 상기 전기광학소자판의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 실제 전압을 화소전압으로서 산출하고, 해당 화소전압에 근거하여 이상 전압의 결함화소와 정상 전압의 정상화소를 판별하는 액정구동기판의 검사장치에 있어서, 화소전압을 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값과 비교하여 상기 결함 종류별로 결함후보의 화소전극을 분류하고, 해당 결함 종류별 결함 후보의 화소전극을 결함 종류별로 설치된 판정조건에 따라 최종적으로 각 결함 종류별 결함화소로 판정하는 화상처리장치를 구비하는 수단을 채용한다.
또한, 제2수단으로서, 화소전극이 행렬 형태로 배치된 액정구동기판에 해당 액정구동기판보다 작은 전기광학소자판을 대면 배치하고, 화소전극에 소정 전압을 기입한 상태에 있어서 액정구동기판의 각 소구분이 전기광학소자판과 면대향하도록 상대 위치를 각 소구분마다 차례로 이동시켜 액정구동기판의 전 영역에 걸친 전기광학소자판의 전압 이미지를 취하고, 해당 전압이미지 및 상기 전기광학소자판의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 실제 전압을 화소전압으로서 산출하고, 해당 화소전압에 근거하여 이상 전압의 결함화소와 정상 전압의 정상화소를 판별하는 액정구동기판의 검사장치에 있어서, 화소전압을 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값과 비교하여 상기 결함 종류별로 결함후보의 화소전극을 분류처리하고, 해당 결함 종류별 결함 후보의 화소전극을 결함 종류별로 마련된 판별조건에 근거하여 최종적으로 각 결함 종류별 결함화소로 판정처리함과 동시에, 상기 분류처리를 상기 각 소구분 간의 이동중에 처리하는 화상처리장치를 구비하는 수단을 채용한다.
제3수단으로서, 화소전극이 행렬 형태로 배치된 액정구동기판이 여러개 형성된 유리기판에 전기광학소자판을 대면 배치하고, 각 화소전극에 소정 전압을 기입한 상태에 있어서 각 액정구동기판이 전기광학소자판에 대면하도록 상대위치를 액정구동기판마다 차례로 이동시켜서 모든 액정구동기판에 대한 전기광학소자판의 전압이미지를 취하고, 해당 전압이미지 및 상기 전기광학소자판의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 실제 전압을 화소전압으로서 산출하고, 해당 화소전압에 근거하여 이상 전압의 결함 화소와 정상 전압의 정상 화소를 판별하는 액정구동기판의 검사장치에 있어서, 화소전압을 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값과 비교하여 상기 결함 종류별로 결함 후보의 화소전극을 분류처리하고, 해당 결함 종류별 결함 후보의 화소전극을 결함 종류별로 마련된 판정조건에 따라 최종적으로 각 결함 종류별 결함 화소로 판정처리함과 동시에 해당 판정처리를 각 액정구동기판 간의 이동중에 처리하는 화상처리장치를 구비하는 수단을 채용한다.
제4수단으로서, 화소전극이 행렬 형태로 배치된 액정구동기판이 여러개 형성된 유리기판에 해당 액정구동기판보다 작은 전기광학소자판을 대면 배치하고, 화소전극에 소정 전압을 기입한 상태에 있어서 각 액정구동기판이 전기광학소자판에 대면하도록 액정구동기판마다 상대 위치를 차례로 이동시키고, 또 액정구동기판의 각 소구분이 전기광학소자판과 대면하도록 상대 위치를 각 소구간마다 차례로 이동시켜서 모든 액정구동기판의 전 영역에 걸친 전기광학소자판의 전압 이미지를 취하고, 해당 전압 이미지 및 상기 전기광학소자판의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 실제 전압을 화소전압으로서 산출하고, 해당 화소전압에 근거하여 이상 전압의 결함 화소와 정상 전압의 정상화소를 판별하는 액정구동기판의 검사장치에 있어서, 화소전압을 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값과 비교하여 상기 결함 종류별로 결함 후보의 화소전극을 분류처리하고, 해당 결함 종류별 결함 후보의 화소전극을 결함 종류별로 설치된 판정조건에 따라 최종적으로 각 결함 종류별 결함화소로 판정처리함과 동시에 상기 분류를 상기 각 소구간마다 이동하는 중에 처리함과 동시에, 상기 판정처리를 각 액정구동기판 간의 이동중에 처리하는 화상처리장치를 구비하는 수단을 채용한다.
제5수단으로서, 상기 제1∼제4 중 어느 한 수단에 있어서, 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값 중 정상화소의 화소전압에서 떨어진 것부터 화소전압과 차례로 비교하여 어느 문턱값과의 비교에 있어서 결함 후보로 판단된 시점에서 다음의 문턱값과의 비교를 생략하도록 화상처리장치를 구성하는 수단을 채용한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정구동기판의 검사장치의 일 실시예에 대해 설명하기로 한다.
우선 도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서 검사대상으로 한 액정구동기판(A)은 1장의 유리기판(B) 위에 여러개(예컨대 A1∼A4의 4개) 형성된 상태의 것으로서, 후속공정에서 개별적으로 분할되는 것이다. 이와 같은 분할 전 액정구동기판(A)을 검사하는 경우, 후술하는 바와 같이 유리기판(B)을 X-Y 테이블 등의 이동수단 위에 재치하고 해당 이동수단을 작동시킴으로써 각각의 액정구동기판(A)을 모듈레이터에 대향 배치시킨다.
도 2는 이와 같은 액정구동기판(A)의 구성열을 도시한 평면도이다. 이 액정구동기판(A)은 TFT(박막트랜지스터)를 사용한 액티브 매트릭스 방식의 것이다. 이 도면에 있어서 유리기판(a1)의 표면에는 일정 간격을 두고 행렬(매트릭스) 형태로 다수의 화소전극(a2)과 TFT(a3)가 형성되어 있다. 즉 화소전극(a2)과 TFT(a3)는 해당 액정구동기판(A)에 의해 표시되는 화상의 수평방향과 수직방향으로 일정 간격을 두고 매트릭스 형태로 배치된다.
이들 화소전극(a2)과 TFT(a3) 사이에는 서로 평행한 여러개의 게이트 배선(a4)이 설치됨과 동시에 이들 게이트 배선(a4)과 직교하도록 데이터 배선(a5)이 설치되어 있다. 각 TFT(a3)는 소스단자가 데이터 배선(a5)에 접속되며 드레인 단자가 화소전극(a2)에 접속되고 게이트 단자가 게이트 배선(a4)에 접속되어 있다. 각 TFT(a3)는 게이트 배선(a4)에서 각 게이트 단자에 소정 전압이 인가되어 도통상태가 되며, 이 때 각 데이터 배선(a5)을 통해 소스 단자에 인가된 데이터 전압을 각 화소전극(a2)에 공급한다.
또한, 액정구동기판(A)에서는 각 TFT(a3)를 정전기 등으로부터 보호하기 위해 게이트 배선(a4)은 쇼트바(a6)에 각각 접속되며 데이터 배선(a5)은 쇼트바(a7)에 각각 접속되어 있다. 후속 공정에 있어서 각 게이트 배선(a4) 및 데이터 배선(a5)은 각 쇼트바(a6), (a7)에서 분리되어 액정표시패널의 구동회로에 접속된다.
도 3은 본 실시형태에서의 검사장치의 구성도이다. 이 도면에 있어서 부호 1은 전기광학소자판(모듈레이터)으로서, 내부에 액정이 실링된 액정시트(1a)와 박막투명전극(1b)과 유전체 반사막(1c)으로 구성되어 있다. 이 모듈레이터(1)는 예컨대 사각형(40㎜ ×40㎜)의 액정시트(1a)의 한면에 박막투명전극(1b)을 붙이고 다른 한면에 유전체 반사막(1c)을 증착 또는 붙여서 구성되어 있다.
이 모듈레이터(1)는 그 면이 수평 내지 유전체 반사막(1c)이 아래를 향하도록 미도시된 검사장치 본체에 고정되며 그 아래쪽에는 매우 좁은 간격(Δd)(10㎛∼수십㎛)을 두고 상술한 액정구동기판(A)이 대향 배치되도록 되어 있다. 본 실시형태의 경우 상기 액정구동기판(A)은 상기 모듈레이터(1)보다 크다.
부호 2는 X-Y 스테이지로서, 구동장치(11)에 의해 X-Y 평면 즉 수평면 내에서 2차원적으로 이동하는 것이다. 이 X-Y 스테이지(2) 위에는 미도시된 Z스테이지를 통해 유리기판(B)이 재치되고 해당 유리기판(B)을 수평면 내에서 이동시키도록 되어 있다. Z스테이지는 유리기판(B) 즉 액정구동기판(A)과 모듈레이터(1)와의 거리를 조절하기 위해 설치되는 것이다.
본 실시형태의 경우, 상술한 바와 같이 액정구동기판(A)이 모듈레이터(1)보다 크기 때문에 액정구동기판(A) 위의 모든 화소전극(a2)을 모듈레이터(1)와 대향시킬 수 없다. 그래서 액정구동기판(A)을 모듈레이터(1)의 크기에 해당하는 소구분(사이트)으로 분할하여 해당 사이트가 모듈레이터(1)에 대해 차례로 대향하도록 X-Y스테이지(2)를 차례로 이동시키도록 하고 있다. 부호 3은 빔스플리터, 4는 광원이다. 빔스플리터(3)는 모듈레이터(1)의 위쪽에 대향 상태로 구비되며 그 옆에 구비된 광원(4)에서 조사된 광을 반사하여 모듈레이터(1)의 전면에 조사한다. 또한, 상기 빔스플리터(3)는 모듈레이터(1)로부터의 반사광을 위로 투과시키는 작용을 한다. 여기에서 광원(4)은 예컨대 LED(Light-Emitting Diode) 등의 고휘도 광을 방사하는 것이 적용되며 미도시된 제어장치에 의해 스트로브 형태로 그 발광이 제어되는 것이다.
부호 5는 필터(광학필터)로서 상기 빔스플리터(3) 위에 구비되며 해당 빔스플리터(3)를 투과한 모듈레이터(1)의 반사광에서 특정 파장범위의 광만을 렌즈(6)에 투과시키는 것이다. 렌즈(6)는 볼록렌즈로서 필터(5)를 투과한 광을 집광시켜 CCD 카메라(7)로 유도하는 것이다.
CCD 카메라(7)는 렌즈(6)에서 입사된 광에 기초하여 상기 모듈레이터(1) 표면의 화상을 촬영하는 것이다. 이 CCD 카메라(7)는 예컨대 촬영시의 프레임 주파수가 30Hz(주기: 33.3ms), 공간분해능력이 2.8 CCD/100㎛, 화소수가 1024k인 특성을 가지며 모듈레이터(1)의 전압 이미지를 디지털 영상신호로서 화상처리장치(8)로 출력한다. 상기 액정구동기판(A)의 화소전극(a2)의 피치는 예컨대 100㎛ 정도이며 상기 CCD 카메라(7)의 분해능력은 이 화소전극(a2)의 피치에 대해 충분한 성능을 갖는다.
화상처리장치(8)는 CCD 카메라(7)에서 입력된 디지털 영상신호에 소정 화상처리를 함으로써 상기 전압 이미지화상에서 액정구동기판(A)의 결함부분(정상적으로 데이터 전압이 기록되어 있지 않은, 또는 기입된 데이터 전압이 정상적으로 유지되지 않은 화소전극(a2))을 검출하고 그 결과를 모니터(9)에 출력한다. 예컨대 화상처리장치(8)는 결함화소와 정상화소를 색구분하여 모니터(9)에 표시시키거나 결함부분의 개수를 수치표시하기 위한 영상신호를 모니터에 출력한다. 이 화상처리장치(8)에서의 처리에 대해서는 후술하기로 한다.
부호 10은 전원장치로서, 모듈레이터(1)의 박막투명전극(1b)에 바이어스 전압(EB)을 인가함과 동시에 액정구동기판(A)에 데이터 전압(ED)을 인가하기 위한 것이다. 바이어스 전압(EB)은 상기 CCD 카메라(7)의 프레임 주파수 30Hz(주기: 33.3ms)의 1/2 즉 주파수 15Hz(주기: 66.6ms)에서 ±230VP-P의 양극성 구형파이다.
한편, 데이터 전압(ED)은 상기 TFT의 소스단자에 가해져 해당 TFT가 도통상태가 되었을 때 화소전극(a2)에 인가되는 것으로서, 상기 바이어스 전압(EB)에 동기하여 소정 전압(Ea)에서 ±Δe 만큼 구형 파형으로 변화하는 것이다. 또 도시하지는 않았으나 액정구동기판(A)에는 TFT의 도통/차단상태를 제어하는 게이트 전압도 전원장치(10)에서 공급되도록 되어 있다.
이 전원장치(10), 상기 광원(4), 구동장치(11), 화상처리장치(8)는 각각 제어장치(12)에 의해 제어되도록 되어 있다. 제어장치(12)는 제어프로그램 및 미도시된 조작수단(키보드 등)에서 입력된 조작정보에 기초하여 상기 각 장치를 제어하는 것이다.
다음에 이와 같이 구성된 액정구동기판의 검사장치의 동작에 대해 상세히 설명하기로 한다. 이하 상술한 사이트의 수가 9개인 경우에 대해 설명하기로 한다.
처음에 도 4의 흐름도를 따라 제어장치(12)에 의해 실행되는 전체적인 검사처리에 대해 설명하기로 한다. 이 검사처리에 의해 1장의 유리기판(B) 위에 형성된 4개의 액정구동기판(A)(즉 A1∼A4)의 검사가 종료된다.
우선 제어장치(12)는 유리기판(B)이 X-Y 스테이지(2) 위에 재치되어 조작수단으로부터 검사 개시를 지시받으면 제어변수(i,j) 및 제어정수(m,n)를 초기설정한다(단계 S1). 본 실시형태의 경우, 유리기판(B) 위에는 4개의 액정구동기판(A1)∼(A4)이 형성되어 있기 때문에 패널수는 '4'이고, 1개의 액정구동기판(A)을 9개의 사이트로 분할하여 검사하기 때문에 사이트 수는 '9'이다.
따라서 이 초기설정처리에서는, 검사중의 사이트 번호를 나타내는 제어변수(i)가 1로, 검사중의 패널번호를 나타내는 제어변수(j)가 1로, 사이트수를 나타내는 제어정수(m)가 9로, 패널수를 도시한 제어정수(n)가 4로 각각 설정된다. 이 결과 패널 번호가 '1'인 액정구동기판(A)(예컨대 액정구동기판(A1))이 검사대상으로서 설정되고 또 액정구동기판(A1) 중 사이트 번호가 '1'인 사이트가 전압 이미지의 취득대상으로 설정된다.
여기에서 패널번호와 유리기판(B) 위의 액정구동기판(A)의 위치관계 및 각 사이트의 사이트 번호와 그 액정구동기판(A) 위의 위치관계는 검사용 기초데이터로서 미리 제어장치(12)에 기억 보존되어 있다. 즉 제어장치(12)는 상기 패널번호와 사이트 번호가 지정되면 이 검사용 기초데이터에 근거하여 구동장치(11)를 제어하고 액정구동기판(A1)의 사이트 번호 '1'에 해당하는 부분이 모듈레이터(1)의 대향위치로 이동하도록 X-Y 스테이지(2)를 구동시킨다(단계 S2).
이 상태는 검사 개시의 초기단계로서, 어떤 사이트의 전압 이미지도 취득하지 않았기 때문에 제어장치(12)는 단계 S3의 사이트 처리를 실행하지 않고 계속해서 전압 이미지의 취득처리를 실행한다(단계 S4).
즉 제어장치(12)는 제어변수(i)가 (m+1) 즉 10과 동일한지 여부를 판단한다. 이제 검사 개시의 초기단계로서 상기 단계 S1에서 'i=1'로 설정되어 있기 때문에 여기에서의 판단은 '아니오'가 되고 단계 S5에서 전압이미지를 취득한다.
이 전압 이미지의 취득처리에 있어서, 제어장치(12)는 전원장치(10)를 작동시킴으로써 모듈레이터(1)에 바이어스 전압(EB)을 인가하고 또 액정구동기판(A1)의 각 화소전극(a2)에 소정의 데이터 전압(ED)을 기입시킨 상태에서 광원(4)을 스트로브 형태로 발광시켜 액정구동기판(A1)의 사이트 번호 '1'에 해당하는 부분에 대한 모듈레이터(1)의 전압 이미지를 복수의 프레임에 걸쳐 CCD 카메라(7)로 촬영한다.
이 복수의 프레임의 전압 이미지는 CCD 카메라(7)에서 디지털 영상신호로서 화상처리장치(8)로 전송된다. 화상처리장치(8)는 이 복수의 프레임의 전압 이미지를 가산하여 화소전압의 산출에 제공하는 피검 화상을 생성하고 해당 피검 화상을 CCD 카메라(7)의 각 화소에 기억시킨다.
이와 같이 하여 전압 이미지가 화상처리장치(8)에 취득되면 제어변수(i)가 증대된 후(단계 S6) 상기 단계 S2의 처리가 반복된다. 즉 제어장치(12)는 제어변수(i)가 증대되어 '2'로 설정됨으로써 구동장치(11)를 제어하여 액정구동기판(A1)의 사이트 번호 '2'에 해당하는 부분이 모듈레이터(1)의 대향위치로 이동하도록 X-Y 스테이지(2)를 구동시킨다.
그리고 이 액정구동기판(A1)이 사이트 번호 '1'에 해당하는 부분에서 사이트 번호 '2'에 해당하는 부분으로 이동하는 동안에 상기 단계 S5에 있어서 취득된 사이트 번호 '1'에 해당하는 부분의 사이트 처리를 화상처리장치(8)로 실행시킨다(단계 S3). 이 사이트 처리는 상기 피검 화상에서 각 종류별 결함화소를 추출하는 처리로서, 상세한 것은 후술하기로 한다.
그리고 사이트 번호 '1'에 해당하는 부분의 사이트 처리가 종료되고 또 사이트 번호 '2'에 해당하는 부분으로의 액정구동기판(A1)의 이동이 종료되면 제어변수(i)가 '10'과 동일한지의 여부가 판단되며(단계 S4), 사이트 번호 '2'에 해당하는 부분의 전압 이미지가 취득되고(단계 S5), 또 단계 S6에서 제어변수(i)가 증대되어 단계 S2의 처리가 반복된다.
즉, 단계 S2∼S6의 루프 처리가 반복됨으로써 액정구동기판(A1)이 사이트 번호 '1'에서 사이트 번호 '9'에 해당하는 부분의 전압 이미지가 취득되고(단계 S5), 또 이들 사이트 번호 '1'에서 사이트 번호 '9'에 해당하는 부분의 사이트 처리가 실행된다. 그리고 단계 S6에서 제어변수(i)가 '10'으로 설정되어 사이트 번호 '9'에 해당하는 부분의 사이트 처리가 종료되면(단계 S3) 단계 S4의 판단은 '예'가 되어 액정구동기판(A1)의 전 사이트의 전압 이미지의 취득처리와 사이트 처리가 종료된다.
이와 같이 액정구동기판(A1)에 관한 모든 사이트의 사이트 처리가 종료되면 제어변수(i)가 초기값인 '1'로 설정됨과 동시에 제어변수(j)가 증가되어 '2'로 설정된다(단계 S7). 이 결과 제어장치(12)는 Z스테이지를 구동시킴으로써 유리기판(B)을 모듈레이터(1)에서 어느 정도 이간시킨 상태로 하고 상기 검사용 기초 데이터에 기초하여 X-Y 스테이지(2)를 작동시켜 액정구동기판(A2)을 모듈레이터(1)의 대향 위치로 이동시킨다(단계 S8).
그리고 이 액정구동기판(A1)에서 액정구동기판(A2)으로 이동하는 동안에 패널처리가 실행된다(단계 S9). 이 패널처리가 종료되면 단계 S10에서 제어변수(j)가 (n+1) 즉 '5'인지 여부가 판단된다. 여기에서는 상기 단계 S7에서 (j=2)로 설정되어 있기 때문에 해당 판단은 '아니오'가 되고 상술한 단계 S2∼S6의 루프처리가 액정구동기판(A2)에 대해서도 반복된다. 이 패널처리는 사이트 처리 결과에 기초하여 액정구동기판(A1)의 결함화소를 결함유형마다 판정하는 처리로서 그 상세에 대해서는 후술하기로 한다.
즉 제어장치(12)는 단계 S10의 판단이 '예'가 될 때까지 즉 A1→A2→A3→A4의 순서대로 유리기판(B) 위의 모든 액정구동기판(A1)∼(A4)에 대해 패널처리(단계 S9)가 종료될 때까지 단계 S2∼S10에 의한 루프 처리를 반복함으로써 모든 액정구동기판(A1)∼(A4)에 대해 결함판정이 종료되면 그 결과를 해당 유리기판(B)의 검사결과로서 모니터(9)에 출력한다(단계 S11).
예컨대 모니터(9)에는 검사결과로서 결함 종류별로 결함화소의 개수나 분포가 표시된다. 해당 검사를 감독하는 작업원은 이 모니터(9)에 표시된 검사결과에 기초하여 해당 유리기판(B)을 불량품 또는 합격품으로 인정한다.
다음에 상술한 사이트 처리(단계 S3)의 상세에 대해 도 5에 도시한 흐름도를 따라 설명하기로 한다. 이 사이트 처리는 화상처리장치(8)에 의해 실행되는 처리이다.
이 사이트 처리에서는 우선 CCD 카메라(7)에 의해 촬영된 각 사이트의 전압 이미지가 액정구동기판(A)의 각 화소전극(a2)의 화소전압으로 변환된다(단계 S31). 구체적으로는 상기 전압 이미지의 취득처리(단계 S5)에 의해 1사이트마다 촬영된 복수 프레임의 전압 이미지는 가산됨으로써 피검 화상이 되며 해당 피검 화상의 휘도를 도시한 화상 데이터가 CCD 카메라(7)의 각 CCD 픽셀마다 화상처리장치(8)에 기억되어 있다. 이 피검화상의 화상데이터에 소정의 산술처리를 함으로써 이하와 같이 각 화소전극(a2)의 화소전압이 산출된다.
즉 화소전극(a2)의 사이즈는 CCD 카메라(7)의 CCD 픽셀의 사이즈보다 크기 때문에 1개의 화소전극(a2)은 복수의 CCD 픽셀에 대향하게 된다. 예컨대 도 6의 경우에는 화소전극(a2)에는 CCD 픽셀(C5), (C8)가 모두 대향하고 CCD 픽셀(C1)∼(C4), (C6), (C7), (C9)∼(12C)가 일부 대향하는 상태로 되어 있다. 이와 같은 상태에 있어서 화소전극(a2)의 중심좌표(xa,ya), 각 CCD 픽셀(C1)∼(C12)의 중심좌표(x1,y1), (x2,y2)......(x12,y12) 및 각 CCD 픽셀(C1)∼(C12)의 화상 데이터(v1)∼(v12)에 기초하여 하기 수학식 1과 같이 2차원적 가중평균이 산출되고 이 가중평균값 V(xa,ya)가 중심좌표(xa,ya)의 화소전극(a2)의 화소전극이 된다.
V(xa,ya)=(k1 ·v1 + k2 ·v2 + k3 ·v3
+ k4 ·v4 + k5 ·v5 + k6 ·v6
+ k7 ·v7 + k8 ·v8 + k9 ·v9
+ k10 ·v10 + k11 ·v11
+ k12 ·v12)/12
단 상기 k1∼12는 대향면적에 비례하는 값(모든 대항의 경우에 1.0)을 취한 계수로서 이 경우 k1=0.25, k2 = 0.5, k3=0.25, k4=0.5, k5=1.0, k6=0.5, k7=0.5, k8=1.0, k9=0.5, k10=0.25, k11=0.5, k12=0.25이다.
이와 같은 화소전극(a2)의 화소전압을 산출하는 처리는 화상처리장치(8) 내에 설치된 화상처리회로에 의해 하드웨어적으로 고속실행되는 것으로서 각 사이트에 포함되는 모든 화소전극(a2)에 대해 산출된다. CCD 픽셀의 사이즈, 화소전극(a2)의 사이즈, 화소전극(a2)의 중심좌표, 각 CCD 픽셀의 중심좌표 등은 기초데이터로서 화상처리장치(8)에 미리 기억되어 있으며 이와 같은 기초데이터와 각 CCD 픽셀의 화상데이터를 화상처리회로에 입력함으로써 각 화소전극(a2)의 화소전압이 차례로 산출된다.
이와 같이 하여 1사이트 분의 각 화소전극(a2)의 화소전압이 산출되면 해당 각 화소전압은 각 액정구동기판(A)마다 설치된 검사정보용 데이터 베이스의 해당 영역에 검사정보로서 등록된다(단계 S32). 이 화소전압의 등록처리에 있어서 각 화소전극(a2)의 화소전압은 2바이트 정밀도의 전압 데이터로서 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다. 그리고 화상처리장치(8)는 이 검사정보용 데이터 베이스에 등록된 검사정보에 기초하여 이하의 처리를 각 사이트마다 실시한다.
여기에서 이하의 처리에서는 결함 종류별로 결함 후보가 되는 화소전극(a2)을 판정하고 있다. 본 실시예에 있어서 이 결함 종류는 다음과 같다.
① 점결함(클러스터 결함)
단독의 화소전극(a2)의 화소전압이 비정상 값이 되는 결함이다. 나아가 점결함이 소수 연속적으로 집합한 것을 클러스터 결함이라 한다.
② 게이트 오픈 선결함
게이트선(a4)이 어떤 원인으로 단선되는 것에 기인하는 결함으로서, 연속하는 복수의 화소전극(a2)의 화소전압이 연속적으로 비정상 값이 되는 것이다. 상기 도 2에 도시한 액정구동기판(A)의 경우에는 게이트선(a4)이 수평방향 즉 화소전극(a2)의 배열방향 중 행방향으로 배치되어 있기 때문에 행방향으로 연속하는 화소전극(a2)의 화소전압이 비정상이 된다.
③ 게이트 쇼트 선결함
게이트선(a4)이 어떤 원인으로 단락되는 것에 기인하는 결함으로서 연속하는 복수의 화소전극(a2)의 화소전압이 연속적으로 비정상 값이 되는 것이다. 상기 도 2에 도시한 액정구동기판(A)의 경우에는 상기 게이트 오픈 선결함의 경우와 마찬가지로 행방향으로 연속하는 화소전극(a2)의 화소전압이 비정상이 된다.
④ 데이터 오픈 선결함
데이터선(a5)이 어떤 원인으로 단선되는 것에 기인하는 결함으로서, 연속하는 복수의 화소전극(a2)의 화소전압이 연속적으로 비정상 값이 되는 것이다. 상기 도 2에 도시한 액정구동기판(A)의 경우에는 데이터선(a5)이 수직방향 즉 화소전극(a2)의 배열방향 중 열방향으로 배치되어 있기 때문에 열방향으로 연속하는 화소전극(a2)의 화소전압이 비정상이 된다.
⑤ 데이터 쇼트 선결함
데이터선(a5)이 어떤 원인으로 단락되는 것에 기인하는 결함으로서, 연속하는 복수의 화소전극(a2)의 화소전압이 연속적으로 비정상 값이 되는 것이다. 상기 도 2에 도시한 액정구동기판(A)의 경우에는 상기 데이터 오픈 선결함과 마찬가지로 열방향으로 연속하는 화소전극(a2)의 화소전압이 비정상이 된다.
⑥ 얼룩결함
복수의 화소전극(a2)의 화소전압이 비교적 좁은 영역내에서 점점이 흩어져 있는 형태로 비정상 값이 되는 것으로 정상 화소의 화소전압과 크게 다르지 않은 경우가 많다.
도 7은 이와 같은 결함 종류별로 결함 화소의 화소전압을 도시한 것이다. 이 도면에 도시한 바와 같이 게이트 오픈 선결함②와 데이터 오픈 선결함④의 화소전압은 정상화소의 화소전압(En)에 대해 비교적 크게 다른 값이 된다. 게이트 쇼트 선결함③과 데이터 쇼트 선결함⑤의 화소전압은 정상화소의 화소전압(En)에 비교적 가까운 값이 된다.
점결함(클러스터 결함)①의 화소전압은 게이트 오픈 선결함②의 화소전압과 게이트 쇼트 선결함③의 화소전압 사이에 위치하는 값이 된다. 또 도시하지는 않았으나 얼룩결함⑥의 화소전압은 정상화소의 화소전압(En)에 가장 가까운 값이 되는 것이 일반적이며 예외적으로 점결함(클러스터 결함)①의 화소전압에 가까운 값을 취하는 경우가 있다.
화상처리장치(8)에는 이와 같은 결함 종류별 화소전압의 특징에 근거하여 각 결함 종류별로 결함후보를 판정하기 위한 문턱값이 기억되어 있다. 화상처리장치(8)는 이 문턱값과 각 화소전극(a2)의 화소전압을 비교함으로서 다음과 같이 각 결함 종류별로 결함후보를 판정한다.
이 문턱값은 상기 결함 종류별 화소전압의 특징에 근거하여 예를 들면 도 7에 도시한 바와 같이 설정된다. 즉 얼룩결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)을 판정하기 위한 문턱값(Em)이 정상 화소의 화소전압(En)에 가장 가까운 값(큰 값)으로 설정되고, 이하 큰 순서대로 데이터 쇼트 선결함 후보용 문턱값(Eds), 게이트 쇼트 선결함 후보용 문턱값(Egs), 점결함 후보용 문턱값(Et), 데이터 오픈 선결함 후보용 문턱값(Edo), 게이트 오픈 선결함 후보용 문턱값(Ego)이 설정된다.
이와 같은 배경에 기초하여 화상처리장치(8)는 우선 각 화소전극(a2)의 화소전압을 기준문턱값(Er)과 비교함으로써 결함후보를 판정처리한다(단계 S33). 이 처리는 어느 결함 종류에 해당하는지 알 수 없으나 결함후보로 인정해도 좋다고 생각되는 화소전극(a2)을 산출하기 위한 것이다. 이 기준문턱값(Er)은 결함 종류를 판별하기 위한 상기 각 결함후보용 문턱값 중 어떤 것보다도 정상 화소의 화소전압(En)에 가까운 값 또는 가장 화소전압(En)에 가까운 전압(Em)과 같은 전압값으로 설정된다. 그리고 화상처리장치(8)는 해당 결함후보의 판정처리 결과, 즉 결함후보 데이터를 상기 검사정보용 데이터 베이스의 해당 영역에 등록한다.
이어서 단계 S34에 있어서, 상기 결함 후보를 결함 종류별로 분류하는 처리가 이루어진다. 화상처리장치(8)는 각 화소전극(a2)의 화소전압을 상기 각 결함후보용 문턱값(Em),(Eds),(Egs),(Et),(Edo),(Ego)과 차례로 비교함으로써 그 결함종류를 판정한다. 이때 화상처리장치(8)는 값이 작은 문턱값, 즉 정상 화소의 화소전압(En)에서 가장 떨어진 문턱값부터 차례로 화소전압을 비교하여 결함종류를 판정한다.
즉, 화상처리장치(8)는 1개의 사이트를 구성하는 모든 화소전극(a2)을 소정 순서로 지정하고 해당 지정한 화소전극(a2)의 화소전압에 대해 우선 처음에 게이트 오픈 선결함 후보용 문턱값(Ego)과 비교함으로써 해당 화소전극(a2)이 게이트 오픈 선결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)인지의 여부를 판정한다.
이어서 상기 문턱값(Ego) 다음에 정상화소의 화소전압(En)에서 떨어져 있는 데이터 오픈 선결함 후보용 문턱값(Edo)과 해당 화소전극(a2)의 화소전압을 비교함으로써 해당 화소전극(a2)이 데이터 오픈 선결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)인지의 여부를 판정하고 또 상기 문턱값(Edo) 다음에 정상화소의 화소전압(En)에서 떨어져 있는 점결함 후보용 문턱값(Et)과 비교함으로써 해당 화소전극(a2)이 점결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)인지 아닌지 판정한다.
또한, 상기 문턱값(Et) 다음에 정상화소의 화소전압(En)에서 떨어져 있는 점결함 후보용 문턱값(Egs)과 해당 화소전극(a2)의 화소전압을 비교함으로써 해당 화소전극(a2)이 게이트 쇼트 선결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)인지의 여부를 판정하고, 상기 문턱값(Egs) 다음에 정상 화소의 화소전압(En)에서 떨어져 있는 점결함 후보용 문턱값(Eds)과 해당 화소전극(a2)의 화소전압을 비교함으로써 해당 화소전극(a2)이 데이터 쇼트 선결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)인지의 여부를 판정한다.
그리고 화상처리장치(8)는 마지막에 상기 문턱값(Eds) 다음에 정상화소의 화소전압(En)에서 떨어져 있는 점결함 후보용 문턱값(Em)과 해당 화소전극(a2)의 화소전압을 비교함으로써 해당 화소전극(a2)이 얼룩결함 후보에 해당하는지의 여부를 판정한다. 화상처리장치(8)는 이와 같은 각 결함후보용 문턱값(Em),(Eds),(Egs),(Et),(Edo),(Ego)와의 비교처리를 1개의 사이트를 구성하는 모든 화소전극(a2)에 대해 차례로 실시하고 해당 사이트의 결함 후보의 결함 종류별 분류처리를 종료한다.
도 8은 상기 일련의 결함후보의 결함종류별 분류처리(단계 S34∼S39)의 처리결과의 일예를 도시한 표이다. 이 도면에 있어서 가장 아래줄에 도시된 바와 같이 화소전압 V(xa,ya)가 게이트 오픈 선결함 후보용 문턱값(Ego)보다 작은 값일 경우 해당 화소전압 V(xa,ya)의 화소전극(a2)은 점결함, 게이트 쇼트 선결함, 게이트 오픈 선결함, 데이터 쇼트 선결함, 데이터 오픈 선결함 및 얼룩결함 모두에 있어서 결함 후보라는 것(즉 X표)이 판명된다.
다음에 밑에서 2번째 줄에서는 게이트 오픈 선결함 후보용 문턱값(Ego)보다 큰 값의 경우, 또 데이터 오픈 선결함 후보용 문턱값(Edo)보다 작은 값의 경우, 해당 화소전압 V(xa,ya)의 화소전극(a2)은 게이트 오픈 선결함의 결함후보가 아니라는 것(즉 Ｏ표), 또 점결함, 게이트 쇼트 선결함, 데이터 쇼트 선결함, 데이터 오픈 선결함 및 얼룩 결함의 결함 후보라는 것(즉 ×표)이 판명된다.
밑에서 3번째 줄에서는 데이터 오픈 선결함 후보용 문턱값(Edo)보다 큰 값의 경우, 또 점결함 후보용 문턱값(Et)보다 작은 값의 경우, 해당 화소전압 V(xa,ya)의 화소전극(a2)은 게이트 오픈 선결함, 데이터 오픈 선결함의 결함후보가 아니라는 것(즉 Ｏ표), 또 점결함, 게이트 쇼트 선결함, 데이터 쇼트 선결함 및 얼룩결함의 결함후보라는 것(즉 ×표)이 판명된다.
밑에서 4번째 줄에서는, 데이터 오픈선 후보용 문턱값(Edo)보다 큰 값의 경우, 또 점결함 후보용 문턱값(Et)보다 작은 값의 경우, 해당 화소전압 V(xa,ya)의 화소전극(a2)은 점결함, 게이트 오픈 선결함, 데이터 오픈 선결함의 결함후보가 아니라는 것(즉 Ｏ표), 또 게이트 쇼트 선결함, 데이터 쇼트 선결함 및 얼룩결함의 결함후보라는 것(즉 ×표)이 판명된다.
밑에서 5번째 줄에서는, 점결함 후보용 문턱값(Et)보다 큰 값의 경우, 또 게이트 쇼트 선결함 후보용 문턱값(Egs)보다 작은 값의 경우, 해당 화소전압 V(xa,ya)의 화소전극(a2)은 점결함, 게이트 오픈 선결함, 게이트 쇼트 선결함, 데이터 오픈 선결함의 결함후보가 아니라는 것(즉 Ｏ표), 또 데이터 쇼트 선결함 및 얼룩결함의 결함 후보라는 것(즉 ×표)이 판명된다.
또 위에서 2번째 줄에서는, 게이트 쇼트 선결함 후보용 문턱값(Egs)보다 큰 값의 경우, 또 얼룩결함 후보용 문턱값(Em)보다 작은 값의 경우, 해당 화소전압 V(xa,ya)의 화소전극(a2)은 점결함, 게이트 오픈 선결함, 게이트 쇼트 선결함, 데이터 오픈 선결함 및 데이터 쇼트 선결함의 결함후보가 아니라는 것(즉 Ｏ표), 또 얼룩결함의 결함후보라는 것(즉 ×표)이 판명된다.
여기에서 상기 각 결함종류별 분류처리(단계 S34)의 처리순서는 처리속도의 향상을 의도하는 것이다. 즉 정상화소의 화소전압(En)에서 가장 떨어진 문턱값부터 순서대로 화소전압을 비교함으로서 어느 결함종류의 결함후보로 판정된 시점에서 해당 결함종류별 문턱값보다도 큰 값의 문턱값과 비교하는 것은 의미가 없기 때문에 이 이후의 비교처리를 생략할 수 있다. 예컨대 도 8의 가장 아래줄의 경우에는 게이트 오픈 선결함 후보용 문턱값(Ego)과의 비교에 있어서 게이트 오픈 선결함 후보라는 것이 판명된다. 따라서 이 문턱값(Ego)보다 정상화소의 화소전압(En)에 가까운 문턱값(Edo),(Et),(Egs),(Eds),(Em)과의 비교결과가 각종 결함후보에 해당한다는 것은 명백하며 이 이후의 비교처리를 생략함으로써 처리효율의 향상을 꾀하여 데이터 처리시간을 단축할 수 있다.
화상처리장치(8)는 이와 같이 하여 1개의 사이트의 전체 화소전극(a2)에 대해 기준 문턱값(Er)에 의해 결함후보로 인정된 화소전극(a2)을 각 결함종류별 용 문턱값(Em),(Eds),(Egs),(Et),(Edo),(Ego)에 기초하여 분류하고 이 분류결과를 검사정보로서 검사정보용 데이터 베이스에 기록한다(단계 S35).
이 결함후보의 결함종류별 분류결과는, 예컨대 각 화소전극(a2)마다 1비트의 데이터로서 검사정보용 데이터 베이스에 기록되도록 되어 있다. 도 9에 도시한 바와 같이 2차원 배열하는 각 화소전극(a11),(a12),(a13)....(첨자는 배열의 순서를 나타낸다)에 대해 결함종류별로 설치된 1비트의 데이터 영역에 해당 결함종류별 결함후보에 해당하는 경우에는 '1', 결함후보에 해당하지 않는 경우에는 '0'을 기입함으로써 각 화소전극(a2)이 상기 6종류의 각 결함종류의 각각에 있어서 결함후보에 해당하는지 여부가, 상기 단계 S33의 처리결과인 결함후보인지의 여부와 함께 등록된다.
상기 단계 S34의 설명에서는 정상 화소의 화소전압(En)에 대해 낮은 쪽의 문턱값(Em),(Eds),(Egs),(Et),(Edo),(Ego)에 관한 처리에 대해서만 설명했는데, 실제로는 정상화소의 화소전압(En)에 대해 높은 전압측에 대해서도 각 결함종류별로 문턱값을 설정하여 결함종류별 분류판정을 실시하고, 그 결과를 검사정보용 데이터 베이스에 등록하고 있다.
다음에 상술한 패널 처리(단계 S9)의 상세에 대해 도 10에 도시한 흐름도를 따라 설명하기로 한다. 이 처리도 상기 사이트 처리와 마찬가지로 화상처리장치(8)에 의해 실행되는 것이다.
우선 처음에 상기 단계 S34의 처리결과인 게이트 오픈 선결함 후보의 판정결과에 기초하여 게이트 오픈 선결함의 판정처리가 실시된다(단계 S91). 이 처리는 3가지 처리, 즉 게이트 오픈 선결함 후보의 판정결과에 기초하여 게이트 오픈 선결함에 해당하는 화소전극(a2)을 추출하는 처리(결함요소 추출처리)와, 해당 결함요소 추출처리에 의해 추출된 화소전극(a2)을 연결하는 처리(결함요소 연결처리)와, 해당 결함요소 연결처리의 결과에 기초하여 최종적으로 게이트 오픈 선결함인지의 여부를 판정하여 등록하는 결함판정 등록처리로 이루어진 것이다.
결함요소 추출처리에서는, 상기 게이트 오픈 선결함 후보용 문턱값(Ego)과 화소전압을 도 2에 도시한 바와 같이 수평방향(행방향)과 수직방향(열방향)으로 복수행과 복수열로 배치된 화소전극(a2)의 행 및 열마다 비교함으로써 게이트 오픈 선결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)이 추출된다. 그리고 이 추출결과와 함께 ① 여러개 연속된 부분의 시작점이 되는 결함화소, ② 여러개 연속된 부분의 마지막 점이 되는 결함 화소, ③ 결함화소의 개수 등이 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
도 11은 상기 추출결과를 화소전극(a2)의 배열위치에 대응시켜 모식적으로 도시한 것이다. 이 도면에 있어서 Ｏ표는 게이트 오픈 선결함 후보에 해당하지 않는 화소전극(a2)을, ×표는 게이트 오픈 선결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)을 도시하고 있다. 이 도면의 경우 오른쪽에서 2번째 줄에 5개의 선 모양으로 연속된 결함이 있다. 또한, 모두 10개의 화소전극(a2)이 결함화소로 판정되어 있다. 따라서 예컨대 오른쪽에서 2번째 줄에서 가장 위쪽에 위치한 화소전극(a2)이 시작점 결함화소로서, 상기 5개의 결함화소 중 가장 아래쪽 행에 위치하는 화소전극(a2)이 마지막 점 결함화소로서, 또 결함화소의 개수로서 '5'가 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
여기에서 예컨대, 어느 행의 여러 부분에서 결함 화소가 연속되는 경우에도 각 부분에 대해 각각의 시작점 결함화소와 마지막 점 결함화소가 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
또한, 결함요소 연결처리에서는 상기 추출결과에 따라 각각의 행 및 열에 대해 ① 결함화소가 최단부의 화소전극(a2)에서 시작하며 또 4개 이상이 연속되는 부분(결함화소군)과, ② 결함화소가 최단부의 화소전극(a2)으로 종료되고 또 4개 이상이 행방향 또는 열방향으로 연속되는 결함화소군과, ③ 결함화소가 최단부에서 개시 및 종료되고 있지 않으나 소정 개수(K1) 이상 연속되는 결함화소군이 연결되며 이 연결결과가 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
즉 이들 결함화소군에 삽입된 화소전극(a2)을 결함화소로 하고 상기 결함화소군과 함께 일련의 선결함부를 형성하는 것으로 인정한다. 상기 결함화소군③의 개수(K1)에 대해서는 제어장치(12)에 구비된 조작수단을 통해 임의로 결정할 수 있도록 되어 있다.
나아가 결함판정 등록처리에서는 상기 결함요소 연결처리의 결과와 이하에 도시한 게이트 오픈 선결함용 판정조건에 기초하여 최종적으로 게이트 오픈 선결함에 해당하는 화소전극(a2)이 판정되며 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
[판정조건]
(1) 결함화소의 배열방향이 행방향이며 또 상기 연결에 의해 형성되는 선결함 화소의 양단이 최단부의 화소전극(a2)이라는 것을 게이트 오픈 선결함으로 최종 판정한다.
(2) 결함화소의 배열 방향이 행방향이며 또 선결함 화소의 한쪽 단만이 최단부의 화소전극(a2)인 것에 대해 다른 한쪽 단(결함단부)에서의 정상 화소와 결함 화소의 화소 전압의 전압구배가 소정 전압구배보다 큰 것을 게이트 오픈 선결함으로 최종 판정한다.
도 2에 도시한 바와 같은 액정구동기판(A)에서는 게이트선(a4)이 행방향으로 배선되어 있다. 즉 어느 원인에 의해 게이트선(a4)이 오픈(단선)된 경우에는 행방향으로 배열된 TFT(a3)의 동작에 이상이 발생하여 이들 TFT(a3)에 접속된 행방향으로 연속되는 화소전극(a2)의 화소전압에 이상이 발생하게 된다. 따라서 게이트 오픈 선결함은 결함화소가 행방향으로 연속되는 형태로서 발생한다. 게이트 선(a4)이 열방향으로 배선되어 있는 액정구동기판의 경우에는 당연히 결함화소가 열방향으로 연속되는 선결함 형태가 된다.
이 경우 도 12에 도시한 바와 같이 지정거리(화소수)(ng)에 기초하여 전압구배를 산출하기 위한 결함측의 화소전극(ar)을 상기 결함단부(Pa)에서 거리(ng)/2의 위치에 있는 결함화소로 하고, 또 전압구배를 산출하기 위한 정상측의 화소전극(as)을 결함단부(Pa)에서 거리(ng)/2의 위치에 있는 정상화소로 한다. 이와 같이 지정된 거리(ng)만큼 떨어진 화소전극(ar,as)의 각 화소전압의 전압차 ΔV를 상기 전압구배로서 산출한다.
그리고 이와 같이 하여 구해진 전압차(ΔV)를 지정기준전압(Es)과 비교하여 ΔV > Es 의 경우에 해당 선결함부를 게이트 오픈 선결함으로 최종 판정한다. 이 최종 판정결과는 검사정보용 데이터 베이스에 등록되어 해당 게이트 오픈 선결함의 판정처리가 종료된다. 상기 지정거리(ng)와 지정기준전압(Es)은 제어장치(12)에 구비된 조작수단에서 임의로 설정되도록 되어 있다.
상기 도 11에 도시된 열방향으로 5개 연속되는 선결함부는 상기 판정조건(1),(2)을 만족하지는 않는다. 즉 이 선결함부는 행방향으로 연속되지 않기 때문에 게이트 오픈 선결함으로는 판정되지 않게 된다.
이와 같이 하여 게이트 오픈 선결함의 판정처리(단계 S91)가 종료되면 단계 S92에 있어서 게이트 오픈 선결함의 판정처리가 이루어진다. 이 처리는 검사정보용 데이터 베이스에 등록된 게이트 쇼트 선결함 후보의 판정결과에 근거하여 게이트 쇼트 선결함에 해당하는 화소전극(a2)을 추출하는 결함요소 추출처리와, 해당 결함요소 추출처리에 의해 추출된 화소전극(a2)을 연결하는 결함요소 연결처리와, 해당 결함요소 연결처리의 결과에 근거하여 최종적으로 게이트 쇼트 선결함인지 여부를 판정하여 등록하는 결함판정 등록처리로 이루어진 것이다.
결함요소 추출처리에서는 상기 게이트 쇼트선 결함후보용 문턱값(Egs)과 화소전압을 화소전극(a2)의 각 행 및 각 열마다 비교함으로써 게이트 쇼트 선결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)이 추출된다. 그리고 이 추출결과와 함께 ① 여러개 연결된 부분의 개시점이 되는 결함화소, ② 여러개 연결된 부분의 종점이 되는 결함화소, ③ 결함화소의 개수 등이 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
또 결함요소 연결처리에서는 상기 추출결과에 따라 각각의 행 및 열에 대해 ① 결함화소가 최단부의 화소전극(a2)에서 시작되며 또 4개 이상이 연속되는 부분(결함화소군)과 ② 결함화소가 최단부의 화소전극(a2)으로 종료되며 4개 이상이 행방향 또는 열방향으로 연속되는 결함화소군과, ③ 결함화소가 최종단에서 개시 및 종료되지 않지만 소정의 개수(K2) 이상 연속되는 결함화소군이 연결되며 이 연결결과가 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
즉 이들 결함화소군에 삽입된 화소전극(a2)을 결함화소로 하고 상기 결함화소군과 함께 일련의 선결함부를 형성하는 것으로 인정한다. 상기 결함화소군③의 개수(K2)에 대해서는 제어장치(12)에 구비된 조작수단을 통해 임의로 지정할 수 있게 되어 있다.
또한, 결함판정 등록처리에서는 상기 결함요소 연결처리 결과에 따라 최종적으로 게이트 쇼트 선결함에 해당하는 화소전극(a2)이 판정되어 검사정보용 데이터 베이스에 등록되는데, 이 처리에 대해서는 상기 게이트 오픈 선결함의 판정처리(단계 S91)의 경우와 동일하므로 설명을 생략한다.
이어서 단계 S93에 있어서 데이터 오픈 선결함의 판정처리가 수행된다. 이 처리는 데이터 오픈 선결함 후보의 판정결과(단계 S34)에 따라 데이터 오픈 선결함에 해당하는 화소전극(a2)을 추출하는 처리(결함요소 추출처리)와, 해당 결함요소 추출처리에 의해 추출된 화소전극(a2)을 연결하는 처리(결함요소 연결처리)와, 해당 결함요소 연결처리의 결과에 따라 최종적으로 데이터 오픈 선결함인지의 여부를 판정하여 등록하는 결함판정 등록처리로 이루어진 것이다.
결함요소 추출처리에서는 데이터 오픈 선결함 후보용 문턱값(Edo)과 화소전압을 화소전극(a2)의 행 및 열마다 비교함으로써 데이터 오픈 선결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)이 추출된다. 그리고 이 추출결과와 함께 ① 여러개 연결된 부분의 시작점이 되는 결함화소, ② 여러개 연결된 부분의 마지막 점이 되는 결함화소, ③ 결함화소의 개수 등이 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
또한, 결함화소 연결처리에서는 상기 추출결과에 따라 각각의 행 및 열에 대해 ① 결함화소가 최단부의 화소전극(a2)에서 시작되며 또 4개 이상이 연속되는 부분(결함화소군)과, ② 결함화소가 최단부의 화소전극(a2)으로 종료되며 또 4개 이상이 행방향 또는 열방향으로 연속되는 결함화소군과, ③ 결함화소가 최단부에서 개시 및 종료되지 않았으나 소정 개수(K3) 이상 연속되는 결함화소군이 연결되며 이 연결결과가 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
즉, 이들 결함화소군에 삽입된 화소전극(a2)을 결함화소로 하여 상기 결함화소군과 함께 일련의 선결함부를 형성하는 것으로 인정한다. 상기 결함화소군③의 개수(K3)에 대해서도 상기 개수(K1),(K2)와 마찬가지로 제어장치(12)의 조작수단을 통해 임의로 지정된다.
나아가 결함판정처리에서는 상기 결함요소 연결처리의 결과와 이하에 도시한 데이터 오픈 선결함의 판정조건에 따라 최종적으로 데이터 오픈 선결함에 해당하는 화소전극(a2)이 판정되어 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
[판정조건]
(1) 결함화소의 배열방향이 열방향이고 또 상기 연결에 의해 형성되는 선결함 화소의 양단이 최단부의 화소전극(a2)인 것을 데이터 오픈 선결함으로 최종 판정한다.
(2) 결함화소의 배열방향이 열방향이고 또 선결함 화소의 한쪽 단만 최단부의 화소전극(a2)인 것에 대해 다른쪽 단(결함단부)에서의 정상화소와 결함화소의 화소전압의 전압구배가 소정 전압구배보다 큰 것을 게이트 오픈 선결함으로 최종판정한다. 또 전압구배의 산출방법에 대해서는 상기 게이트 오픈 선결함의 판정처리(단계 S91)와 동일하므로 설명을 생략한다.
상술한 바와 같이 도 2의 액정구동기판(A)에서는 데이터선(a5)이 열방향으로 배선되어 있다. 즉 어떤 원인에 의해 데이터선(a5)이 오픈(단선)된 경우에는 열방향으로 배열된 TFT(a3)의 동작에 이상이 발생하여 이 TFT(a3)에 접속된 열방향으로 연속되는 화소전극(a2)의 화소전압에 이상이 발생하게 된다.
따라서, 데이터 오픈 선결함은 결함화소가 열방향으로 연속되는 형태로서 발생된다. 데이터선(a5)이 행방향으로 배선되어 있는 액정구동기판의 경우에는 당연히 결함화소가 행방향으로 연속되는 선결함 형태가 된다. 상기 도 11에 도시한 열방향으로 5개 연속되는 선결함부는 상기 판정조건(1),(2)을 만족하는 것으로 데이터 오픈 선결함으로서 판정된다.
또한, 단계 S94에서는 데이터 쇼트 선결함의 판정처리가 실행된다. 이 처리는 데이터 쇼트 선결함 후보의 판정결과(단계 S34)에 따라 데이터 쇼트 선결함에 해당하는 화소전극(a2)을 추출하는 처리(결함요소 추출처리)와, 해당 결함요소 추출처리에 의해 추출된 화소전극(a2)을 연결하는 처리(결함요소 연결처리)와, 해당 결함요소 연결처리의 결과에 따라 최종적으로 데이터 쇼트 선결함인지의 여부를 판정하여 등록하는 결함판정 등록처리로 이루어진 것이다.
결함요소 추출처리에서는 상기 데이터 쇼트 선결함 후보용 문턱값(Edo)과 화소전압을 화소전극(a2)의 각 행 및 열과 비교함으로써 데이터 쇼트 선결함 후보에 해당하는 화소전극(a2)이 추출된다. 그리고 이 추출결과와 함께 ① 여러개 연속된 부분의 시작점이 되는 결함화소, ② 여러개 연속된 부분의 마지막 점이 되는 결함화소, ③ 결함화소의 개수 등이 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
또한, 결함화소 연결처리에서는 상기 추출결과에 따라 각각의 행 및 열에 대해 ① 결함화소가 최단부의 화소전극(a2)에서 시작되며 또 4개 이상이 연속되는 부분(결함화소군)과, ② 결함화소가 최단부의 화소전극(a2)으로 종료되며 4개 이상이 행방향 또는 열방향으로 연속되는 결함화소군과, ③ 결함화소가 최단부에서 개시 및 종료되지 않았으나 소정의 개수(K4) 이상 연속되는 결함화소군이 연결되며 이 연결결과가 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
즉, 이들 결함화소군에 삽입된 화소전극(a2)을 결함화소로 하고 상기 결함화소군과 함께 일련의 선결함부를 형성하는 것으로 인정한다. 또 상기 결함화소군③의 개수(K4)에 대해서는 상기 개수(K1)∼(K3)와 마찬가지로 제어장치(12)의 조작수단을 통해 임의로 지정된다.
또한, 결함판정등록처리에서는 상기 결함요소 연결처리의 결과와 이하에 도시하는 데이터 쇼트 선결함용 판정조건에 따라 최종적으로 데이터 쇼트 선결함에 해당하는 화소전극(a2)이 판정되어 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
[판정 조건]
(1) 결함화소의 배열방향이 열방향이며 또 상기 연결에 의해 형성되는 선결함 화소의 양 단이 최단부의 화소전극(a2)인 것을 데이터 쇼트 선결함으로 최종 판정한다.
(2) 결함화소의 배열방향이 열방향이며 또 선결함화소의 한쪽 단만 최단부의 화소전극(a2)이라는 것에 대해 다른 한쪽 단(결함단부)에서의 정상화소와 결함화소의 화소전압의 전압구배가 소정 전압구배보다 큰 것을 데이터 쇼트 선결함으로 최종 판정한다.
또한, 전압구배의 산출방법에 대해서는 상기 게이트 쇼트 선결함의 판정처리(단계 S91)와 동일하므로 설명을 생략한다.
계속해서 해당 패널처리에서는 단계 S95에 대해 점결함·클러스터 결함의 판정처리가 수행된다. 이 처리는 ① 결함요소의 추출처리, ② 그룹화 처리, ③ 판정등록처리로 이루어진 것이다.
결함요소의 추출처리에서는 상기 단계 S34에 있어서 점결함 후보·클러스터 결함 후보로 분류된 화소전극(a2)에 기초하여 점결함·클러스터 결함의 판정대상이 추출된다. 즉 상술한 각종 선결함에 관한 결함 종류별 결함판정 처리단계 S91∼S94에 있어서 선결함으로 판정되지 않았던 화소전극(a2)에서 점결함·클러스터 결함의 판정대상이 추출된다.
이들 선결함 판정처리에서는 결함요소 연결처리에 의해 본래 결함후보가 아니었던 화소전극(a2)이 선결함의 일부를 구성하는 결함화소로 판정되고 있다. 따라서 이 점결함·클러스터 결함에 관한 결함요소의 추출처리에서는 단계 S34에 있어서 점결함 후보·클러스터 결함 후보로 분류된 화소전극(a2)에서 상기 결함판정 처리단계 S91∼S94에 있어서 선결함으로 구성하는 결함화소로 판정된 것이 점결함·클러스터 결함에 관한 결함요소에서 제외된다.
그룹화 처리에서는, 이와 같은 결함요소의 추출처리의 처리결과가 결함화소의 연속개수에 근거하여 그룹화된다. 즉 열방향과 행방향과 기울기 방향으로 연속되는 결함화소가 그 개수에 따라 1∼L로 그룹 분류된다. 예컨대 1점만 고립되는 결함화소는 1점 결함으로, 열방향, 행방향 또는 기울기 방향으로 합계 2개 연속되는 결함화소는 2점 결함으로, 열방향, 행방향 또는 기울기 방향으로 합계 3개 연속되는 결함 화소는 3점 결함으로,....열방향, 행방향 또는 기울기 방향으로 합계 L점 연속되는 결함화소는 L점 결함으로 각각 그룹 분류된다.
판정등록처리에서는 이와 같이 그룹 분류된 고립결함 및 연속적인 결함이 연속 개수에 기초하여 점결함과 클러스터 결함으로 분류되어 이 분류 결과가 검사정보용 데이터 베이스에 등록된다.
도 13은 이와 같이 판정된 점결함과 클러스터 결함의 일예를 도시한 것이다. 이 도면에서는 결함 패턴(P1)은 1점 결함, 결함 패턴(P2)은 합계 2개의 결함 화소가 연속되는 2점 결함, 결함 패턴(P3)은 합계 3개의 결함 화소가 열방향, 행방향 또는 기울기 방향으로 연속되는 3점 결함, 결함 패턴(P4)은 합계 4개의 결함화소가 열방향, 행방향 또는 기울기 방향으로 연속되는 4점 결함, 결함 패턴(P5)은 합계 5개의 결함화소가 열방향, 행방향 또는 기울기 방향으로 연속되는 5점 결함, 결함 패턴(P6)은 합계 6개의 결함화소가 열방향, 행방향 또는 기울기 방향으로 연속되는 6점 결함을 도시하고 있다.
본 실시형태에서는 이들 결함 패턴(P1)∼(P6) 중 결함 패턴(P1)∼(P3) 즉 1∼3점 결함을 점결함으로 분류판정하고 결함 패턴(P4)∼(P6) 즉 4∼6점 결함을 클러스터 결함으로 분류 판정한다. 즉 해당 점결함·클러스터 결함의 판정처리(단계 S95)에서는 결함화소가 1∼3의 범위에서 연속되는 것이 점결함의 판정조건이며 또 결함화소가 4 이상인 범위에서 연속되는 것이 클러스터 결함의 판정조건이다.
이와 같이 하여 점결함·클러스터 결함의 판정처리가 종료되면 1장의 액정구동기판(A)에 대한 패널 처리가 완료된다. 이와 같은 패널처리는 상기 각 액정구동기판(A1)∼(A4)에 대해 모두 동일하게 수행되며 해당 액정구동기판(A1)∼(A4)으로 구성된 유리기판(B)의 검사결과로서 모니터(9)에 표시된다. 본 실시형태에서는 얼룩결함의 판정처리를 수행하지 않았다. 따라서 얼룩결함에 관한 결함정보는 검사결과에는 포함되지 않았다.
본 실시형태에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
(1) 각 결함종류별로 설치된 결함후보용 문턱값을 이용하여 각종 결함종류별 결함후보를 분류판정하고 이 분류판정 결과에 따라 각 결함종류별 결함화소를 최종적으로 판정하고 있다. 따라서 종래와 같이 단일 결함후보용 문턱값을 이용하여 결함후보를 판정하는 경우에 비해 각 화소전극(a2)의 화소전압에 대한 결함판정 정밀도를 향상시킬 수 있음과 동시에 결함종류별 판정 정밀도도 향상시킬 수 있다.
(2) 또 사이트 처리를 모듈레이터(1)에 대한 액정구동기판(A)의 사이트간 이동 중에 처리함으로써 결함후보용 문턱값을 결함종류별로 설치함으로써, 또 패널처리를 유리기판(B) 위의 액정구동기판(A) 간의 이동중에 수행함으로써 데이터 처리량의 증대에 따른 검사시간의 증대를 억제하여 액정구동기판(A)의 검사에 관한 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
(3) 화소전압을 정상화소의 화소전압(En)에서 가장 멀리 떨어진 결함후보용 문턱값부터 순서대로 비교하여 결함종류를 판정하기 때문에 결함 종류별 분류처리를 효율적으로 실시할 수 있다. 따라서 데이터 처리량의 증대에 따른 검사시간의 증대를 억제할 수 있다.
상기 실시형태에서는 유리기판(B) 위에 4개 형성된 형태의 액정구동기판(A1)∼(A4)의 검사에 대해 설명했는데 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 1개의 액정구동기판이 유리기판 위에 형성된 것을 검사하는 경우에 대해서도 적용할 수 있다. 또 비교적 작은 액정구동기판으로서 모든 화소전극이 모듈레이터(1)와 한번에 면대향하는 경우에 대해서도 적용할 수 있다.

Claims (5)

  1. 화소전극이 행렬 형태로 배치된 액정구동기판에 전기광학소자판을 대면 배치하고 화소전극에 소정 전압을 기입하여 얻어지는 전기광학소자판의 전압이미지 및 상기 전기광학소자판의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 실제 전압을 화소전압으로서 산출하고, 해당 화소전압에 근거하여 이상 전압의 결함화소와 정상 전압의 정상화소를 판별하는 액정구동기판의 검사장치에 있어서,
    상기 화소전압을 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값과 비교하여 상기 결함 종류별로 결함후보의 화소전극을 분류하고, 해당 결함 종류별 결함 후보의 화소전극을 결함 종류별로 마련된 판정조건에 근거하여 최종적으로 각 결함 종류별 결함화소로 판정하는 화상처리장치를 구비하고,
    상기 결함종류는 점결함, 게이트 오픈선 결함, 게이트 쇼트선 결함, 데이터 오픈선 결함, 데이터 쇼트선 결함, 얼룩 결함 중 1종 이상인 것을 특징으로 하는 액정구동기판의 검사장치.
  2. 화소전극이 행렬 형태로 배치된 액정구동기판에 해당 액정구동기판보다 작은 전기광학소자판을 대면 배치하고, 화소전극에 소정 전압을 기입한 상태에 있어서 액정구동기판의 각 소구분이 전기광학소자판과 면대향하도록 상대 위치를 각 소구분마다 차례로 이동시켜 액정구동기판의 전 영역에 걸친 전기광학소자판의 전압 이미지를 취하고, 해당 전압이미지 및 상기 전기광학소자판의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 실제 전압을 화소전압으로서 산출하고, 해당 화소전압에 근거하여 이상 전압의 결함화소와 정상 전압의 정상화소를 판별하는 액정구동기판의 검사장치에 있어서,
    화소전압을 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값과 비교하여 상기 결함 종류별로 결함후보의 화소전극을 분류처리하고, 해당 결함 종류별 결함 후보의 화소전극을 결함 종류별로 마련된 판별조건에 근거하여 최종적으로 각 결함 종류별 결함화소로 판정처리함과 동시에, 상기 분류처리를 상기 각 소구분 간의 이동중에 처리하는 화상처리장치를 구비하고,
    상기 결함종류는 점결함, 게이트 오픈선 결함, 게이트 쇼트선 결함, 데이터 오픈선 결함, 데이터 쇼트선 결함, 얼룩 결함 중 1종 이상인 것을 특징으로 하는 액정구동기판의 검사장치.
  3. 화소전극이 행렬 형태로 배치된 액정구동기판이 여러개 형성된 유리기판에 전기광학소자판을 대면 배치하고, 각 화소전극에 소정 전압을 기입한 상태에 있어서 각 액정구동기판이 전기광학소자판에 대면하도록 상대위치를 액정구동기판마다 차례로 이동시켜서 모든 액정구동기판에 대한 전기광학소자판의 전압이미지를 취하고, 해당 전압이미지 및 상기 전기광학소자판의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 실제 전압을 화소전압으로서 산출하고, 해당 화소전압에 근거하여 이상 전압의 결함 화소와 정상 전압의 정상 화소를 판별하는 액정구동기판의 검사장치에 있어서,
    상기 화소전압을 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값과 비교하여 상기 결함 종류별로 결함 후보의 화소전극을 분류처리하고, 해당 결함 종류별 결함 후보의 화소전극을 결함 종류별로 마련된 판정조건에 근거하여 최종적으로 각 결함 종류별 결함 화소로 판정처리함과 동시에 해당 판정처리를 각 액정구동기판 간의 이동중에 처리하는 화상처리장치를 구비하고,
    상기 결함종류는 점결함, 게이트 오픈선 결함, 게이트 쇼트선 결함, 데이터 오픈선 결함, 데이터 쇼트선 결함, 얼룩 결함 중 1종 이상인 것을 특징으로 하는 액정구동기판의 검사장치.
  4. 화소전극이 행렬 형태로 배치된 액정구동기판이 여러개 형성된 유리기판에 해당 액정구동기판보다 작은 전기광학소자판을 대면 배치하고, 화소전극에 소정 전압을 기입한 상태에 있어서 각 액정구동기판이 전기광학소자판에 대면하도록 액정구동기판마다 상대 위치를 차례로 이동시키고, 또 액정구동기판의 각 소구분이 전기광학소자판과 대면하도록 상대 위치를 각 소구간마다 차례로 이동시켜서 모든 액정구동기판의 전 영역에 걸친 전기광학소자판의 전압 이미지를 취하고, 해당 전압 이미지 및 상기 전기광학소자판의 전기광학특성에 근거하여 각 화소전극의 실제 전압을 화소전압으로서 산출하고, 해당 화소전압에 근거하여 이상 전압의 결함 화소와 정상 전압의 정상화소를 판별하는 액정구동기판의 검사장치에 있어서,
    상기 화소전압을 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값과 비교하여 상기 결함 종류별로 결함 후보의 화소전극을 분류처리하고, 해당 결함 종류별 결함 후보의 화소전극을 결함 종류별로 마련된 판정조건에 근거하여 최종적으로 각 결함 종류별 결함화소로 판정처리함과 동시에 상기 분류를 상기 각 소구간마다 이동하는 중에 처리함과 동시에, 상기 판정처리를 각 액정구동기판 간의 이동중에 처리하는 화상처리장치를 구비하고,
    상기 결함종류는 점결함, 게이트 오픈선 결함, 게이트 쇼트선 결함, 데이터 오픈선 결함, 데이터 쇼트선 결함, 얼룩 결함 중 1종 이상인 것을 특징으로 하는 액정구동기판의 검사장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 화상처리장치는, 결함화소의 결함 종류별로 설정한 문턱값 중 정상화소의 화소전압에서 떨어진 것부터 화소전압과 차례로 비교하여 어느 문턱값과의 비교에 있어서 결함 후보로 판단된 시점에서 다음의 문턱값과의 비교를 생략하는 것을 특징으로 하는 액정구동기판의 검사장치.
KR10-2002-7014628A 2001-03-05 2002-03-05 액정구동기판의 검사장치 Expired - Fee Related KR100517860B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001059876A JP3468755B2 (ja) 2001-03-05 2001-03-05 液晶駆動基板の検査装置
JPJP-P-2001-00059876 2001-03-05
PCT/JP2002/002014 WO2002071135A1 (fr) 2001-03-05 2002-03-05 Dispositif d'inspection de substrat de commande a cristaux liquides

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030023622A KR20030023622A (ko) 2003-03-19
KR100517860B1 true KR100517860B1 (ko) 2005-09-29

Family

ID=18919374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-7014628A Expired - Fee Related KR100517860B1 (ko) 2001-03-05 2002-03-05 액정구동기판의 검사장치

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6798231B2 (ko)
JP (1) JP3468755B2 (ko)
KR (1) KR100517860B1 (ko)
CN (1) CN1313865C (ko)
TW (1) TW562946B (ko)
WO (1) WO2002071135A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101391448B1 (ko) * 2007-02-15 2014-05-07 주식회사 동진쎄미켐 평판 표시 장치의 검사시스템 및 검사방법

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3824927B2 (ja) * 2001-06-22 2006-09-20 株式会社リコー 読取装置、画像形成装置、通信装置および異常画素データ取得方法
US6824562B2 (en) * 2002-05-08 2004-11-30 Cardiac Dimensions, Inc. Body lumen device anchor, device and assembly
US7635387B2 (en) 2001-11-01 2009-12-22 Cardiac Dimensions, Inc. Adjustable height focal tissue deflector
US6976995B2 (en) 2002-01-30 2005-12-20 Cardiac Dimensions, Inc. Fixed length anchor and pull mitral valve device and method
US7179282B2 (en) 2001-12-05 2007-02-20 Cardiac Dimensions, Inc. Device and method for modifying the shape of a body organ
DE10253717B4 (de) 2002-11-18 2011-05-19 Applied Materials Gmbh Vorrichtung zum Kontaktieren für den Test mindestens eines Testobjekts, Testsystem und Verfahren zum Testen von Testobjekten
US7316708B2 (en) 2002-12-05 2008-01-08 Cardiac Dimensions, Inc. Medical device delivery system
US20040220654A1 (en) 2003-05-02 2004-11-04 Cardiac Dimensions, Inc. Device and method for modifying the shape of a body organ
US7053645B2 (en) * 2003-06-06 2006-05-30 Yieldboost Tech, Inc. System and method for detecting defects in a thin-film-transistor array
US20040249608A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Yieldboost Tech, Inc. System and method for detecting defects in a thin-film-transistor array
US7200812B2 (en) * 2003-07-14 2007-04-03 Intel Corporation Method, apparatus and system for enabling users to selectively greek documents
JP3940718B2 (ja) 2003-10-30 2007-07-04 株式会社東芝 試験装置、良否判定基準設定装置、試験方法及び試験プログラム
KR100987890B1 (ko) * 2003-11-13 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 검사장치 및 그 검사방법
US9526616B2 (en) 2003-12-19 2016-12-27 Cardiac Dimensions Pty. Ltd. Mitral valve annuloplasty device with twisted anchor
KR100831109B1 (ko) * 2004-04-08 2008-05-20 포톤 다이나믹스, 인코포레이티드 변조기 제작을 위한 폴리머 분산 액정 포뮬레이션
JP4176041B2 (ja) * 2004-04-14 2008-11-05 オリンパス株式会社 分類装置及び分類方法
JP4480001B2 (ja) * 2004-05-28 2010-06-16 Ｈｏｙａ株式会社 ムラ欠陥検査マスク、ムラ欠陥検査装置及び方法、並びにフォトマスクの製造方法
JP4480002B2 (ja) * 2004-05-28 2010-06-16 Ｈｏｙａ株式会社 ムラ欠陥検査方法及び装置、並びにフォトマスクの製造方法
US7825982B2 (en) * 2004-06-17 2010-11-02 Aptina Imaging Corporation Operation stabilized pixel bias circuit
JP2006058083A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Pioneer Electronic Corp 表示パネル検査装置及び検査方法
KR20060073741A (ko) * 2004-12-24 2006-06-29 삼성전자주식회사 응답속도 측정장치와 이를 이용한 응답속도 측정방법
AU2006206254B2 (en) 2005-01-20 2012-02-09 Cardiac Dimensions Pty. Ltd. Tissue shaping device
KR100606384B1 (ko) * 2005-07-15 2006-08-01 호서대학교 산학협력단 액정화면의 광 반사율을 측정하는 장치
KR100691434B1 (ko) * 2005-08-30 2007-03-09 (주)알티에스 액정표시장치의 휘도보정장치
US20150097592A1 (en) * 2005-11-15 2015-04-09 Photon Dynamics, Inc. Direct testing for peripheral circuits in flat panel devices
JP5260320B2 (ja) * 2006-02-15 2013-08-14 ドウジン セミケム カンパニー リミテッド 平板表示装置の検査システム及び検査方法
CN100389451C (zh) * 2006-05-25 2008-05-21 友达光电股份有限公司 一种像素结构及其检修方法与制造方法
US7786742B2 (en) 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US7602199B2 (en) 2006-05-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Mini-prober for TFT-LCD testing
US11285005B2 (en) 2006-07-17 2022-03-29 Cardiac Dimensions Pty. Ltd. Mitral valve annuloplasty device with twisted anchor
KR101182324B1 (ko) * 2006-07-28 2012-09-20 엘지디스플레이 주식회사 평판표시장치의 화질제어 방법
US7327158B1 (en) * 2006-07-31 2008-02-05 Photon Dynamics, Inc. Array testing method using electric bias stress for TFT array
TWI345093B (en) * 2006-11-10 2011-07-11 Chimei Innolux Corp Method of manufacturing liquid crystal display
US7777507B2 (en) * 2007-03-26 2010-08-17 Intel Corporation Integrated circuit testing with laser stimulation and emission analysis
JP5692691B2 (ja) * 2008-05-09 2015-04-01 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 表示装置の検査方法と検査装置及び表示装置用基板と表示装置
WO2010080340A1 (en) * 2009-01-06 2010-07-15 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Methods and apparatus for determining a liquid level in a container using imaging
JP2011021999A (ja) * 2009-07-15 2011-02-03 Kyodo Design & Planning Corp 基板検査装置
JP5408540B2 (ja) * 2009-10-28 2014-02-05 株式会社島津製作所 Ｔｆｔアレイの検査方法及びｔｆｔアレイ検査装置
CA2783320C (en) 2009-12-09 2019-02-12 Luminator Holding Lp System and method for monitoring a signage system of a transit vehicle
DK2539879T3 (da) 2010-02-25 2020-02-17 Luminator Holding Lp System og fremgangsmåde til trådløs styring af skilte
JP5479253B2 (ja) * 2010-07-16 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US8866899B2 (en) 2011-06-07 2014-10-21 Photon Dynamics Inc. Systems and methods for defect detection using a whole raw image
JP5323906B2 (ja) * 2011-09-12 2013-10-23 シャープ株式会社 配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置
CN103033129B (zh) * 2011-10-07 2015-10-21 财团法人工业技术研究院 光学设备及光学定址方法
KR20130104563A (ko) * 2012-03-14 2013-09-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 어레이 시험 장치 및 시험 방법, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9001097B2 (en) * 2012-06-08 2015-04-07 Apple Inc. Systems and methods for reducing or eliminating mura artifact using image feedback
KR20140101612A (ko) * 2013-02-12 2014-08-20 삼성디스플레이 주식회사 결정화 검사장치 및 결정화 검사방법
KR102250763B1 (ko) * 2013-10-09 2021-05-12 오르보테크 엘티디. 플랫 패널 장치의 주변 회로에 대한 직접적인 테스팅
KR20150064464A (ko) * 2013-12-03 2015-06-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 변조기를 포함하는 기판 검사 장치 및 액정 변조기의 제조 방법
KR20160061548A (ko) * 2014-11-21 2016-06-01 삼성디스플레이 주식회사 어레이 테스트 모듈레이터 및 이를 포함하는 박막트랜지스터 기판 검사 장치
CN104570422B (zh) * 2014-12-31 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板的品质的监控方法
CN105096855B (zh) * 2015-07-22 2018-11-06 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板公共电压调整装置及液晶面板公共电压调整方法
JP2017152827A (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 ソニー株式会社 機器管理装置と機器管理方法およびプログラム
US20180247576A1 (en) * 2016-08-31 2018-08-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Automatic recognition method and apparatus for compatibility between system and display panel
KR102657989B1 (ko) * 2016-11-30 2024-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10390953B2 (en) 2017-03-08 2019-08-27 Cardiac Dimensions Pty. Ltd. Methods and devices for reducing paravalvular leakage
CN107633810B (zh) 2017-10-27 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 像素电路补偿方法及装置、显示面板和显示装置
CN108563047B (zh) * 2018-03-15 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 线路检测装置及线路检测方法
US11474144B2 (en) 2018-12-21 2022-10-18 Industrial Technology Research Institute Method for inspecting light-emitting diodes and inspection apparatus
TWI759866B (zh) * 2020-06-19 2022-04-01 財團法人工業技術研究院 發光二極體的檢測裝置及其檢測方法
KR102798434B1 (ko) * 2021-02-23 2025-04-18 오르보테크 엘티디. 모듈레이터 유지관리부를 포함하는 전기 회로 검사 시스템
EP4099033A1 (en) * 2021-06-02 2022-12-07 ALCAN Systems GmbH Layer arrangement and method for testing a number of tunable radio frequency transmission elements

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4983911A (en) * 1990-02-15 1991-01-08 Photon Dynamics, Inc. Voltage imaging system using electro-optics
JP3329805B2 (ja) * 1990-08-29 2002-09-30 株式会社日立製作所 自動外観検査装置及び外観検査方法
US5285150A (en) * 1990-11-26 1994-02-08 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for testing LCD panel array
US5235272A (en) * 1991-06-17 1993-08-10 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for automatically inspecting and repairing an active matrix LCD panel
US5432461A (en) * 1991-06-28 1995-07-11 Photon Dynamics, Inc. Method of testing active matrix liquid crystal display substrates
US5444385A (en) * 1991-09-10 1995-08-22 Photon Dynamics, Inc. Testing apparatus for liquid crystal display substrates
JP3273973B2 (ja) * 1991-09-10 2002-04-15 フォトン・ダイナミクス・インコーポレーテッド アクティブマトリックス液晶ディスプレイ基板の検査装置およびその検査方法並びに検査装置用電気光学素子
US5465052A (en) * 1991-09-10 1995-11-07 Photon Dynamics, Inc. Method of testing liquid crystal display substrates
US5459409A (en) * 1991-09-10 1995-10-17 Photon Dynamics, Inc. Testing device for liquid crystal display base plate
US5504438A (en) * 1991-09-10 1996-04-02 Photon Dynamics, Inc. Testing method for imaging defects in a liquid crystal display substrate
US5543729A (en) * 1991-09-10 1996-08-06 Photon Dynamics, Inc. Testing apparatus and connector for liquid crystal display substrates
US5391985A (en) * 1992-03-06 1995-02-21 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for measuring high speed logic states using voltage imaging with burst clocking
JP3228631B2 (ja) * 1993-12-24 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 テスタ
JP3476913B2 (ja) * 1994-07-08 2003-12-10 オリンパス株式会社 欠陥種別判定装置及びプロセス管理システム
JP3246704B2 (ja) * 1995-02-27 2002-01-15 シャープ株式会社 配線基板の検査装置
JPH08304852A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Nec Corp 液晶ディスプレイ基板の検査方法および装置
JPH0933874A (ja) * 1995-07-14 1997-02-07 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法
US6177955B1 (en) * 1997-10-09 2001-01-23 Westar Corporation Visual display inspection system
JPH11174397A (ja) * 1997-12-09 1999-07-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 液晶駆動基板の検査装置及びその検査方法
KR100253662B1 (ko) * 1998-02-16 2000-04-15 구본준, 론 위라하디락사 모듈레이터와 모듈레이터를 구비하는 전광센서
KR100671211B1 (ko) * 2000-01-12 2007-01-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101391448B1 (ko) * 2007-02-15 2014-05-07 주식회사 동진쎄미켐 평판 표시 장치의 검사시스템 및 검사방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1313865C (zh) 2007-05-02
US6798231B2 (en) 2004-09-28
JP2002258234A (ja) 2002-09-11
CN1462373A (zh) 2003-12-17
US20050068057A1 (en) 2005-03-31
TW562946B (en) 2003-11-21
US7212024B2 (en) 2007-05-01
WO2002071135A1 (fr) 2002-09-12
JP3468755B2 (ja) 2003-11-17
KR20030023622A (ko) 2003-03-19
US20030113007A1 (en) 2003-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100517860B1 (ko) 액정구동기판의 검사장치
EP2378484B1 (en) Inspection system
US5717780A (en) Checking apparatus for flat type display panels
TWI418778B (zh) 用以測試平面顯示裝置之系統及其方法
KR100911330B1 (ko) 어레이 테스트 장치와, 상기 어레이 테스트 장치의 기판 일지점 위치 측정 방법과, 카메라 어셈블리에 촬상된 특정 위치좌표 측정 방법
KR20070099398A (ko) 기판검사장치와 이를 이용한 기판검사방법
JP6522344B2 (ja) 高さ検出装置、塗布装置および高さ検出方法
CN107680523B (zh) 阵列基板十字线缺陷的检测方法
CN104062099A (zh) 侧发光led灯条测试装置和方法
KR101426487B1 (ko) 표시패널의 검사 장치 및 그 방법
KR101068356B1 (ko) 화상처리를 이용한 디스플레이 패널의 픽셀 불량 검사 방법
KR102188568B1 (ko) 인공지능 기반의 디스플레이 패널 검사방법
KR20170135525A (ko) 표시소자의 검사장치
CN115167021B (zh) 显示面板的检测方法及检测装置
CN111312130B (zh) 阵列基板检测方法及系统
JP3311628B2 (ja) 薄型表示機器の欠陥箇所位置決め装置
CN115938255A (zh) 显示检测装置、检测方法及检测系统
KR100658261B1 (ko) 라인 무라 결함을 검출하는 방법
JPH01144092A (ja) 液晶表示パネル用プローバ
CN109856877A (zh) 缺陷检测装置及缺陷检测方法
TWI874863B (zh) 顯示檢測裝置、檢測方法及檢測系統
JPH11174397A (ja) 液晶駆動基板の検査装置及びその検査方法
JP2000310758A (ja) 液晶表示装置の検査方法および検査装置
KR20040060752A (ko) 디스플레이 장치 검사 시스템 및 방법
KR100671342B1 (ko) 전기구동소자 검사 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0105 International application

Patent event date: 20021031

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20040821

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20050222

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20040821

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20050525

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20050222

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20050706

Appeal identifier: 2005101003329

Request date: 20050525

AMND Amendment
PB0901 Examination by re-examination before a trial

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20050624

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event date: 20050525

Patent event code: PB09011R01I

B701 Decision to grant
PB0701 Decision of registration after re-examination before a trial

Patent event date: 20050706

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PB07012S01D

Patent event date: 20050705

Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial

Patent event code: PB07011S01I

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20050922

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20050923

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080722

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090910

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100910

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110811

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120907

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120907

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130903

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130903

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140912

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140912

Start annual number: 10

End annual number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150911

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150911

Start annual number: 11

End annual number: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20170705