KR100306692B1 - 안정된 출력 전압을 제공하는 기준 전압 발생 회로 - Google Patents
안정된 출력 전압을 제공하는 기준 전압 발생 회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100306692B1 KR100306692B1 KR1019990010239A KR19990010239A KR100306692B1 KR 100306692 B1 KR100306692 B1 KR 100306692B1 KR 1019990010239 A KR1019990010239 A KR 1019990010239A KR 19990010239 A KR19990010239 A KR 19990010239A KR 100306692 B1 KR100306692 B1 KR 100306692B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transistors
- voltage
- source
- transistor
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000008859 change Effects 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
Description
Claims (8)
- 기준 전압 발생 회로에 있어서,제1 도전형의 제1 내지 제3 트랜지스터들(P1, P2, P3)을 포함하는 제1 전류 미러(CM1)로서, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터들(P1, P2, P3)은 모두 접속된 소스들을 가지고 상기 제1 전류원(CM1)의 제1 출력측, 기준측 및 제2 출력측을 각각 구성하는, 상기 제1 전류 미러(CM1)와;상기 제1 도전형에 반대되는 제2 도전형의 제4 및 제5 트랜지스터들(N1, N2)을 포함하는 제2 전류 미러(CM4)로서, 상기 제4 및 제5 트랜지스터들(N1, N2)은 상기 제2 전류 미러(CM2)의 기준측 및 출력측을 각각 구성하며, 상기 제4 및 제5 트랜지스터들(N1, N2)은 상기 제1 및 제2 트랜지스터들 각각에 직렬로 접속되는, 상기 제2 전류 미러(CM4)와;상기 제2 및 제5 트랜지스터들과 상기 제3 트랜지스터 각각에 직렬로 접속되어 이를 통해 흐르는 전류를 정하는 제1 및 제2 전류원들(R1, R2)을 포함하되,상기 제1 및 제3 트랜지스터들(P1, P2)의 소스-드레인 전압들을 지정된 범위 내에서 제어하는 전압 제어 블록(51; Vsd1, Vsd2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기준 전압 발생 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전압 제어 블록(Vsd1, Vsd2)은 상기 제1 및 제3 트랜지스터들의 소스 전압들에서 고정된 레벨을 뺀 전압들로 상기 제1 및 제3 트랜지스터들의 드레인 전압들을 제어하는 기준 전압 발생 회로.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터들(P1, P2, P3)의 소스들은 전압원(Vdd)에 접속된 기준 전압 발생 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전압 제어 블록(51)은 전압원(Vdd)에 접속된 소스, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터들(P1, P2, P3)의 소스들에 접속된 드레인 및 상기 제1 내지 제3 트랜지스터들(P1, P2, P3)의 임계 전압과 상기 제4 및 제5 트랜지스터들(N1, N2)의 임계 전압의 합에 대응하는 전압으로 고정된 게이트를 갖는 상기 제2 도전형의 제6 트랜지스터(N24)를 포함하는 기준 전압 발생 회로.
- 제 3 항에 있어서, 상기 전압 제어 블록(51)은 전압원(Vdd)에 접속된 소스,상기 제1 내지 제3 트랜지스터들(P1, P2, P3)의 소스들에 접속된 드레인, 상기 제1 내지 제3 트랜지스터들(P1, P2, P3)의 2배의 임계 전압들과 상기 제4 및 제5 트랜지스터들(N1, N2)의 임계 전압의 합에 대응하는 전압으로 고정된 게이트를 갖는 상기 제2 도전형의 제6 트랜지스터를 포함하는 기준 전압 발생 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전압 제어 블록은 상기 제3 전류 미러(Vsd1)의 제1 출력측, 기준측 및 제2 출력측 각각을 구성하는 상기 제1 도전형의 제6 내지 제8 트랜지스터들(P4, P5, P6)을 포함하는 제3 전류 미러(Vsd1)와, 상기 제4 전류미러(Vsd2)의 기준측 및 출력측 각각을 구성하는 상기 제2 도전형의 제9 및 제10 트랜지스터들(N3, N4)을 포함하는 제4 전류 미러(Vsd2)를 포함하며, 상기 제6 및 제9 트랜지스터들(P4, N3)은 상기 제1 및 제4 트랜지스터들(P1, N1)의 드레인들간에 직렬로 접속되며, 상기 제7 및 제10 트랜지스터들(P5, N4)은 상기 제2 및 제5 트랜지스터들(P2, N2)의 드레인들간에 직렬로 접속되는 기준 전압 발생 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제4, 제5, 및 제3 트랜지스터들(N1, N2, P3)의 드레인들은 제1 다이오드(D1), 직렬로 접속된 제1 저항기(R1) 및 제2 다이오드(D2), 및 직렬로 접속된 제2 저항기(R2) 및 제3 다이오드(D3) 각각을 통해 전압원에 접속되고 상기 제1 및 제2 저항기들(R1, R2)은 상기 제1 및 제2 전류원들을 각각 구성하는 기준 전압 발생 회로.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제2 및 제3 다이오드들(D2, D3) 각각은 병렬로 접속되며, 상기 제1 다이오드(D1)의 설계 크기와 동일한 설계 크기를 갖는 복수의 다이오드들을 포함하는 기준 전압 발생 회로.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP98-77898 | 1998-03-25 | ||
JP7789898A JP3156664B2 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 基準電圧発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990078249A KR19990078249A (ko) | 1999-10-25 |
KR100306692B1 true KR100306692B1 (ko) | 2001-09-26 |
Family
ID=13646903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990010239A Expired - Fee Related KR100306692B1 (ko) | 1998-03-25 | 1999-03-25 | 안정된 출력 전압을 제공하는 기준 전압 발생 회로 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6204724B1 (ko) |
EP (1) | EP0945774B1 (ko) |
JP (1) | JP3156664B2 (ko) |
KR (1) | KR100306692B1 (ko) |
CN (1) | CN1234584A (ko) |
DE (1) | DE69901856T2 (ko) |
TW (1) | TW421737B (ko) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3450257B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2003-09-22 | Nec化合物デバイス株式会社 | アクティブ・バイアス回路 |
US6661713B1 (en) | 2002-07-25 | 2003-12-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Bandgap reference circuit |
US7394308B1 (en) * | 2003-03-07 | 2008-07-01 | Cypress Semiconductor Corp. | Circuit and method for implementing a low supply voltage current reference |
DE10332864B4 (de) * | 2003-07-18 | 2007-04-26 | Infineon Technologies Ag | Spannungsregler mit Stromspiegel zum Auskoppeln eines Teilstroms |
US6888402B2 (en) * | 2003-08-26 | 2005-05-03 | International Business Machines Corporation | Low voltage current reference circuits |
KR100549947B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2006-02-07 | 삼성전자주식회사 | 집적회로용 기준전압 발생회로 |
JP2005181975A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 画素回路、電気光学装置および電子機器 |
US7301322B2 (en) * | 2004-01-23 | 2007-11-27 | Zmos Technology, Inc. | CMOS constant voltage generator |
CN100442642C (zh) * | 2004-01-29 | 2008-12-10 | 凌阳科技股份有限公司 | 高输出电压移转装置 |
US7038530B2 (en) * | 2004-04-27 | 2006-05-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reference voltage generator circuit having temperature and process variation compensation and method of manufacturing same |
KR100673102B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2007-01-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 보상 셀프 리프레쉬 회로 |
DE102005009138A1 (de) * | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Newlogic Technologies Ag | Widerstands-Schaltkreis |
JP2006244228A (ja) | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Elpida Memory Inc | 電源回路 |
US7830200B2 (en) * | 2006-01-17 | 2010-11-09 | Cypress Semiconductor Corporation | High voltage tolerant bias circuit with low voltage transistors |
US7755419B2 (en) | 2006-01-17 | 2010-07-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Low power beta multiplier start-up circuit and method |
JP4761458B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2011-08-31 | セイコーインスツル株式会社 | カスコード回路および半導体装置 |
JP2008015925A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
US7382308B1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-06-03 | Iwatt Inc. | Reference buffer using current mirrors and source followers to generate reference voltages |
JP5151542B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2013-02-27 | セイコーエプソン株式会社 | バンドギャップリファレンス回路 |
JP5051105B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2012-10-17 | 三菱電機株式会社 | リファレンス電圧発生回路及びバイアス回路 |
JP5326648B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2013-10-30 | 富士通株式会社 | 基準信号発生回路 |
JP5593904B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2014-09-24 | 株式会社リコー | 電圧クランプ回路およびこれを用いた集積回路 |
KR101770604B1 (ko) | 2010-10-11 | 2017-08-23 | 삼성전자주식회사 | 전자 회로에서 저항의 공정 변화를 보상하기 위한 장치 |
JP2013183268A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Denso Corp | コンパレータ |
JP6058960B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2017-01-11 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | カレントミラー回路 |
JP5801333B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2015-10-28 | 株式会社東芝 | 電源回路 |
JP5983552B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2016-08-31 | 株式会社デンソー | 定電流定電圧回路 |
CN104977975B (zh) * | 2014-04-14 | 2017-04-12 | 奇景光电股份有限公司 | 温度非相关的整合电压源与电流源 |
US9710009B2 (en) * | 2015-03-13 | 2017-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Regulator and semiconductor integrated circuit |
FR3038467B1 (fr) | 2015-07-03 | 2019-05-31 | Stmicroelectronics Sa | Carte sans contact telealimentee |
KR20190029244A (ko) | 2017-09-12 | 2019-03-20 | 삼성전자주식회사 | 밴드 갭 기준 전압 생성 회로 및 밴드 갭 기준 전압 생성 시스템 |
JP2020042478A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | キオクシア株式会社 | 半導体集積回路 |
CN112491395B (zh) * | 2019-09-11 | 2024-08-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 单元电路 |
KR20220131578A (ko) * | 2021-03-22 | 2022-09-29 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 슬루율 가속 회로 및 이를 포함하는 버퍼 회로 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55116114A (en) | 1979-02-28 | 1980-09-06 | Nec Corp | Constant voltage circuit |
JPS6153804A (ja) | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Nec Corp | 基準電圧発生回路 |
JPH0714992B2 (ja) | 1985-03-07 | 1995-02-22 | ダイセル化学工業株式会社 | 電子部品封止用樹脂組成物 |
JPH0212509A (ja) | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Nec Corp | 定電圧回路 |
IT1223685B (it) * | 1988-07-12 | 1990-09-29 | Italtel Spa | Generatore di tensione di riferimento completamente differenziale |
FR2703856B1 (fr) * | 1993-04-09 | 1995-06-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Architecture d'amplificateur et application a un generateur de tension de bande interdite . |
US5481179A (en) * | 1993-10-14 | 1996-01-02 | Micron Technology, Inc. | Voltage reference circuit with a common gate output stage |
US5955874A (en) * | 1994-06-23 | 1999-09-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Supply voltage-independent reference voltage circuit |
JP3138203B2 (ja) * | 1996-01-26 | 2001-02-26 | 東光株式会社 | 基準電圧発生回路 |
KR0183549B1 (ko) * | 1996-07-10 | 1999-04-15 | 정명식 | 온도 보상형 정전류원 회로 |
US5900773A (en) * | 1997-04-22 | 1999-05-04 | Microchip Technology Incorporated | Precision bandgap reference circuit |
US6037762A (en) * | 1997-12-19 | 2000-03-14 | Texas Instruments Incorporated | Voltage detector having improved characteristics |
US6031365A (en) * | 1998-03-27 | 2000-02-29 | Vantis Corporation | Band gap reference using a low voltage power supply |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP7789898A patent/JP3156664B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-25 CN CN99105645A patent/CN1234584A/zh active Pending
- 1999-03-25 DE DE69901856T patent/DE69901856T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-25 US US09/276,151 patent/US6204724B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-25 EP EP99106053A patent/EP0945774B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-25 TW TW088104741A patent/TW421737B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-25 KR KR1019990010239A patent/KR100306692B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW421737B (en) | 2001-02-11 |
JP3156664B2 (ja) | 2001-04-16 |
EP0945774A1 (en) | 1999-09-29 |
CN1234584A (zh) | 1999-11-10 |
DE69901856D1 (de) | 2002-07-25 |
KR19990078249A (ko) | 1999-10-25 |
DE69901856T2 (de) | 2003-01-30 |
US6204724B1 (en) | 2001-03-20 |
EP0945774B1 (en) | 2002-06-19 |
JPH11272345A (ja) | 1999-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100306692B1 (ko) | 안정된 출력 전압을 제공하는 기준 전압 발생 회로 | |
US7667448B2 (en) | Reference voltage generation circuit | |
JP2788843B2 (ja) | 基準電圧発生器 | |
US7592862B2 (en) | Digital temperature sensing device using temperature depending characteristic of contact resistance | |
KR900007605B1 (ko) | 중간전위 생성회로 | |
US7973525B2 (en) | Constant current circuit | |
US5939933A (en) | Intentionally mismatched mirror process inverse current source | |
JP4150326B2 (ja) | 定電圧回路 | |
US9147443B2 (en) | Low power reference current generator with tunable temperature sensitivity | |
JPH10116129A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
US5083079A (en) | Current regulator, threshold voltage generator | |
KR101911367B1 (ko) | 기준 전류 생성 회로, 기준 전압 생성 회로, 및 온도 검출 회로 | |
US6927558B2 (en) | Power supply voltage lowering circuit used in semiconductor device | |
KR100307835B1 (ko) | 정전압회로 | |
US7834609B2 (en) | Semiconductor device with compensation current | |
US10873305B2 (en) | Voltage follower circuit | |
US20230333584A1 (en) | Voltage reference circuit and a power management unit | |
KR100671210B1 (ko) | 와이드 스윙을 갖는 캐스코드 전류미러형 스타트-업 회로 | |
TW201835707A (zh) | 偏壓電路 | |
KR20030091296A (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부 전원 전압 발생회로 | |
CN117850532A (zh) | 偏置电流生成电路及芯片 | |
KR100496792B1 (ko) | 기준전압발생회로 | |
JP2001142550A (ja) | 定電圧回路 | |
KR100618706B1 (ko) | 트랜지스터용 웰 바이어스 전압 발생기 | |
KR100268781B1 (ko) | 반도체 장치의 입력 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19990325 |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19990409 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 19990325 Comment text: Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20010529 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20010813 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20010814 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |