[go: up one dir, main page]

KR100305750B1 - 플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법 - Google Patents

플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100305750B1
KR100305750B1 KR1019990007942A KR19990007942A KR100305750B1 KR 100305750 B1 KR100305750 B1 KR 100305750B1 KR 1019990007942 A KR1019990007942 A KR 1019990007942A KR 19990007942 A KR19990007942 A KR 19990007942A KR 100305750 B1 KR100305750 B1 KR 100305750B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
anisotropic conductive
flip chip
conductive adhesive
conductive material
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019990007942A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000030037A (ko
Inventor
임명진
백경욱
Original Assignee
윤덕용
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤덕용, 한국과학기술원 filed Critical 윤덕용
Priority to KR1019990007942A priority Critical patent/KR100305750B1/ko
Priority to US09/506,708 priority patent/US6238597B1/en
Priority to JP2000065022A priority patent/JP3675285B2/ja
Publication of KR20000030037A publication Critical patent/KR20000030037A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100305750B1 publication Critical patent/KR100305750B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0239—Coupling agent for particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명은 에폭시수지를 주성분으로 하고 전도성 물질, 비전도성 물질, 커플링제 및 경화제를 혼합하여 일정한 열팽창계수를 갖는 플라스틱 기판의 플립칩 접속용 고신뢰성 이방성 전도성 접착제의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 종전의 이방성 전도성 필름이 갖고 있는 전기적 전도성과 솔더 플립칩의 하부충전재료 (underfill)의 기계적 신뢰성 향상기능을 동시에 갖는다. 본 발명은 플라스틱으로 된 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB) 위에 이방성 전도성 접착제 (Anisotropic Conductive Adhesive; ACA)를 도포하고 플립 칩을 플라스틱 기판에 접속한 후 열과 압력에 의해 플립 칩과 플라스틱 기판을 접속시킴으로써 간단한 접속공정과 높은 생산성, 저렴한 가격을 구현할 수 있는 새로운 ACA를 제공하는 것을 목적으로 한다.

Description

플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법 {Manufacturing Method for Anisotropic Conductive Adhesive for Flip Chip Interconnection on an Organic Substrate}
본 발명은 에폭시수지를 주성분으로 하고 전도성 물질, 비전도성 물질, 커플링제 및 경화제를 혼합하여 일정한 열팽창계수를 갖는 플라스틱 기판의 플립칩 접속용 고신뢰성 이방성 전도성 접착제(Anisotropic Conductive Adhesive, 이하 ACA라 한다.)의 제조방법에 관한 것이다. 최근 급속히 발전하고 있는 반도체기술은 백만 개 이상의 셀(cell) 집적, 비메모리 소자의 경우 많은 입출력(Input/Output; I/O) 핀 개수, 큰 다이 크기, 많은 열 방출, 고전기적 성능 등의 경향으로 발전하고 있다. 그러나 반도체 기술의 급속한 발전에도 불구하고 전자 패키지 기술은 이를 뒷받침하지 못하고 있는 것이 실정이다. 전자 패키지기술은 최종전자 제품의 성능, 크기, 가격, 신뢰성 등을 결정하는 중요한 기술중의 한 분야로서 특히 고전기적 성능, 극소형/고밀도, 저 전력, 다기능, 초고속 신호 처리, 영구적 신뢰성을 추구하고 있으며, 최근의 전자제품에 있어 극소형 패키지 부품은 컴퓨터, 정보통신, 이동통신, 고급 가전제품 등의 필수 부품으로서 플립칩(Flip Chip) 기술은 스마트 카드(smart cards), 액정표시장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등의 디스플레이(Display) 패키징, 컴퓨터, 휴대용 전화기, 통신시스템(Communication system) 등에 폭 넓게 활용되고 있다.
이러한 플립칩 기술은 기존의 솔더(Solder)를 이용한 접속 공정에서 저가, 극미세 전극 피치 가능, 무용제(fluxless) 공정의 환경 친화적인 공정, 저온 공정등의 장점을 가지는 전도성 접착제를 이용한 접속으로 대체해 가고 있다.
전도성 접착제의 종류는 이방성 전도성 필름/접착제(Anisotropic Conductive Flim/Adhesive)와 등방성 전도성 접착제(Isotropic Conductive Adhesive) 등의 제품이 있으며 기본적으로 니켈(Ni), 금/폴리머(Au/polymer), 은(Ag) 등의 도전성 입자들과 열경화성, 열가소성의 절연수지(insulating resin)로 구성되어 있다. 보다 신뢰성 있고 낮은 저항값, 높은 접착력을 가지는 전도성 접착제를 이용하여 상호접속(interconnection)을 확보하기 위해서는 도전 입자의 크기와 분포, 함량, 변형량의 최적치 등을 알아야 하고, 보다 낮은 온도에서 빠른 시간 내에 경화 가능한 접착제 수지의 개발과 접착제 제조공정 그리고 이러한 접착제를 이용한 저가의 플립 칩 공정 개발을 위해서 이방성 전도성 접착제의 개발이 필요하다.
이방성 전도성 접착제는 필름 형태와 페이스트(paste) 형태가 있는데, 본 발명에서는 플라스틱 기판과 칩의 플립 칩 접속공정을 위한 접착제의 제조공정의 간편성을 위해 페이스트 형태의 접착제를 개발하는데 주안점을 두고있다.
현재까지 뚜렷하게 전도성 접착제를 이용한 플립 칩 기술이 표준화되어 있지 않기 때문에 전도성 접착제 개발의 선두 주자인 히타치나 소니사의 일본회사, 다국가간 연구 콘소시움을 통해 체계적으로 연구해 나가고 있는 유럽의 대학, 각국의 관련 회사 연구소들은 자사제품의 표준화를 통한 세계시장 선점을 위해 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 특히 전자 패키징 기술은 전자제품의 제조에서 가장 중요한 부분 중의 하나이며, 사용재료의 선택 및 공정, 재료 개발이 중요해지고 있는 상황에서 환경 친화적인 제품의 경향에 발맞추어 기존의 솔더 접속을 대체할 전기 도전과신뢰성을 확보한 접속재료의 사용이 필요하게 되어 더욱 새로운 전도성 접착제의 사용이 주목을 받고 있다.
본 발명과 관련된 종래기술로는 (1)No-flow underfill technology, (2)Conventional ACA 등이 있으나 (1)은 이미 솔더가 형성되어 있는 칩을 기판에 접속시킬 때 하부충전재가 형성되는 기술로서 도전성 입자를 함유하고 있지 않고, (2)는 ACA 내에 도전입자만 있어서 보통 열팽창계수가 커서 고신뢰성을 갖지 못하는 측면에서 본 발명과 다른 기술이다.
본 발명은 에폭시수지를 주성분으로 하고 전도성 물질, 비전도성 물질, 커플링제 및 경화제를 혼합하여 일정한 열팽창계수를 갖는 플라스틱 기판의 플립칩 접속용 고신뢰성 이방성 전도성 접착제의 제조하여 종래 이방성 전도성 필름이 갖고 있는 전기적 도전성과 솔더 플립 칩의 하부충전재료의 기계적 신뢰성 향상기능을 동시에 갖는 새로운 이방성 전도성 접착제를 제공하고자 한다. 즉, 플라스틱으로 된 인쇄회로기판(PCB) 기판 위에 본 발명의 ACA를 도포하고 칩을 정렬한 후 열과 압력에 의해 플립 칩을 접속시켜 간단한 접속공정과 높은 생산성, 저렴한 가격을 구현할 수 있는 ACA 제공을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 이방성 전도성 접착제의 제조공정을 나타낸 공정도.
도 2는 비도전성 입자들의 함량에 따른 이방성 전도성 접착제가 경화된 후 열팽창계수의 거동을 나타낸 그래프.
도 3은 이방성 전도성 접착제를 플라스틱 기판에 분산시키고 범프(bump)가 형성된 칩과 기판을 정렬시킨 후 고온압착시키는 플립 칩 접속 공정도.
도 4는 이방성 전도성 접착제에 의해 기판과 범프가 형성된 칩의 부착 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 전도성 물질 2 : 비 전도성 물질
3 : 기판 4 : 칩
본 발명의 이방성 전도성 접착제는 액상의 에폭시수지를 접착제 주성분으로 하고 전도성 물질(1)과 비전도성 물질(2)을 상온에서 3시간 동안 혼합하고, 커플링제 및 경화제를 첨가하여 1시간 동안 상온에서 믹싱(mixing)하여 제조하며 그 제조공정은 도 1과 같다. 에폭시수지는 비스페놀 에프형(Bisphenol F type)을 사용함으로써 기존의 에폭시수지를 이용한 접착제/필름과는 달리 여러 종류의 에폭시수지를 사용하지 않으며, 점도(viscosity)를 조절하기 위해 솔벤트를 사용하지 않는다. 전도성 물질(1)은 솔더(Solder), 금(Au)이 코팅된 폴리스티렌(Polystyrene) 고분자, 은(Ag) 분말 또는 니켈(Ni) 분말을 직경 5-10㎛로 하여 6-20wt%를 사용하고, 에폭시수지의 기계적 물성을 조절하기 위해 사용하는 비전도성 물질(2)은 알루미나 (Al2O3) 분말, 베릴리아(BeO) 분말, 실리콘 카바이드(SiC) 분말 또는 실리카(SiO2) 분말을 직경 0.1-1㎛로 하여 30-50 wt%를 사용한다. 이때 전도성 물질(1)의 크기는 비전도성 물질(2)의 크기보다 커야 하는데 이는 접착제내의 전도성 입자가 칩(4)의 범프와 기판(3)의 전극사이에 접촉하여 전도성을 부여하기 위해서이다. 바람직하기로는 상기 비전도성물질의 입자직경은 전도성물질의 입자직경의 20%이하가 되도록 한다. 한편 비전도성 물질(2)은 접착층의 칩(4)의 범프와 기판(3)의 전극이 접촉한 부위에 열팽창계수와 같은 물성에 영향을 미친다. 그리고 전도성 물질(1)과 비전도성 물질(2)의 혼합물이 액상의 에폭시수지 내에서 균일하게 분산시키고 침전을 방지하기 위해서 에폭시계 커플링제(coupling agent)로 3-글리시딜옥시 프로필 트리메톡시 실란(3-glycidyloxy propyl trimethoxy silane), 2-(3,4-에폭시시클로헥실)-에틸 트리메톡시 실란(2-(3,4-epoxycyclohexyl)-ethyl trimethoxy silane) 또는 3-글리시딜옥시 프로필 메틸 디에톡시 실란(3-glycidyloxy propyl methyl diethoxy silane)을 3-5 wt% 첨가하고, 에폭시수지의 열적 경화를 위해 일본 Asia Ciba사에서 상품으로 시판중인 HX3941 HP 또는 HX3748 HP인 이미다졸계의 경화제를 에폭시수지 중량당 30-50wt% 첨가하여 제조한다.
이하 본 발명을 다음의 실시예와 시험예, 적용예에 의하여 설명하고자 한다. 그러나 이들에 의해 본 발명의 기술적 범위가 제한되는 것은 아니다.
＜ 실시예 1 ＞
본 발명의 이방성 전도성 접착제의 제조방법은 도 1에 나타낸 공정을 이용하였다. 비스페놀 에프 형의 액상 에폭시수지를 주성분으로 사용하고, 전도성 물질(1)은 기계적 강도와 전기적 전도도 및 자기장에 의한 정렬 가능성이 우수한 니켈 분말을 직경 5㎛로 하여 6wt% 사용하고, 비전도성 물질(2)은 직경 1㎛ 실리카(SiO2) 분말을 10wt% 사용하여 상온에서 3시간 동안 혼합하였다. 그런 다음 커플링제로 3-글리시딜옥시 프로필 트리메톡시 실란 3wt% 첨가하고, 에폭시수지의 열적 경화를 위해서 이미다졸(imidazole)계의 일종이며 시중에 상품명 HX3941 HP(일본 Asia Ciba사)으로 시판되는 경화제를 에폭시수지 중량당 50wt% 비율로 첨가하여 1시간 동안 상온에서 기계적인 믹싱을 통하여 제조한다. 믹싱 과정중 접착제 안에 기포가 많이 발생하는데 이를 제거하기 위하여 진공으로 흡입시켰다.
< 실시예 2 >
전도성 물질(1)로 직경 5㎛ 니켈 분말 10wt%와 비전도성 물질(2)로 직경 1㎛ 실리카(SiO2) 분말을 50wt% 혼합하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 같은 방법으로 하여 이방성 전도성 접착제를 제조하였다.
< 실시예 3 >
전도성 물질(1)로 직경 5㎛ 니켈 분말 15wt%와 비전도성 물질(2)로 직경 1㎛ 실리카(SiO2) 분말을 45wt% 혼합하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 같은 방법으로 하여 이방성 전도성 접착제를 제조하였다.
< 실시예 4 >
전도성 물질(1)로 직경 5㎛ 니켈 분말 20wt%와 비전도성 물질(2)로 직경 1㎛ 실리카(SiO2) 분말을 40wt% 혼합하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 같은 방법으로 하여 이방성 전도성 접착제를 제조하였다.
< 시험예 >
비전도성 물질(2)의 혼합량에 따른 경화 후의 접착제 열팽창계수의 변화를 알아보기 위하여 전도성 물질(1)로 니켈 분말의 함량을 10wt%로 고정하고 비전도성 물질(2)로 실리카(SiO2) 분말의 함량을 0-60wt%로 변화시키고 그 외 물질 및 사용량은 상기 실시예 1과 같은 방법에 의해 이방성 전도성 접착제를 제조 및 경화시켰다. 그런 다음 TMA(Thermo Mechanical Analysis)로 상온에서 250℃까지 분당 5℃의 속도로 승온하면서 초기시편의 길이 변화를 측정하는 방법에 의해 접착제의 열팽창계수를 측정하였으며 그 결과를 도 2에 나타내었다. 실리카의 함량이 10wt% 첨가되면서 낮은 열팽창계수를 나타내기 시작해서 실리카의 함량이 50-60wt% 일 때 가장 낮은 열팽창계수를 나타내었다. 즉, 전도성 물질(1)인 니켈 분말의 함량을 10wt%사용할 때, 비전도성 물질(2)인 실리카 분말의 함량 50wt%이 최적특성을 나타낸다.
＜ 적용예 ＞ 플립 칩 공정
상기 실시예 2에서 제조한 이방성 전도성 접착제(ACA)를 이용하여 도 3의 순서에 따라 범프된 칩(Bumped chip)(4)을 플라스틱 기판(3) 위에 접속하였다. 먼저 접착제가 플라스틱 기판(3)위에서 잘 분산되도록 플라스틱 기판의 온도를 80℃로 유지한 후 이방성 전도성 접착제를 플라스틱 기판(3) 위에 분산시키고 칩(4)의 범프와 기판(3) 위의 전극끼리 정렬시킨 후 플립 칩 본더를 사용하여 150℃에서 열압착시켜 5분 이내에 접착제를 경화시켜 칩(4)의 범프와 기판(3)의 전극을 접속하였다. 이때 접착제는 플라스틱 기판(3) 위에 분배(dispensing)시 스크린 프린팅이 가능한 점도인 200,000 ~ 400,000 센티포이즈(CP)를 유지하기 위해서 에폭시수지의 솔벤트를 제거하여 도포 작업성을 높였다.
본 발명의 이방성 전도성 접착제는 기존의 이방성 전도성 필름(ACF)과 비슷한 전기적 성능을 가지며 하부충전재료를 사용한 플립 칩의 기계적 성질, 빠른 경화성, 도포와 스크린 특성, 전도성 입자와 비전도성 입자를 포함하는 이방성 전도성 접착제로서 제조공정이 간단하고 저가형 플립칩, 칩크기실장(Chip Size Packaging; CSP) 시장에 적용 가능하다. 또한 관련 부품 실장기술에 응용할 수 있다.

Claims (5)

  1. 플라스틱기판의 플립칩 접속용 이방성전도성 접착제의 제조방법에 있어서,
    에폭시수지를 접착제의 주성분으로 하고 솔더, 금이 코팅된 폴리스티렌고분자, 은분말 또는 니켈분말에서 선택된 전도성물질 6∼20wt%,
    실리콘카바이드분말 또는 실리카분말에서 선택되어지며 입자직경이 상기 전도성물질의 입자직경의 20%이하인 비전도성물질 30∼50wt%를 혼합하고,
    상기 혼합물에 커플링제 3∼5wt% 및 이미다졸계 경화제를 에폭시수지 중량대비 30∼50wt%첨가하여 혼합하여 제조함을 특징으로 하는 고신뢰성 이방성전도성 접착제의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 커플링제는 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)-에틸트리메톡시실란 또는 3-글리시딜옥시프로필메틸디에톡시실란에서 선택된 것임을 특징으로 하는 고신뢰성 이방성전도성 접착제의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 경화제는 이미다졸계 HX3941 HP 또는 HX3748 HP임을 특징으로 하는 고신뢰성 이방성전도성 접착제의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 전도성물질은 직경이 5∼10㎛임을 특징으로 하는 고신뢰성 이방성전도성 접착제의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 비전도성물질은 직경이 0.1∼1㎛임을 특징으로 하는 고신뢰성 이방성전도성 접착제의 제조방법.
KR1019990007942A 1999-03-10 1999-03-10 플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법 KR100305750B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990007942A KR100305750B1 (ko) 1999-03-10 1999-03-10 플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법
US09/506,708 US6238597B1 (en) 1999-03-10 2000-02-18 Preparation method of anisotropic conductive adhesive for flip chip interconnection on organic substrate
JP2000065022A JP3675285B2 (ja) 1999-03-10 2000-03-09 プラスチック基板のフリップチップ接続用異方性伝導性接着剤の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990007942A KR100305750B1 (ko) 1999-03-10 1999-03-10 플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000030037A KR20000030037A (ko) 2000-06-05
KR100305750B1 true KR100305750B1 (ko) 2001-09-24

Family

ID=19576124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990007942A KR100305750B1 (ko) 1999-03-10 1999-03-10 플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6238597B1 (ko)
JP (1) JP3675285B2 (ko)
KR (1) KR100305750B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477914B1 (ko) * 2001-12-28 2005-03-18 제일모직주식회사 이방성 도전 접착제용 수지 조성물
KR100484449B1 (ko) * 2002-02-25 2005-04-22 한국과학기술원 고출력 모듈 접속용 저 전기 저항/고 임계전류밀도 이방성전도성 접착제조성물
WO2011007947A1 (ko) * 2009-07-13 2011-01-20 한국과학기술원 초음파 접합용 이방성 전도성 접착제 및 이를 이용한 전자부품 간 접속방법
KR101294593B1 (ko) * 2011-04-13 2013-08-09 한국과학기술연구원 전도성 접착제 및 그 제조방법
KR101401574B1 (ko) 2012-05-30 2014-06-11 한국과학기술연구원 하이브리드 필러를 이용한 전도성 접착제 및 이의 제조방법

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001078908A1 (en) * 2000-04-04 2001-10-25 Parlex Corporation High speed flip chip assembly process
AU3409702A (en) * 2000-10-24 2002-05-06 Nanopierce Technologies Inc Method and materials for printing particle-enhanced electrical contacts
KR100398315B1 (ko) * 2001-02-12 2003-09-19 한국과학기술원 고주파 패키지용 플립 칩 접속을 위한 전도성 접착제의 제조방법
US6847747B2 (en) * 2001-04-30 2005-01-25 Intel Corporation Optical and electrical interconnect
KR100418031B1 (ko) * 2001-05-11 2004-02-14 엘지전자 주식회사 표시장치
KR100456064B1 (ko) * 2001-07-06 2004-11-08 한국과학기술원 극미세 피치 ｃｏｇ 기술용 이방성 전도성 필름
KR100398314B1 (ko) * 2001-07-19 2003-09-19 한국과학기술원 고접착력 3층 구조 ａｃａ 필름
KR100411619B1 (ko) * 2001-08-13 2003-12-18 송기영 콘덴서 마이크로폰의 구조 및 그 제조 방법
TW557485B (en) * 2001-11-26 2003-10-11 Shindo Denshi Kogyo Kk Semiconductor device and method of IC-mounting for semiconductor device
US7267171B2 (en) 2002-01-08 2007-09-11 Halliburton Energy Services, Inc. Methods and compositions for stabilizing the surface of a subterranean formation
US6962200B2 (en) 2002-01-08 2005-11-08 Halliburton Energy Services, Inc. Methods and compositions for consolidating proppant in subterranean fractures
US7343973B2 (en) 2002-01-08 2008-03-18 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of stabilizing surfaces of subterranean formations
US6691780B2 (en) 2002-04-18 2004-02-17 Halliburton Energy Services, Inc. Tracking of particulate flowback in subterranean wells
US6942824B1 (en) * 2002-05-22 2005-09-13 Western Digital (Fremont), Inc. UV curable and electrically conductive adhesive for bonding magnetic disk drive components
US20040211561A1 (en) 2003-03-06 2004-10-28 Nguyen Philip D. Methods and compositions for consolidating proppant in fractures
US8518304B1 (en) 2003-03-31 2013-08-27 The Research Foundation Of State University Of New York Nano-structure enhancements for anisotropic conductive material and thermal interposers
US7114570B2 (en) 2003-04-07 2006-10-03 Halliburton Energy Services, Inc. Methods and compositions for stabilizing unconsolidated subterranean formations
US6978836B2 (en) 2003-05-23 2005-12-27 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for controlling water and particulate production
US7413010B2 (en) 2003-06-23 2008-08-19 Halliburton Energy Services, Inc. Remediation of subterranean formations using vibrational waves and consolidating agents
US7114560B2 (en) 2003-06-23 2006-10-03 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for enhancing treatment fluid placement in a subterranean formation
US7013976B2 (en) 2003-06-25 2006-03-21 Halliburton Energy Services, Inc. Compositions and methods for consolidating unconsolidated subterranean formations
US7021379B2 (en) 2003-07-07 2006-04-04 Halliburton Energy Services, Inc. Methods and compositions for enhancing consolidation strength of proppant in subterranean fractures
US7066258B2 (en) 2003-07-08 2006-06-27 Halliburton Energy Services, Inc. Reduced-density proppants and methods of using reduced-density proppants to enhance their transport in well bores and fractures
US7059406B2 (en) 2003-08-26 2006-06-13 Halliburton Energy Services, Inc. Production-enhancing completion methods
US7017665B2 (en) 2003-08-26 2006-03-28 Halliburton Energy Services, Inc. Strengthening near well bore subterranean formations
US7156194B2 (en) 2003-08-26 2007-01-02 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of drilling and consolidating subterranean formation particulate
US7237609B2 (en) 2003-08-26 2007-07-03 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for producing fluids from acidized and consolidated portions of subterranean formations
US7032667B2 (en) 2003-09-10 2006-04-25 Halliburtonn Energy Services, Inc. Methods for enhancing the consolidation strength of resin coated particulates
US7345011B2 (en) 2003-10-14 2008-03-18 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for mitigating the production of water from subterranean formations
KR20060123285A (ko) 2003-11-10 2006-12-01 헨켈 코포레이션 저-ｋ 유전재료-함유 반도체 소자와 함께 사용되는 전자패키징 재료
US7063150B2 (en) 2003-11-25 2006-06-20 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for preparing slurries of coated particulates
US7131493B2 (en) 2004-01-16 2006-11-07 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of using sealants in multilateral junctions
US20050173116A1 (en) 2004-02-10 2005-08-11 Nguyen Philip D. Resin compositions and methods of using resin compositions to control proppant flow-back
US7211547B2 (en) 2004-03-03 2007-05-01 Halliburton Energy Services, Inc. Resin compositions and methods of using such resin compositions in subterranean applications
US7063151B2 (en) 2004-03-05 2006-06-20 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of preparing and using coated particulates
US7541318B2 (en) 2004-05-26 2009-06-02 Halliburton Energy Services, Inc. On-the-fly preparation of proppant and its use in subterranean operations
CN1308409C (zh) * 2004-05-31 2007-04-04 宝山钢铁股份有限公司 耐磨环氧树脂胶粘剂
US7299875B2 (en) 2004-06-08 2007-11-27 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for controlling particulate migration
US7073581B2 (en) 2004-06-15 2006-07-11 Halliburton Energy Services, Inc. Electroconductive proppant compositions and related methods
US20060035036A1 (en) * 2004-08-16 2006-02-16 Telephus Inc. Anisotropic conductive adhesive for fine pitch and COG packaged LCD module
US7081675B2 (en) * 2004-08-16 2006-07-25 Telephus Inc. Multilayered anisotropic conductive adhesive for fine pitch
US7281580B2 (en) 2004-09-09 2007-10-16 Halliburton Energy Services, Inc. High porosity fractures and methods of creating high porosity fractures
US7255169B2 (en) 2004-09-09 2007-08-14 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of creating high porosity propped fractures
US7757768B2 (en) 2004-10-08 2010-07-20 Halliburton Energy Services, Inc. Method and composition for enhancing coverage and displacement of treatment fluids into subterranean formations
US7281581B2 (en) 2004-12-01 2007-10-16 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of hydraulic fracturing and of propping fractures in subterranean formations
US7273099B2 (en) 2004-12-03 2007-09-25 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of stimulating a subterranean formation comprising multiple production intervals
US7398825B2 (en) 2004-12-03 2008-07-15 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of controlling sand and water production in subterranean zones
US7883740B2 (en) 2004-12-12 2011-02-08 Halliburton Energy Services, Inc. Low-quality particulates and methods of making and using improved low-quality particulates
JP5030196B2 (ja) * 2004-12-16 2012-09-19 住友電気工業株式会社 回路接続用接着剤
US7334635B2 (en) 2005-01-14 2008-02-26 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for fracturing subterranean wells
US7334636B2 (en) 2005-02-08 2008-02-26 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of creating high-porosity propped fractures using reticulated foam
US7318473B2 (en) 2005-03-07 2008-01-15 Halliburton Energy Services, Inc. Methods relating to maintaining the structural integrity of deviated well bores
US7673686B2 (en) 2005-03-29 2010-03-09 Halliburton Energy Services, Inc. Method of stabilizing unconsolidated formation for sand control
US7448451B2 (en) 2005-03-29 2008-11-11 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for controlling migration of particulates in a subterranean formation
US7318474B2 (en) 2005-07-11 2008-01-15 Halliburton Energy Services, Inc. Methods and compositions for controlling formation fines and reducing proppant flow-back
EP1760437A1 (en) 2005-09-06 2007-03-07 Sensirion AG A method for manufacturing detector devices
KR100709249B1 (ko) * 2005-09-30 2007-04-19 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 장치
US7819192B2 (en) 2006-02-10 2010-10-26 Halliburton Energy Services, Inc. Consolidating agent emulsions and associated methods
US8613320B2 (en) 2006-02-10 2013-12-24 Halliburton Energy Services, Inc. Compositions and applications of resins in treating subterranean formations
US7926591B2 (en) 2006-02-10 2011-04-19 Halliburton Energy Services, Inc. Aqueous-based emulsified consolidating agents suitable for use in drill-in applications
US7665517B2 (en) 2006-02-15 2010-02-23 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of cleaning sand control screens and gravel packs
US8119449B2 (en) * 2006-03-14 2012-02-21 Panasonic Corporation Method of manufacturing an electronic part mounting structure
US7407010B2 (en) 2006-03-16 2008-08-05 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of coating particulates
US7500521B2 (en) 2006-07-06 2009-03-10 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of enhancing uniform placement of a resin in a subterranean formation
JP5252473B2 (ja) * 2006-10-19 2013-07-31 独立行政法人産業技術総合研究所 導電パターン形成フィルムと、そのための導電パターン形成方法及び導電パターン形成装置
US7934557B2 (en) 2007-02-15 2011-05-03 Halliburton Energy Services, Inc. Methods of completing wells for controlling water and particulate production
JP5085306B2 (ja) * 2007-12-21 2012-11-28 株式会社東芝 アンダーフィル用樹脂組成物、プリント回路板、及び電子機器
JP5422921B2 (ja) * 2008-05-28 2014-02-19 デクセリアルズ株式会社 接着フィルム
US20100123258A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Myung Jin Yim Low Temperature Board Level Assembly Using Anisotropically Conductive Materials
US9041228B2 (en) * 2008-12-23 2015-05-26 Micron Technology, Inc. Molding compound including a carbon nano-tube dispersion
US7762329B1 (en) 2009-01-27 2010-07-27 Halliburton Energy Services, Inc. Methods for servicing well bores with hardenable resin compositions
US20100252783A1 (en) * 2009-04-07 2010-10-07 Syh-Tau Yeh Ambient-curable anisotropic conductive adhesive
DE102009053255A1 (de) * 2009-11-06 2011-05-12 Technische Universität Berlin Verfahren zum Herstellen einer Anordnung
CN102391807A (zh) * 2011-07-06 2012-03-28 上海上大瑞沪微系统集成技术有限公司 一种快速固化各向异性导电胶的制备方法
CN103074030B (zh) * 2011-10-25 2016-07-20 上海本诺电子材料有限公司 Led用有机硅双马来酰亚胺导电胶粘剂
CN103074021B (zh) * 2011-10-25 2016-07-20 上海本诺电子材料有限公司 Led用有机硅双马来酰亚胺-环氧导电胶粘剂
JP5965185B2 (ja) * 2012-03-30 2016-08-03 デクセリアルズ株式会社 回路接続材料、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
KR101376190B1 (ko) * 2012-05-29 2014-03-19 주식회사 케이씨씨 전자 패키징용 비전도 폴리머 접합물질 및 이를 이용한 전자 패키징용 필름
DK2679156T3 (da) 2012-06-28 2019-12-02 Hoffmann La Roche Anordning til monitorering af mindst én kropsfunktion hos en bruger og fremgangsmåde til fremstilling heraf
CN102766426A (zh) * 2012-07-03 2012-11-07 烟台德邦科技有限公司 一种用于半导体芯片封装用的导电胶及其制备方法
US9365749B2 (en) 2013-05-31 2016-06-14 Sunray Scientific, Llc Anisotropic conductive adhesive with reduced migration
US9777197B2 (en) 2013-10-23 2017-10-03 Sunray Scientific, Llc UV-curable anisotropic conductive adhesive
CN103666355B (zh) * 2013-11-26 2015-12-09 青岛文创科技有限公司 一种导电银胶
CN104277753A (zh) * 2014-10-29 2015-01-14 桂林理工大学 一种能够室温固化的导电胶黏剂的制备方法
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
US20180248090A1 (en) * 2017-02-27 2018-08-30 Rohinni, LLC Semiconductor Device Circuit Apparatus Bonded with Anisotropic Conductive Film and Method of Direct Transfer for Making the Same
RU2738794C1 (ru) 2017-03-21 2020-12-16 Ф. Хоффманн-Ля Рош Аг Медицинское устройство и способ его изготовления
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
CN112466765A (zh) * 2020-11-26 2021-03-09 安徽光智科技有限公司 焦平面阵列倒装互连工艺方法及焦平面阵列探测器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03223380A (ja) * 1990-01-30 1991-10-02 Oki Electric Ind Co Ltd 異方性導電接着剤
JPH0532799A (ja) * 1991-07-31 1993-02-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電フイルム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03223380A (ja) * 1990-01-30 1991-10-02 Oki Electric Ind Co Ltd 異方性導電接着剤
JPH0532799A (ja) * 1991-07-31 1993-02-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電フイルム

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477914B1 (ko) * 2001-12-28 2005-03-18 제일모직주식회사 이방성 도전 접착제용 수지 조성물
KR100484449B1 (ko) * 2002-02-25 2005-04-22 한국과학기술원 고출력 모듈 접속용 저 전기 저항/고 임계전류밀도 이방성전도성 접착제조성물
WO2011007947A1 (ko) * 2009-07-13 2011-01-20 한국과학기술원 초음파 접합용 이방성 전도성 접착제 및 이를 이용한 전자부품 간 접속방법
KR101025620B1 (ko) * 2009-07-13 2011-03-30 한국과학기술원 초음파 접합용 이방성 전도성 접착제 및 이를 이용한 전자부품 간 접속방법
KR101294593B1 (ko) * 2011-04-13 2013-08-09 한국과학기술연구원 전도성 접착제 및 그 제조방법
KR101401574B1 (ko) 2012-05-30 2014-06-11 한국과학기술연구원 하이브리드 필러를 이용한 전도성 접착제 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000030037A (ko) 2000-06-05
US6238597B1 (en) 2001-05-29
JP2000309768A (ja) 2000-11-07
JP3675285B2 (ja) 2005-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100305750B1 (ko) 플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법
US6878435B2 (en) High adhesion triple layered anisotropic conductive adhesive film
KR100456064B1 (ko) 극미세 피치 ｃｏｇ 기술용 이방성 전도성 필름
JP2001011503A (ja) 新規な導電性微粒子、および該微粒子の用途
CN101278027A (zh) 各向异性导电粘合剂
CN102482540A (zh) 用于超声波粘合的各向异性导电粘合剂、和使用其的电子部件连接方法
WO2013129437A1 (ja) 接続体の製造方法、及び異方性導電接着剤
CN104106182A (zh) 各向异性导电连接材料、连接结构体、连接结构体的制造方法和连接方法
KR20100074210A (ko) 이방성 도전 접착제
JP3966686B2 (ja) 接続材料
US6514560B2 (en) Method for manufacturing conductive adhesive for high frequency flip chip package applications
CN108864979A (zh) 一种芯片封装用导电胶水及其制备方法
TWI271427B (en) Adhesives, adhesive films and electric devices
KR100484449B1 (ko) 고출력 모듈 접속용 저 전기 저항/고 임계전류밀도 이방성전도성 접착제조성물
KR100733975B1 (ko) 실리콘 중간체를 포함하는 이방성 도전성 필름
JP3991269B2 (ja) 導電性ペースト及びそれを用いた半導体装置
JP3422243B2 (ja) 樹脂フィルム
JPH11219982A (ja) 導電粒子及びそれを用いた異方性導電接着剤
JPH03291807A (ja) 異方導電ペースト
JP2001064619A (ja) 回路接続用フィルム状接着剤
Ohsono et al. The development of a new resin with high mechanical strength at a high temperature for TCP's
JP2004269626A (ja) 接着剤、接着剤の製造方法及び電気装置
KR20110076173A (ko) 접착 신뢰성이 우수한 이방성 도전 필름 및 그 제조방법
JP2002203871A (ja) 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2009038349A (ja) Ａｃｆ／ｎｃｆ溶液を利用したウェハーレベルのフリップチップパッケージの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19990310

PA0201 Request for examination
G15R Request for early publication
PG1501 Laying open of application

Comment text: Request for Early Opening

Patent event code: PG15011R01I

Patent event date: 20000306

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20001130

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20010525

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20010801

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20010802

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040730

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050729

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060731

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070731

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080728

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090728

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100802

Start annual number: 10

End annual number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110729

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110729

Start annual number: 11

End annual number: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120730

Year of fee payment: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120730

Start annual number: 12

End annual number: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee