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KR100266189B1 - 액티브매트릭스액정디스플레이패널및그것을위한배선설계방법 - Google Patents

액티브매트릭스액정디스플레이패널및그것을위한배선설계방법 Download PDF

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KR100266189B1
KR100266189B1 KR1019970026363A KR19970026363A KR100266189B1 KR 100266189 B1 KR100266189 B1 KR 100266189B1 KR 1019970026363 A KR1019970026363 A KR 1019970026363A KR 19970026363 A KR19970026363 A KR 19970026363A KR 100266189 B1 KR100266189 B1 KR 100266189B1
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KR
South Korea
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thin film
lines
liquid crystal
signal lines
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KR1019970026363A
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KR980004297A (ko
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시니찌 니시다
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR980004297A publication Critical patent/KR980004297A/ko
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Abstract

주사선 또는 신호선이 대향전극 버스선에 가깝게 설치될지라도, 전극들 사이에 어떤 단락도 발생하지 않는, 높은 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널이 개시된다. 액정층은 투명 절연기판과 대향기판 사이에서 유지되고, 다수의 주사선과 다수의 신호선이 서로 교차되도록 투명 절연기판상에 설치되어 주면을 격자로 분할되고, 여기서 박막 트랜지스터는 주사선과 신호선의 교차 지점의 근방에 설치되며, 이 박막 트랜지스터에 접속되는 화소전극과 이 화소전극에 마주하는 관계로 설치되는 대향전극은 전극들 사이에 전압을 인가함으로서 액정층에 거의 평행하게 발생하는 전기장에 의해 디스플레이가 제어되는 화소를 형성하도록 배열된다. 대향전극에 전위를 공급하기 위한 버스선은 주사선과 신호선이 형성되는 층 또는 층들과는 다른 층에 형성되며, 주사선 또는 신호선에 가깝게 설치된다.

Description

액티브 매트릭스 액정 디스플레이패널 및 그것을 위한 배선설계 방법
본 발명 액정은 한 쌍의 투명 기판 사이에 유지되는 구조를 갖는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널에 관한 것으로, 투명 기판은 그 위에 박막 전계효과 트랜지스터와 전극을 가지며, 또한 본 발명은 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널을 위한 배선설계 방법에 관한 것이다
박막 전계효과 트랜지스터(이하, TfT)가 화소에 대한 스위칭 소자로써 사용되는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널(이하, AMLCD)은 고화질을 가지며, 휴대용 컴퓨터의 디스플레이 장치, 투사형(projection type) 디스플레이장치 라이트 벌브(light bulb)등의 장치에 폭넓게 사용된다.
일반적으로 AMLCD 에서, 액정은 주사선, 신호선 및 주사선과 신호선 사이의 교차 지점 근방에 증착되는 박막 트렌지스터에 접속되는 화소전극을 포함하는 구조를 갖는 TFT 기판과 대향기판 사이에 유지되며, 제어 전압이 화소전극들과 대향전극들 사이에 인가되어 대응하는 화소들을 통과하는 투광량을 제어한다 AMLCD 는 액정이 유지되는 전극들 사이의 전위가 단순한 매트릭스형 액정 디스플래이 장치의 것과 비교하여 제어하기 용이하고 콘트라스트와 시야각(angle of visibility)에서 보다 우수한 품질을 갖는 디스플레이를 얻을 수 있는 점을 특징으로 한다.
최근에 , 시야각 특성을 보다 향상 하기 위하여, 인-플레인(in-plane)스위칭 모드라고 불리우는 디스플레이 방법이 제안되었다 (Asia Display'96 참조) 이 방법에 따르면, 빗 형상(comb-like shape)의 화소전극이 각화소를 위한 TFT 상에 형성되고, 유사한 빗 형상을 갖는 대향전극도 동일면상에 형성된다. 전압이 전극들 사이에 인가될 때, 평행한 전기장비 액정층의 면에 형성되고 액정의 디렉터 (directo r)의 방향을 변화시키고 그것에 의해 투광량을 제어한다.
이러한 모드에서는, 디렉터가 액정층의 면에 거의 평행한 방향으로만 작용하기 때문에 , TN 모드에서와 같이 디렉터가 액정층의 면으로부터 전환되어 투광량과 인가되는 전압 사이의 관계가 액정 디스플레이 장치를 디렉터의 방향에서 보는가 또는 액정층에 수직한 방향에서 보는가에 의존하여 매우 달라지는 그러한 문제가 발생하지 않는다 결과적으로, 매우 넓은 시야각에서 보았을 때 거의 균일한 화상을 얻을 수 있다.
도 1 은 종래의 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널의 일화소의 구성을 나타내는 평면도이고, 도 2a 는 도 1 의 A-A' 라인을 따라 절취한 단면도이고 도 2b 는 도 1 의 B-B' 라인을 따라 절취한 단면도이다.
도 1, 도 2a 및 도 2b 를 참조하면, 다수의 주사선(103)과 다수의 신호선(104)이 유리기판 또는 유사한 기판으로 형성된 제 1 투명 절연기판(101)의 주면상에서 서로 교차하여 상기 주면을 격자로 분할한다. 각 격자에는, 주사선 (103)과 신호선(104) 사이의 교차 지점 근방에 위치한 화소 TFT 및 이 화소 TFT 에 의해 구동되는 화소전극(107)을 포함하는 액티브 화소 구성소자들의 세트가 위치된다.
도 2a 를 참조하면, 주사선(103)과 일체로 형성되는 게이트전극(102)이 제 1투명 절연기판(101)상에 형성되고, 섬 형상(island-shaped) 비정질실리콘(109)으로 만들어진 채널부가 게이트전극(102)상에 배치되고 게이트절연막(115)이 그들 사이에 끼워진다. 신호선(104)과 일체로 형성되는 드레인전극(111) 및 화소전극(107)과 일체로 형성되는 소스전극(117)이 섬형상 비정질 실리콘(109)상에 배치되고, 또한 보호 절연막(113)이 화소 전체를 뒤덮는 방식으로 배치되어 화소 TFT 를 구성한다.
도 2b 에 도시된 바와 같이, 화소전극(107)과 신호선(104)은 동일한 층에 형성되고, 화소전극(107)에 마주하는 대향전극(114)은 주사선(103)과 게이트전극 (102)이 형성되는 층과 다른 동일한 층에 형성된다. 대향전극(114) 이 주사선(103)에 평행으로 형성되는 대향전극 버스선(105)과 일체로 형성되어 전위가 버스선으로부터 대향 전극으로 공급될 수 있다. 화소전극(107)과 대향전극(114) 각각은 빗 형상으로 형성되어 두 개의 전극들 사이의 액정층에 평행으로 발생되는 전기장에 의해 인-플례인 스위칭이 실현된다.
비록 상술된 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널이 인-플레인 스위칭 모드 구조에 의해 매우 넓은 시야각을 갖는 우수한 디스플레이를 얻을 수 있지만, 이것은 다음과 같은 문제점을 갖는다.
도 2 를 참조하여 상술된 바와 같이 대향전극에 전위를 인가하기 위한 대향전극 버스선이 주사선의 층과 동일한 층에 형성되는 종래의 구조에서는, 만일 대향전극 버스선이 주사선에 매우 가깝게 배열되는 배열(근접배열)을 가지면, 주사선과 대향전극 버스선의 패턴에서의 결합 때문에 주사선과 대향전극 버스선 사이에서 단락(short-circuiting)이 발생할 수도 있다. 결과적으로, 대향전극 버스선이 주사선에 가깝게 배열될 수 없고, 개구수(numerical aperature) (하나의 화소에 대한 반복적인 패턴으로 점유하는 화소전극과 대향전극 사이에 형성되는 유효 디스플레이면적의 비율)도 높은 값을 가질 수 없다.
또한, 백 라이트(back light)이 미광(stray light)이 채널부에 입사되어, 그곳에서 액정층내의 불순물이 TFT 에 작용하여 그것의 오프 전류를 증가시켜, 디스플레이 불량을 일으키기도 한다. 따라서, 디스플레이 신뢰성도 높지 않다.
따라서, 본 발명은 주사선 또는 신호선이 대향전극 버스선에 가깝게 배치되어도 전극들 사이에 어떠한 단락도 일어나지 않으며, 상술된 문제점을 해결하는 높은 개구율 및 높은 디스플레이 신뢰성을 갖는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널을 제공하며, 또한 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널을 위한 배선설계 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1 은 종래의 액티브 액정 디스플레이 패널의 화소의 구성을 나타내는 평면도.
도 2a 는 도 1 의 A-A' 라인을 따라 절취한 단면도이고 도 2b 는 도 1 의 B-B' 라인을 따라 절취한 단면도.
도 3 은 본 발명의 일실시예에서의 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널의 화소의 구성을 나타내는 평면도.
도 4a 는 도 3 의 A-A' 라인을 따라 절취한 단면도이고 도 4b 는 도 3 의 B-B' 라인을 따라 절취한 단면도.
도 5a 내지 도 5c 는 도 3 에 도시된 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널의 제조 공정의 다른 스텝들을 나타내는 평면도.
도6 은 본 발명의 또 다른 실시예의 TFT를 따라 절취한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 제 1 투명 절연기판 2 : 하부측 게이트전극
3 : 주사선 4 : 신호선
5 : 대향전극 버스선 6 : 접촉공
7 : 화소전극 8 : 축적 커패시터
9 : 섬형상비성질실리콘 10 : n형비정질실리콘층
11 : 드레인전극 12 : 제 1 게이트 절연막
13 : 제 2 게이트 절연막 14 : 대향전극
15 : 제 3 게이트 절연막 16 : 상부측 게이트전극
17 : 소스전극
상술된 목적을 실현하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면. 액정층이 제 1 투명 절연기판과 이 제 1 투명 절연기판에 마주하는 관계로 배치되는 제 2 투명 절연기판 사이에서 유지되고 다수의 주사선과 다수의 신호선이 서로간에 교차되는 방식으로 제 1 투명 절연기판상에 배치되어 제 1 절연기판의 주면을 격자로 분할하며 주사선과 신호선의 교차 지점의 근방에 개별적으로 박막 트랜지스터가 배치되며, 이 박막 트랜지스터에 개별적으로 집속되는 화소전극 및 이 화소전극에 마주하는 관계로 개별적으로 접속되는 대향전극들이 배열되어 화소전극과 대향전극 사이에 전압을 인가함므로서 액정층에 거의 평행하게 발생되는 전기장에 의해 디스플레이가 제어되도록 화소들을 형성하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널에 있어서, 대향전극에 전위를 인가하는 버스선이 주사선과 신호선에 형성되는 층 또는 층들과 다른 층에 형성되고. 주사선 또는 신호선에 가깝게 배치되는 것을 특징으로 한다.
박막 트랜지스터의 게이트 전극이 박막 반도체층 위와 아래에 형성되는 제 1 및 제 2 금속층으로 형성되고, 상기 박막 반도체층은 박막 트렌지스터와 채널부를 형성하며, 절연막이 그들 사이에 끼워지고, 또한 제 1 및 제 2 금속막이 신호선의 층과 다른 층들에 형성되고 제 1 금속층과 주사선들이 동일한 층에 형성되는 반면에제 2 금속층과 버스선들이 다른 동일층에 형성되고 신호선. 박막 트랜지스터의 소스 - 드래인 전극 및 화소전극은 또 다른 동일층에 형성되도록 상술된 액티브 매트릭스 액정 디스플레이패널이 구성될 수도 있다.
또한, 액티브 매트릭스 액징 디스플레이 패널은 버스선들이 신호선의 길이방향으로 연장하는 신호선들과 겹쳐지도록 구성될 수도 있다.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 박막 트랜지스터가 서로간에 교차하는 주사선과 신호선의 교차 지점의 근방에 배치되고 박막 트랜지스터에 접속되는 화소전극과 이 화소전극에 마주하는 관계로 배치되는 대향전극 사이에서 액정이 유지되고 박막 전계효과 트랜지스터를 통해 구동되며, 주사선과 신호선이 형성되는 층 또는 층들과 다른 충에 있는 대향전극에 전위를 공급하기 위한 버스선을 형성하는 단계를 구비하며 , 버스선이 주사선 또는 신호선에 가깝게 배치되는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널를 위한 배선설계 방법이 제공된다.
상술된 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널을 위한 배선설계 방법은, 박막 트랜지스터의 채널부를 형성하며 , 그들 사이에 절연막이 끼워지는, 박막 반도체층 상부와 하부에 제 1 및 제 2 금속층을 형성하는 되는 단계, 신호선이 형성되는 층과 다른 층들에 제 1 및 제 2 금속층들이 형성되는 단계, 주사신의 층과 동일한 층에 제 1 금속층이 형성되는 단계, 버스선의 층과 동일한 층에 제 2 금속층이 형성되는 단계, 및 신호선, 박막 트랜피스터와 소스-드레인 전극 및 화소전극을 동일한 층에 형성하는 단계를 추가로 구비한다.
또한, 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 페널를 위한 배선설계 밥법은 버스선이 신호선의 수평방향으로 연장하는 신호선과 겹쳐지는 방식으로 형성되도록 구성될 수도 있다.
상술된 본 발명에 따르면, 주사선, 신호선 및 버스선이 서로 다른 층에 형성되고 서로에게 가깝게 배열될 수 있기 매문에, 예를 들어, 버스선이 신호선에 가깝게 배열될지라도, 종래의 기술에서 발생하는 그런 단락이 발생하지 않는다. 그러므로, 주사선, 신호선 및 버스선을 서로에게 가깝게 증착함으로서, 높은 개구수를 구할 수 있다.
박막 트랜지스터의 게이트전극이 박막 트랜지스터의 채널부를 형성하는 박막 반도체층 상부와 하부에 형성되는 제 1 및 세 2 금속층으로 형성되고, 절연막이 그들 사이에 끼워지는 곳에서 , 백 라이트의 미광은 제 1 및 제 2 금속층에 의해 차단된다. 결과적으로, 종래의 기술에서와 같이 미광이 채널부로 입사하여 디스플레이 불량을 일으키는 그러한 상황은 발생하지 않는다.
버스선이 신호선의 수평방향으로 연장하는 신호선과 겹치는 곳에서 겹침이 형성되기 때문에. 신호선과 화소전극 사이의 커패시티브 커플링(capacitive coupli ng)이 억제된다. 결과적으로, 화소전극이 신호선에 가깝게 증착될 수 있고, 따라서 개구수도 또한 증가한다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에서의 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널의 화소의 구성을 나타내는 평면도이고, 도 4a 는 도 3 의 A-A' 라인을 따라 절취한 단면도이고 도 4b 는 도 3 의 B-B' 라인을 따라 절취한 단면도이다.
도 3, 도 4a 및 도 4b 를 참조하면, 유리기판 또는 유사한 기판으로 형성되는 제 1 투명기판(1)의 주면상에서 다수의 주사선(3)과 다수의 신호신(4)이 서로 교차하여, 주표면이 격자로 분할된다. 각 격자내에는, 주사선(3)과 신호선(4)과 교차 지점의 근방에 배치되는 화소 TFT 및 이 화소 TFT 에 의해 구동되는 화소전극 (7)을 포함하는 액티브 화소 소자들이 배치된다. 화소 TFT 는 하부측 게이트 전극 (2), 이 하부측 게이트 전극(2)과 비정질 실리콘(9) 사이에 끼워지는 제 3 게이트 절연막(15)과 함께 하부측 게이트 전극(2)상에 형성되는 섬 형상 비정질 실리콘(9)으로 형성되는 채널부, 이 채널부상에 일체로 형성되는 제 1 게이트 절연막(12). 화소 전체를 뒤덮는 방식으로 형성되는 제 2 게이트 절연막(13), 이 제 2 게이트 절연막 (13) 상에 설치되어 주사선(3)과 일체로 형성되는 상부측 게이트 전극(16), 섬 형상 비정질 실리콘(9)과 제 3 게이트 절연막(15) 사이에서 신호선(4)과 일체로 형성되는 드레인 전극(11) 및 화소전극과 일체로 형성되는 소스전극(17)으로 구성 된다.
하부측 게이트전극(2)과 주사선(3)은 접촉공(6)을 통해 서로간에 전기적으로 접속된다. 대향전극(14)은 하부측 게이트전극(2)의 층과 동일한 층에 형성되고, 주사선(3)에 평행하게 형성되는 대향전극 버스선(5)에 의해 전위가 대향전극으로 공급된다
각 화소전극(7)과 대향전극(14)은 빗 형상으로 형성되어 화소전극과 대향전극 사이의 액정층에 평행하게 형성되는 전기장에 의해 인-플레인 스위치를 실현하도록 한다. 또한 화소전극(7)과 대향전극(14)은 그들사이에 제 3 게이트 절연막(15)이 끼워진 채로 부분적으로 겹치고, 겹쳐진 부분으로 축적 커패시터(8)가 형성된다(도 3 및 4b 참조). 또한, 대향전극(14)과 신호전극(3)은 신호선의 수평방향을 따라 서로 겹친다(도 3 과 도 4b 참조). 이러한 겹침이 형성되기 때문에, 신호선(4)과 화소전극(7) 사이의 커패시티브 커플링이 억제되고, 결과적으로, 화소전극(7)은 신호선(4)에 가깝게 형성될 수 있다.
다음으로, 상술된 구조의 제조 공정은 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 설명한다. 도 5a 내지 도 5c는 상술된 AMLCD 의 제조들을 나타내는 평면도이다.
먼저, 스퍼터링 방법으로 투명 절연 기판(1)상에 150 nm 의 두께로 크롬막을 증착하고, 이 크롬막이 하부측 게이트 전극(2), 대향전극 및 대향전극 버스선(5)의 형상으로 패턴되어 도 5a에 도시된 구조를 얻는다.
하부측 게이트 전극(2), 대향전극(14) 및 대향전극 버스선(5)이 형성된 후, 대기압 CVD 방법으로 전체 면적에 걸쳐 400 nm 두께의 실리콘 산화막이 제 3 게이트 절연막(15)으로써 증착된다. 실리콘 산화막상에, 크롬막이 스퍼터링 방법으로 150 nm 의 두께로 증착되고 n 형 비정질 실리콘층이 플라즈마 CVD방법으로 매우 얇게 증착된다. 그런 다음에, 크롬막과 n 형 비정질 실리콘층은 그것의 단부면들이 경사진(tapered) 형상을 갖도록 건식 에칭되어 신호선(4), 화소전극(7), 드레인전극(11) 및 소스전극(17) 의 형상으로 그것들을 패턴하여 도 5b 에 도시된 구조를 얻는다.
신호선(4), 화소전극(7), 드레인 전극(11) 및 소스전극(17) 이 형성된 후, 50 nm 두께의 비성질 실리콘막 및 제 1 게이트 절연막 (12) 을 형성할 예정인 비정질 실리콘 질화막이 연속적으로 플라즈마 CVD 방법으로 그것들 상에 증착되고, 상기 2 개의 막은 섬 형상 비성질 실리콘(9)의 섬 형상으로 패턴하여, 도 5b 에 도시된 구조를 얻는다.
신호선(4), 회소전극(7), 드레인 전극(11) 및 소스전극(17)이 형성된 후, 50 nm 두께의 비정질 실리콘막 및 제 1 게이트 절연막(12)을 형성할 예정인 비정질 실리콘 질화막이 연속적으로 플라즈마 CVD 방법으로 그것들 상에 증착되고, 상기 2개의 막은 섬 형성 비정질 실리콘(9)의 섬 형상으로 패턴된다.
이러한 경우에, 신호선(4)과 박막 트랜지스터의 소스전극(17), 드레인 전극 및 화소 전극(7)상에 형성되는 n 형 비정질 실리콘 중에서, 섬 형상 비정질 실리콘 (9)의 패턴을 형성하지 않는 부분들이 동시에 제거된다. 그 후, 300 nm 두께의 실리콘 질화막이 제 2 게이트 절연막(13)으로써 증착된다.
여기서, 제 2 게이트 절연막(13)과 제 3 게이트 절연막(15)을 관통하여 연장하도록 접촉공(6)이 형성된 후, 150 nm 두께의 크롬층이 스퍼터링방법으로 증착되고 그 다음에 주사선(3) 및 상부측 게이트 전극(16)의 형상으로 패턴되어 도 5(c)에 도시된 구조를 얻는다.
비록, 상술된 공정에서, 신호선(4)이 형성될 예정인 크롬막이 형성된후 n 형 비정질 실리콘막이 형성되고 그리고 2 개의 막이 동시에 패턴되고, 그이후에 비정질 실리콘막과 실리콘질화막이 형성될지라도, 크롬막이 형성된 후에, 크롬막을 패턴닝하고 또한 비정질 실리콘막이 플라즈마 CVD 방법으로 형성되기 전에, PH3를 함유하는 대기 중에서 플라즈마 방전을 수행하여 크롬막상에 선택적으로 포스퍼(phos phor)를 증착함으로서 유사한 구조를 다르게도(alternatively) 구할수 있다.
상술된 방식으로 TFT 어레이가 형성되는 제 1 투명기판(1)을 사용함으로서, 보통의 액정 셀 구조물이 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널을 얻도록 수행된다. 이런 방식으로 구한 액티브 매트릭수 액정 디스플레이 패널을 가지고, 성능과 광 저항성(light-resisting property)이 높고 액정내의 불순물의 영향에 대해 강한 이중 게이트 구조의 TFT 배열이 5 개의 노출 동작을 포함하는 비교적 적은 수의 단계로 형성될 수 있다. 게다가, 주사선들, 신호선들 및 대향전극 버스선들이 서로 다른 금속층으로 형성되기 때문에, 신호선들 사이의 단락에 의해 생기는 선 결함(line defect)도 방지될 수 있고 제조 공정에서의 수율도 향상된다.
본 실시예에서, 드레인 전극(11)과 소스전극(17)은 섬 형상의 비정질 실리콘 (9)의 하측상에 배치되는 반면에, 또 다르게는 도 6 에 도시된 바와 같이 섬 형상의 비정질 실리콘(9)의 상부측상에 증착될 수도 있다.
이러한 경우에, 400 nm 두께의 비정질 실리콘 질화막이 먼저 제 3 게이트 절연막(15)으로써 형성되고, 섬형상 비정질 실리콘(9) 및 n형 비정질 실리콘층(10)이 연속적으로 증착되고, 그 이후에 그들은 섬 형상으로 패턴된다. 그리고 드레인 전극(11)과 소스전극(17)이 이 신호선(4)의 층과 동일한 층에 형성되고, 300 nm 두께의 실리콘 질화막이 그들 상에 보호 절연막(18)으로써 증착된다. 그리고, 콘택홀이 그들내에 형성되고, 상부측 게이트 전극(16)들은 그들상에 주사선(3)과 일체로 형성된다.
상기 설명에서, 하부측 게이트 전극(2)은 대향전극(14)과 대향전극 버스선 (5)의 층과 동일한 층에 형성되고, 상부측 게이트 전극(16)과 주사선(3)은 다른 층에 형성되는 반면에, 하부측 게이트 전극(2)과 주사선(3)을 동일한 층에 형성시키고 또한 상부측 게이트 전극(16), 대향전극(14) 및 대향전극 버스선(5) 을 다른 층에 형성시킬 수도 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 버스선이 주사선과 신호선에 가깝게 증착될 수 있기 때문에, 높은 개구수를 갖는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한, 백 라이트 미광이 제 1 및 제 2 금속층에 의해 차단되고 종래의 기술에서와 같은 미광이 채널부로 입사하여 디스플레이 불량을 일으키는 그러한 상황도 발생하지 않기 때문에, 디스플레이 신뢰성이 향상되는 다른 효과도 있다. 더욱이, 화소 전극이 신호선에 가깝게 증착될 수 있기 때문에, 버스선이 신호선의 수평방향으로 연장하는 신호선과 겹쳐지는 곳에서, 개구수도 또한 증가하는 또다른 효과도 있다.

Claims (4)

  1. 액정층이 제 1 투명 절연기판과 상기 제 1 투명 절연기판에 마주하는 관계로 배치되는 제 2 투명 절연기판 사이에서 유지되고, 다수의 주사선과 다수의 신호선이 서로간에 교차되는 방식으로 상기 제 1 투명 절연기판상에 배치되어 상기 제 1 투명 절연기판의 주면을 격자들로 분할하며, 상기 주사선들과 상기 신호선들의 교차 지점의 근방에 박막 트랜지스터에 개별적으로 배치되고, 상기 박막 트랜지스터에 개별적으로 접속되는 화소전극들과 상기 화소전극들에게 마주하는 관계로 개별적으로 접속되는 대향전극들이 배열되어 상기 화소전극들과 상기 대향전극들 사이에 전압을 인가함으로서 상기 액정층에 거의 평행하게 발생되는 전기장에 의해 디스플레이가 제어되도록 화소들을 형성하며,
    상기 대향전극들에 전위를 공급하기 위한 버스선들이 상기 주사선들과 상기 신호선들이 형성되는 층 도는 층들과는 다른 층에 형성되고, 상기 주사선등 또는 상기 신호선들에 가깝게 배치되며,
    상기 박막 트랜니지스터의 게이트전극들은 상기 박막 트랜지스터의 채널부들을 형성하는 박막 반도체층 상부와 하부에 형성된 제 1 금속층과 제 2 금속층으로 형성되며, 절연막이 상기 제 1 및 제 2 금속층 사이에 끼워지고, 또한 상기 제 1 및 제 2 금속층들은 상기 신호선들의 층과는 다른 층에 형성되고, 상기 제 1 금속층과 상기 주사선들은 동일한 층에 형성되고, 상기 제 2 금속층과 상기 버스선등도 동일한 층에 형성되며, 상기 신호선, 상기 박막트랜지스터의 소스 - 드레인전극들 및 화소전극들도 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 버스선들이 상기 신호선들의 길이방향으로 연장하는 상기 신호선들과 겹치는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널.
  3. 박막 트랜지스터들은 서로간에 교차하는 주사선들과 신호선들의 교차지점의 근방에 배치되고 액정이 상기 박막 트랜지스터들에 접속되는 화소전극들과 상기 화소전극들에 마주하는 관계로 배치되는 대향전극들 사이에서 유지되고 박막 전계효과 트랜지스터들을 통해 구동되는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널을 위한 배선 설계 방법에 있어서,
    상기 주사선들과 상기 신호선들이 형성되는 층 또는 층들과 다른 층내의 상기 대향전극에 전위를 공급하기 위한 버스선들을 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터들의 채널부를 형성하는 박막 반도체층 상부와 하부에 제 1 및 제 2 금속층을 형성하며, 그들 사이에 절연막이 끼워지는 단계;
    상기 신호선들이 형성되는 다른 층들에 상기 제 1 및 제 2 금속층들이 형성되는 단계;
    상기 주사선들의 층과 동일한 층에 상기 제 1 금속층이 형성되는 단계;
    상기 버스선들의 층과 동일한 층에 상기 제 2 금속층이 형성되는 단계; 및
    상기 신호선들, 상기 박막 트랜지스터들의 소스-드레인 전극들 및 화소전극들을 동일한 층에 형성하는 단계를 포함하여, 상기 버스선들이 상기 주사선들 또는 상기 신호선들에 가깝게 배치되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널을 위한 배선설계 방법.
  4. 제 4 항에 있어서, 상기 버스선들이 상기 신호선들의 길이방향으로 연장하는 상기 신호선들과 겹치는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널을 위한 배선설계 방법.
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