JPS60214617A - フイルタ集積回路 - Google Patents
フイルタ集積回路Info
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- JPS60214617A JPS60214617A JP59070828A JP7082884A JPS60214617A JP S60214617 A JPS60214617 A JP S60214617A JP 59070828 A JP59070828 A JP 59070828A JP 7082884 A JP7082884 A JP 7082884A JP S60214617 A JPS60214617 A JP S60214617A
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- filter circuit
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/04—Frequency selective two-port networks
- H03H11/12—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
- H03H11/1291—Current or voltage controlled filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/04—Frequency selective two-port networks
- H03H11/12—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
- H03H11/1213—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback using transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0153—Electrical filters; Controlling thereof
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、シリコンウェハ上などに形成するモノリシッ
クIC内にフィルタを集積化する場合に適したフィルタ
集積回路に関するものである0 〔発明の背景〕 従来、電子回路では、所望の信号を得るため低域、高域
、帯域通過フィルタ(以降LPF。
クIC内にフィルタを集積化する場合に適したフィルタ
集積回路に関するものである0 〔発明の背景〕 従来、電子回路では、所望の信号を得るため低域、高域
、帯域通過フィルタ(以降LPF。
HPF、BPFと略す)や位相等化器としてインダクタ
ンスL1容量C1抵抗Rで構成された外付のブロックフ
ィルタが多く用いられていた。
ンスL1容量C1抵抗Rで構成された外付のブロックフ
ィルタが多く用いられていた。
このため、電子回路の集積化(モノリシックIC化、以
降IC化と略す)が進む中で、これらのフィルタ類がコ
スト低減、電子回路の小型・軽量化を阻む大きな要因と
なっていた。特に機動性を重視するポータプル機器にお
いては、小型・軽量化が重要で、フィルタ類のIC化が
望すれていた。
降IC化と略す)が進む中で、これらのフィルタ類がコ
スト低減、電子回路の小型・軽量化を阻む大きな要因と
なっていた。特に機動性を重視するポータプル機器にお
いては、小型・軽量化が重要で、フィルタ類のIC化が
望すれていた。
IC化に対しては、インダクタンスLはIC化がむずか
しく、容量C1抵抗Rのみで構成可能なアクティブフィ
ルタがIC化に適している。
しく、容量C1抵抗Rのみで構成可能なアクティブフィ
ルタがIC化に適している。
例えば、トラップフィルタとしては、第11図に示した
トウイン・ティー回路がよく知られており、同図におい
て抵抗、容量をそれぞれR1セR2W 2 Ra m
Ra C1口C2txC3/2■C。
トウイン・ティー回路がよく知られており、同図におい
て抵抗、容量をそれぞれR1セR2W 2 Ra m
Ra C1口C2txC3/2■C。
と選ぶとトラップ周波数frは
で表わされる。町は入力信号、voは出力信号である。
斯る構成のトラップフィルタをIC’化する場合、ばら
つきの問題が生じる。すなわちIC内の容量値、抵抗値
は、半導体内の不純物濃度。
つきの問題が生じる。すなわちIC内の容量値、抵抗値
は、半導体内の不純物濃度。
マスクずれなどによるばらつきの影響を受け、−例とし
て、 Cの絶対値 ±10〜15% Rの絶対値 ±10チ など大きな変動を有する。したがって第11図のトラッ
プフィルタのトラップ周波数も第12図のようにαから
bの範囲で変動し、上記例では最悪時frは±20〜2
5チ変動することとなり、実用化は極めて困難である。
て、 Cの絶対値 ±10〜15% Rの絶対値 ±10チ など大きな変動を有する。したがって第11図のトラッ
プフィルタのトラップ周波数も第12図のようにαから
bの範囲で変動し、上記例では最悪時frは±20〜2
5チ変動することとなり、実用化は極めて困難である。
この対策として、特公昭57−58083号公報にIC
チップ上でレーザトリミングなどにより抵抗値を変化さ
せ、ばらつきを吸収することが示され、実施されている
が精度9歩留まりなどの点でまだ多くの問題を残してい
る。
チップ上でレーザトリミングなどにより抵抗値を変化さ
せ、ばらつきを吸収することが示され、実施されている
が精度9歩留まりなどの点でまだ多くの問題を残してい
る。
また特公昭52−36813号公報、米国特許第376
1741号に示された先行技術には、トランジスタのエ
ミッタ抵抗が直流電流により変化することを利用した可
変減衰回路が開示されており、同様な考え方でIC内素
子のばらつきによるフィルタ特性の変動を調整できるこ
とが知られている。しかし、この技術では、例えば第1
1図に示したようにR1,R12,R3からなるトラッ
プフィルタには適用困難であり、すべてのフィルタに適
用しにくい、さらに外部からの調整によりIC内素子の
ばらつきを吸収しなければならず、コスト高を招くとい
う問題があった。
1741号に示された先行技術には、トランジスタのエ
ミッタ抵抗が直流電流により変化することを利用した可
変減衰回路が開示されており、同様な考え方でIC内素
子のばらつきによるフィルタ特性の変動を調整できるこ
とが知られている。しかし、この技術では、例えば第1
1図に示したようにR1,R12,R3からなるトラッ
プフィルタには適用困難であり、すべてのフィルタに適
用しにくい、さらに外部からの調整によりIC内素子の
ばらつきを吸収しなければならず、コスト高を招くとい
う問題があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、I
C化容−1ll、IC化抵抗のばらつきを自動的に吸収
し、無調整でかつ性能も確保できるフィルタ集積回路を
提供するにある。
C化容−1ll、IC化抵抗のばらつきを自動的に吸収
し、無調整でかつ性能も確保できるフィルタ集積回路を
提供するにある。
上記した目的を達成するため本発明はある基準周波数の
入力信号を、比精度が十分得られた複数個のIC化抵抗
(外付は抵抗でも可)からなる基準レベル発生回路と、
IC化抵抗とIC化容量であるバリキャップからなる擬
似フィルタ回路とに供給し、さらに上記両回路の出力が
各々検波回路を介して誤差増幅器に入力され、かつ上記
誤差増幅器の出力を上記バリキャップに負帰還させるこ
とにより自動調整制御信号発生回路を構成する。而して
上記自動調整制御信号発生回路にてIC内素子のばらつ
きによるフィルタ特性の変動を吸収するように上記バリ
キャップの両端印加電圧を制御する信号を発生させると
ともに、上記擬似フィルタ回路のIC化抵抗、バリキャ
ップと比精度が十分高く得られたIC化抵抗、バリキャ
ップからなり所望フィルタ特性を構成する同一チップ内
の他のフィルタ回路に上記制御信号を供給し、自動的に
IC内素子のばらつきを吸収し、精度よく無調整化を達
成するものである。
入力信号を、比精度が十分得られた複数個のIC化抵抗
(外付は抵抗でも可)からなる基準レベル発生回路と、
IC化抵抗とIC化容量であるバリキャップからなる擬
似フィルタ回路とに供給し、さらに上記両回路の出力が
各々検波回路を介して誤差増幅器に入力され、かつ上記
誤差増幅器の出力を上記バリキャップに負帰還させるこ
とにより自動調整制御信号発生回路を構成する。而して
上記自動調整制御信号発生回路にてIC内素子のばらつ
きによるフィルタ特性の変動を吸収するように上記バリ
キャップの両端印加電圧を制御する信号を発生させると
ともに、上記擬似フィルタ回路のIC化抵抗、バリキャ
ップと比精度が十分高く得られたIC化抵抗、バリキャ
ップからなり所望フィルタ特性を構成する同一チップ内
の他のフィルタ回路に上記制御信号を供給し、自動的に
IC内素子のばらつきを吸収し、精度よく無調整化を達
成するものである。
以下本発明を一実施例により詳しく説明する。
第1図は本発明のフィルタ集積回路の一実施例を示すブ
ロック図で、第2図、第3図は第1図に示したあるブロ
ックの具体的回路例を示す図で、第、4図、第5図、第
6図は、本発明の詳細な説明する図である。第1図にお
いて、IC1の外部からある一定の基準周波数finの
信号2〔第4図(a)に図示〕が基準レベル発生回路3
と擬似フィルタ回路4に入力される。上記基準レベル発
生回路3は、入力信号2のレベルをある一定比だけ精度
よく減衰させる回路で、例えば第2図に示すようにIC
化抵抗5,6にて構成できる。この場合、IC内素子の
比精度は十分高く得られるので、上記回路30入出力の
減衰量は と表わされ、十分精度よく実現できる。才た、上記擬似
フィルタ回路4は、IC化容量であり両端印加電圧によ
り容量値が変化するバリキャップとIC化抵抗とにより
構成されたフィルタ回路であり、例えば第3図に示すよ
うに、■C化抵抗7,8、バリキャップ9、定電圧源1
0より構成できる。この場合、IC化抵抗8とバリキャ
ップ9の容量値C9により1次のCR,フィルタを構成
しており、そのしゃ断層波数fcはfcwx □ 2πits C。
ロック図で、第2図、第3図は第1図に示したあるブロ
ックの具体的回路例を示す図で、第、4図、第5図、第
6図は、本発明の詳細な説明する図である。第1図にお
いて、IC1の外部からある一定の基準周波数finの
信号2〔第4図(a)に図示〕が基準レベル発生回路3
と擬似フィルタ回路4に入力される。上記基準レベル発
生回路3は、入力信号2のレベルをある一定比だけ精度
よく減衰させる回路で、例えば第2図に示すようにIC
化抵抗5,6にて構成できる。この場合、IC内素子の
比精度は十分高く得られるので、上記回路30入出力の
減衰量は と表わされ、十分精度よく実現できる。才た、上記擬似
フィルタ回路4は、IC化容量であり両端印加電圧によ
り容量値が変化するバリキャップとIC化抵抗とにより
構成されたフィルタ回路であり、例えば第3図に示すよ
うに、■C化抵抗7,8、バリキャップ9、定電圧源1
0より構成できる。この場合、IC化抵抗8とバリキャ
ップ9の容量値C9により1次のCR,フィルタを構成
しており、そのしゃ断層波数fcはfcwx □ 2πits C。
と表わされる。なお定電圧源10はIC化抵抗7゜8を
介してバリキャップ9のアノード側に直流電圧を印加し
ている。一方バリキャツプ9のカソード側は誤差増幅器
11の出力電圧が負帰還されている。
介してバリキャップ9のアノード側に直流電圧を印加し
ている。一方バリキャツプ9のカソード側は誤差増幅器
11の出力電圧が負帰還されている。
ここでバリキャップ9は両端印加電圧により容量値が変
化するもので、例えばバリキャップ9としてベース・エ
ミッタ間接合容量を用いた場合 j−tg Cj = K ctl−ty ((6+VJ
)ここで Cj:ベース・エミッタ間接合容量 Cj(0):バイアスO時のベース・エミッタ接合容量 vj:エミッタ・ベース電圧 (ダイオード逆バイアス電圧) φ :ビルトイン電圧 α :電圧依存係数 K w Jlt? (Cj (0)φ“〕と表わされ、
特性の一例を第5図のようになる。
化するもので、例えばバリキャップ9としてベース・エ
ミッタ間接合容量を用いた場合 j−tg Cj = K ctl−ty ((6+VJ
)ここで Cj:ベース・エミッタ間接合容量 Cj(0):バイアスO時のベース・エミッタ接合容量 vj:エミッタ・ベース電圧 (ダイオード逆バイアス電圧) φ :ビルトイン電圧 α :電圧依存係数 K w Jlt? (Cj (0)φ“〕と表わされ、
特性の一例を第5図のようになる。
電源電圧を5vとした場合、vjは0〜3vの値を取る
ことができ、Cjはtyp±20〜25−以上可変でき
る。
ことができ、Cjはtyp±20〜25−以上可変でき
る。
上記基準レベル発生回路3及び上記擬似フィルタ回路4
の出力〔第4図(b) 、 (C)の実線で図示〕は、
各々検波回路12.13に供給され、上記検波回路でピ
ーク検波され、第4図(b) 、 (C)の破線で示し
た信号となる。これら破線で示した検波回路の出力信号
は上記誤差増幅器11に入力され、上記両横波回路の出
力が等しくなるように、即ち第4図(b> 、 (C)
に示したレベル14.15が同じくなるように、上記擬
似フィルタ回路4のフィルタ特性を実現しているバリキ
ャップ9の一端に上記差動増幅器11の出力がフィルタ
自動調整制御電圧信号16として負帰還される。而して
バリキャップの容量値が自動的に変化され、上記擬似フ
ィルタ回路のばらつきを吸収する上記自動調整制御信号
16が破線19で示した構成にて得られる。
の出力〔第4図(b) 、 (C)の実線で図示〕は、
各々検波回路12.13に供給され、上記検波回路でピ
ーク検波され、第4図(b) 、 (C)の破線で示し
た信号となる。これら破線で示した検波回路の出力信号
は上記誤差増幅器11に入力され、上記両横波回路の出
力が等しくなるように、即ち第4図(b> 、 (C)
に示したレベル14.15が同じくなるように、上記擬
似フィルタ回路4のフィルタ特性を実現しているバリキ
ャップ9の一端に上記差動増幅器11の出力がフィルタ
自動調整制御電圧信号16として負帰還される。而して
バリキャップの容量値が自動的に変化され、上記擬似フ
ィルタ回路のばらつきを吸収する上記自動調整制御信号
16が破線19で示した構成にて得られる。
例えば2個のフィルタ回路i’y 、 isは所望フィ
ルタ特性を実現するIC化抵抗とバリキャップからなる
回路で、上記自動調整制御信号16が供給される。なお
20,21.22はICピンである。
ルタ特性を実現するIC化抵抗とバリキャップからなる
回路で、上記自動調整制御信号16が供給される。なお
20,21.22はICピンである。
同一チップ内のIC化素子は比精度よく構成できるので
、上記擬似フィルタ回路4と上記フィルタ回路17.1
8との周波数特性のばらつきはほとんど同一にすること
ができる。したがって上記自動調整制御信号16によっ
て上記フィルタ回路17.18のばらつきを自動的に吸
収できることとなる。
、上記擬似フィルタ回路4と上記フィルタ回路17.1
8との周波数特性のばらつきはほとんど同一にすること
ができる。したがって上記自動調整制御信号16によっ
て上記フィルタ回路17.18のばらつきを自動的に吸
収できることとなる。
さらに詳しく説明する。上記基準レベル発生回路3の減
衰量が3dBになるようにIC化抵抗56,6を定めた
として、今IC化抵抗及びバリキャップがあわせて最大
の一20チばらついた場合、擬似フィルタ回路4の特性
は第6図の23に示したようになっている。ここで入力
信号2(fin)が入力されると、基準レベル発生回路
3より擬似フィルタ回路4の方の出力が大きく、検波回
路12,13 、誤差増幅器11を介して、擬似フィル
タ回路のバリキャップ印加電圧が小さくなるように帰還
される。バリキャップはその印加電圧が小さくなると第
5図に示すように容量値は大きくなり、第6図の23で
示した周波数特性は左方へシフI・シ、第6図の?、4
で示した周波数特性となる。即ち周波数janにおける
回路3゜4の両出力が等しくなるようにバリキャップ容
量が変化さぜられる。ここでバリキャップ容量はVjで
±20〜25チ変化するので、最大ばらつきを吸収する
ことができる。才たIC化抵抗及びバリキャップがあわ
せて最大の−1−20%ばらついた場合は擬似フィルタ
回路4の特性は第6図の25に示したようになるが、f
”入力で上述と同様第6図の24となることは勿論であ
る。
衰量が3dBになるようにIC化抵抗56,6を定めた
として、今IC化抵抗及びバリキャップがあわせて最大
の一20チばらついた場合、擬似フィルタ回路4の特性
は第6図の23に示したようになっている。ここで入力
信号2(fin)が入力されると、基準レベル発生回路
3より擬似フィルタ回路4の方の出力が大きく、検波回
路12,13 、誤差増幅器11を介して、擬似フィル
タ回路のバリキャップ印加電圧が小さくなるように帰還
される。バリキャップはその印加電圧が小さくなると第
5図に示すように容量値は大きくなり、第6図の23で
示した周波数特性は左方へシフI・シ、第6図の?、4
で示した周波数特性となる。即ち周波数janにおける
回路3゜4の両出力が等しくなるようにバリキャップ容
量が変化さぜられる。ここでバリキャップ容量はVjで
±20〜25チ変化するので、最大ばらつきを吸収する
ことができる。才たIC化抵抗及びバリキャップがあわ
せて最大の−1−20%ばらついた場合は擬似フィルタ
回路4の特性は第6図の25に示したようになるが、f
”入力で上述と同様第6図の24となることは勿論であ
る。
上述のようにしてRs、Coのばらつきを自動的に吸収
する自動調整制御信号16が得られる。しかも同一チッ
プ内なので、ILs、Coは第7図、第8図に示したI
C化抵抗30,31 、バリキャップ32.33と比精
度が十分高くとれる。第7図、第8図に一例として示し
たフィルタ回路17.18はそのしゃ断層波数fC(1
7)、fc(1B)がここでnl−04は定数 と表わされ、フィルタ回路17.18のばらつきも自動
的吸収されることとなり、集積化フィルタの無調整化が
実現できる。
する自動調整制御信号16が得られる。しかも同一チッ
プ内なので、ILs、Coは第7図、第8図に示したI
C化抵抗30,31 、バリキャップ32.33と比精
度が十分高くとれる。第7図、第8図に一例として示し
たフィルタ回路17.18はそのしゃ断層波数fC(1
7)、fc(1B)がここでnl−04は定数 と表わされ、フィルタ回路17.18のばらつきも自動
的吸収されることとなり、集積化フィルタの無調整化が
実現できる。
しかも上述のように負帰還制御の基準は基準レベル発生
回路3の、減衰!(1+−旺)であるの6 で、フィルタ特性の温特、電源電圧依存性を解消でき、
さらに入力信号20レベル変動にも無関係で、常に安定
な所望フィルタ特性を達成できる。
回路3の、減衰!(1+−旺)であるの6 で、フィルタ特性の温特、電源電圧依存性を解消でき、
さらに入力信号20レベル変動にも無関係で、常に安定
な所望フィルタ特性を達成できる。
なお以上のべた実施例では、入力信号2をIC1の外部
から得るように示したが、同−IC内にあればそれを用
いても同様の効果が得られることは言うまでもない。ま
た具体的信号源として、例えばVTRではカラー信号処
理回路でクリスタル振動子を用いて高精度に発生させて
いる色副搬送波(N T S C: 3.58MHz
)が好適な例として上げられる。
から得るように示したが、同−IC内にあればそれを用
いても同様の効果が得られることは言うまでもない。ま
た具体的信号源として、例えばVTRではカラー信号処
理回路でクリスタル振動子を用いて高精度に発生させて
いる色副搬送波(N T S C: 3.58MHz
)が好適な例として上げられる。
また検波回路12.13として半波整流波形を取り上げ
て説明したが、全波整流波形をピーク検波した方がより
安定性の良いフィルタ回路が実現可能である。
て説明したが、全波整流波形をピーク検波した方がより
安定性の良いフィルタ回路が実現可能である。
第9図は本発明の他の一実施例を示したもので、第1図
と同一あるいは同勢部分には同一符号を付しである。定
電圧源40,41.42は同一電圧源であり、この電圧
からトランジスタのベース・エミッタ間電圧約0.7
Vはど低下した電圧が、バリキャップ9.43,44.
45のアノード側に共に供給されているとともに、両横
波回路12.13 jこも入力されている。なお、46
〜48はIC化容量、47〜52はnpn l−ランジ
スタ、53〜61はIC化抵抗である。
と同一あるいは同勢部分には同一符号を付しである。定
電圧源40,41.42は同一電圧源であり、この電圧
からトランジスタのベース・エミッタ間電圧約0.7
Vはど低下した電圧が、バリキャップ9.43,44.
45のアノード側に共に供給されているとともに、両横
波回路12.13 jこも入力されている。なお、46
〜48はIC化容量、47〜52はnpn l−ランジ
スタ、53〜61はIC化抵抗である。
フィルタ回路17は、前にものべたトウイン・ティート
ラップフィルタで Rss閣RF19■2R60冨1(、bC44m C4
1S−色一〇。
ラップフィルタで Rss閣RF19■2R60冨1(、bC44m C4
1S−色一〇。
と選ぶとトラップ周波数frは
と表オ)され、同一チップ内素子は比精度が高くとれ、
R,b w n5R8、Cb W n6C9(n5.n
6は定数)とおけるので となり、擬似フィルタ回路4の自動調整により、トウイ
ン・ティー回路のばらつきも無調整で吸収できることと
なる。
6は定数)とおけるので となり、擬似フィルタ回路4の自動調整により、トウイ
ン・ティー回路のばらつきも無調整で吸収できることと
なる。
第10図は本発明のさらに他の一実施例を示す図で、第
1図、第9図と同勢あるいは同一部分には同一符号を付
しである。62.63はバリキャップ、64〜67はn
pn )ランジスタ、68 、69は定電流源、70〜
77はIC化抵抗、78は定電圧源、79は交流信号バ
イパス用容量、80はICピンで抵抗74は直流電圧信
号のみを通過させるバイアス印加用高抵抗である。81
は差動増幅器を構成しており、抵抗72,73 、バリ
キャップ62.63と合わせて、正帰還型2次L 1’
1−を実現しており、本実施例においても、上述の本
発明の効果を達成できることは明白である。
1図、第9図と同勢あるいは同一部分には同一符号を付
しである。62.63はバリキャップ、64〜67はn
pn )ランジスタ、68 、69は定電流源、70〜
77はIC化抵抗、78は定電圧源、79は交流信号バ
イパス用容量、80はICピンで抵抗74は直流電圧信
号のみを通過させるバイアス印加用高抵抗である。81
は差動増幅器を構成しており、抵抗72,73 、バリ
キャップ62.63と合わせて、正帰還型2次L 1’
1−を実現しており、本実施例においても、上述の本
発明の効果を達成できることは明白である。
以上の本発明によれば、従来外付部品として使用されて
いた大型のブロックフィルタを無調整で集積化でき、回
路の低コスト化、小型・軽量化、部品点数の削減に効果
は極めて大きい。
いた大型のブロックフィルタを無調整で集積化でき、回
路の低コスト化、小型・軽量化、部品点数の削減に効果
は極めて大きい。
第1図は本発明のフィルタ集積回路の一実施例を示すブ
ロック図、第2図、@3図、第7図、第8図は第1図の
一部具体例を示す回路図、第4図、第5図、第6図は本
発明の詳細な説明する図、第9図、f810図は本発明
の他の実施例を示す回路図、第11図はトウイン拳ティ
ー型トラップフィルタを示す回路図、第12図はトラッ
プ周波数のばらつきを示す特性図である。 1・・・IC 2・・・基準周波数の入力信号 3・・・基準レベル発生回路 4・・・擬似フィルタ回路 12.13・・・検波回路 17 、18・・・所望フィルタ回路 16・・・自動調整制御信号 9.43,44.45・・・バリキャップ代理人弁理士
高 橋 明 夫 第 1 口 第40 第乙口 fLrL 部良に 第70菌 巨]戸]「−了t「−ゴ it l /2.、、、11 ・、1s J47j l 、−4?: l”l 、l、
、; l お: ・、・ 1 111 ↓ t、7L i 。 !! ・11゛ L−J Lj Vc乙 11VtC1 22+ +1 11 1 ・147 ・ ・・ ・ 1 ’ 、4s/11 、、 +。 、、Il “、1 ・ 3 1.11 叶I J:41 支’ I j4 、l。 11 1 11 1 ニー JLI 1 1 μ [I IL 1 74&) ycc r−品−vみ一一一一一聾] 2o i 、/l−”’ j ″ II−芦; 1゜ 一μ 11E’J’ 1ゆ 1 ・ ″ “ r 1 自 21 17−7ぞ 7° : Tつ、。11 第110 81 バ2 第12囚 a−p 周液佼 l ’l >l’/l 藺+ tr+1 + 1 t
+ ■L−−−−−−−−一■
ロック図、第2図、@3図、第7図、第8図は第1図の
一部具体例を示す回路図、第4図、第5図、第6図は本
発明の詳細な説明する図、第9図、f810図は本発明
の他の実施例を示す回路図、第11図はトウイン拳ティ
ー型トラップフィルタを示す回路図、第12図はトラッ
プ周波数のばらつきを示す特性図である。 1・・・IC 2・・・基準周波数の入力信号 3・・・基準レベル発生回路 4・・・擬似フィルタ回路 12.13・・・検波回路 17 、18・・・所望フィルタ回路 16・・・自動調整制御信号 9.43,44.45・・・バリキャップ代理人弁理士
高 橋 明 夫 第 1 口 第40 第乙口 fLrL 部良に 第70菌 巨]戸]「−了t「−ゴ it l /2.、、、11 ・、1s J47j l 、−4?: l”l 、l、
、; l お: ・、・ 1 111 ↓ t、7L i 。 !! ・11゛ L−J Lj Vc乙 11VtC1 22+ +1 11 1 ・147 ・ ・・ ・ 1 ’ 、4s/11 、、 +。 、、Il “、1 ・ 3 1.11 叶I J:41 支’ I j4 、l。 11 1 11 1 ニー JLI 1 1 μ [I IL 1 74&) ycc r−品−vみ一一一一一聾] 2o i 、/l−”’ j ″ II−芦; 1゜ 一μ 11E’J’ 1ゆ 1 ・ ″ “ r 1 自 21 17−7ぞ 7° : Tつ、。11 第110 81 バ2 第12囚 a−p 周液佼 l ’l >l’/l 藺+ tr+1 + 1 t
+ ■L−−−−−−−−一■
Claims (1)
- 1)集積化抵抗と集積化容量とを少なくとも含むフィル
タ集積回路において、ある一定の周波数の信号源と、入
力された」二記信号源の信号を複数個の抵抗により減衰
させる基準レベル発生回路と、入力端が上記信号源に接
続され集積化抵抗と集積化容量とで構成された擬似フィ
ルタ回路と、上記基準レベル発生回路の出力と上記擬似
フィルタ回路の出力が供給され、両川力信号の信号レベ
ルを比較して自動調整制御信号を発生させる誤差増幅器
と、上記自動調整制御信号を上記擬似フィルタ回路に供
給して上記集積化容量の容量値を変化させる手段と、上
記擬似フィルタ回路の各素子と比精度が高く取れる集積
化抵抗と集積化容量とで構成されたフィルタ回路を設け
、上記自動制御信号にて上記フィルタ回路を制御するこ
とを特徴とするフィルタ集積回路。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59070828A JPS60214617A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | フイルタ集積回路 |
CA000477618A CA1223647A (en) | 1984-04-11 | 1985-03-27 | Filter integrated circuit |
DE8585103719T DE3582513D1 (de) | 1984-04-11 | 1985-03-28 | Integrierter filter. |
EP85103719A EP0158231B1 (en) | 1984-04-11 | 1985-03-28 | Filter integrated circuit |
KR1019850002156A KR900001717B1 (ko) | 1984-04-11 | 1985-03-30 | 필터 집적회로 |
BR8501655A BR8501655A (pt) | 1984-04-11 | 1985-04-09 | Circuito filtro integrado |
US06/721,867 US4667120A (en) | 1984-04-11 | 1985-04-10 | Integrated filter circuit with variable frequency characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59070828A JPS60214617A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | フイルタ集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60214617A true JPS60214617A (ja) | 1985-10-26 |
JPH0516696B2 JPH0516696B2 (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=13442824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59070828A Granted JPS60214617A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | フイルタ集積回路 |
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EP (1) | EP0158231B1 (ja) |
JP (1) | JPS60214617A (ja) |
KR (1) | KR900001717B1 (ja) |
BR (1) | BR8501655A (ja) |
CA (1) | CA1223647A (ja) |
DE (1) | DE3582513D1 (ja) |
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-
1984
- 1984-04-11 JP JP59070828A patent/JPS60214617A/ja active Granted
-
1985
- 1985-03-27 CA CA000477618A patent/CA1223647A/en not_active Expired
- 1985-03-28 DE DE8585103719T patent/DE3582513D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-28 EP EP85103719A patent/EP0158231B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-30 KR KR1019850002156A patent/KR900001717B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-04-09 BR BR8501655A patent/BR8501655A/pt unknown
- 1985-04-10 US US06/721,867 patent/US4667120A/en not_active Expired - Lifetime
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EP0158231A2 (en) | 1985-10-16 |
CA1223647A (en) | 1987-06-30 |
KR900001717B1 (ko) | 1990-03-19 |
US4667120A (en) | 1987-05-19 |
KR850008245A (ko) | 1985-12-13 |
EP0158231B1 (en) | 1991-04-17 |
EP0158231A3 (en) | 1988-01-27 |
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BR8501655A (pt) | 1985-12-10 |
DE3582513D1 (de) | 1991-05-23 |
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