JPS60229415A - フイルタ集積回路 - Google Patents
フイルタ集積回路Info
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- JPS60229415A JPS60229415A JP8376784A JP8376784A JPS60229415A JP S60229415 A JPS60229415 A JP S60229415A JP 8376784 A JP8376784 A JP 8376784A JP 8376784 A JP8376784 A JP 8376784A JP S60229415 A JPS60229415 A JP S60229415A
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- JP
- Japan
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- filter
- integrated
- integrated circuit
- resistor
- capacitor
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H19/00—Networks using time-varying elements, e.g. N-path filters
- H03H19/004—Switched capacitor networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、シリコンウェハ上などに形成するモノリシッ
クＩＣ内忙フィルタを集積化する場合に適したフィルタ
集積回路に関するものである。
クＩＣ内忙フィルタを集積化する場合に適したフィルタ
集積回路に関するものである。
電気回路の集積化（モノリシックＩＣ化、以下単ＫＩＣ
化と略す）が進むにつれ、外向のブロックフィルタのＩ
Ｃ化が、回路の小型化、低コスト化を実現する上で重要
な課題となりつつある。従来のフィルタは大部分がイン
ダクタンスＬ、容量Ｃ１抵抗Ｒで構成されているが、イ
ンダクタンスＬはＩＣ化がむすがしく、Ｃ，Ｈのみで構
成可能なアクティブフィルタがＩＣ化には適している。
化と略す）が進むにつれ、外向のブロックフィルタのＩ
Ｃ化が、回路の小型化、低コスト化を実現する上で重要
な課題となりつつある。従来のフィルタは大部分がイン
ダクタンスＬ、容量Ｃ１抵抗Ｒで構成されているが、イ
ンダクタンスＬはＩＣ化がむすがしく、Ｃ，Ｈのみで構
成可能なアクティブフィルタがＩＣ化には適している。
第１図は２次低域通過フィルタ（以降ＬＰＦと略す）と
してよく知られてぃる正帰還型フィルタであり、同図に
おいてしゃ断層波数ｆｃは で表される。ここでＶｉは入力、■０は出力である。
してよく知られてぃる正帰還型フィルタであり、同図に
おいてしゃ断層波数ｆｃは で表される。ここでＶｉは入力、■０は出力である。
斯る構成の正帰還型２次ＬＰＦをＩＣ化する場合、ばら
つきの問題が生じる。すなわちＩＣ内の容量値、抵抗値
は、半導体内の不純物濃度。
つきの問題が生じる。すなわちＩＣ内の容量値、抵抗値
は、半導体内の不純物濃度。
マスクずれなどによるばらつきの影響を受け、−例とし
て Ｃの絶対値 ＋２０％ Ｒの絶対値 ＋１５％ など大きな変動を有する。したがって第１図の正帰還型
２次ＬＰＦのしゃ断層波数ｆｃも第２図のよ５ＶＣａか
らｂの範囲で変動し、上記例では最悪時ＩＣは３５％変
動することになり、実用化は極めて困難である。この対
策として、ＩＣチップ上でレーザトリミングなどにより
抵抗値を変化させ、ばらつきを吸収することも実施され
ているが、精度１歩留まりなどの点でまだ多くの問題を
残している。
て Ｃの絶対値 ＋２０％ Ｒの絶対値 ＋１５％ など大きな変動を有する。したがって第１図の正帰還型
２次ＬＰＦのしゃ断層波数ｆｃも第２図のよ５ＶＣａか
らｂの範囲で変動し、上記例では最悪時ＩＣは３５％変
動することになり、実用化は極めて困難である。この対
策として、ＩＣチップ上でレーザトリミングなどにより
抵抗値を変化させ、ばらつきを吸収することも実施され
ているが、精度１歩留まりなどの点でまだ多くの問題を
残している。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記した従来の欠点をなくし、ＩＣ化
容量、ＩＣ化抵抗のばらつきを吸収し、かつ性能も確保
できるフィルタ集積回路を提供するＫある。
容量、ＩＣ化抵抗のばらつきを吸収し、かつ性能も確保
できるフィルタ集積回路を提供するＫある。
上記目的を達成するため、本発明では、フィルタの周波
数特性例えばしゃ断層波数を決定するＩＣ化抵抗あるい
はＩＣ化容量を複数個比精度よく設け、かつこれらのＩ
Ｃ化抵抗あるいはＩＣ化容量の接続をＩＣ外部から制御
できるスイッチで切り換えることＫより、ＩＣ化抵抗、
ＩＣ化容量のばらつきを吸収するものである。特にＩＣ
化抵抗の一方を切り換えた場合には簡単な構成で実現で
きる。さらＫＩＣ化容量として可変容量ダイオード（バ
リキャップ）を用いることＫよりばらつき吸収範囲の拡
大、精度の向上を達成するものである。
数特性例えばしゃ断層波数を決定するＩＣ化抵抗あるい
はＩＣ化容量を複数個比精度よく設け、かつこれらのＩ
Ｃ化抵抗あるいはＩＣ化容量の接続をＩＣ外部から制御
できるスイッチで切り換えることＫより、ＩＣ化抵抗、
ＩＣ化容量のばらつきを吸収するものである。特にＩＣ
化抵抗の一方を切り換えた場合には簡単な構成で実現で
きる。さらＫＩＣ化容量として可変容量ダイオード（バ
リキャップ）を用いることＫよりばらつき吸収範囲の拡
大、精度の向上を達成するものである。
以下本発明を具体的実施例に基づき詳しく説明する。第
３図、第４図、第５図は各々本発明の一実施例を示した
もので、ＩＣＩ内に切換スイッチ２及び上記切換スイッ
チ２を制御する制御（Ｒｆ 号Ｖｓ カ存在Ｌ、制御信
号Ｖｓ）’Ｈ’（＝ イ） 。
３図、第４図、第５図は各々本発明の一実施例を示した
もので、ＩＣＩ内に切換スイッチ２及び上記切換スイッ
チ２を制御する制御（Ｒｆ 号Ｖｓ カ存在Ｌ、制御信
号Ｖｓ）’Ｈ’（＝ イ） 。
１Ｌ′（ロー）Ｋより切換スイッチ２は各々９，１０側
に接続される。６，７．８はＩＣピンである。
に接続される。６，７．８はＩＣピンである。
第３図において、制御信号Ｖｓにより正帰還型２次ＬＰ
Ｆのしゃ断層波数は のよ５ＩＣ切り換えられる。ＩＣ内では抵抗素子間の比
精度を高くとれるので、Ｒ１１ｒ Ｒ１２の値を選ぶこ
とによって、ｆｃｌとｆｃ２を比精度よく適当な値に設
定できる。今第６図に示すようＫしゃ断層波数ｆｃ１を
所望値ｆｏより一１５％の値に、しゃ断層波数ｆＣ２を
ｆｏより＋１５％の値に選定したとする。ところで本発
明に示したスイッチ２によるＩＣ化抵抗の切り換えのな
い従来の場合のばらつきは、第６図の１１に示すように
ＩＯ±３５％となる。これに対して本発明では、ｆｃｌ
およびｆｃ２を中心に各々第６図の１２ 、１３に示す
ように＋３５％ばらつくことＫなる。したがって試作さ
れたＩＣフィルタのしゃ断層波数ｆａｌ ｌ ＩＣ２を
測定し、両者の内所望値ＩＯに近い方を制御信号Ｖｓの
’Ｈ’ 、 ’Ｌ’により選択すれば、第６図の１４に
示すように所望値ｆｏＫ対して、ＩＯ±２０％の範囲に
入る。
Ｆのしゃ断層波数は のよ５ＩＣ切り換えられる。ＩＣ内では抵抗素子間の比
精度を高くとれるので、Ｒ１１ｒ Ｒ１２の値を選ぶこ
とによって、ｆｃｌとｆｃ２を比精度よく適当な値に設
定できる。今第６図に示すようＫしゃ断層波数ｆｃ１を
所望値ｆｏより一１５％の値に、しゃ断層波数ｆＣ２を
ｆｏより＋１５％の値に選定したとする。ところで本発
明に示したスイッチ２によるＩＣ化抵抗の切り換えのな
い従来の場合のばらつきは、第６図の１１に示すように
ＩＯ±３５％となる。これに対して本発明では、ｆｃｌ
およびｆｃ２を中心に各々第６図の１２ 、１３に示す
ように＋３５％ばらつくことＫなる。したがって試作さ
れたＩＣフィルタのしゃ断層波数ｆａｌ ｌ ＩＣ２を
測定し、両者の内所望値ＩＯに近い方を制御信号Ｖｓの
’Ｈ’ 、 ’Ｌ’により選択すれば、第６図の１４に
示すように所望値ｆｏＫ対して、ＩＯ±２０％の範囲に
入る。
以上のべたように本発８ＡＫよりＩＣ化フィルタ特性の
ばらつきを低減することができる。
ばらつきを低減することができる。
第４図に示した実施例では、しゃ断層波数は制御信号Ｖ
ｓにより のように切り換えられ、Ｒ１３、Ｒ１４の値を選ぶこと
Ｋよって、上述と同様ＫＩＣ化フィルタの特性のばらつ
きを低減できる。
ｓにより のように切り換えられ、Ｒ１３、Ｒ１４の値を選ぶこと
Ｋよって、上述と同様ＫＩＣ化フィルタの特性のばらつ
きを低減できる。
第５図に示した実施例では、しゃ新局波数はＶｓ ：
Ｈｆｃｌ ＝２いｉ哀■ と表され、上述と同様の効果が得ら第１る。
Ｈｆｃｌ ＝２いｉ哀■ と表され、上述と同様の効果が得ら第１る。
第７図、第８図、第９図は名々第３図、第４図、！５図
に示した実施例の一具体的回路例である。点線部１５に
て各々上記切換スイッチ２の動作を行っており、第７図
、第８図、第９図に示すように％に抵抗ＲＩＫ相当する
抵抗を切り換えると簡単な構成で本発明な爽現できる。
に示した実施例の一具体的回路例である。点線部１５に
て各々上記切換スイッチ２の動作を行っており、第７図
、第８図、第９図に示すように％に抵抗ＲＩＫ相当する
抵抗を切り換えると簡単な構成で本発明な爽現できる。
なお制御信号Ｖｓで切り換えるＩＣ化抵抗として、Ｒ１
に相当する抵抗を取り上げて本発明を説明したが、Ｒ２
＆Ｃ相当する抵抗でも同様の効果が得られることは明白
である。
に相当する抵抗を取り上げて本発明を説明したが、Ｒ２
＆Ｃ相当する抵抗でも同様の効果が得られることは明白
である。
さらＫＷＪ度を上り′るＩ′Ｃは、設置するＩＣ化抵抗
例えば１１１ ＋ Ｒ４２の数を増加させ、何段にもス
イッチを切り換えてやればよい。但し、この場合にはＩ
Ｃ内素子数が増加しコスト高につながる。
例えば１１１ ＋ Ｒ４２の数を増加させ、何段にもス
イッチを切り換えてやればよい。但し、この場合にはＩ
Ｃ内素子数が増加しコスト高につながる。
そこで第１Ｏ図に示すように、Ｃ１ｐ Ｃ２をバリキャ
ップで構成することが極めて有効である。
ップで構成することが極めて有効である。
ＩＣ内では素子間のベア性は精度が高く取れるので、複
数個用いられるバリキャップの印加電圧を１つの制御電
圧■ｃにより比精度よく可変させることが可能である。
数個用いられるバリキャップの印加電圧を１つの制御電
圧■ｃにより比精度よく可変させることが可能である。
１６は電圧ＶｃのためのＩＣビンである。第１０図に示
した実施例では、バリキャップのアノード側電位は定電
圧源１７に設定され、カソード側電位Ｖｃを変化させる
ことによりバリキャップの印加電圧を変化させ、ＣＩ
、 Ｃ２の値を変えることができる。なお１８ 、１９
は同一の差動増幅器である。２０は、トランジスタ２１
゜２２ 、２３の微小揚幅に対する抵抗即ちエミッタ抵
抗ｒｅＫ温特をもたせることにより、しゃ新局波数の温
特を補償低減する回路である。つまり上記トランジスタ
２１ 、２２ 、２３に流れる電流に温特をもたせ、エ
ミッタ抵抗ｒｅの温特を生じさせている。
した実施例では、バリキャップのアノード側電位は定電
圧源１７に設定され、カソード側電位Ｖｃを変化させる
ことによりバリキャップの印加電圧を変化させ、ＣＩ
、 Ｃ２の値を変えることができる。なお１８ 、１９
は同一の差動増幅器である。２０は、トランジスタ２１
゜２２ 、２３の微小揚幅に対する抵抗即ちエミッタ抵
抗ｒｅＫ温特をもたせることにより、しゃ新局波数の温
特を補償低減する回路である。つまり上記トランジスタ
２１ 、２２ 、２３に流れる電流に温特をもたせ、エ
ミッタ抵抗ｒｅの温特を生じさせている。
バリキャップとしてベース・エミッタ容量を用いた場合
、 ｔｏｇｃｊ ＝ Ｋ −ａ Ｌｏｇ （φ＋ｖｊ）ここ
で Ｃｊ：ペース・エミッタ間接合容量 Ｃｊ（０）：バイアス０時のペース・エミッタ接合容量 ■ｊ：エミツタ・ベース電圧 （ダイオード逆バイアス電圧） φ：ビルトイン電圧 α：電圧依存係数 Ｋ ＝ ｔａｇ （Ｃｊ（０１φ“〕 と表され、特性の一例を第１１図に示す。電源電圧を５
■とした場合、Ｖｊは０〜３■の値を取ることができ、
Ｃｊはｔｙｐ±２０％以上可変できる。
、 ｔｏｇｃｊ ＝ Ｋ −ａ Ｌｏｇ （φ＋ｖｊ）ここ
で Ｃｊ：ペース・エミッタ間接合容量 Ｃｊ（０）：バイアス０時のペース・エミッタ接合容量 ■ｊ：エミツタ・ベース電圧 （ダイオード逆バイアス電圧） φ：ビルトイン電圧 α：電圧依存係数 Ｋ ＝ ｔａｇ （Ｃｊ（０１φ“〕 と表され、特性の一例を第１１図に示す。電源電圧を５
■とした場合、Ｖｊは０〜３■の値を取ることができ、
Ｃｊはｔｙｐ±２０％以上可変できる。
第３図、第４図、第５図に示したフィルタの切換により
、ばらつきは ｆｏ±２０％ となり、さらに上記したバリキャップを併用すれば、Ｃ
，Ｈのばらつきすべてを吸収することが可能になる。
、ばらつきは ｆｏ±２０％ となり、さらに上記したバリキャップを併用すれば、Ｃ
，Ｈのばらつきすべてを吸収することが可能になる。
第１２図はバリキャップとしてペース・エミッタ接合容
量を用いる場合のＩＣＩの断面構造を示したもので、 ｎ：ｎ型半導体（シリコン） ｐ：ｐ型半導体（シリコン） である。２４はエミッタ、２５はベース、２６はコレク
タ、２７はサブストレートを表す。コレクタ２６は電源
に接続されるため、第１３図のようにＣｊの他にベース
２５と電源の間にＣｓが存在する。バリキャップとして
使用できるのはＣｊであり、 ＣｓをＣｊＫ対して小さ
くしておく必要がある。
量を用いる場合のＩＣＩの断面構造を示したもので、 ｎ：ｎ型半導体（シリコン） ｐ：ｐ型半導体（シリコン） である。２４はエミッタ、２５はベース、２６はコレク
タ、２７はサブストレートを表す。コレクタ２６は電源
に接続されるため、第１３図のようにＣｊの他にベース
２５と電源の間にＣｓが存在する。バリキャップとして
使用できるのはＣｊであり、 ＣｓをＣｊＫ対して小さ
くしておく必要がある。
また第１４図はバリキャップの方を複数個設け、切換ス
イッチ２忙で切り換える場合の具体的一実施例を示した
ものである。このように集積化容量の方をかえても同様
の効果が得られることは明らかである。
イッチ２忙で切り換える場合の具体的一実施例を示した
ものである。このように集積化容量の方をかえても同様
の効果が得られることは明らかである。
また以上に述べた実施例では、バリキャクグとしてトラ
ンジスタのベース・エミッタ接合容量を用いたが、ベー
ス・コレクタ、コレクターサブストレート間などの接合
容量を用いることもできる。
ンジスタのベース・エミッタ接合容量を用いたが、ベー
ス・コレクタ、コレクターサブストレート間などの接合
容量を用いることもできる。
以上のべたように、ＩＣ化抵抗あるいはＩＣ化容量を複
数個設け、これらを切り換えるスイッチを設けること、
およびＩＣ化容量としてベース・エミッタ間の接合容量
をバリキャップとして用いることにより、ＩＣ内素子ば
らつきによるフィルタ特性のばらつきを簡単な構成で吸
収することができる。
数個設け、これらを切り換えるスイッチを設けること、
およびＩＣ化容量としてベース・エミッタ間の接合容量
をバリキャップとして用いることにより、ＩＣ内素子ば
らつきによるフィルタ特性のばらつきを簡単な構成で吸
収することができる。
なお本発明は上記実施例で示した正帰還型２次フィルタ
だけでなく、ＩＣ化抵抗、ＩＣ化容量から構成されたあ
らゆるタイプのフィルタに適用できることは言うまでも
ない。
だけでなく、ＩＣ化抵抗、ＩＣ化容量から構成されたあ
らゆるタイプのフィルタに適用できることは言うまでも
ない。
以上の本発明によれば、従来外付部品としてあった大型
のブロックフィルタを集積化でき、回路の低コスト化、
小型・軽量化２部品点数の削減などの効果が極めて大き
い。
のブロックフィルタを集積化でき、回路の低コスト化、
小型・軽量化２部品点数の削減などの効果が極めて大き
い。
第１図は正帰還型２次フィルタを示す回路図、第２図は
しゃ新局波数のばらつきを示す特性図、第３図、第４図
、第５図は本発明のフィルタの一実施例を示すブロック
図、第６図はしゃ新局波数のばらつき吸収を説明する説
明図、１１ｇ７図。 第８図、第９図は第３図、第４図、第５図の具体例を示
す回路図、第１０図、第１４図は本発明の他の実施例を
示す回路図、第１１図はバリキャップ特性の一例を示す
特性図、第１２図、第１３図はバリギヤッグ構造を説明
する図である。 ｌ・・・集積範囲、 ２・・・切換スイッチ６ 、７
、８ 、１６・・・ＩＣビンＶｓ・・・制御信号 Ｒｌｉ ＊ Ｒ１２＊ Ｒ１３＋ Ｒ１４、Ｒ１５１Ｒ
１６ｔＲ２・・−Ｉ Ｃ化抵抗Ｃ１ｔ Ｃ２・・・ＩＣ
化容量（バリキャップ′）１５・・・具体的切換スイッ
チ回路 代理人弁理士 高 橋 鴫 夫 第１図 第２ 図 ｂ 周うＬ数−十 ス乙図 （ｖｓ−ｈ穆り （’ｌ／３Ｌａ−） 第８ 図 ７ ７◇ １号 １ノ 図 す （ｌｒよ 仁′ノムトブ二１１．）王二）第７２図 第７３圓
しゃ新局波数のばらつきを示す特性図、第３図、第４図
、第５図は本発明のフィルタの一実施例を示すブロック
図、第６図はしゃ新局波数のばらつき吸収を説明する説
明図、１１ｇ７図。 第８図、第９図は第３図、第４図、第５図の具体例を示
す回路図、第１０図、第１４図は本発明の他の実施例を
示す回路図、第１１図はバリキャップ特性の一例を示す
特性図、第１２図、第１３図はバリギヤッグ構造を説明
する図である。 ｌ・・・集積範囲、 ２・・・切換スイッチ６ 、７
、８ 、１６・・・ＩＣビンＶｓ・・・制御信号 Ｒｌｉ ＊ Ｒ１２＊ Ｒ１３＋ Ｒ１４、Ｒ１５１Ｒ
１６ｔＲ２・・−Ｉ Ｃ化抵抗Ｃ１ｔ Ｃ２・・・ＩＣ
化容量（バリキャップ′）１５・・・具体的切換スイッ
チ回路 代理人弁理士 高 橋 鴫 夫 第１図 第２ 図 ｂ 周うＬ数−十 ス乙図 （ｖｓ−ｈ穆り （’ｌ／３Ｌａ−） 第８ 図 ７ ７◇ １号 １ノ 図 す （ｌｒよ 仁′ノムトブ二１１．）王二）第７２図 第７３圓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、集積化抵抗と集積化容量とを少なくとも含むフィル
タ集積回路において、上記集積化抵抗および上記集積化
容量の少なくとも一方を複数個設け、上記複数個の素子
を切り換えるあるいは一ト記複数個の素子の接続をかえ
るスイッチを有し、集積回路の外部からの制御信号にて
上記スイッチを制御することを特徴とするフィルタ集積
回路。 ２、前記フィルタが第１及び第２の集積化抵抗と第１及
び第２の集積化容量と増幅器からなる正帰還形２次フィ
ルタであって、上記フィルタの入力端に接続された第１
の集積化抵抗を複数個比精度よく設置することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のフィルタ集積回路。 ３、上記集積化容量を可変容量ダイオードで構成し、集
積回路の外部からの制御信号九より上記容量の値を可変
とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載のフィルタ集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8376784A JPS60229415A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | フイルタ集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8376784A JPS60229415A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | フイルタ集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229415A true JPS60229415A (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=13811735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8376784A Pending JPS60229415A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | フイルタ集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229415A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6412610A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| US6308047B1 (en) | 1996-08-05 | 2001-10-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Radio-frequency integrated circuit for a radio-frequency wireless transmitter-receiver with reduced influence by radio-frequency power leakage |
| JP2021073690A (ja) * | 2020-12-29 | 2021-05-13 | ローム株式会社 | 半導体集積回路装置及びそのスクリーニング方法並びにオペアンプ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56166616A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-21 | Fujitsu Ltd | Filter switching circuit |
| JPS58170111A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | 可変フイルタ回路 |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP8376784A patent/JPS60229415A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56166616A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-21 | Fujitsu Ltd | Filter switching circuit |
| JPS58170111A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | 可変フイルタ回路 |
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| US6308047B1 (en) | 1996-08-05 | 2001-10-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Radio-frequency integrated circuit for a radio-frequency wireless transmitter-receiver with reduced influence by radio-frequency power leakage |
| JP2021073690A (ja) * | 2020-12-29 | 2021-05-13 | ローム株式会社 | 半導体集積回路装置及びそのスクリーニング方法並びにオペアンプ |
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