JPS59185022A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録媒体に関し、更に詳細には、耐候性の
改良された金属薄膜型磁気記録媒体に関する。

従来の磁気記録媒体の多くは、一般に塗布型と称さ才し
ているものに属し、通常、非磁性支持体上に酸化物磁性
粉末あるｂは合金磁性粉末等から成る磁性体粉末を塩化
ビニル−酢酸ヒニル共息合体、スチレンープタジエ／共
重合体、エホキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等のバンンダ
ーと共に塗布、乾燥して得ら扛る。

近年、高密度記録に適する磁気記録媒体が一層強く望ま
ｎるに至り、前述し７ζバインダーを使用せずに、真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ
等の方法によυ強磁性金属薄膜？支持体上に形成し罠薄
膜型磁気ＥＣ録媒体が着目さノしてｂる。

しかし、金属磁性薄膜層は柱状構造を有する粒子の集合
体から成っている為に、柱状粒子と柱状粒子間の空隙部
全通って腐食しやすい欠点を有している。上記の欠点は
媒体としての信頼性を低下させるＩ侠な問題であるが、
とｎ、　ｔ　屑状する方法は見い出さｎていない。

本発明の目的は、耐候性の頃良富ｎ、た金属薄膜型磁気
記録媒体？提供するにある。

本発明の上記の目的は、非磁性支持体上に柱状構造を有
する強磁性体粒子の集合より形成さ几た強磁性金属薄膜
と強磁性体粒子の表面で仮憶すゐように形成さｆＬ７こ
クロム化合物層からなる磁気記録媒体によって達成さ几
る。

本発明の磁気記録媒体は第７図に示す様に、基本的には
支持体コと該支持体上の磁気記録層３よシ構成されてい
る。

本発明に用いられる支持体としては、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル
、三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレン
ナンタレートのようなプラスチックフィルムが好ましい
が、Ａｔ、　Ｃｕ　、ＳＵＳ等の非磁性金属、又はガラ
ス、セラミックス等無機質の支持体も使用できる。これ
らの支持体の強磁性金属薄膜を形成する面と反対の面に
、無機物粒子及びバインダーを含Ｍする層を設けてもよ
い。

無機物粒子としては炭酸カルシウム、カーボンブラック
粒子等があり、バインダ〜とじては、ニトロセルロース
、ポリウレタン、インシアネート、ポリエステル又はこ
ｎらの混合物が好ましい。支持体がプラスチックベース
である場合には、表面ｊｔｆｌす（Ｒａ）が０．０１．
２μｍ以下であることが好ましｂｏ 本発明の強磁性金属薄膜は斜め柱状構造粒子することが
好ましい。斜め柱状構造は、例えば支持体上にＣ，もし
くはＣｏを含有する合金を斜め蒸着することによって形
成される。また、柱状構造の大きさは、金属薄膜層の膜
厚を例えば／　３００Ａにした場合、柱状構造の粒子径
は約１００〜７００Ａである。

本発明に用いら九る磁性金属材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉ等の金塊、６４いｕ　Ｆ　ｅ　−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎ
ｉｂ　Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ％Ｃ
ｏ−Ｃｕｂ　Ｎ　１−ｃｕ、　Ｆ　ｅ　−Ｃｒ。

Ｃｏ−Ｃｒ、イＮｉ−Ｃｒ％　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ５　Ｎ
１−Ｃｏ　−Ｃｒ　％　Ｆ　ｅ　−Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　−
Ｃｒ等全主成分とする強磁性合金である。特に好捷しい
のばＣ０あるいはｃｏｔ７よ重量係含有するような合金
である。

更に添力ａｍとして、Ｗｓ　Ｍｏｂ　　Ｔ　ｉ　、　ｆ
ｖｉｇ、　　Ｓｉ、ＡＡ等を少量含んでもよ−。又、ｃ
、　Ｂ、　Ｏ，Ｎ、Ｐ等の非金属成分金少量含んでもＬ
ｌ／Ｉｏこｎらに、薄膜形成用の母材に含めてもよめ。

また薄膜形成時のガス雰囲気の成分として加えてもよい
。

例えば、前記磁性金ｐｊ４薄膜層ケ前記磁憔金属薄膜層
蒸着室で形成する際に若干の酸素ガスを導入した酸素雰
囲気下で行なってもよい。

本発明の磁気記録媒体は、前記強磁性金属薄膜層上に更
に、該層の柱状構造粒子を／θＡ〜ノ！Ｏλの膜厚で被
覆するようにクロム化合物層（第２図〜第３図のｌＡ）
を形成させたものである。クロム化合物Ｎは、Ｃｒ、Ｃ
ｒ−０あるいはとｎらの化合物にＦｅ、Ｎｉ％Ｍｎ％Ｓ
ｔ等の不純物を含むものを指す。クロム化合物層は、強
磁性金属薄膜層の柱状構造の空隙部に侵入するように斜
め蒸着法、イオンブレーテインク、ス／ξツター５通常
の低真空蒸着法或騒はこれらの組合せにより形成させる
ことができる。斜め蒸着法では入射角方向が強磁性金属
薄膜作製時の入射角方向と同一であることが必要である
。低真空蒸着法による場合は、蒸着粒子の囲込込み全利
用する為にグ×ｌ０−４ｔｏｒｒ−コ×ノＯｔｏｒｒの
圧力範囲が好ましい。

本発明では、クロム含有無機物ＭＨ−強磁性金属薄膜層
の柱状粒子間の空隙部まで深く侵入し、該柱状粒子を被
覆するように形成し、耐候特性の向上を計ったが、クロ
ム化合物層が該柱状構造粒子間の空隙部まで深く侵入し
ていることは、オージェ電子分光分析法による膜の深さ
方向でのクロム含有率のプロファイルから容易に判定で
きる。

本発明の磁気記録媒体は更に、潤滑層ケ有してもよい。

潤滑層は走行特性、スチル耐久特性を向上させる機能を
持たせるもので、クロム化合ｅｌｌＪ’Ｊ上に形成さｎ
る。潤滑層に使用さｎる餉滑剤としては高級脂肪酸、脂
肪酸エステル又はこｎ、らの組合せがよい。良好な前記
高級脂肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パル
ミチン酸、スデアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノ
ール酸、リルン酸、アラキドン酸等である。脂肪酸エス
テルとしては、ステアリン酸メチル、パルミチン酸エチ
ル、ステアリン酸モノグリセリド寺が好ましい。

潤滑層は蒸着法、イオンブレーティング法又は通常の塗
布法全用いて形成’ｄ　ｎ−；’ｓ　。

以上のように本発明では、例えはｃｏもしくはＣｏを含
有する合金から成る金属磁１住薄股胤・上に該金属磁性
薄膜の柱状構造粒子全被覆するようにクロム化合物層を
形成したものである。

この結果、従来例に見らｎたオーバーコートからの腐食
全大巾に減少することができた。これは・クロム化合物
層が耐候特性に勝扛ている為に水酸基ＯＨ−の釡属磁性
薄膜の柱状構造粒子への侵入を防止する機能を有し、腐
食を著しく生じに〈〈すゐ為であると推定さｎる。従来
は、オーバーコートの隙間全通って侵入した水酸基ＯＨ
−が、金属磁性薄膜層の柱状構造粒子に直接接触し、腐
食の進行を著しいものにした。

本発明では、柱状構造粒子が耐候性の優ｔＬ７ｔクロム
化合物で被徨さ几ている為に、水酸基ＯＨ−が直接金属
磁性薄膜の柱状構造粒子に接触することが防止さｎてい
ることと、柱状構造粒子間の空隙部全充填す／）ように
クロム化合物層が形成さｎていることにより、水酸基Ｏ
Ｈ−が侵入しても腐食の進行はほとんど生じなくなり、
仮に生じても従来とは比戦できる程長い時間がかかる。

以下に実施例會示し、本発明を更に詳細に説明実施例１ ２３μ厚ポリエチレンテレンタレートフイルム上に１．
ざＸ　／　Ｏｔｏｒｒの圧力で組成Ｃｏ５ｏＮｉ２ｏの
合金を入射用！θ°で斜方入射蒸着を行ない、厚さ／≠
ｏｏＡの金スｕｂ　（Ｍ　ｎ薄力に層を形成した。その
汝、上記金属磁性薄膜層上にＣｒをコＸ／　Ｏｔｏｒｒ
の真空度で斜方入射蒸水を行ない、厚さ２！Ａのクロム
化合層ケ形成した。

その際、金属磁性薄膜層全形成し１こ余ｊ方入躬蒸着と
はｔ１同じ入射方向になるようにして入射角≠ｊ。

でクロム金属層の形成を行なつ瓦。

以上説明した様に強磁性金属薄膜）餉にクロム金属Ｎを
有した磁気記録媒体のオージェ′電子分光法による膜の
深さ方向でのＣｏ、Ｎｉ、及びＣｒの含有率の大きさを
第Ｖ図に示し罠。こ１．より金属磁性層３の柱状１Ｎ造
の空隙部にＣｒ元素が深く侵入していることが判る〇 一！たＣｒ元素は、一部酸化状態であることも、ＥＳＣ
Ａ測足から確認さｔｌ、７？：、。

この媒体を用いて耐候性の評価を行なった。評価は、６
θ０Ｃ１タ０ｑ６ＲＨのサーモ装置内に２週間保持した
後の腐食全観察したが、発錆部は認めらえなかった。

実施例２ 実施例」と同様な作製法によシ形成した金属磁性薄膜−
ヒに、ｌ　Ｘ　／　０　　’　ｔｏｒｒの真空度の酸素
雰囲気下で／３．オ６μＨｚの高周波電力全λθＯｗａ
ｔｔコイルに印加させて放電音生じさせた雰囲気下でＣ
ｒの斜方蒸着を行なって、膜厚で５０Ａ（７）Ｃｒ２０
３増を形成した。Ｃｒの斜方蒸着時の設定は実施例１と
同様である。

以上説明した強磁性金属薄１漠鳩上にＣｒ２Ｏ３層を有
した磁気記録媒体のオージェ電子分光法による膜の深さ
方向でのＣ０％　Ｎ　ｉｓ及びＣｒの含有率の大きさは
実施例１と同様な傾向を示し、金属磁性層の柱状構造の
空隙部にＣｒ元素が深く侵入していることが判った。

捷ｙｃｃｒ元索Ｑユ犬部分酸化状態であり、はぼＣｒ２
Ｏ３・近いことがＥ　Ｓ　ＣＡ測定から確認さ几た。

この媒体を用いて実施例１と同様な耐候特性の評価を行
なったところ、実施例１と同様に発錆部はほとんど認め
らルなかつ友。

比較例１ 実施例１と同様な方法により作製は、ｆｌ、た金が３磁
性薄膜上にＣｒ２×ｌ０−５ｔｏｒｒの圧力下で膜厚２
ｊＡのクロム金属Ｎを通常の蒸着法により作製した。こ
の媒体を用いて実施ＩＵＪ　１と同様な耐候特性の評価
を行なったところ、はげ全面にわたって発錆が認めらｆ
Ｌだ。同媒体のオージェ電子分光法によるＣｒの膜の深
さ方向のプロファイルは第５図に示すごとく、表面近傍
にのみｕメめら几７ｖ。

また、上記評価法を実施する前装の飽和磁化の比率を求
め、こｆＬを減磁率として表／に示し７だ。

衣ｌには比較の為に実施例１〜２及び実施例１でのＣｏ
Ｎ’ｉ金属磁性層のみのときの１直も合せて示した。

表１

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の磁気記録媒体全説明するため
の説明図であシ、第１図〜第３図は実施例１及び比較例
１におけるＣｒ膜のプロファイルをオージェ電子分光法
で示したグラフである。 特許出願人　富士写真フィルム株式会社第１図 第２図 第３図 第４図 スンσ・ン、ニジ；−ｑｉツｔ（０，ｕ）第５図 入ＩＩ′・ツタ一時圀（ａ、ｕ） 手続補正書 昭和！を年Ω月メ７日 特許庁長官殿 １、事件の表示　　　　昭和！ｒ年特願第５９０７を号
２、発明の名称　　磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　　　特許出願人任　所　　神奈
川県南足柄市中沼２１０番地生　補正の対象　　明細書
の「発明の詳細な説明−１の欄 ｈ　補正の内容 （１）明細書第７頁ｌり行「比較できる程」を「比較で
きない程」と補正する。 （２）同省筒を頁５行「ＣＯざθＮ　ｉ　、２０Ｊを［
ｃＯＯ，ｌＮｉ０．２Ｊと補正スル。 （３）同書筒り貞、２０行「Ｃｒ　２　Ｑ　３、近い」
を「Ｃｒ　２０３　Ｋ近い」と補正する。 手続補正書 昭和！り年３月、、ｉ−”；ｒ日 特許庁長官殿 １、事件の表示　　　　昭和！ｒ年特願第！’？０７６
号２、発明の名称　　磁気記録媒体 ３、補正をする者 ４、補正の対象　　明細書の「特許請求の範囲」の欄、
「発明の詳細な説明」 の欄 ５、補正の内容 ｌ）明細書「特許請求の範囲」の欄を別紙のととく補正
する。 ２）明細書「発明の詳細な説明」の欄を下記のととく補
正する。 ・明＃Ｉ書第１頁／ｇ行 「バソンダー」を 「バインダー」 と補正する。 ・同書第ｊ頁／ｊ行 「囲い込み」を 「回り込み」 と補正する。 ・同書第ｒ頁ｇ行 「コ×ｌＯＪを 「１ｘｔｏ　　　Ｊ と補正する。 ０同書筒ｒ頁ｉ６．ｉ７行 「金属磁性層３の柱状構造」を 「第２図のごとく磁性体粒子２」 と補正する。 り同書第１Ｏ頁１３行のあとに 「すなわち、第３図のごとくであることが推察される。 」 を挿入する。 （別紙） 特許請求の範囲 「非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜とクロム化合物層
をこの順に有し、該強磁性金属薄膜は、軸方向が前記非
磁性支持体の表面に対し斜め方向である柱状の強磁性体
粒子の集合よシ形成され、ま記録媒体。」

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜とクロム化合物層を
   この順に有し、該強磁性金属薄膜は、軸方向が前記非磁
   性支持体の表面に対し斜め方向である柱状の強磁性体粒
   子の集合より形成さ几ていることを特徴とする磁気記録
   媒体。