JPS5841443A - 磁気記録媒体の製法 - Google Patents
磁気記録媒体の製法Info
- Publication number
- JPS5841443A JPS5841443A JP13932481A JP13932481A JPS5841443A JP S5841443 A JPS5841443 A JP S5841443A JP 13932481 A JP13932481 A JP 13932481A JP 13932481 A JP13932481 A JP 13932481A JP S5841443 A JPS5841443 A JP S5841443A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- incident angle
- magnetic
- magnetic recording
- recording medium
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、移動する高分子成形物などの可撓性基体上に
真空蒸着法に工夛磁性薄膜を形成せしめて磁気記録媒体
を製造する方法に関する。
真空蒸着法に工夛磁性薄膜を形成せしめて磁気記録媒体
を製造する方法に関する。
従来工り磁気記録媒体としては、非磁性支持体上Ｋ ｒ
Ｆ ＋！ ２ Ｕ ｓ ｅ Ｃｏ ｆドープしりｒ
Ｆ ｅ ｘ ０３゜Ｆ ｅ ａ （） ４ｓ Ｃｏ ｒ
ドープしりＦ ＠ ｚ ０４ ｅ ｒ Ｆ ｅ ｆＡ
Ｕ ｓとｋ ｅ ３０ ＜のベルトライド化合物、Ｃｒ
Ｏｚ等の酸化物磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチ
レンープタジエシ共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタ
ン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめたものを塗布
し乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきている。
Ｆ ＋！ ２ Ｕ ｓ ｅ Ｃｏ ｆドープしりｒ
Ｆ ｅ ｘ ０３゜Ｆ ｅ ａ （） ４ｓ Ｃｏ ｒ
ドープしりＦ ＠ ｚ ０４ ｅ ｒ Ｆ ｅ ｆＡ
Ｕ ｓとｋ ｅ ３０ ＜のベルトライド化合物、Ｃｒ
Ｏｚ等の酸化物磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチ
レンープタジエシ共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタ
ン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめたものを塗布
し乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきている。
近年高密度記碌への要求の高まシと共に真空蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーテング等のベー、４１−デポ
ジション法あ６いは電気メッキ、無電解メッキ等のメッ
キ法ＫＬり形成される強磁性金属薄膜を磁気記鎌層とす
るバインダーを使用しない、いわゆる非バインダー型磁
気記録媒体が注目を浴びており、実用化への努力が種々
性われている。
ッタリング、イオンプレーテング等のベー、４１−デポ
ジション法あ６いは電気メッキ、無電解メッキ等のメッ
キ法ＫＬり形成される強磁性金属薄膜を磁気記鎌層とす
るバインダーを使用しない、いわゆる非バインダー型磁
気記録媒体が注目を浴びており、実用化への努力が種々
性われている。
従来の塗布型の磁気記録媒体では主として強磁性金属ｘ
Ｄ飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ているため、高密度記鍮に必要な薄形化が信号出力の低
下をもたらすため限界にきておシ、かつその製造１糧も
複−で、始剤回収あるいは分書防止のための大きな付帯
設備を要するという欠点を有している。非バインダー型
の磁気Ｆ録媒体では上記酸化物日性材料ニジ大きな飽和
磁化を有する強Ｓ性材料ｔバインダーの如き非磁性物質
を含有しない状態で薄膜として形成せしめるため、高密
度配録用のために超薄形にできるという利点ｒ有し、し
刀為もその製造工程は簡単である。
Ｄ飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ているため、高密度記鍮に必要な薄形化が信号出力の低
下をもたらすため限界にきておシ、かつその製造１糧も
複−で、始剤回収あるいは分書防止のための大きな付帯
設備を要するという欠点を有している。非バインダー型
の磁気Ｆ録媒体では上記酸化物日性材料ニジ大きな飽和
磁化を有する強Ｓ性材料ｔバインダーの如き非磁性物質
を含有しない状態で薄膜として形成せしめるため、高密
度配録用のために超薄形にできるという利点ｒ有し、し
刀為もその製造工程は簡単である。
高密度配録用の磁気記録媒体に要求される条件の一つと
して高抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱さ
れており、塗布型の磁気記録媒体りりも一桁小さい薄型
化が容易で、飽和磁束密度も大きい非バインダー型磁気
配録媒体への期待は大きい。
して高抗磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱さ
れており、塗布型の磁気記録媒体りりも一桁小さい薄型
化が容易で、飽和磁束密度も大きい非バインダー型磁気
配録媒体への期待は大きい。
％に真空蒸着による方法はメッキの場合のような排液処
理會必要とせず製造工程も簡皐で膜の析出速度も大きく
できるため非常にメリットが大きい。真空蒸着にＬって
磁気記録媒体として望ましい抗磁力お工び角型性ｉ有す
る磁性膜を製造する方法としては、米国特許７Ｊ４２４
３コ号、同Ｊ３≠２６３３号等に述べられている斜め蒸
着法が知られている。この方法によると基体に対して入
射する蒸気流の入射角が大きいほど高抗磁力の媒体が得
られる。しかしながら入射角が大きいと蒸着効率が低下
するという現象があシ生童上問題である。
理會必要とせず製造工程も簡皐で膜の析出速度も大きく
できるため非常にメリットが大きい。真空蒸着にＬって
磁気記録媒体として望ましい抗磁力お工び角型性ｉ有す
る磁性膜を製造する方法としては、米国特許７Ｊ４２４
３コ号、同Ｊ３≠２６３３号等に述べられている斜め蒸
着法が知られている。この方法によると基体に対して入
射する蒸気流の入射角が大きいほど高抗磁力の媒体が得
られる。しかしながら入射角が大きいと蒸着効率が低下
するという現象があシ生童上問題である。
比較的低い入射角にて抗磁力の高い磁性薄膜音形成させ
る方法として斜め蒸着の際に真空槽に酸嵩會導入させる
方法が提案されているが、従来の方法だと再現性が充分
でなく、ノイズが高いという欠点１−有していた。
る方法として斜め蒸着の際に真空槽に酸嵩會導入させる
方法が提案されているが、従来の方法だと再現性が充分
でなく、ノイズが高いという欠点１−有していた。
本発明の目的は、斜め蒸着法にニジ良好なＳ気特性を有
すると共に１ノイズの小さい磁気記録媒体を再現よく製
造できる方法を提供することにある。
すると共に１ノイズの小さい磁気記録媒体を再現よく製
造できる方法を提供することにある。
すなわち本発明は、蒸発源Ｌ９蒸発せしめられた磁性金
属材料の蒸気流を移動する基体に斜めに入射蒸着する磁
気記録媒体の製法において、前記移動基体に対する該蒸
気流の入射角（＃）が高入射角（Ｆｍａ＋ｘ）ｐら低射
角（１ｍ１ｎ）へと連続的に変化するよう該基体を移動
せしめると共に、該基体の近傍且つ低入射（θｍ１ｎ）
蒸気流付近く酸化性ガスを導入しつつ強礎性薄膜を形成
することｔ特徴とする８気紀録媒体の製法である。
属材料の蒸気流を移動する基体に斜めに入射蒸着する磁
気記録媒体の製法において、前記移動基体に対する該蒸
気流の入射角（＃）が高入射角（Ｆｍａ＋ｘ）ｐら低射
角（１ｍ１ｎ）へと連続的に変化するよう該基体を移動
せしめると共に、該基体の近傍且つ低入射（θｍ１ｎ）
蒸気流付近く酸化性ガスを導入しつつ強礎性薄膜を形成
することｔ特徴とする８気紀録媒体の製法である。
第１図人及びＢは本発明にＬる磁気記録媒体の製法ｒ図
式的に示している。真空容器８１（７部分のみ図示）内
に配置された円筒状冷却キャンｌ［４ってテープ状支持
体λが矢印Ｊの方向に移動せしめられる。円筒状冷却キ
ャンｌの下方には磁性材料のチャージされた蒸発源参が
設置されていてマスク！？介して冷却キャンｌに沿って
移動する支持体λに斜方入射蒸着が行えるようになって
いる。テープ状支持体２の移動に従い、テープ状支持体
λ上への磁性薄膜の析出スタート時には高入射角θｍａ
ｘにて斜め蒸着が開始され、・支４６２の移動と共に入
射角＃は連続的に減少し、マスク！にニジ定められる低
入射角θｍ１ｎ）（て磁性薄膜の支持体λ上への析出が
停止される。本発明ｋｋいては低入射角＃ｍｉｎの蒸気
流付近で且つ支持体λの近傍に酸化性ガス導入管４を配
置し、真空槽外からガス導入路７會経て酸化性ガスを導
入しつつＳ注薄膜の析出を行なう、第１図人及びＢの例
ではガス導入管６はマスクＪの先端に取付けられてシカ
、導入管≦の小孔ｔから酸化性がδが磁性材料の蒸気流
に向けて供給される。
式的に示している。真空容器８１（７部分のみ図示）内
に配置された円筒状冷却キャンｌ［４ってテープ状支持
体λが矢印Ｊの方向に移動せしめられる。円筒状冷却キ
ャンｌの下方には磁性材料のチャージされた蒸発源参が
設置されていてマスク！？介して冷却キャンｌに沿って
移動する支持体λに斜方入射蒸着が行えるようになって
いる。テープ状支持体２の移動に従い、テープ状支持体
λ上への磁性薄膜の析出スタート時には高入射角θｍａ
ｘにて斜め蒸着が開始され、・支４６２の移動と共に入
射角＃は連続的に減少し、マスク！にニジ定められる低
入射角θｍ１ｎ）（て磁性薄膜の支持体λ上への析出が
停止される。本発明ｋｋいては低入射角＃ｍｉｎの蒸気
流付近で且つ支持体λの近傍に酸化性ガス導入管４を配
置し、真空槽外からガス導入路７會経て酸化性ガスを導
入しつつＳ注薄膜の析出を行なう、第１図人及びＢの例
ではガス導入管６はマスクＪの先端に取付けられてシカ
、導入管≦の小孔ｔから酸化性がδが磁性材料の蒸気流
に向けて供給される。
本発明において入射角としては一般にはＪＯ＠〜２０＠
が望ましく、特に入射角＃ｍａｘは４０’〜ｔｏ”、入
射角θｍｉｎはＪＯ＠〜７１’が望ましい。
が望ましく、特に入射角＃ｍａｘは４０’〜ｔｏ”、入
射角θｍｉｎはＪＯ＠〜７１’が望ましい。
本発明に用いられる磁性金属材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉ等の金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ。
、Ｎｉ等の金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ。
Ｆｅ−Ｎ ｉ 、 Ｃｏ−Ｎ ｉ 、 Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎ
ｉ 、 ｒｅ−Ｒｈ 。
ｉ 、 ｒｅ−Ｒｈ 。
ｒｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−人ｕ、Ｃｏ−Ｙ、Ｃｏ
−Ｌａ。
−Ｌａ。
Ｃｏ−Ｐｒ 、 Ｃｏ−Ｇｄ 、 Ｃｏ−８ｍ、 Ｃｏ
−８ｉ 、 Ｃｏ−Ｐ ｔ 。
−８ｉ 、 Ｃｏ−Ｐ ｔ 。
ＮムーＣｕ、Ｍｎ−Ｂ１ 、Ｍｎ−８ｂ、Ｍｎ−Ａｔ、
Ｆｅ−Ｃｔ 。
Ｆｅ−Ｃｔ 。
Ｃｏ−Ｃｒ 、 Ｎ１−Ｃｒ 、 Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ
、 Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ 。
、 Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ 。
Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｎ １−Ｃｒ 、 Ｆｅ−８ｉ 等
の強磁性合金である。％に好ましいのはＣｏあるいはＣ
ｏＴ７ｒ７０ｇ量慢以上含有する工うな合金である。磁
性薄膜の膜厚は磁気記録媒体として充分な出力を与え得
る厚さおよび高密度記録の充分行える薄さを必要とする
ことから一般には約０．０λμｒｎＰら約２．０μｍ、
好ましくは０．０！Ｂｒｎ７ｙｈらλ、ｏｐｒｔ１であ
る。
の強磁性合金である。％に好ましいのはＣｏあるいはＣ
ｏＴ７ｒ７０ｇ量慢以上含有する工うな合金である。磁
性薄膜の膜厚は磁気記録媒体として充分な出力を与え得
る厚さおよび高密度記録の充分行える薄さを必要とする
ことから一般には約０．０λμｒｎＰら約２．０μｍ、
好ましくは０．０！Ｂｒｎ７ｙｈらλ、ｏｐｒｔ１であ
る。
本発明における蒸着とは、上記米国特許第３３４’ｕ４
ｊコ号の明細書く述べられている通常の真空蒸着の他、
電界、磁界あるいは電子ビーム照射にｘり蒸気流のイオ
ン化、加速化等を行って蒸発分子の平均自由行程の大き
い雰囲気にて支持体上に薄膜音形成させる方法ｔも含む
ものであシ、例えば描出願人による特開昭ｊ／−７４’
２００１号明細書に示されている工うな電界蒸着法、特
公昭≠ｊ−／／！λ！号、特公昭≠６−−〇≠ｔ４Ｌ号
、特公昭１７−２４１７Ｐ号、特公昭≠ター≠ｊ弘３２
号、特開昭≠２−ＪＪ！９０号、特開昭≠？−３ｕ４Ｌ
Ｉ３号、％開閉４ＣＦ−４４４２３１号公報に示されて
いるようなイオン化蒸着法も本発明に用いられる。
ｊコ号の明細書く述べられている通常の真空蒸着の他、
電界、磁界あるいは電子ビーム照射にｘり蒸気流のイオ
ン化、加速化等を行って蒸発分子の平均自由行程の大き
い雰囲気にて支持体上に薄膜音形成させる方法ｔも含む
ものであシ、例えば描出願人による特開昭ｊ／−７４’
２００１号明細書に示されている工うな電界蒸着法、特
公昭≠ｊ−／／！λ！号、特公昭≠６−−〇≠ｔ４Ｌ号
、特公昭１７−２４１７Ｐ号、特公昭≠ター≠ｊ弘３２
号、特開昭≠２−ＪＪ！９０号、特開昭≠？−３ｕ４Ｌ
Ｉ３号、％開閉４ＣＦ−４４４２３１号公報に示されて
いるようなイオン化蒸着法も本発明に用いられる。
本発明に用いられるテープ状支持体としてはポリエチレ
ンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化
ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーゼネート、ポリエ
チレンナフタレートのようなプラスチックベース、ある
いはＡｔ、Ａｔ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ステンレン鋼の
ような金属帯が用いられる。
ンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化
ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーゼネート、ポリエ
チレンナフタレートのようなプラスチックベース、ある
いはＡｔ、Ａｔ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ステンレン鋼の
ような金属帯が用いられる。
酸化性ガスとしては酸素を用いるのが良く、酸素単独で
も、他のガスと混合してもどちらでも良い、酸化性ガス
の導入量は真空槽容積、排気速度、真空槽内のレイアウ
ト、磁性材料の蒸発速度、テープ状基体の移動速度、テ
ープ状基体の幅、磁性材料の種類等に工って大きく変化
し限定できない。
も、他のガスと混合してもどちらでも良い、酸化性ガス
の導入量は真空槽容積、排気速度、真空槽内のレイアウ
ト、磁性材料の蒸発速度、テープ状基体の移動速度、テ
ープ状基体の幅、磁性材料の種類等に工って大きく変化
し限定できない。
一般には形成された磁性薄膜中に酸素が！〜ＪＪａ ｔ
ｍ％ｉｌ有されるようにガスを導入させるのが好ましい
。
ｍ％ｉｌ有されるようにガスを導入させるのが好ましい
。
次に実施例によって本発明を具体的に説明するが本発明
はこれに限定されるものではない。
はこれに限定されるものではない。
実施例 Ｌ
第１図人及びＢｋその要部を示した巻取り式蒸着装置を
用い一２３μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に斜め蒸着法Ｋｘ？）コパル）７蒸着せしめて磁気
テープを作製した。蒸発源としては電子ビーム加熱式蒸
発源を用い、ガス導入管６より酸素ガスｔキャンに沿っ
て移動するポリエチレンテレフタレードフィルム近傍で
且つ低入射角蒸気流付近に導入しつつ各種真空度にてコ
バルトの蒸発を行なった。磁性膜の厚さ６２／ ｊ ０
０ ＡとなるＬうにし、蒸着の際の入射角の設定はθｍ
ａｘｋ２０１′１ ０ｍ１ｆ１４’コ ０とした。
用い一２３μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に斜め蒸着法Ｋｘ？）コパル）７蒸着せしめて磁気
テープを作製した。蒸発源としては電子ビーム加熱式蒸
発源を用い、ガス導入管６より酸素ガスｔキャンに沿っ
て移動するポリエチレンテレフタレードフィルム近傍で
且つ低入射角蒸気流付近に導入しつつ各種真空度にてコ
バルトの蒸発を行なった。磁性膜の厚さ６２／ ｊ ０
０ ＡとなるＬうにし、蒸着の際の入射角の設定はθｍ
ａｘｋ２０１′１ ０ｍ１ｆ１４’コ ０とした。
さらに比較のために第２図に示されているような従来の
巻増り式蒸着装置により磁気テープを作製した。第２図
において真空容器８２（７部分のみ図示）内に配置され
た円筒状冷却キャン／／Ｖｃ溜ってテープ状支持体ｌλ
が矢印ＩＩの方向に移動せしめられる。円筒状冷却キャ
ンｌｌの下方には蒸発源７４１Ｃが配置されておシ、マ
スクｌ！を介して支持体ｌコ上に斜方入射蒸着が行われ
る。酸化性ガスの導入は、真空容器Ｓ２の壁に設けられ
たガス導入ボー）／ぶ工り実施される。従来法による比
較サンプルの作製の際も、酸素ガスの導入方法ケ除いた
条件、すなわち２３μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム、コパル） 材ＩＰｒ、１１発源、磁性膜の厚
さ、入射角の設定は第７図１１ｃる上の実施例と同一と
した〇 得られた磁気テープはＶＨ８型ＶＴルにて電磁変換特性
を測定した。酸素ガス導入圧を変化させた場合の磁気テ
ープの磁気特性、４！ＭＨｚの信号を記録した時のＪＭ
Ｈｚでの変調ノイズ奮第１表に示す。
巻増り式蒸着装置により磁気テープを作製した。第２図
において真空容器８２（７部分のみ図示）内に配置され
た円筒状冷却キャン／／Ｖｃ溜ってテープ状支持体ｌλ
が矢印ＩＩの方向に移動せしめられる。円筒状冷却キャ
ンｌｌの下方には蒸発源７４１Ｃが配置されておシ、マ
スクｌ！を介して支持体ｌコ上に斜方入射蒸着が行われ
る。酸化性ガスの導入は、真空容器Ｓ２の壁に設けられ
たガス導入ボー）／ぶ工り実施される。従来法による比
較サンプルの作製の際も、酸素ガスの導入方法ケ除いた
条件、すなわち２３μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム、コパル） 材ＩＰｒ、１１発源、磁性膜の厚
さ、入射角の設定は第７図１１ｃる上の実施例と同一と
した〇 得られた磁気テープはＶＨ８型ＶＴルにて電磁変換特性
を測定した。酸素ガス導入圧を変化させた場合の磁気テ
ープの磁気特性、４！ＭＨｚの信号を記録した時のＪＭ
Ｈｚでの変調ノイズ奮第１表に示す。
第 ７ 表
この工うに本発明に従って酸化性ガス１基体近傍且つ低
入射角蒸気流付近に導入しつつコバルトｒ蒸着して得た
磁気テープは、従来の酸化性ガス導入方法による磁気テ
ープニジ磁気特性にすぐれ、ノイズも低いことがわかる
。
入射角蒸気流付近に導入しつつコバルトｒ蒸着して得た
磁気テープは、従来の酸化性ガス導入方法による磁気テ
ープニジ磁気特性にすぐれ、ノイズも低いことがわかる
。
実施例 ２
実施例１と同様に第１図人及びＢに示された巻取り式蒸
着装置會用いｌ参μｍ厚のポリエチレンテレフタレート
フィルム上忙斜め蒸着法に工りＣｏ−Ｎ１（Ｎｉ−２ｊ
重量％）合金ｋｌｉ！累ガスの導入の下に蒸発せしめて
磁気テープを作製した。
着装置會用いｌ参μｍ厚のポリエチレンテレフタレート
フィルム上忙斜め蒸着法に工りＣｏ−Ｎ１（Ｎｉ−２ｊ
重量％）合金ｋｌｉ！累ガスの導入の下に蒸発せしめて
磁気テープを作製した。
磁性層の厚さはＪｏｏｏＡとなる工うにし、蒸着時の入
射角の設定はθｍａＸＱｒｊ’、θｍ ｉ ｎｋｊｊｏ
とした。実施例ＩＫシける比較サンプルと同様に第２図
に示された巻取り式蒸着装置に工り、従来法による酸素
ガス導入に工り比較サンプル會作製した。酸素ガス導入
圧を費化させた場合の磁気テープの磁気特性、ｊＭＨｚ
の信号音記録した時の＄ＭＨｚでの費調ノイズ會第λ表
に示す。変−ノイズは５回繰返し作製したサンプルの平
均値で、３回繰返しの際のノイズのバラツキの程ｌｉ％
第λ表に示した。
射角の設定はθｍａＸＱｒｊ’、θｍ ｉ ｎｋｊｊｏ
とした。実施例ＩＫシける比較サンプルと同様に第２図
に示された巻取り式蒸着装置に工り、従来法による酸素
ガス導入に工り比較サンプル會作製した。酸素ガス導入
圧を費化させた場合の磁気テープの磁気特性、ｊＭＨｚ
の信号音記録した時の＄ＭＨｚでの費調ノイズ會第λ表
に示す。変−ノイズは５回繰返し作製したサンプルの平
均値で、３回繰返しの際のノイズのバラツキの程ｌｉ％
第λ表に示した。
第２表
この工うに本発明による磁気テープは、従来法の磁気テ
ープニジ８気特性にすぐれ、ノイズも低いと共に１再現
性工く製造できることが明らかである。
ープニジ８気特性にすぐれ、ノイズも低いと共に１再現
性工く製造できることが明らかである。
実施例においては６性薄膜が重層の場合のみｒ示したが
、本発明による方法に従ってａ性薄膜ケ積層としても良
いし、さらに積層してなる磁性層Ｍ ｔｙ）間１ｃｃｒ
、Ｓｉ、Ａｔ、Ｍｎ、Ｂｌ、Ｔｉ。
、本発明による方法に従ってａ性薄膜ケ積層としても良
いし、さらに積層してなる磁性層Ｍ ｔｙ）間１ｃｃｒ
、Ｓｉ、Ａｔ、Ｍｎ、Ｂｌ、Ｔｉ。
Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕあルイはこれらの酸化物
、窒化物等の非歿性層？介在させても良い。
、窒化物等の非歿性層？介在させても良い。
さらにまた、田性薄膜と基体の間に下地層ケ設けても良
いし、ａ性薄膜上に有機物あるいは無機物の保獲層ｒ設
けても良い。目的にＬっでは磁性薄膜とは反対側の基体
面にバック層？設けることもできる。
いし、ａ性薄膜上に有機物あるいは無機物の保獲層ｒ設
けても良い。目的にＬっでは磁性薄膜とは反対側の基体
面にバック層？設けることもできる。
第１図人及びＢは本発明による磁気記録媒体の製法に基
づいた装置葡図式的に示し、第２図は従来法による装置
？図式的に示している。 ／は円筒状冷却キャン、−２は支持体、≠は蒸発源、！
はマスク、６は酸化性ガス導入管である。 特杵出願人 富士写真フィルム株式会社第１図Ａ 第 １ 図Ｂ 啜〒子〉４ 第２図 手続補正書 昭和ｒ４年ｔａｐｆｚ７（３ 特許庁長官 島田春樹 殿 １、事件の表示 昭和１４年 特願第１３？３コ
参号２、発明の名称 磁気記鍮媒体の製法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人４、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ＆ 補正の内容 −Ｌ本ｌｌｆ！４細書第１！頁第１１行目と＠／λ行目
の間［、 「又、冥施例において、ガス導入口として小孔を設けた
例を示し九が、これをスリット状等の形状に変更しても
良い、」を挿入する。
づいた装置葡図式的に示し、第２図は従来法による装置
？図式的に示している。 ／は円筒状冷却キャン、−２は支持体、≠は蒸発源、！
はマスク、６は酸化性ガス導入管である。 特杵出願人 富士写真フィルム株式会社第１図Ａ 第 １ 図Ｂ 啜〒子〉４ 第２図 手続補正書 昭和ｒ４年ｔａｐｆｚ７（３ 特許庁長官 島田春樹 殿 １、事件の表示 昭和１４年 特願第１３？３コ
参号２、発明の名称 磁気記鍮媒体の製法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人４、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ＆ 補正の内容 −Ｌ本ｌｌｆ！４細書第１！頁第１１行目と＠／λ行目
の間［、 「又、冥施例において、ガス導入口として小孔を設けた
例を示し九が、これをスリット状等の形状に変更しても
良い、」を挿入する。
Claims (1)
- （１）蒸発源から蒸発せしめられた磁性金属材料の蒸気
流を移動する基体に斜めに入射蒸着する磁気記録媒体の
製法において、前記移動基体に対する該蒸気流の入射角
（θ）が高入射角（θＷａＸ）から低入射角（０ｍ１ｎ
）へと連続的に変化する工う該基体を移動せしめると共
に、該基体の近傍且つ低入射（０ｍ１ｎ）蒸気流付近に
酸化性ガスを導入しつつ強磁性薄膜を形成すること１ｒ
ＩＩＩＩ徴とする磁気記録媒体の製法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13932481A JPS5841443A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | 磁気記録媒体の製法 |
| US06/413,890 US4477489A (en) | 1981-09-03 | 1982-09-01 | Method of making magnetic recording medium |
| DE19823232520 DE3232520A1 (de) | 1981-09-03 | 1982-09-01 | Verfahren zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungstraegers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13932481A JPS5841443A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | 磁気記録媒体の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5841443A true JPS5841443A (ja) | 1983-03-10 |
Family
ID=15242653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13932481A Pending JPS5841443A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-04 | 磁気記録媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5841443A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5888834A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS60154323A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-14 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS60157728A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6148128A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6148126A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61108911A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-27 | Asahi Optical Co Ltd | 映像表示器を有する測量機 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5837843A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1981
- 1981-09-04 JP JP13932481A patent/JPS5841443A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0461414B2 (ja) * | 1984-08-14 | 1992-09-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| JPS61108911A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-27 | Asahi Optical Co Ltd | 映像表示器を有する測量機 |
| JPH0324971B2 (ja) * | 1984-10-31 | 1991-04-04 | Asahi Optical Co Ltd |
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