JP3080722B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は連続薄膜型の磁性層を有
する磁気記録媒体の炭素質保護膜及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】強磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜型の
磁気記録媒体が種々実用化されている。このうち、計算
機等に用いられるハードタイプの磁気ディスクでは、剛
性基板上に強磁性薄膜を設層している。ハードタイプの
磁気ディスクに記録再生を行なう磁気ヘッドとしては、
各種浮上型磁気ヘッドが用いられている。

【０００３】このような場合には、コンタクト・スター
ト・ストップ（ＣＳＳ）時に、磁気ディスクは磁気ヘッ
ドにより損傷を受ける。また、記録密度を高めるために
は、磁気ヘッドの浮上量をできるだけ小さくしようとい
う要請が強いが、このときＣＳＳ時のディスクの損傷は
より一層大きくなる。

【０００４】このような耐久性を高めるためには、ディ
スク表面に固体トップコート膜を設ける必要があり、一
般には、各種固体潤滑剤を用いたトップコート膜が適用
されている。このようなトップコート膜には、カーボン
潤滑保護膜がある。例えば、特開平２−１６１６１２号
には、２層のカーボンスパッタトップコート膜を設ける
旨が提案されている。

【０００５】しかし、このようなカーボンスパッタトッ
プコート膜では、潤滑性、耐久性が十分ではない。ま
た、上記の２層構成では、下層を耐久性に優れたものと
し、上層を潤滑性に優れたものとすることから、製法も
煩雑である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、摩擦
特性および耐久性に優れた磁気記録媒体を提供すること
にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（６）の本発明により達成される。 （１） 基体上に強磁性薄膜を有し、この強磁性薄膜上
に炭素質保護膜を有する磁気記録媒体において、前記炭
素質保護膜はスパッタ法により作製したものであり、前
記炭素質保護膜中に異相として存在する不純物量が５体
積％以下であり、かつ前記炭素質保護膜は実質的にアモ
ルファス状態とする磁気記録媒体。 （２） 前記炭素質保護膜の膜厚が１５０〜５００Ａで
ある上記（１）に記載の磁気記録媒体。 （３） 前記炭素質保護膜は、ラマン散乱スペクトルの
測定で、ｓｐ² ピークに対するｓｐ³ ピークの面積比
［ｓｐ³ （面積）／ｓｐ² （面積）］が３以下である上
記（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。 （４） 前記強磁性薄膜は強磁性金属の連続薄膜である
上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の磁気記録媒
体。 （５） 基体上に強磁性薄膜を有し、この強磁性薄膜上
に炭素質保護膜を有する磁気記録媒体を製造するに際
し、前記炭素質保護膜をスパッタ法により作製し、この
スパッタに際し、スパッタガスによる放電能力をＷ／
（Ｆ・Ｍ）［ここで、Ｗは投入電力（Joule/sec ）であ
り、Ｆはスパッタガスの流量、Ｍはスパッタガス分子量
でＦ・Ｍの単位はkg/secである。］で定義したとき、こ
の値が５×１０⁷ 〜１０⁹ Joule/kgであり、かつ反応圧
力が５Pa以下である磁気記録媒体の製造方法。 （６） 前記スパッタガスが、Ａｒ、ＫｒおよびＸｅの
うちの少なくとも１種以上である上記（５）に記載の磁
気記録媒体の製造方法。

【０００８】

【０００９】

【００１０】

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【作用】本発明では、Ｗ／（Ｆ・Ｍ）値が５×１０⁷ 〜
１０⁹ Joule/kgで、かつ反応圧力が５Pa以下となる条件
でスパッタを行ない、強磁性薄膜上に実質的にアモルフ
ァス状態の炭素質保護膜を形成している。

【００１５】本出願人は、従来のカーボンスパッタ膜に
ついて種々の検討を加えたところ、このようなカーボン
スパッタ膜には、金属炭化物等の不純物が５体積％をこ
えた値〜１０体積％程度存在し、かつこれが摩擦特性お
よび耐久性を悪化させる原因となっていることを確認し
ている。また、この不純物は汎用されているマグネトロ
ンスパッタ法を例にすると、この装置においてターゲッ
ト載置面の外周を覆うシールドリングがスパッタされる
ことによるもので、このシールドリングはステンレス鋼
等の金属製であることに起因して生成するものと考えら
れる。

【００１６】ところが、本発明ではスパッタ条件を前記
のように規制しているので、この不純物量を５体積％以
下まで抑制することができ、さらに膜質、膜厚を所定の
ものにすることによって本発明の効果を得ることができ
る。

【００１７】なお、特開平２−１６１６１２号には、２
層構成のカーボンスパッタトップコート膜を設ける旨が
開示されている。このとき下層は耐久性に優れた膜質、
上層は潤滑性に優れた膜質とするものである。そして、
レーザーラマン分光分析によれば、下層はｉカーボンの
ラマンスペクトルに、上層はアモルファスカーボンとｉ
カーボンが重畳したものに近似するとされている。

【００１８】本発明における炭素質保護膜は１層のみの
構成で潤滑性と耐久性を得るものであり、上記公報の構
成とは明らかに異なるものである。また、本発明のよう
に、不純物についての記載は全くなく、不純物が耐久
性、潤滑性を悪化させることについては示唆すらされて
いない。さらに、ラマン散乱スペクトルにおけるｓｐ²
ピークに対するｓｐ³ ピークの面積比については全くふ
れられていない。

【００１９】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２０】本発明の磁気記録媒体は、具体的にはハー
ドタイプの磁気ディスクである。そして、磁性層である
強磁性薄膜上に炭素質保護膜を有するものである。

【００２１】＜炭素質保護膜＞本発明において、磁性層
上に設層される炭素質保護膜は炭素を含有するものであ
り、炭素のみを含有するものであることが好ましく、こ
のような炭素質保護膜中における不純物量は５体積％以
下、好ましくは２体積％以下とする。そして、その下限
値は検出限界外の体積％程度である。

【００２２】この場合の不純物は、主に、成膜時の不要
な反応等により生成するものと考えられ、主として金属
炭化物であると推定される。このほか、金属窒化物、金
属酸化物なども存在すると考えられる。

【００２３】上記のように、炭素質保護膜中の不純物量
を５体積％以下とすることによって、均質な膜を得るこ
とができ、潤滑保護膜として有効に機能し、本発明の効
果が得られる。一方、不純物量が５体積％をこえると、
本発明の効果は臨界的に減少し、膜の潤滑性、耐久性が
不十分となる。これは、均質な膜とならないためにヘッ
ドからの応力が異物である不純物に集中し、そこから膜
の破壊が発生したり、また、不純物は、前記のとおり、
大部分が硬質である金属炭化物であるため、ヘッドに損
傷を与えることになるからである。

【００２４】このような不純物は、異相として膜中に存
在し、その存在量は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によ
る観察などから求めることができる。また、不純物にお
ける化合物の同定はオージェ電子分光法（ＡＥＳ）、Ｘ
線光電子分光法（ＥＳＣＡ）等によって行なうことがで
き、各化合物の存在量はオージェ電子分光法（ＡＥＳ）
等によって求めることができる。

【００２５】本発明における炭素質保護膜は、炭素をタ
ーゲットとしてスパッタ法により成膜する。

【００２６】本発明におけるスパッタ法には特に制限は
なく、公知の種々の方法を採用することができる。通常
は、成膜レートが高いことから、マグネトロンスパッタ
法が好ましく用いられ、ＤＣであってもＲＦであっても
よい。また、ホローカソードエンハンストマグネトロン
スパッタ法でもよい。

【００２７】この場合、スパッタガス（衝撃ガス）によ
る放電能力をＷ／（Ｆ・Ｍ）［ここでは、Ｗは投入電力
（Joule/sec ）であり、Ｆはスパッタガスの流量、Ｍは
スパッタガス分子量でＦ・Ｍの単位はkg/secである。］
で定義したとき、この値が５×１０⁷ 〜１０⁹ Joule/k
g、このましくは１×１０⁸ 〜６×１０⁸ Joule/kgとな
るような条件とする。

【００２８】このようなスパッタ条件とすることによっ
て、膜中における不純物量を５体積％以下に抑えること
ができる。そして、Ｗ／（Ｆ・Ｍ）値が５×１０⁷ Joul
e/kg未満となると、炭素質膜に欠落が生じる。また、１
０⁹Joule/kg をこえると、不純物量が５体積％をこえて
しまう。

【００２９】本発明におけるスパッタガスは、不純物の
生成を抑制し、スパッタ率が高いことなどから、不活性
ガスであるＡｒ、ＫｒおよびＸｅのうちの少なくとも１
種以上とすればよく、中でもＡｒを用いることがコスト
等の面で有利である。

【００３０】さらに、スパッタの際の反応圧力は５Pa以
下とし、このときの下限は０．５Pa程度、そして、好ま
しくは４〜１Paとすればよい。このように圧力を低いも
のとすることによってターゲット表面での侵食領域が拡
がり、膜中への不純物の混入が減少する。

【００３１】本発明における炭素質保護膜の膜厚は１５
０〜５００Ａ、好ましくは２００〜３００Ａとすればよ
い。このような膜厚とすることによって本発明の実効が
得られる。膜厚が１５０Ａ未満となると保護膜としての
機能が低下し、５００Ａをこえるとスペーシングロスが
増大する。なお、膜厚は段差計等により測定すればよ
い。

【００３２】また、本発明における炭素質保護膜は、実
質的にアモルファス状態であり、ＴＥＭ写真およびＸ線
回析分析（ＸＲＤ）の結果から確認することができる。

【００３３】また、ラマン散乱スペクトル測定における
ｓｐ² ピークに対するｓｐ³ ピークの面積比［ｓｐ³
（面積）／ｓｐ² （面積）］は３以下、好ましくは２以
下、特に実用的には０．５〜１．６であることが好まし
い。ピーク比を上記範囲とすることによって、十分な潤
滑性および耐久性を得ることができる。これに対し、ピ
ーク比が３をこえると、潤滑性および耐久性が悪くな
る。

【００３４】本発明における炭素質保護膜は、潤滑性が
良好であることから表面保護膜としてはこれのみです
み、このほかに潤滑性を増すために新たに液体潤滑層を
設層する必要はなくなる。

【００３５】このような炭素質保護膜が設層されるハー
ドタイプの磁気ディスクについて説明する。

【００３６】＜基体＞本発明の磁気ディスクで用いる基
体は、非磁性の剛性材質であれば特に制限はなく、強磁
性薄膜蒸着時の熱に耐える各種樹脂、金属、セラミック
ス等はいずれも使用可能である。この場合、剛性基板と
しては、特に樹脂製の剛性基板であることが好ましい。
樹脂製の基板では耐久性が低下するので、本発明の効果
は増大する。なお、基板が剛性であるとは、いわゆるフ
ロッピーディスク用のフレキシブルな基板を排除する意
である。このため、基板のヤング率をＥ、厚さをｔとし
たとき、Ｅ・ｔ³ ≧１×１０⁷ dyn・cm、より好ましくは
Ｅ・ｔ³ ≧３×１０⁷ dyn・cmであることが好ましい。

【００３７】用いる樹脂には特に制限がなく、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等何れの樹脂を
使用してもよい。

【００３８】この場合、基板をキャスティング法で成型
する場合は、例えば、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ポリスチレン、ポリアミド、シリコーン樹
脂、ポリエステルおよびこれらの変性体等が使用でき
る。

【００３９】インジェクション法で成型する場合は、例
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹
脂、塩化ビニリデン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリ
スチレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アク
リロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリ
ル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、、ポリアセタ
ール、ポリエステル、ポリサルホン、ポリオキシベンジ
レン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリケトンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリアクリルイミド、ポリエーテルイミド、ポ
リオレフィン、アモルファスポリオレフィンおよびこれ
らの変性体等が使用できる。

【００４０】樹脂基板の寸法は目的に応じて選定すれば
よいが、通常、厚さ０．８〜１．９mm程度、直径６０〜
１３０mm程度である。

【００４１】なお、剛性の基板としては、前記のとお
り、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金
属、ガラス、セラミックス等も使用可能である。また、
基板上には、下地層が設けられていてもよい。下地層の
材質には特に制限がなく、各種の無機材料、有機材料、
金属ないし合金等を用いればよく、成膜方法や膜厚等も
目的や用途等に応じて適宜選択すればよい。

【００４２】＜磁性層＞必要に応じて下地層を設けた基
板上には、直接あるいは中間層を介して磁性層が形成さ
れる。

【００４３】本発明の磁性層は、強磁性薄膜である。薄
膜の材質は、例えば、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれ
る１種以上とすればよく、このものを含有する強磁性金
属の連続薄膜、特にＣｏ系の連続薄膜で構成すればよ
い。

【００４４】磁性層の組成の具体例としては、Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｎ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｍｎ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｓ
ｉ−Ａｌ合金、Ｃｏ−Ｖ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金、Ｃ
ｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ合金
等が挙げられる。なお、これら合金には、必要に応じ、
Ｏ、Ｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ａｒ等の元素が０．１重量
％程度以下含有されていてもよい。この他、γ−Ｆｅ₂
Ｏ₃ 等の強磁性の酸化物薄膜であってもよい。磁性層の
膜厚は、３００〜１０００A が好ましい。３００A 未満
では、記録再生時における出力が不十分であり、１００
０A をこえると出力は十分であるが、記録密度が低下す
るため、不利である。

【００４５】下地層と、磁性層との間には、必要に応じ
て、非磁性中間層が設けられる。例えば、磁性層をＣｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等にて構成する場合、非磁性中間層を設
けることにより、磁性層のエピタキシャル成長を良好に
行なうことができ、磁気特性が向上する。非磁性中間層
は、例えば、ＣｒおよびＷから選ばれる１種以上、特に
Ｃｒおよび／またはＷを含有する連続薄膜にて構成すれ
ばよい。この場合、用いる金属は単体でも合金でもよい
が、合金の場合、前記金属を８０重量％以上含有するこ
とが好ましい。

【００４６】非磁性中間層の膜厚は、５００〜５０００
A が好ましい。５００A 未満では、コバルト合金のエピ
タキシャル成長が十分に行なわれないため良好な磁気特
性が得られない。５０００A をこえると、磁気特性が、
ほぼ一定値に収束してくるため、磁気特性上意味がな
く、量産上不利である。

【００４７】このような非磁性中間層や前記磁性層は、
それぞれ、蒸着、スパッタ、イオンプレーティング、Ｃ
ＶＤ等の各種気相成膜法にて成膜すればよく、特にスパ
ッタにて成膜することが好ましい。

【００４８】本発明では、前記のように炭素質保護膜の
みで、磁性層と炭素質保護膜との間には別の保護膜を必
ずしも介在させる必要はないが、場合によっては、磁性
層上にプラズマ重合膜等の保護膜を設け、この保護膜上
にさらに本発明の炭素質保護膜を設けるようにしてもよ
い。

【００４９】＜媒体構造＞本発明の磁気記録媒体におい
ては基板には、溝を形成することが好ましい。溝の形
状、パターン、寸法等には特に制限がないが、溝をディ
スクの周方向に形成することが好ましい。溝は、基板を
回転させながら研磨テープ等を作用させ、基板表面に、
同心円状等に不規則に形成したいわゆるテクスチャー加
工による溝であっても、基板表面に成形時に同心円状、
渦巻状等に規則的に形成した溝であっても、あるいは、
両者であってもよい。規則的な溝は、トラッキング用の
グルーブとして使用することができ、記録密度が向上す
る。

【００５０】このような場合の溝の寸法や溝配置間隔
は、溝の幅が０．１〜１０μm 、特に０．５〜２μm 程
度、溝間間隙が０．１〜１０μm 、特に０．５〜２μm
程度、溝の深さが１００〜５０００A 、特に５００〜１
０００A 程度が好ましい。

【００５１】なお、グルーブには情報が記録されないた
め、グルーブは磁気ヘッドの位置に関係なくガードバン
ドとなる。このため、基板に、グルーブを設ければ、ト
ラッキングサーボの精度が比較的低くて済み、サーボ信
号に使用される記録面の面積を少なくできる。また、隣
接トラックからのクロストークが著しく減少する。

【００５２】また、連続薄膜型の磁性層の場合、ディス
ク周方向に、前記寸法の溝を特に規則的に形成するとき
には、磁性層のクラック発生がより一層防止され、ディ
スク周方向の配向性が向上し、ディスク周方向の保磁力
が向上する。

【００５３】また、以上では、主に片面記録型磁気ディ
スクを説明してきたが、本発明は、両面記録型の磁気デ
ィスクであってもよい。

【００５４】＜記録再生＞このような磁気ディスク媒体
と組合わせて用いられる磁気ヘッドは、浮上型磁気ヘッ
ドである。浮上型磁気ヘッドとしては、メタル・イン・
ギャップ（ＭＩＧ）型の磁気ヘッドまたは薄膜型の磁気
ヘッドが好適である。

【００５５】ＭＩＧ型磁気ヘッドは、一対のコアの少な
くとも一方のギャップ部対向面に、これらのコアよりも
飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を有する磁気ヘッドであ
る。ＭＩＧ型磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜から強力な磁
束を磁性層に印加できるため、高い保磁力を有する磁性
層に有効な記録を行なうことができる。また、本発明で
は、ＭＩＧ型の磁気ヘッドの１種であるいわゆるエンハ
ンスト・デュアルギャップ・レングス（ＥＤＧ）型の磁
気ヘッドを用いてもよい。

【００５６】ＭＩＧ型ヘッドは、スライダ本体とコアが
一体となっているモノリシックヘッドであっても、非極
性のスライダ本体の一部にフェライトコアを埋め込んだ
コンポジットヘッドであってもよい。モノリシックヘッ
ドにあっては、エアベアリング面はコア材質であるＭｎ
−Ｚｎフェライト等のフェライトから構成される。ま
た、コンポジットヘッドのスライダは、一般にＣａＴｉ
Ｏ₃ 等から構成される。

【００５７】さらに、薄膜ヘッドのスライダ本体は、一
般にＡｌ₂ Ｏ₃ ・ＴｉＣ等から形成される。

【００５８】このような浮上型ヘッドの浮上量は、スラ
イダの形状変更、ジンバル、サスペンション等の荷重変
更、磁気ディスクの回転数の変更などにより種々の値に
設定することができる。本発明では通常、デジタル信号
を記録するので、飽和記録を行なう。また、飽和記録を
行なうので、オーバーライト記録が可能である。

【００５９】

【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。

【００６０】実施例１ 外径３．５インチ、厚さ１．２７mmのポリカーボネート
製のディスク状剛性基板を射出成形により製造した。こ
の基板表面にはグルーブを形成した。

【００６１】グルーブは、ディスクの周方向に形成し、
断面はほぼ矩形とし、その寸法は幅０．８μm 、ランド
部幅０．８μm 、深さ４００〜７００A とした。この基
板上に、ＣＨ₄ を原料ガスとして用いて、膜厚２００A
のプラズマ重合膜の下地層を形成した。この下地層上に
膜厚５００A のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ磁性層を成膜した。磁
性層の成膜は、ＤＣ−マグネトロンスパッタにて行なっ
た。スパッタ条件は動作圧力を１Ｐａとし、Ａｒ雰囲気
中で行った。なお、ターゲットは、Ｃｏ₇₀Ｎｉ₂₀Ｃｒ₁₀
を用いた。これを磁気ディスクサンプルNo. １とする。

【００６２】磁気ディスクサンプルNo. １において、表
１に示すような条件でＤＣ−マグネトロンスパッタによ
り、磁性層上に炭素質保護膜を形成するほかは、同様に
して磁気ディスクサンプルNo. ２〜No. ７を作製した。

【００６３】

【表１】

【００６４】なお、磁気ディスクサンプルNo. ２〜No.
７において、不純物の大部分は金属炭化物と考えられ、
主にＦｅＣ等と推定される。

【００６５】これらの不純物は、ＴＥＭ観察によると、
異相として存在し、ＴＥＭ写真像からその存在量（体積
％）を求めた。これらのうち、サンプルＮｏ．２とサン
プルＮｏ．４の炭素質保護膜のＴＥＭ写真像を図１、図
２にそれぞれ示す。この結果、図１では不純物の存在が
ほとんど観察されないのに対し、図２では不純物が存在
することがわかった。なお、図２において、不純物が異
相として存在する部分は黒く丸く見える部分である。こ
の写真におけるこれら黒く丸く見える部分の、全体に対
する比率を求めることにより、存在量を算出した。

【００６６】また、図３および図４に、サンプルNo. ２
とサンプルNo. ４のＸ線回析写真を示す。これらの写真
から、ともに炭素質膜はアモルファス状態であることを
示している。

【００６７】さらに、図５および図６に、サンプルNo.
２とサンプルNo. ４のラマン散乱スペクトルを示す。こ
のスペクトルから、各サンプルについて、ｓｐ² ピーク
とｓｐ³ ピークとの分離を行ない、ｓｐ² ピークに対す
るｓｐ³ ピークの面積強度比を計算した。この結果も表
１に示す。

【００６８】また、炭素質保護膜の膜厚は、いずれも２
５０Ａとし、段差計により測定した。

【００６９】次に、上記磁気ディスクサンプルNo. １〜
No. ７について、チタン酸カルシウムスライダーのコン
ポジットヘッドを用いて以下の評価を行なった。

【００７０】（１）ＣＳＳ特性 プラス社製３．５”磁気ディスクドライブを用い、ＣＳ
Ｓの１パスを、静止時間１０秒→立ち上がり時間５秒→
定常回転の時間１０秒→立ち下がり時間３０秒と定義
し、定常状態のディスクの回転数を３６００rpm とし、
ディスク中心から２２mmの位置で、ディスクの摩擦係数
が１．０以上になったとき、または、磁性層に傷が発生
したときのパス回数を求めた。

【００７１】（２）摩擦係数μ（１rpm ） １rpm でディスクを回転し、ヘッドにかかる応力を測定
し、これからμを算出した。荷重は１５ gとしてた。

【００７２】（３）摩擦係数変化△μ（１００rpm ） １００rpm でディスクを回転し、ヘッドにかかる応力を
測定し、これから摩擦係数を算出した。荷重は１５ gと
した。そして、時間０のときの摩擦係数を基準とし、３
０分摺動後の摩擦係数の変化率△μ（％）を求めた。

【００７３】（４）摩擦係数μ（５０℃８０％ＲＨ） ５０℃８０％ＲＨ中に１週間保存後、１rpm でディスク
を回転し、ヘッドにかかる応力を測定し、これからμを
算出した。荷重は１５ gとした。

【００７４】（５）摩擦係数変化△μ（１rpm ） ＣＳＳを１万パス後に１rpm で測定した摩擦係数を、初
期に測定した摩擦係数にて除した値を求め、初期より何
倍になっているかを計算した。結果を表２に示す。

【００７５】

【表２】

【００７６】表２から、本発明の効果は明らかである。

【００７７】

【発明の効果】本発明によれば、摩擦特性および耐久性
に優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】粒子構造を示す図面代用写真であり、サンプル
No. ２の炭素質保護膜のＴＥＭ写真像である。

【図２】粒子構造を示す図面代用写真であり、サンプル
No. ４の炭素質保護膜のＴＥＭ写真像である。

【図３】粒子構造を示す図面代用写真であり、サンプル
No. ２の炭素質保護膜のＸ線回析写真である。

【図４】粒子構造を示す図面代用写真であり、サンプル
No. ４の炭素質保護膜のＸ線回析写真である。

【図５】サンプルNo. ２の炭素質保護膜のラマン散乱ス
ペクトルの結果を示すグラフである。

【図６】サンプルNo. ４の炭素質保護膜のラマン散乱ス
ペクトルの結果を示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳岡 保導 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−25570（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−29919（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−241124（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−298097（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/72 G11B 5/84

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体上に強磁性薄膜を有し、この強磁性
   薄膜上に炭素質保護膜を有する磁気記録媒体において、 前記炭素質保護膜はスパッタ法により作製したものであ
   り、 前記炭素質保護膜中に異相として存在する不純物量が５
   体積％以下であり、かつ前記炭素質保護膜は実質的にア
   モルファス状態とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記炭素質保護膜の膜厚が１５０〜５０
   ０Ａである請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記炭素質保護膜は、ラマン散乱スペク
   トルの測定で、ｓｐ² ピークに対するｓｐ³ ピークの面
   積比［ｓｐ³ （面積）／ｓｐ² （面積）］が３以下であ
   る請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記強磁性薄膜は強磁性金属の連続薄膜
   である請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒
   体。
5. 【請求項５】 基体上に強磁性薄膜を有し、この強磁性
   薄膜上に炭素質保護膜を有する磁気記録媒体を製造する
   に際し、 前記炭素質保護膜をスパッタ法により作製し、このスパ
   ッタに際し、スパッタガスによる放電能力をＷ／（Ｆ・
   Ｍ）［ここで、Ｗは投入電力（Joule/sec ）であり、Ｆ
   はスパッタガスの流量、Ｍはスパッタガス分子量でＦ・
   Ｍの単位はkg/secである。］で定義したとき、この値が
   ５×１０⁷ 〜１０⁹ Joule/kgであり、かつ反応圧力が５
   Pa以下である磁気記録媒体の製造方法。
6. 【請求項６】 前記スパッタガスが、Ａｒ、Ｋｒおよび
   Ｘｅのうちの少なくとも１種以上である請求項５に記載
   の磁気記録媒体の製造方法。