JPS59109030A - 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS59109030A JPS59109030A JP57218731A JP21873182A JPS59109030A JP S59109030 A JPS59109030 A JP S59109030A JP 57218731 A JP57218731 A JP 57218731A JP 21873182 A JP21873182 A JP 21873182A JP S59109030 A JPS59109030 A JP S59109030A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 24
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract description 5
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 fluoride compound Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N tungsten(iv) oxide Chemical compound O=[W]=O DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000209149 Zea Species 0.000 description 2
- 235000005824 Zea mays ssp. parviglumis Nutrition 0.000 description 2
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 2
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005822 corn Nutrition 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- IUJMNDNTFMJNEL-UHFFFAOYSA-K iridium(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ir+3] IUJMNDNTFMJNEL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-indiganyloxyindium Chemical compound [In]O[In] BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940110676 inzo Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021508 nickel(II) hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
- G02F1/15245—Transition metal compounds based on iridium oxide or hydroxide
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミ、り現象を利用したエレクトロクロミ、り素子の製造
方法に関するものである。
ミ、り現象を利用したエレクトロクロミ、り素子の製造
方法に関するものである。
エレクトロクロミ、り現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応により物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、数
字表示素子、X−Yマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞9機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
還元反応により物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、数
字表示素子、X−Yマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞9機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
エレクトロクロミ、り現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミ、り素子の2つの例をM1図および第2図に示
す。
ロクロミ、り素子の2つの例をM1図および第2図に示
す。
第1図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
1の上に、透明導電体膜よシなる第1′電極2、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層3、誘電体膜から
なる絶縁層4、導電体膜より成る第2電極5を順次積層
してなるものである。
1の上に、透明導電体膜よシなる第1′電極2、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層3、誘電体膜から
なる絶縁層4、導電体膜より成る第2電極5を順次積層
してなるものである。
また、第2図に示すエレクトロクロミック素子は、第1
図に示す構造における絶縁層4と第2電極5との間に、
さらに、陰極側発色層である第2のエレクトロクロミッ
ク層6を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層4と第2電極5との間に、
さらに、陰極側発色層である第2のエレクトロクロミッ
ク層6を積層したものである。
上記の構造において、基板1は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、まだ、
その位置に関しても、第1電極2の下ではなく、第2電
極5の上にあってもよいし、目的に応じて(例えば、保
護カバーとするなどの目的で)両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第2電極5を透明4電膜
にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。両方の電極を透明電極とすれば素子を透明型として使
用できる。この様な透FiA導電膜としては、ITO膜
(酸化インジウムIn2O,中に酸化錫S n O2を
5%前後含む)やネサ膜等が用いられる。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、まだ、
その位置に関しても、第1電極2の下ではなく、第2電
極5の上にあってもよいし、目的に応じて(例えば、保
護カバーとするなどの目的で)両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第2電極5を透明4電膜
にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。両方の電極を透明電極とすれば素子を透明型として使
用できる。この様な透FiA導電膜としては、ITO膜
(酸化インジウムIn2O,中に酸化錫S n O2を
5%前後含む)やネサ膜等が用いられる。
上記の構造において、陽極側発色層である第1のエレク
トロクロミ、り層3は、酸化クロム(0,205) 、
水酸化イリジウム(Ir(OH)2)S水酸化二、ケル
(Ni (OH) 2)等を用いて形成する。誘電体か
らなる絶縁r@4は、二酸化ジルコン(zrO2)、酸
化ケイ素(Sin) 、二酸化ケイ素(Sin2) 、
五酸化タンタル(Ta2os)等に代表される酸化物、
あるいはフッ化リチウム(LiF) 、フッ化マグネシ
ウム(MgF2)等に代表されるフ、化物を用いて形成
する。また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック
層3は、二酸化タングステン(WO2)、三酸化タング
ステン(WO5)、二酸化モリブデン(MOO2)、三
酸化モリブデン(MoO3) 、五酸化バナジウム(■
205)等を用いて形成する。
トロクロミ、り層3は、酸化クロム(0,205) 、
水酸化イリジウム(Ir(OH)2)S水酸化二、ケル
(Ni (OH) 2)等を用いて形成する。誘電体か
らなる絶縁r@4は、二酸化ジルコン(zrO2)、酸
化ケイ素(Sin) 、二酸化ケイ素(Sin2) 、
五酸化タンタル(Ta2os)等に代表される酸化物、
あるいはフッ化リチウム(LiF) 、フッ化マグネシ
ウム(MgF2)等に代表されるフ、化物を用いて形成
する。また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック
層3は、二酸化タングステン(WO2)、三酸化タング
ステン(WO5)、二酸化モリブデン(MOO2)、三
酸化モリブデン(MoO3) 、五酸化バナジウム(■
205)等を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第1電極2と第2電極5の間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層6へのカ
チオンと電子のダブル9ンジエクシヨンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、WO3を用いる場合には、次
の(1)式で表わされる酸化還元反応が起き発色する。
は、第1電極2と第2電極5の間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層6へのカ
チオンと電子のダブル9ンジエクシヨンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、WO3を用いる場合には、次
の(1)式で表わされる酸化還元反応が起き発色する。
WO5+xH+xe−# HxWO5(1)(1)式に
従って、タングステンブロンズHXW03が形成され発
色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状態となる
。
従って、タングステンブロンズHXW03が形成され発
色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状態となる
。
本発明は、上述のように、導電体膜よりなる第1電極2
、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層3、透電
体膜からなる絶縁層4、導電体膜よシ成る第2電極5を
順次積層しく第1図)、或いは導電体膜よりなる第1電
極2、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層3、
誘電体膜からなる絶縁層4、陰極側発色層である第2の
エレクトロクロミック層6、導電体膜よシ成る第2電極
5を順次積層しく第2図)てなる全固体型エレクトロク
ロミック素子を製造する際の、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層3を形成する際に、蒸発材料にIr
Oや工r203等のイリジウム酸化物を用いた時の製造
方法に関するものであり、さらに詳しくは、蒸着方法及
びその条件に関するものである。
、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層3、透電
体膜からなる絶縁層4、導電体膜よシ成る第2電極5を
順次積層しく第1図)、或いは導電体膜よりなる第1電
極2、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層3、
誘電体膜からなる絶縁層4、陰極側発色層である第2の
エレクトロクロミック層6、導電体膜よシ成る第2電極
5を順次積層しく第2図)てなる全固体型エレクトロク
ロミック素子を製造する際の、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層3を形成する際に、蒸発材料にIr
Oや工r203等のイリジウム酸化物を用いた時の製造
方法に関するものであり、さらに詳しくは、蒸着方法及
びその条件に関するものである。
従来、上述のようなエレクトロクロミック素子を製造す
る際、陽極側エレクトロクロミック層であるエレクトロ
クロミック層3は、Ir−?Ni あるいはこれらの酸
化物をターゲットにした反応性スバ、りや陽極酸化膜方
法で形成されることが報告されている。
る際、陽極側エレクトロクロミック層であるエレクトロ
クロミック層3は、Ir−?Ni あるいはこれらの酸
化物をターゲットにした反応性スバ、りや陽極酸化膜方
法で形成されることが報告されている。
本発明は、上記の様な方法を用いず、別な方法でよシ性
能の良い膜を形成することを図ったもので、即ち、装置
として、反応性イオンブレーティング装置を用い、蒸着
材料にIr01I r 203等のイリジウム酸化物を
用い、雰囲気をH20蒸気またはH20蒸気および02
ガスで満たすことにより、所望のエレクトロクロミック
物質の膜を形成することを特徴とするものである。
能の良い膜を形成することを図ったもので、即ち、装置
として、反応性イオンブレーティング装置を用い、蒸着
材料にIr01I r 203等のイリジウム酸化物を
用い、雰囲気をH20蒸気またはH20蒸気および02
ガスで満たすことにより、所望のエレクトロクロミック
物質の膜を形成することを特徴とするものである。
本発明による方法を実施するのに使用される反応性イオ
ンブレーティング装置の一例を第3図に示す。図中、l
Oは反応性イオングレーティング装置本体、11は拡散
ポンプ、12は電子銃(EBガン)、13は傘、14は
DCバイアスを印加するDCバイアス源、15は高周波
コイル(RFコイル)、16はH20蒸気を供給するH
20蒸気供給源、17は02ガスを供給する0ウガスボ
ンベ、18および19tjニードルバルブを示f。
ンブレーティング装置の一例を第3図に示す。図中、l
Oは反応性イオングレーティング装置本体、11は拡散
ポンプ、12は電子銃(EBガン)、13は傘、14は
DCバイアスを印加するDCバイアス源、15は高周波
コイル(RFコイル)、16はH20蒸気を供給するH
20蒸気供給源、17は02ガスを供給する0ウガスボ
ンベ、18および19tjニードルバルブを示f。
上記の装置を用いて蒸着する際、H20蒸気またはH2
0蒸気および02.fスを導入した後の真空度は2、0
〜5. OX I Q−4Torrとし、蒸着速度を0
.6〜2、O’)、/secとするのがよい。
0蒸気および02.fスを導入した後の真空度は2、0
〜5. OX I Q−4Torrとし、蒸着速度を0
.6〜2、O’)、/secとするのがよい。
次に、全固体型エレクトロクロミック素子を製造する本
発明方法の実施例について説明する。
発明方法の実施例について説明する。
実施例1
厚さ0.8簡のガラス(Cornfng 7059)の
板よりなる基板1の上に、適当な引き出し電極部および
リード部を備えたIrO膜の第1電極2を形成し、これ
を第3図に示す反応性イオンシレーティング装置lO内
に20で示す如く設置し、蒸着材料にIrOを用い、反
応性イオンブレーティング方法により、上記の第2電極
2の上に、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
3の1500X厚C膜を形成した。
板よりなる基板1の上に、適当な引き出し電極部および
リード部を備えたIrO膜の第1電極2を形成し、これ
を第3図に示す反応性イオンシレーティング装置lO内
に20で示す如く設置し、蒸着材料にIrOを用い、反
応性イオンブレーティング方法により、上記の第2電極
2の上に、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
3の1500X厚C膜を形成した。
反応性イオンシレーティング装置の使用条件は次の通り
であった。
であった。
EBガン12 6〜9kvRFコイル15
<5巻) 100〜300WDCバイアス源14
0.2〜1.0kV蒸着条件は次の通りであった。
<5巻) 100〜300WDCバイアス源14
0.2〜1.0kV蒸着条件は次の通りであった。
反応性イオンブレーティング装置内を真空とし、ニード
ルバルブ18を開いてH20蒸気供給源16 −からH
20蒸気を5.OX I OTorrまで導入し、蒸着
速度を2.0 X/seeとした。これにより約150
01厚のエレクトロクロミック層3が形成された。この
エレクトロクロミック層3は陽極側発色層として作用す
る水酸化イリジウム(I r (OH) 2 )よりな
るものであった。
ルバルブ18を開いてH20蒸気供給源16 −からH
20蒸気を5.OX I OTorrまで導入し、蒸着
速度を2.0 X/seeとした。これにより約150
01厚のエレクトロクロミック層3が形成された。この
エレクトロクロミック層3は陽極側発色層として作用す
る水酸化イリジウム(I r (OH) 2 )よりな
るものであった。
さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁層4と
してTa205の層を3000 XS隘極側発色層であ
るエレクトロクロミック層6としてwO5層を3000
X付けた。蒸着条件は真空度2、OX 10−5Tor
r、蒸着速度10 X/ sea であった。
してTa205の層を3000 XS隘極側発色層であ
るエレクトロクロミック層6としてwO5層を3000
X付けた。蒸着条件は真空度2、OX 10−5Tor
r、蒸着速度10 X/ sea であった。
これらの膜上に、第2電極5として半透明導電Au膜を
300X付けた。
300X付けた。
この様にして製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を第1電極と第2電極の間に、2.OVの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ0.Dで0.4に達
するまでに300 m5ecでおった。
子を第1電極と第2電極の間に、2.OVの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ0.Dで0.4に達
するまでに300 m5ecでおった。
実施例2
実施例1と同様に厚さo、 s 舅のガラス(Corn
ing7059)の板よりなる基板lの上に、適当な引
き出し電極およびリード部を備えたIrO膜よシなる第
1電極2を形成し、第3図に示す反応性イオンブレーテ
ィング装置を使用し、蒸着材料に工r203を用いて第
1電極2上に陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層3の膜を形成した。
ing7059)の板よりなる基板lの上に、適当な引
き出し電極およびリード部を備えたIrO膜よシなる第
1電極2を形成し、第3図に示す反応性イオンブレーテ
ィング装置を使用し、蒸着材料に工r203を用いて第
1電極2上に陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層3の膜を形成した。
反応性イオンシレーティング装置の使用条件は実施9I
llと同様であるが、蒸着条件は次の通りであった。
llと同様であるが、蒸着条件は次の通りであった。
反応性イオングレーティング装置内を真空とし、;、−
ドルバルブ18を開いてH20蒸気供給源16からH2
0蒸気を5.OX 10 Torrまで導入し、蒸着
速度を3.0X/sea とした。膜厚は1500.X
であった。さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、
絶縁層4としてTa2O,の層をaoooX、陰極側発
色層であるエレクトロクロミ、り層6として罰3層をa
oooX付けた。蒸着条件は真空度2、OX 10=
Torr−、蒸着速度10 X/seeであった。
ドルバルブ18を開いてH20蒸気供給源16からH2
0蒸気を5.OX 10 Torrまで導入し、蒸着
速度を3.0X/sea とした。膜厚は1500.X
であった。さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、
絶縁層4としてTa2O,の層をaoooX、陰極側発
色層であるエレクトロクロミ、り層6として罰3層をa
oooX付けた。蒸着条件は真空度2、OX 10=
Torr−、蒸着速度10 X/seeであった。
これらの膜上に、第2電極5として半透明導電Au膜を
300X付けた。
300X付けた。
この様にして製作した全固体型エレン)oクロミック素
子を第1電極と第2電極の間に、2.Ovの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔO,Dで0.4に達
するまでに290 m5ecであった。
子を第1電極と第2電極の間に、2.Ovの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔO,Dで0.4に達
するまでに290 m5ecであった。
Ju虹匹1
厚さ0,8纂のガラス(Corning 7059 )
の基板1の上に、適当な引き出し電極部およびリード部
を備えたIrO膜の第1電極2を形成し、これを第3図
に示す反応性イオンブレーティング装置lO内に20で
示す如く設置し、蒸着材料にIrOを用いて、反応性イ
オンプレティング方法により、上記の第1電極2の上に
陽極側発色層であるエレクトロクロミ、り層3を形成し
た。
の基板1の上に、適当な引き出し電極部およびリード部
を備えたIrO膜の第1電極2を形成し、これを第3図
に示す反応性イオンブレーティング装置lO内に20で
示す如く設置し、蒸着材料にIrOを用いて、反応性イ
オンプレティング方法により、上記の第1電極2の上に
陽極側発色層であるエレクトロクロミ、り層3を形成し
た。
反応性イオンル−ティング装置の使用条件は実施例1と
同様であるが、蒸着条件は次の通シであった。
同様であるが、蒸着条件は次の通シであった。
反応性イオンシレーティング装置内を真空とし、先ずニ
ードルバルブ18を開いてH20蒸気供給源16からI
(20蒸気を3.OX I F’ Torrまで導入し
、次ニ、ニードルバルブ19を開いて02ガスボンベ1
7から02ガスを5. OX 10−’ Torrまで
導入し、蒸着速度を2.0 ’)、/ secとした。
ードルバルブ18を開いてH20蒸気供給源16からI
(20蒸気を3.OX I F’ Torrまで導入し
、次ニ、ニードルバルブ19を開いて02ガスボンベ1
7から02ガスを5. OX 10−’ Torrまで
導入し、蒸着速度を2.0 ’)、/ secとした。
膜厚Vi1500Xであった。さらにこの膜の上に、真
空蒸着力法により、絶縁層4としてT a 205の層
を3000 A s陰極側発色層であるエレクトロクロ
ミック層6としてWO5層を30001付けた。蒸着条
件は真空度2.0XIOTorr、 蒸着速度10
X/seeであった。
空蒸着力法により、絶縁層4としてT a 205の層
を3000 A s陰極側発色層であるエレクトロクロ
ミック層6としてWO5層を30001付けた。蒸着条
件は真空度2.0XIOTorr、 蒸着速度10
X/seeであった。
これらの膜上に、第2電極5として半透明導電Au膜を
3000X付けた。
3000X付けた。
この様にして製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を第1電極と第2電極の間に、2.0■の電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ0.Dで0.4
に達する壕でに400 m5ecであった。
子を第1電極と第2電極の間に、2.0■の電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ0.Dで0.4
に達する壕でに400 m5ecであった。
叉産月1
厚み0.8 Mのガラス(Corning 7059
)の基板1の上に、適当な引き出し電極部およびリード
部を備えたITO膜の第1電極2を形成し、これを第3
図に示す反応性イオンシレーティン装置lO内に20で
示す如く設置し、蒸着材料にIr2O3を用いて反応性
イオンプレ・ティング方法によシ、第1電極2上に陽極
側発色層であるエレクトロクロミック層3を形成した。
)の基板1の上に、適当な引き出し電極部およびリード
部を備えたITO膜の第1電極2を形成し、これを第3
図に示す反応性イオンシレーティン装置lO内に20で
示す如く設置し、蒸着材料にIr2O3を用いて反応性
イオンプレ・ティング方法によシ、第1電極2上に陽極
側発色層であるエレクトロクロミック層3を形成した。
反応性イオンシレーティング装置の使用条件は実施例1
と同様とし、蒸着条件として、H20蒸気を3.Q X
l OTorrまで導入し、0□ガスをその後5、O
X 10”−’ Torrまで導入、蒸着速度を3.0
X/seaとした。膜厚は1500Xであった。さら
にこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁層4として
Ta2050層を3000X、陰極側発色層であるエレ
クトロクロミック層6として罰6層を30002付けた
。蒸着条件は真空度2.OX 10−5Torr 、蒸
着速度10X/secであった。これらの膜上に、第2
電極5として半透明導電Au膜を300X付けた。
と同様とし、蒸着条件として、H20蒸気を3.Q X
l OTorrまで導入し、0□ガスをその後5、O
X 10”−’ Torrまで導入、蒸着速度を3.0
X/seaとした。膜厚は1500Xであった。さら
にこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁層4として
Ta2050層を3000X、陰極側発色層であるエレ
クトロクロミック層6として罰6層を30002付けた
。蒸着条件は真空度2.OX 10−5Torr 、蒸
着速度10X/secであった。これらの膜上に、第2
電極5として半透明導電Au膜を300X付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミ、り
素子を、第1電極と第2電極の間に、2.0■の電圧を
印加して駆動したところ、着色濃度がΔ0.0で0.4
に達するまでに450m5ec’″Cあった。
素子を、第1電極と第2電極の間に、2.0■の電圧を
印加して駆動したところ、着色濃度がΔ0.0で0.4
に達するまでに450m5ec’″Cあった。
実施例5
実施例1と同様に厚さQ、 13 Knのガ゛ラス(C
orning7059)の板よシなる基板lの土に、適
当な引き出し電極およびリード部を備えたITO膜より
なる第1電極2を形成し、第3図に示す反応性イオンブ
レーティング装置を使用し、蒸着材料にIr2O3を用
いて第1電極2上に陽極a発色層であるエレクトロクロ
ミック層3の膜を形成した。
orning7059)の板よシなる基板lの土に、適
当な引き出し電極およびリード部を備えたITO膜より
なる第1電極2を形成し、第3図に示す反応性イオンブ
レーティング装置を使用し、蒸着材料にIr2O3を用
いて第1電極2上に陽極a発色層であるエレクトロクロ
ミック層3の膜を形成した。
反応性イオンブレーティング装置の使用条件は実施例1
と同様であるが、蒸着条件は次の通9であった。
と同様であるが、蒸着条件は次の通9であった。
反応性イオンブレーティング装置内を真空とし、ニード
ルバルブ18を開いてH20蒸気供給源16からH20
蒸気’ft 5.OX 10 Torr まで導入
し、蒸′着速度を2.0 i/secとした。膜厚は1
00OXであった。さらにこの膜の上に、真空蒸着力法
により、絶縁層4としてT&205の層を3000X付
けた。蒸着条件は真空度2.OX 10 Torr、
蒸着速度7、5 X/ seaであった。これらの膜上
に、第2電極5として半透明導電Au膜を300X付け
た。
ルバルブ18を開いてH20蒸気供給源16からH20
蒸気’ft 5.OX 10 Torr まで導入
し、蒸′着速度を2.0 i/secとした。膜厚は1
00OXであった。さらにこの膜の上に、真空蒸着力法
により、絶縁層4としてT&205の層を3000X付
けた。蒸着条件は真空度2.OX 10 Torr、
蒸着速度7、5 X/ seaであった。これらの膜上
に、第2電極5として半透明導電Au膜を300X付け
た。
この様にして製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を、第1電極と第2電極の間に、2.OVの電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度がΔ0.Dで0.3に
達するまでK 270 m5ecであった0
子を、第1電極と第2電極の間に、2.OVの電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度がΔ0.Dで0.3に
達するまでK 270 m5ecであった0
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は、本発明方法により製造される全
固体エレクトロクロミック素子の2つの例を示す断面図
、第空図は本発明方法を実施するに使用される反応性イ
オンブレーティング装置を示す概略図である。 l・・・基板 2・・・第1電極3・・・
エレクトロクロミック層 4・・・絶縁層5・・・第2
電極 6・・・エレクトロクロミック層l
O・・・反応性イオンシレーティング装置の本体11・
・・拡散Iンゾ 12・・・電子銃(EBガン
)13・・・傘14・・・DCノぐイアス源15・・・
高周波コイル(RFコイル)16・・・I(20蒸気供
給源 l7・・・0゜ガスボンベ 18.19・・・二一ドルバルプ
固体エレクトロクロミック素子の2つの例を示す断面図
、第空図は本発明方法を実施するに使用される反応性イ
オンブレーティング装置を示す概略図である。 l・・・基板 2・・・第1電極3・・・
エレクトロクロミック層 4・・・絶縁層5・・・第2
電極 6・・・エレクトロクロミック層l
O・・・反応性イオンシレーティング装置の本体11・
・・拡散Iンゾ 12・・・電子銃(EBガン
)13・・・傘14・・・DCノぐイアス源15・・・
高周波コイル(RFコイル)16・・・I(20蒸気供
給源 l7・・・0゜ガスボンベ 18.19・・・二一ドルバルプ
Claims (1)
- 導電体膜より成る第1電極と、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導
電体膜よりなる第2電極を順次積層し、或いは上記の絶
縁層と第2電極の間にさらに陰極側発色層でおるエレク
トロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロク
ロミック素子を製造する方法において、上記の陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層を積層するにあたり
、蒸発材としてイリノウム酸化物、導入ガスとしてH2
0蒸気またはH20蒸気および02ガスを用いて、イオ
ンシレーティング装置によシエレクトロクロミック層を
形成することを特徴とする全固体型エレクトロクロミッ
ク素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57218731A JPS59109030A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57218731A JPS59109030A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59109030A true JPS59109030A (ja) | 1984-06-23 |
Family
ID=16724547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57218731A Pending JPS59109030A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59109030A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04121817U (ja) * | 1991-04-18 | 1992-10-30 | 秀雄 宮方 | 化粧用パツク体 |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP57218731A patent/JPS59109030A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04121817U (ja) * | 1991-04-18 | 1992-10-30 | 秀雄 宮方 | 化粧用パツク体 |
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