JPS59124983A - 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS59124983A JPS59124983A JP22993082A JP22993082A JPS59124983A JP S59124983 A JPS59124983 A JP S59124983A JP 22993082 A JP22993082 A JP 22993082A JP 22993082 A JP22993082 A JP 22993082A JP S59124983 A JPS59124983 A JP S59124983A
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子の製造
方法に関するものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子の製造
方法に関するものである。
エレクトロクロミック現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応によ）物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、数
字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
還元反応によ）物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、数
字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よ少なる第１電極２、陽極側発
色層であるエレン）ｏクロミック１＠３、誘電体膜から
なる絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を順次積層
してなるものである。
１の上に、透明導電体膜よ少なる第１電極２、陽極側発
色層であるエレン）ｏクロミック１＠３、誘電体膜から
なる絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を順次積層
してなるものである。
また、第２図に示すエレン）ｏクロミック素子は、第１
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
もらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミン
クＮ６を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
もらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミン
クＮ６を積層したものである。
上記の構造において、基板１゛ｌま一般的にガラス板に
よって形成されるか、これはガ′ラス板に限らず、プラ
スチック板′またはアクリル板等の透明な板ならばよく
、また、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく
、第２電極５の±にあってもよいし、目的に応じて（例
えば、保穫カバーとするなどの目的で）両側に設けても
よい。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透
明導電膜にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必
要がある。
よって形成されるか、これはガ′ラス板に限らず、プラ
スチック板′またはアクリル板等の透明な板ならばよく
、また、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく
、第２電極５の±にあってもよいし、目的に応じて（例
えば、保穫カバーとするなどの目的で）両側に設けても
よい。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透
明導電膜にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必
要がある。
両方の電極を透明電極とすれば素子ｆｒ：込明型として
使用できる。この様な透明導電ルぎとしでは、ＩＴＯ膜
（酸化インジウムＩ ｎ ２０ ｓ中に酸化錫Ｓ ｎＯ
２を５％前後含む）やネサ膜等が用いられる。
使用できる。この様な透明導電ルぎとしでは、ＩＴＯ膜
（酸化インジウムＩ ｎ ２０ ｓ中に酸化錫Ｓ ｎＯ
２を５％前後含む）やネサ膜等が用いられる。
上記の構造において、陽極側発色層である第１のエレク
トロクロミック層３は、三酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、
水酸化イリゾウム（Ｉｒ（ＯＨ）２ ）、水酸化ニッケ
ル（Ｎｉ（ＯＨ）２ ）等を用いて形成する。
トロクロミック層３は、三酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、
水酸化イリゾウム（Ｉｒ（ＯＨ）２ ）、水酸化ニッケ
ル（Ｎｉ（ＯＨ）２ ）等を用いて形成する。
誘電体からなる絶縁層４は、二酸化ジルコン（Ｚｒ０２
）、酸化ケイ素（８１０）、二酸化ケイ素（５１０２）
、五酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）等に代表される酸化
物、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ ）、フン化マグ
ネシウム（ＭｇＦ２ ）等に代表されるフッ化物を用い
て形成する。
）、酸化ケイ素（８１０）、二酸化ケイ素（５１０２）
、五酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）等に代表される酸化
物、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ ）、フン化マグ
ネシウム（ＭｇＦ２ ）等に代表されるフッ化物を用い
て形成する。
また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層３は
、二酸化タングステン（ＷＯ２）、三酸化タングステン
（ＷＯ３）、二酸化モリブデン（ＭＯＯ２）、三酸化モ
リブデン（Ｍ２Ｏ３）、五酸化／々ナソウム（Ｍ２Ｏ５
）等を用いて形成する。
、二酸化タングステン（ＷＯ２）、三酸化タングステン
（ＷＯ３）、二酸化モリブデン（ＭＯＯ２）、三酸化モ
リブデン（Ｍ２Ｏ３）、五酸化／々ナソウム（Ｍ２Ｏ５
）等を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には、次
の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き着色する。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には、次
の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き着色する。
ＷＯ＋ｘＨ″−＋ ｘｅ−：ｉ ＨｘＷＯ（１）３
（］、） 弐に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯ
ｓ カ形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれ
は消色状態となる。
ｓ カ形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれ
は消色状態となる。
本発明は、上述のように、導電体膜よりなる第１電極２
、陽極側発色層であるエレクトロクロミックＮ３、誘電
体膜からなる絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を
順次積層しく第１図）、或いは導電体膜よシなる第１電
極２、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、
誘電体膜からなる絶縁層４、陰極側発色層であるＭ２の
エレクトロクロミックｒＷ！６、導電体膜より成る第２
電極５を順次積層しく第２図）でなる全固体型エレクト
ロクロミック素子を製造する際の、陽極側発色層でるる
エレクトロクロミック層３を形成する際に、蒸発材料に
水酸化ニッケルを用いた時の製造方法に関するものであ
夛、さらに詳しくは、蒸着方法及びその条件に関するも
のである。
、陽極側発色層であるエレクトロクロミックＮ３、誘電
体膜からなる絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を
順次積層しく第１図）、或いは導電体膜よシなる第１電
極２、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、
誘電体膜からなる絶縁層４、陰極側発色層であるＭ２の
エレクトロクロミックｒＷ！６、導電体膜より成る第２
電極５を順次積層しく第２図）でなる全固体型エレクト
ロクロミック素子を製造する際の、陽極側発色層でるる
エレクトロクロミック層３を形成する際に、蒸発材料に
水酸化ニッケルを用いた時の製造方法に関するものであ
夛、さらに詳しくは、蒸着方法及びその条件に関するも
のである。
従来、上述のようなエレクトロクロミック素子を製造す
る際、陽極側エレクトロクロミック層であるエレクトロ
クロミック層３は、Ｉｒ＋Ｎｉあるいはこれらの酸化物
をターゲットにした反応性スパッタや陽極酸化膜方法で
形成されることが報告されている。
る際、陽極側エレクトロクロミック層であるエレクトロ
クロミック層３は、Ｉｒ＋Ｎｉあるいはこれらの酸化物
をターゲットにした反応性スパッタや陽極酸化膜方法で
形成されることが報告されている。
本発明は、上記の様な方法を用いず、別な方法でよシ性
能の良い膜を形成することを図ったものでｆｆ１Ｊち、
装置として、反応性イオンシレーティング装置を用い、
蒸着材料に水酸化ニッケルを用いて、雰囲気をＨ２０蒸
気またはＨ２ｏ蒸気およびｏ２ガスで満たすことにょシ
、所望のエレクトロクロミック物質の膜を形成すること
を特徴とするものである。
能の良い膜を形成することを図ったものでｆｆ１Ｊち、
装置として、反応性イオンシレーティング装置を用い、
蒸着材料に水酸化ニッケルを用いて、雰囲気をＨ２０蒸
気またはＨ２ｏ蒸気およびｏ２ガスで満たすことにょシ
、所望のエレクトロクロミック物質の膜を形成すること
を特徴とするものである。
本発明による方法を実施するのに使用される反応性イオ
ングレーティング装置の一例を第３図に示す。図中、１
０はイオンブレーティング装置の本体、１１は拡散ポン
ダ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘（基体ホルダ
ー）、１４はＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス源、
１５は高周波コイル（ＲＦコイル）、１６はＨ２０蒸気
を供給する−Ｈ２０蒸気供給源、１７は０２ガスを供給
するガスがンベ、１８および１９はニードルバルブ、２
０は基板（被蒸着体）を示す。
ングレーティング装置の一例を第３図に示す。図中、１
０はイオンブレーティング装置の本体、１１は拡散ポン
ダ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘（基体ホルダ
ー）、１４はＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス源、
１５は高周波コイル（ＲＦコイル）、１６はＨ２０蒸気
を供給する−Ｈ２０蒸気供給源、１７は０２ガスを供給
するガスがンベ、１８および１９はニードルバルブ、２
０は基板（被蒸着体）を示す。
上記の装置を用いて蒸着する際、Ｈ２０蒸気またはＨ２
０蒸気と０２ガスを導入した後の真空度は２．０〜５．
ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒとし、蒸着速度を０．６〜
２．０Ｘ／ｓｅｃとするのがよい。
０蒸気と０２ガスを導入した後の真空度は２．０〜５．
ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒとし、蒸着速度を０．６〜
２．０Ｘ／ｓｅｃとするのがよい。
次に、全固体型エレクトロクロミック素子’ｉｃ−Ｍ造
する本発明方法の実施例について説明する。
する本発明方法の実施例について説明する。
実施例１
厚さｏ、 ｓ ｍｖｔのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０
５９ ）の板よシなる基板１の上に、適当な引き出し電
極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を形
成し、これを第３図に示す反応性イオンル−ティング装
良１０内に２０で示す如く設置し、蒸着材料にＮｉ （
ＯＨ） ２を用い、反応性イオンプレーティング方法に
よシ、上記の第１電極２の上に、陽極側発色層であるエ
レクトロクロミック層３の膜を形成した。
５９ ）の板よシなる基板１の上に、適当な引き出し電
極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を形
成し、これを第３図に示す反応性イオンル−ティング装
良１０内に２０で示す如く設置し、蒸着材料にＮｉ （
ＯＨ） ２を用い、反応性イオンプレーティング方法に
よシ、上記の第１電極２の上に、陽極側発色層であるエ
レクトロクロミック層３の膜を形成した。
反応性イオンシレーティング装置の使用条件は次の通多
であった。
であった。
ＦＢガン１２ ６〜９ ｋＶＲＦコイル
１５（５巻） １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
０．２〜１．０ｋＶ蒸着条件は次の過多であ
った。
１５（５巻） １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
０．２〜１．０ｋＶ蒸着条件は次の過多であ
った。
反応性イオンブレーティング装置内を真空とし、ニード
ルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０
蒸気を５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速
度を５．０ Ｘ／ｙｃとした。膜厚は１５１）ＯＸであ
った。さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によ隻、絶縁
層４としてＴａ ２０ ｓの層を３０００Ｘ、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層６としてＷＯ。
ルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０
蒸気を５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速
度を５．０ Ｘ／ｙｃとした。膜厚は１５１）ＯＸであ
った。さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によ隻、絶縁
層４としてＴａ ２０ ｓの層を３０００Ｘ、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層６としてＷＯ。
層を３０００Ｘ付けた。蒸着条件は真空度２，０×１０
−５Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０ ｉ／ｓｅｃであった。こ
れらの膜上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３
００Ｘ付けた。
−５Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０ ｉ／ｓｅｃであった。こ
れらの膜上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３
００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１電極と第２電極の間に、２、ＯＶの電圧を
印加して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．４
に達するまでに６００ｍ就であった。
素子を、第１電極と第２電極の間に、２、ＯＶの電圧を
印加して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．４
に達するまでに６００ｍ就であった。
実施例２
実施例１と同様に厚さ０．８１嫌のガラス（Ｃｏｒｎｉ
ｎｇ７０５９）の板よシなる基板１の上に第１電極２を
形成し、第３図に示す反応性イオンブレーティング装置
を使用し、蒸着材料にＮ１（Ｏｆ（）２を用いて第１を
極２上に陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３
の１５００Ｘ厚の膜を形成した。
ｎｇ７０５９）の板よシなる基板１の上に第１電極２を
形成し、第３図に示す反応性イオンブレーティング装置
を使用し、蒸着材料にＮ１（Ｏｆ（）２を用いて第１を
極２上に陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３
の１５００Ｘ厚の膜を形成した。
反応性イオンブレーティング装置の使用条件は実施例１
と同様であるが、蒸着条件は次の通多であった。
と同様であるが、蒸着条件は次の通多であった。
反応性イオンブレーティング装置内を真空とし、先ず、
ニードルバルブ１８を開いて、Ｈ２ｏ蒸気供給源１６か
らＨ２ｏ蒸気を３． ｏＸ １０−’ Ｔｏｒｒ ｉで
導入し、その後、ニードルバルブ１８ｅＭｅ、ニードル
バルブ１９を開いてｏ２ガスがンベ１７から０２ガスを
５． ＯＸ Ｉ Ｏ”−’ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着
速度を５．０１／ｍとした。膜厚は１５００Ｘであった
。さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁層４
としてＴａ２０５の層を３０００Ｘ、陰極側発光層であ
るエレクトロクロミック層６としてＷＯ，＠を３０００
Ｘ付けた。蒸着条件は真空度２．ＯＸ １０−５Ｔｏｒ
ｒ 、蒸着速度１０ Ｘ／ｓｅｅであった。これらの膜
上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付
けた。
ニードルバルブ１８を開いて、Ｈ２ｏ蒸気供給源１６か
らＨ２ｏ蒸気を３． ｏＸ １０−’ Ｔｏｒｒ ｉで
導入し、その後、ニードルバルブ１８ｅＭｅ、ニードル
バルブ１９を開いてｏ２ガスがンベ１７から０２ガスを
５． ＯＸ Ｉ Ｏ”−’ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着
速度を５．０１／ｍとした。膜厚は１５００Ｘであった
。さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁層４
としてＴａ２０５の層を３０００Ｘ、陰極側発光層であ
るエレクトロクロミック層６としてＷＯ，＠を３０００
Ｘ付けた。蒸着条件は真空度２．ＯＸ １０−５Ｔｏｒ
ｒ 、蒸着速度１０ Ｘ／ｓｅｅであった。これらの膜
上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付
けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄ で０．４
に達するまでに８００ ｍ５ｅｃであった。
素子を第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄ で０．４
に達するまでに８００ ｍ５ｅｃであった。
実施例３
実施例１と同様に厚さ０．８間のガラス（Ｃｏｒｎ−ｉ
ｎｇ７０５９）の板よシなる基板１の上に第１を極２を
形成し、第３図に示す反応性イオンブレーティング装置
を使用し、蒸着材料にＮｉ（ＯＨ）２を用いて第１電極
２上に陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３の
１２００Ｘ厚の膜を形成した。
ｎｇ７０５９）の板よシなる基板１の上に第１を極２を
形成し、第３図に示す反応性イオンブレーティング装置
を使用し、蒸着材料にＮｉ（ＯＨ）２を用いて第１電極
２上に陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３の
１２００Ｘ厚の膜を形成した。
反応性イオングレーティング装置の使用条件は実施例１
と同様であるが、蒸着条件は次の通多であった。
と同様であるが、蒸着条件は次の通多であった。
反応性イオングレーティング装置内を真空とし、ニード
ルパルプ１８を開いてＨ２０蒸気供給ｍ１６からｆ（２
０７４気を５． ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで導入し
、蒸着速度を３．０ Ｘ／ｓｅｃとした。膜厚は１２０
０！であった。さらに、この膜の上に、真空蒸着方法に
より絶縁層４としてＴａ２０５の層を３０００Ｘ付けた
。蒸着条件は真空＄ ２．０ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ
、蒸着速度１０Ｘ／Ｓｅｃであった。これらの膜の上に
、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた
。
ルパルプ１８を開いてＨ２０蒸気供給ｍ１６からｆ（２
０７４気を５． ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで導入し
、蒸着速度を３．０ Ｘ／ｓｅｃとした。膜厚は１２０
０！であった。さらに、この膜の上に、真空蒸着方法に
より絶縁層４としてＴａ２０５の層を３０００Ｘ付けた
。蒸着条件は真空＄ ２．０ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ
、蒸着速度１０Ｘ／Ｓｅｃであった。これらの膜の上に
、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた
。
このようにして製作した全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１電極と第２電極の間に２．ＯＶの電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度がΔＯ，Ｄで０．３に
達するまでに７８０ｍφＣでめった。
素子を、第１電極と第２電極の間に２．ＯＶの電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度がΔＯ，Ｄで０．３に
達するまでに７８０ｍφＣでめった。
第１図および第２図は、本発明方法によシ製造される全
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法を実施するに使用される反応性
イオンシレーティング装置を示す概略図である。 に基板、 ２：第１電極、３：エレクトロ
クロミック層、 ４：絶縁層、 ５：第２電極、６：エレクト
ロクロミック層、 １０：反応性イメンプレーティング装置の本体、１１：
拡散ポンプ、 １２：電子銃（ＥＢガン）、１３：
傘（基体ホルダー）、 １４：ＤＣバイアス源、 １５：高周波コイル（ＲＦコイル）、 １６ ： ｘ＋２ｏ蒸気供給源、１７：０□がスデンベ
、１ ｇ 、、 １９ ：ニードルパルプ、２０：基板
（被蒸着体）。
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法を実施するに使用される反応性
イオンシレーティング装置を示す概略図である。 に基板、 ２：第１電極、３：エレクトロ
クロミック層、 ４：絶縁層、 ５：第２電極、６：エレクト
ロクロミック層、 １０：反応性イメンプレーティング装置の本体、１１：
拡散ポンプ、 １２：電子銃（ＥＢガン）、１３：
傘（基体ホルダー）、 １４：ＤＣバイアス源、 １５：高周波コイル（ＲＦコイル）、 １６ ： ｘ＋２ｏ蒸気供給源、１７：０□がスデンベ
、１ ｇ 、、 １９ ：ニードルパルプ、２０：基板
（被蒸着体）。
Claims (1)
- 導電体膜よシなる第１の電極と、陽極側発色層であるエ
レクトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、
導電体膜からなる第２の電極とを順次に積層し、或いは
上記の絶縁層と第２の電極との間に、さらに陰極側発色
層であるエレクトロクロミック層を積層してなる全固体
型エレクトロクロミック素子を製造する方法において、
上記の陽極側発色層であるエレクトロクロミック層を積
層するにあたフ、蒸発材として水酸什ニッケルを用い、
Ｈ２０蒸気またはＨ２０蒸気および０２ガスを導入ガス
として、イオンブレーティング装置によシエレクトロク
ロミック層を形成することを特徴とする全固体型エレク
トロクロミック素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22993082A JPS59124983A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22993082A JPS59124983A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124983A true JPS59124983A (ja) | 1984-07-19 |
Family
ID=16899957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22993082A Pending JPS59124983A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124983A (ja) |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP22993082A patent/JPS59124983A/ja active Pending
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