JPS59121318A - 全固体型エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS59121318A JPS59121318A JP57231164A JP23116482A JPS59121318A JP S59121318 A JPS59121318 A JP S59121318A JP 57231164 A JP57231164 A JP 57231164A JP 23116482 A JP23116482 A JP 23116482A JP S59121318 A JPS59121318 A JP S59121318A
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- Japan
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- electrochromic
- electrode
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
エレクトロクロミック現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応によシ物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、数
字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、紋り機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
還元反応によシ物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、数
字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、紋り機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの構造例を第１図および第２図
に示す。
ロクロミック素子の２つの構造例を第１図および第２図
に示す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
ｌの上に、透明導電体膜よシなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
ｌの上に、透明導電体膜よシなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示す構造における絶縁層４と第２ｔ３．極５との間
に、さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロ
ミック層６を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層４と第２ｔ３．極５との間
に、さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロ
ミック層６を積層したものである。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならはよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導電膜
にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。両方の電極を透明型部とすれば、素子を透明型として
使用できる。この様な透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（
酸化インジウムＩｎ２Ｏ３中に酸化錫５ｎ０２を５％前
後含む）やネザ膜等が用いられる。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならはよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導電膜
にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。両方の電極を透明型部とすれば、素子を透明型として
使用できる。この様な透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（
酸化インジウムＩｎ２Ｏ３中に酸化錫５ｎ０２を５％前
後含む）やネザ膜等が用いられる。
上記の構造において、陽極側発色層であるエレクトロク
ロミック層３は、従来、三酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ５）
ｓ水酸化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）２ ）、水酸化ニッ
ケル（Ｎ５（ｏｎ）２）等によって形成されている。誘
電体からなる絶縁層４は、二酸化ジルコン（ＺｒＯ２）
、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、二酸化ケイ素（５ｔｏ２ ）
、五酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）等に代表される酸化
物、あるいはジツ化リチウム（ＬｉＦ ）、フッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦｚ）等に代表されるフッ化物を用いて
形成する。また、陰極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層６は、二酸化タングステン（ＷＯ２）、三酸化タ
ングステン（ＷＯｓ ）、二酸化モリブデン（ＭＯＯ２
）、三酸化モリブデン（Ｍｏ５ｓ ）、五酸化バナジウ
ム（Ｖ２Ｏ５）等を用いて形成する。
ロミック層３は、従来、三酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ５）
ｓ水酸化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）２ ）、水酸化ニッ
ケル（Ｎ５（ｏｎ）２）等によって形成されている。誘
電体からなる絶縁層４は、二酸化ジルコン（ＺｒＯ２）
、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、二酸化ケイ素（５ｔｏ２ ）
、五酸化タンタル（Ｔａ２０５ ）等に代表される酸化
物、あるいはジツ化リチウム（ＬｉＦ ）、フッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦｚ）等に代表されるフッ化物を用いて
形成する。また、陰極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層６は、二酸化タングステン（ＷＯ２）、三酸化タ
ングステン（ＷＯｓ ）、二酸化モリブデン（ＭＯＯ２
）、三酸化モリブデン（Ｍｏ５ｓ ）、五酸化バナジウ
ム（Ｖ２Ｏ５）等を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的Ｑ′こ言われている。例えば、工Ｖ
クトロクロミック物質とし、て、ＷＯ５を用いる場合に
は、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き着色
する。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的Ｑ′こ言われている。例えば、工Ｖ
クトロクロミック物質とし、て、ＷＯ５を用いる場合に
は、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き着色
する。
ＶＫ）５ ＋ ｘＨ＋ ｘｅ −ＨｘＷＯ５（１）（
１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯ５が形
成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状
態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体型エレク
トロクロミック素子においては、素子内部の絶縁層によ
ってプロトンＨ＋が供給され着色する。
１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯ５が形
成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状
態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体型エレク
トロクロミック素子においては、素子内部の絶縁層によ
ってプロトンＨ＋が供給され着色する。
上述のエレクトロクロミック素子においては、従来、陽
極側発色層であるエレクトロクロミックＪＡ ３は前記
のように三酸化クロム（ｃｒ２０ｓ ） 、水酸化イリ
ジウム（工ｒ（ＯＨ）２）、水酸化ニッケル（Ｎ１（０
Ｈ）２）等よ構成シ、これらの材料を反応性ス１？ツタ
或いは陽極酸化膜法によって形成している。
極側発色層であるエレクトロクロミックＪＡ ３は前記
のように三酸化クロム（ｃｒ２０ｓ ） 、水酸化イリ
ジウム（工ｒ（ＯＨ）２）、水酸化ニッケル（Ｎ１（０
Ｈ）２）等よ構成シ、これらの材料を反応性ス１？ツタ
或いは陽極酸化膜法によって形成している。
本発明は、このようなエレクトロクロミック素子におい
て、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層を、従
来のものとは異なる全く新しい材料によ；て構成して、
従来のものに比して優れた応答速度および着色濃度の発
色を得ることのできる全固体型エレクトロクロミック素
子を提供しようとするものである。
て、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層を、従
来のものとは異なる全く新しい材料によ；て構成して、
従来のものに比して優れた応答速度および着色濃度の発
色を得ることのできる全固体型エレクトロクロミック素
子を提供しようとするものである。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子の特徴
とするところは、駆１図に示すように導電体膜よ構成る
第１電極と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よシ々る第
２電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第２図に示すように、上記の絶縁層と第
２電極の間にさらに陰極側発色層である第２のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロミッ
ク素子において、陽極側発色層でちるエレクトロクロミ
ック層が酸化鉄よ構成ることにある。
とするところは、駆１図に示すように導電体膜よ構成る
第１電極と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よシ々る第
２電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第２図に示すように、上記の絶縁層と第
２電極の間にさらに陰極側発色層である第２のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロミッ
ク素子において、陽極側発色層でちるエレクトロクロミ
ック層が酸化鉄よ構成ることにある。
この酸化鉄の膜は、反応性イオングレーティングによっ
て形成することができ、蒸発材として鉄（Ｆｅ ） ６
るいはその酸化物を用い、雰囲気に、０２ガスを導入す
ることによって所望のエレクトロクロミック層の膜を得
ることができる。
て形成することができ、蒸発材として鉄（Ｆｅ ） ６
るいはその酸化物を用い、雰囲気に、０２ガスを導入す
ることによって所望のエレクトロクロミック層の膜を得
ることができる。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子を製造
するのに使用される反応性イオンブレーティング装置の
一例を第３図に示す。図中、１０はイオ、プＶ−ヶ４７
．装置。１本体、□□は拡散、、？７ノ、１２は電子銃
（ＥＢガン）、１３は傘、（基板ホルダー）、１４はＤ
Ｃバイアスを印加するＤＣ−々イアス源、１５は高周波
コイル（ＲＦコイル）、１６は０２ガスヲ供給する０２
ガスボンベ、１７は二一ドルパにプ１８は基板（被蒸着
体）を示す。
するのに使用される反応性イオンブレーティング装置の
一例を第３図に示す。図中、１０はイオ、プＶ−ヶ４７
．装置。１本体、□□は拡散、、？７ノ、１２は電子銃
（ＥＢガン）、１３は傘、（基板ホルダー）、１４はＤ
Ｃバイアスを印加するＤＣ−々イアス源、１５は高周波
コイル（ＲＦコイル）、１６は０２ガスヲ供給する０２
ガスボンベ、１７は二一ドルパにプ１８は基板（被蒸着
体）を示す。
第３図に示す装置によってエレクトロクロミック素子會
製造する工程は次の通りである。
製造する工程は次の通りである。
先ず、基板１の上に適当な引出し′ｆＩＬ極部およびリ
ード部を備えた第１電極２を形成し、これを第３図の装
僧°内に１８で示す如く設置し蒸発材として鉄（Ｆ、）
あるいはその酸化物を用い、０２ガスポンベ１６から０
２ガスを導入し、反応性イオンシレーティング方法によ
シ陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３を上記
の第１電極２の上に形成する。次に、この膜の上に、真
空蒸着方法によシ絶縁層４を形成し、次に、該絶縁層４
の上に第２電極５の膜を形成しく第１図に示すエレクト
ロクロミック素子の場合）、或いは該絶縁層４の上に、
陰極側発色層であるエレクトロクロミック層６を真空蒸
漸法で形成した上、第２電極５０Ｍを形成する（第２図
に示すエレクトロクロミック素子の場合）。
ード部を備えた第１電極２を形成し、これを第３図の装
僧°内に１８で示す如く設置し蒸発材として鉄（Ｆ、）
あるいはその酸化物を用い、０２ガスポンベ１６から０
２ガスを導入し、反応性イオンシレーティング方法によ
シ陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３を上記
の第１電極２の上に形成する。次に、この膜の上に、真
空蒸着方法によシ絶縁層４を形成し、次に、該絶縁層４
の上に第２電極５の膜を形成しく第１図に示すエレクト
ロクロミック素子の場合）、或いは該絶縁層４の上に、
陰極側発色層であるエレクトロクロミック層６を真空蒸
漸法で形成した上、第２電極５０Ｍを形成する（第２図
に示すエレクトロクロミック素子の場合）。
本発明によれば、従来の工・レフトロクロミック素子と
較べて応答速度、発色効率および寿命を改善することが
できる。
較べて応答速度、発色効率および寿命を改善することが
できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
厚み０．８ｔｍのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９
）の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部を
備えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成し、蒸着材料
にＦｅを用い、反応性イオンブレーティング方法によシ
、上記の第１電極２上に、陽極側発色層である、エレク
トロクロミック層３を形成した。
）の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部を
備えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形成し、蒸着材料
にＦｅを用い、反応性イオンブレーティング方法によシ
、上記の第１電極２上に、陽極側発色層である、エレク
トロクロミック層３を形成した。
条件としては、０２ガスを５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ
壕で導入し、蒸着速度を１．５ Ｘ ／ ｓｅｅとした
。膜厚は１０００Ｘであった。この膜の上に、真空蒸着
方法により、絶縁層４としてＴａ２０５の層を３０００
Ｘ付けた。この時の真空度は２．ＯＸ １０ Ｔｏｒ
ｒｓ蒸着速度ＶｉｌＯＸ／ｓｅｅであった。さらに、こ
れらの膜の上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を
３００Ｘ付けた。
壕で導入し、蒸着速度を１．５ Ｘ ／ ｓｅｅとした
。膜厚は１０００Ｘであった。この膜の上に、真空蒸着
方法により、絶縁層４としてＴａ２０５の層を３０００
Ｘ付けた。この時の真空度は２．ＯＸ １０ Ｔｏｒ
ｒｓ蒸着速度ＶｉｌＯＸ／ｓｅｅであった。さらに、こ
れらの膜の上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を
３００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１及び第２電極間に、２．２ｖの電圧を印加し
騒動したところ、着色濃度がΔＯ１Ｄで０．３に達する
までに９００ ｍ５ｅｃであった。
素子を第１及び第２電極間に、２．２ｖの電圧を印加し
騒動したところ、着色濃度がΔＯ１Ｄで０．３に達する
までに９００ ｍ５ｅｃであった。
実施例
厚み０．８ ｖａｎのガラ、Ｘ （Ｃｏｒｎｉｎｇ ７
０５９ ）の基板１」−に、適当な引き出し電極部及び
リード部を備えだＩＴＯ膜より成る第１を極２を形成し
、蒸着材料にＦｅｉ用い、反応性イオングレーティング
方法によシ、陽極側発色層である、エレクトロクロミッ
ク層３ｆ：形成した。
０５９ ）の基板１」−に、適当な引き出し電極部及び
リード部を備えだＩＴＯ膜より成る第１を極２を形成し
、蒸着材料にＦｅｉ用い、反応性イオングレーティング
方法によシ、陽極側発色層である、エレクトロクロミッ
ク層３ｆ：形成した。
条件としては、０２ガスを３．５ Ｘ Ｉ ＯＴｏｒｒ
まで尋人し、蒸着速度を１．２ Ｘ／ ｓｅｅとしだ。
まで尋人し、蒸着速度を１．２ Ｘ／ ｓｅｅとしだ。
膜厚は１０００Ｘであった。この膜の上に、真空＃着方
法により、絶縁層４としてＴａ２０５０層ｖ３ｏｏｏＸ
伺け、゛すらに、陰極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層６としてＷＯ３の膜１４ｏｏｏｉ付けた。
法により、絶縁層４としてＴａ２０５０層ｖ３ｏｏｏＸ
伺け、゛すらに、陰極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層６としてＷＯ３の膜１４ｏｏｏｉ付けた。
この時の真空度は２． ＯＸ １０−５Ｔｏｒｒ 、蒸
着速度は１０ Ｘ ／ ｓｅｅであった。芒らに、これ
らの膜の上に、第２嵐極５として半透明導電Ａｕ膜を３
００Ｘ付けた。
着速度は１０ Ｘ ／ ｓｅｅであった。芒らに、これ
らの膜の上に、第２嵐極５として半透明導電Ａｕ膜を３
００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１及び第２電極間に、２．２Ｖの′電圧を印刀
口し駆動したところ、着色濃度がΔＯ，Ｄで０．３に達
する゛までに７００ ｍ５ｅｃであった。
素子を第１及び第２電極間に、２．２Ｖの′電圧を印刀
口し駆動したところ、着色濃度がΔＯ，Ｄで０．３に達
する゛までに７００ ｍ５ｅｃであった。
実施例３
厚み０．８ ｔｕｒｎのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０
５９ ）の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリー
ド部を備えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形付し、蒸
着材料にＦｅ２Ｏ３を用い、反応性イオンブレーティン
グ方法によシ、陽極側発色層である、エレクトロクロミ
ック層３を形成した。
５９ ）の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリー
ド部を備えたＩＴＯ膜よ９成る第１電極２を形付し、蒸
着材料にＦｅ２Ｏ３を用い、反応性イオンブレーティン
グ方法によシ、陽極側発色層である、エレクトロクロミ
ック層３を形成した。
条件としては、０２ガスを３． ＯＸ １０−’ Ｔｏ
ｒｒ まで導入し、蒸着速度を２． ＯＸ／ ｓｅｅ
とした０膜厚は１００ＯＸであった。この膜の上に、真
空蒸着方法によシ、絶縁層４としてＴ’ａ２０５のノ燭
を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は２． ＯＸ １
０＝ Ｔｏｒｒ ）蒸着速度は８ Ｘ ／ ｓｅｃであ
った。をらに、これらの膜の上に、第２″Ｇ、極５とし
て半透明導電Ａｕ１ｊを３００Ｘ付けた。
ｒｒ まで導入し、蒸着速度を２． ＯＸ／ ｓｅｅ
とした０膜厚は１００ＯＸであった。この膜の上に、真
空蒸着方法によシ、絶縁層４としてＴ’ａ２０５のノ燭
を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は２． ＯＸ １
０＝ Ｔｏｒｒ ）蒸着速度は８ Ｘ ／ ｓｅｃであ
った。をらに、これらの膜の上に、第２″Ｇ、極５とし
て半透明導電Ａｕ１ｊを３００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１及び第２を極間に、２．２Ｖの電圧を目］
）３１３し駆動したところ、着色張度がΔＯ，Ｄで０３
に達するまでに９５０ ｍ５ｅｃであった。
素子を第１及び第２を極間に、２．２Ｖの電圧を目］
）３１３し駆動したところ、着色張度がΔＯ，Ｄで０３
に達するまでに９５０ ｍ５ｅｃであった。
実施例４
厚、％ ｏ、 ８ ｍｍのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７
．０５９ ）の基板１上ｆ／ＣＸ適当な引き出し電極部
及びり−−ド部を備えたＩＴＯ膜より成る第１電極２全
形成し、蒸着桐材にＦ、２０３を用い、反応性イオン方
法−ティング方法眞より、ｂ極側発色層である、エレク
トロクロミック層３を形成した。
．０５９ ）の基板１上ｆ／ＣＸ適当な引き出し電極部
及びり−−ド部を備えたＩＴＯ膜より成る第１電極２全
形成し、蒸着桐材にＦ、２０３を用い、反応性イオン方
法−ティング方法眞より、ｂ極側発色層である、エレク
トロクロミック層３を形成した。
条件としては、０２ガスを３．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ
まで２！７人し、蒸層速朋全２０Ｘ／ＳｅＣとした。膜
厚は１０００″Ａであった。この膜の上に、真空蒸着方
法により、絶縁層４としてＴａ２０５の層を３０００Ｘ
利け、第１ＥＣ層であるＷＯ３０層全４０００Ｘ付けた
。さらに、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層
６としてｗＯ３の層を４０００Ｘ付けた。
まで２！７人し、蒸層速朋全２０Ｘ／ＳｅＣとした。膜
厚は１０００″Ａであった。この膜の上に、真空蒸着方
法により、絶縁層４としてＴａ２０５の層を３０００Ｘ
利け、第１ＥＣ層であるＷＯ３０層全４０００Ｘ付けた
。さらに、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層
６としてｗＯ３の層を４０００Ｘ付けた。
この時の真空度は２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ、蒸者速
度は１０ Ｘ／’ ｓｅｅであ−った。きらに、これら
の膜の上に、第２ ′１Ｍ、極５として半透明導電Ａｕ
膜全３００ Ｘ４寸 け ブこ 。
度は１０ Ｘ／’ ｓｅｅであ−った。きらに、これら
の膜の上に、第２ ′１Ｍ、極５として半透明導電Ａｕ
膜全３００ Ｘ４寸 け ブこ 。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１及び裁２電極間に、２．２Ｖの電圧を印加し
駆動したところ、着色濃度がΔＯＤで０．３に達するま
でに７００ ｍ５ｅｃであった。
素子を第１及び裁２電極間に、２．２Ｖの電圧を印加し
駆動したところ、着色濃度がΔＯＤで０．３に達するま
でに７００ ｍ５ｅｃであった。
第１図および第２図は、本発明に係る全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの例を示す断面図、第３図は本
発明素子を製造するのに使用されるイオンプレティング
装置を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１ ’ｉｉ：極３
・・・エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層 ５・・・第２箪極６・・・エ
レクトロクロミック層 １０・・・イオンブレーティング装義本体１１・・・拡
散ポンｆ １２・・・電子銃（ＥＢガン）１３・・
・傘（基板ホルダー） １４・・・ＤＣバイアス源 １５・・・高周波コイル（
ＲＦコイル） １６・・・０２カスボン
ベ１７・・・ニードルパルプ １８・・・基＃、（被蒸
着体）第 １ □不浸 Ｊノ 第 ２ ４− ′ 第３ ＆ −二一一
ロクロミック素子の２つの例を示す断面図、第３図は本
発明素子を製造するのに使用されるイオンプレティング
装置を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１ ’ｉｉ：極３
・・・エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層 ５・・・第２箪極６・・・エ
レクトロクロミック層 １０・・・イオンブレーティング装義本体１１・・・拡
散ポンｆ １２・・・電子銃（ＥＢガン）１３・・
・傘（基板ホルダー） １４・・・ＤＣバイアス源 １５・・・高周波コイル（
ＲＦコイル） １６・・・０２カスボン
ベ１７・・・ニードルパルプ １８・・・基＃、（被蒸
着体）第 １ □不浸 Ｊノ 第 ２ ４− ′ 第３ ＆ −二一一
Claims (1)
- 導電体膜よシ成る第１電極と、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層と、誘電体刃裏からなる絶縁層と、
導電体膜よりなる第２電極を順次積層し、或いは上記の
絶縁層と第２電極の間にさらに１＠極側発色層である第
２のエレクトロクロミック層を積層してなる全固体型エ
レクトロクロミック素子において、陽極側発色層である
エレクトロクロミック層は酸化鉄よシなることを特徴と
する全固体型エレクトロクコミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231164A JPS59121318A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231164A JPS59121318A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121318A true JPS59121318A (ja) | 1984-07-13 |
Family
ID=16919308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231164A Pending JPS59121318A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121318A (ja) |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57231164A patent/JPS59121318A/ja active Pending
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