JPS59178433A - 全固体型エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS59178433A JPS59178433A JP58054876A JP5487683A JPS59178433A JP S59178433 A JPS59178433 A JP S59178433A JP 58054876 A JP58054876 A JP 58054876A JP 5487683 A JP5487683 A JP 5487683A JP S59178433 A JPS59178433 A JP S59178433A
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- electrochromic
- electrode
- film
- coloring
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
トロクロミック現象を利用したエレクトロクロミンク素
子に関するものである。
子に関するものである。
このようなエレクトロクロミック現象金利用する電気化
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミック素子は、
例えば、数字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ
、光学シャッタ、絞り機構等に応用できるもので、その
材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本発
明は特に全固体型のエレクトロクロミック素子に関する
ものである。
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミック素子は、
例えば、数字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ
、光学シャッタ、絞り機構等に応用できるもので、その
材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本発
明は特に全固体型のエレクトロクロミック素子に関する
ものである。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの構造例を第１咽および第２図
に示す。
ロクロミック素子の２つの構造例を第１咽および第２図
に示す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よりなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
１の上に、透明導電体膜よりなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、グラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導電膜
にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。両方の電極を透明電極とすれば、素子を透明型さして
使用できる。この様な透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（
酸化インジウムＩ ｎ ２０３中に酸化錫Ｓ ｎ０２を
５％前後含む）や不す膜等が用いられる。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、グラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導電膜
にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。両方の電極を透明電極とすれば、素子を透明型さして
使用できる。この様な透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（
酸化インジウムＩ ｎ ２０３中に酸化錫Ｓ ｎ０２を
５％前後含む）や不す膜等が用いられる。
上記の構造において、陽極側発色層であるエレクトロク
ロミック層３は、従来、三酸化クロム（Ｃｒ２０３）
、水酸化イリジウム（Ｉ ｒ （０Ｈ）２ ）、水酸化
ニッケル（Ｎ １（ＯＨ）２ ）等によって形成されて
いる。
ロミック層３は、従来、三酸化クロム（Ｃｒ２０３）
、水酸化イリジウム（Ｉ ｒ （０Ｈ）２ ）、水酸化
ニッケル（Ｎ １（ＯＨ）２ ）等によって形成されて
いる。
誘電体からなる絶縁層４は、二酸化ジルコン（Ｚ ｒｏ
２ ）、酸化ケイ素（ｓｉｏ）、二酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ２）、五酸化タンタル（ＴＩＬ２０５）等に代表さ
れる酸化物、アルイはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フ
ッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）等に代表されるフッ化物
を用いて形成する。また、陰極側発色層であるエレクト
ロクロミック層６は、二酸化タングステン（ｗｏ２）、
三酸化タングステン（ＷＯ３）、二酸化モリブデン（Ｍ
ｏＯ２）、三酸化モリブデン（ＭＯＯ３） ％五酸化バ
ナジウム（ｖ２０５）等を用いて形成する。
２ ）、酸化ケイ素（ｓｉｏ）、二酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ２）、五酸化タンタル（ＴＩＬ２０５）等に代表さ
れる酸化物、アルイはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フ
ッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）等に代表されるフッ化物
を用いて形成する。また、陰極側発色層であるエレクト
ロクロミック層６は、二酸化タングステン（ｗｏ２）、
三酸化タングステン（ＷＯ３）、二酸化モリブデン（Ｍ
ｏＯ２）、三酸化モリブデン（ＭＯＯ３） ％五酸化バ
ナジウム（ｖ２０５）等を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクシ、ンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ｗｏ３を、用いる場合には、
次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き着色する
。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクシ、ンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ｗｏ３を、用いる場合には、
次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き着色する
。
ｗｏ ＋ ｘＴ（” −４−’ ｘｅ−ＨｘＷｏ ３
（”）３ ← （１）式に従って、タングスデンブロンズＨｘＷｏｓが
形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色
状態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体型エレ
クトロクロミック素子においては、素子内部の絶縁層に
よってグロトンＨ＋−が供給され着色する。
（”）３ ← （１）式に従って、タングスデンブロンズＨｘＷｏｓが
形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色
状態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体型エレ
クトロクロミック素子においては、素子内部の絶縁層に
よってグロトンＨ＋−が供給され着色する。
」＝述のエレクトロクロミック素子においては、従来、
陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３は、水酸
化イリジウム（Ｉ ｒ （ＯＨ）２ ）、水酸化ニッケ
ル（Ｎ １（ＯＨ）２ ）等の材料を反応性スパッタ或
いは陽極酸化脱法によって形成している。
陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３は、水酸
化イリジウム（Ｉ ｒ （ＯＨ）２ ）、水酸化ニッケ
ル（Ｎ １（ＯＨ）２ ）等の材料を反応性スパッタ或
いは陽極酸化脱法によって形成している。
本発明は、このようなエレクトロクロミック素子におい
て、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層を、従
来のものとは異なる全く新しい材料によって構成して、
従来の陰極側発消色のみの・タイプのものに比して優れ
た応答速度および着色６３度の発色を得ることのできる
全固体型エレクトロクロミック素子を提供しようとする
ものである。
て、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層を、従
来のものとは異なる全く新しい材料によって構成して、
従来の陰極側発消色のみの・タイプのものに比して優れ
た応答速度および着色６３度の発色を得ることのできる
全固体型エレクトロクロミック素子を提供しようとする
ものである。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子の特徴
とするところは、第１図に示すように導電体膜より成る
第１電極と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よりなる第
２電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第２図に示すように、上記の絶縁層と第
２電極の間にさらに陰極側発色層である第２のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロクロ
ミック素子において、陽極側発色層であるエレクトロク
ロミンク層を、従来のエレクトロクロミック素子におけ
る前記の物質以外の全く新しい材料である水酸化ランタ
ン（Ｌ ａ （ＯＨ） ３）によって構成したことにあ
る。この水酸化ランタンの膜は、反応性イオングレーテ
ィングによって形成することができ、蒸発材としては金
属ランタン（Ｌａ）あるいはその酸化物（ｔ、ａ；ｏ３
） ”を用い、雰囲気として、Ｈ２０蒸気あるいは０
ガスまたはその両者を導入することによって所望の水酸
化ランタン（Ｌａ （ＯＨ）３）より成るエレクトロク
ロミック層を得ることかできる。０２ガス中においても
、水酸化ランタンの膜ができるのは雰囲気中の残存Ｈ２
ｏによるものと考えられる。
とするところは、第１図に示すように導電体膜より成る
第１電極と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導電体膜よりなる第
２電極を順次積層した全固体型エレクトロクロミック素
子、あるいは、第２図に示すように、上記の絶縁層と第
２電極の間にさらに陰極側発色層である第２のエレクト
ロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロクロ
ミック素子において、陽極側発色層であるエレクトロク
ロミンク層を、従来のエレクトロクロミック素子におけ
る前記の物質以外の全く新しい材料である水酸化ランタ
ン（Ｌ ａ （ＯＨ） ３）によって構成したことにあ
る。この水酸化ランタンの膜は、反応性イオングレーテ
ィングによって形成することができ、蒸発材としては金
属ランタン（Ｌａ）あるいはその酸化物（ｔ、ａ；ｏ３
） ”を用い、雰囲気として、Ｈ２０蒸気あるいは０
ガスまたはその両者を導入することによって所望の水酸
化ランタン（Ｌａ （ＯＨ）３）より成るエレクトロク
ロミック層を得ることかできる。０２ガス中においても
、水酸化ランタンの膜ができるのは雰囲気中の残存Ｈ２
ｏによるものと考えられる。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子を製造
するのに使用される反応性イオンブレーティング装置の
一例を第３図に示す。図中、１１は反応性イオングレー
ティング装置本体、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は
傘（基板ホルダー）、１４はＤＣバイアスを印加するＤ
Ｃバイアス源、１５は高周波コイル（ＲＦコイル）、１
６はＨ２０蒸気を供給するＨ２０蒸気供給源、１７は０
２ガスを供給するガスゼンペ、１８および１９はニード
ルパルプ、２０は基板（被蒸着体）を示す。
するのに使用される反応性イオンブレーティング装置の
一例を第３図に示す。図中、１１は反応性イオングレー
ティング装置本体、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は
傘（基板ホルダー）、１４はＤＣバイアスを印加するＤ
Ｃバイアス源、１５は高周波コイル（ＲＦコイル）、１
６はＨ２０蒸気を供給するＨ２０蒸気供給源、１７は０
２ガスを供給するガスゼンペ、１８および１９はニード
ルパルプ、２０は基板（被蒸着体）を示す。
第３図に示す装置によってエレクトロクロミンク素子を
製造する工程は次の通りである。
製造する工程は次の通りである。
先ず、基板ｌの上に適当な引き出し電極部およびリード
部を備えた第１電極２を形成し、これを第３図の装置内
に２０で示す如く設置し、蒸発材として金属ランタン（
Ｌａ）あるいはその酸化物（Ｌ ａ ２０ ｓ ）を用
い、Ｈ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を装置内に導
入し、或いはＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を導
入するとともに０２ｆスボンベ１７から０２ガスを導入
して反応性イオンブレーティング方法により陽極側発色
層であるエレクトロクロミック層３を上記の第１電極２
上に形成する。次に、この膜の上に、真空蒸着方法によ
り絶縁層４を形成し、次に、該絶縁層４の上に第２電極
５の膜を形成しく第１図に示すエレクトロクロミック素
子の場合）、或いは該絶縁層４の上に、陰極側発色層で
あるエレクトロクロミンク層６を真空蒸着法で形成した
上、第２電極５の膜を形成する（第２図に示すエレクト
ロクロミック素子の場合）。
部を備えた第１電極２を形成し、これを第３図の装置内
に２０で示す如く設置し、蒸発材として金属ランタン（
Ｌａ）あるいはその酸化物（Ｌ ａ ２０ ｓ ）を用
い、Ｈ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を装置内に導
入し、或いはＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を導
入するとともに０２ｆスボンベ１７から０２ガスを導入
して反応性イオンブレーティング方法により陽極側発色
層であるエレクトロクロミック層３を上記の第１電極２
上に形成する。次に、この膜の上に、真空蒸着方法によ
り絶縁層４を形成し、次に、該絶縁層４の上に第２電極
５の膜を形成しく第１図に示すエレクトロクロミック素
子の場合）、或いは該絶縁層４の上に、陰極側発色層で
あるエレクトロクロミンク層６を真空蒸着法で形成した
上、第２電極５の膜を形成する（第２図に示すエレクト
ロクロミック素子の場合）。
本発明によれば、従来の陰極側発消色のみのタイプのエ
レクトロクロミック素子と較べて応答速度、発色効率お
よび寿命を改善することができる。
レクトロクロミック素子と較べて応答速度、発色効率お
よび寿命を改善することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
厚み０．８ｍｍのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９
）の基板１上に、適当な引き出し′電極部及びリード部
を備えだＩＴＯ膜より成る第１電極２を形成し、蒸着材
料に金属ランタンを用い、反応性イオンブレーティング
方法により、上記の第１電極２上に陽極側発色層である
エレクトロクロミック層３を形成した。
）の基板１上に、適当な引き出し′電極部及びリード部
を備えだＩＴＯ膜より成る第１電極２を形成し、蒸着材
料に金属ランタンを用い、反応性イオンブレーティング
方法により、上記の第１電極２上に陽極側発色層である
エレクトロクロミック層３を形成した。
条件としては、■２０蒸気を３．ＯＸ １０−’ Ｔｏ
ｒｒまで導入し、蒸着速度を１． ＯＸ ７ｓｅｃとし
た。膜厚は１２００Ｘであった。このエレクトロクロミ
ック層は水酸化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）ｓ）より成るも
のであった。この膜のトに、真空蒸着方法により、絶縁
体層４としてＴ ａ ７０ ｓの層を３ｏｏｏｉ付けた
。この時の真空度は２．ＯＸ Ｉ Ｆ５Ｔｏｒｒ 、蒸
着速度は８ス／ｓｅｃであった。
ｒｒまで導入し、蒸着速度を１． ＯＸ ７ｓｅｃとし
た。膜厚は１２００Ｘであった。このエレクトロクロミ
ック層は水酸化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）ｓ）より成るも
のであった。この膜のトに、真空蒸着方法により、絶縁
体層４としてＴ ａ ７０ ｓの層を３ｏｏｏｉ付けた
。この時の真空度は２．ＯＸ Ｉ Ｆ５Ｔｏｒｒ 、蒸
着速度は８ス／ｓｅｃであった。
さらに、これらの膜の上に、第２電極５として半透明ノ
棒電Ａｕ膜を３００ｘ付けた。
棒電Ａｕ膜を３００ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１及び第２電極間に、３．Ｏｖを印力１］シ駆
動したところ、着色濃度がΔ０．０で０３に達するまで
に９００ｍ５ｅｃであった。
素子を第１及び第２電極間に、３．Ｏｖを印力１］シ駆
動したところ、着色濃度がΔ０．０で０３に達するまで
に９００ｍ５ｅｃであった。
実７７１ｉＩ′＋１Ｉ２
１、％−ｊみ０８咽のガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５
９ ）の基板１１−に、適当な引き出し電極部及びリー
ド部を４＋ｉ＋ｉえだＩＴＯ膜より成る第１電極２を形
成し、蒸着材料に金１４ランタンを用い、反応性イオン
ブレーティング方法により、」二記の第１電極２上に陽
極側発色１（・である、第１のエレクトロクロミック層
３ケ形成した。条件としては、Ｈ２０蒸気を３．Ｏｘ
１０−４Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度をｌ、ＱＸ／ｓ
ｅｅとした。膜）ツは１２ｏｏ１であった。このエレク
トロクロミック層は水酸化ランタン（Ｌ ａ （ＯＨ）
ｓ ）より成るものであった。この膜の上に、真空蒸着
方法により、絶縁体層４としてＴａ２０５の層を３００
０Ｘ付け、さらに、この膜の上に、陰極側発色層である
第２のエレクトロクロミック層６として、ＷＯ３の層を
４０００に付けた。この時の真空度は２．ＯＸ １０−
５Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は、それぞれ、８Ｘ／Ｓｅｃ、
および１０Ｘ／パであった。さらに、これらの膜の上に
、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた
。
９ ）の基板１１−に、適当な引き出し電極部及びリー
ド部を４＋ｉ＋ｉえだＩＴＯ膜より成る第１電極２を形
成し、蒸着材料に金１４ランタンを用い、反応性イオン
ブレーティング方法により、」二記の第１電極２上に陽
極側発色１（・である、第１のエレクトロクロミック層
３ケ形成した。条件としては、Ｈ２０蒸気を３．Ｏｘ
１０−４Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度をｌ、ＱＸ／ｓ
ｅｅとした。膜）ツは１２ｏｏ１であった。このエレク
トロクロミック層は水酸化ランタン（Ｌ ａ （ＯＨ）
ｓ ）より成るものであった。この膜の上に、真空蒸着
方法により、絶縁体層４としてＴａ２０５の層を３００
０Ｘ付け、さらに、この膜の上に、陰極側発色層である
第２のエレクトロクロミック層６として、ＷＯ３の層を
４０００に付けた。この時の真空度は２．ＯＸ １０−
５Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は、それぞれ、８Ｘ／Ｓｅｃ、
および１０Ｘ／パであった。さらに、これらの膜の上に
、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた
。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１及び第２′電極間に、３゜ｏｖ−４印加し駆
動したところ、着色濃度がΔ００で０．３に達するまで
に５００ｍ５ｅＣであった。
素子を第１及び第２′電極間に、３゜ｏｖ−４印加し駆
動したところ、着色濃度がΔ００で０．３に達するまで
に５００ｍ５ｅＣであった。
実施例３
厚み０．８ｍのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ）
の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたＩＴＯ膜より成る第１電極２を形成し、蒸着材料に
酸化ランタン（ＬＩＬ２０３）を用い、反応性イオンブ
レーティング方法により、陽極側発色層である、エレク
トロクロミックＲ３を形成した。条件としては、０□ガ
スを２．ＯＸ １０−４Ｔｏｒｒ まで導入し、ｌＩ
２０蒸気を５．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで導入し、
蒸着速度を２０λ／Ｓｅｃとした。膜厚は１２００Ｘで
あった。このエレクトロクロミック層３は水酸化ランタ
ン（Ｌ ａ （ＯＨ） ｓ ）より成るものであった。
の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備
えたＩＴＯ膜より成る第１電極２を形成し、蒸着材料に
酸化ランタン（ＬＩＬ２０３）を用い、反応性イオンブ
レーティング方法により、陽極側発色層である、エレク
トロクロミックＲ３を形成した。条件としては、０□ガ
スを２．ＯＸ １０−４Ｔｏｒｒ まで導入し、ｌＩ
２０蒸気を５．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで導入し、
蒸着速度を２０λ／Ｓｅｃとした。膜厚は１２００Ｘで
あった。このエレクトロクロミック層３は水酸化ランタ
ン（Ｌ ａ （ＯＨ） ｓ ）より成るものであった。
この膜の上に、真空蒸着方法により、絶縁体層４として
Ｔａ２ｏ５の層を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は
２゜０ＸＩＯ−５Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８Ｘ／ｓｅｃ
であった。さらに、これらの膜の上に、第２電極５とし
て半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
Ｔａ２ｏ５の層を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は
２゜０ＸＩＯ−５Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８Ｘ／ｓｅｃ
であった。さらに、これらの膜の上に、第２電極５とし
て半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１及び第２電極間に、３．Ｏｖを印加し駆動し
たところ、着色濃度がΔＯ１Ｏで０．３に達するまでに
９５０ｍ５ｅｃであった。
素子を第１及び第２電極間に、３．Ｏｖを印加し駆動し
たところ、着色濃度がΔＯ１Ｏで０．３に達するまでに
９５０ｍ５ｅｃであった。
実施例４
厚み０．８ ｍｍのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９
）の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部
を備えたＩＴＯ膜より成る第１電極２を形成し、蒸着材
料に金属ランタンを用い、反応性イオンブレーティング
方法により、上記の第１電極２上に陽極側発色層である
、第１エレクトロクロミック層３を形成した。条件とし
ては、０□ガスを３．ＯＸ １０−４Ｔｏｒｒまで導入
し、Ｈ２０蒸気を５．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで導
入し、蒸着速度を２．０Ｘ／ｓｓ：、とじた。膜厚は１
０００Ｘであった。このエレクトロクロミック層は水酸
化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）３）より成るものであった。
）の基板１上に、適当な引き出し電極部及びリード部
を備えたＩＴＯ膜より成る第１電極２を形成し、蒸着材
料に金属ランタンを用い、反応性イオンブレーティング
方法により、上記の第１電極２上に陽極側発色層である
、第１エレクトロクロミック層３を形成した。条件とし
ては、０□ガスを３．ＯＸ １０−４Ｔｏｒｒまで導入
し、Ｈ２０蒸気を５．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで導
入し、蒸着速度を２．０Ｘ／ｓｓ：、とじた。膜厚は１
０００Ｘであった。このエレクトロクロミック層は水酸
化ランタン（Ｌａ（ＯＨ）３）より成るものであった。
この膜の上に、真空蒸着方法により、絶縁体層４として
Ｔａ２０５の層を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は
２−ＯＸＩＯ：５Ｔｏｒｒ、蒸着速度は８Ｘ／ｓｅｃで
あった。さらに、これらの膜の上に、第２電極５として
半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
Ｔａ２０５の層を３０００Ｘ付けた。この時の真空度は
２−ＯＸＩＯ：５Ｔｏｒｒ、蒸着速度は８Ｘ／ｓｅｃで
あった。さらに、これらの膜の上に、第２電極５として
半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１及び第２電極間に、３．０Ｖを印加し駆動し
たところ、着色濃度がΔ０．０で０．３に達するまでに
９３０ ｍ５ｅｅであった。
素子を第１及び第２電極間に、３．０Ｖを印加し駆動し
たところ、着色濃度がΔ０．０で０．３に達するまでに
９３０ ｍ５ｅｅであった。
実施例５
厚み０．８ｗｎのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９
）の基板ｌ上に、適当な引き出し電極部及びリード部を
備えたＩＴＯ膜より成る第１電極２を形成し、蒸着材料
に酸化ランタン（’Ｌ ａ２０３ ）を用い、反応性イ
オングレーティング方法により、陽極側発色層である、
第１のエレクトロクロミック層３を形成した。条件とし
ては、Ｈ２ｏ蒸気を５．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで
導入し、蒸着速度を１、Ｑ ′に／ｓｅｅとした。膜厚
は１２００＾であった。このエレクトロクロミック層３
は水酸化ランタン（Ｌａ （ＯＨ）ｓ ）より成るもの
であった。この膜の七に、真空蒸着方法により絶縁体層
４としてＴａ２０５の層を３０００久付け、さらに、第
２のエレクトロクロミンク層６として陰極側発色層であ
るＷＯ５層を４０００１付けた。この時の真空度は２、
ＯＸ １０”−５Ｔｏｒｒ 、 蒸着速度は８Ｘ／Ｓ
ｅｅであった。
）の基板ｌ上に、適当な引き出し電極部及びリード部を
備えたＩＴＯ膜より成る第１電極２を形成し、蒸着材料
に酸化ランタン（’Ｌ ａ２０３ ）を用い、反応性イ
オングレーティング方法により、陽極側発色層である、
第１のエレクトロクロミック層３を形成した。条件とし
ては、Ｈ２ｏ蒸気を５．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで
導入し、蒸着速度を１、Ｑ ′に／ｓｅｅとした。膜厚
は１２００＾であった。このエレクトロクロミック層３
は水酸化ランタン（Ｌａ （ＯＨ）ｓ ）より成るもの
であった。この膜の七に、真空蒸着方法により絶縁体層
４としてＴａ２０５の層を３０００久付け、さらに、第
２のエレクトロクロミンク層６として陰極側発色層であ
るＷＯ５層を４０００１付けた。この時の真空度は２、
ＯＸ １０”−５Ｔｏｒｒ 、 蒸着速度は８Ｘ／Ｓ
ｅｅであった。
さらに、これらの膜の上に、第２電極５として半透明導
電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミンク
素子を第１及び第２電極間に、３０ｖを印加し駆動した
ところ、着色濃度がΔ０，０で０．３に達するまでに５
３Ｑｍｓｅｃであった。
素子を第１及び第２電極間に、３０ｖを印加し駆動した
ところ、着色濃度がΔ０，０で０．３に達するまでに５
３Ｑｍｓｅｃであった。
第１図および第２図は、本発明に係る全固体型エレクト
ロクロミンク素子の２つの例を示す断面図、第３図は本
発明素子を製造するに使用される反応性イオンシレーテ
ィング装置を示す概略図である。 １・・・基板、 ２・・・第１電極、３・・・
エレクトロクロミック層、 ４・・・絶縁層、 ５・・・第２電極、６・・
・エレクトロクロミック層、 １１・・・反応性イオングレーティング装置の本体、１
２・・・電子銃（ＥＢガン）、 １３・・・傘（基板ホルダー）、 １４・・・ＤＣバイアス源、 １５・・・高周波コイル（ＲＦコイル）、１６・・・Ｈ
２０蒸気供給源、１７・・・０２ガスぎンペ、１８．１
９・・・ニードルバルブ、 ２０・・・基板（被蒸着体）。 イ１′ラ １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
ロクロミンク素子の２つの例を示す断面図、第３図は本
発明素子を製造するに使用される反応性イオンシレーテ
ィング装置を示す概略図である。 １・・・基板、 ２・・・第１電極、３・・・
エレクトロクロミック層、 ４・・・絶縁層、 ５・・・第２電極、６・・
・エレクトロクロミック層、 １１・・・反応性イオングレーティング装置の本体、１
２・・・電子銃（ＥＢガン）、 １３・・・傘（基板ホルダー）、 １４・・・ＤＣバイアス源、 １５・・・高周波コイル（ＲＦコイル）、１６・・・Ｈ
２０蒸気供給源、１７・・・０２ガスぎンペ、１８．１
９・・・ニードルバルブ、 ２０・・・基板（被蒸着体）。 イ１′ラ １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 導電体膜より成る第１電１侃と、陽極側発色層であるエ
レクトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁ノ脅と
、導電体膜よりなる第２電極を順次積層し、或いは上記
の絶縁層と第２電極の間にさらに陰極側発色層である第
２のエレクトロクロミック層を積層してなる全固体型エ
レクトロクロミック素子において、陽極側発色層である
エレクトロクロミンク層は水酸化ランタンよりなること
を特徴とする全固体型エレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58054876A JPS59178433A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58054876A JPS59178433A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178433A true JPS59178433A (ja) | 1984-10-09 |
Family
ID=12982786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58054876A Pending JPS59178433A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110764331A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-02-07 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种超快响应、防过充电致变色器件及其制备方法 |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP58054876A patent/JPS59178433A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110764331A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-02-07 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种超快响应、防过充电致变色器件及其制备方法 |
| CN110764331B (zh) * | 2019-10-16 | 2021-02-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种超快响应、防过充电致变色器件及其制备方法 |
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