JPS59105618A - 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS59105618A JPS59105618A JP57215958A JP21595882A JPS59105618A JP S59105618 A JPS59105618 A JP S59105618A JP 57215958 A JP57215958 A JP 57215958A JP 21595882 A JP21595882 A JP 21595882A JP S59105618 A JPS59105618 A JP S59105618A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子の製造
方法に関するものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子の製造
方法に関するものである。
エレクトロクロミック現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応によ多物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば数字
表示素子、ｘ−ｙマトリックスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
還元反応によ多物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば数字
表示素子、ｘ−ｙマトリックスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は透明な基板１
の上に、透明導電体膜よシなる第１の電極２と、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３と、誘電体膜よ
シなる絶縁層４と、導電体膜よシなる第２の電極５とを
順次に積層することによって構成されたものである。
の上に、透明導電体膜よシなる第１の電極２と、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３と、誘電体膜よ
シなる絶縁層４と、導電体膜よシなる第２の電極５とを
順次に積層することによって構成されたものである。
１ ＊ 、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、
第１図に示すエレクトロクロミック層３の外に、さらに
、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層６を設け
たもので、透明が基板１の上に、透明導電体膜よシなる
第１の電極２と、陽極側発色層である第１エレクトロク
ロミック層３と、誘電体膜よりなる絶縁層４と、陰極側
発色層である第２エレクトロクロミック層６と、導電体
１１％よりなる第２の電極５とを順次に積層することに
よって構成される。
第１図に示すエレクトロクロミック層３の外に、さらに
、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層６を設け
たもので、透明が基板１の上に、透明導電体膜よシなる
第１の電極２と、陽極側発色層である第１エレクトロク
ロミック層３と、誘電体膜よりなる絶縁層４と、陰極側
発色層である第２エレクトロクロミック層６と、導電体
１１％よりなる第２の電極５とを順次に積層することに
よって構成される。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板々らばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上に設けてもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合には、第２電極５を透明導電膜とし
たり、両方の電極とも透明導電膜にする必要がある。第
２電極も透明電極とすれば、素子を透明型として使用で
きる。このような透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸化
インジウムＩｎ２Ｏ５中に酸化錫５ｎ０２を５％程度含
むもの）やネサ膜等が使用きれる。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板々らばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上に設けてもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合には、第２電極５を透明導電膜とし
たり、両方の電極とも透明導電膜にする必要がある。第
２電極も透明電極とすれば、素子を透明型として使用で
きる。このような透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸化
インジウムＩｎ２Ｏ５中に酸化錫５ｎ０２を５％程度含
むもの）やネサ膜等が使用きれる。
陽極側発色層である第１のエレクトロクロミック層３は
、三酸化クロム（Ｃｒ２０３） Ｎ水酸化イリジウム（
Ｉｒ（ＯＨ）２） 、水酸化ニッケル（Ｎｔ（ｏＨ）ｚ
）等を用いて形成する。誘電体膜である絶縁層４には、
二酸化ゾルコン（Ｚｒ０２ ） 、酸化ケイ素（ＳｔＯ
）、二酸化ケイ素（ＳｔＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ
２０ｓ）等に代表される酸化物、あるいはソツ化リチウ
ム（ｂｔＦ、） Ｎフッ化マグネシウム（ＭｇＦｚ）等
に代表されるフッ化物が用いられる。また、陰極側発色
層であるエレクトロクロミック層６は、二酸化タングス
テン（ＷＯ２）、三酸化タングステン（ＷＯ５）、二酸
化モリブデン（ＭｏＯ２） 、三酸化モリブデン（Ｍｏ
Ｏ５）、五酸化・ぐナゾウム（Ｖ２Ｏ３）等を用いて形
成する。
、三酸化クロム（Ｃｒ２０３） Ｎ水酸化イリジウム（
Ｉｒ（ＯＨ）２） 、水酸化ニッケル（Ｎｔ（ｏＨ）ｚ
）等を用いて形成する。誘電体膜である絶縁層４には、
二酸化ゾルコン（Ｚｒ０２ ） 、酸化ケイ素（ＳｔＯ
）、二酸化ケイ素（ＳｔＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ
２０ｓ）等に代表される酸化物、あるいはソツ化リチウ
ム（ｂｔＦ、） Ｎフッ化マグネシウム（ＭｇＦｚ）等
に代表されるフッ化物が用いられる。また、陰極側発色
層であるエレクトロクロミック層６は、二酸化タングス
テン（ＷＯ２）、三酸化タングステン（ＷＯ５）、二酸
化モリブデン（ＭｏＯ２） 、三酸化モリブデン（Ｍｏ
Ｏ５）、五酸化・ぐナゾウム（Ｖ２Ｏ３）等を用いて形
成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシ奄気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えは、そのエレ
クトロクロミック物質として、ｗｏ５を用いる場合には
、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色す
る。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシ奄気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えは、そのエレ
クトロクロミック物質として、ｗｏ５を用いる場合には
、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色す
る。
ＷＯ３＋ＸＨ＋ｘｅ−ｄ ＨｘＷＯ５（１）（１ン式に
従って、タングステンブロンズＨＸＷＯ３１）：形成さ
れ発色するが、ここで印加・電圧を逆転すれば消色状態
となる。
従って、タングステンブロンズＨＸＷＯ３１）：形成さ
れ発色するが、ここで印加・電圧を逆転すれば消色状態
となる。
本発明は、上述のように導電体膜よりなる第１の電極２
と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３と、
誘電体ｊ漢よシなる絶縁層４と、導電体膜よりなる第２
の電極５とを順次に積層し７； （第１図）、或いは導電体膜よシなる第１の電極２と、
陽極１１１１１発光層である第１のエレクトロクロミッ
ク層３と、誘電体膜よりなる絶縁層４と、陰極側発光層
である第２のエレクトロクロミック層６と、導電体膜よ
シなる第２の電極５とを順次に積層してなる全固体型エ
レクトロクロミック素子を製造する際における、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３を形成する際に
、蒸発材にＮｉＯ、Ｎ１２０５等のニッケル酸化物を用
いた時の製造方法に関するものであシ、さらに詳しくは
その蒸着方法及びその条件に関するものである。
と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３と、
誘電体ｊ漢よシなる絶縁層４と、導電体膜よりなる第２
の電極５とを順次に積層し７； （第１図）、或いは導電体膜よシなる第１の電極２と、
陽極１１１１１発光層である第１のエレクトロクロミッ
ク層３と、誘電体膜よりなる絶縁層４と、陰極側発光層
である第２のエレクトロクロミック層６と、導電体膜よ
シなる第２の電極５とを順次に積層してなる全固体型エ
レクトロクロミック素子を製造する際における、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３を形成する際に
、蒸発材にＮｉＯ、Ｎ１２０５等のニッケル酸化物を用
いた時の製造方法に関するものであシ、さらに詳しくは
その蒸着方法及びその条件に関するものである。
従来、上述のようなエレクトロクロミック素子を製造す
る際には、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３は、ＩｒやＮｌするいはこれらの酸化物をターダット
にした反応性ス・フッタや陽極酸化膜方法で形成される
ことが報告されている。
る際には、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３は、ＩｒやＮｌするいはこれらの酸化物をターダット
にした反応性ス・フッタや陽極酸化膜方法で形成される
ことが報告されている。
本発明は、上記の様な方法を用いず、別な方法でよシ性
能の良い膜を形成することを図ったもので、即ち、装置
として反応性イオングレーティング装置を用い、蒸着材
料にＮｉＯ、Ｎ１ｚＯｓ等のニッケル酸化物を用いて、
雰囲気をｏ２ｆスで満たすこトニよシ、所望のエレクト
ロクロミック物質の膜を形成することを特徴とするもの
である。
能の良い膜を形成することを図ったもので、即ち、装置
として反応性イオングレーティング装置を用い、蒸着材
料にＮｉＯ、Ｎ１ｚＯｓ等のニッケル酸化物を用いて、
雰囲気をｏ２ｆスで満たすこトニよシ、所望のエレクト
ロクロミック物質の膜を形成することを特徴とするもの
である。
本発明による方法を実施するのに使用されるイオンブレ
ーティング装置の一例を第３図に示す。
ーティング装置の一例を第３図に示す。
図中、ｌＯは反応性イオンブレーティング装置の本体、
１１は拡散ポンプ、１２は電子銃（ＦＢガン）、１３は
傘、１４はＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス源、１
５は高周波コイル（ＲＦコイル）、１６は０２ガスを供
給する０２ガスボンベ、１７はニードルバルブを示す。
１１は拡散ポンプ、１２は電子銃（ＦＢガン）、１３は
傘、１４はＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス源、１
５は高周波コイル（ＲＦコイル）、１６は０２ガスを供
給する０２ガスボンベ、１７はニードルバルブを示す。
この装置を用いて蒸着する際、０２ガスを導入した後の
真空度は２゜０〜５．０×１０Ｔｏｒｒ、蒸着速度は０
．６〜２．０ Ｘ／’ｓｅｅとするのがよい。
真空度は２゜０〜５．０×１０Ｔｏｒｒ、蒸着速度は０
．６〜２．０ Ｘ／’ｓｅｅとするのがよい。
次に、全面体裁エレクトロクロミック素子を製造する本
発明方法の実施例について説明する。
発明方法の実施例について説明する。
実施例１
厚さ０．８ ｍ＋ｎのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５
９ ）の板よシなる基板１の上に、適当な引き出し電極
部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を形成
し、これを第３図に示す反応性イオンブレーティング装
置ｌＯ内に１８で示す如く設置し、蒸着材料にＮ＋ｏヲ
用い、イオンブレーティング方法によす第１電極２の上
に、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３の約
１５００１厚さの膜を形成した。
９ ）の板よシなる基板１の上に、適当な引き出し電極
部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を形成
し、これを第３図に示す反応性イオンブレーティング装
置ｌＯ内に１８で示す如く設置し、蒸着材料にＮ＋ｏヲ
用い、イオンブレーティング方法によす第１電極２の上
に、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３の約
１５００１厚さの膜を形成した。
イオンブレーティング装置の使用の条件は次の通りであ
った。
った。
ＥＢガン１２ ６〜９ｋｖＲＦコイル（
５巻）１５ １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
０．２〜１．（ｌ ｋｖ蒸着条件は次の通
シであった。イオンブレーティング装置内を真空とし、
０２ガスデンペ１６から０２ガスを５．ＯＸ １０””
４Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を１、ＯＬ／ｓｅｃ
とした。これによシ、約１５００１厚の゛エレクトロ
クロミック層３が形成された５、この膜は陽極！！１１
１抛色層として作用するもので、その組成については、
Ｈ２Ｏが真空中に不純物として残存しているために、０
２の存在下においても水酸化ニッケル（Ｎｔ（ｏＨ）ｚ
）を形成するものと考えられる。
５巻）１５ １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
０．２〜１．（ｌ ｋｖ蒸着条件は次の通
シであった。イオンブレーティング装置内を真空とし、
０２ガスデンペ１６から０２ガスを５．ＯＸ １０””
４Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を１、ＯＬ／ｓｅｃ
とした。これによシ、約１５００１厚の゛エレクトロ
クロミック層３が形成された５、この膜は陽極！！１１
１抛色層として作用するもので、その組成については、
Ｈ２Ｏが真空中に不純物として残存しているために、０
２の存在下においても水酸化ニッケル（Ｎｔ（ｏＨ）ｚ
）を形成するものと考えられる。
さらに、上記のエレクトロクロミック層３の膜の上に、
真空蒸着方法によシ、絶縁層４として’ｒａ２０５の層
を３０００１．陰極側エレクトロクロミック層６として
ｗｏ３層を３０００１付けた。蒸着条件は真空度２．０
Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ ％蒸着速度１０Ｘ／ｓｅｅ
であった。これらの膜上に、第２電極５として半透明導
電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
真空蒸着方法によシ、絶縁層４として’ｒａ２０５の層
を３０００１．陰極側エレクトロクロミック層６として
ｗｏ３層を３０００１付けた。蒸着条件は真空度２．０
Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ ％蒸着速度１０Ｘ／ｓｅｅ
であった。これらの膜上に、第２電極５として半透明導
電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
この様にして製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を、第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧を印
加して、駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．４
に達するまでに８００ ｍ５ｅｃであった。
子を、第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧を印
加して、駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．４
に達するまでに８００ ｍ５ｅｃであった。
実施例２
実施例１と同様に厚さ０．８鴫のガラス（Ｃｏｒｎｌｎ
ｇ７０５９） の板よりなる基板１の上に、適当な引
き出し電極部およびリード部を備えたＩＴＯＩ漠の第１
電極２を形成し、これを第３図に示す反応性イオンシレ
ーティング装置１０内に１８で示す如く設置し、蒸着材
料にＮｉＯを用い、イオンル−ティング方法によシミ極
２の上に、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３の約１５００１厚さの膜を形成した。イオンブレーテ
ィング装置の使用の条件は実施例１と同様であった。蒸
着条件は次ノ通シであった。イオンシレーティング装置
内を真空とし、０２ガス？ンペ１６から０２ガスを５、
ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ まで導入し、蒸着速度を
１．０Ｘ／’ＩＩ ｅ ｃとした。これによシ、約１５
００Ｘ厚のエレクトロクロミック層３が形成された。
ｇ７０５９） の板よりなる基板１の上に、適当な引
き出し電極部およびリード部を備えたＩＴＯＩ漠の第１
電極２を形成し、これを第３図に示す反応性イオンシレ
ーティング装置１０内に１８で示す如く設置し、蒸着材
料にＮｉＯを用い、イオンル−ティング方法によシミ極
２の上に、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３の約１５００１厚さの膜を形成した。イオンブレーテ
ィング装置の使用の条件は実施例１と同様であった。蒸
着条件は次ノ通シであった。イオンシレーティング装置
内を真空とし、０２ガス？ンペ１６から０２ガスを５、
ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ まで導入し、蒸着速度を
１．０Ｘ／’ＩＩ ｅ ｃとした。これによシ、約１５
００Ｘ厚のエレクトロクロミック層３が形成された。
さらに、上記のエレクトロクロミック層３の膜の上に、
真空蒸着方法によシ、絶縁層４としてＴａ２０５の層を
３０００Ｘ付け、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を
３００Ｘ付けた。
真空蒸着方法によシ、絶縁層４としてＴａ２０５の層を
３０００Ｘ付け、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を
３００Ｘ付けた。
この様にして製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を第１電極と第２電極の間に、２．Ｏｖの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．３に達
するまでに７００ ｍ５ｅｃであった。
子を第１電極と第２電極の間に、２．Ｏｖの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．３に達
するまでに７００ ｍ５ｅｃであった。
実施例３
実施例１と同様に、厚さ０．８膿のガラス（Ｃｏｒｎｉ
ｎｇ ７０５９ ）の板よシなる基板ｌの上に、適当な
引き出し電極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１
電極２を形成し、これを第３図に示す反応性イオンブレ
ーティング装置１０内に１８で示す如く設置し、蒸着材
料にＮｉ ２０３を用い、イオンブレーティング方法に
よシ第１電極２の上に、陽極側発色層であるエレクトロ
クロミック層３の約１３００Ｘ厚さの膜を形成した。イ
オングレーティング装置の使用の条件は実施例１と同様
であった。
ｎｇ ７０５９ ）の板よシなる基板ｌの上に、適当な
引き出し電極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１
電極２を形成し、これを第３図に示す反応性イオンブレ
ーティング装置１０内に１８で示す如く設置し、蒸着材
料にＮｉ ２０３を用い、イオンブレーティング方法に
よシ第１電極２の上に、陽極側発色層であるエレクトロ
クロミック層３の約１３００Ｘ厚さの膜を形成した。イ
オングレーティング装置の使用の条件は実施例１と同様
であった。
蒸着条件は次の通りであった。イオンブレーティング装
置内を真空とし、０２ガスボン（１６から０２ガスを５
．ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を１、
ＯＫ／１１＋１１１！とじた。これにより約１３００
１厚のエレクトロクロミック層３が形成された。
置内を真空とし、０２ガスボン（１６から０２ガスを５
．ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を１、
ＯＫ／１１＋１１１！とじた。これにより約１３００
１厚のエレクトロクロミック層３が形成された。
さらに、上記のエレクトロクロミック層３の膜の上に、
真空蒸着方法によシ、絶縁層４としてＴａ ２０５の層
を３０００Ｘ、＄極側エレクトロクロミック層６として
ｗｏ３層を３０００．Ｊ＋１けた。蒸着条件は真空度２
．ＯＸ １０−”Ｔｏｒｒ 、蒸着速度１０Ｖｓｅｑで
あった。これらの膜上に、第２電極５として半透明導電
Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
真空蒸着方法によシ、絶縁層４としてＴａ ２０５の層
を３０００Ｘ、＄極側エレクトロクロミック層６として
ｗｏ３層を３０００．Ｊ＋１けた。蒸着条件は真空度２
．ＯＸ １０−”Ｔｏｒｒ 、蒸着速度１０Ｖｓｅｑで
あった。これらの膜上に、第２電極５として半透明導電
Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
この様にして製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を、第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧全印
加して１駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．３
に達するまでに７５０ ｍ５ｅｃであった。
子を、第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧全印
加して１駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．３
に達するまでに７５０ ｍ５ｅｃであった。
第１図および第２図は、本発明方法により製造される全
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法に使用されるイオンブレティン
グ装置を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極３・・・
エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層 ５・・・第２電極６・・・
エレクトロクロミック層 １０・・・イオンプレティング装置本体１１・・・拡散
ポンプ １２・・・電子銃（ＥＢガン）１３・・・
傘 １４・・・ＤＣバイアス源１５・・・
、％周波コイル（ＲＦコイル）１６・・・０２７！スビ
ンペ １７・・・ニードルバルブ岸 １） 正 框
％」 新 部 興 叡ニ１ 第１ ３ノ 第２ ３ノ −゛ 第３１
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法に使用されるイオンブレティン
グ装置を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極３・・・
エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層 ５・・・第２電極６・・・
エレクトロクロミック層 １０・・・イオンプレティング装置本体１１・・・拡散
ポンプ １２・・・電子銃（ＥＢガン）１３・・・
傘 １４・・・ＤＣバイアス源１５・・・
、％周波コイル（ＲＦコイル）１６・・・０２７！スビ
ンペ １７・・・ニードルバルブ岸 １） 正 框
％」 新 部 興 叡ニ１ 第１ ３ノ 第２ ３ノ −゛ 第３１
Claims (1)
- 導電体膜よシなる第１の電極と、陽極側発色層であるエ
レクトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、
導電体膜からなる第２の電極とを順次に積層し、或いは
上記の絶縁層と第２の電極との間に、さらに陰極側発色
層であるエレクトロクロミック層を積層してなる全固体
型エレクトロクロミック素子を製造する方法において、
上記の陽極側発色層である÷レフトロクロミック層を積
層するに心たシ、蒸着材としてＮｉＯ、Ｎ１ｚＯｓ等の
ニッケル酸化物、導入ガスとしてｏ２ 、ガスを用いて
、イオンシレーティング装置にょシエレクトロクロミッ
ク層を形成することを特徴とする全固体型エレクトロク
ロミック素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215958A JPS59105618A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215958A JPS59105618A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105618A true JPS59105618A (ja) | 1984-06-19 |
Family
ID=16681056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57215958A Pending JPS59105618A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4880475A (en) * | 1985-12-27 | 1989-11-14 | Quantex Corporation | Method for making stable optically transmissive conductors, including electrodes for electroluminescent devices |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP57215958A patent/JPS59105618A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4880475A (en) * | 1985-12-27 | 1989-11-14 | Quantex Corporation | Method for making stable optically transmissive conductors, including electrodes for electroluminescent devices |
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