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JPS5856325A - プラズマｃｖｄ膜形成方法 - Google Patents

プラズマｃｖｄ膜形成方法

Info

Publication number
JPS5856325A
JPS5856325A JP15464081A JP15464081A JPS5856325A JP S5856325 A JPS5856325 A JP S5856325A JP 15464081 A JP15464081 A JP 15464081A JP 15464081 A JP15464081 A JP 15464081A JP S5856325 A JPS5856325 A JP S5856325A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
plasma cvd
gas
etching gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15464081A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimi Shiotani
喜美 塩谷
Toshio Kurahashi
倉橋　敏男
Ryoji Abe
良司 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP15464081A priority Critical patent/JPS5856325A/ja
Publication of JPS5856325A publication Critical patent/JPS5856325A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明に、半導体基也懺−に設けられたＶ溝などｔ−埋
め込むための酸化物形成方汝に関する。
従来、牛導体基＆弐面にエツチング法などによりｖ纒力
旬Ｉ工され、そのＶ纒に酸化物髪形成し、１０素子関を
杷−する酸化膜分Ｍ法が用いられているが、その酸化膜
の形成にはＯＶＤ法、または域化智を形成するための反
応ガスのみｔ被膜形成憲に導入したプラズマＯＶＤ決が
用ｉ、られて９る〇この従来法で形成した酸化膜は、、
基板向に対してほぼ一様に収量するため、ＶＳＳでは空
洞が出来るなとして−ＩＩな酸化膜を形成しない欠点が
あり１Ｆ−０ 本発明に上記従来の欠点ＩＩ−除去し、ｖ＃Ｉ内に一様
な酸化膜を形成する方法を提供することｔ目的とする。
そしてその目的は表面ｔ−鉾などの凹凸状に加工し几基
板上に、／’／ＦズマＯＶＤにより酸化被膜を形成する
際、反応ガスとエツチングガスと鵞混曾した雰囲気で被
膜を形成すること七特徴とするプラズマＯＶＤ膜形成方
法ｋｍ供することによって達成される。
以下本＠明による一爽施？ＩＩｔ−図面に１９詳説する
。第１図は従来のグツズ！ｏｖＤ法により形成し九−化
膜の形状を示す一例のＶ＃肉図である。
Ｓｌ　ｊｋ仮仮止上４ｃｖ溝２が加工してあり、その上
にＰＢＧｊ［３が８１Ｈ番、　ＰＨ，、Ｎ、０の反応ガ
スを用いて形成場れてμる。Ｖ溝２部でにＰＥＧ膜３中
に空ｆ１４４が発生することｔ示してφる′０第２図は
本発明による１ラズマＯＶＤ法を用い友−５ｉｌ！施例
を示す酸化膜を形成しｔｅｊｌｉ＆断面図でめるＯＶ縛
′２ｔ−ｍする８１基板１上にＰａ（）膜３が形成され
ている。
ｖｓｇ部上部のＰ８Ｇ膜５は一様に酸化膜が成長し、３
１１図に見られた表向の微少な凹凸や内部に空洞が発生
しないことｔ示している。
本実施例でのＰＳＧ膜生成条件は反応ガスとしてｋｒガ
スに対して１％＋２）　８１Ｈ，、（ｌ　１％ＯＰＨ，
。
５０〜１００％のＮ、Ｏとエツチングガスとして０１〜
１％のＯＦ４ｔたはＯ，Ｈ・　を混合ガス表して全圧力
はＬＯＴｏｒｒ、　　プラズマ出力１ｊ５０−、．４０
０ＫＨ２で４０ｗ％着＆温度は３５０〜４５０℃であっ
た。
プラズマ出力に対する膜成長速［は若干低下するがｙｅ
ｓでの編成長は均質で滑らかな表面を形成する。
本発明にプラズマ中に成長ガスの他にエツチングガスを
含むため、■＃部で成長する膜は謁１図に示したような
先が細ｉ部分６ｔ−形成することがない。言−換えれば
エネルギ的に不安定な尖った部分はエツチングガスによ
り容易にエツチングされ成長膜は一様な成長を行９こと
になる。
本発明によればＶ溝のような深ｖｈ錦がある基板上に均
質で一様なＨ＊影形成ることができるため。
絶縁性のよい酸化膜を製造することがで龜傷幀性の高Ｖ
ｈｊ１ｇ子【提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラズマ０ＶＤＫエク形成した膜の形状
を説明する基板断面図であり７．８２図は本発明による
プラズマＯＶＤ法により形成した膜形状ｔ−説明する基
板断面図である。 図において、ｌ　ｉ；（Ｓ　ｉ基板、２はＶ％、３（Ｊ
。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 表面【溝などの凹凸状′に加工し九基板上に、プ２ズｗ
    ｏｖｎによｐｍ化被膜を形成する際、反応ガスとエツチ
    ングガスとを混合し九雰囲気で一＊＊を形成することｔ
    −％徴とするプラズマＯＶＤ展形成方法。
JP15464081A 1981-09-29 1981-09-29 プラズマｃｖｄ膜形成方法 Pending JPS5856325A (ja)

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JP15464081A JPS5856325A (ja) 1981-09-29 1981-09-29 プラズマｃｖｄ膜形成方法

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JP15464081A JPS5856325A (ja) 1981-09-29 1981-09-29 プラズマｃｖｄ膜形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5856325A true JPS5856325A (ja) 1983-04-04

Family

ID=15588627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15464081A Pending JPS5856325A (ja) 1981-09-29 1981-09-29 プラズマｃｖｄ膜形成方法

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JP (1) JPS5856325A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61182219A (ja) * 1985-02-08 1986-08-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜成長方法
EP0209109A2 (en) * 1985-07-15 1987-01-21 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for forming film by utilizing low-temperature plasma
JPS6362238A (ja) * 1986-09-02 1988-03-18 Toshiba Corp 薄膜堆積方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5513905A (en) * 1978-07-17 1980-01-31 Hitachi Ltd Manufacturing method of minute multi-layer wiring
JPS5536980A (en) * 1978-09-07 1980-03-14 Matsushita Electronics Corp Production of film by plasma reaction

Patent Citations (2)

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