JPS62273738A - パツシベ−シヨン膜の形成方法 - Google Patents
パツシベ−シヨン膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS62273738A JPS62273738A JP11607186A JP11607186A JPS62273738A JP S62273738 A JPS62273738 A JP S62273738A JP 11607186 A JP11607186 A JP 11607186A JP 11607186 A JP11607186 A JP 11607186A JP S62273738 A JPS62273738 A JP S62273738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- gas
- film
- temperature
- formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283080 Proboscidea <mammal> Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は、ボロン、リン、シリコンの三元素のガラス
で７５０℃以下の温度で流動化し、かつ低応力のＬＳＩ
用パッシベーシッン膜の形成方法に関するものである。
で７５０℃以下の温度で流動化し、かつ低応力のＬＳＩ
用パッシベーシッン膜の形成方法に関するものである。
（従来の技術）
従来のＰＳＧ（りん酸シリカ系ガラス）はその流動点が
１０５０℃位であ）、チップの保映特性はすぐれている
が低温流動化が出来ないという欠点があった。更にＰ２
Ｏは熱膨張係数（α＝ｌＯ〜１５ＸＩＯ−’／’Ｃ）が
小さく、Ａ！配線の上につけたガラスとＡｌ（α−２０
０Ｘ１０−７／”Ｃ）との熱膨張係数が整合しないため
、ガラス内に強い引張応力が働いてガラスのクラックが
発生するという問題があった。
１０５０℃位であ）、チップの保映特性はすぐれている
が低温流動化が出来ないという欠点があった。更にＰ２
Ｏは熱膨張係数（α＝ｌＯ〜１５ＸＩＯ−’／’Ｃ）が
小さく、Ａ！配線の上につけたガラスとＡｌ（α−２０
０Ｘ１０−７／”Ｃ）との熱膨張係数が整合しないため
、ガラス内に強い引張応力が働いてガラスのクラックが
発生するという問題があった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は以上のような欠点を解決するためになされたも
のであり、その目的とするところはその流動点が７００
℃前後でありかつ従来のＰＥＧよりも数倍熱膨張係数が
大きく、クラックの発生を著るしく抑制する方法を提供
するものである。
のであり、その目的とするところはその流動点が７００
℃前後でありかつ従来のＰＥＧよりも数倍熱膨張係数が
大きく、クラックの発生を著るしく抑制する方法を提供
するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明では、パッシベーション膜を形成するために、少
なくとも８ ｉＨ，、Ｂ、Ｈ６，ＰＨ，の三種のガスを
必要としかつキャリヤーガスとしてそれらの他にＮ、Ｏ
ガスを導入する。
なくとも８ ｉＨ，、Ｂ、Ｈ６，ＰＨ，の三種のガスを
必要としかつキャリヤーガスとしてそれらの他にＮ、Ｏ
ガスを導入する。
しかも、ガスの構成比率を１≦ＰＨ，／Ｂ、Ｈ，≦４゜
３≦８ ｉＨ，７Ｂ、Ｈ，≦１０の範囲内に規定する。
３≦８ ｉＨ，７Ｂ、Ｈ，≦１０の範囲内に規定する。
ここで数値限定した理由としては、 ＰＨｓ ／Ｂ１Ｈ
ａが１以下となると被膜の均質度が落ちるためであり、
この比が４をこえると、膜の分極率が大きくなってパッ
シベーションとして不適当なＣ−■特性を示すためであ
る。また８ ｊ Ｈ，／Ｂ、Ｈ，が３以下では膜の均Ｆ
Ｒ度が落ち％ １０以上となると８１が多すぎて流動化
温度が１０００℃以上となって、ＬＳＩの製造プロセス
には適さないからである。又膜形成後のアニールは配線
材料との接着性をよくするためであり、軟化点以上の温
度ではガラス中のＮ。
ａが１以下となると被膜の均質度が落ちるためであり、
この比が４をこえると、膜の分極率が大きくなってパッ
シベーションとして不適当なＣ−■特性を示すためであ
る。また８ ｊ Ｈ，／Ｂ、Ｈ，が３以下では膜の均Ｆ
Ｒ度が落ち％ １０以上となると８１が多すぎて流動化
温度が１０００℃以上となって、ＬＳＩの製造プロセス
には適さないからである。又膜形成後のアニールは配線
材料との接着性をよくするためであり、軟化点以上の温
度ではガラス中のＮ。
が離脱するからである。
（作用）
以上述べ九ようなガラス形成を行うと、ＬＳＩの保護膜
として使用しつる稈度の均質な膜が得られ、膜内のクラ
ックも見られなくなる。
として使用しつる稈度の均質な膜が得られ、膜内のクラ
ックも見られなくなる。
これはガラス内に発生する応力がＰＥＧよシも少く、ガ
ラス構造内にとり込まれたＮ、が歪を吸収するものと考
えられる。Ｎ２の作用は学問的には説明が困難であるが
、網目形成イオンとの化学結合の弱さに゛よるものと推
定される。
ラス構造内にとり込まれたＮ、が歪を吸収するものと考
えられる。Ｎ２の作用は学問的には説明が困難であるが
、網目形成イオンとの化学結合の弱さに゛よるものと推
定される。
（実施例１）
第１図に示したように、 ５ｔ（ｔｏｏ）１の上に８１
０象（５００Ａ）２をつける。この上にｐｏｌｙ８ｉ（
１μｍ）８２μｍ間隔にエツチングによって段差部を設
ける。
０象（５００Ａ）２をつける。この上にｐｏｌｙ８ｉ（
１μｍ）８２μｍ間隔にエツチングによって段差部を設
ける。
この段差部の上にガラスを約５００ＯＡつける。
これを例えば７００℃で３０分間熱処理をし、その角が
丸くなり平坦化し九温度で流動化を判定する。
丸くなり平坦化し九温度で流動化を判定する。
ＰＨ，２％、Ｂ、Ｈ，１％、ｓｔＨ，５％他はＮ２Ｏガ
スをキャリヤーガス（４０００ｃｃΔｎｉｎ’）として
送りガラス被膜を形成する。被膜形成後６００℃ １０
分デンシファイする流動化温度は７００℃、クラックは
見当らなかった。このガラスのα−３５Ｘ１０ ”／℃
であった。又ガラスの上［ＡＪ＊極をっけてこのモスキ
ャパシターのＣ−■特性を常温＊ １ｂ＆４ｚで測定し
たところ正常なカーブを示した。
スをキャリヤーガス（４０００ｃｃΔｎｉｎ’）として
送りガラス被膜を形成する。被膜形成後６００℃ １０
分デンシファイする流動化温度は７００℃、クラックは
見当らなかった。このガラスのα−３５Ｘ１０ ”／℃
であった。又ガラスの上［ＡＪ＊極をっけてこのモスキ
ャパシターのＣ−■特性を常温＊ １ｂ＆４ｚで測定し
たところ正常なカーブを示した。
（実施例２）
ＰＨ，２％、 Ｂ、Ｈ，１，５％、 Ｓ ｉＨ，４，５
チ他はキャリヤーガスとしてＮ、Ｏを導入し、前記段差
を設けたｐｏｌｙ８ｉの上にガラスを０．５μｍの厚さ
につけ、ｆｃ、５５０℃１０分デンシファイした。この
ガラスの流動化温度は７５０℃クラックはなかった。α
−３０Ｘ１０４／’Ｃであっ友。又ガラスの上にＡＪ電
極をつけてこのモスキャパシターのＣ−■特性を常温、
１ＭＭｚで測定したところ正常なカーブを示してい友。
チ他はキャリヤーガスとしてＮ、Ｏを導入し、前記段差
を設けたｐｏｌｙ８ｉの上にガラスを０．５μｍの厚さ
につけ、ｆｃ、５５０℃１０分デンシファイした。この
ガラスの流動化温度は７５０℃クラックはなかった。α
−３０Ｘ１０４／’Ｃであっ友。又ガラスの上にＡＪ電
極をつけてこのモスキャパシターのＣ−■特性を常温、
１ＭＭｚで測定したところ正常なカーブを示してい友。
（実施例３）
ＰＨ，３，５チ、Ｂ、Ｈ，２先８ｉＨ，６％、キャリヤ
ーガスとしてＮ２Ｏ（３５００ｃｃ／ｍｉｎ ）を導入
し１前後段差をつけｆｃｐｏｌｙ ８ ｌの上にガラス
’）１μｍの厚さにつけた。６００℃１０分デンシファ
イした。
ーガスとしてＮ２Ｏ（３５００ｃｃ／ｍｉｎ ）を導入
し１前後段差をつけｆｃｐｏｌｙ ８ ｌの上にガラス
’）１μｍの厚さにつけた。６００℃１０分デンシファ
イした。
このガラスの流動化温度は７３０℃であった。更にこの
上からＢのイオン注入（ＩＸＩＯ”ｃρ、１００ＫｅＶ
）行ったところ流動化温度は７１０℃であった。
上からＢのイオン注入（ＩＸＩＯ”ｃρ、１００ＫｅＶ
）行ったところ流動化温度は７１０℃であった。
ガラス被膜のクラックはなかった。この上にＡＩ電極を
つけてＣ−■特性を常温１■ｈで測定し九ところ異常は
なかった。
つけてＣ−■特性を常温１■ｈで測定し九ところ異常は
なかった。
オたこれらのガラスを簡框な薄膜トランジスタにつけて
三極開領域でのＩ−Ｖ特性を測定したところ異常はなか
゛りた。
三極開領域でのＩ−Ｖ特性を測定したところ異常はなか
゛りた。
以上のべたように本発明方法ｌｌ１７００〜７５０’Ｃ
でよく流れ、クラックはなく、電気特性もよいので工業
的にすぐれたパッシベーションであるということが出来
る。
でよく流れ、クラックはなく、電気特性もよいので工業
的にすぐれたパッシベーションであるということが出来
る。
第１図はパッシベーションの流動化を試すための基板の
構造を示す断面閲、第２図は本発明の実施例の効果を示
すＣ−■特性図である。 １°”（１００）Ｓｉ基板、２・・・５ＬＯｔ （５０
０Ｘ）。 ３・・・ｐｏｌｙ−８ｉの段差部、４・・・Ｒ勧化を試
すためのガラス（０，５μｍ）。 代理人 弁理士 則 近 憲 右 同 竹 花 喜久男
構造を示す断面閲、第２図は本発明の実施例の効果を示
すＣ−■特性図である。 １°”（１００）Ｓｉ基板、２・・・５ＬＯｔ （５０
０Ｘ）。 ３・・・ｐｏｌｙ−８ｉの段差部、４・・・Ｒ勧化を試
すためのガラス（０，５μｍ）。 代理人 弁理士 則 近 憲 右 同 竹 花 喜久男
Claims (1)
- パッシベーションの形成に於いて、ガラスをつくるため
のガスの構成比率が１≦ＰＨ＿３／Ｂ＿２Ｈ＿６≦４、
３≦ＳｉＨ＿４／Ｂ＿２Ｈ＿６≦１０の範囲にあり、か
つ上記混合ガスの他にキャリヤーガスとしてＮ＿２Ｏガ
スを導入しながらガラス被膜を形成した後ガラス軟化点
以下の温度でアニールしたことを特徴とするパッシベー
ション膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11607186A JPS62273738A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | パツシベ−シヨン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11607186A JPS62273738A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | パツシベ−シヨン膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273738A true JPS62273738A (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=14677992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11607186A Pending JPS62273738A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | パツシベ−シヨン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62273738A (ja) |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP11607186A patent/JPS62273738A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63307719A (ja) | 低温適用のための燐のプラナードーパントソース | |
| JP2572512B2 (ja) | 拡散型シリコン素子基板の製造方法 | |
| JPS62273738A (ja) | パツシベ−シヨン膜の形成方法 | |
| JPH0397224A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03139836A (ja) | ガラス基板上に窒化ケイ素層を堆積させる方法 | |
| JPS63129633A (ja) | 半導体表面処理方法 | |
| JPS6152975B2 (ja) | ||
| JPH0465126A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH0222475A (ja) | 絶縁膜形成溶液および半導体装置の製造方法 | |
| JPS59227128A (ja) | 半導体基体の酸化法 | |
| JPS62160718A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS60227416A (ja) | 半導体基板のアニ−ル方法 | |
| JPH0673350B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61210638A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62273737A (ja) | 低応力パツシベ−シヨンの形成方法 | |
| EP0023925B1 (en) | Method of producing insulating film for semiconductor surfaces and semiconductor device with such film | |
| JP2501209B2 (ja) | ガラス基板およびその製造方法 | |
| JPS62177930A (ja) | 半導体基板の高速酸化法 | |
| JP2764880B2 (ja) | 半導体被覆用ガラス | |
| RU845678C (ru) | Способ изготовлени ВЧ р- @ -р транзисторов | |
| JPS5844723A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6333827A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP1199743A2 (en) | Method of fabricating a stack consisting of a layer of Si3N4 topped by a layer of SiO2 on a semiconductor substrate | |
| JPS5693315A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0494120A (ja) | 半導体装置の製造方法 |