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JPH1168074A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

Info

Publication number
JPH1168074A
JPH1168074A JP9218683A JP21868397A JPH1168074A JP H1168074 A JPH1168074 A JP H1168074A JP 9218683 A JP9218683 A JP 9218683A JP 21868397 A JP21868397 A JP 21868397A JP H1168074 A JPH1168074 A JP H1168074A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
solid
imaging device
state imaging
well
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9218683A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Kimura
匡雄 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP9218683A priority Critical patent/JPH1168074A/ja
Priority to US09/133,208 priority patent/US6259083B1/en
Publication of JPH1168074A publication Critical patent/JPH1168074A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8067—Reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8053—Colour filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8057—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
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    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 入射光を受光部に広く入射するように導くこ
とにより、感度の高い固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 センサ開口から最表面層の間に凹レンズ
構造を有する層８が設けられ、凹レンズ構造の底部に井
戸状の掘り込み構造２１が設けられた固体撮像素子２０
を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば内部に凹レ
ンズ構造を形成した固体撮像素子に係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、カラー用固体撮像素子において
は、素子の小型化に伴い、素子内にカラーフィルターを
形成し、このカラーフィルターの上にさらにマイクロレ
ンズを形成した、いわゆるオンチップレンズ構造を採っ
て、入射光をこのマイクロレンズで集光することにより
センサ（受光部）における感度の向上を図っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そして、上述のオンチ
ップレンズ構造を有する固体撮像素子において、さらに
表面のマイクロレンズと受光部との間に、集光する特性
を持つ第２のレンズ構造を設けているものがある。この
第２のレンズ構造としては、例えば屈折率が異なる２層
の境界面を凹面として、ここに凹レンズを形成する凹レ
ンズ構造等が挙げられる。
【０００４】図４に上述の表面層と受光部との間に凹レ
ンズ構造を形成した固体撮像素子の一例の概略図を示
す。この固体撮像素子５０は、半導体基体５１内にセン
サ（受光部）５２が形成され、この受光部５２以外の半
導体基体５１上にはゲート絶縁膜５３を介して転送電極
５４が形成されている。転送電極５４上には層間絶縁膜
５５を介して遮光膜５６が形成され、この遮光膜５６は
転送電極５４への光の入射を防止する。また、遮光膜５
６には受光部５２上に開口が設けられて、受光部５２に
光が入射するようにしている。そして、遮光膜５６を覆
って例えばＢＰＳＧ膜５７が形成され、このＢＰＳＧ膜
５７は遮光膜５６による段差に対応して表面に凹凸を有
し、ちょうど受光部５２上の部分が凹部になっている。
【０００５】ＢＰＳＧ膜５７上には例えばＳｉＮ膜（屈
折率ｎ＝１．９〜２．０）等による高屈折率層５８が形
成されて、ここに凹レンズ構造（いわゆる層内レンズ）
が形成される。
【０００６】高屈折率層５８の上面は平坦化され、パッ
シベーション膜５９を介してカラーフィルター６０が形
成されている。さらにカラーフィルター６０上にはマイ
クロレンズ６１が形成されている。
【０００７】この場合、凹レンズ表面即ちＢＰＳＧ膜５
７と高屈折率層５８の２層の境界面に入射した光が、受
光部５２上に集光するよう、ＢＰＳＧ膜５７と高屈折率
層５８との屈折率の関係を調整する必要がある。一般的
に、凹レンズであることを考慮すると、受光部５２上に
集光させるためには、レンズ表面を境界として、下地の
ＢＰＳＧ膜５７の屈折率よりも、上層の高屈折率層５８
の屈折率の方が、大きくなるように調整される。
【０００８】しかしながら、斜め方向から凹レンズ表面
に光が入射した場合、その入射角度によっては、凹レン
ズ構造を形成しない構造の場合にはないような、大きな
角度で凹レンズ表面に入射することがある。このため、
入射角度によっては、凹レンズ表面で光が全反射を起こ
すことが予測でき、これによって、感度の向上が不十分
になってしまうおそれがある。
【０００９】上述の問題の解決のために、本発明におい
ては、入射光を受光部に広く入射するように導くことに
より、感度の高い固体撮像素子を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、センサ開口から最表面層の間に凹レンズ構造を有す
る層が設けられ、凹レンズ構造の底部に井戸状の掘り込
み構造が設けられた構成である。
【００１１】上述の本発明の構成によれば、凹レンズ構
造の底部に井戸状の掘り込み構造が設けられたことによ
り、凹レンズ構造の底部に大きい入射角度で入る光が全
反射せず井戸状の堀り込み構造によってセンサ開口へ導
かれるので、センサにおける受光量の増加を図ることが
できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、センサ開口から最表面
層の間に凹レンズ構造を有する層を設けた固体撮像素子
において、凹レンズ底部に井戸状の掘り込み構造が設け
られた固体撮像素子である。
【００１３】また本発明は、上記固体撮像素子におい
て、井戸状の掘り込み構造及び凹レンズ構造を埋め込ん
で平坦化する材料の屈折率が、凹レンズ構造に用いる材
料の屈折率より大である構成とする。
【００１４】また本発明は、上記固体撮像素子におい
て、井戸状の掘り込み構造の基板面方向の幅が、センサ
開口よりも小とされ、かつ井戸状の掘り込み構造の深さ
と幅の比が、掘り込み構造において入射光が全反射を起
こすように充分大とされている構成とする。
【００１５】以下、図面を参照して本発明の固体撮像素
子の実施の形態を説明する。図１に示す固体撮像素子２
０は、本発明の固体撮像素子の一実施の形態の１画素に
対応する素子の断面図である。
【００１６】この固体撮像素子２０は、半導体基体１内
にセンサ（受光部）２が形成され、この受光部２以外の
半導体基体１上にはゲート絶縁膜３を介して転送電極４
が形成されている。転送電極４上には層間絶縁膜５を介
して遮光膜６が形成され、この遮光膜６は転送電極４へ
の光の入射を防止する。また、遮光膜６には受光部２上
に開口が設けられて、受光部２に光が入射するようにし
ている。また、前述の図４に示した例と同様に、遮光膜
６を覆って、遮光膜６による段差に対応した凹凸を表面
に有する例えばＢＰＳＧ（屈折率ｎ＝１．４〜１．５）
等からなる層間絶縁層７が形成されている。
【００１７】そして、本実施の形態においては、さらに
このＢＰＳＧ等からなる層間絶縁層７の受光部５上の部
分に井戸状の掘り込み構造２１が形成されて成る。井戸
状の掘り込み構造２１の周囲の部分は、前述の図４に示
した例と同様に、凹レンズ構造（いわゆる層内レンズ）
となっている。即ち、層内レンズ中央の底部に井戸状の
堀り込み構造２１が形成される。層間絶縁層７上には、
例えばＳｉＮ膜（屈折率ｎ＝１．９〜２．０）等による
高屈折率層８が形成されて、これらの２層７，８の界面
において光が屈折もしくは全反射する。この場合も、受
光部２上に集光させるために、層間絶縁層膜７の屈折率
よりも、上層の高屈折率層８の屈折率の方が大きくなる
ように調整されている。
【００１８】後は前述の例と同様に、高屈折率層８の上
面は平坦化され、パッシベーション膜９を介してカラー
フィルター１０が形成されている。さらにカラーフィル
ター１０上にはマイクロレンズ１１が形成されている。
【００１９】ここで、井戸状の掘り込み構造（以下井戸
構造と称する）２１の深さｈは、井戸構造２１の下に残
る層間絶縁層７が数１００ｎｍ程度以下になるまで、深
く掘り込んで形成することが望ましい。また、井戸構造
２１内に入射する光の入射角を、井戸構造２１の側壁２
１ａに対して極力大きい角度とするために、図２に示す
ように、井戸構造２１のアスペクト比即ち井戸構造２１
の深さｈと基板面方向の幅ｄの比ｈ／ｄをできるだけ大
きくする必要がある。従って、このとき井戸構造２１の
基板面方向の幅ｄは、受光部２上の遮光膜６の開口幅ｗ
よりも小さく形成するのが望ましい。
【００２０】上述のような高いアスペクト比ｈ／ｄで井
戸構造２１を形成した場合、井戸構造２１内に入射した
光は、アスペクト比ｈ／ｄが高いために、入射角度が井
戸構造２１の側壁２１ａに対して小さくなり、全反射を
起こしやすくなる。
【００２１】また、一度、井戸構造２１の側壁２１ａで
全反射を起こした場合、井戸構造２１を構成する２層
７，８の材料の屈折率と井戸構造２１のアスペクト比ｈ
／ｄとを考慮に入れると、図２に示すように、側壁２１
ａで全反射を起こした入射光Ｌが井戸構造２１の底部２
１ｂに到達するまで全反射を繰り返すと考えられる。即
ち、井戸構造２１により一種の導波管を形成できること
になる。そして、井戸構造２１を受光部２近傍まで掘り
下げて形成することにより、井戸構造２１内に入射した
光を極力漏らすことなく受光部２に誘導することができ
る。
【００２２】また、上述の全反射成分の増加により、層
間絶縁層７を透過して遮光膜６に入射する率が減少す
る。従って、遮光膜６に入射した光の反射に起因する感
度低下を抑制することができる。
【００２３】また、通常、層内レンズは、図５に図４の
構成における入射光の伝搬経路を示すように、本来は遮
光膜５６に入射するような入射光Ｌ2 を受光部５２上に
導く働きがある。
【００２４】そして、図３に示すように、上述の実施の
形態における井戸構造２１は、遮光膜６に入射する入射
光Ｌ2 を受光部２に導くこともでき、上述の層内レンズ
の効果を損なわない。
【００２５】一方、図５において、層内レンズではレン
ズの凹面における全反射のために、センサに入射しない
光Ｌ3 があるが、上述の実施の形態によれば、そこの部
分に井戸構造２１の入口があるために、このような入射
光Ｌ3 が全反射せず井戸構造２１に入り込むことから、
層内レンズ構造と比較して受光部に入射する光量が増加
して、固体撮像素子の感度の向上が図られる。
【００２６】尚、さらに感度を上げる場合には、井戸構
造２１の側壁に例えばＡｌ，Ｗ等の反射膜を形成すれ
ば、側壁を透過する成分をなくして感度を上げることが
できる。このような反射膜は、例えば全面に薄膜として
反射膜を形成した後、異方性エッチングを行うことによ
り、井戸構造の側壁のみに残して形成することができ
る。
【００２７】上述の井戸構造２１は、次のようにして形
成することができる。まず、従来公知の方法により、半
導体基板１の内部に受光部２や電荷転送部、チャネルス
トップ領域等の各領域（図示せず）を形成するととも
に、半導体基板１の表面にゲート絶縁膜３、その上に転
送電極４、層間絶縁膜５、遮光膜６を順次形成した後、
受光部２上に対応する部分の遮光膜６に開口を形成す
る。
【００２８】続いて、遮光膜６及び受光部２上の開口を
覆って、例えばＢＰＳＧ膜（屈折率ｎ＝１．４〜１．
５）等の層間絶縁層７を堆積する。その後、例えば熱処
理により層間絶縁層７をリフローさせることにより、遮
光膜６による段差に対応した凹凸を表面に有し、受光部
２上に凹部が形成された層内レンズ形状を作成する。
【００２９】図４の構造においては、この直後に、レン
ズ特性を得るために、層間絶縁層７よりも屈折率の大き
い材料、例えばシリコン窒化膜等を形成していた。これ
に対して、本実施の形態では、ここで層間絶縁層７に対
してパターニングを行い、リフローさせた層間絶縁層７
の凹凸の内、凹部の最も高さが低い部分に、異方性エッ
チングによって垂直に掘り込み井戸構造２１を形成す
る。
【００３０】次に、井戸構造２１を埋めて層間絶縁層７
上に高屈折率層８を形成する。その後は、高屈折率層８
の表面を平坦化して、パッシベーション膜９を介してカ
ラーフィルタ１０を形成する。さらに、カラーフィルタ
１０の上に、マイクロレンズ１１の材料からなる層を形
成し、リフローを行ってマイクロレンズ１１のレンズ形
状に整える。このようにして図１に示す固体撮像素子２
０の構造を形成することができる。
【００３１】本発明の固体撮像素子は、上述の実施の形
態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００３２】
【発明の効果】上述の本発明による固体撮像素子によれ
ば、センサ開口上に凹レンズ構造を設けた固体撮像素子
において、凹レンズ底部に井戸構造の掘り込みを設ける
ことにより、凹レンズ底部での全反射を防ぎ、凹レンズ
底部に入射した光を受光部に導くことができるため、受
光量を増加させることができ、感度を向上させることが
できる。
【００３３】また、本発明により、屈折率を調整し、井
戸構造側壁において全反射を起こすことにより、センサ
上部に入射した光の遮光膜への入射を抑制し、遮光膜に
よる光線の蹴られを低減して、感度を向上させることが
できる。従って、本発明により、感度の高い固体撮像素
子を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による固体撮像素子の一実施の形態の概
略構成図（一画素の断面図）である。
【図２】図１における井戸構造を説明する図である。
【図３】図１の固体撮像素子における入射光の伝搬経路
を示す図である。
【図４】層内レンズを形成した固体撮像素子の一例の概
略構成図（一画素の断面図）である。
【図５】図４の固体撮像素子における入射光の伝搬経路
を示す図である。
【符号の説明】
１ 半導体基体、２ 受光部、３ ゲート絶縁膜、４
転送電極、５ 層間絶縁膜、６ 遮光膜、７ 層間絶縁
層、８ 高屈折率層、９ パッシベーション膜、１０
カラーフィルター、１１ マイクロレンズ、２０ 固体
撮像素子、２１井戸構造、５０ 固体撮像素子、５１
半導体基体、５２ 受光部（センサ）、５３ ゲート絶
縁膜、５４ 転送電極、５５ 層間絶縁膜、５６ 遮光
膜、５７ＢＰＳＧ膜、５８ 高屈折率層、５９ パッシ
ベーション膜、６０ カラーフィルター、６１ マイク
ロレンズ、Ｌ，Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 入射光、ｄ 井戸構
造の幅、ｈ 井戸構造の高さ、ｗ 遮光膜の開口の幅

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 センサ開口から最表面層の間に凹レンズ
    構造を有する層が設けられた固体撮像素子において、 上記凹レンズ構造の底部に井戸状の掘り込み構造が設け
    られたことを特徴とする固体撮像素子。
  2. 【請求項２】 上記井戸状の掘り込み構造及び上記凹レ
    ンズ構造を埋め込んで平坦化する材料の屈折率が、上記
    凹レンズ構造に用いる材料の屈折率より大であることを
    特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
  3. 【請求項３】 上記井戸状の掘り込み構造の基板面方向
    の幅が、上記センサ開口よりも小とされ、かつ上記井戸
    状の掘り込み構造の深さと幅の比が、該掘り込み構造に
    おいて入射光が全反射を起こすように充分大とされてい
    ることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
JP9218683A 1997-08-13 1997-08-13 固体撮像素子 Pending JPH1168074A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9218683A JPH1168074A (ja) 1997-08-13 1997-08-13 固体撮像素子
US09/133,208 US6259083B1 (en) 1997-08-13 1998-08-13 Solid state imaging device and manufacturing method thereof

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259824A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Canon Inc 固体撮像素子及び非対称光導波路の形成方法
JP2005322824A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US7135666B2 (en) 2003-10-02 2006-11-14 Canon Kabushiki Kaishi Image pick-up device having well structure and image pick-up system using the image pick-up device
US7248418B2 (en) 2004-09-30 2007-07-24 Canon Kabushiki Kaisha Zoom lens system and image pickup apparatus including the same
JP2008218851A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Fujifilm Corp 撮影装置
WO2013051462A1 (ja) * 2011-10-04 2013-04-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
JP2013080838A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
JP2013084763A (ja) * 2011-10-11 2013-05-09 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
JP2015156502A (ja) * 2015-04-06 2015-08-27 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
CN113639505A (zh) * 2020-05-11 2021-11-12 云米互联科技(广东)有限公司 具有温度导向的冰箱、储物导向方法

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7133076B1 (en) * 1998-12-24 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Contoured surface cover plate for image sensor array
JP4604301B2 (ja) * 1999-04-28 2011-01-05 株式会社デンソー 光センサ
JP2001068658A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法
US6507083B1 (en) * 2000-10-05 2003-01-14 Pixim, Inc. Image sensor with light-reflecting via structures
US7250973B2 (en) * 2002-02-21 2007-07-31 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus for reflecting light at an area between successive refractive areas
US7126638B2 (en) * 2002-05-09 2006-10-24 Eastman Kodak Company Image sensor having multiple layers of dielectrics adjacent the photosensitive area for improved quantum efficiency
CN100440544C (zh) * 2002-09-17 2008-12-03 安特约恩股份有限公司 照相装置、制造照相装置的方法以及晶片尺度的封装
JP4427949B2 (ja) * 2002-12-13 2010-03-10 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP4123060B2 (ja) * 2003-06-11 2008-07-23 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US6903391B2 (en) 2003-09-10 2005-06-07 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state image pickup device
US6934065B2 (en) * 2003-09-18 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
US7583862B2 (en) * 2003-11-26 2009-09-01 Aptina Imaging Corporation Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
KR20050057968A (ko) * 2003-12-11 2005-06-16 매그나칩 반도체 유한회사 무기물의 마이크로렌즈를 갖는 이미지센서 제조 방법
US7253397B2 (en) * 2004-02-23 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US20050225501A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Balakrishnan Srinivasan Self-aligned microlens array for transmissive MEMS image arrray
KR100578644B1 (ko) * 2004-05-06 2006-05-11 매그나칩 반도체 유한회사 프리즘을 구비한 시모스 이미지센서 및 그 제조방법
US8092734B2 (en) * 2004-05-13 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers
US7253957B2 (en) * 2004-05-13 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers
US7280278B2 (en) * 2004-06-02 2007-10-09 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for manufacturing positive or negative microlenses
US20050275750A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Salman Akram Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging
US20050274871A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Jin Li Method and apparatus for collecting photons in a solid state imaging sensor
US7498647B2 (en) 2004-06-10 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7262405B2 (en) * 2004-06-14 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Prefabricated housings for microelectronic imagers
US7199439B2 (en) * 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7232754B2 (en) * 2004-06-29 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices
US7294897B2 (en) * 2004-06-29 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7416913B2 (en) * 2004-07-16 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs
US7189954B2 (en) * 2004-07-19 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers
US7402453B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20060023107A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-02 Bolken Todd O Microelectronic imagers with optics supports having threadless interfaces and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7364934B2 (en) * 2004-08-10 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7397066B2 (en) * 2004-08-19 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7223626B2 (en) * 2004-08-19 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers
US7425499B2 (en) 2004-08-24 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in vias and microelectronic workpieces including such interconnects
US7115961B2 (en) * 2004-08-24 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imaging devices and methods of packaging microelectronic imaging devices
US7429494B2 (en) 2004-08-24 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices having integral reference features and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7276393B2 (en) * 2004-08-26 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7511262B2 (en) * 2004-08-30 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Optical device and assembly for use with imaging dies, and wafer-label imager assembly
US20070148807A1 (en) * 2005-08-22 2007-06-28 Salman Akram Microelectronic imagers with integrated optical devices and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7646075B2 (en) * 2004-08-31 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers having front side contacts
US7300857B2 (en) * 2004-09-02 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers
KR100577430B1 (ko) 2004-09-03 2006-05-08 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US20060057765A1 (en) * 2004-09-13 2006-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor including multiple lenses and method of manufacture thereof
US7271482B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
US7214919B2 (en) * 2005-02-08 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20060177999A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpieces and methods for forming interconnects in microelectronic workpieces
US7303931B2 (en) * 2005-02-10 2007-12-04 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having microlenses and methods of forming microlenses on microfeature workpieces
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US20060198008A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Micron Technology, Inc. Formation of micro lens by using flowable oxide deposition
US7675096B2 (en) * 2005-03-30 2010-03-09 Fujifilm Corporation Solid-state image pickup element and method of producing the same
WO2006115142A1 (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像素子およびその製造方法ならびに光導波路形成装置
US20060290001A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Micron Technology, Inc. Interconnect vias and associated methods of formation
US7795134B2 (en) 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
US7622377B2 (en) 2005-09-01 2009-11-24 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece substrates having through-substrate vias, and associated methods of formation
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
US7262134B2 (en) 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
JP2007180156A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Fujifilm Corp 固体撮像素子
FR2897472B1 (fr) * 2006-02-14 2008-09-05 St Microelectronics Sa Photodetecteur monolithique
JP2008042024A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Fujifilm Corp 固体撮像装置
JP4525671B2 (ja) * 2006-12-08 2010-08-18 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2009032882A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子製造方法
US20100194465A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ali Salih Temperature compensated current source and method therefor
JP6029266B2 (ja) * 2011-08-09 2016-11-24 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システムおよび撮像装置の製造方法
JP6021439B2 (ja) * 2012-05-25 2016-11-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2014143376A (ja) * 2013-01-25 2014-08-07 Sony Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4694185A (en) * 1986-04-18 1987-09-15 Eastman Kodak Company Light sensing devices with lenticular pixels
JP3200856B2 (ja) * 1991-02-12 2001-08-20 ソニー株式会社 固体撮像装置
JPH05134111A (ja) * 1991-11-15 1993-05-28 Sharp Corp 固体撮像装置
JP2833941B2 (ja) * 1992-10-09 1998-12-09 三菱電機株式会社 固体撮像装置とその製造方法
JP2950714B2 (ja) * 1993-09-28 1999-09-20 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US5633527A (en) * 1995-02-06 1997-05-27 Sandia Corporation Unitary lens semiconductor device
JP2917920B2 (ja) * 1996-06-27 1999-07-12 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7135666B2 (en) 2003-10-02 2006-11-14 Canon Kabushiki Kaishi Image pick-up device having well structure and image pick-up system using the image pick-up device
JP2005259824A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Canon Inc 固体撮像素子及び非対称光導波路の形成方法
JP4708721B2 (ja) * 2004-03-09 2011-06-22 キヤノン株式会社 固体撮像素子
JP2005322824A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US7248418B2 (en) 2004-09-30 2007-07-24 Canon Kabushiki Kaisha Zoom lens system and image pickup apparatus including the same
JP2008218851A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Fujifilm Corp 撮影装置
WO2013051462A1 (ja) * 2011-10-04 2013-04-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
JP2013080838A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
US9184205B2 (en) 2011-10-04 2015-11-10 Sony Corporation Solid-state image pickup unit, method of manufacturing solid-state image pickup unit, and electronic apparatus
US9374511B2 (en) 2011-10-04 2016-06-21 Sony Corporation Solid-state image pickup unit, method of manufacturing solid-state image pickup unit, and electronic apparatus
US9576998B2 (en) 2011-10-04 2017-02-21 Sony Corporation Solid-state image pickup unit, method of manufacturing solid-state image pickup unit, and electronic apparatus
JP2013084763A (ja) * 2011-10-11 2013-05-09 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
JP2015156502A (ja) * 2015-04-06 2015-08-27 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
CN113639505A (zh) * 2020-05-11 2021-11-12 云米互联科技(广东)有限公司 具有温度导向的冰箱、储物导向方法
CN113639505B (zh) * 2020-05-11 2023-07-04 云米互联科技(广东)有限公司 具有温度导向的冰箱、储物导向方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6259083B1 (en) 2001-07-10

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