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JP4604301B2 - 光センサ - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は光センサに係り、詳しくは、車載用光センサ、例えば、ヘッドライト等を自動的に点灯／消灯するオートライトセンサやカーエアコンでの日射補正を行うための日射センサとして用いると好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、車載用の光センサ（オートライトセンサ、日射センサ等）において、センシングエレメント（フォトダイオード）と信号処理回路をワンチップ内に集積化し、これによりセンサの小型化、高機能化、コストダウンを図りたいという要望がある。
【０００３】
この種の光センサＩＣが特開平１０−１７３１５８号公報にて開示されている。この光センサＩＣは、強い光（太陽光）の影響による回路の誤動作を確実に防止するために、遮光膜端部とトランジスタ端部の距離を規定したものである。
【０００４】
ところが、太陽光を遮光し、トランジスタの誤動作を防止するには遮光膜を広い領域にわたり形成する必要があり、チップサイズの拡大につながる。また、光センサをオートライト用として使用する場合には、薄暮時の明るさ（低照度）、つまり、日没直前の微弱光を検出すべく光に対する十分な感度を必要する。このためには、フォトダイオードの面積を大きくし検出信号を大きくすることが必要となるが、このことは光センサＩＣを考えた場合、チップサイズの拡大につながる。
【０００５】
また、従来のワンチップ集積化センサでは、信号処理回路を構成する素子を作り込んだ基板にフォトダイオードを形成するため、基板コスト・工程コストが高くなりやすく、コストアップにつながる。
【０００６】
さらに、ワンチップ集積化センサでは中央部にフォトダイオードを配置するため、回路素子のレイアウトに制約が発生し、信号処理回路部の占有面積が大きくなったりコストアップを招きやすい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、この発明の目的は、新規な構成にて回路の誤動作を防止しつつ小型で低コストな光センサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、信号処理回路の回路構成用素子が第１の半導体チップの上面表層部に形成されてなり、光電変換素子が第２の半導体チップの上面表層部に形成されてなるとともに、同第２の半導体チップの上面端部には当該光電変換素子の電極が、且つ同第２の半導体チップの下面には遮光膜としての金属膜がそれぞれ形成されてなり、第２の半導体チップの上面端部に設けられた光電変換素子の電極は同第２の半導体チップの基板をスルーする電極構造により第１の半導体チップの上面表層部に形成された信号処理回路の電極に対して電気接続可能とされてなり、第１の半導体チップの上面表層部に形成された信号処理回路の回路構成用素子を上記第２の半導体チップの下面に形成された遮光膜にて覆うように第１の半導体チップの上面に第２の半導体チップが接着されてなることを特徴としている。
【０００９】
よって、第２の半導体チップの上面表層部に形成した光電変換素子において、光が受光され電気信号に変換される。そして、第１の半導体チップの上面表層部に形成した回路構成用素子にて構成された信号処理回路において、光電変換素子の電気信号が処理される。また、第２の半導体チップの下面に形成された遮光膜としての金属膜にて回路構成用素子が覆われ、信号処理回路の誤動作が防止される。
【００１０】
このように、信号処理回路を構成する回路構成用素子と光電変換素子とが異なるチップに形成されているので、遮光膜の占有面積を極力小さくできチップサイズの縮小化を図ることができる。特に、微弱光を検出すべく光電変換素子の面積を大きくし検出信号を大きくするときにもチップサイズの縮小化を図ることができる。
【００１１】
また、信号処理回路を構成する回路構成用素子を作り込んだチップと別のチップに光電変換素子を作製するため、加工コストを下げることができる。さらに、従来のワンチップ集積化センサのように中央部に光電変換素子を配置することによる回路素子のレイアウトの制約を受けること無く、信号処理回路部の占有面積を小さくできるとともにコストダウンを図ることができる。
【００１２】
このようにして、新規な構成にて回路の誤動作を防止しつつ小型で低コストな光センサとすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した実施の形態を図面に従って説明する。
本実施の形態の光センサは車両に搭載され、カーエアコン制御のための日射検出機能およびライトコントロール用の外光検出機能を有する光センサとして用いられる。本カーエアコンにおけるオートエアコンシステムは、乗用車の前席での左右の乗員に独立に温度制御でき、乗員が車室内の温度を希望の温度に設定すると、左右独立温度制御を行い空調システムの吹出し温度や風量などを自動調節することにより日射の当たる側の温度を下げて日射の強さによる影響を自動補正し、車室内温度を常に一定に保つようになっている。また、ライトコントロールシステムは、自動車のヘッドライト等を自動的に点灯／消灯させるシステムである。
【００１４】
図１には、本例の光センサの縦断面図を示す。
図１において、光センサ１は、コネクタを兼ねるセンサハウジング２と、センサチップ３と、スリット板（遮光板）４と、光学レンズ５と、ターミナル６とを備えている。センサハウジング２は、ケース７とホルダ８から構成され、両部材７，８は共に合成樹脂よりなる。ケース７は、円筒状をなし、立設した状態で使用される。また、ホルダ８は、ケース７内の上部に嵌入されている。ここで、センサハウジング２がケース７とホルダ８にて構成されていることから、ケース７を共通部材とし、ホルダ８（光電変換素子実装部とコネクタ部）をセンサ仕様毎に変えて用いることができる。
【００１５】
ケース７の外周面にはセンサ取付け爪９が設けられており、光センサ１が自動車のダッシュパネル１０の取付け孔１０ａに対し図１中、Ｘ方向に挿入され、センサ取付け爪９の外方への付勢力により本センサ１がダッシュパネル１０に取り付けられる。
【００１６】
ホルダ８の上面中央部において、台座１１の上にセンサチップ３が配置されている。また、ホルダ８にはセンサ信号を外部に出力するための外部出力端子としてのターミナル６がインサート成形され、ホルダ８の中にターミナル６を埋設した構造となっている。ターミナル６の一端がホルダ８の上面に露出し、ターミナル６の他端がホルダ８の下面から突出している。このターミナル６の上端部がセンサチップ３と電気的に接続されている。
【００１７】
センサチップ３の上方において、ホルダ８の上面にはスリット板４がセンサチップ３を覆うように支持されている。スリット板４は遮光材料よりなり、その中央部には上下に貫通するスリット（透孔）１２が形成されている。スリット板４のスリット１２の位置はセンサチップ３の真上に設定されている。
【００１８】
光学レンズ５は着色ガラスや樹脂（半透明材）よりなり、お碗型をなしている。光学レンズ５がホルダ８の外周面に嵌入され、センサチップ３の上方においてセンサハウジング２に支持されている。さらに、光学レンズ５の内周面（下面）の中央部には凹部１３が形成され、この凹部１３により光学レンズ５がレンズ機能を持つことになる。
【００１９】
本例においては、光学レンズ５とスリット板４により、光の入射角に応じてセンサチップ３への光量を変更する光量変更部材が構成されている。
図２には、台座１１の上のセンサチップ３を示す。また、図３には図２のＡ−Ａ線での縦断面図を示す。
【００２０】
図２において、第１の半導体チップとしての第１のシリコンチップ（シリコン基板）１５の上に第２の半導体チップとしての第２のシリコンチップ（シリコン基板）１６が、第１のシリコンチップ１５の上面と第２のシリコンチップ１６の下面が向かい合うように搭載されている。第２のシリコンチップ１６はＮ型シリコン基板よりなり、その上面表層部にはＰ+ 型領域１７，１８が形成され、このＰＮ接合部には光照射時に光電流が発生する。当該Ｐ+ 型領域１７，１８にてフォトダイオード（光電変換素子）ＤR ，ＤL が構成されている。
【００２１】
Ｐ+ 型領域１７，１８（フォトダイオードＤR ，ＤL ）は半円状をなし、車両の前後方向に延びる軸（方位角＝０°の基準となる軸）Ｌcentに対し左右に配置され、２Ｄ（２素子）タイプの光センサとなっている。これにより左右方位を検出する日射センサとして機能することになる。
【００２２】
図３に示すように、シリコンチップ（Ｎ型基板）１６の上面表層部において、Ｐ+ 型領域１７の端部にはＰ+ 型領域１９が形成されるとともに、その外周側に離間してＮ+ 型領域２０が形成されている。シリコンチップ１６の表面部は薄いシリコン酸化膜２１と厚いシリコン酸化膜２２が形成されるとともに、Ｐ+ 型領域１９に接するアルミ配線２３が配置され、さらに、アルミ配線２３はボンディングパッド２４に接続されている。ボンディングパッド２４は図２に示すようにシリコンチップ１６の外周部に位置している。このフォトダイオードＤR の構成に対応するようにフォトダイオードＤL においても同様の構成となっており、図２に示すごとくボンディングパッド３９を有する。また、ボンディングパッド６２はアルミ配線（図示せず）を介してＮ+ 型領域２０に接続されている。
【００２３】
さらに、図３において、第２のシリコンチップ１６の裏面（下面）には金属膜２５が全面に形成され、金属膜２５には、例えば、ＡｌやＡｕ／Ｎｉ／Ｔｉ等の電極材料が用いられる。この金属膜２５は、後記する回路構成用素子を覆う遮光膜として機能する。
【００２４】
このように、Ｎ型シリコン基板１６における上面表層部にＰ+ 型領域１７，１８が形成され、光を受光して電気信号に変換するフォトダイオードＤR ，ＤL が構成され、パッド２４（３９）によりフォトダイオードＤR ，ＤL の受光に伴う電気信号（光電流）を外部に引き出すことができるようになっている。
【００２５】
また、図３に示すように、第１のシリコンチップ１５はＰ型シリコン基板よりなり、その上面表層部にはＮ- 型エピタキシャル層２６が形成されている。このＮ- 型エピタキシャル層２６にはＰＮ接合にて分離された多数の島が区画形成され、各島には信号処理回路を構成する回路構成用素子が形成されている。信号処理回路は、フォトダイオードＤR ，ＤL の電気信号を処理するための回路であり、図３においては、回路構成用素子としてトランジスタ２７およびＩＩＬ素子２８が示されている。
【００２６】
図３のＩＩＬ素子２８において、Ｐ型とＮ型の不純物拡散領域が形成され、アルミによる配線がなされている。同様に、トランジスタ２７においても、Ｐ型とＮ型の不純物拡散領域が形成され、アルミによる配線がなされている。さらに、薄膜抵抗部においてはシリコン酸化膜３０の上にレーザトリム調整用薄膜抵抗素子２９が形成されている。詳しくは、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子２９は、Ｃｒ−Ｓｉ膜等をスパッタ法により成膜し、所定の形状にフォトエッチングしたものである。また、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子２９の両端部にはアルミ配線が接続されている。レーザトリム調整用薄膜抵抗素子２９はその一部がレーザトリミングされている。この薄膜抵抗素子２９のレーザトリミングは、ワイヤーボンディグを行った後に行われる。尚、図面の都合上、薄膜抵抗素子２９はＮ型シリコン基板１６の下に隠れているが、実際にはパッド部と同様にＮ型シリコン基板１６に覆われない位置に形成されている。
【００２７】
ここで、信号処理回路を構成するトランジスタ２７やＩＩＬ素子２８等の回路構成用素子はシリコン基板１５に通常のＩＣ製造に用いられる拡散等により形成されたものであり、素子としてはトランジスタ２７、ＩＩＬ素子２８の他にも、抵抗、コンデンサ等の素子を含む。
【００２８】
また、第１のシリコンチップ１５の外周部において、シリコン酸化膜３０の上にボンディングパッド３１が配置されている。
第１のシリコンチップ１５上に配置したアルミ配線の上には、ＴＥＯＳ酸化膜３２、ＳＯＧ膜３３、ＴＥＯＳ酸化膜３４が形成され、その上には表面保護膜３５が形成されている。
【００２９】
このように構成された第１のシリコンチップ１５の上に第２のシリコンチップ１６が接着層３６を介して接合されている。この状態においては、信号処理回路を構成する回路構成用素子（２７，２８）の上方には遮光膜としての金属膜２５が位置している。金属膜２５は回路構成用素子（２７，２８）の誤作動、つまり、信号処理回路の誤作動を防止する機能を有する。
【００３０】
ここで、信号処理回路形成チップ１５とフォトダイオード形成チップ１６のサイズに関し、信号処理回路形成チップ１５の上にフォトダイオード形成チップ１６を接着しやすいように、信号処理回路形成チップ１５の方が大きくなっている（図２参照）。また、回路素子の誤作動を防ぐための遮光膜端部からの距離が分かっており、センサチップサイズはこれにより決定されている。これよりはみ出る箇所にはトランジスタ２７は置かずに薄膜抵抗素子２９等の受動素子を配置している（図３参照）。
【００３１】
また、シリコンチップ１６のパッド２４とシリコンチップ１５のパッド３１とはボンディングワイヤー３７にて結線されている。同様に、図２に示すように、フォトダイオードＤL に対応するチップ１６のパッド３９とチップ１５のパッド４０とがボンディングワイヤー３８にて結線されている。また、シリコンチップ１６のパッド６２とシリコンチップ１５のパッド６４とはボンディングワイヤー６３にて結線されている。
【００３２】
そして、外部からフォトダイオードＤR ，ＤL に向けて光が入射した時には、その光は図３の薄いシリコン酸化膜２１を通過してＰ+ 型領域１７，１８に至る。Ｎ型基板とＰ+ 型領域とのＰＮ接合近傍に光が入ると、電子−正孔対が発生する。発生した少数キャリア、即ち、Ｐ+ 型領域およびＮ型基板で発生した電子および正孔が両領域で互いに逆向きに移動する。このとき、Ｎ型基板からＰ+ 型領域へ向かう電流が流れる。この光電流は入射光量に比例している。この光電流はパッド２４（３９）およびボンディングワイヤー３７（３８）を通して信号処理回路に送られ、信号処理回路において所定の信号処理が行われる。
【００３３】
尚、図３のレーザトリム調整用薄膜抵抗素子２９の下方にはＮ+ 型領域４１が形成されている。
図４は、同センサの電気的構成を示す図である。つまり、前記フォトダイオードＤR ，ＤL から出力される信号を処理する信号処理回路の一例を示すものである。
【００３４】
信号処理回路４２はカレントミラー回路４３，４４および処理回路４５，４６を具備している。カレントミラー回路４３にはフォトダイオードＤL が接続されており、フォトダイオードＤL は入射する光の量に応じた信号、つまり、光電流ｉＬを出力する。同様に、カレントミラー回路４４にはフォトダイオードＤR が接続されており、フォトダイオードＤR は入射する光の量に応じた信号、つまり、光電流ｉＲを出力する。
【００３５】
処理回路４５はカレントミラー回路４３により生成された信号ｉ１を増幅する電流増幅回路であり、詳しくは、演算増幅器４７、トランジスタ４８、抵抗４９，５０からなり、電流ｉ１に比例した電流信号ＩOUT Ｌを生成出力する。同様に、処理回路４６はカレントミラー回路４４により生成された信号ｉ２を増幅する電流増幅回路であり、詳しくは、演算増幅器５１、トランジスタ５２、抵抗５３，５４からなり、電流ｉ２に比例した電流信号ＩOUT Ｒを生成出力する。
【００３６】
信号ＩOUT Ｌ，ＩOUT Ｒにより、日射が当たっている側（運転席あるいは助手席）とその光の強さが分かる。具体的には、図５に示すように、方位が出力比（＝ＩOUT Ｒ／（ＩOUT Ｌ＋ＩOUT Ｒ）またはＩOUT Ｌ／（ＩOUT Ｌ＋ＩOUT Ｒ）にて検出できるとともに、総受光量が（ＩOUT Ｌ＋ＩOUT Ｒ）にて検出できる。このようにして、日射センサとして機能する時は、太陽光の入射方向（左右角）およびその光量に応じた出力ＩOUT Ｌ，ＩOUT Ｒを得ることができ、また、ライトコントロール用として機能する時は、薄暮時やトンネル内で、太陽の直接光ではなく周囲全体からの入射光に対しての出力（ＩOUT Ｌ＋ＩOUT Ｒ）を得ることができ、かつ、その際は全フォトダイオードＤR ，ＤL を使うことで、微弱な入射光に対し効率がよい。
【００３７】
図４の処理回路４５，４６には外部機器である空調用マイコン５５およびライト制御回路５６が接続されている。空調用マイコン５５によりエアコンユニット５７の制御が行われる。詳しくは、エアコンユニット５７はブロワ、クーラ、ヒータ等を含むものであり、車両のインパネ内に搭載されている。空調用マイコン５５は処理回路４５，４６の出力信号ＩOUT Ｌ，ＩOUT Ｒを入力して、左右の光強度からエアコンユニット５７を制御して日射の当たる側（運転席あるいは助手席）の吹出し風量を増やし、温度を下げる。また、ライト制御回路５６によりヘッドライト５８の点灯／消灯制御が行われる。
【００３８】
次に、このように構成した光センサ１の作用を説明する。
図１の光学レンズ５の表面側に照射された光は光学レンズ５を通過し、スリット板４に照射される。さらに、スリット板４のスリット１２を通過した光はセンサチップ３のフォトダイオードＤR ，ＤL に照射される。この光照射によりフォトダイオードＤR ，ＤL から信号が出力される。つまり、センサ表面（光学レンズ５）に照射された光は、レンズ材の屈折率と形状により光路変更され、センサチップ３に向かって出射され、スリット板４のスリット１２を通してセンサチップ３に至る。
【００３９】
このとき、真上から来た光（仰角９０°の光）は、光学レンズ５からスリット板４のスリット１２を通してセンサチップ３に導かれ、図２の軸Ｌcent上に光が当たる。また、真上ではなく左右方向から来た光、つまり、低仰角で、かつ右あるいは左からの光に対しては軸Ｌcentに対し左右のいずれかの領域に光が多く当たり、かつ、その当たる領域は入射方向とは反対側になる。このように、光学レンズ５およびスリット板４により光量変調された光は、センサチップ３の表面に照射されるが、照射された光の角度（方位角）によって受光面側の照射範囲が変化する。
【００４０】
このようにして、光センサ１に入射した光はスリット板４のスリット１２を通してフォトダイオードＤR ，ＤL 側に送られ、基準となる軸（方位角＝０°）Ｌcentの左右に配置されたフォトダイオードＤR ，ＤL に受光され、光量に応じた信号に変換される。さらに、図４の信号処理回路４２にてフォトダイオードＤL ，ＤR での光電流に応じた電流ＩOUT Ｌ，ＩOUT Ｒが生成される。この電流ＩOUT Ｌ，ＩOUT Ｒにより、空調用マイコン５５は方位（左右）と日射量を検出して、カーエアコンの左右独立空調、つまり、検出光量によって左右の席の空調を行う。また、電流ＩOUT Ｌ，ＩOUT Ｒの総和（ＩOUT Ｌ＋ＩOUT Ｒ）によりライト制御回路５６はヘッドライト５８を自動的に点灯／消灯する。詳しくは、薄暮やトンネル内において点灯し、昼間にトンネルを抜けると消灯する。
【００４１】
また、図３のシリコンチップ１５における信号処理回路を構成するトランジスタ２７やＩＩＬ素子２８等の回路構成用素子が遮光膜としての金属膜（裏面電極）２５にて覆われている。よって、トランジスタ２７に直接、太陽光が照射されると誤動作するが第２のシリコンチップ１６の裏面電極形成用金属膜２５が遮光膜として作用するため誤動作を防止することができる。
【００４２】
この遮光に関し、より詳しくは、光センサは太陽光を検知するものであり、太陽光の分光スペクトルは近赤外まで及ぶため、フォトダイオードが形成されたシリコンチップ１６を透過して回路素子表面まで光が一部到達する。つまり、シリコン材料の光吸収係数からシリコン基板（厚さ４００μｍ）１６があれば大部分の太陽光は遮光できるが、完全ではない。それ故、裏面電極２５を遮光膜として用いて完全に遮光することができる。
【００４３】
次に、センサチップ３の製造方法を、図６〜図１６および図３を用いて説明する。なお、工程説明は図２のＡ−Ａ断面で行う。
まず、図６に示すように、Ｐ型シリコン基板１５を用意し、その表層部にＮ型エピタキシャル層２６を形成する。そして、通常のＩＣ製造に用いられる拡散等により、信号処理回路を構成するトランジスタ２７やＩＩＬ素子２８等を形成する。また、シリコン基板１５の表面にシリコン酸化膜３０を形成する。
【００４４】
そして、図７に示すように、薄膜抵抗部において、基板１５の表面に配置したシリコン酸化膜３０の上に、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子２９を形成する。さらに、図８に示すように、トランジスタ２７、ＩＩＬ素子２８、薄膜抵抗素子２９等に対するアルミ配線を形成する。そのまま、アルミ配線材を用いてパッド３１を形成する。
【００４５】
引き続き、図９に示すように、ＴＥＯＳ酸化膜３２、ＳＯＧ膜３３、ＴＥＯＳ酸化膜３４を形成する。さらに、図１０に示すように、その上に表面保護膜３５を形成する。ただし、ボンディングパッド３１は露出させる。
【００４６】
一方、図１１に示すように、Ｎ型のシリコン基板１６を用意し、その表層部に、通常のＩＣ製造に用いられる拡散等により、フォトダイオードＤR ，ＤL となるＰ+ 型領域１７（１８），１９およびＮ+ 型領域２０を形成する。また、シリコン基板１６の表面にシリコン酸化膜２１，２２を形成する。さらに、図１２に示すように、アルミ配線２３およびパッド２４を形成する。
【００４７】
その後、図１３に示すように、シリコン基板１６の裏面全体に、金属膜２５を形成する。このシリコン基板１６の裏面全体に設けた金属膜（電極）２５は遮光膜となる。さらに、図１４に示すように、シリコン基板１６の裏面での金属膜２５に接着シート３６を貼り付ける。
【００４８】
一方、図１５に示すように、前述した信号処理回路を形成したシリコンチップ１５を、台座１１の上にダイマウントする。さらに、このシリコンチップ１５に対し、図１６に示すように、その上に、フォトダイオードＤR ，ＤL を形成したシリコンチップ１６をダイマウントする。
【００４９】
このとき、柔らかい接着シート３６を用いてシリコンチップ１６をマウントすることにより、シリコンチップ１５の上面に凹凸があっても接合することができる。なお、シリコンチップ１５の接合面（上面）を平坦化した後にマウントしてもよい。
【００５０】
最後に、図３に示すように、チップ１６のパッド２４とチップ１５のパッド３１を、金線等のボンディングワイヤー３７にて結線する。
このように、本実施の形態は下記の特徴を有する。
（イ）図２に示したように、第１のシリコンチップ１５の上に第２のシリコンチップ１６を第１のシリコンチップ１５の上面と第２のシリコンチップ１６の下面が向かい合うように搭載し、第２のシリコンチップ１６における上面表層部にフォトダイオードＤR ，ＤL を形成するとともに、図３に示すように、第１のシリコンチップ１５における上面表層部に信号処理回路を構成するトランジスタ２７等を形成し、さらに、第２のシリコンチップ１６の下面にトランジスタ２７等を覆う遮光膜２５を形成した。
【００５１】
よって、信号処理回路を構成するトランジスタ２７等とフォトダイオードＤR ，ＤL とが異なるチップ１５，１６に形成されているので、遮光膜２５の占有面積を極力小さくできチップサイズの縮小化を図ることができる。つまり、フォトダイオードと信号処理回路を集積化した光センサＩＣ（ワンチップＩＣ）では、チップ面積はその和となるため、平面として４ｍｍ□以上が必要となるが、本例のように２つのチップ１５，１６を重ねて配置した２階建構造とすると、フォトダイオード形成チップ１６が２．５ｍｍ□程度であり、信号処理回路形成チップ１５が３ｍｍ□程度で済むことになる。特に、微弱光を検出すべくフォトダイオードＤR ，ＤL の面積を大きくし検出信号を大きくするときにもチップサイズの縮小化を図ることができる。
【００５２】
また、信号処理回路を構成する回路構成用素子を作り込んだチップ１５と別のチップ１６にフォトダイオードＤR ，ＤL を作製するため、加工コストを下げることができる。さらに、図３のごとく第１のシリコンチップ１５においては１層のアルミ配線（電極）のみを配置しただけであり、従来のワンチップ集積化センサのように遮光膜を配置するための２層電極工程を不要にでき、工程コストを下げることができる。さらには、従来のワンチップ集積化センサのように中央部にフォトダイオードを配置することによる回路素子のレイアウトの制約を受けること無く、信号処理回路部の占有面積を小さくできるとともにコストダウンを図ることができる。
【００５３】
このようにして、回路の誤動作を防止しつつ小型で低コストな光センサとすることができる。
また、従来のワンチップ化した光センサＩＣではシリコン基板の表面層（具体的には、図３のＮ- 型エピタキシャル層２６）のみをフォトダイオードとして用いるのに対して、本実施形態ではシリコン基板１６の縦方向全面を使うことができるので光電流を大きくすることができる。さらに、チップ１６の裏面に金属膜２５を設けることにより金属膜２５からの反射光による光電流も使うことができ、出力が増加する。
【００５４】
なお、これまでの説明においては光電変換素子としてフォトダイオードを用いたが、他にも例えばフォトトランジスタを用いてもよい。
また、これまでの説明では２つの光電変換素子で構成した２Ｄタイプの光センサに適用したが、図１７に示すように、１Ｄタイプの光センサであってもよい。図１７の場合には、光学レンズ６０の下面にはフレネルレンズ６１を形成している。つまり、プリズムの集合体レンズ（フレネルレンズ）６１を用いて光学レンズ６０にレンズ機能を持たせている。
【００５５】
また、チップ１５とチップ１６の電気接続は、ワイヤボンディングを用いたが、他にも、基板をスルーする電極構造ならば半田や共晶金属による電気接続でもよい。つまり、例えば、フリップチップ方式にて上側チップのバンプを半田付けにて接合するようにしてもよい。
【００５６】
また、遮光膜は金属膜に限ること無く、要は、太陽光を遮光できる材料・膜厚であればよい。
さらに、図３においては、積層するチップの上側チップ１６の裏面（下面）に遮光膜２５を形成したが、以下のように実施してもよい。
【００５７】
遮光を遮光膜２５により行うのではなく、遮光膜２５が無い状態でも他の部材を用いて遮光するようにしてもよい。具体的には、図３に代わる図１８に示すように、接着層３６に遮光機能を持たせる。つまり、接着層３６は接着剤でも熱圧着フィルム（ラミネート）でもよく、ポリイミド等の材料よりなる。この接着層３６に対しカーボンや金属の微粉末を混合する。その結果、図３の上側チップ１６の下面ではなく両チップ１５，１６間において遮光機能を有する接着層３６にて遮光することができる。即ち、遮光膜を、両チップ１５，１６を接着するための接着部材にて構成することもできる。
【００５８】
あるいは、図３に代わる図１９に示すように、第１のシリコンチップ１５の表面において表面保護膜３５ａ，３５ｂの間にアルミ膜よりなる遮光膜７０を形成する。この場合、製造の際において表面保護膜３５ａの上に遮光用アルミ膜７０を成膜し、パターニングにより所定の領域を露出させる。具体的には、薄膜抵抗部でのレーザトリム調整用薄膜抵抗素子２９に対しワイヤーボンディグ後にレーザトリミングできるようにしておく。このようにして、図３の上側チップ１６の下面ではなく下側チップ１５側においてアルミ製遮光膜７０にて遮光することができる。即ち、遮光膜を、第１の半導体チップ１５における表面部に形成することもできる。
【００５９】
図１８，１９を用いて説明したように、遮光膜は第２の半導体チップ１６と第１の半導体チップ１５の間に配置されていればよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態における光センサの縦断面図。
【図２】 センサチップの説明図。
【図３】 図２のＡ−Ａ断面図。
【図４】 センサの回路構成図。
【図５】 方位角に対する出力比を示す図。
【図６】 製造工程を説明するための断面図。
【図７】 製造工程を説明するための断面図。
【図８】 製造工程を説明するための断面図。
【図９】 製造工程を説明するための断面図。
【図１０】 製造工程を説明するための断面図。
【図１１】 製造工程を説明するための断面図。
【図１２】 製造工程を説明するための断面図。
【図１３】 製造工程を説明するための断面図。
【図１４】 製造工程を説明するための断面図。
【図１５】 製造工程を説明するための断面図。
【図１６】 製造工程を説明するための断面図。
【図１７】 別例の光センサの縦断面図。
【図１８】 別例の光センサの縦断面図。
【図１９】 別例の光センサの縦断面図。
【符号の説明】
１…光センサ、３…センサチップ、１５…第１のシリコンチップ、１６…第１のシリコンチップ、２５…金属膜、２７…トランジスタ、２８…ＩＩＬ素子、３６…接着層、４２…信号処理回路、７０…遮光用アルミ膜、ＤR ，ＤL …フォトダイオード。

Claims (3)

  1. 光電変換素子により光を受光して電気信号に変換するとともに、信号処理回路により光電変換素子の電気信号を処理する光センサであって、
    前記信号処理回路はその回路構成用素子が第１の半導体チップの上面表層部に形成されてなり、前記光電変換素子は第２の半導体チップの上面表層部に形成されてなるとともに、同第２の半導体チップの上面端部には当該光電変換素子の電極が、且つ同第２の半導体チップの下面には遮光膜としての金属膜がそれぞれ形成されてなり、前記第２の半導体チップの上面端部に設けられた光電変換素子の電極は同第２の半導体チップの基板をスルーする電極構造により前記第１の半導体チップの上面表層部に形成された信号処理回路の電極に対して電気接続可能とされてなり、前記第１の半導体チップの上面表層部に形成された前記信号処理回路の回路構成用素子を前記第２の半導体チップの下面に形成された遮光膜にて覆うように前記第１の半導体チップの上面に前記第２の半導体チップが接着されてなることを特徴とする光センサ。
  2. 前記光電変換素子はフォトダイオードである請求項１に記載の光センサ。
  3. 当該光センサが車両用エアコン制御を行うとともに車両用ライトの点灯／消灯制御を行うためのセンサであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102629616A (zh) * 2011-02-08 2012-08-08 索尼公司 固态成像装置、其制造方法及电子设备

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006008746A2 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Integrated active pixel sensor and method of its fabrication
KR100628238B1 (ko) * 2004-12-30 2006-09-26 동부일렉트로닉스 주식회사 시모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법
WO2008133016A1 (ja) * 2007-04-13 2008-11-06 Sharp Kabushiki Kaisha 光センサ及び表示装置
US7791016B2 (en) * 2007-10-29 2010-09-07 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetector
JP2016219660A (ja) * 2015-05-22 2016-12-22 ソニー株式会社 半導体装置、製造方法、固体撮像素子、および電子機器
US10297631B2 (en) 2016-01-29 2019-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Metal block and bond pad structure
JP2020031074A (ja) * 2016-12-20 2020-02-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
CN117673187B (zh) * 2024-02-01 2024-05-03 云南大学 高温自淬灭单光子探测器及制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02297511A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Hitachi Ltd 光フロントエンド装置
JPH0313758U (ja) * 1989-06-25 1991-02-12
JPH04218963A (ja) * 1990-12-19 1992-08-10 Fujitsu Ltd 光検知器
JPH0575087A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ
JPH0595123A (ja) * 1991-10-02 1993-04-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 光受信モジユール
JPH06177414A (ja) * 1992-12-01 1994-06-24 Sharp Corp 半導体素子
JPH10173158A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Denso Corp 光センサｉｃ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60195980A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH06105790B2 (ja) 1985-06-07 1994-12-21 株式会社ニコン 光検出装置
JP2617798B2 (ja) * 1989-09-22 1997-06-04 三菱電機株式会社 積層型半導体装置およびその製造方法
JPH03263381A (ja) * 1990-02-14 1991-11-22 Fuji Electric Co Ltd インテリジェント光センサ
JPH05198739A (ja) * 1991-09-10 1993-08-06 Mitsubishi Electric Corp 積層型半導体装置およびその製造方法
US5779918A (en) 1996-02-14 1998-07-14 Denso Corporation Method for manufacturing a photo-sensor
JPH1168074A (ja) * 1997-08-13 1999-03-09 Sony Corp 固体撮像素子

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02297511A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Hitachi Ltd 光フロントエンド装置
JPH0313758U (ja) * 1989-06-25 1991-02-12
JPH04218963A (ja) * 1990-12-19 1992-08-10 Fujitsu Ltd 光検知器
JPH0575087A (ja) * 1991-09-12 1993-03-26 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ
JPH0595123A (ja) * 1991-10-02 1993-04-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 光受信モジユール
JPH06177414A (ja) * 1992-12-01 1994-06-24 Sharp Corp 半導体素子
JPH10173158A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Denso Corp 光センサｉｃ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102629616A (zh) * 2011-02-08 2012-08-08 索尼公司 固态成像装置、其制造方法及电子设备
CN102629616B (zh) * 2011-02-08 2016-09-07 索尼公司 固态成像装置、其制造方法及电子设备

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