JPH1010494A

JPH1010494A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH1010494A
Application number: JP16326996A
Authority: JP
Inventors: Minoru Hiroshima; 實廣島; Takashi Isoda; 高志磯田; Yasushi Nakano; 泰中野
Original assignee: Hitachi Device Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Japan Display Inc
Priority date: 1996-06-24
Filing date: 1996-06-24
Publication date: 1998-01-16
Anticipated expiration: 2016-06-24
Also published as: JP3313282B2

Abstract

(57)【要約】【課題】横電界方式の液晶表示装置において、静電気が
速やかに吸収できる静電気保護回路を形成し、静電気保
護効果の高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】同一アクティブマトリクス基板の面上に画
素ＰＥ毎に形成した画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間
に、該面と略平行に発生させる電界成分によって液晶層
の光透過率を変化させる横電界方式の液晶表示装置にお
いて、表示領域の外側に配置され、対向電極ＣＴを接続
する各対向電極接続線ＣＬを電気的に接続する共通接続
線ＣＬＣと、各走査信号線ＧＬおよび各映像信号線ＤＬ
をそれぞれ非線形抵抗素子ＮＲを介して電気的に接続す
る枠状の短絡線ＳＢとが前記面上に形成され、かつ、短
絡線ＳＢが共通接続線ＣＬＣに電気的に接続されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス駆動方式の液晶表示装置に係り、特に、横電界方式の
液晶表示装置における静電気保護回路の構成に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばアクティブマトリクス方式の液晶
表示装置の液晶表示素子（すなわち、液晶表示パネル）
では、液晶層を介して互いに対向配置されるガラス等か
らなる２枚の液晶表示基板のうち、その一方のガラス基
板の液晶層側の面に、そのｘ方向に延在し、ｙ方向に並
設される走査信号線群と、この走査信号線群と絶縁され
てｙ方向に延在し、ｘ方向に並設される映像信号線群と
が形成されている。

【０００３】これらの走査信号線群と映像信号線群とで
囲まれた各領域がそれぞれ画素領域となり、この画素領
域にスイッチング素子として例えば薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）と透明画素電極とが形成されている。なお、
薄膜トランジスタのゲート電極は走査信号線に、ドレイ
ン電極は映像信号線に、ソース電極は透明画素電極にそ
れぞれ接続されている。

【０００４】このような構成において、走査信号線に走
査信号が供給されることにより、薄膜トランジスタがオ
ンされ、このオンされた薄膜トランジスタを介して映像
信号線からの映像信号が画素電極に供給される。

【０００５】なお、走査信号線群の各走査信号線と、映
像信号線群の各映像信号線とは、それぞれ液晶表示基板
の周辺にまで延在されて外部接続端子が形成されてい
る。

【０００６】なお、液晶表示素子の製造においては、製
造工程中に外部から侵入したり、液晶表示素子内部で発
生する静電気によって、薄膜トランジスタのしきい値電
圧Ｖ_thの変動による表示むら、薄膜トランジスタの破損
や、走査信号線と映像信号線との絶縁膜を介する交差部
における短絡による表示不良等が発生する問題がある。

【０００７】従来は、液晶表示素子を構成するアクティ
ブマトリクス基板（ＴＦＴ基板とも称される）の切断線
の外側の最外周に、静電気対策用のガードリング（短絡
線）を形成し、これに走査信号線と映像信号線とを短絡
することにより、液晶表示素子内部で発生する電位差を
緩和して、前記問題を回避する方法が一般的である。し
かし、２枚の基板を所定の間隙を隔てて重ね合わせて組
み立て、ＴＦＴ基板の周辺部を切断線により切断した後
は、切断線の外側にあるガードリングは切り落されるの
で、基板切断後の液晶封入工程以降は、静電気に対して
無防備となる。

【０００８】このため、ガードリングを切り離した後も
液晶表示素子を静電気から保護するため、走査信号線と
映像信号線とを、２端子動作薄膜トランジスタや金属−
絶縁物−金属ダイオード等の非線形抵抗素子を介して短
絡線に電気的に接続する静電気保護回路が提案されてい
る。

【０００９】例えば、特開昭６３−８５５８６号公報、
特開昭６３−１０６７８８号公報、特開昭６３−２２０
２８９号公報では、表示領域（すなわち、画素アレイ）
を囲むようにその外周に短絡線を配置し、薄膜トランジ
スタのゲート電極上のゲート絶縁層にコンタククトホー
ルを形成して、ドレイン電極あるいはソース電極と接続
した非線形抵抗素子を、走査信号線および映像信号線と
短絡線との間に挿入することにより、液晶表示素子の製
造工程中に発生する静電気による走査信号線と映像信号
線間の電位差を緩和し、静電気による破壊等を回避して
いる。

【００１０】図１７は、後述の縦電界方式の液晶表示素
子における従来の静電気保護回路の構成例を示す概略図
である。

【００１１】ＰＥは画素、ＧＬは走査信号線（ゲート信
号線または水平信号線）、ＤＬは映像信号線（ドレイン
信号線または垂直信号線）、ＴＦＴは薄膜トランジス
タ、ＰＸは画素電極、ＧＴＭは走査信号線ＧＬに外部駆
動電気回路を接続するための外部接続端子、ＤＴＭは映
像信号線ＤＬに外部駆動電気回路を接続するための外部
接続端子、ＮＲは非線形抵抗素子、ＳＢは短絡線、ＣＴ
Ｍはカラーフィルタ基板側の共通透明画素電極に接続す
る端子である。

【００１２】走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの各交
差部の近傍にスイッチング素子として薄膜トランジスタ
ＴＦＴが設けられ、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電
極は、液晶に電界を与えるための画素電極ＰＸに接続さ
れて、２次元状に配列された表示画素ＰＥ（１，１）〜
（ｍ，ｎ）を形成している。走査信号線ＧＬと映像信号
線ＤＬとの交差領域で構成される表示領域の外側と、外
部接続端子ＧＴＭ、ＤＴＭの間に形成された短絡線ＳＢ
および非線形抵抗素子ＮＲにより静電気保護回路が構成
される。すなわち、各走査信号線ＧＬおよび各映像信号
線ＤＬは、図１７に示すように、例えば２端子動作薄膜
トランジスタ等からなる順方向と逆方向の１対のダイオ
ードを組み合わせた双方向ダイオードや、ＭＩＭ（金属
−絶縁物−金属）素子等から構成される非線形抵抗素子
ＮＲを介して、短絡線ＳＢに電気的に接続されている。
短絡線ＳＢは、端子ＣＴＭを介してカラーフィルタ基板
側の共通透明画素電極に電気的に接続される。このよう
な構成により、外部から走査信号線ＧＬもしくは映像信
号線ＤＬに侵入するか、あるいは液晶表示素子内で発生
した静電気は、非線形抵抗素子ＮＲを通して、共通透明
画素電極に接続された短絡線ＳＢの方へ放電され、静電
気すなわち電荷は速やかに分散、吸収され、走査信号線
ＧＬと映像信号線ＤＬとの間の電圧が緩和され、前述の
静電気による破壊等が防止される。

【００１３】ところで、液晶表示装置は、液晶の駆動モ
ードから分類すると大きく分けて「縦電界方式」と「横
電界方式」に分けられる。

【００１４】縦電界方式の液晶表示装置は、液晶層を介
して互いに対向して配置される透明基板の液晶層側の単
位画素に相当するそれぞれの領域面に、透明電極からな
る画素電極と共通電極とが対向して備えられ、この画素
電極と共通電極との間に透明基板に対して垂直に発生さ
せる電界によって前記液晶層を透過する光を変調させる
ようにしたものである。

【００１５】一方、横電界方式の液晶表示装置は、液晶
層を介して互いに対向して配置される透明基板のうち、
その一方（または両方）の液晶層側の単位画素に相当す
る領域面に、画素電極と対向電極とが備えられ、この画
素電極と対向電極との間に透明基板と略平行に発生させ
る電界成分によって前記液晶層を透過する光を変調させ
るようにしたものである。

【００１６】横電界方式（面内スイッチ方式とも称され
る）の液晶表示装置は、縦電界方式の液晶表示装置と異
なり、その表示面に対して大きな角度視野から観察して
も鮮明な映像を認識でき、いわゆる角度視野に優れたも
のとして知られるに至ったものである。

【００１７】なお、このような構成からなる液晶表示装
置は、例えば特開平６−１６０８７８号公報に詳述され
ている。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】横電界方式の液晶表示
装置では、液晶の光学特性を変化させるための電極（画
素電極と対向電極）がすべてアクティブマトリクス基板
に作り込まれている点に特徴がある。すなわち、横電界
方式では、縦電界方式におけるカラーフィルタ基板のほ
ぼ前面に設けていた共通透明画素電極がない構成をと
る。すなわち、図１７で例示した従来の静電気保護回路
の構成において、非線形抵抗素子ＮＲを通して短絡線Ｓ
Ｂに放電した静電気を吸収する先であり、カラーフィル
タ基板のほぼ全面に設けていた共通透明画素電極が、横
電界方式では存在しない。

【００１９】本発明の目的は、横電界方式の液晶表示装
置において、静電気保護回路の非線形抵抗素子を通して
短絡線に放電した静電気を吸収する先を、新たに確保
し、静電気保護対策を強化することができる液晶表示装
置を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、液晶層を介して互いに対向配置され、液
晶表示素子を構成する２枚の基板のうち、一方の前記基
板の前記液晶層側の面上に、ｘ方向に延在し、ｙ方向に
並設された走査信号線群と、この走査信号線群と絶縁さ
れてｙ方向に延在し、ｘ方向に並設された映像信号線群
とが形成され、前記走査信号線群と前記映像信号線群と
が交差する領域によって表示領域が形成され、前記各走
査信号線と前記各映像信号線とで囲まれる領域に、スイ
ッチング素子、画素電極および対向電極がそれぞれ形成
され、前記面上に、ｘ方向に延在し、ｙ方向に並設さ
れ、前記各対向電極を接続する接続線群が形成され、前
記画素電極と前記対向電極との間に前記面と略平行に発
生させる電界成分によって前記液晶層の光透過率を変化
させる液晶表示装置において、前記表示領域の外側に配
置され、前記各走査信号線および前記各映像信号線を、
それぞれ非線形抵抗素子を介して電気的に接続する短絡
線が前記面上に形成され、かつ、前記短絡線と前記接続
線とが電気的に接続されていることを特徴とする。

【００２１】また、前記各接続線が共通接続線に電気的
に接続され、該共通接続線と前記短絡線とが電気的に接
続されていることを特徴とする。

【００２２】また、前記接続線もしくは前記短絡線が外
部電気回路に電気的に接続されていることを特徴とす
る。

【００２３】また、前記表示領域の外側に配置され、ｙ
方向に延在し、前記接続線群を電気的に接続する共通接
続線と、前記表示領域の外側に配置され、前記各走査信
号線および前記各映像信号線を、それぞれ非線形抵抗素
子を介して電気的に接続する短絡線とが前記面上に形成
され、かつ、前記短絡線を前記共通接続線に電気的に接
続したことを特徴とする。

【００２４】また、前記短絡線が、前記表示領域の外側
に枠状に形成され、かつ、前記共通接続線と、前記短絡
線の一部とが共通化されていることを特徴とする。

【００２５】また、前記共通接続線もしくは前記短絡線
が外部電気回路に電気的に接続されていることを特徴と
する。

【００２６】また、前記各対向電極が、ｘ方向に延在す
る前記接続線から、前記画素電極と平行に所定の間隔を
隔ててｙ方向に伸長していることを特徴とする。

【００２７】また、前記短絡線が、前記表示領域の外側
に枠状に形成されていることを特徴とする。

【００２８】さらに、非線形抵抗素子が順方向と逆方向
の２個のダイオードで構成されていることを特徴とす
る。

【００２９】上記の構成により、本発明では、横電界方
式の液晶表示装置において、非線形抵抗素子を通して短
絡線に放電する静電気を吸収する先を、対向電極を接続
する接続線あるいは該接続線の共通接続線に新たに確保
することができる。接続線あるいは共通接続線は、多数
個の対向電極を多数個接続しているため、静電気を吸収
できる十分な容量を有する。したがって、静電気保護対
策を強化することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。なお、以下説明する図面で、
同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返し
の説明は省略する。

【００３１】《アクティブマトリクス液晶表示装置》以
下、本発明が適用可能なアクティブマトリクス方式のカ
ラー液晶表示装置について説明する。

【００３２】《マトリクス部（画素部）の平面構成》図
４はアクティブマトリクス方式カラー液晶表示装置の一
画素と、ブラックマトリクスＢＭの遮光領域と、その周
辺を示す平面図である。

【００３３】図４に示すように、各画素は走査信号線
（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬと、対向電圧信
号線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号
線（ドレイン信号線または垂直信号線）ＤＬとの交差領
域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されてい
る。各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃst
g、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含む。走査信号
線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは図では左右方向に延在
し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬ
は上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されてい
る。画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続さ
れ、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体になって
いる。

【００３４】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向
し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により
液晶ＬＣの配向状態を制御し、透過光を変調して表示を
制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成
され、それぞれ、図の上下方向に長細い電極となってい
る。

【００３５】一画素内の対向電極ＣＴの本数Ｏ（櫛歯の
本数）は、画素電極ＰＸの本数（櫛歯の本数）ＰとＯ＝
Ｐ＋１の関係を必ず持つように構成する（本例では、Ｏ
＝２、Ｐ＝１）。これは、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸ
を交互に配置し、かつ、対向電極ＣＴを映像信号線ＤＬ
に必ず隣接させるためである。これにより、対向電極Ｃ
Ｔと画素電極ＰＸの間の電界が、映像信号線ＤＬから発
生する電界から影響を受けないように、対向電極ＣＴで
映像信号線ＤＬからの電気力線をシールドすることがで
きる。対向電極ＣＴは、対向電圧信号線ＣＬにより常に
外部から電位を供給されているため、電位は安定してい
る。そのため、映像信号線ＤＬに隣接しても、電位の変
動がほとんどない。また、これにより、画素電極ＰＸの
映像信号線ＤＬからの幾何学的な位置が遠くなるので、
画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬの間の寄生容量が大幅に
減少し、画素電極電位Ｖｓの映像信号電圧による変動も
抑制できる。これらにより、上下方向に発生するクロス
トーク（縦スミアと呼ばれる画質不良）を抑制すること
ができる。

【００３６】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの電極幅Ｗ
ｐ、Ｗｃはそれぞれ６μｍとし、後述の液晶層の最大設
定厚みを超える４．５μｍよりも十分大きく設定する。
製造上の加工ばらつきを考慮すると２０％以上のマージ
ンを持ったほうが好ましいので、望ましくは５．４μｍ
よりも十分大きくしたほうが良い。これにより、液晶層
に印加される基板面に平行な電界成分が基板面に垂直な
方向の電界成分よりも大きくなり、液晶を駆動する電圧
の上昇を抑制することができる。また、各電極の電極幅
Ｗｐ、Ｗｃの最大値は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの
間の間隔Ｌよりも小さい事が好ましい。これは、電極の
間隔が値か好きすぎると電気力線の湾曲が激しくなり、
基板面に平行な電界成分よりも基板面に垂直な電界成分
の方が大きい領域が増大するため、基板面に平行な電界
成分を効率よく液晶層に印加できないからである。した
がって、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の間隔Ｌはマ
ージンを２０％とると７．２μｍより大きい事が必要で
ある。本例では、対角約５．７インチ６４０×４８０ド
ットの解像度で構成したので、画素ピッチは約６０μｍ
であり、画素を２分割とすることにより、間隔Ｌ＞７．
２μｍを実現した。また、映像信号線ＤＬの電極幅は断
線を防止するために、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴに比
較して若干広く８μｍとし、映像信号線ＤＬと対向電極
ＣＴとの間隔は短絡を防止するために約１μｍの間隔を
開けるとともに、ゲート絶縁膜の上側に映像信号線ＤＬ
を下側に対向電極ＣＴを形成し、異層になるように配置
している。

【００３７】一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の
電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、
液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異な
るため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映
像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される
信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるよ
うにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間
隔は、約１５μｍとなる。

【００３８】本例では、平面的に、ブラックマトリクス
ＢＭはゲート配線ＧＬ上、薄膜トランジスタＴＦＴ上、
ドレイン配線ＤＬ上、ドレイン配線ＤＬと対向電極ＣＴ
間に形成している。

【００３９】《マトリクス部（画素部）の断面構成》図
６は図４の４−４切断線における薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの断面図、図７は図４の５−５切断線における蓄積容
量Ｃstgの断面を示す図である。図１１は、横電界方式
の液晶表示基板の画像表示領域における一画素の電極近
傍の断面図と基板周辺部の断面図を示す。図１１に示す
ように、液晶層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板Ｓ
ＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃstg
（図示せず）および電極群ＣＴ、ＰＸが形成され、上部
透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、
遮光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されてい
る。なお、公知ではないが、同一出願人による、特願平
７−１９８３４９号により、遮光用ブラックマトリクス
パターンＢＭを下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に形成す
ることも可能である。

【００４０】また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２
のそれぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初
期配向を制御する配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２が設けられ
ており、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれ
の外側の表面には、偏光軸が直交して配置された（クロ
スニコル配置）偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２が設けられて
いる。

【００４１】《ＴＦＴ基板》まず、下側透明ガラス基板
ＳＵＢ１側（ＴＦＴ基板、すなわちアクティブマトリク
ス基板）の構成を詳しく説明する。

【００４２】《薄膜トランジスタＴＦＴ》薄膜トランジ
スタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴに正のバイアスを印加す
ると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくな
り、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きくなる
ように動作する。

【００４３】薄膜トランジスタＴＦＴは、図６に示すよ
うに、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真
性、intrinsic、導電型決定不純物がドープされていな
い）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層Ａ
Ｓ、一対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有
す。なお、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極
性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路では
その極性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動
作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明で
は、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表
現する。

【００４４】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線ＧＬ
の一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されて
いる。ゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの能動
領域を超える部分であり、ｉ型半導体層ＡＳを完全に覆
うよう（下方からみて）それより大き目に形成されてい
る。これにより、ゲート電極ＧＴの役割のほかに、ｉ型
半導体層ＡＳに外光やバックライト光が当たらないよう
に工夫されている。本例では、ゲート電極ＧＴは、単層
の導電膜ｇ１で形成されている。導電膜ｇ１としては例
えばスパッタで形成されたアルミニュウム（Ａｌ）膜が
用いられ、その上にはＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けら
れている。

【００４５】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは導電
膜ｇ１で構成されている。この走査信号線ＧＬの導電膜
ｇ１はゲート電極ＧＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形
成され、かつ一体に構成されている。この走査信号線Ｇ
Ｌにより、外部回路からゲート電圧Ｖgをゲート電極Ｇ
Ｔに供給する。また、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極
酸化膜ＡＯＦが設けられている。なお、映像信号線ＤＬ
と交差する部分は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さ
くするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミ
ングで切り離すことができるように二股にしている。

【００４６】《対向電極ＣＴ》対向電極ＣＴはゲート電
極ＧＴおよび走査信号線ＧＬと同層の導電膜ｇ１で構成
されている。また、対向電極ＣＴ上にもＡｌの陽極酸化
膜ＡＯＦが設けられている。対向電極ＣＴは、陽極酸化
膜ＡＯＦで完全に覆われていることから、映像信号線と
限りなく近づけても、それらが短絡してしまうことがな
くなる。また、それらを交差させて構成させることもで
きる。対向電極ＣＴには対向電圧Ｖcomが印加されるよ
うに構成されている。本例では、対向電圧Ｖcomは映像
信号線ＤＬに印加される最小レベルの駆動電圧Ｖｄmin
と最大レベルの駆動電圧Ｖｄmaxとの中間直流電位か
ら、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴをオフ状態にするとき
に発生するフィードスルー電圧△Ｖs分だけ低い電位に
設定されるが、映像信号駆動回路で使用される集積回路
の電源電圧を約半分に低減したい場合は、交流電圧を印
加すれば良い。

【００４７】《対向電圧信号線ＣＬ》対向電圧信号線Ｃ
Ｌは導電膜ｇ１で構成されている。この対向電圧信号線
ＣＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬお
よび対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成さ
れ、かつ対向電極ＣＴと一体に構成されている。この対
向電圧信号線ＣＬにより、外部回路から対向電圧Ｖcom
を対向電極ＣＴに供給する。また、対向電圧信号線ＣＬ
上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。な
お、映像信号線ＤＬと交差する部分は、走査信号線ＧＬ
と同様に映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするた
め細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切
り離すことができるように二股にすることもできる。

【００４８】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴにおいて、ゲート電極ＧＴと共に半導体層
ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用され
る。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走査信号線ＧＬ
の上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとしては例えばプ
ラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜が選ばれ、１
２００〜２７００Åの厚さに（本例では、２４００Å程
度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩは、マトリクス部Ａ
Ｒの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子
ＤＴＭ、ＧＴＭを露出するよう除去されている。絶縁膜
ＧＩは走査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと映像
信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。

【００４９】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、非晶質シリコンで、２００〜２２００Åの厚さに
（本例では、２０００Å程度の膜厚）で形成される。層
ｄ０はオーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をドープし
たＮ⁺型非晶質シリコン半導体層であり、下側にｉ型半
導体層ＡＳが存在し、上側に導電層ｄ１（ｄ２）が存在
するところのみに残されている。

【００５０】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬおよび
対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの交差部（クロ
スオーバ部）の両者間にも設けられている。この交差部
のｉ型半導体層ＡＳは交差部における走査信号線ＧＬお
よび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの短絡を低
減する。

【００５１】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ⁺型半導体層ｄ０に接触する導電膜ｄ１とその上
に形成された導電膜ｄ２とから構成されている。導電膜
ｄ１はスパッタで形成したクロム（Ｃｒ）膜を用い、５
００〜１０００Åの厚さに（本例では、６００Å程度）
で形成される。Ｃｒ膜は膜厚を厚く形成するとストレス
が大きくなるので、２０００Å程度の膜厚を越えない範
囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ⁺型半導体層ｄ０との接着性
を良好にし、導電膜ｄ２のＡｌがＮ⁺型半導体層ｄ０に
拡散することを防止する（いわゆるバリア層の）目的で
使用される。導電膜ｄ１として、Ｃｒ膜の他に高融点金
属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド
（ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂）膜を用
いてもよい。

【００５２】導電膜ｄ２はＡｌのスパッタリングで３０
００〜５０００Åの厚さに（本例では、４０００Å程
度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレスが小
さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極Ｓ
Ｄ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵抗
値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層ＡＳに
起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバーレ
ッジを良くする）働きがある。

【００５３】導電膜ｄ１、導電膜ｄ２を同じマスクパタ
ーンでパターニングした後、同じマスクを用いて、ある
いは導電膜ｄ１、導電膜ｄ２をマスクとして、Ｎ⁺型半
導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ型半導体層ＡＳ上
に残っていたＮ⁺型半導体層ｄ０は導電膜ｄ１、導電膜
ｄ２以外の部分がセルフアラインで除去される。このと
き、Ｎ⁺型半導体層ｄ０はその厚さ分は全て除去される
ようエッチングされるので、ｉ型半導体層ＡＳも若干そ
の表面部分がエッチングされるが、その程度はエッチン
グ時間で制御すればよい。

【００５４】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。また、映像信
号線ＤＬはドレイン電極ＳＤ２と一体に形成されてい
る。

【００５５】《画素電極ＰＸ》画素電極ＰＸはソース電
極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜ｄ
２、第３導電膜ｄ３で構成されている。また、画素電極
ＰＸはソース電極ＳＤ１と一体に形成されている。

【００５６】《蓄積容量Ｃstg》画素電極ＰＸは、薄膜
トランジスタＴＦＴと接続される端部と反対側の端部に
おいて、対向電圧信号線ＣＬと重なるように形成されて
いる。この重ね合わせは、図７からも明らかなように、
画素電極ＰＸを一方の電極ＰＬ２とし、対向電圧信号Ｃ
Ｌを他方の電極ＰＬ１とする蓄積容量（静電容量素子）
Ｃstgを構成する。この蓄積容量Ｃstgの誘電体膜は、薄
膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される
絶縁膜ＧＩおよび陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。

【００５７】図４に示すように平面的には蓄積容量Ｃst
gは対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１の部分に形成され
ている。

【００５８】この場合、この蓄積容量Ｃstgは、その絶
縁膜ＧＩに対して下側に位置づけられる電極の材料がＡ
ｌで形成され、かつ、その表面が陽極化成されたもので
あることから、Ａｌのいわゆるホイスカ等が原因する点
欠陥（上側に位置づけられる電極との短絡）による弊害
を発生しにくくする蓄積容量を得ることができる。

【００５９】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ上には保護膜ＰＳＶ１が設けられている。保護膜ＰＳ
Ｖ１は主に薄膜トランジスタＴＦＴを湿気等から保護す
るために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の
良いものを使用する。保護膜ＰＳＶ１はたとえばプラズ
マＣＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン
膜で形成されており、５０００Å程度の膜厚で形成す
る。

【００６０】保護膜ＰＳＶ１は、マトリクス部ＡＲの全
体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴ
Ｍ、ＧＴＭを露出するよう除去されている。保護膜ＰＳ
Ｖ１とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は
保護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コ
ンダクタンスｇｍを考え、薄くされる。

【００６１】《カラーフィルタ基板》次に、図４、図１
１に戻り、上側透明ガラス基板ＳＵＢ２側（カラーフィ
ルタ基板）の構成を詳しく説明する。

【００６２】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、不要な間隙部（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
の間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、
コントラスト比等を低下させないように遮光膜ＢＭ（い
わゆるブラックマトリクス）を形成している。遮光膜Ｂ
Ｍは、外部光またはバックライト光がｉ型半導体層ＡＳ
に入射しないようにする役割も果たしている。すなわ
ち、薄膜トランジスタＴＦＴのｉ型半導体層ＡＳは上下
にある遮光膜ＢＭおよび大き目のゲート電極ＧＴによっ
てサンドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光
が当たらなくなる。

【００６３】図４に示す遮光膜ＢＭの閉じた多角形の輪
郭線は、その内側が遮光膜ＢＭが形成されない開口を示
している。この輪郭線のパターンは、一例である。

【００６４】横電界方式の液晶表示装置では、可能な限
り高抵抗なブラックマトリクスが適していることから、
一般に樹脂組成物を用いる。この抵抗規格については、
公知ではないが、同一出願人による特願平７−１９１９
９４号に記載がある。すなわち、液晶組成物質ＬＣの比
抵抗値が１０のＮ乗を１０Ｎと記述すると１０ＮΩ・ｃ
ｍ以上、かつブラックマトリクスＢＭの比抵抗値が１０
のＭ乗を１０Ｍと記述すると１０ＭΩ・ｃｍ以上とし、
かつ、Ｎ＞９、Ｍ＞６を満足する関係とする。あるい
は、Ｎ＞１３、Ｍ＞７を満足する関係とすることが望ま
しい。

【００６５】また、液晶表示装置の表面反射を低減する
目的からも、ブラックマトリクスに樹脂組成物を用いる
ことが望ましい。

【００６６】さらに、Ｃｒ等の金属膜をブラックマトリ
クスに用いる場合と比較して、金属膜のエッチング工程
が不要なため、カラーフィルタ基板の製造工程を簡略化
できる。金属膜を使用する場合の製造工程は、１）金属
膜成膜、２）レジスト塗布、３）露光、４）現像、５）
金属膜エッチング、６）レジスト剥離、である。一方、
樹脂を使用する場合の製造工程は、１）樹脂塗布、２）
露光、３）現像、であり、著しく工程を短縮できる。

【００６７】しかし、樹脂組成物は金属膜と比較して遮
光性が低い。樹脂の膜厚を厚くすると遮光性は向上する
が、ブラックマトリクスの膜厚ばらつきは増加する。こ
れは、例えば±１０％の膜厚ばらつきがある場合、ブラ
ックマトリクスの膜厚が１．０μｍ時は±０．１μｍ、
２μｍ時は±０．２μｍになるためである。また、ブラ
ックマトリクスの膜厚を厚くすると、カラーフィルタ基
板の膜厚ばらつきが増加し、液晶表示基板のギャップ精
度を向上することが困難になる。以上の理由により、樹
脂の膜厚は、２μｍ以下にすることが望ましい。

【００６８】また、膜厚１μｍでＯＤ値を約４．０以上
にするためには、例えばカーボンを含有量を増加して黒
色化する場合、ブラックマトリクスＢＭの比抵抗値は約
１０⁶Ω・ｃｍ以下となり、現状では使用できない。な
お、ＯＤ値は、吸光係数に膜厚を掛けた値と定義でき
る。

【００６９】このため、本実施例では、この遮光膜ＢＭ
の材料として、黒色の無機顔料をレジスト材に混入した
樹脂組成物を用い、１．３±０．１μｍ程度の厚さで形
成している。無機顔料の例としては、パラジウムや無電
解メッキしたＮｉなどがある。さらに、ブラックマトリ
クスＢＭの比抵抗値は約１０⁹Ω・ｃｍとし、ＯＤ値約
２．０とした。

【００７０】この樹脂組成物ブラックマトリクスＢＭを
使用した場合の光透過量の計算結果を以下に示す。

【００７１】

【数１】ＯＤ値＝ｌｏｇ（１００／Ｙ）Ｙ＝∫Ａ（λ）・Ｂ（λ）・Ｃ（λ）ｄλ／∫Ａ（λ）
・Ｃ（λ）ｄλ ここで、Ａは視感度、Ｂは透過率、Ｃは光源スペクト
ル、λは入射光の波長を示す。

【００７２】ＯＤ値２．０の膜で遮光した場合は、上記
数１から、Ｙ＝１％を得て、入射光強度４０００ｃｄ／
ｍ²を仮定すると、約４０ｃｄ／ｍ²の光が透過してくる
ことになる。この光強度は、十分に人間が視認できる明
るさである。

【００７３】遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成さ
れ、そのパターンはドット状に複数の開口を設けた図４
に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されてい
る。

【００７４】本例の目的の一つは、この遮光膜ＢＭの外
周辺部の位置をシール部ＳＬ、偏光板ＰＯＬ、モジュー
ルの筐体の開口部ＷＤ等との位置関係で規定することに
ある。

【００７５】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは遮
光膜ＢＭのエッジ部分と重なるように形成されている。

【００７６】カラーフィルタＦＩＬは次のように形成す
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリ
ソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材
を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固着
処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同様
な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フィ
ルタＢを順次形成する。

【００７７】《オーバーコート膜ＯＣ》オーバーコート
膜ＯＣはカラーフィルタＦＩＬの染料の液晶ＬＣへの漏
洩の防止、および、カラーフィルタＦＩＬ、遮光膜ＢＭ
による段差の平坦化のために設けられている。オーバー
コート膜ＯＣはたとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等
の透明樹脂材料で形成されている。

【００７８】《液晶層および偏向板》次に、液晶層、配
向膜、偏光板等について説明する。

【００７９】《液晶層》液晶材料ＬＣとしては、誘電率
異方性△εが正でその値が１３．２、屈折率異方性△ｎ
が０．０８１（５８９ｎｍ、２０℃）のネマティック液
晶と、誘電率異方性△εが負でその値が−７．３、屈折
率異方性△ｎが０．０５３（５８９ｎｍ、２０℃）のネ
マティック液晶を用いた。液晶層の厚み（ギャップ）
は、誘電率異方性△εが正の場合２．８μｍ超４．５μ
ｍ未満とした。これは、リタデーション△ｎ・ｄは０．
２５μｍ超０．３２μｍ未満の時、可視光の範囲内で波
長依存性がほとんどない透過率特性を得られ、誘電率異
方性△εが正を有する液晶の大部分が複屈折異方性△ｎ
が０．０７超０．０９未満であるためである。一方、誘
電率異方性△εが負の場合は、液晶層の厚み（ギャッ
プ）は、４．２μｍ超８．０μｍ未満とした。これは誘
電率異方性△εが正の液晶と同様に、リタデーション△
ｎ・ｄを０．２５μｍ超０．３２μｍ未満に抑えるため
で、誘電率異方性△εが負を有する液晶の大部分が複屈
折異方性△ｎが０．０４超０．０６未満であるためであ
る。

【００８０】また、後述の配向膜と偏光板と組み合わせ
により、液晶分子がラビング方向から電界方向に４５°
回転したとき最大透過率を得ることができる。

【００８１】なお、液晶層の厚み（ギャップ）は、ポリ
マビーズで制御している。

【００８２】なお、液晶材料ＬＣは、ネマチック液晶で
あれば、特に限定したものではない。また、誘電率異方
性△εは、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減でき
る。また、屈折率異方性△ｎは小さいほうが、液晶層の
厚み（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入時間が短縮さ
れ、かつギャップばらつきを少なくすることができる。

【００８３】《配向膜》配向膜ＯＲＩとしては、ポリイ
ミドを用いる。ラビング方向ＲＤＲは上下基板で互いに
平行にし、かつ印加電界方向ＥＤＲとのなす角度Фｌｃ
は７５°とする。図５にその関係を示す。

【００８４】なお、ラビング方向ＲＤＲと印加電界方向
ＥＤＲとのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性△εが
正であれば、４５℃以上９０℃未満、誘電率異方性△ε
が負であれば、０°を超え４５°以下であれば良い。

【００８５】《偏光板》偏光板ＰＯＬとしては、日東電
工社製Ｇ１２２０ＤＵを用い、下側の偏光板ＰＯＬ１の
偏光透過軸ＭＡＸ１をラビング方向ＲＤＲと一致させ、
上側の偏向板ＰＯＬ２の偏光透過軸ＭＡＸ２を、それに
直交させる。図５にその関係を示す。これにより、本発
明の画素に印加される電圧（画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔの間の電圧）を増加させるに伴い、透過率が上昇する
ノーマリクローズ特性を得ることができる。さらに、本
発明で開示される横電界方式と称される液晶表示装置で
は、上側の基板ＳＵＢ２側の表面の外部から、静電気等
の高い電位が加わった場合に、表示の異常が発生する。
このため、上側の偏向板ＰＯＬ２のさらに上側あるいは
に表面にシート抵抗１×１０⁸Ω／□以下の透明導電膜
の層を形成すること、あるいは、偏光板と前記透明基板
の間にシート抵抗１×１０⁸Ω／□以下のＩＴＯ等の透
明導電膜の層を形成すること、あるいは、偏光板の粘着
層にＩＴＯ、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃等の導電性粒子を混
ぜ、シート抵抗を１×１０⁸Ω／□以下とすることが必
要となる。この対策については、公知ではないが同一出
願人による特願平７−２６４４４３号において、シール
ド機能向上につき詳しい記載がある。

【００８６】《マトリクス周辺の構成》図１２は上下の
ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬ
のマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を示す図である。

【００８７】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。図１２は後者の例を示すもの
で、図１２の両図とも上下基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の切
断後を表しており、ＬＮは両基板の切断前の縁を示す。
いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ、Ｔ
ｄおよび端子ＣＴＭが存在する（図で上辺と左辺の）部
分はそれらを露出するように上側基板ＳＵＢ２の大きさ
が下側基板ＳＵＢ１よりも内側に制限されている。端子
群Ｔｇ、Ｔｄはそれぞれ後述する走査回路接続用端子Ｇ
ＴＭ、映像信号回路接続用端子ＤＴＭとそれらの引出配
線部を集積回路チップＣＨＩが搭載されたテープキャリ
アパッケージＴＣＰの単位に複数本まとめて名付けたも
のである。各群のマトリクス部から外部接続端子部に至
るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜してい
る。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチおよび各パ
ッケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルＰ
ＮＬの端子ＤＴＭ、ＧＴＭを合わせるためである。ま
た、対向電極端子ＣＴＭは、対向電極ＣＴに対向電圧を
外部回路から与えるための端子である。マトリクス部の
対向電極信号線ＣＬは、走査回路用端子ＧＴＭの反対側
（図では右側）に引き出し、各対向電圧信号線を共通バ
スラインＣＢで一纏めにして、対向電極端子ＣＴＭに接
続している。

【００８８】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂から成る。

【００８９】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２の層は、シール
パターンＳＬの内側に形成される。偏光板ＰＯＬ１、Ｐ
ＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に構成されている。
液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩ
１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパターンＳＬで
仕切られた領域に封入されている。下部配向膜ＯＲＩ１
は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶ１の上
部に形成される。

【００９０】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。

【００９１】《表示装置全体等価回路》図１３に示すよ
うに、液晶表示基板は、画像表示部がマトリクス状に配
置された複数の画素の集合により構成され、各画素は前
記液晶表示基板の背部に配置されたバックライトからの
透過光を独自に変調制御できるように構成されている。
液晶表示基板の構成要素の１つであるアクティブマトリ
クス基板ＳＵＢ１上には、有効画素領域ＡＲには、ｘ方
向（行方向）に延在し、ｙ方向に並設されたゲート信号
線ＧＬと対向電圧信号線ＣＬが形成されている。そし
て、これらゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬ
とそれぞれ絶縁されてｙ方向に延在し、ｘ方向に並設さ
れたドレイン信号線ＤＬが形成されている。ここで、ゲ
ート信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬ、ドレイン信号線
ＤＬのそれぞれによって囲まれる矩形状の領域に単位画
素が形成される。液晶表示基板には、その外部回路とし
て垂直走査回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈが備えら
れ、前記垂直走査回路Ｖによって前記ゲート信号線ＧＬ
のそれぞれに順次走査信号（電圧）が供給され、そのタ
イミングに合わせて映像信号駆動回路Ｈからドレイン信
号線ＤＬに映像信号(電圧)に供給するようになってい
る。なお、垂直走査回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈ
は、液晶駆動電源回路から電源が供給されるとともに、
ＣＰＵからの画像情報がコントローラによってそれぞれ
表示データおよび制御信号に分けられて入力されるよう
になっている。

【００９２】《駆動方法》図１４に本発明の液晶表示装
置の駆動波形を示す。対向電圧をＶＣＨとＶＣＬの２値
の交流矩型波にし、それに同期させて走査信号ＶＧ（ｉ
−１）、ＶＧ（ｉ）の非選択電圧を１走査期間ごとに、
ＶＧＬＨとＶＧＬＬの２値で変化させる。対向電圧の振
幅値と非選択電圧の振幅値は同一にする。映像信号電圧
は、液晶層に印加したい電圧から、対向電圧の振幅の１
／２を差し引いた電圧である。

【００９３】対向電圧は直流でもよいが、交流化するこ
とで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動
回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いること
が可能になる。

【００９４】《蓄積容量Ｃstgの働き》蓄積容量Ｃstg
は、画素に書き込まれた（薄膜トランジスタＴＦＴがオ
フした後の）映像情報を、長く蓄積するために設ける。
本発明で用いている電界を基板面と平行に印加する方式
では、電界を基板面に垂直に印加する方式と異なり、画
素電極と対向電極で構成される容量（いわゆる液晶容
量）がほとんど無いため、蓄積容量Ｃstgは必須の構成
要素である。

【００９５】また、蓄積容量Ｃstgは、薄膜トランジス
タＴＦＴがスイッチングするとき、画素電極電位Ｖsに
対するゲート電位変化△Ｖgの影響を低減するようにも
働く。この様子を式で表すと、次のようになる。

【００９６】

【数２】△Ｖs＝{Ｃgs/(Ｃgs+Ｃstg+Ｃpix)}×△Ｖg ここで、Ｃgsは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極Ｇ
Ｔとソース電極ＳＤ１との間に形成される寄生容量、Ｃ
pixは画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に形成される
容量、△Ｖsは△Ｖgによる画素電極電位の変化分いわゆ
るフィードスルー電圧を表わす。この変化分△Ｖsは液
晶ＬＣに加わる直流成分の原因となるが、保持容量Ｃst
gを大きくする程、その値を小さくすることができる。
液晶ＬＣに印加される直流成分の低減は、液晶ＬＣの寿
命を向上し、液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残
るいわゆる焼き付きを低減することができる。

【００９７】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバラップ面
積が増え、従って寄生容量Ｃgsが大きくなり、画素電極
電位Ｖsはゲート（走査）信号Ｖgの影響を受け易くなる
という逆効果が生じる。しかし、蓄積容量Ｃstgを設け
ることによりこのデメリットも解消することができる。

【００９８】《製造方法》つぎに、上述した液晶表示装
置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について図８〜図１０を
参照して説明する。なお同図において、中央の文字は工
程名の略称であり、左側は図６に示す薄膜トランジスタ
ＴＦＴ部分、右側はゲート端子付近の断面形状でみた加
工の流れを示す。工程Ｂ、工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉ
は各写真処理に対応して区分けしたもので、各工程のい
ずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジス
トを除去した段階を示している。なお、写真処理とは本
説明ではフォトレジストの塗布からマスクを使用した選
択露光を経てそれを現像するまでの一連の作業を示すも
のとし、繰返しの説明は避ける。以下区分けした工程に
従って、説明する。

【００９９】工程Ａ、図８ＡＮ６３５ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基
板ＳＵＢ１上に膜厚が３０００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−
Ｗ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等からなる導電膜ｇ
１をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸
と硝酸と氷酢酸との混酸液で導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート電極ＧＴ、走査信号
線ＧＬ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ、電極ＰＬ
１、ゲート端子ＧＴＭ、共通バスラインＣＢの第１導電
層、対向電極端子ＣＴＭの第１導電層、ゲート端子ＧＴ
Ｍを接続する陽極酸化バスラインＳＨｇ（図示せず）お
よび陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽極酸化パ
ッド（図示せず）を形成する。

【０１００】工程Ｂ、図８直接描画による陽極酸化マスクＡＯの形成後、３％酒石
酸をアンモニアによりＰＨ６.２５±０.０５に調整した
溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した液から
なる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成電流密
度が０.５ｍＡ／ｃｍ²になるように調整する（定電流化
成）。次に所定のＡｌ₂Ｏ₃膜厚が得られるのに必要な化
成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。その後こ
の状態で数１０分保持することが望ましい（定電圧化
成）。これは均一なＡｌ₂Ｏ₃膜を得る上で大事なことで
ある。それによって、導電膜ｇ１を陽極酸化され、ゲー
ト電極ＧＴ、走査信号線ＧＬ、対向電極ＣＴ、対向電圧
信号線ＣＬおよび電極ＰＬ１上に膜厚が１８００Åの陽
極酸化膜ＡＯＦが形成される。

【０１０１】工程Ｃ、図８膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる透明導電膜ｇ２を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜ｇ２を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭの最
上層、ドレイン端子ＤＴＭおよび対向電極端子ＣＴＭの
第２導電層を形成する。

【０１０２】工程Ｄ、図９プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２２００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガス、ホス
フィンガスを導入して、膜厚が３００ÅのＮ⁺型非晶質
Ｓｉ膜を設ける。

【０１０３】工程Ｅ、図９写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を使用
してＮ⁺型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を選択的に
エッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳの島を形
成する。

【０１０４】工程Ｆ、図９写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。

【０１０５】工程Ｇ、図１０膜厚が６００ÅのＣｒからなる導電膜ｄ１をスパッタリ
ングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−Ｐ
ｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等から
なる導電膜ｄ２をスパッタリングにより設ける。写真処
理後、導電膜ｄ２を工程Ａと同様な液でエッチングし、
導電膜ｄ１を硝酸第２セリウムアンモニウム溶液でエッ
チングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ドレイ
ン電極ＳＤ２、画素電極ＰＸ、電極ＰＬ２、共通バスラ
インＣＢの第２導電層、第３導電層およびドレイン端子
ＤＴＭを短絡するバスラインＳＨｄ（図示せず）を形成
する。つぎに、ドライエッチング装置にＳＦ₆を導入し
て、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ膜をエッチングすることにより、
ソースとドレイン間のＮ⁺型半導体層ｄ０を選択的に除
去する。

【０１０６】工程Ｈ、図１０プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が５０００Åの窒化Ｓｉ膜を設
ける。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆
を使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチ
ングすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。

【０１０７】《液晶表示モジュールの全体構成》図１５
は、液晶表示モジュールＭＤＬの各構成部品を示す分解
斜視図である。ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールド
ケース（メタルフレーム）、ＷＤはその表示窓、ＰＮＬ
は液晶表示パネル、ＳＰＳは光拡散板、ＧＬＢは導光
体、ＲＦＳは反射板、ＢＬはバックライト蛍光管、ＭＣ
Ａは下側ケース（バックライトケース）であり、図に示
すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられてモジ
ュールＭＤＬが組み立てられる。

【０１０８】モジュールＭＤＬは、シールドケースＳＨ
Ｄに設けられた爪とフックによって全体が固定されるよ
うになっている。ここで、筐体ＭＤは、モジュールＭＤ
ＬとバックライトケースＭＣＡとの組み合わさったもの
とする。

【０１０９】バックライトケースＭＣＡはバックライト
蛍光管ＢＬ、光拡散板ＳＰＳ、導光体ＧＬＢ、反射板Ｒ
ＦＳを収納する形状になっており、導光体ＧＬＢの側面
に配置されたバックライト蛍光管ＢＬの光を、導光体Ｇ
ＬＢ、反射板ＲＦＳ、光拡散板ＳＰＳにより表示面で一
様なバックライトにし、液晶表示パネルＰＮＬ側に出射
する。

【０１１０】バックライト蛍光管ＢＬにはインバータ回
路基板が接続されており、バックライト蛍光管ＢＬの電
源となっている。

【０１１１】図１６は、図１５による液晶表示装置を実
装した情報処理装置の一例を説明するパソコンの外観図
であって、ＩＶは蛍光管駆動用のインバータ電源、ＣＰ
Ｕはホスト側中央演算装置である。

【０１１２】同図に示されたように、駆動ＩＣの液晶表
示素子ＰＮＬへのＣＯＧ実装と外周部のドレインおよび
ゲートドライバー用周辺回路として多層フレキシブル基
板を採用し、ドレインドライバー用回路に折り曲げ実装
を採用すること、および、本発明による筐体、偏光板、
ブラックマトリクスの設計を採用することで、従来に比
べ大幅に外形サイズ縮小ができる。

【０１１３】《静電気保護回路の実施の形態１》図１
は、本発明の実施の形態１の静電気保護回路の構成を示
す概略図であり、前述の横電界方式の液晶表示装置にお
いて、液晶表示素子のアクティブマトリクス基板上に形
成した静電気保護回路の構成例を示す。

【０１１４】ＰＥは画素、ＧＬは走査信号線（ゲート信
号線または水平信号線）、ＤＬは映像信号線（ドレイン
信号線または垂直信号線）、ＴＦＴは薄膜トランジス
タ、ＰＸは画素電極、ＣＴは対向電極、ＣＬは各対向電
極ＣＴに信号を供給する対向電極接続線（すなわち、対
向電圧信号線、対向電極配線とも称す）、ＧＴＭは走査
信号線ＧＬに外部駆動電気回路を接続するための外部接
続端子、ＤＴＭは映像信号線ＤＬに外部駆動電気回路を
接続するための外部接続端子、ＮＲは非線形抵抗素子、
ＣＬＣは各対向電極接続線ＣＬを電気的に共通に接続
し、対向電圧信号を供給する共通接続線、ＳＢは各走査
信号線ＧＬおよび各映像信号線ＤＬを、非線形抵抗素子
ＮＲをそれぞれ介して短絡する短絡線、ＣＮ１は対向電
極接続線ＣＬと共通接続線ＣＬＣとの電気的接続部、Ｃ
Ｎ２は共通接続線ＣＬＣと短絡線ＳＢとの電気的接続
部、ＴＨはスルーホール、ＯＴＭは外部電気回路に接続
する端子である。

【０１１５】アクティブマトリクス基板上の各画素ＰＥ
（１，１）〜（ｍ，ｎ）内には、前述のように、薄膜ト
ランジスタＴＦＴ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴが
形成されている（図４参照。なお、図１と図４では、画
素ＰＥにおける対向電極接続線ＣＬおよび薄膜トランジ
スタＴＦＴの配置位置や、一画素当たりの対向電極ＣＴ
の数等が異なる）。画像情報に対応した所定の電圧を、
これら画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ間に与えて、液晶の
光学特性を変化させ、画像表示を行う。画素電極ＰＸ
は、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極に接続され、
対向電極ＣＴは画素電極ＰＸに対向するように互いに平
行に形成されている。各画素ＰＥ内に形成されている対
向電極ＣＴは、走査信号線ＧＬと平行に配置された対向
電極接続線ＣＬに電気的に接続され、対向電極接続線Ｃ
Ｌから垂直方向に延びて形成されている。この対向電極
接続線ＣＬ群は、表示領域の外側に配置された共通接続
線ＣＬＣにそれぞれ接続部ＣＮ１を介して電気的に接続
されている。また、この共通接続線ＣＬＣは、端子ＯＴ
Ｍを介して外部電気回路に接続される。この外部電気回
路は、各画素ＰＥ内の対向電極ＣＴに所定の共通電圧を
加える回路である。この対向電極ＣＴの電圧と画素電極
ＰＸの電圧差により、画像表示が得られる。

【０１１６】なお、各走査信号線ＧＬおよび各映像信号
線ＤＬは、図１７に示した従来構成例と同様に、例えば
２端子動作薄膜トランジスタ等からなる順方向と逆方向
の１対のダイオードを組み合わせた双方向ダイオードか
ら構成される非線形抵抗素子ＮＲを介して、短絡線ＳＢ
に電気的に接続されている。この短絡線ＳＢは、表示領
域の外側に枠状（すなわち、ロ字状）に形成されてい
る。また、この短絡線ＳＢは、共通接続線ＣＬＣに接続
部ＣＮ２を介して電気的に接続されている。

【０１１７】図３（ａ）は、非線形抵抗素子ＮＲとして
使用される双方向ダイオードの回路構成図で、（ｂ）は
双方向ダイオードの具体的構成例としての２端子動作薄
膜トランジスタを示す。このように２個の２端子動作薄
膜トランジスタで構成されるダイオードを互いに逆向き
に並列に配置して、非線形な電流−電圧特性を有する非
線形抵抗素子を構成し、配線に静電気が侵入した場合、
静電気を双方向に短絡線ＳＢの方へ流すようになってい
る。なお、ＴＦＴダイオードの代わりに、ＭＩＭ素子等
を用いてもよいことはもちろんである。

【０１１８】このような構成により、外部から走査信号
線ＧＬもしくは映像信号線ＤＬに侵入するか、あるいは
液晶表示素子内で発生した静電気は、非線形抵抗素子Ｎ
Ｒを通して短絡線ＳＢの方へ放電され、この放電された
静電気は、共通接続線ＣＬＣにより吸収される。共通接
続線ＣＬＣには、画素ＰＥの数（ｍ×ｎ個）に相当する
多数個の対向電極ＣＴが接続されているため（図４の例
では対向電極ＣＴが画素当たり２個設けてあるので、ｍ
×ｎ×２個）、この共通接続線ＣＬＣは、静電気を吸収
できる充分な容量を有しているからである。したがっ
て、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの間の電圧が緩
和され、前述の静電気による破壊等が防止される。ま
た、非線形抵抗素子ＮＲとしてダイオードを用いたの
で、外部駆動回路からの信号の短絡線ＳＢへのリークを
少なくし、しかも静電気に対して十分な保護機能を有す
る。さらに、このような双方向ダイオードは、スイッチ
ング素子として用いた薄膜トランジスタＴＦＴを形成す
る場合、その製造工程内で簡単に形成することができ
る。

【０１１９】なお、例えば、枠状の短絡線ＳＢを構成す
る図の上側と下側と右側の３辺は、走査信号線ＧＬ（お
よび対向電極接続線ＣＬならびに共通接続線ＣＬＣ）と
同一工程により同一の層で形成される。また、左側の１
辺は、それと同一方向に延びる映像信号線ＤＬと同一工
程により同一の層で形成される。前記３辺と前記１辺と
は、コーナー部で２個のスルーホールＴＨを介して電気
的に接続されている。

【０１２０】なお、図１に示す静電気保護回路を有する
アクティブマトリクス基板では、アレイテスタを使用し
て配線の欠陥検査が可能である。アレイテスタは、例え
ば、書き込み→保持→読み出しサイクルからなり、積分
回路により保持容量に蓄積された電荷量を計測し、その
量で欠陥の有無を判断する。また、読み出し電荷量の各
種電圧、タイミング依存性により欠陥モードの解析が可
能となっている。アレイテストの際は、すべての外部接
続端子に同時に検査用プローブを当て、画素を動作させ
る。動作状態の良否により、画素の欠陥を検出する。し
たがって、各走査信号線間や各映像信号線間が抵抗体で
結合していると、電流が混合して検出不可能となるが、
抵抗体の抵抗値が高ければよい。本実施の形態で用いた
双方向ＴＦＴダイオードによる抵抗体は、Ｒ＝１×１０
⁶Ωと充分に高い抵抗なので、十分検査可能である。

【０１２１】《静電気保護回路の実施の形態２》図２
は、本発明の実施の形態２の静電気保護回路の構成を示
す概略図である。

【０１２２】本実施の形態は、対向電極ＣＴを接続した
共通接続線ＣＬＣと、表示領域の外側に枠状に形成され
た短絡線ＳＢの一部の右側の１辺とが共通化されている
点に特徴がある。換言すれば、本実施の形態は、図１に
示した対向電極接続線ＣＬ群を共通に接続する共通接続
線ＣＬＣを設けず、対向電極接続線ＣＬ群を直接短絡線
ＳＢに電気的に接続してある。その他の構成は、実施の
形態１と同様である。これにより、静電気保護回路を構
成する配線数を少なくすることができ、基板のサイズも
小さくすることができる。しかも、静電気保護効果は実
施の形態１と同様に高い。

【０１２３】以上、本発明を前記実施例に基づき具体的
に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更
可能であることは勿論である。例えば、図１に示した実
施の形態１では、非線形抵抗素子ＮＲを介して走査信号
線ＧＬおよび映像信号線ＤＬを接続した短絡線ＳＢを、
各対向電極接続線ＣＬを接続する共通接続線ＣＬＣに接
続部ＣＮ２で直接接続したが、短絡線ＳＢを少なくとも
１本の任意の対向電極接続線ＣＬに接続してもよい。ま
た、前記実施の形態では、アクティブ素子としてアモル
ファスシリコン薄膜トランジスタＴＦＴを使用している
が、他にポリシリコン薄膜トランジスタ、シリコンウエ
ハ上のＭＯＳ型トランジスタ、または、ＭＩＭ（Ｍｅｔ
ａｌ−Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−ｍｅｔａｌ）ダイオード等
の２端子素子を用いても可能である。また、少なくとも
一方は透明な一対の基板、反射手段、偏光手段とから構
成される反射型の液晶表示装置にも、本発明は適用でき
る。さらに、本発明は、ＴＣＰ部品を使用せず、映像駆
動用ＩＣおよび走査駆動用ＩＣを透明絶縁基板上に直接
搭載するフリップチップ方式（すなわち、チップオンガ
ラス（ＣＯＧ）方式）の液晶表示装置にも適用可能であ
る（これについては、同一出願人であるが、モジュール
実装方法について先願である特願平６−２５６４２６号
参照）。

【０１２４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
横電界方式の液晶表示装置において、液晶表示素子を構
成するアクティブマトリクス基板上に形成した静電気保
護回路により、外部から侵入したあるいは液晶表示素子
内部で発生した静電気を吸収することが可能となり、効
果の高い静電気保護を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の静電気保護回路の構成
を示す概略図である。

【図２】本発明の実施の形態２の静電気保護回路の構成
を示す概略図である。

【図３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明による非線形
抵抗素子として使用される双方向ＴＦＴダイオードの一
例の回路構成図である。

【図４】本発明の横電界方式アクティブマトリックス型
カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とその周辺を
示す要部平面図である。

【図５】印加電界方向、ラビング方向、偏光板透過軸の
関係を示す図である。

【図６】図４の４−４切断線における薄膜トランジスタ
素子ＴＦＴの断面図である。

【図７】図４の５−５切断線における蓄積容量Ｃstgの
断面図である。

【図８】基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示す
画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図９】基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示す
画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１０】基板ＳＵＢ１側の工程Ｇ〜Ｈの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１１】横電界方式の液晶表示基板の画像表示領域に
おける１画素の電極近傍の断面図と基板周辺部の断面図
を示す図である。

【図１２】表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明
するための平面図である。

【図１３】本発明のアクティブマトリックス型カラー液
晶表示装置のマトリクス部とその周辺を含む回路図であ
る。

【図１４】本発明のアクティブマトリックス型カラー液
晶表示装置の駆動波形を示す図である。

【図１５】液晶表示モジュールの分解斜視図である。

【図１６】本発明による液晶表示装置を実装した情報処
理装置の一例を説明するパソコンの外観図である。

【図１７】従来の縦電界方式の液晶表示素子における静
電気保護回路の構成例を示す概略図である。

【符号の説明】

ＰＥ…画素、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映像信号線、Ｔ
ＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向
電極、ＣＬ…対向電極接続線、ＧＴＭ、ＤＴＭ…外部接
続端子、ＮＲ…非線形抵抗素子、ＣＬＣ…共通接続線、
ＳＢ…短絡線、ＣＮ１、ＣＮ２…接続部、ＴＨ…スルー
ホール、ＯＴＭ…外部電気回路に接続する端子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中野泰千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶層を介して互いに対向配置され、液晶
表示素子を構成する２枚の基板のうち、一方の前記基板
の前記液晶層側の面上に、ｘ方向に延在し、ｙ方向に並
設された走査信号線群と、この走査信号線群と絶縁され
てｙ方向に延在し、ｘ方向に並設された映像信号線群と
が形成され、前記走査信号線群と前記映像信号線群とが交差する領域
によって表示領域が形成され、前記各走査信号線と前記各映像信号線とで囲まれる領域
に、スイッチング素子、画素電極および対向電極がそれ
ぞれ形成され、前記面上に、ｘ方向に延在し、ｙ方向に並設され、前記
各対向電極を接続する接続線群が形成され、前記画素電極と前記対向電極との間に前記面と略平行に
発生させる電界成分によって前記液晶層の光透過率を変
化させる液晶表示装置において、前記表示領域の外側に配置され、前記各走査信号線およ
び前記各映像信号線を、それぞれ非線形抵抗素子を介し
て電気的に接続する短絡線が前記面上に形成され、かつ、前記短絡線と前記接続線とが電気的に接続されて
いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記各接続線が共通接続線に電気的に接続
され、該共通接続線と前記短絡線とが電気的に接続され
ていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記接続線もしくは前記短絡線が外部電気
回路に電気的に接続されていることを特徴とする請求項
１記載の液晶表示装置。
【請求項４】液晶層を介して互いに対向配置され、液晶
表示素子を構成する２枚の基板のうち、一方の前記基板
の前記液晶層側の面上に、ｘ方向に延在し、ｙ方向に並
設された走査信号線群と、この走査信号線群と絶縁され
てｙ方向に延在し、ｘ方向に並設された映像信号線群と
が形成され、前記走査信号線群と前記映像信号線群とが交差する領域
によって表示領域が形成され、前記各走査信号線と前記各映像信号線とで囲まれる領域
に、スイッチング素子、画素電極および対向電極がそれ
ぞれ形成され、前記面上に、ｘ方向に延在し、ｙ方向に並設され、前記
各対向電極を接続する接続線群が形成され、前記画素電極と前記対向電極との間に前記面と略平行に
発生させる電界成分によって前記液晶層の光透過率を変
化させる液晶表示装置において、前記表示領域の外側に配置され、ｙ方向に延在し、前記
接続線群を電気的に接続する共通接続線と、前記表示領域の外側に配置され、前記各走査信号線およ
び前記各映像信号線を、それぞれ非線形抵抗素子を介し
て電気的に接続する短絡線とが前記面上に形成され、かつ、前記短絡線を前記共通接続線に電気的に接続した
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】前記短絡線が、前記表示領域の外側に枠状
に形成され、かつ、前記共通接続線と、前記短絡線の一
部とが共通化されていることを特徴とする請求項４記載
の液晶表示装置。
【請求項６】前記共通接続線もしくは前記短絡線が外部
電気回路に電気的に接続されていることを特徴とする請
求項４記載の液晶表示装置。
【請求項７】前記各対向電極が、ｘ方向に延在する前記
接続線から、前記画素電極と平行に所定の間隔を隔てて
ｙ方向に伸長していることを特徴とする請求項１または
４記載の液晶表示装置。
【請求項８】前記短絡線が、前記表示領域の外側に枠状
に形成されていることを特徴とする請求項１または４記
載の液晶表示装置。
【請求項９】非線形抵抗素子が順方向と逆方向の２個の
ダイオードで構成されていることを特徴とする請求項１
または４記載の液晶表示装置。